JPH10209252A - ウエハ用トレイ - Google Patents
ウエハ用トレイInfo
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- JPH10209252A JPH10209252A JP9011395A JP1139597A JPH10209252A JP H10209252 A JPH10209252 A JP H10209252A JP 9011395 A JP9011395 A JP 9011395A JP 1139597 A JP1139597 A JP 1139597A JP H10209252 A JPH10209252 A JP H10209252A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １台の半導体製造装置で種々のサイズの半導
体ウエハの処理（成膜、加工）等を可能にするウエハ用
トレイを提供する。 【解決手段】 中心部分に、保持されるウエハ５の面が
臨む開口３を有し、開口３の外周に半導体ウエハ５の周
縁を保持する受部４を設けた構成とする。
体ウエハの処理（成膜、加工）等を可能にするウエハ用
トレイを提供する。 【解決手段】 中心部分に、保持されるウエハ５の面が
臨む開口３を有し、開口３の外周に半導体ウエハ５の周
縁を保持する受部４を設けた構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置、
例えば薄膜の成膜、加工用装置等に適用して好適なウエ
ハ用トレイに関する。
例えば薄膜の成膜、加工用装置等に適用して好適なウエ
ハ用トレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造に用いられる薄
膜の成膜、加工を行う装置では、処理できる半導体ウエ
ハ、例えばシリコンウエハのサイズが１種類に限られて
いた。もし、異なるサイズのシリコンウエハを処理しよ
うとすると、成膜、加工装置の搬送系やウエハステージ
を取り替える必要があるため、１日程度のロスタイムが
あった。
膜の成膜、加工を行う装置では、処理できる半導体ウエ
ハ、例えばシリコンウエハのサイズが１種類に限られて
いた。もし、異なるサイズのシリコンウエハを処理しよ
うとすると、成膜、加工装置の搬送系やウエハステージ
を取り替える必要があるため、１日程度のロスタイムが
あった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の対処法では、異
なるサイズの半導体ウエハを処理したいときに、装置の
部品を交換することに時間がかかりすぎていた。
なるサイズの半導体ウエハを処理したいときに、装置の
部品を交換することに時間がかかりすぎていた。
【０００４】また、真空雰囲気で処理を行う装置では、
一度装置の真空を破って大気解放する必要があるため、
装置の部品を交換した後、もとのベースプレッシャー
（ガスを流さないときの到達真空度）まで真空引きする
には、更に時間がかかる。
一度装置の真空を破って大気解放する必要があるため、
装置の部品を交換した後、もとのベースプレッシャー
（ガスを流さないときの到達真空度）まで真空引きする
には、更に時間がかかる。
【０００５】また、小さいサイズの半導体ウエハを大き
いサイズの半導体ウエハと同じ大きさのアダプターに単
純に載せるだけで搬送、成膜をすると、熱伝導が悪くな
ることから半導体ウエハの加熱がうまく行えないことが
予想される。
いサイズの半導体ウエハと同じ大きさのアダプターに単
純に載せるだけで搬送、成膜をすると、熱伝導が悪くな
ることから半導体ウエハの加熱がうまく行えないことが
予想される。
【０００６】本発明は、上述の点に鑑み、半導体製造装
置の部品を取り替えことなく異なるサイズのウエハ処理
を可能にするウエハ用トレイを提供するものである。
置の部品を取り替えことなく異なるサイズのウエハ処理
を可能にするウエハ用トレイを提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るウエハ用ト
レイは、中心部分に、保持されるウエハの面が臨む開口
を有し、開口の外周にウエハの周縁を保持する受部が設
けられた構成とする。
レイは、中心部分に、保持されるウエハの面が臨む開口
を有し、開口の外周にウエハの周縁を保持する受部が設
けられた構成とする。
【０００８】このウエハ用トレイを用いることにより、
１つの装置において異なるサイズのウエハの処理が行え
る。そして、ウエハに対する加熱処理では、トレイの開
口を通してウエハ面が露出しているので、このウエハ面
を熱輻射で均一に且つ効率よく加熱することができる。
１つの装置において異なるサイズのウエハの処理が行え
る。そして、ウエハに対する加熱処理では、トレイの開
口を通してウエハ面が露出しているので、このウエハ面
を熱輻射で均一に且つ効率よく加熱することができる。
【０００９】本発明に係るウエハ用トレイは、ウエハを
保持する面の一部又は全部が網目状とされるか又は多数
の貫通孔が設けられた構成とする。
保持する面の一部又は全部が網目状とされるか又は多数
の貫通孔が設けられた構成とする。
【００１０】このウエハ用トレイを用いることにより、
１つの装置において異なるサイズのウエハの処理が行え
る。そして、ウエハに対する加熱処理では、トレイの網
目状又は多数の貫通孔を通して熱輻射によって均一且つ
効率よく加熱することができる。
１つの装置において異なるサイズのウエハの処理が行え
る。そして、ウエハに対する加熱処理では、トレイの網
目状又は多数の貫通孔を通して熱輻射によって均一且つ
効率よく加熱することができる。
【００１１】本発明に係るウエハ用トレイは、ウエハの
面に対向して凹部が設けられ、凹部の外周上にウエハの
周縁を保持する受部が設けられた構成とする。
面に対向して凹部が設けられ、凹部の外周上にウエハの
周縁を保持する受部が設けられた構成とする。
【００１２】このウエハ用トレイを用いることにより、
１つの装置において異なるサイズのウエハの処理が行え
る。そして、ウエハに対する加熱処理では、トレイ自
体、即ちウエハの面に対向する凹部底面からの熱輻射に
よって均一に且つ効率よく加熱することができる。
１つの装置において異なるサイズのウエハの処理が行え
る。そして、ウエハに対する加熱処理では、トレイ自
体、即ちウエハの面に対向する凹部底面からの熱輻射に
よって均一に且つ効率よく加熱することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】第１の本発明に係るウエハ用トレ
イは、中心部分に、保持されるウエハの面が臨む開口を
有し、且つ開口外周にウエハの周縁を保持する受部が設
けられた構成とする。
イは、中心部分に、保持されるウエハの面が臨む開口を
有し、且つ開口外周にウエハの周縁を保持する受部が設
けられた構成とする。
【００１４】第２の本発明に係るウエハ用トレイは、ウ
エハを保持する面の一部又は全部が網目状とされるか又
は多数の貫通孔が設けられた構成とする。
エハを保持する面の一部又は全部が網目状とされるか又
は多数の貫通孔が設けられた構成とする。
【００１５】第３の本発明は、第２の発明のウエハ用ト
レイが赤外線に対して透明である材質にて形成された構
成とする。
レイが赤外線に対して透明である材質にて形成された構
成とする。
【００１６】第４の本発明に係るウエハ用トレイは、ウ
エハの面に対向して凹部が設けられ、凹部の外周上にウ
エハの周縁を保持する受部が設けられた構成とする。
エハの面に対向して凹部が設けられ、凹部の外周上にウ
エハの周縁を保持する受部が設けられた構成とする。
【００１７】第５の本発明は、第４の発明のウエハ用ト
レイがカーボン又はシリコンカーバイトで形成された構
成とする。
レイがカーボン又はシリコンカーバイトで形成された構
成とする。
【００１８】第６の本発明は、第４の発明のウエハ用ト
レイにおいて、トレイ自体がウエハを加熱するための熱
輻射源となる構成とする。
レイにおいて、トレイ自体がウエハを加熱するための熱
輻射源となる構成とする。
【００１９】以下、図面を参照して本発明の実施例を説
明する。
明する。
【００２０】図１Ａ，Ｂは、本発明によるウエハ用トレ
イの一実施例を示す。本例のウエハ用トレイ１は、大き
なサイズのウエハ、例えば８インチウエハと同じ大きさ
に対応するように、例えば厚さ１ｍｍ、直径２００ｍｍ
（８インチ）の石英の円板２の中心部をくり抜き、直径
１１５ｍｍの開口３を形成すると共に、開口３の外周に
幅６ｍｍで、深さ０．３ｍｍの座繰りによって例えば５
インチの半導体ウエハ５の周縁を保持する段差部、即ち
受部４を形成して構成される。
イの一実施例を示す。本例のウエハ用トレイ１は、大き
なサイズのウエハ、例えば８インチウエハと同じ大きさ
に対応するように、例えば厚さ１ｍｍ、直径２００ｍｍ
（８インチ）の石英の円板２の中心部をくり抜き、直径
１１５ｍｍの開口３を形成すると共に、開口３の外周に
幅６ｍｍで、深さ０．３ｍｍの座繰りによって例えば５
インチの半導体ウエハ５の周縁を保持する段差部、即ち
受部４を形成して構成される。
【００２１】このウエハ用トレイ１の受部４上に５イン
チ（約１２６ｍｍ）のＳｉウエハ５を載置すると、Ｓｉ
ウエハ５の裏面の直径１１５ｍｍの円形部分が露出す
る。Ｓｉウエハ５は受部４によって位置規制される。
チ（約１２６ｍｍ）のＳｉウエハ５を載置すると、Ｓｉ
ウエハ５の裏面の直径１１５ｍｍの円形部分が露出す
る。Ｓｉウエハ５は受部４によって位置規制される。
【００２２】本例では、このウエハ用トレイ１に５イン
チのＳｉウエハ５を載置した状態で、このウエハ用トレ
イ１を図示せざるも８インチＳｉウエハ用の加熱用ウエ
ハステージに搬送した。このＳｉウエハ５の裏面の露出
部分にトレイ１の下部のウエハステージから設定温度４
００℃の熱輻射を照射すると、５インチのＳｉウエハ５
の直径１１５ｍｍの部分の温度分布は３９８℃±５℃内
に収まり、良好な温度分布を示した。
チのＳｉウエハ５を載置した状態で、このウエハ用トレ
イ１を図示せざるも８インチＳｉウエハ用の加熱用ウエ
ハステージに搬送した。このＳｉウエハ５の裏面の露出
部分にトレイ１の下部のウエハステージから設定温度４
００℃の熱輻射を照射すると、５インチのＳｉウエハ５
の直径１１５ｍｍの部分の温度分布は３９８℃±５℃内
に収まり、良好な温度分布を示した。
【００２３】即ち、この熱処理では、トレイ１とＳｉウ
エハ５の熱伝導の差を気にすることなく、Ｓｉウエハ５
の裏面が露出した部分を均一に且つ効率よく加熱するこ
とができる。中心部分がくり抜かれて開口３が形成され
ているトレイ１は製作が容易であり、ウエハ温度の均一
性も得られる。そして、８インチＳｉウエハの場合は、
トレイ１を用いずに処理し、５インチＳｉウエハの場合
はトレイ１を用いて処理することにより、１台の半導体
製造装置で異なるサイズのＳｉウエハの処理ができる。
エハ５の熱伝導の差を気にすることなく、Ｓｉウエハ５
の裏面が露出した部分を均一に且つ効率よく加熱するこ
とができる。中心部分がくり抜かれて開口３が形成され
ているトレイ１は製作が容易であり、ウエハ温度の均一
性も得られる。そして、８インチＳｉウエハの場合は、
トレイ１を用いずに処理し、５インチＳｉウエハの場合
はトレイ１を用いて処理することにより、１台の半導体
製造装置で異なるサイズのＳｉウエハの処理ができる。
【００２４】この実施例は、あくまでも一つの例に過ぎ
ず使用するトレイのサイズや材質及び処理温度などは本
発明の主旨を逸脱しない範囲で変更できる。
ず使用するトレイのサイズや材質及び処理温度などは本
発明の主旨を逸脱しない範囲で変更できる。
【００２５】図２Ａ，Ｂは、本発明によるウエハ用トレ
イの他の実施例を示す。本例のウエハ用トレイ１１は、
大きなサイズのウエハ、例えば８インチウエハと同じ大
きさに対応するように、例えば厚さ１ｍｍ、直径２００
ｍｍ（８インチ）の石英の円板１２の中心部をくり抜
き、直径１２７ｍｍの開口１３を形成すると共に、円板
１２の下面に開口１３を塞ぐように、太さ０．７ｍｍの
石英繊維からなる網目状体（隙間は１ｍｍ角の正方形）
１４を溶着して構成される。
イの他の実施例を示す。本例のウエハ用トレイ１１は、
大きなサイズのウエハ、例えば８インチウエハと同じ大
きさに対応するように、例えば厚さ１ｍｍ、直径２００
ｍｍ（８インチ）の石英の円板１２の中心部をくり抜
き、直径１２７ｍｍの開口１３を形成すると共に、円板
１２の下面に開口１３を塞ぐように、太さ０．７ｍｍの
石英繊維からなる網目状体（隙間は１ｍｍ角の正方形）
１４を溶着して構成される。
【００２６】このウエハ用トレイ１１の開口１３内の網
目状体１４上に５インチ（約１２６ｍｍ）のＳｉウエハ
５を載置すると、Ｓｉウエハ５の裏面全体が網目の隙間
から露出する。Ｓｉウエハ５は開口１３によって位置規
制される。
目状体１４上に５インチ（約１２６ｍｍ）のＳｉウエハ
５を載置すると、Ｓｉウエハ５の裏面全体が網目の隙間
から露出する。Ｓｉウエハ５は開口１３によって位置規
制される。
【００２７】本例では、このウエハ用トレイ１１に５イ
ンチのＳｉウエハ５を載置した状態で、このウエハ用ト
レイ１１を図示せざるも８インチＳｉウエハ用の加熱用
ウエハステージに搬送した。このＳｉウエハ５の裏面の
露出部分にトレイ１１の下部のウエハステージから設定
温度４００℃の熱輻射を照射すると、５インチのＳｉウ
エハ５の温度分布は３９８℃±７℃内に収まり良好な温
度分布を示した。
ンチのＳｉウエハ５を載置した状態で、このウエハ用ト
レイ１１を図示せざるも８インチＳｉウエハ用の加熱用
ウエハステージに搬送した。このＳｉウエハ５の裏面の
露出部分にトレイ１１の下部のウエハステージから設定
温度４００℃の熱輻射を照射すると、５インチのＳｉウ
エハ５の温度分布は３９８℃±７℃内に収まり良好な温
度分布を示した。
【００２８】この実施例では網目状体１４を有するトレ
イを構成したが、その他、網目状体１４に代えて、Ｓｉ
ウエハ５が載置される部分に無数の貫通孔を有する構
成、例えば石英円板１１に５インチＳｉウエハ５が載置
される凹部を形成し、この凹部に無数の貫通孔を設けた
構成とすることにより、網目の場合と同じ効果が期待で
きる。
イを構成したが、その他、網目状体１４に代えて、Ｓｉ
ウエハ５が載置される部分に無数の貫通孔を有する構
成、例えば石英円板１１に５インチＳｉウエハ５が載置
される凹部を形成し、この凹部に無数の貫通孔を設けた
構成とすることにより、網目の場合と同じ効果が期待で
きる。
【００２９】このように、網目状になっているトレイ１
１や多数の貫通孔を有するトレイにＳｉウエハ５を載置
して裏面から熱輻射で加熱することにより、トレイとＳ
ｉウエハの熱伝導の差を気にすることなく容易にＳｉウ
エハ５を加熱できる。
１や多数の貫通孔を有するトレイにＳｉウエハ５を載置
して裏面から熱輻射で加熱することにより、トレイとＳ
ｉウエハの熱伝導の差を気にすることなく容易にＳｉウ
エハ５を加熱できる。
【００３０】このとき、トレイ１１を石英などの赤外線
に対して透明な物質で作製することにより、熱輻射が完
全に遮られることを防止できるので、赤外線に対して不
透明な物質で作製した場合より均一にＳｉウエハ５を加
熱できる。
に対して透明な物質で作製することにより、熱輻射が完
全に遮られることを防止できるので、赤外線に対して不
透明な物質で作製した場合より均一にＳｉウエハ５を加
熱できる。
【００３１】尚、上例の中心部分がくり抜かれて開口３
を有するトレイ１は製作が容易であり、ウエハ温度の均
一性も取れるが、搬送するときのトレイの上下動を行う
ピン（プッシャーピン）などの位置に制約が出てくる事
もある。之に対して網目状になっているトレイ１１や多
数の貫通孔を有するトレイの場合は、プッシャーピンの
位置は比較的、自由度がある。但し、材質によってはウ
エハ温度の均一性がくり抜きによる開口３を有するトレ
イ１より多少悪くなることもあり得る。
を有するトレイ１は製作が容易であり、ウエハ温度の均
一性も取れるが、搬送するときのトレイの上下動を行う
ピン（プッシャーピン）などの位置に制約が出てくる事
もある。之に対して網目状になっているトレイ１１や多
数の貫通孔を有するトレイの場合は、プッシャーピンの
位置は比較的、自由度がある。但し、材質によってはウ
エハ温度の均一性がくり抜きによる開口３を有するトレ
イ１より多少悪くなることもあり得る。
【００３２】そして、８インチＳｉウエハの場合は、ト
レイ１１を用いずに処理し、５インチＳｉウエハの場合
はトレイ１１を用いて処理することにより、１台の半導
体製造装置で異なるサイズのＳｉウエハの処理ができ
る。
レイ１１を用いずに処理し、５インチＳｉウエハの場合
はトレイ１１を用いて処理することにより、１台の半導
体製造装置で異なるサイズのＳｉウエハの処理ができ
る。
【００３３】上述の実施例は、あくまで一つの例にすぎ
ず、使用するトレイのサイズや材質、及び処理温度など
は本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更できる。
ず、使用するトレイのサイズや材質、及び処理温度など
は本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更できる。
【００３４】図３Ａ，Ｂは、本発明によるウエハ用トレ
イの更に他の実施例を示す。本例のウエハ用トレイはト
レイ自体からの熱輻射を利用してウエハを加熱するよう
にしている。
イの更に他の実施例を示す。本例のウエハ用トレイはト
レイ自体からの熱輻射を利用してウエハを加熱するよう
にしている。
【００３５】即ち、本例のウエハ用トレイ２１は、大き
なサイズのウエハ、例えば８インチウエハと同じ大きさ
に対応するように、例えば厚さ１ｍｍ、直径２００ｍｍ
（８インチ）のＳｉＣ製の円板２２の中心に直径１２１
ｍｍ、深さ０．５ｍｍの凹部２３を形成し、更にこの凹
部２３の外周上に幅３ｍｍ、深さ０．２ｍｍの座繰りに
よって例えは５インチの半導体ウエハ５の周縁を保持す
る段差部、即ち受部２４を形成して構成される。
なサイズのウエハ、例えば８インチウエハと同じ大きさ
に対応するように、例えば厚さ１ｍｍ、直径２００ｍｍ
（８インチ）のＳｉＣ製の円板２２の中心に直径１２１
ｍｍ、深さ０．５ｍｍの凹部２３を形成し、更にこの凹
部２３の外周上に幅３ｍｍ、深さ０．２ｍｍの座繰りに
よって例えは５インチの半導体ウエハ５の周縁を保持す
る段差部、即ち受部２４を形成して構成される。
【００３６】このウエハ用トレイ２１の受部２４上に５
インチ（約１２６ｍｍ）のＳｉウエハ５を載置すると、
Ｓｉウエハ５の裏面は凹部２３の底面から０．３ｍｍ離
れている状態となる。Ｓｉウエハ５は、受部２４によっ
て位置規制される。従って、このＳｉＣ製のトレイ２１
が加熱された場合は、Ｓｉウエハ５の周辺２．５ｍｍ以
外はＳｉＣ製のトレイ２１からの直接熱伝導ではなく、
トレイ２１の凹部２３の底面が熱輻射源となって、トレ
イ２１自身からの熱輻射によって加熱されることにな
る。
インチ（約１２６ｍｍ）のＳｉウエハ５を載置すると、
Ｓｉウエハ５の裏面は凹部２３の底面から０．３ｍｍ離
れている状態となる。Ｓｉウエハ５は、受部２４によっ
て位置規制される。従って、このＳｉＣ製のトレイ２１
が加熱された場合は、Ｓｉウエハ５の周辺２．５ｍｍ以
外はＳｉＣ製のトレイ２１からの直接熱伝導ではなく、
トレイ２１の凹部２３の底面が熱輻射源となって、トレ
イ２１自身からの熱輻射によって加熱されることにな
る。
【００３７】本例では、このウエハ用トレイ２１に５イ
ンチのＳｉウエハ５を載置した状態で、このウエハ用ト
レイ２１を図示せざるも８インチＳｉウエハ用の加熱用
ウエハステージに搬送した。このトレイ２１の下部のウ
エハステージから設定温度４００℃の熱輻射を照射する
と、加熱されたトレイ２１からの熱輻射により加熱され
た５インチのＳｉウエハ５の中心から１２１ｍｍ内の温
度分布は３９９℃±４℃内に収まり良好な温度分布を示
した。
ンチのＳｉウエハ５を載置した状態で、このウエハ用ト
レイ２１を図示せざるも８インチＳｉウエハ用の加熱用
ウエハステージに搬送した。このトレイ２１の下部のウ
エハステージから設定温度４００℃の熱輻射を照射する
と、加熱されたトレイ２１からの熱輻射により加熱され
た５インチのＳｉウエハ５の中心から１２１ｍｍ内の温
度分布は３９９℃±４℃内に収まり良好な温度分布を示
した。
【００３８】即ち、この熱処理では、ウエハ５をトレイ
２１自体からの熱輻射によって行うことにより、トレイ
２１とＳｉウエハ５の熱伝導の差を気にすることなく、
均一に加熱が出来る。
２１自体からの熱輻射によって行うことにより、トレイ
２１とＳｉウエハ５の熱伝導の差を気にすることなく、
均一に加熱が出来る。
【００３９】トレイ２１の材質としてカーボン（Ｃ）や
シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等であれば、トレイ２１
が加熱されたときに赤外線を効率よく放射するため、ウ
エハ５を効率よく加熱できる。そして、８インチＳｉウ
エハの場合は、トレイ２１を用いずに処理し、５インチ
Ｓｉウエハの場合はトレイ２１を用いて処理することに
より、１台の半導体製造装置で異なるサイズのＳｉウエ
ハの処理ができる。
シリコンカーバイト（ＳｉＣ）等であれば、トレイ２１
が加熱されたときに赤外線を効率よく放射するため、ウ
エハ５を効率よく加熱できる。そして、８インチＳｉウ
エハの場合は、トレイ２１を用いずに処理し、５インチ
Ｓｉウエハの場合はトレイ２１を用いて処理することに
より、１台の半導体製造装置で異なるサイズのＳｉウエ
ハの処理ができる。
【００４０】図３の実施例はあくまでも一つの例にすぎ
ず、使用するトレイのサイズや材質、及び処理温度など
は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更できる。
ず、使用するトレイのサイズや材質、及び処理温度など
は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で変更できる。
【００４１】上述の各実施例のトレイ１，１１，２１
は、ウエハ５の搬送と処理（例えば成膜やエッチング
等）に使用することができる。
は、ウエハ５の搬送と処理（例えば成膜やエッチング
等）に使用することができる。
【００４２】上述したウエハ用トレイ１，１１又は２１
を用いることにより、１台の半導体製造装置で種々のサ
イズの例えばＳｉ等の半導体ウエハ５を搬送、処理（成
膜、加工）することができる。即ち、大きさは同じで且
つ夫々異なるサイズの半導体ウエハ５を載置できる複数
種のウエハ用トレイ１，１１又は２１を用意することに
より、１台の半導体製造装置で種々のサイズの半導体ウ
エハの搬送、処理が可能となる。そして、ウエハの加熱
処理においても、トレイと半導体ウエハの熱伝導の差に
拘らず、均一且つ効率よく加熱することができる。
を用いることにより、１台の半導体製造装置で種々のサ
イズの例えばＳｉ等の半導体ウエハ５を搬送、処理（成
膜、加工）することができる。即ち、大きさは同じで且
つ夫々異なるサイズの半導体ウエハ５を載置できる複数
種のウエハ用トレイ１，１１又は２１を用意することに
より、１台の半導体製造装置で種々のサイズの半導体ウ
エハの搬送、処理が可能となる。そして、ウエハの加熱
処理においても、トレイと半導体ウエハの熱伝導の差に
拘らず、均一且つ効率よく加熱することができる。
【００４３】
【発明の効果】本発明に係るウエハ用トレイを用いるこ
とにより、種々のサイズの半導体ウエハを半導体製造装
置の部品を取り替えることなく、処理することが可能に
なる。即ち１台の半導体製造装置で各種サイズの半導体
ウエハの処理が可能となる。
とにより、種々のサイズの半導体ウエハを半導体製造装
置の部品を取り替えることなく、処理することが可能に
なる。即ち１台の半導体製造装置で各種サイズの半導体
ウエハの処理が可能となる。
【００４４】従って、本発明に係るウエハ用トレイは、
異なるサイズの半導体ウエハを処理する半導体製造ライ
ンに適用して好適ならしめる。
異なるサイズの半導体ウエハを処理する半導体製造ライ
ンに適用して好適ならしめる。
【図１】Ａ 本発明に係るウエハ用トレイの一例を示す
平面図である。 Ｂ 本発明に係るウエハ用トレイの一例を示す平面図で
ある。
平面図である。 Ｂ 本発明に係るウエハ用トレイの一例を示す平面図で
ある。
【図２】Ａ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示
す平面図である。 Ｂ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示す断面図
である。
す平面図である。 Ｂ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示す断面図
である。
【図３】Ａ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示
す平面図である。 Ｂ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示す断面図
である。
す平面図である。 Ｂ 本発明に係るウエハ用トレイの他の例を示す断面図
である。
１，１１，１２ ウエハ用トレイ、２，１２ 石英の円
板、３，１３ 開口、４，２４ 受部、５ 半導体ウエ
ハ、１４ 網目状体、２３ 凹部
板、３，１３ 開口、４，２４ 受部、５ 半導体ウエ
ハ、１４ 網目状体、２３ 凹部
Claims (6)
- 【請求項１】 中心部分に、保持されるウエハの面が臨
む開口を有し、 且つ前記開口の外周に前記ウエハの周縁を保持する受部
が設けられて成ることを特徴とするウエハ用トレイ。 - 【請求項２】 ウエハを保持する面の一部又は全部が網
目状とされるか又は多数の貫通孔が設けられて成ること
を特徴とするウエハ用トレイ。 - 【請求項３】 赤外線に対して透明である材質にて形成
されて成ることを特徴とする請求項２に記載のウエハ用
トレイ。 - 【請求項４】 ウエハの面に対向して凹部が設けられ、 前記凹部の外周上に前記ウエハの周縁を保持する受部が
設けられて成ることを特徴とするウエハ用トレイ。 - 【請求項５】 カーボン又はシリコンカーバイトで形成
されて成ることを特徴とする請求項４に記載のウエハ用
トレイ。 - 【請求項６】 トレイ自体が前記ウエハを加熱するため
の熱輻射源となることを特徴とする請求項４に記載のウ
エハ用トレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9011395A JPH10209252A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | ウエハ用トレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9011395A JPH10209252A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | ウエハ用トレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209252A true JPH10209252A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11776835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9011395A Pending JPH10209252A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | ウエハ用トレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209252A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192524A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Sharp Corp | 基板保持具 |
| JP2013069773A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN108565236A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-09-21 | 北京中科飞鸿科技有限公司 | 一种多尺寸晶圆兼容型工装盒 |
| JP2020027886A (ja) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| CN112786522A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 拓荆科技股份有限公司 | 可调整晶圆边缘膜厚度的托盘装置 |
-
1997
- 1997-01-24 JP JP9011395A patent/JPH10209252A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010192524A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Sharp Corp | 基板保持具 |
| JP2013069773A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| CN108565236A (zh) * | 2018-01-17 | 2018-09-21 | 北京中科飞鸿科技有限公司 | 一种多尺寸晶圆兼容型工装盒 |
| JP2020027886A (ja) * | 2018-08-13 | 2020-02-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| CN112786522A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 拓荆科技股份有限公司 | 可调整晶圆边缘膜厚度的托盘装置 |
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