JPH10209257A5 - - Google Patents
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- JPH10209257A5 JPH10209257A5 JP1997023193A JP2319397A JPH10209257A5 JP H10209257 A5 JPH10209257 A5 JP H10209257A5 JP 1997023193 A JP1997023193 A JP 1997023193A JP 2319397 A JP2319397 A JP 2319397A JP H10209257 A5 JPH10209257 A5 JP H10209257A5
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- insulating plate
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Description
【0014】
次に、前記セラミックからなる絶縁板の非電極層面を第1の接着剤層を介して金属基盤に接着する。該接着剤層は、前記したものが好ましく使用され、セラミックからなる絶縁板の熱を金属基盤に逃がしやすくするため薄くすることが好ましい。この時、絶縁板および金属基盤は厚さ方向に貫通孔を有し、導電性部材が該セラミックからなる絶縁板に埋没した電極と該金属基盤間に該貫通孔を介して電圧を印加できるよう加工することが好ましい。
次にセラミックからなる絶縁板の電極層面と絶縁性フィルムとを第2の接着剤層を介して接着する。
熱硬化性接着剤を使用した場合は、必要に応じて適切な加熱、半硬化させる処理および硬化処理を行う。
上記のようにして本発明の静電チャック装置を作製することができる。
吸着面の絶縁性フィルムが疲労した場合、疲労した絶縁性フィルムおよび第2の接着剤層を剥がし、新しい積層体シートを接着する。上記工程で、疲労した絶縁性フィルムは簡便に交換できる。
次に、前記セラミックからなる絶縁板の非電極層面を第1の接着剤層を介して金属基盤に接着する。該接着剤層は、前記したものが好ましく使用され、セラミックからなる絶縁板の熱を金属基盤に逃がしやすくするため薄くすることが好ましい。この時、絶縁板および金属基盤は厚さ方向に貫通孔を有し、導電性部材が該セラミックからなる絶縁板に埋没した電極と該金属基盤間に該貫通孔を介して電圧を印加できるよう加工することが好ましい。
次にセラミックからなる絶縁板の電極層面と絶縁性フィルムとを第2の接着剤層を介して接着する。
熱硬化性接着剤を使用した場合は、必要に応じて適切な加熱、半硬化させる処理および硬化処理を行う。
上記のようにして本発明の静電チャック装置を作製することができる。
吸着面の絶縁性フィルムが疲労した場合、疲労した絶縁性フィルムおよび第2の接着剤層を剥がし、新しい積層体シートを接着する。上記工程で、疲労した絶縁性フィルムは簡便に交換できる。
【0015】
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。
【実施例】
実施例1
厚さ2mmのアルミナセラミック絶縁板(東芝セラミックス社製商品名:AL−16)の一面を所定のパターンに基づいて深さ0.1mmに研削加工した。次に下記組成の銀ペーストを作成し、絶縁板の研削部に塗布、加熱して電極層を硬化させた後、電極層面を研磨して平滑にした。なお、下記配合における部は重量部である。
銀粉(徳力化学研究所製商品名:シルベストTCG−7) 79部
エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製商品名:エピコート1001) 6部
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体 2部
(宇部興産社製商品名:ハイカーATBN1300×16)
ジシアンジアミド(和光純薬社製) 1部
エチルセロソルブ 12部
次いで、該絶縁板の非電極面に下記組成の接着剤を乾燥後の厚さが20μmになるよう塗布を行い、150℃で5分間乾燥し、金属基盤と貼り合わせた。この時、該金属基盤および該絶縁板は厚さ方向に貫通孔を開け、該金属基盤はその貫通孔内に導電性部材を通して、電極層と該金属基盤間に電圧を印加できるようにした。
アクリロニトリル−ブタジエンゴム 100部
(日本ゼオン社製商品名:ニッポール1001)
エポキシ樹脂 50部
(油化シェルエポキシ社製商品名:エピコートYL−979)
クレゾール型フェノール樹脂 50部
(昭和高分子社製商品名:CKM2400)
ジシアンジアミド(和光純薬社製) 5部
メチルエチルケトン 500部
次いで、厚さ50μmの絶縁性ポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製商品名:カプトン)の一面に該接着剤を乾燥後の厚さが20μmになるよう塗布を行い、150℃で5分間乾燥して第2の接着剤層を形成した後、アルミナセラミック絶縁板の電極層面と貼り合わせ、80℃〜150℃のステップキュアー処理を5時間行って接着し、本発明による直径8インチの静電チャック面を有する静電チャック装置を作製した。
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明する。
【実施例】
実施例1
厚さ2mmのアルミナセラミック絶縁板(東芝セラミックス社製商品名:AL−16)の一面を所定のパターンに基づいて深さ0.1mmに研削加工した。次に下記組成の銀ペーストを作成し、絶縁板の研削部に塗布、加熱して電極層を硬化させた後、電極層面を研磨して平滑にした。なお、下記配合における部は重量部である。
銀粉(徳力化学研究所製商品名:シルベストTCG−7) 79部
エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ社製商品名:エピコート1001) 6部
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体 2部
(宇部興産社製商品名:ハイカーATBN1300×16)
ジシアンジアミド(和光純薬社製) 1部
エチルセロソルブ 12部
次いで、該絶縁板の非電極面に下記組成の接着剤を乾燥後の厚さが20μmになるよう塗布を行い、150℃で5分間乾燥し、金属基盤と貼り合わせた。この時、該金属基盤および該絶縁板は厚さ方向に貫通孔を開け、該金属基盤はその貫通孔内に導電性部材を通して、電極層と該金属基盤間に電圧を印加できるようにした。
アクリロニトリル−ブタジエンゴム 100部
(日本ゼオン社製商品名:ニッポール1001)
エポキシ樹脂 50部
(油化シェルエポキシ社製商品名:エピコートYL−979)
クレゾール型フェノール樹脂 50部
(昭和高分子社製商品名:CKM2400)
ジシアンジアミド(和光純薬社製) 5部
メチルエチルケトン 500部
次いで、厚さ50μmの絶縁性ポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製商品名:カプトン)の一面に該接着剤を乾燥後の厚さが20μmになるよう塗布を行い、150℃で5分間乾燥して第2の接着剤層を形成した後、アルミナセラミック絶縁板の電極層面と貼り合わせ、80℃〜150℃のステップキュアー処理を5時間行って接着し、本発明による直径8インチの静電チャック面を有する静電チャック装置を作製した。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319397A JP3979694B2 (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 静電チャック装置およびその製造方法 |
| US09/010,934 US6166897A (en) | 1997-01-22 | 1998-01-22 | Static chuck apparatus and its manufacture |
| KR1019980001918A KR100290264B1 (ko) | 1997-01-22 | 1998-01-22 | 정전처크장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319397A JP3979694B2 (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 静電チャック装置およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209257A JPH10209257A (ja) | 1998-08-07 |
| JPH10209257A5 true JPH10209257A5 (ja) | 2004-11-25 |
| JP3979694B2 JP3979694B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=12103839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2319397A Expired - Fee Related JP3979694B2 (ja) | 1997-01-22 | 1997-01-22 | 静電チャック装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3979694B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6716302B2 (en) | 2000-11-01 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
| WO2002037541A2 (en) * | 2000-11-01 | 2002-05-10 | Applied Materials, Inc. | Etch chamber for etching dielectric layer with expanded process window |
| FR2875054B1 (fr) * | 2004-09-08 | 2006-12-01 | Cit Alcatel | Support de substrats minces |
| US7648914B2 (en) | 2004-10-07 | 2010-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method for etching having a controlled distribution of process results |
| US7544251B2 (en) * | 2004-10-07 | 2009-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
| US7436645B2 (en) | 2004-10-07 | 2008-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
| US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
| JP5557164B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2014-07-23 | Toto株式会社 | 静電チャック |
-
1997
- 1997-01-22 JP JP2319397A patent/JP3979694B2/ja not_active Expired - Fee Related
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