JPH10209318A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機系基板１０ａ，１０ｂの間に接着剤１５
を挟んで積層、接着して製造する、金メッキ皮膜１２を
表面に形成した導体回路１１ｂが露出している凹状の半
導体素子配置部１７を有する半導体パッケージの製造方
法であって、半導体素子配置部１７の内面に露出する導
体回路１１ｂの表面に形成された金メッキ皮膜１２が、
破断された接着剤１５１で覆われ難い半導体パッケージ
が得られる半導体パッケージの製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体素子配置部１７内に露出させよう
とする導体回路１１ｂの表面に金メッキ皮膜１２を形成
した後、その金メッキ皮膜１２の表面に除去可能な保護
皮膜１３を形成し、次いで接着して表面に保護皮膜１３
を形成した導体回路１１ｂがその内面に露出している半
導体素子配置部１７を形成し、次いで保護皮膜１３を除
去して金メッキ皮膜１２を露出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いられる半導体パッケージの製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】ピングリッドアレイなどの有機系の半導
体パッケージを用いた半導体装置は、例えば以下の方法
で製造されている。図４に示すように、半導体パッケー
ジとして、有機系の基板１０の一方の面に、半導体素子
２１を配置可能に形成された凹状の半導体素子配置部１
７と、その半導体素子配置部１７の周囲に形成され、表
面に金メッキ皮膜１２が形成された導体回路であるボン
ディングパッド３２とを備え、基板１０の他方の面に、
ボンディングパッド３２と電気的に接続された電極１８
と、その電極１８と接続され、母基板（半導体装置を実
装するプリント配線板）に実装するための端子２０とを
備える半導体パッケージを用いる。そしてその半導体パ
ッケージの半導体素子配置部１７に、半導体素子２１を
配置した後、ボンディングワイヤー２２でボンディング
パッド３２と半導体素子２１を接続し、次いで半導体素
子２１等を封止材２３で封止して半導体装置は製造され
ている。

【０００３】近年の半導体装置の高機能化に伴い、ボン
ディングパッド３２の必要な数が増大する傾向にある。
そのため、図５に示すような、表層に形成したボンディ
ングパッド３２ａに加え、半導体素子配置部１７の内部
に露出するボンディングパッド３２ｂをも形成して、ボ
ンディングパッド３２ａ，３２ｂの数を増加させた半導
体パッケージを用いた半導体装置が検討されている。

【０００４】このボンディングパッド３２ａ，３２ｂの
数を増加させた半導体パッケージは、例えば図６に示す
ような方法で製造されている。図６（ａ）に示すよう
な、貫通して形成された基板開口部１４を有すると共に
一方の面（図で上の面）全体に導体層を有する有機系基
板１０ａ（以下第１基板１０ａと記す）と、表面に金メ
ッキ皮膜１２が形成された導体回路１１ｂを一方の面
（図で上の面）に有する有機系基板１０ｂ（以下第２基
板１０ｂと記す）と、シート状の接着剤１５を用いる。
このとき接着剤１５としては、第１基板１０ａの基板開
口部１４とほぼ同じ大きさの接着剤開口部１６を形成し
た接着剤１５を用いる。

【０００５】そして、基板開口部１４と接着剤開口部１
６の位置がほぼ一致するように第１基板１０ａと第２基
板１０ｂの間に、接着剤１５を介在させて積層した後、
加熱加圧して接着すると、図６（ｂ）に示すように、金
メッキ皮膜１２を表面に形成したボンディングパッド用
の導体回路１１ｂが露出している凹状の半導体素子配置
部１７が形成される。次いで、図６（ｃ）に示すよう
に、各層の導体回路１１ａ，１１ｂ・・等を接続するス
ルホール金属皮膜１９を形成すると共に、表層にボンデ
ィングパッド用の導体回路１１ａや、電極１８等を形成
して製造される。

【０００６】接着剤１５で接着される第２基板１０ｂの
面は、導体回路１１ｂ・・を形成しているため凹凸を有
している。そのため接着剤１５は、この凹凸を有する面
を接着するとき凹部に気泡が残らないように、ある程度
流動性のあるものを用いる必要がある。また接着剤１５
は、半導体素子配置部１７内に露出するボンディングパ
ット用の導体回路１１ｂの部分に接着剤１５が流れ出し
て導体回路１１ｂの部分を覆った状態で硬化すると、ボ
ンディングワイヤーとの接続が不十分となり、電気的接
続の信頼性が確保できない場合があるため、半導体素子
配置部１７内へ流出しにくいものを用いる必要がある。
そのためこれらのバランスが取りやすい接着剤１５であ
る、熱硬化性樹脂を半硬化させてシート状とした一般に
プリプレグと呼ばれる接着剤１５が用いられている。

【０００７】しかしこのシート状の接着剤１５は、接着
剤開口部１６を形成するために切断すると、樹脂の破断
された粉が接着剤開口部１６の切断面に発生したり、切
断面から飛散してその切断面付近の接着剤１５表面に付
着する場合があった。

【０００８】この樹脂の破断された粉が付着した接着剤
１５を第１基板１０ａと第２基板１０ｂの間に積層する
と、積層中に切断面等から樹脂の破断された粉が飛散し
て、導体回路１１ｂの表面に形成された金メッキ皮膜１
２の上に付着する場合があった。そして加熱して第１基
板１０ａと第２基板１０ｂを接着するとき、この金メッ
キ皮膜１２の上に付着した樹脂も金メッキ皮膜１２と接
着して金メッキ皮膜１２を部分的に覆い、ボンディング
ワイヤーとの接続性を低下させて電気的接続の信頼性を
低下させる場合があるという問題があった。そのため、
樹脂の破断された粉が付着した接着剤１５を用いた場合
であっても、半導体素子配置部１７内に露出する導体回
路１１ｂの表面に形成された金メッキ皮膜１２が、破断
された接着剤１５で覆われ難い半導体パッケージの製造
方法が求められている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、その中の少なくとも１枚には導体回路を有する複
数枚の有機系基板を、その各基板の間にシート状の接着
剤を介在させて導体回路が露出している凹状の半導体素
子配置部を所定の位置に形成しながら積層、接着して製
造する、金メッキ皮膜を表面に形成した導体回路が半導
体素子配置部の内面に露出している半導体パッケージの
製造方法であって、半導体素子配置部の内面に露出する
導体回路の表面に形成された金メッキ皮膜が、破断され
た接着剤で覆われ難い半導体パッケージが得られる半導
体パッケージの製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体パッケージの製造方法は、その中の少なくとも１
枚には導体回路を有する複数枚の有機系基板を、その各
基板の間にシート状の接着剤を介在させて導体回路が露
出している凹状の半導体素子配置部を所定の位置に形成
しながら積層、接着して製造する、金メッキ皮膜を表面
に形成した導体回路が半導体素子配置部の内面に露出し
ている半導体パッケージの製造方法であって、下記の
［ア］〜［ウ］の工程を有することを特徴とする。 ［ア］半導体素子配置部内に露出させようとする導体回
路の表面に金メッキ皮膜を形成した後、その金メッキ皮
膜の表面に除去可能な保護皮膜を形成する工程と、
［イ］複数枚の基板とシート状の接着剤を積層、接着し
て、表面に保護皮膜を形成した導体回路がその内面に露
出している半導体素子配置部を所定の位置に形成する工
程と、［ウ］半導体素子配置部の内面に露出している導
体回路の表面の保護皮膜を除去して金メッキ皮膜を露出
する工程。

【００１１】本発明の請求項２に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項１記載の半導体パッケージの製造
方法において、保護皮膜が、金属皮膜であることを特徴
とする。

【００１２】本発明の請求項３に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項２記載の半導体パッケージの製造
方法において、金属皮膜が、電解銅メッキ皮膜であるこ
とを特徴とする。

【００１３】本発明の請求項４に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項２記載の半導体パッケージの製造
方法において、金属皮膜が、ハンダメッキ皮膜であるこ
とを特徴とする。

【００１４】本発明の請求項５に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項１から請求項４のいずれかに記載
の半導体パッケージの製造方法において、導体回路の表
面に金メッキ皮膜を形成する方法が、基板の、半導体素
子配置部内に露出させようとする導体回路を有する面の
うち、その露出させようとする部分を除く導体回路間に
樹脂組成物を塗布した後、硬化させ、次いで半導体素子
配置部内に露出させようとする部分の導体回路の表面に
金メッキ皮膜を形成する方法であることを特徴とする。

【００１５】本発明によると、積層するとき破断された
接着剤が半導体素子配置部の内面に露出している導体回
路の部分に付着した場合には、導体回路の表面に形成さ
れた保護皮膜の表面に接着する。そして保護皮膜を除去
するとき、保護皮膜の表面に接着して一体化した破断さ
れた接着剤も保護皮膜と一緒に除去されて、金メッキ皮
膜が露出する。そのため、半導体素子配置部の内面に露
出する導体回路の表面に形成された金メッキ皮膜が、破
断された接着剤で覆われ難い半導体パッケージが得られ
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体パッケージの
製造方法を図面に基づいて説明する。図１及び図２は本
発明に係る半導体パッケージの製造方法の一実施の形態
の工程を説明する断面図であり、図３は本発明に係る半
導体パッケージの製造方法の他の実施の形態の工程の一
部を説明する断面図である。

【００１７】本発明に係る半導体パッケージの製造方法
の一実施の形態は、図１（ａ）に示すように、貫通して
形成された基板開口部１４を有する有機系の第１基板１
０ａと、一方の面（図で上の面）にボンディングパッド
用等の導体回路１１ｂを形成した有機系の第２基板１０
ｂと、第１基板１０ａの基板開口部１４とほぼ同じ大き
さの接着剤開口部１６を有するシート状の接着剤１５を
用いて製造する。

【００１８】なお、第１基板１０ａの接着剤１５で接着
しない面（図で上の面）は導体回路を形成していてもよ
く、全面に銅箔等の導体箔を有していてもよい。なお、
製造しようとする半導体パッケージの表層に導体回路を
設けない場合や、接着後アディティブ法等により形成す
る場合等は導体はなくてもよい。また、第１基板１０ａ
の接着剤１５で接着しようとする面（図で下の面）は、
導体回路を形成していてもよく、なくてもよい。

【００１９】また、第２基板１０ｂの接着剤１５で接着
しない面（図で下の面）は導体回路を形成していてもよ
く、全面に銅箔等の導体箔を有していてもよく、導体が
なくてもよい。なお、第２基板１０ｂは、接着剤１５で
接着しようとする面（図で上の面）の、少なくとも第１
基板１０ａに形成された基板開口部１４と対応する位置
に、導体回路１１ｂを形成しているものに限定される。

【００２０】この導体回路１１ｂ・・を形成する方法は
特に限定するものではなく、表面に導体箔を有した有機
系基板を用いて、その導体箔をエッチングして形成する
方法や、表面に導体箔を有しない有機系基板を用いて、
回路を形成しない部分にレジスト皮膜を形成した後、無
電解メッキ等を施すことにより形成する方法等が挙げら
れる。なお、導体回路１１ｂ・・を形成する金属として
は、銅、アルミニウム、真鍮、ニッケル等の単独、合金
等が挙げられるが、電気的信頼性より銅や、銅の表面に
ニッケルメッキ皮膜等を形成したものが好ましい。

【００２１】本発明に用いる基板（１０ａ，１０ｂ）
は、有機系であれば特に限定するものではなく、例え
ば、エポキシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹
脂系、不飽和ポリエステル樹脂系、ポリフェニレンエー
テル樹脂系等の熱硬化性樹脂や、これらの熱硬化性樹脂
に無機充填材等を配合したものの板や、ガラス等の無機
質繊維やポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機質繊
維のクロス、ペーパー等の基材を、上記熱硬化性樹脂等
で接着した板等が挙げられる。

【００２２】なお、これらの第１基板１０ａ及び第２基
板１０ｂには、その壁面に金属皮膜を形成した貫通穴を
有していてもよく、内部に導体回路を形成していてもよ
い。また、第２基板１０ｂにも、基板開口部を有してい
てもよい。

【００２３】本発明に用いる接着剤１５は、接着剤開口
部１６を有するシート状の接着剤１５であれば特に限定
するものではなく、例えば、エポキシ樹脂系、フェノー
ル樹脂系、ポリイミド樹脂系、不飽和ポリエステル樹脂
系、ポリフェニレンエーテル樹脂系等の熱硬化性樹脂
や、これらの熱硬化性樹脂に無機充填材等を配合したも
のを半硬化させてシート状としたものや、ガラス等の無
機質繊維やポリエステル、ポリアミド、木綿等の有機質
繊維のクロス、ペーパー等の基材に、上記熱硬化性樹脂
を含浸した後、半硬化させてシート状としたものを、金
型打ち抜き等により切断して接着剤開口部１６を形成し
たものが挙げられる。

【００２４】なお、エポキシ樹脂系の接着剤１５の場
合、後工程で第１基板１０ａ及び第２基板１０ｂと接着
するときに、半導体素子配置部（１７）内へ流れる樹脂
量を制御しやすく好ましい。また、基材に熱硬化性樹脂
を含浸した後、シート状とした接着剤１５を用いた場
合、接着した後の第１基板１０ａと第２基板１０ｂの間
隔を確実に形成することが可能なため、第１基板１０ａ
と第２基板１０ｂの対向する面に共に導体回路が形成さ
れている場合であっても、両者の導体回路間の絶縁間隔
を確実に形成することができ、絶縁信頼性が優れ好まし
い。特にガラスクロスに含浸したものの場合、難燃性も
優れ好ましい。

【００２５】次いで、図１（ｂ）に示すように、第２基
板１０ｂの接着剤１５で接着しようとする面の、第１基
板１０ａに形成された基板開口部１４と対応する位置に
形成された導体回路１１ｂの表面に、金メッキ皮膜１２
を形成した後、その金メッキ皮膜１２の表面に除去可能
な保護皮膜１３を形成する（工程［ア］）。金メッキ皮
膜１２を形成する方法としては特に限定するものではな
く、一般の電解金メッキの方法や、無電解金メッキの方
法が適用できる。なお、金メッキ皮膜１２は、上記基板
開口部１４と対応する位置に形成された導体回路１１ｂ
の表面のみに形成することに限定するものではなく、他
の部分にも形成してもよい。

【００２６】金メッキ皮膜１２の表面に形成する保護皮
膜１３は、後工程で除去可能なものであり、後工程の接
着時の加熱等に耐えるものであれば特に限定するもので
はなく、例えば、電解銅メッキ皮膜、ハンダメッキ皮膜
等の金属皮膜や、一般にエッチングレジストと呼ばれる
紫外線硬化型樹脂の樹脂皮膜が挙げられる。なお、金属
皮膜の場合、一般に樹脂皮膜と比較して耐熱性が高いた
め、接着時の加熱の温度がばらついて高くなったとき等
でも確実に保護することができ好ましい。

【００２７】次いで、第１基板１０ａの基板開口部１４
と、接着剤１５の接着剤開口部１６の位置がほぼ一致す
るように第１基板１０ａと第２基板１０ｂの間に、接着
剤１５を介在させて積層する（工程［イ］）。なお、こ
の各基板１０ａ，１０ｂの間に介在させる接着剤１５の
枚数は１枚に限定するものではなく、複数枚積層しても
よい。

【００２８】なお、第２基板１０ｂ等に形成された導体
回路１１ｂ・・の表面のうち、接着剤１５で接着しよう
とする部分は、バフ、スクラブ等で機械的に表面を削っ
たり、過硫酸アンモニウムを含む粗面化処理液等で化学
的にエッチングを行い粗面化した後、接着剤１５と積層
するようにすると、導体回路１１ｂ・・と接着剤１５の
間の接着強度が向上し好ましい。なおこの粗面化は、半
導体素子配置部内に露出させようとする部分の導体回路
１１ｂの表面に金メッキ皮膜１２を形成する前に行うと
好ましい。

【００２９】また、図３に示すように、第２基板１０ｂ
の、半導体素子配置部内に露出させようとする導体回路
１１ｂを有する面のうち、その露出させようとする部分
を除く導体回路１１ｃ間にソルダーレジスト等の熱硬化
性樹脂２４を塗布した後、無加圧で硬化させて導体回路
１１ｃ間の凹部を埋めた後、接着剤１５と積層するよう
にしてもよい。この場合、得られる半導体パッケージ内
部の導体回路１１ｃ間に気泡が残留しにくくなり好まし
い。なお、熱硬化性樹脂２４の塗布及び硬化は、半導体
素子配置部内に露出させようとする部分の導体回路１１
ｂの表面に金メッキ皮膜１２を形成する前でも後でも良
いが、金メッキ皮膜１２を形成する前に行うと、熱硬化
性樹脂２４が金メッキ皮膜１２の表面に付着することが
起こりにくく好ましい。

【００３０】次いで、加熱加圧して接着すると、図１
（ｃ）に示すように、表面に保護皮膜１３を形成した導
体回路１１ｂがその内面に露出している凹状の半導体素
子配置部１７が形成されて、第１基板１０ａと第２基板
１０ｂと接着剤１５が一体化する。

【００３１】なお積層するとき、接着剤１５に接着剤開
口部（１６）を形成するときに発生した破断された接着
剤１５１が、半導体素子配置部１７の内面に露出してい
る導体回路１１ｂの部分に付着した場合には、導体回路
１１ｂの表面に形成された保護皮膜１３の表面に接着す
る。

【００３２】次いで、図１（ｄ）に示すように、半導体
素子配置部１７の内面に露出している導体回路１１ｂの
表面の保護皮膜（１３）を除去して、金メッキ皮膜１２
を露出する（工程［ウ］）。この保護皮膜を除去すると
き、保護皮膜の表面に接着して一体化した破断された接
着剤（１５１）も保護皮膜と一緒に除去されて、金メッ
キ皮膜１２が露出する。そのため、半導体素子配置部１
７の内面に露出する導体回路１１ｂの表面に形成された
金メッキ皮膜１２が、破断された接着剤で覆われ難い半
導体パッケージが得られる。

【００３３】この保護皮膜を除去する方法としては、電
解銅メッキ皮膜、ハンダメッキ皮膜等の金属皮膜の場合
には、アルカリエッチング液やハンダ剥離液等を用いて
エッチング除去し、樹脂皮膜の場合には、有機溶剤や塩
基性水溶液等を用いて剥離除去する。なお、保護皮膜が
電解銅メッキ皮膜の場合には、後工程の、表層に導体回
路（１１ａ）を形成するためにエッチングするときに同
時に除去してもよい。この場合、工程が減るため除去す
る生産性が優れ好ましい。また、保護皮膜がハンダメッ
キ皮膜の場合には、ハンダ剥離液を用いてハンダメッキ
皮膜以外の導体をエッチングせずに保護皮膜を除去可能
なため、保護皮膜を確実に除去でき好ましい。

【００３４】なお、保護皮膜の厚みが３〜２０μｍ程度
であると、保護皮膜を除去するとき、保護皮膜の表面に
接着した破断された接着剤を、保護皮膜と一緒に除去す
る効果が優れ好ましい。３μｍ未満の場合は、破断され
た接着剤が金メッキ皮膜１２の表面にわずかに残留する
場合があり、２０μｍを越える厚み形成しても、破断さ
れた接着剤を保護皮膜と一緒に除去する効果に差がな
く、経済的でない。

【００３５】次いで、図２に示すように、必要に応じて
表層にボンディングパッド用の導体回路１１ａや、電極
１８等を形成すると共に、各層の導体回路１１ａ・・や
電極１８等を接続するスルホール金属皮膜１９等を形成
し、次いで電極１８と接続した針状や球状の端子２０を
形成することにより半導体パッケージは製造される。な
お、端子２０は、半導体素子を実装した後、形成するよ
うにしてもよい。

【００３６】なお、表層の導体層をエッチングして導体
回路１１ａ等を形成する場合には、その表層の導体層を
機械研磨した後形成すると、表層にも破断された接着剤
（１５１）が接着した場合に除去可能なため、表層の回
路形成の精度が向上し好ましい。なお、この機械研磨
は、半導体素子配置部１７の内面に露出している導体回
路１１ｂの表面の保護皮膜を除去して金メッキ皮膜を露
出する前に行うと、機械研磨のとき用いるバフ等が半導
体素子配置部１７の内面に露出している導体回路１１ｂ
に接触した場合であっても、保護皮膜が吸収して金メッ
キ皮膜には傷がつきにくくなる。

【００３７】なお、第１基板１０ａ及び第２基板１０ｂ
を用いて製造する実施の形態について説明したが、２枚
の基板（１０ａ，１０ｂ）を用いる場合に限定するもの
ではなく、第１基板１０ａ及び第２基板１０ｂの間に、
図示しないが、貫通して形成された基板開口部を有する
と共に、表面にボンディングパッド用等の導体回路を形
成した有機系の基板を挟むようにしてもよく、第２基板
１０ｂの外側に、表面に導体回路を形成した有機系の基
板等を積層するようにしてもよい。

【００３８】また、上記工程［ウ］の前に、以下の、表
面の導体層をエッチングして導体回路を形成した後、そ
の導体回路のうち半導体素子配置部の内面に露出させよ
うとする位置に形成された導体回路の表面に金メッキ皮
膜を形成し、次いでその金メッキ皮膜の表面に除去可能
な保護皮膜を形成した後、貫通して形成された基板開口
部を有すると共に一方の面全体に導体層を有する第３の
基板、及び接着剤開口部を形成した接着剤を用いて積層
・接着する工程を１回又は複数回行って、表面に保護皮
膜を形成した導体回路が、複数の層、露出している凹状
の半導体素子配置部を形成し、次いで工程［ウ］を行っ
てもよい。この場合、半導体素子配置部の内面に露出す
る、表面に金メッキ皮膜を形成した導体回路の数を増加
させることができ好ましい。

【００３９】

【実施例】

（実施例１）大きさ５０×５０ｃｍ、銅箔を除く厚み
０．５ｍｍのガラス基材ポリイミド樹脂両面銅張積層板
［松下電工株式会社製、商品名 Ｒ−４７８５、銅箔厚
み１８μｍ］を第１基板及び第２基板の材料として用い
た。そして、この積層板の一方の面の銅箔をエッチング
して導体回路を形成した後、その積層板に一辺が２０ｍ
ｍの四角状の貫通する基板開口部を複数形成して第１基
板とした。

【００４０】また、上記積層板の一方の面の銅箔をエッ
チングして導体回路を形成して第２基板とした。なお、
この第２基板に形成した導体回路は、上記第１基板に形
成した基板開口部と対応する位置、及び上記第１基板に
形成した基板開口部以外の部分と対応する位置の両者に
形成した。

【００４１】次いで、第２基板の、第１基板の基板開口
部と対応する位置に形成した導体回路の表面に、ワット
浴を用いて厚み５μｍのニッケル皮膜を形成した後、そ
のニッケル皮膜の表面に、電解金メッキ液を用いて金メ
ッキ皮膜を１μｍ形成し、次いでその金メッキ皮膜の表
面に、電解銅メッキ液を用いて銅メッキ皮膜（保護皮
膜）を３μｍ形成した。

【００４２】また接着剤として、エポキシ樹脂組成物を
厚さ０．１ｍｍのガラスクロス［旭シュエーベル株式会
社製、商品名 ２１６Ｌ］に含浸した後、加熱してシー
ト状とし、次いで切断して、第１基板の基板開口部と対
応する位置に接着剤開口部を形成した接着剤を用いた。
なお、この接着剤開口部の切断面を１０倍の拡大鏡で観
察したところ、破断された接着剤が付着していることが
確認された。

【００４３】次いで、第１基板の基板開口部と、接着剤
の接着剤開口部の位置がほぼ一致するように第１基板と
第２基板の間に、接着剤を１枚介在させて積層した。な
お、第１基板と第２基板に形成した導体回路が、接着剤
と接する側になるように積層した。次いで、最高温度１
７０℃、圧力２ＭＰａの条件で６０分加熱加圧して、表
面に銅メッキ皮膜（保護皮膜）を形成した導体回路がそ
の内面に露出している凹状の半導体素子配置部を形成し
た。

【００４４】次いで、半導体素子配置部の内面に露出し
ている導体回路の表面の銅メッキ皮膜（保護皮膜）を、
アルカリエッチング液を用いてエッチングすることによ
り除去して金メッキ皮膜を露出させ、金メッキ皮膜を表
面に形成した導体回路が半導体素子配置部の内面に露出
している半導体パッケージを得た。

【００４５】（実施例２）金メッキ皮膜の表面に、銅メ
ッキ皮膜（保護皮膜）を２０μｍ形成したこと、及び銅
メッキ皮膜（保護皮膜）をエッチングする条件を変更し
て金メッキ皮膜を露出させたこと以外は、実施例１と同
様にして、半導体パッケージを得た。

【００４６】（実施例３）金メッキ皮膜の表面に、ハン
ダメッキ皮膜（保護皮膜）を２μｍ形成したこと、及び
ハンダ剥離液を用いてハンダメッキ皮膜（保護皮膜）を
除去して金メッキ皮膜を露出させたこと以外は、実施例
１と同様にして、半導体パッケージを得た。

【００４７】（実施例４）金メッキ皮膜の表面に、ハン
ダメッキ皮膜（保護皮膜）を３μｍ形成したこと、及び
ハンダ剥離液を用いてハンダメッキ皮膜（保護皮膜）を
除去して金メッキ皮膜を露出させたこと以外は、実施例
１と同様にして、半導体パッケージを得た。

【００４８】（実施例５）金メッキ皮膜の表面に、ハン
ダメッキ皮膜（保護皮膜）を３０μｍ形成したこと、及
びハンダ剥離液を用いてハンダメッキ皮膜（保護皮膜）
を除去して金メッキ皮膜を露出させたこと以外は、実施
例１と同様にして、半導体パッケージを得た。

【００４９】（比較例１）金メッキ皮膜の表面に銅メッ
キ皮膜（保護皮膜）を形成しない第２基板を用いて積層
して、金メッキ皮膜を表面に形成した導体回路が半導体
素子配置部の内面に露出している半導体パッケージを得
たこと以外は、実施例１と同様にして、半導体パッケー
ジを得た。

【００５０】（評価、結果）実施例１〜５及び比較例１
で得られた半導体パッケージの、半導体素子配置部の内
面に露出している導体回路表面に形成された金メッキ皮
膜の、表面に付着している接着剤の有無を評価した。

【００５１】その評価方法は、金メッキ皮膜の表面を５
０倍の拡大鏡で評価し、付着していない場合を○とし、
３０μｍ以下のものが付着している場合を△とし、３０
μｍを越えたものが付着している場合を×とした。

【００５２】結果は、表１に示すように、各実施例は比
較例１と比較して、金メッキ皮膜の表面に付着している
接着剤が少ないことが確認された。

【００５３】

【表１】

【００５４】

【発明の効果】本発明に係る半導体パッケージの製造方
法によると、保護皮膜を除去するとき、保護皮膜の表面
に接着して一体化した破断された接着剤も保護皮膜と一
緒に除去されて金メッキ皮膜が露出するため、半導体素
子配置部の内面に露出する導体回路の表面に形成された
金メッキ皮膜が、破断された接着剤で覆われ難い半導体
パッケージが得られる。

【００５５】本発明の請求項４に係る半導体パッケージ
の製造方法によると、上記の効果に加えて、保護皮膜を
確実に除去可能となる。

【００５６】本発明の請求項５に係る半導体パッケージ
の製造方法によると、上記の効果に加えて、得られる半
導体パッケージ内部の導体回路間に気泡が残留しにくく
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体パッケージの製造方法の一
実施の形態の工程を説明する断面図である。

【図２】本発明に係る半導体パッケージの製造方法の一
実施の形態の工程を説明する断面図である。

【図３】本発明に係る半導体パッケージの製造方法の他
の実施の形態の工程の一部を説明する断面図である。

【図４】従来の半導体装置を説明する断面図である。

【図５】従来の半導体パッケージを説明する断面図であ
る。

【図６】従来の半導体パッケージの製造方法の、工程を
説明する断面図である。

【符号の説明】

１０，１０ａ，１０ｂ 基板 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ 導体回路 １２ 金メッキ皮膜 １３ 保護皮膜 １４ 基板開口部 １５ 接着剤 １６ 接着剤開口部 １７ 半導体素子配置部 １８ 電極 １９ スルホール金属皮膜 ２０ 端子 ２１ 半導体素子 ２２ ボンディングワイヤー ２３ 封止材 ２４ 熱硬化性樹脂 ３２，３２ａ，３２ｂ ボンディングパッド

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その中の少なくとも１枚には導体回路
   （１１ｂ・・）を有する複数枚の有機系基板（１０ａ，
   １０ｂ）を、その各基板（１０ａ，１０ｂ）の間にシー
   ト状の接着剤（１５）を介在させて導体回路（１１ｂ）
   が露出している凹状の半導体素子配置部（１７）を所定
   の位置に形成しながら積層、接着して製造する、金メッ
   キ皮膜（１２）を表面に形成した導体回路（１１ｂ）が
   半導体素子配置部（１７）の内面に露出している半導体
   パッケージの製造方法であって、下記の［ア］〜［ウ］
   の工程を有することを特徴とする半導体パッケージの製
   造方法。 ［ア］半導体素子配置部（１７）内に露出させようとす
   る導体回路（１１ｂ）の表面に金メッキ皮膜（１２）を
   形成した後、その金メッキ皮膜（１２）の表面に除去可
   能な保護皮膜（１３）を形成する工程と、［イ］複数枚
   の基板（１０ａ，１０ｂ）とシート状の接着剤（１５）
   を積層、接着して、表面に保護皮膜（１３）を形成した
   導体回路（１１ｂ）がその内面に露出している半導体素
   子配置部（１７）を所定の位置に形成する工程と、
   ［ウ］半導体素子配置部（１７）の内面に露出している
   導体回路（１１ｂ）の表面の保護皮膜（１３）を除去し
   て金メッキ皮膜（１２）を露出する工程。
2. 【請求項２】 保護皮膜（１３）が、金属皮膜であるこ
   とを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造
   方法。
3. 【請求項３】 金属皮膜が、電解銅メッキ皮膜であるこ
   とを特徴とする請求項２記載の半導体パッケージの製造
   方法。
4. 【請求項４】 金属皮膜が、ハンダメッキ皮膜であるこ
   とを特徴とする請求項２記載の半導体パッケージの製造
   方法。
5. 【請求項５】 導体回路（１１ｂ）の表面に金メッキ皮
   膜（１２）を形成する方法が、基板（１０ｂ）の、半導
   体素子配置部（１７）内に露出させようとする導体回路
   （１１ｂ）を有する面のうち、その露出させようとする
   部分を除く導体回路（１１ｃ）間に樹脂組成物（２４）
   を塗布した後、硬化させ、次いで半導体素子配置部（１
   ７）内に露出させようとする部分の導体回路（１１ｂ）
   の表面に金メッキ皮膜（１２）を形成する方法であるこ
   とを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載
   の半導体パッケージ。