JPH10209425A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH10209425A JPH10209425A JP9011392A JP1139297A JPH10209425A JP H10209425 A JPH10209425 A JP H10209425A JP 9011392 A JP9011392 A JP 9011392A JP 1139297 A JP1139297 A JP 1139297A JP H10209425 A JPH10209425 A JP H10209425A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 インターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素
子において、電圧降下に基因したホール電流の増加によ
るニー（ＫＮＥＥ）特性の抑制を図る。 【解決手段】 マトリックス状に配列された受光素子３
２を有し、受光素子３２に接するチャネルストップ領域
３４が設けられてなる固体撮像素子において、撮像領域
の垂直方向の両端に対応するチャネルストップ領域の両
端にグランド（ＧＮＤ）電位を印加した構成とする。
子において、電圧降下に基因したホール電流の増加によ
るニー（ＫＮＥＥ）特性の抑制を図る。 【解決手段】 マトリックス状に配列された受光素子３
２を有し、受光素子３２に接するチャネルストップ領域
３４が設けられてなる固体撮像素子において、撮像領域
の垂直方向の両端に対応するチャネルストップ領域の両
端にグランド（ＧＮＤ）電位を印加した構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子、特
にＣＣＤ固体撮像素子に関する。
にＣＣＤ固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、インターライン転送方式のＣＣ
Ｄ固体撮像素子の概略的構成を示す。このＣＣＤ固体撮
像素子１は、画素となる複数の受光素子２がマトリック
ス状に配列され、各受光素子列の一側にＣＣＤ構造の垂
直転送レジスタ３が設けられ、各垂直転送レジスタ３の
終端に接続するＣＣＤ構造の水平転送レジスタ４が設け
られて成る。
Ｄ固体撮像素子の概略的構成を示す。このＣＣＤ固体撮
像素子１は、画素となる複数の受光素子２がマトリック
ス状に配列され、各受光素子列の一側にＣＣＤ構造の垂
直転送レジスタ３が設けられ、各垂直転送レジスタ３の
終端に接続するＣＣＤ構造の水平転送レジスタ４が設け
られて成る。
【０００３】図６は、図５のＡ−Ａ線上の断面、即ち受
光素子２及び垂直転送レジスタ３を含む部分の断面構造
を示す。この例では、ｎ型シリコン半導体基板１１に第
１のｐ型半導体ウエル領域１２が形成され、この第１の
ｐ型半導体ウエル領域１２内に受光素子２の構成要素と
なるｎ型不純物拡散領域１３と垂直転送レジスタ３を構
成するｎ型転送チャネル領域１４並びにｐ型のチャネル
ストップ領域１５が形成され、ｎ型不純物拡散領域１３
上にｐ型の正電荷蓄積領域１６が、ｎ型の転送チャネル
領域１４の直下に第２のｐ型半導体ウエル領域１７が夫
々形成されている。ｐ型の正電荷蓄積領域１６はｐ型の
チャネルストップ領域１５に電気的に接して形成され
る。
光素子２及び垂直転送レジスタ３を含む部分の断面構造
を示す。この例では、ｎ型シリコン半導体基板１１に第
１のｐ型半導体ウエル領域１２が形成され、この第１の
ｐ型半導体ウエル領域１２内に受光素子２の構成要素と
なるｎ型不純物拡散領域１３と垂直転送レジスタ３を構
成するｎ型転送チャネル領域１４並びにｐ型のチャネル
ストップ領域１５が形成され、ｎ型不純物拡散領域１３
上にｐ型の正電荷蓄積領域１６が、ｎ型の転送チャネル
領域１４の直下に第２のｐ型半導体ウエル領域１７が夫
々形成されている。ｐ型の正電荷蓄積領域１６はｐ型の
チャネルストップ領域１５に電気的に接して形成され
る。
【０００４】ここで、第１のｐ型半導体ウエル領域１２
と、ｎ型不純物拡散領域１３と、ｐ型の正電荷蓄積領域
１６とによってＨＡＤ（ホール・アキュミュレイテッド
・ダイオード）センサと呼ばれる受光素子２が構成され
る。
と、ｎ型不純物拡散領域１３と、ｐ型の正電荷蓄積領域
１６とによってＨＡＤ（ホール・アキュミュレイテッド
・ダイオード）センサと呼ばれる受光素子２が構成され
る。
【０００５】垂直転送レジスタ３を構成する転送チャネ
ル領域１４、チャネルストップ領域１５及び読み出しゲ
ート部７上にゲート絶縁膜１８を介して第１層及び第２
層の多結晶シリコンからなる転送電極１９が形成され、
転送チャネル領域１４、ゲート絶縁膜１８及び転送電極
１９により、垂直転送レジスタ３が構成される。さら
に、層間絶縁膜２０を介して、受光素子２を除く垂直転
送レジスタ３等の他部に例えばＡｌ膜による遮光膜２１
が被着形成される。
ル領域１４、チャネルストップ領域１５及び読み出しゲ
ート部７上にゲート絶縁膜１８を介して第１層及び第２
層の多結晶シリコンからなる転送電極１９が形成され、
転送チャネル領域１４、ゲート絶縁膜１８及び転送電極
１９により、垂直転送レジスタ３が構成される。さら
に、層間絶縁膜２０を介して、受光素子２を除く垂直転
送レジスタ３等の他部に例えばＡｌ膜による遮光膜２１
が被着形成される。
【０００６】チャネルストップ領域１５はその撮像領域
の上端に対応する端部においてコンタクトされてグラン
ド（ＧＮＤ）電位が印加される。
の上端に対応する端部においてコンタクトされてグラン
ド（ＧＮＤ）電位が印加される。
【０００７】このＣＣＤ固体撮像素子１では、受光素子
２で発生した信号電荷が読み出しゲート部７を通して垂
直転送レジスタ３に読み出された後、垂直転送レジスタ
３内を垂直方向に転送され、更にその信号電荷が水平転
送レジスタ４に転送され、水平転送レジスタ４内を水平
方向に転送されて、出力回路５を通して出力されるよう
になされる。
２で発生した信号電荷が読み出しゲート部７を通して垂
直転送レジスタ３に読み出された後、垂直転送レジスタ
３内を垂直方向に転送され、更にその信号電荷が水平転
送レジスタ４に転送され、水平転送レジスタ４内を水平
方向に転送されて、出力回路５を通して出力されるよう
になされる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のＣＣＤ固体撮像
素子１において、光電変換で発生した信号電荷（即ち電
子）のうち、受光素子毎の規定量ＱS 以上の電荷（電
子）は、図７のポテンシャル図で示すように、オーバー
フローバリアＯＦＢを超えて基板電圧Ｖsub が印加され
た基板１１に掃き捨てられるが、掃き捨て電荷量の増加
に伴いオーバーフローバリアのポテンシャルが浅くな
り、即ち、φOFB からφOFBdへと浅くなり、前記規定量
ＱS がＱSdに増えてしまう。
素子１において、光電変換で発生した信号電荷（即ち電
子）のうち、受光素子毎の規定量ＱS 以上の電荷（電
子）は、図７のポテンシャル図で示すように、オーバー
フローバリアＯＦＢを超えて基板電圧Ｖsub が印加され
た基板１１に掃き捨てられるが、掃き捨て電荷量の増加
に伴いオーバーフローバリアのポテンシャルが浅くな
り、即ち、φOFB からφOFBdへと浅くなり、前記規定量
ＱS がＱSdに増えてしまう。
【０００９】増加後の受光素子毎の規定量をＱSdとする
と、ＱSd−ＱS がニー（ＫＮＥＥ）成分と言われるもの
である。
と、ＱSd−ＱS がニー（ＫＮＥＥ）成分と言われるもの
である。
【００１０】受光素子に入射される光量（いわゆる像面
照度）と、規定の電荷量ＱS の増加分、即ちニー成分の
関係を図９に示す。入射光量、即ち像面照度が大になる
に従って、ニー成分が増加する。
照度）と、規定の電荷量ＱS の増加分、即ちニー成分の
関係を図９に示す。入射光量、即ち像面照度が大になる
に従って、ニー成分が増加する。
【００１１】上述では単体の受光素子での問題を考えた
場合であり、受光素子が２次元的に配列されている場合
は、更に別の要素が働く。即ち、光電変換されたことに
よって発生した他方の電荷、即ちホール（正孔）は、正
電荷蓄積領域１６からチャネルストップ領域１５を介し
て排出される。このホールの排出の際に、チャネルスト
ップ領域１６のグランド（ＧＮＤ）電位が印加されたコ
ンタクト端部（即ち、通常、有効画素領域の上端に対応
する端部）から垂直方向に離れた場所の受光素子では、
図８のポテンシャル図に示すように、電圧降下があるた
め、受光素子２のミニマムポテンシャルφSENSが深くな
ってしまうことに起因してＱSdが更に上昇し（ＱSd1 ＜
ＱSd2 ）、ニー成分としても増えることになる。
場合であり、受光素子が２次元的に配列されている場合
は、更に別の要素が働く。即ち、光電変換されたことに
よって発生した他方の電荷、即ちホール（正孔）は、正
電荷蓄積領域１６からチャネルストップ領域１５を介し
て排出される。このホールの排出の際に、チャネルスト
ップ領域１６のグランド（ＧＮＤ）電位が印加されたコ
ンタクト端部（即ち、通常、有効画素領域の上端に対応
する端部）から垂直方向に離れた場所の受光素子では、
図８のポテンシャル図に示すように、電圧降下があるた
め、受光素子２のミニマムポテンシャルφSENSが深くな
ってしまうことに起因してＱSdが更に上昇し（ＱSd1 ＜
ＱSd2 ）、ニー成分としても増えることになる。
【００１２】図１０は、図５のＫ−Ｋ′線上に関するグ
ランド（ＧＮＤ）からの距離と受光素子の正電荷蓄積領
域１６の電位との関係を示す。図１０において、Ｒ1 は
配線等の内部抵抗、Ｒ2 は１画素当たりの抵抗を示す。
ＧＮＤ電位が与えられる上端からの距離に応じて電圧降
下によって漸次電位が増加する。
ランド（ＧＮＤ）からの距離と受光素子の正電荷蓄積領
域１６の電位との関係を示す。図１０において、Ｒ1 は
配線等の内部抵抗、Ｒ2 は１画素当たりの抵抗を示す。
ＧＮＤ電位が与えられる上端からの距離に応じて電圧降
下によって漸次電位が増加する。
【００１３】上述のニー成分の増加は、信号電荷の初期
規定量ＱS の抑制を招き、ダイナミックレンジ、リニア
リティを阻害し、またブルーミングを発生させる等の不
都合を生じる。
規定量ＱS の抑制を招き、ダイナミックレンジ、リニア
リティを阻害し、またブルーミングを発生させる等の不
都合を生じる。
【００１４】本発明は、上述の点に鑑み、特に、電圧降
下に起因するニー成分を抑制することができる固体撮像
素子を提供するものである。
下に起因するニー成分を抑制することができる固体撮像
素子を提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る固体撮像素
子は、受光素子に接するチャネルストップ領域の撮像領
域の垂直方向の両端に対応する両端にグランド電位を印
加する構成とする。
子は、受光素子に接するチャネルストップ領域の撮像領
域の垂直方向の両端に対応する両端にグランド電位を印
加する構成とする。
【００１６】この構成によれば、チャネルストップ領域
の垂直方向の両端にグランド電位を印加することによ
り、ホール電流が２方向に流れ、電圧降下が半分に抑え
られる。これによって電圧降下に起因するニー成分が抑
制される。
の垂直方向の両端にグランド電位を印加することによ
り、ホール電流が２方向に流れ、電圧降下が半分に抑え
られる。これによって電圧降下に起因するニー成分が抑
制される。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明に係る固体撮像素子は、マ
トリックス状に配列された受光素子を有し、この受光素
子に接するチャネルストップ領域が設けられてなる固体
撮像素子において、撮像領域の垂直方向の両端に対応す
るチャネルストップ領域の両端にグランド電位を印加し
た構成とする。
トリックス状に配列された受光素子を有し、この受光素
子に接するチャネルストップ領域が設けられてなる固体
撮像素子において、撮像領域の垂直方向の両端に対応す
るチャネルストップ領域の両端にグランド電位を印加し
た構成とする。
【００１８】本発明は、上記固体撮像素子において、チ
ャネルストップ領域の一方の端は遮光膜を介してグラン
ド電位が印加された構成とする。
ャネルストップ領域の一方の端は遮光膜を介してグラン
ド電位が印加された構成とする。
【００１９】以下、図面を参照して本発明の実施例を説
明する。
明する。
【００２０】図１は、本発明に係るインターライン転送
方式のＣＣＤ固体撮像素子の概略的構成を示す。このＣ
ＣＤ固体撮像素子３１は、画素となる複数の受光素子３
２がマトリックス状に配列され、各受光素子列の一側に
ＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ３３が設けられ、各受光
素子列の他側及び垂直方向に隣り合う受光素子間に受光
素子３２に接するようにチャネルストップ領域３４が形
成され、撮像領域の有効画素領域３５を除いて遮光膜３
６が形成され、さらに各垂直転送レジスタ３３の終端に
接続するＣＣＤ構造の水平転送レジスタ３７が設けられ
て成る。３８は水平転送レジスタ３７の出力端に接続さ
れた出力回路を示す。
方式のＣＣＤ固体撮像素子の概略的構成を示す。このＣ
ＣＤ固体撮像素子３１は、画素となる複数の受光素子３
２がマトリックス状に配列され、各受光素子列の一側に
ＣＣＤ構造の垂直転送レジスタ３３が設けられ、各受光
素子列の他側及び垂直方向に隣り合う受光素子間に受光
素子３２に接するようにチャネルストップ領域３４が形
成され、撮像領域の有効画素領域３５を除いて遮光膜３
６が形成され、さらに各垂直転送レジスタ３３の終端に
接続するＣＣＤ構造の水平転送レジスタ３７が設けられ
て成る。３８は水平転送レジスタ３７の出力端に接続さ
れた出力回路を示す。
【００２１】図１において、３９は絵画素領域を示し、
この絵画素領域３９は、有効画素領域３５と、遮光膜３
６で覆われた光学的黒を決めるいわゆるオプティカルブ
ラック領域４０とを含む。そして、遮光膜３６で覆われ
るも、絵画素領域３９に含まれない領域４１が、ダミー
ビット領域と呼ばれる領域である。
この絵画素領域３９は、有効画素領域３５と、遮光膜３
６で覆われた光学的黒を決めるいわゆるオプティカルブ
ラック領域４０とを含む。そして、遮光膜３６で覆われ
るも、絵画素領域３９に含まれない領域４１が、ダミー
ビット領域と呼ばれる領域である。
【００２２】図２は、図１のＢ−Ｂ線上の断面、即ち受
光素子３２及び垂直転送レジスタ３３を含む部分の断面
構造を示す。本例では、第１導電型、例えばｎ型のシリ
コン半導体基板５１に第１の第２導電型、例えばｐ型の
半導体ウエル領域５２が形成され、この第１のｐ型半導
体ウエル領域５２内に受光素子３２の構成要素となるｎ
型不純物拡散領域５３と垂直転送レジスタ３３を構成す
るｎ型転送チャネル領域５４並びにｐ型のチャネルスト
ップ領域３４が形成され、ｎ型不純物拡散領域５３上に
ｐ型の正電荷蓄積領域５６が、ｎ型の転送チャネル領域
５４の直下に第２のｐ型半導体ウエル領域５７が夫々に
形成されている。ｐ型の正電荷蓄積領域５６は、ｐ型の
チャネルストップ領域１５に電気的に接して形成され
る。
光素子３２及び垂直転送レジスタ３３を含む部分の断面
構造を示す。本例では、第１導電型、例えばｎ型のシリ
コン半導体基板５１に第１の第２導電型、例えばｐ型の
半導体ウエル領域５２が形成され、この第１のｐ型半導
体ウエル領域５２内に受光素子３２の構成要素となるｎ
型不純物拡散領域５３と垂直転送レジスタ３３を構成す
るｎ型転送チャネル領域５４並びにｐ型のチャネルスト
ップ領域３４が形成され、ｎ型不純物拡散領域５３上に
ｐ型の正電荷蓄積領域５６が、ｎ型の転送チャネル領域
５４の直下に第２のｐ型半導体ウエル領域５７が夫々に
形成されている。ｐ型の正電荷蓄積領域５６は、ｐ型の
チャネルストップ領域１５に電気的に接して形成され
る。
【００２３】ここで、第１のｐ型半導体ウエル領域５２
と、ｎ型不純物拡散領域５３とｐ型の正電荷蓄積領域５
６とによってＨＡＤ（ホール・アキュミュレイテッド・
ダイオード）センサと呼ばれる受光素子３２が構成され
る。
と、ｎ型不純物拡散領域５３とｐ型の正電荷蓄積領域５
６とによってＨＡＤ（ホール・アキュミュレイテッド・
ダイオード）センサと呼ばれる受光素子３２が構成され
る。
【００２４】垂直転送レジスタ３３を構成する転送チャ
ネル領域５４、チャネルストップ領域３４及び読み出し
ゲート部４３上にゲート絶縁膜５８を介して第１層及び
第２層の多結晶シリコンからなる転送電極５９が形成さ
れ、転送チャネル領域５４、ゲート絶縁膜５８及び転送
電極５９により、垂直転送レジスタ３３が構成される。
さらに、層間絶縁膜６０を介して受光素子３２を除く垂
直転送レジスタ３３等の他部に例えばＡｌ膜による遮光
膜６１が被着形成されて成る。
ネル領域５４、チャネルストップ領域３４及び読み出し
ゲート部４３上にゲート絶縁膜５８を介して第１層及び
第２層の多結晶シリコンからなる転送電極５９が形成さ
れ、転送チャネル領域５４、ゲート絶縁膜５８及び転送
電極５９により、垂直転送レジスタ３３が構成される。
さらに、層間絶縁膜６０を介して受光素子３２を除く垂
直転送レジスタ３３等の他部に例えばＡｌ膜による遮光
膜６１が被着形成されて成る。
【００２５】尚、図示せざるも、更にその上に平坦化膜
を介してオンチップカラーフィルター層及びオンチップ
マイクロレンズが形成される。
を介してオンチップカラーフィルター層及びオンチップ
マイクロレンズが形成される。
【００２６】しかして、本実施例においては、特に、チ
ャネルストップ領域３４の上端及び下端、即ち撮像領域
の上下両端、従って有効画素領域３５の上下両端に対応
する上端及び下端に、コンタクトをとってグランド（Ｇ
ＮＤ）電位を印加するようになす。
ャネルストップ領域３４の上端及び下端、即ち撮像領域
の上下両端、従って有効画素領域３５の上下両端に対応
する上端及び下端に、コンタクトをとってグランド（Ｇ
ＮＤ）電位を印加するようになす。
【００２７】この場合、チャネルストップ領域３４の下
端では、Ａｌ遮光膜３６を介してグランド（ＧＮＤ）電
位を印加することができる。この為、例えば図３（図１
のＣ−Ｃ線上の断面）に示すように、ダミービット領域
４１の画素部（受光部に相当する）において、その正電
荷蓄積領域５６に直接Ａｌ遮光膜３６を接続し、このＡ
ｌ遮光膜３６にグランド（ＧＮＤ）電位を印加すること
ができる。これによって、Ａｌ遮光膜３６及びｐ型の正
電荷蓄積領域５６を通してｐ型のチャネルストップ領域
３４の下端にグランド電位が印加される。
端では、Ａｌ遮光膜３６を介してグランド（ＧＮＤ）電
位を印加することができる。この為、例えば図３（図１
のＣ−Ｃ線上の断面）に示すように、ダミービット領域
４１の画素部（受光部に相当する）において、その正電
荷蓄積領域５６に直接Ａｌ遮光膜３６を接続し、このＡ
ｌ遮光膜３６にグランド（ＧＮＤ）電位を印加すること
ができる。これによって、Ａｌ遮光膜３６及びｐ型の正
電荷蓄積領域５６を通してｐ型のチャネルストップ領域
３４の下端にグランド電位が印加される。
【００２８】この実施例のＣＣＤ固体撮像素子３１で
は、受光素子で発生した信号電荷（この例では電子）が
読み出しゲート部４３を通して垂直転送レジスタ３３に
読み出され、垂直転送レジスタ３３内を垂直方向に転送
された後、水平転送レジスタ３７に転送され、さらに水
平転送レジスタ３７内を水平方向に転送されて、出力回
路３８を通して出力される。
は、受光素子で発生した信号電荷（この例では電子）が
読み出しゲート部４３を通して垂直転送レジスタ３３に
読み出され、垂直転送レジスタ３３内を垂直方向に転送
された後、水平転送レジスタ３７に転送され、さらに水
平転送レジスタ３７内を水平方向に転送されて、出力回
路３８を通して出力される。
【００２９】一方、光電変換で発生した他方の電荷、即
ちホール（正孔）は、正電荷蓄積領域５６からグランド
電位のチャネルストップ領域３４を通して排出される。
このとき、チャネルストップ領域３４の垂直方向の両端
にコンタクトをとってグランド電位が印加されているの
で、いわゆるホール電流はチャネルストップ領域３４の
両端に向かって流れる。これによって、チャネルストッ
プ領域３４での電圧降下、従ってグランド電位の端部か
ら離れた受光素子のｐ型の正電荷蓄積領域５６での電圧
降下が抑制され、ニー特性が抑制される。
ちホール（正孔）は、正電荷蓄積領域５６からグランド
電位のチャネルストップ領域３４を通して排出される。
このとき、チャネルストップ領域３４の垂直方向の両端
にコンタクトをとってグランド電位が印加されているの
で、いわゆるホール電流はチャネルストップ領域３４の
両端に向かって流れる。これによって、チャネルストッ
プ領域３４での電圧降下、従ってグランド電位の端部か
ら離れた受光素子のｐ型の正電荷蓄積領域５６での電圧
降下が抑制され、ニー特性が抑制される。
【００３０】即ち、今、撮像領域の垂直方向の中央の受
光素子に着目する。ホール電流がチャネルストップ領域
３４の両端に向かって同じだけ流れる様な理想的なモデ
ルを想定した場合には、簡単なオームの法則から数１、
数２が導き出せる。
光素子に着目する。ホール電流がチャネルストップ領域
３４の両端に向かって同じだけ流れる様な理想的なモデ
ルを想定した場合には、簡単なオームの法則から数１、
数２が導き出せる。
【００３１】
【数１】 Ｖ＝Ｉ×Ｒ ＝Ｉ×（ρ×Ｌ／Ｓ） ＝４×（０．５×Ｉ）×〔ρ×（０．５×Ｌ）／Ｓ〕 但し、Ｖは電圧、Ｉは電流、Ｒは抵抗、ρは比抵抗、Ｌ
は長さ、Ｓは断面積を示す。
は長さ、Ｓは断面積を示す。
【００３２】
【数２】従って、 Ｖ／４＝（０．５×Ｉ）×〔ρ×（０．５×Ｌ）／Ｓ〕
【００３３】数２で明らかなように、電圧降下は１／４
に抑えることができる。
に抑えることができる。
【００３４】図４は、図１のＫ−Ｋ′線上の各受光素子
の正電荷蓄積領域での電位関係を示す。この図４から明
らかなように電圧降下が抑制されるのが理解できる。
の正電荷蓄積領域での電位関係を示す。この図４から明
らかなように電圧降下が抑制されるのが理解できる。
【００３５】上述したように、本実施例によれば、ホー
ル電流を２方向に流すことで電圧降下を抑えることがで
き、ホール電流の増加によるニー特性を抑制することが
できる。これによって、信号電荷の初期規定量であるＱ
S を多く取ることが出来、ダイナミックレンジ、リニア
リティの高いＣＣＤ固体撮像素子を設計できる。
ル電流を２方向に流すことで電圧降下を抑えることがで
き、ホール電流の増加によるニー特性を抑制することが
できる。これによって、信号電荷の初期規定量であるＱ
S を多く取ることが出来、ダイナミックレンジ、リニア
リティの高いＣＣＤ固体撮像素子を設計できる。
【００３６】また、大きな光量が撮像領域に当たった
際、基板側にオーバーフローせずに垂直転送レジスタ側
にオーバーフローする、いわゆるブルーミングに対する
マージンを大きく取ることができる。
際、基板側にオーバーフローせずに垂直転送レジスタ側
にオーバーフローする、いわゆるブルーミングに対する
マージンを大きく取ることができる。
【００３７】チャネルストップ領域３４の下端にＡｌ遮
光膜３６を介してグランド電位を与えるときは、配線等
を不要として簡潔にチャネルストップ領域３４の下端へ
のグランド電位の印加を容易にする。
光膜３６を介してグランド電位を与えるときは、配線等
を不要として簡潔にチャネルストップ領域３４の下端へ
のグランド電位の印加を容易にする。
【００３８】
【発明の効果】本発明に係る固体撮像素子によれば、ニ
ー成分を抑制することができる。これによって、受光素
子における信号電荷の初期規定量を多く取ることがで
き、ダイナミックレンジ、リニアリティの高い固体撮像
素子を得ることができる。
ー成分を抑制することができる。これによって、受光素
子における信号電荷の初期規定量を多く取ることがで
き、ダイナミックレンジ、リニアリティの高い固体撮像
素子を得ることができる。
【００３９】また、ブルーミングに対するマージンを大
きく取ることができ、大きな光量が撮像領域に入射され
た際にも、ブルーミングの発生を阻止することができ
る。
きく取ることができ、大きな光量が撮像領域に入射され
た際にも、ブルーミングの発生を阻止することができ
る。
【００４０】チャネルストップ領域の一方の端に遮光膜
を介してグランド電位を印加するときは、配線等を不要
にして簡潔にチャネルストップ領域の一方端にグランド
電位を印加することができる。
を介してグランド電位を印加するときは、配線等を不要
にして簡潔にチャネルストップ領域の一方端にグランド
電位を印加することができる。
【図１】本発明に係る固体撮像素子の実施例を示す構成
図である。
図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線上の断面図である。
【図３】図１のＣ−Ｃ線上の断面図である。
【図４】本発明に係るグランド（ＧＮＤ）からの距離と
受光素子内のグランド（ＧＮＤ）電位の変化の関係を示
すグラフである。
受光素子内のグランド（ＧＮＤ）電位の変化の関係を示
すグラフである。
【図５】従来のインターライン転送方式の固体撮像素子
の構成図である。
の構成図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線上の断面図である。
【図７】オーバーフローバリアの変化によるＱS 変化を
示すポテンシャル図である。
示すポテンシャル図である。
【図８】受光素子内のグランド電位の変化によるＱSd変
化を示すポテンシャル図である。
化を示すポテンシャル図である。
【図９】ニー（ＫＮＥＥ）特性の説明に供するグラフで
ある。
ある。
【図１０】従来例に係るグランド（ＧＮＤ）からの距離
と受光素子内のグランド（ＧＮＤ）電位変化の関係を示
すグラフである。
と受光素子内のグランド（ＧＮＤ）電位変化の関係を示
すグラフである。
３１ インターライン転送方式のＣＣＤ固体撮像素子、
３２ 受光素子、３３垂直転送レジスタ、３４ チャネ
ルストップ領域、３６ 遮光膜、３９ 画素領域、４１
ダミービット領域、５６ 正電荷蓄積領域
３２ 受光素子、３３垂直転送レジスタ、３４ チャネ
ルストップ領域、３６ 遮光膜、３９ 画素領域、４１
ダミービット領域、５６ 正電荷蓄積領域
Claims (2)
- 【請求項１】 マトリックス状に配列された受光素子を
有し、該受光素子に接するチャネルストップ領域が設け
られてなる固体撮像素子において、 撮像領域の垂直方向の両端に対応する前記チャネルスト
ップ領域の両端にグランド電位を印加して成ることを特
徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記チャネルストップ領域の一方の端は
遮光膜を介してグランド電位が印加されて成ることを特
徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01139297A JP3711678B2 (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01139297A JP3711678B2 (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209425A true JPH10209425A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3711678B2 JP3711678B2 (ja) | 2005-11-02 |
Family
ID=11776747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01139297A Expired - Fee Related JP3711678B2 (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3711678B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007189022A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | Ｃｃｄ型固体撮像素子及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-01-24 JP JP01139297A patent/JP3711678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007189022A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | Ｃｃｄ型固体撮像素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3711678B2 (ja) | 2005-11-02 |
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