JPH10214868A - Ｃｍｐ処理の評価方法 - Google Patents
Ｃｍｐ処理の評価方法Info
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- JPH10214868A JPH10214868A JP1523197A JP1523197A JPH10214868A JP H10214868 A JPH10214868 A JP H10214868A JP 1523197 A JP1523197 A JP 1523197A JP 1523197 A JP1523197 A JP 1523197A JP H10214868 A JPH10214868 A JP H10214868A
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- probe
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＭＰ処理後のウエハの表面凹凸を非破壊で
測定するすることができ、もってＣＭＰ処理の評価の、
プロセスへのインライン化を実現することが可能なＣＭ
Ｐ処理の評価方法を提供する。 【解決手段】 試料Ｓとこれに対向配置した探針１ａと
を近接させ、その探針１ａ及び試料Ｓを相対的に走査す
ることにより、探針１ａと試料表面との間の相互作用に
より生じる物理量を検出して試料表面の形状を原子レベ
ルの分解能で測定する走査型プローブ顕微鏡（ＡＦＭ）
を用い、測定対象となるウエハを、探針１ａ下に配置す
るとともに、そのウエハの所定位置（測定点）に探針１
ａを位置合わせした状態で、当該探針１ａを線状に走査
してウエハの表面形状を、非破壊で測定し、その測定結
果からＣＭＰ処理の良否を判定する。
測定するすることができ、もってＣＭＰ処理の評価の、
プロセスへのインライン化を実現することが可能なＣＭ
Ｐ処理の評価方法を提供する。 【解決手段】 試料Ｓとこれに対向配置した探針１ａと
を近接させ、その探針１ａ及び試料Ｓを相対的に走査す
ることにより、探針１ａと試料表面との間の相互作用に
より生じる物理量を検出して試料表面の形状を原子レベ
ルの分解能で測定する走査型プローブ顕微鏡（ＡＦＭ）
を用い、測定対象となるウエハを、探針１ａ下に配置す
るとともに、そのウエハの所定位置（測定点）に探針１
ａを位置合わせした状態で、当該探針１ａを線状に走査
してウエハの表面形状を、非破壊で測定し、その測定結
果からＣＭＰ処理の良否を判定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スにおいてＣＭＰ処理を行ったウエハを評価する方法に
関する。
スにおいてＣＭＰ処理を行ったウエハを評価する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＶＬＳＩデバイスの高微細化・高密度化
に対応して、様々な微細加工技術が開発されており、そ
の一つとしてＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing
；化学的機械研磨）技術が最近急速に注目されてきて
いる。
に対応して、様々な微細加工技術が開発されており、そ
の一つとしてＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing
；化学的機械研磨）技術が最近急速に注目されてきて
いる。
【０００３】このＣＭＰ技術は、高微細・高密度加工を
行う半導体製造プロセスにおいて、デバイス表面に段差
・凹凸が存在すると、ステッパ等の焦点深度の関係上、
フォトリソグラフィや配線パターン形成などの際に十分
な解像度が得られなくなってしまうことから、そのデバ
イス表面の段差・凹凸の解消のために、デバイス表面を
平坦化（グローバル平坦化）する技術で、特に、多層配
線構造を必要とするデバイスの生産において、その重要
性が注目されている。
行う半導体製造プロセスにおいて、デバイス表面に段差
・凹凸が存在すると、ステッパ等の焦点深度の関係上、
フォトリソグラフィや配線パターン形成などの際に十分
な解像度が得られなくなってしまうことから、そのデバ
イス表面の段差・凹凸の解消のために、デバイス表面を
平坦化（グローバル平坦化）する技術で、特に、多層配
線構造を必要とするデバイスの生産において、その重要
性が注目されている。
【０００４】そして、このような半導体製造プロセスに
おいて実施されるＣＭＰ処理の評価には、現在、走査型
電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと称する）や光学的手法が採
用されている。
おいて実施されるＣＭＰ処理の評価には、現在、走査型
電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと称する）や光学的手法が採
用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＭＰ処理
による表面凹凸の平坦化は、凹凸値を数１００ｎｍ〜数
１０００ｎｍのオーダーにまで仕上げる処理であること
から、ＳＥＭや光学的手法を用いた観察では、焦点深度
の問題から試料の表面形状を真上から捉えることが不可
能で、従って、評価を行うウエハの一部分を破壊して試
料を作製し、その断面をＳＥＭで観察するという方法を
採らざるを得ない。
による表面凹凸の平坦化は、凹凸値を数１００ｎｍ〜数
１０００ｎｍのオーダーにまで仕上げる処理であること
から、ＳＥＭや光学的手法を用いた観察では、焦点深度
の問題から試料の表面形状を真上から捉えることが不可
能で、従って、評価を行うウエハの一部分を破壊して試
料を作製し、その断面をＳＥＭで観察するという方法を
採らざるを得ない。
【０００６】このように現状では、非破壊（ウエハを割
らない）で評価する方法がなく、このことが、ＣＭＰ処
理の評価を半導体製造プロセスにおいてインラインで実
施する上での妨げとなっていた。
らない）で評価する方法がなく、このことが、ＣＭＰ処
理の評価を半導体製造プロセスにおいてインラインで実
施する上での妨げとなっていた。
【０００７】本発明はそのような実情に鑑みてなされた
もので、ＣＭＰ処理後のウエハの表面凹凸を非破壊で測
定するすることができ、もってＣＭＰ処理の評価の、プ
ロセスへのインライン化を実現することが可能なＣＭＰ
処理の評価方法の提供を目的とする。
もので、ＣＭＰ処理後のウエハの表面凹凸を非破壊で測
定するすることができ、もってＣＭＰ処理の評価の、プ
ロセスへのインライン化を実現することが可能なＣＭＰ
処理の評価方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のＣＭＰ処理の評価方法は、試料とこれに対
向配置した探針とを近接させ、その探針及び試料を相対
的に走査することにより、探針と試料表面との間の相互
作用により生じる物理量を検出して試料表面の形状を原
子レベルの分解能で測定する走査型プローブ顕微鏡（Ａ
ＦＭ；Atomic Force Microscope ）を用い、測定対象と
なるウエハを、上記探針下に配置するとともに、そのウ
エハの所定位置（例えば、デバイス配線パターンの形成
部Ｐ1 ・・Ｐ5 ；図２参照）に探針を位置合わせした状態
で、当該探針を線状に走査してウエハの表面形状を測定
し、その測定結果からＣＭＰ処理の良否を判定すること
によって特徴づけられる。
め、本発明のＣＭＰ処理の評価方法は、試料とこれに対
向配置した探針とを近接させ、その探針及び試料を相対
的に走査することにより、探針と試料表面との間の相互
作用により生じる物理量を検出して試料表面の形状を原
子レベルの分解能で測定する走査型プローブ顕微鏡（Ａ
ＦＭ；Atomic Force Microscope ）を用い、測定対象と
なるウエハを、上記探針下に配置するとともに、そのウ
エハの所定位置（例えば、デバイス配線パターンの形成
部Ｐ1 ・・Ｐ5 ；図２参照）に探針を位置合わせした状態
で、当該探針を線状に走査してウエハの表面形状を測定
し、その測定結果からＣＭＰ処理の良否を判定すること
によって特徴づけられる。
【０００９】本発明は、走査型プローブ顕微鏡の利点、
すなわち原子レベルの分解能で試料の表面形状を測定で
きる点に着目し、このような走査型プローブ顕微鏡を用
いることで、ＣＭＰ処理を行った後のウエハでも、その
表面の段差・凹凸を、ウエハを破壊することなく非破壊
で測定できるようにする。しかも、本発明の評価方法で
は、この種の走査型プローブ顕微鏡において、通常実施
されている２次元走査を行うのではなく、表面凹凸が存
在する部分、例えばデバイス配線パターンの形成部を線
状に走査することによってその部分の表面凹凸を測定す
るので、短時間での観察が可能となる結果、ＣＭＰ処理
の評価をプロセスラインに組み込むことが可能となる。
すなわち原子レベルの分解能で試料の表面形状を測定で
きる点に着目し、このような走査型プローブ顕微鏡を用
いることで、ＣＭＰ処理を行った後のウエハでも、その
表面の段差・凹凸を、ウエハを破壊することなく非破壊
で測定できるようにする。しかも、本発明の評価方法で
は、この種の走査型プローブ顕微鏡において、通常実施
されている２次元走査を行うのではなく、表面凹凸が存
在する部分、例えばデバイス配線パターンの形成部を線
状に走査することによってその部分の表面凹凸を測定す
るので、短時間での観察が可能となる結果、ＣＭＰ処理
の評価をプロセスラインに組み込むことが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のＣＭＰ処理の評
価方法の実施に用いる走査型プローブ顕微鏡の構成を示
すブロック図である。
価方法の実施に用いる走査型プローブ顕微鏡の構成を示
すブロック図である。
【００１１】この図１に示す走査型プローブ顕微鏡の機
構部は、先端に探針１ａをもつカンチレバー１、その探
針１ａをＺ軸方向に駆動するＺ軸微動機構（ＰＺＴ）
２、探針１ａをＸ，Ｙ方向に走査するＸＹ微動機構（Ｐ
ＺＴ）３、及び、測定対象となる試料ＳつまりＣＭＰ処
理後のウエハの積載が可能な構造で、その試料Ｓの任意
の位置を探針１ａ下へ移動・配置するＸＹ粗動ステージ
４を主として構成されている。
構部は、先端に探針１ａをもつカンチレバー１、その探
針１ａをＺ軸方向に駆動するＺ軸微動機構（ＰＺＴ）
２、探針１ａをＸ，Ｙ方向に走査するＸＹ微動機構（Ｐ
ＺＴ）３、及び、測定対象となる試料ＳつまりＣＭＰ処
理後のウエハの積載が可能な構造で、その試料Ｓの任意
の位置を探針１ａ下へ移動・配置するＸＹ粗動ステージ
４を主として構成されている。
【００１２】走査型プローブ顕微鏡の制御系は、Ｚ軸微
動機構２を駆動するＺ軸ドライバ２ａ、ＸＹ微動機構３
を駆動するＸＹ走査ドライバ３ａ、及びＸＹ粗動ステー
ジ４を駆動するＸＹ粗動ドライバ４ａ、並びに、そのＸ
Ｙ走査ドライバ３ａとＸＹ粗動ドライバ４ａに駆動指令
信号を供給する制御手段８によって構成されている。
動機構２を駆動するＺ軸ドライバ２ａ、ＸＹ微動機構３
を駆動するＸＹ走査ドライバ３ａ、及びＸＹ粗動ステー
ジ４を駆動するＸＹ粗動ドライバ４ａ、並びに、そのＸ
Ｙ走査ドライバ３ａとＸＹ粗動ドライバ４ａに駆動指令
信号を供給する制御手段８によって構成されている。
【００１３】また、検出系は、探針１ａの変位を検出す
る変位検出器５、その変位検出器５の出力信号に基づい
て、探針１ａの位置を一定にすべくＺ軸ドライバ２ａに
制御駆動信号を供給するサーボ機構６によって構成され
ており、このサーボ機構６の駆動制御信号（電流信号）
が、Ａ／Ｄ変換部７によってデジタル信号に変換されて
制御手段８に入力される。
る変位検出器５、その変位検出器５の出力信号に基づい
て、探針１ａの位置を一定にすべくＺ軸ドライバ２ａに
制御駆動信号を供給するサーボ機構６によって構成され
ており、このサーボ機構６の駆動制御信号（電流信号）
が、Ａ／Ｄ変換部７によってデジタル信号に変換されて
制御手段８に入力される。
【００１４】そして、以上の構造の走査型プローブ顕微
鏡では、上記したサーボ機構６によるＺ軸微動機構２の
駆動制御により、探針１ａのＺ軸における位置を一定に
制御しつつ、試料Ｓの各測定ポイントＰ1 ・・Ｐ5 （図２
参照）を線状に走査（ラインスキャン）する、といった
動作での測定が可能で、このような走査過程においてサ
ーボ機構６がＺ軸微動機構２を駆動制御する量が、試料
Ｓの表面形状を表すデータとなり、その表面形状データ
が記録装置９に各ラインスキャンごとに格納されてゆ
く。また、その記録装置９に格納された表面形状データ
は、図４に例示するような形態で表示装置１０に表示さ
れる。
鏡では、上記したサーボ機構６によるＺ軸微動機構２の
駆動制御により、探針１ａのＺ軸における位置を一定に
制御しつつ、試料Ｓの各測定ポイントＰ1 ・・Ｐ5 （図２
参照）を線状に走査（ラインスキャン）する、といった
動作での測定が可能で、このような走査過程においてサ
ーボ機構６がＺ軸微動機構２を駆動制御する量が、試料
Ｓの表面形状を表すデータとなり、その表面形状データ
が記録装置９に各ラインスキャンごとに格納されてゆ
く。また、その記録装置９に格納された表面形状データ
は、図４に例示するような形態で表示装置１０に表示さ
れる。
【００１５】次に、以上の走査プローブ顕微鏡を用い
て、図２に示すウエハを測定対象試料Ｓとして本発明の
評価方法を実施する場合の例を、以下、図３のフローチ
ャートを参照しつつ説明する。
て、図２に示すウエハを測定対象試料Ｓとして本発明の
評価方法を実施する場合の例を、以下、図３のフローチ
ャートを参照しつつ説明する。
【００１６】まず、図２に示すウエハは、ＶＬＳＩの製
造プロセスにおいてＣＭＰ処理が行われたもので、この
例ではマトリクス状に並ぶＶＬＳＩデバイスＤ・・Ｄのう
ち、上下左右及び中央部の５箇所に位置するデバイスＤ
の配線パターン形成部を測定点Ｐ1 ・・Ｐ5 とする。ま
た、この例のウエハの各デバイスＤ・・Ｄの配線パターン
はＹ方向に平行に形成されているものとする。
造プロセスにおいてＣＭＰ処理が行われたもので、この
例ではマトリクス状に並ぶＶＬＳＩデバイスＤ・・Ｄのう
ち、上下左右及び中央部の５箇所に位置するデバイスＤ
の配線パターン形成部を測定点Ｐ1 ・・Ｐ5 とする。ま
た、この例のウエハの各デバイスＤ・・Ｄの配線パターン
はＹ方向に平行に形成されているものとする。
【００１７】さて、試料ＳをＸＹ粗動ステージ４上に載
置して、走査プローブ顕微鏡による観察を開始すると、
制御手段８によるＸＹ粗動ステージ４の駆動制御によ
り、まず、試料Ｓの測定点Ｐ1 の位置が探針１ａの下方
に位置決めされる。
置して、走査プローブ顕微鏡による観察を開始すると、
制御手段８によるＸＹ粗動ステージ４の駆動制御によ
り、まず、試料Ｓの測定点Ｐ1 の位置が探針１ａの下方
に位置決めされる。
【００１８】次に、ＸＹ微動機構３の駆動制御により、
探針１ａがＸ方向（デバイス配線パターンと垂直方向）
に沿ってラインスキャンされ、この走査過程においてサ
ーボ機構６からの駆動制御信号が、Ａ／Ｄ変換部７によ
って所定の微小時間ごとに刻々とデジタル化された後、
そのデータは制御手段８を経由して記録装置９に、試料
Ｓの表面形状データとして格納されてゆく。なお、この
ときのＸ軸の走査距離及び次のＹ軸の走査距離はともに
１００μｍ程度である。
探針１ａがＸ方向（デバイス配線パターンと垂直方向）
に沿ってラインスキャンされ、この走査過程においてサ
ーボ機構６からの駆動制御信号が、Ａ／Ｄ変換部７によ
って所定の微小時間ごとに刻々とデジタル化された後、
そのデータは制御手段８を経由して記録装置９に、試料
Ｓの表面形状データとして格納されてゆく。なお、この
ときのＸ軸の走査距離及び次のＹ軸の走査距離はともに
１００μｍ程度である。
【００１９】次いで、ＸＹ粗動ステージ４の駆動によ
り、探針１ａの試料Ｓに対する位置が測定点Ｐ1 のＹ方
向の走査位置に位置決めされ、この状態で、ＸＹ微動機
構３の駆動制御により、探針１ａがＹ方向（デバイス配
線パターンと平行方向）にラインスキャンされて、その
走査過程において採取された表面形状データが記録装置
９に格納される。
り、探針１ａの試料Ｓに対する位置が測定点Ｐ1 のＹ方
向の走査位置に位置決めされ、この状態で、ＸＹ微動機
構３の駆動制御により、探針１ａがＹ方向（デバイス配
線パターンと平行方向）にラインスキャンされて、その
走査過程において採取された表面形状データが記録装置
９に格納される。
【００２０】以上と同様な試料Ｓの位置決め、及びＸ，
Ｙ方向のラインスキャンを、試料Ｓの測定点Ｓ2 ・・Ｓ5
に対して順次に実行してゆき、全ての測定点Ｓ1 ・・Ｓ5
のＸ，Ｙ方向のラインスキャンが完了した後、その各測
定点Ｓ1 ・・Ｓ5 ごとに、表面形状データを表示装置１０
に表示する（図４の表示例参照）。
Ｙ方向のラインスキャンを、試料Ｓの測定点Ｓ2 ・・Ｓ5
に対して順次に実行してゆき、全ての測定点Ｓ1 ・・Ｓ5
のＸ，Ｙ方向のラインスキャンが完了した後、その各測
定点Ｓ1 ・・Ｓ5 ごとに、表面形状データを表示装置１０
に表示する（図４の表示例参照）。
【００２１】そして、表示装置１０に表示されたＸ軸及
びＹ軸の凹凸の値（図４参照）を、あらかじめ設定した
上限値（例えば数１００ｎｍ）と比較検討し、ＣＭＰ処
理の良否を判定する。
びＹ軸の凹凸の値（図４参照）を、あらかじめ設定した
上限値（例えば数１００ｎｍ）と比較検討し、ＣＭＰ処
理の良否を判定する。
【００２２】なお、以上の実施の形態では、１つの測定
点に対しＸ方向とＹ方向のラインスキャンが終了した
後、次の測定点のラインスキャンを実行するという手順
を採っているが、全ての測定点Ｓ1 〜Ｓ5 に対して、先
にＸ方向のラインスキャンのみを実行し、次いで各測定
点Ｓ1 〜Ｓ5 のＹ方向のラインスキャンを実行するとい
った手順を採用してもよい。
点に対しＸ方向とＹ方向のラインスキャンが終了した
後、次の測定点のラインスキャンを実行するという手順
を採っているが、全ての測定点Ｓ1 〜Ｓ5 に対して、先
にＸ方向のラインスキャンのみを実行し、次いで各測定
点Ｓ1 〜Ｓ5 のＹ方向のラインスキャンを実行するとい
った手順を採用してもよい。
【００２３】また、以上の実施の形態において、Ｘまた
はＹ軸のいずれか一方の軸方向に、配線パターンによる
表面凹凸が存在しないことが、デバイスの設計内容等に
よりあらかじめ分かっている場合（例えば図４に示すよ
うな場合）には、表面凹凸が存在する方向（例えばＸ軸
方向）のラインスキャンのみを実行すればよい。
はＹ軸のいずれか一方の軸方向に、配線パターンによる
表面凹凸が存在しないことが、デバイスの設計内容等に
よりあらかじめ分かっている場合（例えば図４に示すよ
うな場合）には、表面凹凸が存在する方向（例えばＸ軸
方向）のラインスキャンのみを実行すればよい。
【００２４】さらに、以上の実施の形態では、Ｘ，Ｙ軸
の各方向に対し１回のラインスキャンを実行する例を示
しているが、各軸に対して所定ピッチで複数回のライン
スキャンを実行して、各測定点を帯状の走査により観察
するという手法を採用してもよく、この場合、試料Ｓの
表面形状をより詳しく測定することが可能になり、評価
の信頼性を高めることも可能になる。
の各方向に対し１回のラインスキャンを実行する例を示
しているが、各軸に対して所定ピッチで複数回のライン
スキャンを実行して、各測定点を帯状の走査により観察
するという手法を採用してもよく、この場合、試料Ｓの
表面形状をより詳しく測定することが可能になり、評価
の信頼性を高めることも可能になる。
【００２５】ここで、以上の実施の形態において、走査
型プローブ顕微鏡のＸＹ粗動ステージ４への試料（ＣＭ
Ｐ処理ウエハ）の搬送・セット・リセット等を自動的に
行うハンドリング装置等をラインに組み込みこんでおけ
ば、ＣＭＰ処理の評価を含めたプロセス全体の自動化を
達成することが可能となる。
型プローブ顕微鏡のＸＹ粗動ステージ４への試料（ＣＭ
Ｐ処理ウエハ）の搬送・セット・リセット等を自動的に
行うハンドリング装置等をラインに組み込みこんでおけ
ば、ＣＭＰ処理の評価を含めたプロセス全体の自動化を
達成することが可能となる。
【００２６】さらに、この場合、探針１ａのラインスキ
ャンによって得られる表面形状データが、あらかじめ設
定した上限値（図４参照）内に入っているか、否かを判
定する機能を制御手段８に持たせておき、その上限値を
超える場合つまりＣＭＰ処理が不良である場合には、そ
の旨を知らせる警報等を発生する、といった構成を採用
すれば、オペレータらが表示装置１０を監視する必要が
なくなり、更なる自動化・省力化をはかることができ
る。
ャンによって得られる表面形状データが、あらかじめ設
定した上限値（図４参照）内に入っているか、否かを判
定する機能を制御手段８に持たせておき、その上限値を
超える場合つまりＣＭＰ処理が不良である場合には、そ
の旨を知らせる警報等を発生する、といった構成を採用
すれば、オペレータらが表示装置１０を監視する必要が
なくなり、更なる自動化・省力化をはかることができ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試料の表面形状を原子レベルの分解能で測定することが
可能な走査型プローブ顕微鏡を用いて、試料表面を線状
走査するといった手法を採用しているので、ＣＭＰ処理
を行ったウエハの表面形状を非破壊でかつ短時間で測定
することができる。その結果、ＣＭＰ処理の良否を、半
導体デバイス製造プロセスにおいてインラインでモニタ
・管理することが可能になる。
試料の表面形状を原子レベルの分解能で測定することが
可能な走査型プローブ顕微鏡を用いて、試料表面を線状
走査するといった手法を採用しているので、ＣＭＰ処理
を行ったウエハの表面形状を非破壊でかつ短時間で測定
することができる。その結果、ＣＭＰ処理の良否を、半
導体デバイス製造プロセスにおいてインラインでモニタ
・管理することが可能になる。
【図１】本発明のＣＭＰ処理の評価方法の実施に用いる
走査型プローブ顕微鏡の構成を示すブロック図
走査型プローブ顕微鏡の構成を示すブロック図
【図２】評価を行う試料（ＣＭＰ処理ウエハ）の例を示
す図
す図
【図３】本発明において実施する評価手順の例を示すフ
ローチャート
ローチャート
【図４】試料Ｓの表面形状データの表示例を示す図
【符号の説明】 １ カンチレバー １ａ 探針 ２ Ｚ軸微動機構 ３ ＸＹ微動機構 ４ ＸＹ粗動ステージ ５ 変位検出器 ６ サーボ機構 ７ Ａ／Ｄ変換部 ８ 制御手段 ９ 記録装置 １０ 表示装置 Ｓ 試料（ＣＭＰ処理ウエハ）
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体製造プロセスにおいてＣＭＰ処理
を行ったウエハを評価する方法であって、 試料とこれに対向配置した探針とを近接させ、その探針
及び試料を相対的に走査することにより、探針と試料表
面との間の相互作用により生じる物理量を検出して試料
表面の形状を原子レベルの分解能で測定する走査型プロ
ーブ顕微鏡を用い、測定対象となるウエハを上記探針下
に配置するとともに、そのウエハの所定位置に探針を位
置合わせした状態で、当該探針を線状に走査してウエハ
の表面形状を測定し、その測定結果からＣＭＰ処理の良
否を判定することを特徴とする、ＣＭＰ処理の評価方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1523197A JPH10214868A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | Ｃｍｐ処理の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1523197A JPH10214868A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | Ｃｍｐ処理の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214868A true JPH10214868A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11883101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1523197A Pending JPH10214868A (ja) | 1997-01-29 | 1997-01-29 | Ｃｍｐ処理の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10214868A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003329563A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-19 | Seiko Instruments Inc | 走査型プローブ顕微鏡 |
| KR100720456B1 (ko) | 2004-12-30 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ａｆｍ 장치의 레이저 광선의 자동 조준 방법 및 그 장치 |
| WO2010147296A1 (ko) * | 2009-06-17 | 2010-12-23 | (주)나노포커스 | 에이에프엠 측정 방법 및 에이에프엠 측정 시스템 |
| US7869966B2 (en) | 2001-09-13 | 2011-01-11 | Hitachi, Ltd. | Inspection method and its apparatus, inspection system |
| CN117705825A (zh) * | 2023-12-13 | 2024-03-15 | 昆明理工大学 | 一种多晶硅原料表面质量的定量检测方法 |
-
1997
- 1997-01-29 JP JP1523197A patent/JPH10214868A/ja active Pending
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