JPH10214880A - 基板支持部材 - Google Patents

基板支持部材

Info

Publication number
JPH10214880A
JPH10214880A JP36548597A JP36548597A JPH10214880A JP H10214880 A JPH10214880 A JP H10214880A JP 36548597 A JP36548597 A JP 36548597A JP 36548597 A JP36548597 A JP 36548597A JP H10214880 A JPH10214880 A JP H10214880A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
substrate support
support member
electrostatic chuck
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP36548597A
Other languages
English (en)
Inventor
Randolph Wayne Dvorsky
ウェイン ドヴォースキー ランドルフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH10214880A publication Critical patent/JPH10214880A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
    • H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/72—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7612—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by lifting arrangements, e.g. lift pins
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の表面上に実質的に均一な加熱を提供す
ることができ、またワイヤ等が支持部材内を通過できる
基板支持部材。 【解決手段】 製造プロセス中に基板に熱を提供する基
板支持部材であって、係る基板支持体は、基板を支持す
るための略平坦な頂表面と、この略平坦頂表面の外側周
囲から下方に延びその間にキャビティを画成する環状の
フランジとを有する堅固な本体であって、プロセス環境
と相容れる材料を備えている本体と、キャビティ内に一
体成形された電気抵抗加熱部材と、電気抵抗加熱部材を
電圧源に結合するための電気伝導性のリード線とを備え
る基板支持部材を与える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体処理に用い
られ、基板へ実質的に均一且つ反復可能な熱伝達するた
めの装置に関する。特に本発明は、処理中に基板の全面
に均一な熱移動を提供するようにデザインされた、基板
を載置する基板支持部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路等の多くの電子部品や電気部品
の製造において、基板上に薄膜を堆積する必要がある。
アルミニウム、チタン、タングステン、タンタル、窒化
タンタル、コバルトやシリカ等の材料を、物理的なスパ
ッタリングプロセス等の物理気相堆積（ＰＶＤ）プロセ
スを用いて、セラミック、ガラス又はシリコン派生基板
上に堆積してもよい。基板への固体材料の堆積のもう一
つの方法は、化学気相堆積（ＣＶＤ）であり、この方法
では、固体材料が気相から基板の上へ化学反応によって
堆積される。そこで用いられる堆積反応は一般に、熱分
解、化学的酸化又は化学的還元である。ＣＶＤプロセス
は、酸化物、窒素化合物及び炭化物をはじめとする化合
物と同様、多くの元素や合金を堆積するために用いるこ
とができる。堆積された薄膜に対して、その後エッチン
グが施され、あるいは、回路及び／又はその他の電気部
品として作製される。
【０００３】物理的なスパッタリング等の代表的なＰＶ
Ｄプロセスでは、アルゴンやヘリウム等のイオン化ガス
の低圧の雰囲気が、真空チャンバ内に導入される。真空
チャンバの中の圧力は約１０‐6〜１０‐1Oトールに減
じられ、その後、例えばアルゴンが導入され、アルゴン
分圧として約０．０００１トール（０．１ミリトール）
〜約０．０２０トール（２０ミリトール）を発生させ
る。２つの電極、カソードとアノードは、真空チャンバ
内でプラズマを生成するためにチャンバ内に配置され
る。カソードは典型的には、堆積材料又はスパッタ材料
製であり、アノードは一般に、閉包（例えば、真空チャ
ンバの特定の壁又は基板が置かれる支持部材）で形成さ
れる。時々、補助アノードが使われてもよく、あるい
は、コーティングされるべき物がアノードの役目を果た
してもよい。典型的に、高い電圧がこれらの２つの電極
の間に印加され、チャンバ内のプラズマを叩き、コーテ
ィングしようとする基板が、カソードの反対側に位置す
るプラットフォームの上にに配置される。
【０００４】処理中に基板が載置されるプラットフォー
ムはしばしば加熱され及び／又は冷却され、そして、熱
はプラットフォームと基板の間を移動し、基板に望まし
い膜コーティングを得ることを援助する。デバイスの幾
何学的関係が縮小するにつれて、コーティングは、均一
性な厚さ、制御された応力及び望ましいモルフォロジー
を具備しつつも、優秀なステップカバレージを提供する
よう、薄膜である必要がある。そのような薄膜コーティ
ングを得るために、摂氏数度の範囲内で基板を均一温度
に維持することが更に望ましい。この温度は、膜を形成
する材料の融点付近でそれ以下であることが好ましい。
与えられたプロセスが実行されるたびに、基板温度が反
復可能であることは、非常に重要である。このように、
プラットフォームと基板の間の熱移動は、均一且つ反復
可能である必要がある。
【０００５】代表的なＣＶＤプロセスでは、基板の堆積
カバレージの均一性を容易にするために、堆積は真空チ
ャンバの中で部分的真空の下で実行される。ＣＶＤチャ
ンバの中の圧力は一般に、約０．０７０トール（プラズ
マ励起ＣＶＤに対し）〜約２００トール（「高圧」ＣＶ
Ｄに対し）にある。反応性のガスがチャンバに送られる
際、これらは、基板表面の上に反応物質ガスの一様な流
れを提供する方法で、圧力差（ＣＶＤチャンバに適用さ
れる真空システムによって発生する）を介して、被コー
ティング基板の表面全体に向けられる。また、堆積工程
は反応物質ガスに接触する表面の温度によって制御され
る。このように、基板表面が望ましい均一な温度で制御
されることは重要である。
【０００６】基板に対する双方向の熱移動の手段とし
て、基板が載置される基板支持部材が一般に用いられ
る。放射、誘導又は抵抗による加熱は、支持プラットフ
ォームを加熱する最も一般に用いられる技術であるが、
熱移動流体を支持プラットフォームの内部に循環させ
て、支持プラットフォームの加熱又は冷却行うこともで
きる。
【０００７】プロセスチャンバ内の圧力が約５トール以
下の場合、基板とプラットフォームの間の対流／伝導に
よる熱移動は非実用レベルになる。基板及びプラットフ
ォームが、直接の伝導により十分に一様な熱移動を可能
にする完全に平らな表面を典型的に有していないため、
プラットフォームと基板の間に熱移動流体を提供して、
支持プラットフォームと基板の間の一様な熱移動の提供
を促進することは有用である。好基板とその支持プラッ
トフォームの間で用いられる熱移動流体の運動（流れ）
を一定にして、熱移動の均一性に対してまた別の向上を
与えることが好ましい。支持プラットフォームと基板の
間で一般に用いられる熱移動流体は、スパッタリング、
ＣＶＤ又はエッチングプロセスで使われるガスの一つで
ある。
【０００８】頻繁に使われる基板支持プラットフォーム
のデザインは、接触面を有するタイプのものであり、こ
れは本質的に平坦な面を有し、この面の様々な位置に間
隔をおいて、開口及び／又は露出したチャンネルを有し
ている。プラットフォームと基板の間の熱を移動するた
めに用いられる流体は、開口の中を流れ、あるいは、こ
の流体は開口を介してにプラットフォームの平らな対面
表面の露出チャンネルに供給される。流体の供給ソース
をプラットフォームに接続する配管を通して、熱移動流
体は、流体の供給ソースからプラットフォームまで提供
されることができる。そのプラットフォーム自体は、プ
ラットフォーム表面の開口や露出チャンネルに流体を向
けるための様々な手段を有してもよい。
【０００９】半導体処理装置の操作においては、処理さ
れるべき基板は、その端に沿って支持プラットフォーム
の基板対面表面に、典型的に機械的に、あるいは、静電
力によりクランプされる。例えば、支持プラットフォー
ムと基板の間の熱移動のために用いられる流体は、典型
的に例えばヘリウム、アルゴン、水素、四弗化炭素又は
六弗化エチレン等のガス又はその他の、低圧で良好な熱
伝導体である適切なガスである。この熱移動流体は、開
口を通して与えられるか、あるいは支持プラットフォー
ムの基板対面表面の露出チャンネルに供給される。
【００１０】ペデスタル等の支持プラットフォーム上へ
の半導体基板の静電的なクランピングは典型的には、静
電チャックを用いて行われる。静電チャックは典型的に
は、少くとも誘電体層と電極とを有し、これは、チャン
バペデスタル上に配置されてもよく、あるいはチャンバ
ペデスタルの一体部品として形成されてもよい。半導体
基板は、誘電体層と接触して置かれ、直流電圧が電極に
与えられ、静電的な引力を発生し、これにより基板をチ
ャックに引き寄せる。静電チャックは、特に真空処理環
境の中で有効であり、その環境とは、低圧チャンバとチ
ャック面の間に確立することができる最大の差圧がチャ
ックの上で基板をしっかり把持するために不十分なとこ
ろであり、あるいは、基板の機械のクランピングが望ま
しくないところである。
【００１１】誘電体層１つと電極１つ程度の単純な静電
チャックを形成してもよいが、静電チャックの材料と構
造は用途に伴い変化し、特に高温又は低温プロセスにお
いて顕著である。代表的な低温静電チャックは、チャン
バペデスタル上に支持され基板を受容し支持する薄いラ
ミネート部材として構成される。ラミネート部材は、電
極コアを有することが好ましく、これは、ポリアミド等
の有機材料の上側誘電体層と下側誘電体層の間にはさま
れる薄い銅部材であることが好ましい。ポリアミド等の
接着剤を、ポリアミド層を電極コアに付けるために用い
てもよい。ラミネート部材の下側誘電体層は直接にチャ
ンバペデスタルの上の表面に、通常ポリアミドのような
接着剤で付けられ、上側誘電体層は基板が受容される平
らな表面を形成する。電極がチャンバ環境へ曝露される
のを防止するため、上側誘電層及び下側誘電層と接着剤
層とは、電極コアの端を越えて延び、その位置で電極コ
アとチャンバ環境の間の誘電体バリヤーを形成するため
に相互に連結している。この電極に高電圧の電位を与え
るため、ラミネート部材の一体的延長部として形成され
るストラップは、ペデスタルの端まで延長し又はこれを
取り囲み、ペデスタルの下側の高電圧のコネクタに接続
する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】特定のＰＶＤプロセス
で使われる低温静電チャックは、誘電体コーティングを
有するアルミニウムシェルでできている。高温静電チャ
ック及び低温静電チャックの双方では、このアルミニウ
ムシェルは典型的には、熱電対、静電チャックへの電気
の導線リードや熱移動ガス供給管路等の装置を取り囲む
だろう。発熱体がシェルに含まれる場合は、ヒータは、
他の装置との相互作用を防止するように構成されなけれ
ばならない。あいにく、必要なヒータの構成は、基板支
持プラットフォーム（そして最終的には基板）の均一な
加熱を提供しない。基板の温度不均一性は、非均一な膜
堆積に至る。
【００１３】従って、基板の表面上に実質的に均一な加
熱を提供することができ、また、装置、センサー、ワイ
ヤ等が、支持部材内を通過できるかこの中に配置できる
ような、基板支持部材の必要性が存在する。ヒータと密
接な熱的の関係を有する一体の静電チャックを基板支持
部材が具備することが望ましい。更に、基板表面の実質
的に均一且つ反復可能な加熱を提供するヒータを有する
ことが望ましい。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、製造プロセス
中に基板に熱を提供する基板支持部材であって、係る基
板支持体は、基板を支持するための略平坦な頂表面と、
この略平坦頂表面の外側周囲から下方に延びその間にキ
ャビティを画成する環状のフランジとを有する堅固な本
体であって、プロセス環境と相容れる材料を備えている
本体と、キャビティ内に一体成形された電気抵抗加熱部
材と、電気抵抗加熱部材を電圧源に結合するための電気
伝導性のリード線とを備える基板支持部材を与える。本
発明は更に、真空プロセス中に基板へ熱を提供するため
の支持体部材であって、この基板支持体は、基板を受容
するように構成された絶縁体が自身の上に配置される電
極を有する静電チャックと、内部に配置された加熱部材
を有し静電チャックの表面に隣接して配置される成形可
能な熱伝導材料と、そして、加熱部材を電圧源に結合す
るための導電体とを備える。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は、熱を発生し、少なくと
も第１の物体に有効且つ均一な熱移動を提供するため
の、電気抵抗部材を有する方法及び装置を提供する。特
に、本発明は、真空処理チャンバ内で基板支持体部材上
に置かれた基板に対し、より均一な加熱を与える静電チ
ャックを提供する。また特に、係る静電チャックは基板
支持体ペデスタルに包含されていてもよく、また、処理
の間基板により均一な熱を提供するため、加熱部材を密
接な接触状態で有していてもよい。
【００１６】本発明の特徴の１つでは、加熱部材は、静
電チャック内に配置され、静電チャックの直接の伝導加
熱を提供する。本発明の好ましい静電チャックは、静電
チャックの内部に密接的に成形された複合体加熱媒体を
包含し、この複合体は静電チャックの大表面積にわたっ
て抵抗加熱される。
【００１７】本発明の特徴の１つでは、複合体加熱媒体
は、特定の抵抗の品質の材料をつくるため、熱伝導材料
中に分散した電導性の粒子又はフラグメントを備える。
加熱媒体は、有効且つ均一な熱移動を提供するように、
個々の部材又はカプセル化成分の間で、キャビティ内側
に成形されていてもよい。本発明は、隣接の部材又はワ
ークピースに熱を提供するための部材内で内容物を加熱
するための管又は容器の周囲に利するために用いられて
もよく、また、被加熱部材が熱を必要とする最良の部材
ないしワークピースであるか否かにかかわらず、被加熱
部材との密接な接触により効率よく且つ均等に熱を提供
することが可能な他のいかなる用途に用いられてもよ
い。
【００１８】本発明は、現在入手可能なヒータにおい
て、基板支持体ペデスタルの下側の部分内に収容された
ヒータと静電チャックとの間に見られる機械的の接続を
排除する。２つの表面の間の機械的接続は、表面の変形
及び欠陥のために完全に合うことが少なく、このため、
２つの表面の間には非能率的且つ非均一な熱伝導しか与
えない。これとは対称的に、本発明の発熱体は、静電チ
ャックの裏側に硬化され、あるいは形成され、実質的に
ボイドのない接触を得る。
【００１９】発明のまた１つの特徴によれば、熱伝導材
料が加熱部材のまわりに形成されて、静電チャックの表
面に隣接して配置される。熱伝導材料は、電気抵抗コイ
ル等加熱部材から静電チャックの熱移動表面への、実質
的にボイドのない熱伝導通路を形成する成形可能な材料
であるべきである。加熱部材が電気抵抗部材である場合
は、この材料はこの部材を保持し固定する必要があり、
同様に、導電性のリード線がそこを通過できるようにす
べきである。静電チャックから基板までの熱移動のため
に裏側ガスを用いる場合は、この材料を成形することに
より、熱伝導材料を通って静電チャックの上面に至る通
路を形成することができる。本発明のこの特徴は、効率
的に且つ均等に加熱部材から隣接の部材へ熱を伝導する
利点を提供する。
【００２０】発明のまた１つの特徴によれば、熱導電材
料は、静電チャック内のキャビティを充填し、また、熱
伝導材料は、電圧を印加した場合に静電チャックを抵抗
加熱するに十分な抵抗率を有する。ここでも熱伝導性で
電気抵抗性の材料が静電チャックの特定の流路又は部材
のまわりに形成されているが、直接に印加された電圧源
によってこの抵抗性材料が加熱されるため、この材料は
別個の加熱コイルの必要性を除去する。発明のこの特徴
は、静電チャックの表面に直接隣接するところ及び静電
チャック内のあらゆる通路又は部材に隣接するところに
熱を発生して、静電チャックの領域全体にわたって実質
的に均一な加熱を提供するという利点を有する。加熱媒
体にダメージを与えず、あるいは、非均一な加熱を引き
起こすことなく、加熱媒体内に複数の通路を形成するこ
とができる。
【００２１】本発明は、導体、半導体や誘電体膜を基板
上に堆積するための、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ
や化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ等の半導体製造用の
あらゆるタイプの真空堆積チャンバに有用である。更
に、本発明は、あらゆる種類ないしスタイルの静電チャ
ックや、真空チャックを含むあらゆる基板支持ペデスタ
ルの熱移動表面に用いれば利益がある点に留意する必要
がある。メタル膜を半導体基板上に堆積するための従来
のＰＶＤチャンバ内のペデスタル装着静電チャックの内
部の好ましい実施態様について、本発明を以下に説明す
る。本発明は、シングルチャンバシステムであっても統
合型マルチチャンバシステム又はクラスタツールであっ
ても、同等の利点を実現することができることが、認識
されるべきである。本発明の特徴を説明する前に、好ま
しいクラスタツールの構成部分、従来のＰＶＤチャンバ
及びそこで行われるる製造プロセスについて説明する。
【００２２】（統合型処理システム）まず図１を参照す
れば、マルチチャンバ集積回路処理システム（ないしク
ラスタツール）１０の上面図が示され、これは、その内
部に本発明の基板支持体部材２０が配置される複数のチ
ャンバを有している。典型的に、基板２３は、クラスタ
ツールからカセットロードロック１６を介して出し入れ
される。ブレード１１を有するロボット１８は、クラス
タツール１０内に配置され、クラスタツールを通して基
板２３を移動させる。一方のロボット１８は、典型的に
はバッファチャンバ２２内に配置され、典型的には約１
０‐3〜約１０‐7トールの圧力で動作し、チャンバクラ
スタ又はチャンバ群（例えば、カセットロードロック１
６、デガスウエハオリエンテーションチャンバ１７、プ
レクリーンチャンバ１９、ＰＶＤＴｉＮ ＡＲＣチャン
バ２１及びクールダウンチャンバ２３）の間で基板を移
送する。第２のロボット１５は移送チャンバ２４内に配
置され、基板２３を第２のチャンバクラスタ又はチャン
バ群（例えば、クールダウンチャンバ２３、コヒ―レン
トＴｉチャンバ２６、ＣＶＤ ＴｉＮチャンバ２７、Ｃ
ＶＤ Ａｌチャンバ２８やＰＶＤ ＡｌＣｕ処理チャンバ
２９）へ移送する統合型システム１０の移送チャンバ２
４は、約１０‐7〜約１０‐8トールの真空圧力に維持さ
れることが好ましい。図１のチャンバのクラスタないし
グループは、シングルクラスタツール内でＣＶＤとＰＶ
Ｄプロセスの両方ができる統合型処理システムを備え
る。このチャンバの特定の構成及び組合わせは単に例示
にすぎず、これが本発明の用途を制限していると把握す
べきでない。
【００２３】典型的なクラスタツールは、Tepmanらの米
国特許第５，１８６，７１８号、１９９３年２月１６日
出願、標題"Staged-Vacuum Wafer Processing System a
nd Method"に開示される。
【００２４】（従来の処理チャンバ部品）図２を参照す
れば、処理チャンバ１２の簡略断面図は、本発明の静電
チャックを包含していることを示している。チャンバ１
２は概略的には、排気ポンプ（図示せず）に接続した少
なくとも１つのガス流入口３２と排気口３３を有するチ
ャンバ閉包壁３０を有している。基板支持ペデスタル２
０は、チャンバ１０の下側の端に配置され、処理の間そ
の上に基板を支える。ターゲット３５は、チャンバ１０
の上の端に受容され、基板の上に堆積されるべき堆積材
料を提供する。ターゲット３５は、閉包壁３０から電気
的に絶縁される。チャンバの範囲内でプラズマに衝突し
これを維持するため、閉包壁３０を接地し、この接地さ
れた閉包壁３０に関してマイナスの電圧をターゲット３
５の上に維持することが好ましい。
【００２５】基板２３をチャンバ１０に受容する準備と
して、基板支持ペデスタル２０を駆動機構４２によって
下げ、垂直にスライド可能なピン３４を有しているウエ
ハピン位置決めプラットフォーム３６の近くにペデスタ
ル２０の底部がくるようにする。ペデスタル２０は、３
つの垂直穴（図示せず）を有し、その中を垂直スライド
ピン３４が延びる。ペデスタル２０がここに説明した降
下位置にあるときは、各ピン３４の上チップはペデスタ
ル２０の上面より上に突き出る。ピンの上チップは、ペ
デスタル２０の上面に平行な平面を画成し、ペデスタル
２０上に置かれる基板をその上に受容する。
【００２６】ロボットアーム１９（図１で示される）
は、基板２３をチャンバ１２に運び込み、ピン３４の上
チップの上方に基板を配置させる。リフト機構４３は、
ピンプラットフォーム３６を上方へ移動させ、ピン３４
の上チップを基板２３の下側に対して配置させ、更に基
板を上昇させてロボットブレード１９から離す。次い
で、ロボットブレードはチャンバ１２から引込められ、
リフト機構４２がペデスタル２０を上昇させて、ペデス
タルの上面が基板の下側と接触し、そして、ターゲット
からの最適距離が実現されるまで、更にこれを上昇させ
る。
【００２７】この時点で、膜堆積プロセスを開始するこ
とが可能となる。図２に示された典型的なＰＶＤチャン
バ１２の場合、ＰＶＤプロセスガス（典型的にアルゴ
ン）がガス流入口３２を通してチャンバに供給され、Ｄ
Ｃ電源３８がマイナスの電圧をＰＶＤターゲット３５に
印加する。この電圧はアルゴンガスをプラズマ状態に励
起し、アルゴンイオンは負のバイアスが与えられたター
ゲット３５に衝突し、スパッタ材料をターゲットから放
出させる。そして、スパッタ材料は基板２３上に堆積さ
れる。膜層を基板２３上に堆積した後、基板は、それが
チャンバ１２からチャンバ１０内に運び込まれたステッ
プの順序を逆にすることによって、取り出される。
【００２８】（支持部材の新規な特徴）ここで図３を参
照すれば、基板支持ペデスタル２０の頂部に装着される
かこの頂部を形成する静電チャック１４を支持部材５０
が有していることが示される。静電チャック１４は、静
電チャック１４の上面に形成され、基板と協働して静電
チャックと基板との間に熱移動ガス又はマスキングガス
の制御された流路を実現する、チャンネル５２を有して
いてもよい。ガスは、静電チャック１４と支持ペデスタ
ル２０を通して延びている供給通路５４を介して、チャ
ンネル５２に供給される。
【００２９】静電チャック１４は、誘電材料でコーティ
ングされた電極を備える本体５６を有している。導電性
のワイヤ５８が、電極を電圧源に点６０で結合させる。
熱伝導材料６２は、本体５６によって画成された静電チ
ャックの底部のキャビティ内に成形される。熱伝導材料
６２は、静電チャック及び基板への有効な熱移動のため
に動作温度において十分な熱伝導係数を有するあらゆる
成形材料であってよい。支持部材２０は、周縁のみで本
体５６を支持する中空の部材であってもよい点に注意す
べきである。
【００３０】熱伝導材料が複合体発熱要素を形成するよ
うにする場合、好ましい材料は、炭素繊維、メタルセー
ビング等の材料等の導電性のフラグメントを、組成中の
隣接し合うフラグメントが相互に接触して抵抗加熱が提
供されるような十分な量で有している。フラグメント
は、望ましい形状やキャビティの画成に成形可能又は硬
化可能な導電性（好ましくは熱伝導性）のバインダ材料
に結合されてもよい。複合体発熱体６２が熱を発生する
ために、複合体６２内に埋め込まれたリード線を有する
導電ワイヤ６４が具備されて、複合体６２を通して電気
が流れる電気回路が完成する。電気的接続や、ターミナ
ル、センサー、冷却マニホルドやチューブ等の、あらゆ
るタイプの部材又は部品が、複合体の表面内又は表面上
に延びてもよい。具体的には、熱電対又はその他の温度
測定器６６が複合体６２の表面内上又は表面上に配置さ
れて、複合体の温度をモニターしてもよい。
【００３１】ワイヤ６４等の導電性ワイヤの各々と、通
路５４等のその他の部材は、支持部材２０を介して通路
５４と連通し、チャンバ１２から外に出る（図２参
照）。このように、電圧源、ガス等を、チャンバ１２の
外側の配置させることができる。
【００３２】ここで図４を参照すれば、図３の静電チャ
ック１４の下面図は、本体５６内に成形された複合体発
熱体６２を有していることを示している。導電性のワイ
ヤ６０及び６４を成形して複合体６２として、発熱体を
備える複合体６２及び静電チャックの電極に電圧源を結
合する。通路５４は、静電チャック１４を介した熱移動
ガスの通路のために、静電チャックの上面に形成され
る。ターミナルはどんな数でも、チャック表面上に最良
の温度均一性を提供するために戦略上配置することがで
きる。
【００３３】図５を参照すれば、分離している加熱コイ
ル６５を成形可能な熱伝導材料６２の中に配置されて有
する静電チャック８０の第２の具体例の下面図が示され
る。コイルを加熱するのに十分なエネルギーを提供する
ために、電線６４により、電圧源が電気抵抗の加熱コイ
ル６５の端に接続される。コイル６５は、静電チャック
の領域をカバーするあらゆる形状であってもよいが、形
状の選択によっては、ワイヤ６０、６４及び通路５４の
配置が可能となる場合を制限する。必要ならば、付加的
な加熱能力を提供するために第２のコイルを用いてもよ
い。
【００３４】図６を参照すれば、半径方向チャンネル７
０を熱移動ガスの流路のために本体５６の表面の上に有
する、好ましい静電チャックの平面図が示される。チャ
ンネル７０は、従来技術で有用であると知られているあ
らゆる形状であってもよい。
【００３５】前述の如く、随意電気抵抗性を有する熱伝
導性の材料を利用して、隣接の部材と密接に接触する加
熱部材を提供し、この加熱部材を通して有効且つ均一な
熱移動を促進してもよい。均一な加熱が有益な多くの用
途において、本発明は有用である。本発明が主に静電チ
ャックの状況の中で論議される一方、本発明は、真空処
理チャンバと関連装置を通して付加的用途を見出すこと
ができる。特に、基板の底部表面に真空を供給して、基
板支持ペデスタルにこれらを固定する真空チャックに使
用する場合に、本発明は同等によく適している。平坦な
ペデスタルを本発明に用いて、均一な熱分布を実現して
もよい。また、背面ガスが使用できるようにするため適
所にウエハを保持する重量クランプ機構を用いてウエハ
を把持することは可能である。
【００３６】ここまで述べた事項は本発明の好ましい具
体例に関するが、本発明の他の更なる具体例は本発明の
基本的な範囲から離れることなく工夫されてもよい。本
発明は、特許請求の範囲に基づいて画定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の支持部材を利するように用いることが
できるマルチチャンバ集積回路処理システム１０の上面
図である。
【図２】本発明の支持部材が配置される典型的なＰＶＤ
処理チャンバの部分的な断面図である。
【図３】本発明の支持部材と裏面ガスや導電ワイヤ等の
ための通路やチャンネルを有する電気抵抗コアと、電極
とを有する本発明の支持部材の横断面図である。
【図４】直接に静電チャックの電極の真下で本体内に成
形される複合体加熱媒体を有する本発明の支持部材の第
１の具体例の下面図である。
【図５】成形可能な熱伝導材料の中に配置される分離し
た加熱コイルを有する本発明の支持部材の第２の具体例
の下面図である。
【図６】半径方向チャンネルが熱移動流体の通路のため
に形成された本発明の支持部材の平面図である。
【符号の説明】
１０…処理システム、１６…ロードロック、１８…ロボ
ット、２０…基板支持部材、２２…バッファチャンバ、
２３…冷却チャンバ、２４…移送チャンバ。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板を加熱する基板支持部材であって、 ａ）下面と、基板を支持するための上面とを有し、真空
    処理環境に適応する複合材料を備える、堅固な本体と、 ｂ）本発明の下面に隣接して配置される電気抵抗加熱部
    材と、 ｃ）電気抵抗加熱部材を電圧源に結合するための導電リ
    ード線とを備える基板支持部材。
  2. 【請求項２】 更に、 ｄ）堅固な本体に固定される熱電対を備える請求項１に
    記載の基板支持部材。
  3. 【請求項３】 熱電対が加熱部材の中に成形される請求
    項２に記載の基板支持部材。
  4. 【請求項４】 加熱部材が硬化型材料内に閉じ込められ
    た抵抗加熱コイルを備える請求項１に記載の基板支持部
    材。
  5. 【請求項５】 加熱部材が、基板支持部材を約６００℃
    までの温度に加熱するに十分な抵抗率を有する複合体材
    料を備える請求項１に記載の基板支持部材。
  6. 【請求項６】 複合材料が、基板支持部材の温度を設定
    値温度から約２℃の範囲内で制御するに十分均一な抵抗
    率を有する請求項１に記載の基板支持部材。
  7. 【請求項７】 電圧源が約１０ボルト〜約１００ボルト
    の交流を与えるように制御可能である請求項６に記載の
    基板支持部材。
  8. 【請求項８】 複合材料が、硬化型材料の中に導電性の
    フィラメントを備える請求項６に記載の基板支持部材。
  9. 【請求項９】 複合材料が熱電対の周りに形成される請
    求項６に記載の基板支持部材。
  10. 【請求項１０】 複合材料が、背面ガスを複合材料から
    基板へと与えるための通路の周りに形成される請求項６
    に記載の基板支持部材。
  11. 【請求項１１】 背面ガスが、基板支持部材と基板の間
    の界面で静電チャックに与えられる請求項１０に記載の
    基板支持部材。
  12. 【請求項１２】 基板を加熱する基板支持部材であっ
    て、 ａ）電極と、自身の上に置かれた基板を受容するように
    構成された、電極上に配置される電気絶縁体と、凹形の
    底部とを有する静電チャックと、 ｂ）凹形の部分に配置された抵抗加熱加熱コイルと、 ｃ）静電チャックの凹形部分に密接に接触して加熱コイ
    ルの周りに形成された成形可能な熱伝導材料と、 ｄ）電気抵抗加熱部材を電圧源に結合するための導電性
    リード線とを備える基板支持部材。
  13. 【請求項１３】 熱移動ガスを静電チャックの面に与え
    るための、熱伝導材料と静電チャックとを通る通路を更
    に備える請求項１２に記載の基板支持部材。
  14. 【請求項１４】 更に、 ｅ）堅固な本体に固定された熱電対を備える請求項１３
    に記載の基板支持部材。
  15. 【請求項１５】 熱電対が堅固な本体の中に成形される
    請求項１４に記載の基板支持部材。
  16. 【請求項１６】 電極が、熱伝導材料の中を通過する導
    電性のリード線を有する請求項１３に記載の基板支持部
    材。
JP36548597A 1996-12-02 1997-12-02 基板支持部材 Withdrawn JPH10214880A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/759,795 US5886864A (en) 1996-12-02 1996-12-02 Substrate support member for uniform heating of a substrate
US08/759795 1996-12-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10214880A true JPH10214880A (ja) 1998-08-11

Family

ID=25056986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36548597A Withdrawn JPH10214880A (ja) 1996-12-02 1997-12-02 基板支持部材

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5886864A (ja)
EP (1) EP0845802A2 (ja)
JP (1) JPH10214880A (ja)
KR (1) KR19980063671A (ja)
SG (1) SG54605A1 (ja)
TW (1) TW439170B (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011152620A3 (ko) * 2010-05-31 2012-04-19 주식회사 코미코 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2020510315A (ja) * 2017-03-10 2020-04-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高圧ウエハ処理システム及び関連方法
US11018032B2 (en) 2017-08-18 2021-05-25 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11110383B2 (en) 2018-08-06 2021-09-07 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
US11177128B2 (en) 2017-09-12 2021-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for manufacturing semiconductor structures using protective barrier layer
US11227797B2 (en) 2018-11-16 2022-01-18 Applied Materials, Inc. Film deposition using enhanced diffusion process
US11361978B2 (en) 2018-07-25 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US11462417B2 (en) 2017-08-18 2022-10-04 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11527421B2 (en) 2017-11-11 2022-12-13 Micromaterials, LLC Gas delivery system for high pressure processing chamber
US11581183B2 (en) 2018-05-08 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
US11610773B2 (en) 2017-11-17 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Condenser system for high pressure processing system
US11705337B2 (en) 2017-05-25 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
US11749555B2 (en) 2018-12-07 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11881411B2 (en) 2018-03-09 2024-01-23 Applied Materials, Inc. High pressure annealing process for metal containing materials
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2075135C1 (ru) * 1995-01-13 1997-03-10 Акционерное общество Научно-производственная фирма "А3" Установка для плазмоструйной обработки пластин
JP3304807B2 (ja) * 1997-03-13 2002-07-22 三菱電機株式会社 銅薄膜の成膜方法
US6096135A (en) * 1998-07-21 2000-08-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing contamination of a substrate in a substrate processing system
JP3320387B2 (ja) * 1998-09-07 2002-09-03 キヤノン株式会社 電子源の製造装置及び製造方法
US6140616A (en) * 1998-09-25 2000-10-31 Aehr Test Systems Wafer level burn-in and test thermal chuck and method
US6490146B2 (en) 1999-05-07 2002-12-03 Applied Materials Inc. Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method
US6310755B1 (en) 1999-05-07 2001-10-30 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having gas cavity and method
US6462928B1 (en) 1999-05-07 2002-10-08 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved electrical connector and method
US6248642B1 (en) 1999-06-24 2001-06-19 Ibis Technology Corporation SIMOX using controlled water vapor for oxygen implants
US6178660B1 (en) * 1999-08-03 2001-01-30 International Business Machines Corporation Pass-through semiconductor wafer processing tool and process for gas treating a moving semiconductor wafer
US6423975B1 (en) 1999-08-18 2002-07-23 Ibis Technology, Inc. Wafer holder for simox processing
US6155436A (en) * 1999-08-18 2000-12-05 Ibis Technology Corporation Arc inhibiting wafer holder assembly
US6433342B1 (en) 1999-08-18 2002-08-13 Ibis Technology Corporation Coated wafer holding pin
US6452195B1 (en) 1999-08-18 2002-09-17 Ibis Technology Corporation Wafer holding pin
US6740853B1 (en) 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
JP4505169B2 (ja) * 1999-09-29 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 多重領域抵抗ヒータ
JP3492325B2 (ja) * 2000-03-06 2004-02-03 キヤノン株式会社 画像表示装置の製造方法
US6935466B2 (en) * 2001-03-01 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Lift pin alignment and operation methods and apparatus
JP2005504885A (ja) * 2001-07-25 2005-02-17 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 新規なスパッタ堆積方法を使用したバリア形成
US20030029715A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US20080268635A1 (en) * 2001-07-25 2008-10-30 Sang-Ho Yu Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in copper contact applications
US9051641B2 (en) * 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20090004850A1 (en) * 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US8110489B2 (en) * 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US6538872B1 (en) 2001-11-05 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having heater and method
US7697260B2 (en) * 2004-03-31 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck
DE102004047767B3 (de) * 2004-09-30 2006-08-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Silizierung von Siliziumgrenzflächen mit PVD-Anlagen
US8226769B2 (en) 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
US9275887B2 (en) 2006-07-20 2016-03-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing with rapid temperature gradient control
US7589950B2 (en) * 2006-10-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
US20110076420A1 (en) * 2008-01-30 2011-03-31 Applied Materials, Inc. High efficiency low energy microwave ion/electron source
US7993733B2 (en) 2008-02-20 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Index modified coating on polymer substrate
US20090238998A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Applied Materials, Inc. Coaxial microwave assisted deposition and etch systems
US8349156B2 (en) * 2008-05-14 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Microwave-assisted rotatable PVD
US20100078320A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Microwave plasma containment shield shaping
US20100078315A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Microstrip antenna assisted ipvd
TW201129713A (en) * 2009-07-09 2011-09-01 Applied Materials Inc Curved microwave plasma line source for coating of three-dimensional substrates
US10388493B2 (en) * 2011-09-16 2019-08-20 Lam Research Corporation Component of a substrate support assembly producing localized magnetic fields
US9538583B2 (en) 2013-01-16 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Substrate support with switchable multizone heater
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
BR112016011045B1 (pt) * 2013-12-30 2021-05-18 Halliburton Energy Services, Inc método para fabricar um elemento computacional integrado e sistema para fabricar um elemento computacional integrado
JP6219229B2 (ja) * 2014-05-19 2017-10-25 東京エレクトロン株式会社 ヒータ給電機構
KR102519544B1 (ko) 2017-12-07 2023-04-07 삼성전자주식회사 웨이퍼 로딩 장치 및 막 형성 장치
JP6952633B2 (ja) * 2018-03-23 2021-10-20 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置及びこれを用いた基板処理装置
DE102018009630A1 (de) * 2018-12-11 2020-06-18 Vat Holding Ag Stifthubvorrichtung mit Temperatursensor

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3694627A (en) * 1970-12-23 1972-09-26 Whirlpool Co Heating element & method of making
US5039845A (en) * 1986-03-24 1991-08-13 Ensci, Inc. Resistance heating element and methods for resistance heating
US4962441A (en) * 1989-04-10 1990-10-09 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic wafer blade clamp
EP0423327B1 (en) * 1989-05-08 1994-03-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Apparatus and method for treating flat substrates under reduced pressure
US5078851A (en) * 1989-07-26 1992-01-07 Kouji Nishihata Low-temperature plasma processor
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5252809A (en) * 1991-02-26 1993-10-12 Lapin-Demin Gmbh Panel heating element and process for its production
EP1120817B8 (en) * 1991-03-26 2007-10-10 Ngk Insulators, Ltd. Use of a corrosion-resistant member
US5315473A (en) * 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method
KR100238626B1 (ko) * 1992-07-28 2000-02-01 히가시 데쓰로 플라즈마 처리장치
US5436790A (en) * 1993-01-15 1995-07-25 Eaton Corporation Wafer sensing and clamping monitor
US5366002A (en) * 1993-05-05 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Apparatus and method to ensure heat transfer to and from an entire substrate during semiconductor processing
US5511799A (en) * 1993-06-07 1996-04-30 Applied Materials, Inc. Sealing device useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
US5591269A (en) * 1993-06-24 1997-01-07 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US5581874A (en) * 1994-03-28 1996-12-10 Tokyo Electron Limited Method of forming a bonding portion

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011152620A3 (ko) * 2010-05-31 2012-04-19 주식회사 코미코 정전척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2020510315A (ja) * 2017-03-10 2020-04-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高圧ウエハ処理システム及び関連方法
US12198951B2 (en) 2017-03-10 2025-01-14 Applied Materials, Inc. High pressure wafer processing systems and related methods
US12593627B2 (en) 2017-05-25 2026-03-31 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
US11705337B2 (en) 2017-05-25 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Tungsten defluorination by high pressure treatment
US11018032B2 (en) 2017-08-18 2021-05-25 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11462417B2 (en) 2017-08-18 2022-10-04 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11469113B2 (en) 2017-08-18 2022-10-11 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11694912B2 (en) 2017-08-18 2023-07-04 Applied Materials, Inc. High pressure and high temperature anneal chamber
US11177128B2 (en) 2017-09-12 2021-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for manufacturing semiconductor structures using protective barrier layer
US11527421B2 (en) 2017-11-11 2022-12-13 Micromaterials, LLC Gas delivery system for high pressure processing chamber
US11756803B2 (en) 2017-11-11 2023-09-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery system for high pressure processing chamber
US11610773B2 (en) 2017-11-17 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Condenser system for high pressure processing system
US11881411B2 (en) 2018-03-09 2024-01-23 Applied Materials, Inc. High pressure annealing process for metal containing materials
US11581183B2 (en) 2018-05-08 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Methods of forming amorphous carbon hard mask layers and hard mask layers formed therefrom
US11361978B2 (en) 2018-07-25 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Gas delivery module
US11110383B2 (en) 2018-08-06 2021-09-07 Applied Materials, Inc. Gas abatement apparatus
US11227797B2 (en) 2018-11-16 2022-01-18 Applied Materials, Inc. Film deposition using enhanced diffusion process
US11749555B2 (en) 2018-12-07 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system
US11901222B2 (en) 2020-02-17 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Multi-step process for flowable gap-fill film

Also Published As

Publication number Publication date
SG54605A1 (en) 1998-11-16
EP0845802A2 (en) 1998-06-03
KR19980063671A (ko) 1998-10-07
TW439170B (en) 2001-06-07
US5886864A (en) 1999-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5886864A (en) Substrate support member for uniform heating of a substrate
EP0628989B1 (en) Sealing device and method useful in semiconductor processing apparatus for bridging materials having a thermal expansion differential
US5730803A (en) Apparatus and method for transferring heat from a hot electrostatic chuck to an underlying cold body
KR101892911B1 (ko) 정전 척 및 정전 척의 사용 방법들
JP4067858B2 (ja) Ａｌｄ成膜装置およびａｌｄ成膜方法
TWI415213B (zh) 高溫靜電夾盤及其使用方法
US6853533B2 (en) Full area temperature controlled electrostatic chuck and method of fabricating same
US6503368B1 (en) Substrate support having bonded sections and method
US8007591B2 (en) Substrate holder having a fluid gap and method of fabricating the substrate holder
CN101335227B (zh) 聚合物陶瓷e-吸盘
JP3881908B2 (ja) プラズマ処理装置
US20030047283A1 (en) Apparatus for supporting a substrate and method of fabricating same
US11410869B1 (en) Electrostatic chuck with differentiated ceramics
JP4505169B2 (ja) 多重領域抵抗ヒータ
KR20010051530A (ko) 반도체 프로세싱 시스템 내의 온도를 제어하기 위한 장치
JP2001160479A (ja) セラミックスヒーターおよびそれを用いた基板処理装置
JP3446772B2 (ja) 載置台および減圧処理装置
JPH0945756A (ja) 半導体製造装置および製造方法
JP2793499B2 (ja) 被保持体の保持構造
KR20230086719A (ko) 반도체 기판 지지 전력 송신 컴포넌트들
WO2024035589A1 (en) Vacuum seal for electrostatic chuck
JPH03295231A (ja) 表面処理装置
JP2694668C (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20050301