JPH10214954A - 放射撮像装置 - Google Patents
放射撮像装置Info
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- JPH10214954A JPH10214954A JP9287500A JP28750097A JPH10214954A JP H10214954 A JPH10214954 A JP H10214954A JP 9287500 A JP9287500 A JP 9287500A JP 28750097 A JP28750097 A JP 28750097A JP H10214954 A JPH10214954 A JP H10214954A
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- JP
- Japan
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- photodiode
- common electrode
- photodiodes
- adjacent
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8057—Optical shielding
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数のフォトダイオード・アイランドの上に
位置する共通電極を含んでいる放射撮像装置において、
フォトダイオードの漏洩を低減し、共通電極とその下の
導電層との間の短絡部の数を低減し、層内での湿気の伝
搬に対して保護を行う。 【解決手段】 隣り合うフォトダイオード（１２、１１
２、２１２、３１２、４１２）の間に配置されていると
共に、該隣り合うフォトダイオードの少なくとも一部分
の上に配置されているフォトダイオード不動態化層（２
２）、および前記フォトダイオード不動態化層の上に配
置されていて、前記隣り合うフォトダイオードの間に延
在する前記共通電極の部分の下に位置している複数のポ
リマーブリッジ部材（２４）を有する。
位置する共通電極を含んでいる放射撮像装置において、
フォトダイオードの漏洩を低減し、共通電極とその下の
導電層との間の短絡部の数を低減し、層内での湿気の伝
搬に対して保護を行う。 【解決手段】 隣り合うフォトダイオード（１２、１１
２、２１２、３１２、４１２）の間に配置されていると
共に、該隣り合うフォトダイオードの少なくとも一部分
の上に配置されているフォトダイオード不動態化層（２
２）、および前記フォトダイオード不動態化層の上に配
置されていて、前記隣り合うフォトダイオードの間に延
在する前記共通電極の部分の下に位置している複数のポ
リマーブリッジ部材（２４）を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に複数の光検
出素子を有する放射撮像装置（ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｉ
ｍａｇｅｒ）に関するものであり、更に詳しくは頂部の
共通電極コンタクト層とそれぞれの光検出素子アイラン
ドとの間に２つの不動態化層を設けた放射撮像装置に関
するものである。
出素子を有する放射撮像装置（ｒａｄｉａｔｉｏｎ ｉ
ｍａｇｅｒ）に関するものであり、更に詳しくは頂部の
共通電極コンタクト層とそれぞれの光検出素子アイラン
ドとの間に２つの不動態化層を設けた放射撮像装置に関
するものである。
【０００２】
【発明の背景】入射する放射エネルギを電気信号に変換
する光検出素子アレイは、Ｘ線撮像装置およびファクシ
ミリ装置のような撮像用途に通常使用されている。非晶
質シリコン（ａ−Ｓｉ）の有利な特性および製造が比較
的容易なことにより、光検出素子の製造には水素化非晶
質シリコンおよび非晶質シリコン合金が通常使用されて
いる。特に、フォトダイオードのような光検出素子は、
比較的大きな面積のアレイにおいて、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）のような必要な制御またはスイッチング素子
と共に形成することが出来る。
する光検出素子アレイは、Ｘ線撮像装置およびファクシ
ミリ装置のような撮像用途に通常使用されている。非晶
質シリコン（ａ−Ｓｉ）の有利な特性および製造が比較
的容易なことにより、光検出素子の製造には水素化非晶
質シリコンおよび非晶質シリコン合金が通常使用されて
いる。特に、フォトダイオードのような光検出素子は、
比較的大きな面積のアレイにおいて、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）のような必要な制御またはスイッチング素子
と共に形成することが出来る。
【０００３】フォトダイオードは、典型的には、非晶質
シリコンのような光検出材料のアイランドまたは本体を
含み、フォトダイオード本体の対向する面には２つの電
極が電気結合されている。入射する放射エネルギが非晶
質シリコンに吸収されたとき、正孔と電子が発生され、
これらは電極によって設定された電界に応じてフォトダ
イオードの上面または下面へ向かって移動する。電極に
収集される電荷の量は、入射する光のエネルギ束の関数
である。入射する放射エネルギに応答して発生された電
気信号を処理するために、フォトダイオードに収集され
た電荷の周期的な測定と、既知の電荷状態へフォトダイ
オードのリセットが使用されている。
シリコンのような光検出材料のアイランドまたは本体を
含み、フォトダイオード本体の対向する面には２つの電
極が電気結合されている。入射する放射エネルギが非晶
質シリコンに吸収されたとき、正孔と電子が発生され、
これらは電極によって設定された電界に応じてフォトダ
イオードの上面または下面へ向かって移動する。電極に
収集される電荷の量は、入射する光のエネルギ束の関数
である。入射する放射エネルギに応答して発生された電
気信号を処理するために、フォトダイオードに収集され
た電荷の周期的な測定と、既知の電荷状態へフォトダイ
オードのリセットが使用されている。
【０００４】電荷の漏洩はフォトダイオードの性能にお
いて重要な因子である。サンプリング・サイクル中にお
ける電荷の損失はフォトダイオードの感度を低下させ、
直線性を劣化させ、また雑音を増加させる。電荷漏洩の
重大な２つの成分は面積漏洩と側壁漏洩である。特に側
壁の面積がフォトダイオード全体の面積に対して比較的
大きい小形のフォトダイオードでは、側壁漏洩が漏洩の
主な源を構成する。湿気に対する露出による劣化がある
と、殆ど全ての大きさのフォトダイオードにおいて側壁
漏洩が重大な漏洩源となる。従って、電荷漏洩を制限す
るために不動態化層でフォトダイオード本体を覆うこと
が望ましい。例えば、米国特許第５，２３３，１８１号
には、電荷漏洩の問題が詳細に検討されて、障壁を使用
することが記載されている。障壁は、電気層が光検出素
子アイランドと接触する場所を除いて、光検出素子の上
面を覆う無機材料の防湿層およびその上のポリイミド層
で構成されている。ポリイミドを利用しない他の従来の
撮像装置はしばしば、共通電極とその下の導電層との間
にピンホールおよび短絡部がある点で完全さが劣ってい
る。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や金属などの共通電極
は普通、撮像装置の上に延在する複数の線や条体の形に
パターン形成されている。フォトダイオード相互間およ
びフォトダイオードの一部の上にポリマー層を設ける
と、共通電極とその下の導電層との間のピンホールおよ
び短絡部に関してアレイの完全さが改善されることが判
明したが、漏洩のあるフォトダイオードの問題が共通電
極の上に配置される障壁層中の避けられない欠陥によっ
て生じる。これらの欠陥のために湿気がポリイミドに浸
入して、隣接または近隣のフォトダイオードへ広がり、
しばしば欠陥のある区域で側壁漏洩に悪影響を及ぼす。
いて重要な因子である。サンプリング・サイクル中にお
ける電荷の損失はフォトダイオードの感度を低下させ、
直線性を劣化させ、また雑音を増加させる。電荷漏洩の
重大な２つの成分は面積漏洩と側壁漏洩である。特に側
壁の面積がフォトダイオード全体の面積に対して比較的
大きい小形のフォトダイオードでは、側壁漏洩が漏洩の
主な源を構成する。湿気に対する露出による劣化がある
と、殆ど全ての大きさのフォトダイオードにおいて側壁
漏洩が重大な漏洩源となる。従って、電荷漏洩を制限す
るために不動態化層でフォトダイオード本体を覆うこと
が望ましい。例えば、米国特許第５，２３３，１８１号
には、電荷漏洩の問題が詳細に検討されて、障壁を使用
することが記載されている。障壁は、電気層が光検出素
子アイランドと接触する場所を除いて、光検出素子の上
面を覆う無機材料の防湿層およびその上のポリイミド層
で構成されている。ポリイミドを利用しない他の従来の
撮像装置はしばしば、共通電極とその下の導電層との間
にピンホールおよび短絡部がある点で完全さが劣ってい
る。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や金属などの共通電極
は普通、撮像装置の上に延在する複数の線や条体の形に
パターン形成されている。フォトダイオード相互間およ
びフォトダイオードの一部の上にポリマー層を設ける
と、共通電極とその下の導電層との間のピンホールおよ
び短絡部に関してアレイの完全さが改善されることが判
明したが、漏洩のあるフォトダイオードの問題が共通電
極の上に配置される障壁層中の避けられない欠陥によっ
て生じる。これらの欠陥のために湿気がポリイミドに浸
入して、隣接または近隣のフォトダイオードへ広がり、
しばしば欠陥のある区域で側壁漏洩に悪影響を及ぼす。
【０００５】従って、放射撮像装置が、フォトダイオー
ドの漏洩を低減し、共通電極とその下の導電層との間の
短絡部の数を低減し、層内での湿気の伝搬に対して保護
を行うフォトダイオード誘電体層を有することが望まし
い。
ドの漏洩を低減し、共通電極とその下の導電層との間の
短絡部の数を低減し、層内での湿気の伝搬に対して保護
を行うフォトダイオード誘電体層を有することが望まし
い。
【０００６】
【発明の概要】本発明によれば、複数の離間したフォト
ダイオードおよびこれらのフォトダイオードの上に位置
する共通電極を含む放射撮像装置において、複数のポリ
マーブリッジ部材が共通電極とフォトダイオードとの間
に配置される。これらのポリマーブリッジ部材は、隣り
合うフォトダイオードの間の共通電極の部分の下に位置
していているが、各々のポリマーブリッジ部材が一対の
隣り合うフォトダイオードの間だけに延在して該一対の
フォトダイオードの間にブリッジ・アイランドを形成す
るように他のダイオードから分離されている。結果とし
て、湿気や不純物により生じるような漏洩欠陥がポリマ
ーブリッジ部材中にある場合、此の漏洩欠陥は該一対の
フォトダイオード（各々のフォトダイオードはそれぞれ
の１つの画素内に配置されている）に影響を及ぼすだけ
である。更に、ポリマーブリッジ部材は典型的には互い
から隔離されていて、このため１つのブリッジ・アイラ
ンドにおける漏洩は他のフォトダイオード対に対して悪
影響を及ぼさない。
ダイオードおよびこれらのフォトダイオードの上に位置
する共通電極を含む放射撮像装置において、複数のポリ
マーブリッジ部材が共通電極とフォトダイオードとの間
に配置される。これらのポリマーブリッジ部材は、隣り
合うフォトダイオードの間の共通電極の部分の下に位置
していているが、各々のポリマーブリッジ部材が一対の
隣り合うフォトダイオードの間だけに延在して該一対の
フォトダイオードの間にブリッジ・アイランドを形成す
るように他のダイオードから分離されている。結果とし
て、湿気や不純物により生じるような漏洩欠陥がポリマ
ーブリッジ部材中にある場合、此の漏洩欠陥は該一対の
フォトダイオード（各々のフォトダイオードはそれぞれ
の１つの画素内に配置されている）に影響を及ぼすだけ
である。更に、ポリマーブリッジ部材は典型的には互い
から隔離されていて、このため１つのブリッジ・アイラ
ンドにおける漏洩は他のフォトダイオード対に対して悪
影響を及ぼさない。
【０００７】更に具体的に述べると、ポリマーブリッジ
部材はダイオード不動態化底部層の上に位置し、従って
ダイオード不動態化頂部層を構成する。各々のポリマー
ブリッジ部材はまた、該部材が橋渡しする隣り合うダイ
オードの一部分にのみオーバーラップする。パターン形
成された共通電極が各々のフォトダイオードの中央部分
の上に位置し、また隣り合うダイオードの間のポリマー
ブリッジ部材の中央領域の上に位置するように該領域へ
向かってだけフォトダイオードの縁部へ延在する。共通
電極は典型的には酸化インジウム錫で構成される。ダイ
オード不動態化底部層は典型的にはプラズマ化学蒸着に
よるシリコン窒化物、シリコン酸化物またはシリコン・
オキシナイトライド、或いはこれらの種々の組合せで構
成される。ポリマーブリッジ部材は通常、約０．５乃至
２．５ミクロンの厚さを持つ予イミド化ポリイミド層で
構成される。
部材はダイオード不動態化底部層の上に位置し、従って
ダイオード不動態化頂部層を構成する。各々のポリマー
ブリッジ部材はまた、該部材が橋渡しする隣り合うダイ
オードの一部分にのみオーバーラップする。パターン形
成された共通電極が各々のフォトダイオードの中央部分
の上に位置し、また隣り合うダイオードの間のポリマー
ブリッジ部材の中央領域の上に位置するように該領域へ
向かってだけフォトダイオードの縁部へ延在する。共通
電極は典型的には酸化インジウム錫で構成される。ダイ
オード不動態化底部層は典型的にはプラズマ化学蒸着に
よるシリコン窒化物、シリコン酸化物またはシリコン・
オキシナイトライド、或いはこれらの種々の組合せで構
成される。ポリマーブリッジ部材は通常、約０．５乃至
２．５ミクロンの厚さを持つ予イミド化ポリイミド層で
構成される。
【０００８】本発明の新規と考えられる特徴は特許請求
の範囲に具体的に記載してあるが、本発明自体の構成、
作用並びにその他の目的および利点は、添付の図面を参
照した以下の説明から最も良く理解されよう。
の範囲に具体的に記載してあるが、本発明自体の構成、
作用並びにその他の目的および利点は、添付の図面を参
照した以下の説明から最も良く理解されよう。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１および２を参照して本発明に
よる放射撮像装置を説明する。図１に最も良く示されて
いるように、放射撮像装置１０の一部分は複数のフォト
ダイオード１２、１１２、２１２、３１２および４１２
を含んでいる。各々のフォトダイオードは、図２に最も
良く示されているように、基板２０または基板上の別の
誘電体層材料（図示していない）の上に配置された金属
のダイオード底部コンタクト１４を含んでいる。それぞ
れのダイオード底部コンタクト１４は、各々のフォトダ
イオードの半導体材料、例えばダイオード１３および１
１３の下に配置されている。隣り合うダイオード底部コ
ンタクト１４の間でフォトダイオード・アレイの上に
は、ゲート誘電体層１８が配置されている。ダイオード
不動態化底部層２２が、隣り合うフォトダイオード１２
および１１２の半導体材料（シリコン）の端部区域の間
およびその上に配置されている。ポリマーブリッジ部材
２４が、放射撮像装置１０のフォトダイオード１２およ
び１１２のような隣り合うフォトダイオードの一部分の
間およびその上に配置されて、その上に共通電極２８が
配置されるブリッジ（または台）を形成する（共通電極
２８は、アレイ内の各々のフォトダイオード上のそれぞ
れの上部コンタクト点との間に接触部を作るようにアレ
イ内に配置される）。この構成では、共通電極２８はポ
リマーブリッジ部材２４によってダイオード不動態化底
部層２２から分離されている。ここで放射撮像装置１０
内のフォトダイオードに関して本書で使用する「隣り合
う」という用語は、マトリクス形式に配列されたフォト
ダイオードの内の互いに近接して配置されたフォトダイ
オードが対を成し、その対のフォトダイオードの間には
他のフォトダイオードが存在していないことを表す。ポ
リマーブリッジ部材２４は典型的には予イミド化ポリイ
ミドで構成され、これは例えばオーシージー・マイクロ
エレクトロニック・マテリアルズ社からプロブロミド２
８６（ＰｒｏＢｒｏｍｉｄｅ２８６）の商品名で販売さ
れている。
よる放射撮像装置を説明する。図１に最も良く示されて
いるように、放射撮像装置１０の一部分は複数のフォト
ダイオード１２、１１２、２１２、３１２および４１２
を含んでいる。各々のフォトダイオードは、図２に最も
良く示されているように、基板２０または基板上の別の
誘電体層材料（図示していない）の上に配置された金属
のダイオード底部コンタクト１４を含んでいる。それぞ
れのダイオード底部コンタクト１４は、各々のフォトダ
イオードの半導体材料、例えばダイオード１３および１
１３の下に配置されている。隣り合うダイオード底部コ
ンタクト１４の間でフォトダイオード・アレイの上に
は、ゲート誘電体層１８が配置されている。ダイオード
不動態化底部層２２が、隣り合うフォトダイオード１２
および１１２の半導体材料（シリコン）の端部区域の間
およびその上に配置されている。ポリマーブリッジ部材
２４が、放射撮像装置１０のフォトダイオード１２およ
び１１２のような隣り合うフォトダイオードの一部分の
間およびその上に配置されて、その上に共通電極２８が
配置されるブリッジ（または台）を形成する（共通電極
２８は、アレイ内の各々のフォトダイオード上のそれぞ
れの上部コンタクト点との間に接触部を作るようにアレ
イ内に配置される）。この構成では、共通電極２８はポ
リマーブリッジ部材２４によってダイオード不動態化底
部層２２から分離されている。ここで放射撮像装置１０
内のフォトダイオードに関して本書で使用する「隣り合
う」という用語は、マトリクス形式に配列されたフォト
ダイオードの内の互いに近接して配置されたフォトダイ
オードが対を成し、その対のフォトダイオードの間には
他のフォトダイオードが存在していないことを表す。ポ
リマーブリッジ部材２４は典型的には予イミド化ポリイ
ミドで構成され、これは例えばオーシージー・マイクロ
エレクトロニック・マテリアルズ社からプロブロミド２
８６（ＰｒｏＢｒｏｍｉｄｅ２８６）の商品名で販売さ
れている。
【００１０】図１に最も良く示されているように、ポリ
マーブリッジ部材２４およびその上に位置する共通電極
２８は共に、以下に述べるようにパターン形成されて、
本発明の利点を提供する。ポリマーブリッジ部材２４は
フォトダイオード１２および１１２のような隣り合うフ
ォトダイオードの間に延在すると共に、隣り合う対のフ
ォトダイオードの各々のフォトダイオードの境界区域す
なわち縁部区域２５（図２）の上に延在する。従って、
それぞれのポリマーブリッジ部材２４は、フォトダイオ
ード１２および１１２、１２および２１２、１２および
３１２、並びに１２および４１２のような隣り合うフォ
トダイオードの間を橋渡しするブリッジ・アイランドと
して配置される。
マーブリッジ部材２４およびその上に位置する共通電極
２８は共に、以下に述べるようにパターン形成されて、
本発明の利点を提供する。ポリマーブリッジ部材２４は
フォトダイオード１２および１１２のような隣り合うフ
ォトダイオードの間に延在すると共に、隣り合う対のフ
ォトダイオードの各々のフォトダイオードの境界区域す
なわち縁部区域２５（図２）の上に延在する。従って、
それぞれのポリマーブリッジ部材２４は、フォトダイオ
ード１２および１１２、１２および２１２、１２および
３１２、並びに１２および４１２のような隣り合うフォ
トダイオードの間を橋渡しするブリッジ・アイランドと
して配置される。
【００１１】誘電体材料のダイオード不動態化底部層２
２は、好ましくは、プラズマ化学蒸着によるシリコン窒
化物（ＳｉＮｘ）で構成し、フォトダイオードの頂部に
於ける開口を除いて、放射撮像装置１０のアレイ領域に
連続したシートとして配置される。ポリマー材料は、典
型的には、スピンまたはメニスカス・コーティングによ
って堆積される。ポリマーブリッジ部材２４は、典型的
には、標準的な写真平版法およびエッチングによりパタ
ーン形成して、図２に最も良く示されているように、フ
ォトダイオード１２および１１２のような隣り合うフォ
トダイオードの縁部を通り、ダイオード不動態化底部層
２２を通って、隣り合うダイオード・アイランド１３の
縁部区域２５まで延在するようにする。これにより、共
通電極２８が、ダイオード不動態化底部層２２の縁部よ
りもむしろポリマーブリッジ部材２４のパターン形成さ
れた縁部を横切ることによって、ダイオード１３の頂部
に対する一層信頼性のある電気コンタクトを形成するこ
とができる。
２は、好ましくは、プラズマ化学蒸着によるシリコン窒
化物（ＳｉＮｘ）で構成し、フォトダイオードの頂部に
於ける開口を除いて、放射撮像装置１０のアレイ領域に
連続したシートとして配置される。ポリマー材料は、典
型的には、スピンまたはメニスカス・コーティングによ
って堆積される。ポリマーブリッジ部材２４は、典型的
には、標準的な写真平版法およびエッチングによりパタ
ーン形成して、図２に最も良く示されているように、フ
ォトダイオード１２および１１２のような隣り合うフォ
トダイオードの縁部を通り、ダイオード不動態化底部層
２２を通って、隣り合うダイオード・アイランド１３の
縁部区域２５まで延在するようにする。これにより、共
通電極２８が、ダイオード不動態化底部層２２の縁部よ
りもむしろポリマーブリッジ部材２４のパターン形成さ
れた縁部を横切ることによって、ダイオード１３の頂部
に対する一層信頼性のある電気コンタクトを形成するこ
とができる。
【００１２】共通電極２８は、典型的には、スパッタリ
ング等によって通常のように堆積された、厚さがほぼ５
０ｎｍ乃至３００ｎｍの酸化インジウム錫（ＩＴＯ）で
構成される。共通電極２８のための代わりの材料として
は、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛が挙げられる。
共通電極２８を光透過性でない材料で構成する場合、光
がフォトダイオードに達するのを妨害しないためにフォ
トダイオードの頂部表面が殆ど被覆されないないように
パターン形成が行われる。
ング等によって通常のように堆積された、厚さがほぼ５
０ｎｍ乃至３００ｎｍの酸化インジウム錫（ＩＴＯ）で
構成される。共通電極２８のための代わりの材料として
は、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛が挙げられる。
共通電極２８を光透過性でない材料で構成する場合、光
がフォトダイオードに達するのを妨害しないためにフォ
トダイオードの頂部表面が殆ど被覆されないないように
パターン形成が行われる。
【００１３】共通電極２８は、典型的には、フォトダイ
オード１２、１１２、２１２、３１２および４１２のよ
うなフォトダイオードの中央区域の上、およびポリマー
ブリッジ部材２４の上にのみ延在するが、しかしダイオ
ードの上面の境界縁内に配置され、またポリマーブリッ
ジ部材２４がフォトダイオード１２および１１２の間に
延在している区域内でポリマーブリッジ部材２４の縁部
の内側に配置される。ポリマーブリッジ部材２４の上に
共通電極２８を配置することにより良好な誘電体絶縁が
得られ、また隣り合うフォトダイオードの間の共通電極
の下にポリイミド層が位置していることにより共通電極
とその下のアドレス線との間の短絡部の数が減少する。
オード１２、１１２、２１２、３１２および４１２のよ
うなフォトダイオードの中央区域の上、およびポリマー
ブリッジ部材２４の上にのみ延在するが、しかしダイオ
ードの上面の境界縁内に配置され、またポリマーブリッ
ジ部材２４がフォトダイオード１２および１１２の間に
延在している区域内でポリマーブリッジ部材２４の縁部
の内側に配置される。ポリマーブリッジ部材２４の上に
共通電極２８を配置することにより良好な誘電体絶縁が
得られ、また隣り合うフォトダイオードの間の共通電極
の下にポリイミド層が位置していることにより共通電極
とその下のアドレス線との間の短絡部の数が減少する。
【００１４】アレイのフォトダイオード、例えばフォト
ダイオード１２および１１２の上に障壁層５０が配置さ
れ、障壁層５０は典型的にはプラズマ化学蒸着により堆
積されたシリコン窒化物、シリコン酸化物またはシリコ
ン・オキシナイトライド、或いはこれらの種々の組合せ
で構成され、厚さは約０．５乃至２．５ミクロンであ
る。フォトダイオードの本体１３を構成する半導体材料
はの厚さは、ほぼ０．５乃至２．０ミクロンである。
ダイオード１２および１１２の上に障壁層５０が配置さ
れ、障壁層５０は典型的にはプラズマ化学蒸着により堆
積されたシリコン窒化物、シリコン酸化物またはシリコ
ン・オキシナイトライド、或いはこれらの種々の組合せ
で構成され、厚さは約０．５乃至２．５ミクロンであ
る。フォトダイオードの本体１３を構成する半導体材料
はの厚さは、ほぼ０．５乃至２．０ミクロンである。
【００１５】ポリマーブリッジ部材２４の全体の数は、
図１に破線で示すブリッジ・アイランド４１によって隣
り合うダイオード・アイランド１３のかど２９、３０、
３１および３２のような隣り合う４つのかどを相互接続
または橋渡しすることによって少なくすることが出来
る。隣り合うダイオードの対角線上の反対側のかども同
様にして相互接続される。かど３１の対角線上の反対側
のかど３６は、図１に破線で示すブリッジ・アイランド
４３によってその隣り合うダイオード・アイランド１３
に相互接続される。図示のブリッジ・アイランド４３は
隣り合う４つのダイオードのかど３３、３４、３５およ
び３６を相互接続する。ブリッジ部材２４によって側部
を橋渡しする代わりにかどのブリッジ部材４１および４
３をすることによって、１つのダイオード・アイランド
１３に対するブリッジ・アイランドの数を半分に減らす
ことが出来る。
図１に破線で示すブリッジ・アイランド４１によって隣
り合うダイオード・アイランド１３のかど２９、３０、
３１および３２のような隣り合う４つのかどを相互接続
または橋渡しすることによって少なくすることが出来
る。隣り合うダイオードの対角線上の反対側のかども同
様にして相互接続される。かど３１の対角線上の反対側
のかど３６は、図１に破線で示すブリッジ・アイランド
４３によってその隣り合うダイオード・アイランド１３
に相互接続される。図示のブリッジ・アイランド４３は
隣り合う４つのダイオードのかど３３、３４、３５およ
び３６を相互接続する。ブリッジ部材２４によって側部
を橋渡しする代わりにかどのブリッジ部材４１および４
３をすることによって、１つのダイオード・アイランド
１３に対するブリッジ・アイランドの数を半分に減らす
ことが出来る。
【００１６】本発明を特定の実施態様について詳述した
が、当業者には種々の変更および変形をなし得よう。従
って、特許請求の範囲が本発明の真の精神および趣旨の
範囲内にあるこの様な全ての変更および変形を包含する
ものとして記載してあることを理解されたい。
が、当業者には種々の変更および変形をなし得よう。従
って、特許請求の範囲が本発明の真の精神および趣旨の
範囲内にあるこの様な全ての変更および変形を包含する
ものとして記載してあることを理解されたい。
【図１】本発明に従って製造した放射撮像装置の一部分
の上面図である。
の上面図である。
【図２】図１の線２−２に沿って取った断面図である。
１０ 放射撮像装置 １２、１１２、２１２、３１２ フォトダイオード １３、１１３ ダイオード １４ 金属のダイオード底部コンタクト １８ ゲート誘電体層 ２０ 基板 ２２ ダイオード不動態化底部層 ２４ ポリマーブリッジ部材 ２５ 縁部区域 ２８ 共通電極 ５０ 障壁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャンキアン・リュウ アメリカ合衆国、ニューヨーク州、クリフ トン・パーク、ロイヤル・オーク・ドライ ブ、23番
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のフォトダイオード・アイランド、
およびこれらのフォトダイオード・アイランドの各々の
一部分の上に位置すると共に、前記フォトダイオード・
アイランド相互間の区域の上に位置する共通電極を含ん
でいる放射撮像装置において、 隣り合うフォトダイオード・アイランドの間に配置され
ていると共に、該隣り合うフォトダイオード・アイラン
ドの少なくとも一部分の上に配置されているフォトダイ
オード不動態化層、および前記フォトダイオード不動態
化層の上に配置されていて、前記隣り合うフォトダイオ
ード・アイランドの間に延在する前記共通電極の部分の
下に位置している複数のポリマーブリッジ部材を有して
いることを特徴とする放射撮像装置。 - 【請求項２】 前記の各々のポリマーブリッジ部材が４
つまでの隣り合うフォトダイオード・アイランドの間に
延在している請求項１記載の放射撮像装置。 - 【請求項３】 前記の各々のポリマーブリッジ部材が２
つの隣り合うフォトダイオード・アイランドの間に延在
する矩形のアイランドの形である請求項１記載の放射撮
像装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/772446 | 1996-12-23 | ||
| US08/772,446 US5777355A (en) | 1996-12-23 | 1996-12-23 | Radiation imager with discontinuous dielectric |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214954A true JPH10214954A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=25095094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9287500A Withdrawn JPH10214954A (ja) | 1996-12-23 | 1997-10-21 | 放射撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5777355A (ja) |
| EP (1) | EP0838860A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10214954A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118790A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-04-19 | General Electric Co <Ge> | ゲーテッドフォトダイオードを有する固体イメージャ及びその製造方法 |
| JP2007527989A (ja) * | 2003-06-19 | 2007-10-04 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体放射線検出器 |
| JP2009231788A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Fujifilm Corp | 電磁波検出素子 |
| JP2009267326A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-11-12 | Fujifilm Corp | 電磁波検出素子 |
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| TW451447B (en) * | 1999-12-31 | 2001-08-21 | Samsung Electronics Co Ltd | Contact structures of wirings and methods for manufacturing the same, and thin film transistor array panels including the same and methods for manufacturing the same |
| US6465824B1 (en) | 2000-03-09 | 2002-10-15 | General Electric Company | Imager structure |
| US6559506B1 (en) | 2002-04-03 | 2003-05-06 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
| US6777685B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-08-17 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
| US6740884B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-05-25 | General Electric Company | Imaging array and methods for fabricating same |
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|---|---|---|---|---|
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| US5401668A (en) * | 1993-09-02 | 1995-03-28 | General Electric Company | Method for fabrication solid state radiation imager having improved scintillator adhesion |
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| US5631473A (en) * | 1995-06-21 | 1997-05-20 | General Electric Company | Solid state array with supplemental dielectric layer crossover structure |
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-
1996
- 1996-12-23 US US08/772,446 patent/US5777355A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-21 JP JP9287500A patent/JPH10214954A/ja not_active Withdrawn
- 1997-10-23 EP EP97308466A patent/EP0838860A3/en not_active Withdrawn
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5777355A (en) | 1998-07-07 |
| EP0838860A2 (en) | 1998-04-29 |
| EP0838860A3 (en) | 1999-04-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040730 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20050829 |