JPH10216558A - パルス荷電ガス処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理ガス中の水分濃度及び処理ガス温度の変
動によらず安定したガス処理能力を高精度に維持できる
パルス荷電ガス処理装置を提供する。 【解決手段】 高電圧パルス荷電によりプラズマを発生
させてガス中のダスト、有害ガス等の除去を行うガス処
理部１と、ガス処理部１に高電圧パルスを印加するパル
ス電源部２と、ガス処理部１に印加される高電圧パルス
のピーク電圧値とピーク電流値のＩ−Ｖ特性を処理ガス
の属性別に記憶するＩ−Ｖ特性記憶部７と、ガス処理部
に印加される高電圧パルスのピーク電圧値とピーク電流
値を検出する電流電圧検出部５と、少なくとも電流電圧
検出部５が検出したピーク電圧値とピーク電流値に基づ
いて、Ｉ−Ｖ特性記憶部７に少なくとも処理ガスの水分
濃度別に予め記憶されたＩ−Ｖ特性データを検索して、
処理ガスの水分濃度を推定する水分濃度推定部８とを備
えてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高電圧パルス荷電
によりプラズマを発生させてガス中のダスト、有害ガス
等の除去を行うパルス荷電ガス処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種のパルス荷電ガス処理装置
は、高電圧パルス荷電によりプラズマを発生させてガス
中のダスト、有害ガス等の除去を行うガス処理部と、前
記ガス処理部に高電圧パルスを印加するパルス電源部と
から構成されており、図２に示すように、処理ガスに高
電圧パルスを印加するときのピーク電圧値とピーク電流
値のＩ−Ｖ特性は処理ガス中の水分量の割合を表す水分
濃度と密接な関係があり、水分濃度が低い方が低いピー
ク電圧で大きなピーク電流が流れ、同じピーク電圧値で
水分濃度が高いときは前記ピーク電流値が低下するとい
う特性を有している。尚、処理ガスの水分濃度は概ね１
０％〜３０％の範囲で変動する。従来のパルス荷電ガス
処理装置においては、処理ガスの水分濃度の変動に即応
して処理ガスに印加する高電圧パルスを制御する特別な
技術はなく、処理ガスの水分濃度を別途を観測して、そ
の水分濃度が変動した場合に印加する高電圧パルスの電
圧を手動で変更していた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のパルス荷電ガス処理装置では、処理ガスの水分
濃度を別途観測して、手動で処理ガスに荷電する高電圧
パルスの電圧を変更していたため、前記水分濃度の変動
に即応できず、前記処理ガスへの注入エネルギを一定に
維持することが困難であった。経験により、ガス処理シ
ステムの性能は処理ガス中に注入するエネルギの大きさ
に比例して向上することが判明しており、従来のパルス
荷電ガス処理装置では、前記水分濃度の変動によって注
入エネルギが変動し、ガス処理性能を一定に維持するこ
とが困難であった。

【０００４】例えば、一定の電圧及び周波数でパルス荷
電中に前記水分濃度が増加した場合は、従来の方法では
前記処理ガスへの平均注入エネルギが低下し、その平均
注入エネルギの低下状態が直ぐに回復せず、所定のガス
処理能力を精度良く一定に維持するのが困難であった。

【０００５】また、前記水分濃度が低下し、前記処理ガ
スへの平均注入エネルギが処理すべきガス量に必要な注
入エネルギ以上に増加した場合は、ガス処理で消費され
ない注入エネルギが無駄に消費され、ガス処理効率が低
下し、且つ、省電力化が十分に図れないという問題もあ
った。

【０００６】更に、従来は、水分濃度が変動した場合に
印加電圧を手動で補正する際に、処理ガスの温度変動幅
はさほど大きくはなく、従って、温度変化の前記Ｉ−Ｖ
特性への影響は水分濃度が変動による場合に比べて小さ
く、温度補償を特に考慮するものではなかったが、例え
ば、窒素酸化物やダイオキシン等の除去を目的とする、
特に高精度処理が必要とされる公害対策関連装置等への
適用に当たっては、温度変化に対する前記Ｉ−Ｖ特性の
変動を反映させて、より処理効果を高めることが必要と
なる。

【０００７】本発明の目的は、上述の問題点を解消し、
処理ガス中の水分濃度の変動によらず安定したガス処理
能力を維持でき、且つ、低消費電力化を図れるパルス荷
電ガス処理装置を提供し、更に、そのガス処理性能の高
性能化を図る点にある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明によるパルス荷電ガス処理装置の第一の特徴構
成は、特許請求の範囲の欄の請求項１に記載した通り、
高電圧パルス荷電によりプラズマを発生させてガス中の
ダスト、有害ガス等の除去を行うガス処理部と、前記ガ
ス処理部に高電圧パルスを印加するパルス電源部と、前
記ガス処理部に印加される前記高電圧パルスのピーク電
圧値とピーク電流値のＩ−Ｖ特性を処理ガスの属性別に
記憶するＩ−Ｖ特性記憶部と、前記ガス処理部に印加さ
れる前記高電圧パルスのピーク電圧値とピーク電流値を
検出する電流電圧検出部と、前記電流電圧検出部が検出
したピーク電圧値とピーク電流値に基づいて、前記Ｉ−
Ｖ特性記憶部に少なくとも前記処理ガスの水分濃度別に
予め記憶されたＩ−Ｖ特性データを検索して、前記処理
ガスの水分濃度を推定する水分濃度推定部とを備えてな
る点にある。

【０００９】同第二の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項２に記載した通り、上述の第一の特徴構成に加
えて、前記ガス処理部の処理ガス温度を検出する温度セ
ンサを備え、前記水分濃度推定部が、前記温度センサが
検出した温度と前記電流電圧検出部が検出したピーク電
圧値とピーク電流値に基づいて、前記Ｉ−Ｖ特性記憶部
に前記処理ガスの水分濃度と温度別に予め記憶されたＩ
−Ｖ特性データを検索して、前記処理ガスの水分濃度を
推定する点にある。

【００１０】同第三の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項３に記載した通り、上述の第一または第二の特
徴構成に加えて、前記パルス電源部から前記ガス処理部
に注入される注入エネルギの平均値を所定値に維持する
ように、前記水分濃度推定部が推定した処理ガスの水分
濃度に応じて、前記パルス電源部の出力パルスの周波数
を可変制御する周波数可変制御部を備える点にある。

【００１１】同第四の特徴構成は、特許請求の範囲の欄
の請求項４に記載した通り、上述の第三の特徴構成に加
えて、前記周波数可変制御部が、前記水分濃度と前記周
波数とが正の相関関係にある所定の計算式に基づいて、
前記水分濃度に対応した最適周波数を算出して、前記周
波数の可変制御を実行する点にある。

【００１２】以下に、作用並びに効果について説明す
る。第一の特徴構成によれば、所定のガス処理を実行す
べく、前記パルス電源部から所定の周波数及び所定の電
圧の高電圧パルスを前記ガス処理部に印加する場合に、
予めまたは一定時間間隔で前記電流電圧検出部が前記高
電圧パルスを印加したときのピーク電圧値とピーク電流
値を検出することで、その検出したピーク電圧値とピー
ク電流値に基づいて、前記水分濃度推定部が前記Ｉ−Ｖ
特性記憶部に予め記憶された前記処理ガスの水分濃度別
のＩ−Ｖ特性データを検索して、前記処理ガスの水分濃
度を推定することができるのである。

【００１３】尚、前記水分濃度の頻繁な変動が予想され
る場合は、その予想される変動状況に応じて、前記電流
電圧検出部による前記ピーク電圧値とピーク電流値の検
出間隔を短期間に調整すればよい。

【００１４】ここで、前記Ｉ−Ｖ特性記憶部に前記処理
ガスの属性別に記憶されるＩ−Ｖ特性における属性と
は、その属性値の変化が前記Ｉ−Ｖ特性に影響を与える
前記処理ガスの属性であって、例えば、上記したよう
に、その主たるものとして、水分濃度であり、温度であ
る。本特徴構成の場合は、最も前記Ｉ−Ｖ特性に与える
影響が大きい水分濃度をその属性として使用している。

【００１５】よって、本特徴構成によれば、前記処理ガ
スの前記ガス処理部内の水分濃度を推定することで、前
記水分濃度の変動を即座に察知することができ、前記高
電圧パルスの制御を前記水分濃度の変動に追従させて実
行できるため、前記処理ガスに注入されるエネルギ量を
一定に維持する制御が可能となり、結果として、前記所
定ガス処理の処理能力を高精度に維持でき、また、不必
要に注入エネルギ量が増大することもないため、装置の
低消費電力化も合わせて図れるのである。

【００１６】更に、前記水分濃度が推定という一種の演
算処理で求められるので、湿度センサ等を前記ガス処理
部内に設けて前記水分濃度を別途物理的に検出する必要
がなく、別途湿度センサ等を過酷な条件下のガス処理部
内に設けることによる制御系全体の信頼性の低下、及
び、製造コスト高騰が回避できるのである。

【００１７】第二の特徴構成によれば、前記水分濃度の
変動のみならず処理ガス温度の変動があっても、前記温
度センサが検出した温度と前記電流電圧検出部が検出し
たピーク電圧値とピーク電流値に基づいて、前記水分濃
度推定部が正確に前記処理ガスの水分濃度を推定するこ
とができるのである。

【００１８】よって、前記水分濃度の変動の有無に関わ
らず、前記処理ガス温度の変動によって前記高電圧パル
スのピーク電流値が変化して各印加パルス毎に荷電する
電力量が変化しても、ガス処理部に係る平均の注入エネ
ルギ量を一定に維持することができるのである。

【００１９】結果として、処理ガスの水分濃度及び温度
が変動してもガス処理部に注入する平均エネルギ量を一
定に維持することができるため、前記所定ガス処理の処
理能力を一定に維持することがより高精度に実行でき、
更に、装置の低消費電力化の向上も図れるのである。

【００２０】第三の特徴構成によれば、前記水分濃度の
変動によって前記高電圧パルスのピーク電流値が変化し
て各印加パルス毎に荷電する電力量が変化しても、前記
ガス処理部に印加する高電圧パルスの周波数を自動的に
処理ガスの水分濃度に応じた適正値に調整することがで
き、結果として、処理ガスの水分濃度及び温度に関わら
ず自動的にガス処理部に注入する平均エネルギ量を一定
に維持することができる。

【００２１】尚、前記パルス電源部において、周波数を
変更する場合は、パルス発生に関わるスイッチング素子
のオン・オフ制御のタイミングを調整することで実現で
きるが、出力電圧の変更を前記パルス電源部の回路構成
部品の回路定数または回路構成自体を変更せずに行うに
は、前記パルス電源部に備えられた直流電圧電源の出力
電圧を可変にしなければならず、定電圧電源を使用でき
なくなり、製造コスト高騰の要因となることに注意を要
する。

【００２２】更に、第四の特徴構成によれば、前記パル
ス電源部から前記ガス処理部に注入される注入エネルギ
の平均値を一定値に維持することが容易に実現できるの
である。つまり、上記したように、処理ガスに高電圧パ
ルスを印加するときのピーク電圧値とピーク電流値のＩ
−Ｖ特性は処理ガス中の水分濃度と密接な関係があり、
水分濃度が低い方が低いピーク電圧で大きなピーク電流
が流れ、注入エネルギが増加し、同じピーク電圧値で水
分濃度が高いときは前記ピーク電流値が低下して、注入
エネルギも低下するという特性を有しているため、予め
前記計算式によって算出される周波数と前記Ｉ−Ｖ特性
と負荷特性から導出されるパルス一回当たりの電力とが
比例関係になるように前記計算式を設定することによっ
て、水分濃度が低いときは、前記パルス電源部から低い
周波数の高電圧パルスが出力され、逆に水分濃度が高い
ときは、前記パルス電源部から高い周波数の高電圧パル
スが出力され、結果として、処理ガスの水分濃度及び温
度に関わらず自動的にガス処理部に注入する平均エネル
ギ量を一定に維持することができるのである。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１に示すように、本発明に係わ
るパルス荷電ガス処理装置（以下、本発明装置という）
は、高電圧パルス荷電によりプラズマを発生させてガス
中のダスト、窒素酸化物やダイオキシンといった有害ガ
ス等の除去を行うガス処理部１と、前記ガス処理部１に
高電圧パルスを印加するパルス電源部２と、前記パルス
電源部２の出力パルスの周波数を可変制御する周波数可
変制御部４を内蔵するデータ処理システム３を備えた構
成となっている。

【００２４】前記ガス処理部１の入力端子１０と前記パ
ルス電源部２の出力端子２ａが必要な絶縁処理を施され
て電気的に接続されている。更に、前記ガス処理部１内
には、処理ガス温度を検出する温度センサ１１が設けら
れており、その出力信号が前記データ処理システム３へ
送信されるようになっている。また、前記ガス処理部１
の入力端子１０と前記パルス電源部２の出力端子間を配
線される導線２０の途中には前記パルス電源部２から前
記ガス処理部１へ出力される高電圧パルスのピーク電圧
値とピーク電流値を検出する電流電圧検出部を形成する
電圧・電流プローブ５が設けられ、その出力信号５ａが
シンクロスコープ６に入力され、前記シンクロスコープ
６で増幅及び信号処理された前記ピーク電圧値とピーク
電流値データが前記データ処理システム３に入力され
る。

【００２５】前記データ処理システム３は、前記周波数
可変制御部４に加えて、前記ガス処理部１に印加される
前記高電圧パルスのピーク電圧値とピーク電流値のＩ−
Ｖ特性を処理ガスの水分濃度と温度別に記憶したＩ−Ｖ
特性記憶部７と、前記温度センサ１１が検出した温度と
前記電圧・電流プローブ５が検出し前記シンクロスコー
プ６で増幅及び信号処理されたピーク電圧値とピーク電
流値に基づいて、前記Ｉ−Ｖ特性記憶部７に記憶された
前記処理ガスの水分濃度と温度別に予め測定されたＩ−
Ｖ特性データを検索して、前記処理ガスの水分濃度を推
定する水分濃度推定部８とを備え、前記周波数可変制御
部４が、前記パルス電源部２から前記ガス処理部１に注
入される注入エネルギの平均値を一定値に維持するよう
に、前記水分濃度推定部８が推定した処理ガスの水分濃
度に対応した最適周波数を算出して、その最適周波数に
基づいて前記パルス電源部２に対し同期パルス４ａを出
力して前記パルス電源部２の出力パルスの周波数を可変
制御する。

【００２６】尚、前記Ｉ−Ｖ特性記憶部７、前記水分濃
度推定部８、及び、前記周波数可変制御部４を含む前記
データ処理システム３は、具体的には、マイクロコンピ
ュータ、半導体メモリ、不揮発性記憶媒体、及び、必要
なインターフェース回路等で構成される。

【００２７】図３に示すように、処理ガスはダクト１８
ａから放電室内１２ａに誘引され、前記放電室内１２ａ
を前記長手方向に沿って進行し、前記放電室内１２ａで
集塵されたり、窒素酸化物の場合は酸化還元反応により
脱硝されたり、ダイオキシンの場合は分解処理され、ダ
クト１８ｂから次の処理装置へ吐出される。図３に示す
ように、線状の前記放電電極１３は矩形で導電性の放電
電極フレーム１３ａの対向する上下２辺間に複数本が張
設されており、前記各放電電極１３は互いに短絡されて
おり、同電位にある。更に、図４に示すように、３枚の
前記放電電極フレーム１３ａと４枚の接地電極１４が、
放電室内１２ａに、前記放電電極フレーム１３ａが前記
接地電極１４に一定距離を隔てて挟まれ、夫々の長手方
向が前記放電室内１２ａの排ガスの進行方向（図４中、
紙面垂直方向）となるように設置されている。尚、３枚
の前記放電電極フレーム１３ａは前記放電室内１２ａで
夫々短絡されている。また、図３に示すように、前記放
電電極フレーム１３ａは放電室壁部１２ｃから絶縁分離
されるように上部両端部が支持碍子１７で前記放電室壁
部１２ｃの天井部から釣支されている。

【００２８】図３及び図４に示すように、前記パルス電
源部２の出力端子２ａは、前記導線２０で前記放電室内
１２ａの３枚の前記放電電極フレーム１３ａと電気的に
接続されている。尚、前記導線２０は、前記放電室壁部
１２ｃの天井部に設けられた１個の貫通碍子１６を通し
て配線されている。

【００２９】以下、前記データ処理システム３各部の機
能並びに動作について説明する。前記Ｉ−Ｖ特性記憶部
７に記憶されている前記高電圧パルスのピーク電圧値と
ピーク電流値のＩ−Ｖ特性は、本発明装置を本格稼働す
る前に、種々の異なる水分濃度と温度の処理ガスを前記
放電室内１２ａに供給し、各処理ガス毎に、前記パルス
電源部２から前記放電電極１３に高電圧パルスを印加
し、その時の電圧ピーク値及び電流ピーク値の瞬時デー
タを前記電圧・電流プローブ５で検出し前記シンクロス
コープ６で増幅及び信号処理された後、その高電圧パル
スを印加したときの処理ガスの水分濃度と温度データと
ともにディジタル化して前記Ｉ−Ｖ特性記憶部７を構成
する不揮発性メモリの所定領域に記憶される。

【００３０】前記水分濃度推定部８は、前記シンクロス
コープ６から入力されたＩ−Ｖ特性データと、前記温度
センサ１１から入力された処理ガス温度に対応する前記
Ｉ−Ｖ特性記憶部７に記憶されているＩ−Ｖ特性データ
とを比較して、一致または近似するＩ−Ｖ特性データの
水分濃度を抽出して、必要に応じて補間処理を施して水
分濃度を推定する。

【００３１】前記ガス処理部１のガス処理量から決定さ
れる最適な平均注入エネルギと特定のＩ−Ｖ特性データ
と前記放電電極１３の負荷特性から導出される一回のパ
ルス当たりの電力量から逆算される最適周波数は、処理
ガスの水分濃度と温度が分かれば一義的に定まるため、
前記Ｉ−Ｖ特性データに基づいて、処理ガスの水分濃度
と温度を変数とする最適周波数を計算する計算式を予め
作成しておき、前記周波数可変制御部４の不揮発性メモ
リの所定領域に記憶しておく。

【００３２】前記周波数可変制御部４は、前記温度セン
サ１１から入力された処理ガス温度と前記水分濃度推定
部８が推定した処理ガスの水分濃度を前記計算式に代入
して最適周波数を算出し、その最適周波数と同じ周波数
の同期パルス４ａを前記パルス電源部２に出力する。前
記パルス電源部２は前記同期パルス４ａの立ち上がりま
たは立ち下がりエッジで、内部のスイッチング素子のタ
イミング制御を行うことで、同最適周波数で高電圧パル
スを出力することができる。尚、前記計算式は、処理ガ
ス温度をパラメータとして複数用意されたものでも構わ
ない。

【００３３】前記放電室内１２ａのガス処理は、前記放
電電極１３と前記接地電極１４間でのコロナ放電により
行われる。前記コロナ放電は前記パルス電源部２の出力
電圧が５０ｋＶ付近から開始し、アーク放電領域まで到
達しないように制御される。

【００３４】以下、別の実施形態について説明する。 （１）本実施形態では、最大ガス処理量の大きなガス処
理部１を想定しているが、ガス処理部１の仕様に応じ
て、前記パルス電源部２の構成及び電気的仕様は適宜変
更可能であり、本実施形態に限定されるものではなく、
複数のパルス電源装置で構成しても構わない。複数のパ
ルス電源装置で前記パルス電源部２を構成する場合、前
記パルス電源部２の複数台のパルス電源の各出力パルス
は相互に同じ周波数で、且つ、同期するように制御され
る。つまり、各パルス電源装置に同じ前記同期パルス４
ａが入力されるように構成する。また、前記パルス電源
部２の実際のパルス波形は前記導線２０等の漂遊インダ
クタンス成分によってオーバーシュートやリンギングが
発生するが、前記パルス電源部２の各パルス電源装置間
において機種を統一し、前記各パルス電源装置の各出力
端子を並列接続して前記パルス電源部２の出力端子２ａ
とし、上述のように出力パルスを同周波数で同期させる
ことで、前記各放電電極１３には同一パルス波形の電圧
が印加されるように構成するのが好ましい。

【００３５】（２）本実施形態では、前記Ｉ−Ｖ特性記
憶部７には前記処理ガスの水分濃度と温度別に前記高電
圧パルスのピーク電圧値とピーク電流値のＩ−Ｖ特性を
記憶していたが、所定の標準処理ガス温度における前記
Ｉ−Ｖ特性だけを水分濃度別に記憶しても構わない。こ
の場合、処理ガス温度が標準処理ガス温度に対して大き
く変動する場合は、前記温度センサ１１が検出した温度
に基づいて、前記水分濃度推定部８が推定する水分濃度
を補正するように構成するのも好ましい実施の形態であ
る。また、処理ガス温度が標準処理ガス温度に対して大
きく変動せず、温度変動の補正が必要でない場合は、前
記周波数可変制御部４が前記パルス電源部２から前記ガ
ス処理部１に注入される注入エネルギの平均値を一定値
に維持するように、前記水分濃度推定部８が推定した処
理ガスの水分濃度を補正せずに使用して、その水分濃度
に対応した最適周波数を算出し、その最適周波数に基づ
いて前記パルス電源部２に対し同期パルス４ａを出力し
て前記パルス電源部２の出力パルスの周波数を可変制御
するように構成しても構わない。

【００３６】（３）前記ガス処理部１の構造も本実施形
態に限定されるものではない。前記放電電極１３、前記
放電電極フレーム１３ａ、前記接地電極１４、前記導線
２０、前記貫通碍子１６、前記支持碍子１７の数量並び
に形状等も本実施形態に限定されるものではない。

【００３７】（４）本実施形態では、前記シンクロスコ
ープ６は前記電圧・電流プローブ５が検出したピーク電
圧値とピーク電流値を前記データ処理システム３が処理
可能に信号処理する点で前記データ処理システム３に対
しては電流電圧検出部の一部として機能しているが、前
記データ処理システム３内で同様の処理を行うように構
成しても構わない。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理ガス中の水分濃度及び処理ガス温度の変動によらず
安定したガス処理能力を高精度に維持でき、且つ、低消
費電力化を図れるパルス荷電ガス処理装置を提供できる
ようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るパルス荷電ガス処理装置の一実施
形態を示すブロック構成図

【図２】高電圧パルスのピーク電圧値とピーク電流値の
Ｉ−Ｖ特性図

【図３】本発明に係るパルス荷電ガス処理装置のガス処
理部の長手方向に沿った放電電極を含む放電室の鉛直断
面における放電室内における放電電極の設置状態と放電
室外に設けられたパルス電源部を示す模式構成図

【図４】本発明に係るパルス荷電ガス処理装置のガス処
理部の図３中のＡ−Ａを結ぶ鉛直断面での模式構成図

【符号の説明】

１ ガス処理部 ２ パルス電源部 ３ データ処理システム ４ 周波数可変制御部 ４ａ 同期パルス ５ 電流電圧検出部 ５ａ 出力信号 ６ シンクロスコープ ７ Ｉ−Ｖ特性記憶部 ８ 水分濃度推定部 １０ 入力端子 １１ 温度センサ ２０ 導線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤平 弘樹 兵庫県高砂市荒井町新浜１丁目２番１号 株式会社タクマ中央研究所内 (72)発明者 榊原 嘉一 京都府乙訓郡大山崎町下植野宮脇１の55

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高電圧パルス荷電によりプラズマを発生
   させてガス中のダスト、有害ガス等の除去を行うガス処
   理部と、前記ガス処理部に高電圧パルスを印加するパル
   ス電源部と、前記ガス処理部に印加される前記高電圧パ
   ルスのピーク電圧値とピーク電流値のＩ−Ｖ特性を処理
   ガスの属性別に記憶するＩ−Ｖ特性記憶部と、前記ガス
   処理部に印加される前記高電圧パルスのピーク電圧値と
   ピーク電流値を検出する電流電圧検出部と、前記電流電
   圧検出部が検出したピーク電圧値とピーク電流値に基づ
   いて、前記Ｉ−Ｖ特性記憶部に少なくとも前記処理ガス
   の水分濃度別に予め記憶されたＩ−Ｖ特性データを検索
   して、前記処理ガスの水分濃度を推定する水分濃度推定
   部とを備えてなるパルス荷電ガス処理装置。
2. 【請求項２】 前記ガス処理部の処理ガス温度を検出す
   る温度センサを備え、前記水分濃度推定部が、前記温度
   センサが検出した温度と前記電流電圧検出部が検出した
   ピーク電圧値とピーク電流値に基づいて、前記Ｉ−Ｖ特
   性記憶部に前記処理ガスの水分濃度と温度別に予め記憶
   されたＩ−Ｖ特性データを検索して、前記処理ガスの水
   分濃度を推定することを特徴とする請求項１記載のパル
   ス荷電ガス処理装置。
3. 【請求項３】 前記パルス電源部から前記ガス処理部に
   注入される注入エネルギの平均値を所定値に維持するよ
   うに、前記水分濃度推定部が推定した処理ガスの水分濃
   度に応じて、前記パルス電源部の出力パルスの周波数を
   可変制御する周波数可変制御部を備える請求項１または
   ２記載のパルス荷電ガス処理装置。
4. 【請求項４】 前記周波数可変制御部が、前記水分濃度
   と前記周波数とが正の相関関係にある所定の計算式に基
   づいて、前記水分濃度に対応した最適周波数を算出し
   て、前記周波数の可変制御を実行することを特徴とする
   請求項３記載のパルス荷電ガス処理装置。