JPH1022104A - Positive temperature coefficient thermistor - Google Patents

Positive temperature coefficient thermistor

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JPH1022104A
JPH1022104A JP17453396A JP17453396A JPH1022104A JP H1022104 A JPH1022104 A JP H1022104A JP 17453396 A JP17453396 A JP 17453396A JP 17453396 A JP17453396 A JP 17453396A JP H1022104 A JPH1022104 A JP H1022104A
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JP
Japan
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temperature coefficient
positive temperature
coefficient thermistor
coating layer
electrode layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP17453396A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Makita
重雄 蒔田
Kiyoshi Nakano
清 中野
Tamotsu Tokuda
有 徳田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPH1022104A publication Critical patent/JPH1022104A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To stabilize resistance value and to raise reliability by providing a positive temperature coefficient thermistor element body, an electrode layer which, whose main component is silver, is formed on a main flat surface of the positive temperature coefficient thermistor element body and a coating layer which, while the center part of the electrode layer is left out, coats the end part of the electrode layer. SOLUTION: A positive temperature coefficient thermistor element body 2 has a disk-like structure, and is constructed of ceramics material such as BaTiO3 . Relating to a positive temperature coefficient thermistor 1, in addition to ohm-contact plating layers 4a and 4b formed by electroless plating with such as Ni, Cu, Au, In, electrode layers 3a and 3b whose main component is silver are formed on the surfaces of them, on both upper and lower surfaces of the positive temperature coefficient thermistor element body 2. In addition, with the use of glass material or resin of both heat- resistance and water-resistance, a coating layer 6 is stuck by spraying method and screen printing method, etc. The coating layer 6 coats end parts 3a1 and 3b1 of the electrode layers 3a and 3b and the entire part of a side surface 5 of the positive temperature coefficient thermistor element body 2 and such entire part of it where the plate layers 4a and 4b are exposed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、正特性サーミスタ
に関するものである。
The present invention relates to a positive temperature coefficient thermistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、例えば温風ヒ−タ、防水ヒ−
タ、あるいはテレビ受信機の消磁回路等には、正の抵抗
温度係数をもつ半導体セラミック発熱体(以下、正特性
サーミスタとする。)が広く用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, warm air heaters, waterproof heaters, etc.
2. Description of the Related Art Semiconductor ceramic heating elements having a positive temperature coefficient of resistance (hereinafter, referred to as positive temperature coefficient thermistors) are widely used for demagnetizing circuits of television receivers or television receivers.

【0003】この正特性サーミスタの構造は、図9、図
10に示すような素子が知られている。図9(a)は概
略斜視図、図9(b)は垂直断面図、図10は垂直断面
図である。
As the structure of this positive temperature coefficient thermistor, there are known elements as shown in FIGS. 9A is a schematic perspective view, FIG. 9B is a vertical sectional view, and FIG. 10 is a vertical sectional view.

【0004】図9に示す正特性サ−ミスタ1は、BaT
iO3を主成分とする金属酸化物半導体セラミック素体
2(以下、正特性サーミスタ素体とする。)の上下面に
Ag−Zn、Ag−Sb等からなるオ−ム接触のAgを
主成分とする電極層3a、3bが形成されている。
A positive temperature coefficient thermistor 1 shown in FIG.
The upper and lower surfaces of a metal oxide semiconductor ceramic body 2 (hereinafter referred to as a positive temperature coefficient thermistor body) mainly composed of iO 3 are mainly made of an ohmic contact made of Ag—Zn, Ag—Sb or the like. Electrode layers 3a and 3b are formed.

【0005】また、図10に示す正特性サ−ミスタ1
は、正特性サーミスタ素体2の上下面にNi、Cu、A
u、In等の無電解メッキにより形成されたオ−ム接触
のメッキ層4a、4bに加えて、その表面にAgを主成
分とする電極層3a、3bが形成されている。
A positive temperature coefficient thermistor 1 shown in FIG.
Are Ni, Cu, A on the upper and lower surfaces of the PTC thermistor body 2.
In addition to the ohmic contact plating layers 4a and 4b formed by electroless plating of u, In or the like, electrode layers 3a and 3b mainly composed of Ag are formed on the surface thereof.

【0006】電極層3a、3bにAgを主成分として使
用する理由は、リ−ド端子等を半田付けしやすく、オ−
ム接触特性に優れ、かつそれ自体の電気抵抗が少ない等
の利点があるためである。
The reason for using Ag as the main component for the electrode layers 3a and 3b is that lead terminals and the like are easily soldered,
This is because there are advantages such as excellent contact characteristics of the battery and low electric resistance of itself.

【0007】しかし、電極層としてAgを使うと、高温
多湿下で電極層3aと3bの間に電圧差を与えた場合、
電極層3a、3bの銀がイオン化して電位の低い方に移
動して、正特性サ−ミスタ素体2の側面5の半導体セラ
ミックから電子を受け取って銀が析出する現象が起こ
る。この現象は銀マイグレ−ション現象と呼ばれてお
り、電極間に短絡を生じさせることがある。また、銀マ
イグレーション現象は高温、多湿の条件下で硫黄やハロ
ゲンの化合物等の雰囲気によって促される。
However, when Ag is used as the electrode layer, when a voltage difference is applied between the electrode layers 3a and 3b under high temperature and high humidity,
The silver in the electrode layers 3a and 3b is ionized and moves to a lower potential, and a phenomenon occurs in which electrons are received from the semiconductor ceramic on the side surface 5 of the positive temperature coefficient thermistor body 2 and silver is precipitated. This phenomenon is called a silver migration phenomenon, and may cause a short circuit between the electrodes. Further, the silver migration phenomenon is promoted by an atmosphere such as a compound of sulfur or halogen under high temperature and high humidity conditions.

【0008】特開平3−245501号公報に記載の正
特性サーミスタとその製造方法においては、第4図、第
9図、第10図、および第11図に示されるように、A
g膜あるいはAgを主成分とする電極を除いた部分にガ
ラスコーティング膜を形成している。このようなガラス
コーティング膜は絶縁性を持つため、空気中の水分や水
分に溶け込んだ塩素により、銀がイオン化してもこの絶
縁膜上のイオンは移動できないためにマイグレーション
を防止できるとしている。
In the positive temperature coefficient thermistor and its manufacturing method described in JP-A-3-245501, as shown in FIG. 4, FIG. 9, FIG. 10, and FIG.
A glass coating film is formed on the portion excluding the g film or the electrode containing Ag as a main component. It is stated that such a glass coating film has insulating properties, so that even if silver is ionized by moisture in air or chlorine dissolved in moisture, ions on the insulating film cannot move, so that migration can be prevented.

【0009】また、特開昭61−211981号公報に
記載のPTCヒータにおいては、第1図、第2図、およ
び第3図に示されるように、電極部および導電部をガラ
ス被膜によりコーティングしている。このようなコーテ
ィングにより銀マイグレーションが抑制されるととも
に、空気中の微量の硫化水素が銀と反応してできる硫化
銀による密着性不良の弊害も防止できるとしている。
Further, in the PTC heater described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-211981, the electrode portion and the conductive portion are coated with a glass film, as shown in FIGS. 1, 2 and 3. ing. It is described that such a coating suppresses silver migration and also prevents the adverse effect of poor adhesion due to silver sulfide formed by reaction of a small amount of hydrogen sulfide in the air with silver.

【0010】さらに、特開昭57−17105号公報に
記載の正特性サーミスタにおいては、銀被膜を部分的に
設けることにより金属被膜が表面に露出している。露出
した金属被膜の酸化、腐食が起こらなければ銀はイオン
化しても電位差のない金属被膜の露出部を移動すること
ができず、シルバーマイグレーションの発生を防止する
ことができるとしている。
Furthermore, in the positive temperature coefficient thermistor described in JP-A-57-17105, a metal coating is exposed on the surface by partially providing a silver coating. It is stated that if oxidation and corrosion of the exposed metal film do not occur, even if silver is ionized, it cannot move on the exposed portion of the metal film having no potential difference, thereby preventing the occurrence of silver migration.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
正特性サーミスタには次のような問題点があった。 (1)特開平3−245501号公報に記載の正特性サ
ーミスタとその製造方法の場合には、Agを主成分とす
る電極上にはガラスコーティングをしていないので、空
気中の水分やS、Cl、Br等の化合物が付着すること
でAgはイオン化しやすい。イオン化したAgは電界方
向に移動するため、素体とガラスコーティング膜の界面
部や素体内部に浸透してマイグレーション現象が起こる
可能性が高い。
However, the conventional positive temperature coefficient thermistor has the following problems. (1) In the case of the positive temperature coefficient thermistor and its manufacturing method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-245501, the electrode containing Ag as a main component is not coated with glass. Ag is easily ionized by the attachment of compounds such as Cl and Br. Since the ionized Ag moves in the direction of the electric field, there is a high possibility that the migration phenomenon occurs by permeating into the interface between the element and the glass coating film or inside the element.

【0012】(2)特開昭61−211981号公報に
記載のPTCヒータの場合には、銀を電極材として用い
ている電極部または導電部の全面、さらにはヒータ全体
にガラス被膜をコーティングしている。しかし、ガラス
コーティングは電界の集中する部分にのみ限定すること
で充分に効果があり、必要な部分だけをコーティングし
た方がコスト面でも有利であり、また急激な温度変化に
伴うPTC素子の歪み応力の低減等による品質劣化の面
で有利となる。
(2) In the case of the PTC heater described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-211981, a glass film is coated on the entire surface of the electrode portion or conductive portion using silver as an electrode material, and on the entire heater. ing. However, the glass coating is sufficiently effective if it is limited only to the portion where the electric field is concentrated. It is advantageous to coat only the necessary portion in terms of cost, and the strain stress of the PTC element due to a rapid temperature change. This is advantageous in terms of quality deterioration due to reduction of the quality.

【0013】(3)特開昭57−17105号公報に記
載の正特性サーミスタの場合には、使用する環境によっ
ては露出した金属被膜の酸化、腐食が起こり、銀被膜と
金属被膜の界面と、金属被膜と正特性サーミスタ素体の
界面との間に電位差が生じる場合がでてくる。このとき
に銀がイオン化すると金属被膜上を銀イオンが移動して
正特性サーミスタ素体の側面部に到り、銀マイグレーシ
ョンが起こる可能性が高い。
(3) In the case of the positive temperature coefficient thermistor described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-17105, oxidation and corrosion of the exposed metal film occur depending on the use environment, and the interface between the silver film and the metal film is In some cases, a potential difference occurs between the metal film and the interface of the positive temperature coefficient thermistor body. At this time, when silver is ionized, silver ions move on the metal film and reach the side surface of the positive temperature coefficient thermistor body, and there is a high possibility that silver migration occurs.

【0014】本発明の目的は、銀を主成分とする電極層
を被覆するコーティング層に着目することにより、正特
性サーミスタの抵抗値を安定させて、正特性サーミスタ
の信頼性を向上させることにある。
An object of the present invention is to improve the reliability of a positive temperature coefficient thermistor by stabilizing the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor by focusing on a coating layer which covers an electrode layer containing silver as a main component. is there.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は上記のような目
的に鑑みてなされたものである。本発明の正特性サーミ
スタは、正特性サーミスタ素体と、銀を主成分とし、前
記正特性サーミスタ素体の主平面上に形成された電極層
と、前記電極層の中央部を残して前記電極層の端部を被
覆してなるコーティング層とを備えていることに特徴が
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above objects. The positive temperature coefficient thermistor of the present invention is a positive temperature coefficient thermistor body, an electrode layer containing silver as a main component and formed on a main plane of said positive temperature coefficient thermistor body, and said electrode layer leaving a central portion of said electrode layer. And a coating layer covering the edge of the layer.

【0016】また、本発明の正特性サ−ミスタは、正特
性サーミスタ素体と、前記正特性サーミスタ素体の主平
面上に形成されたメッキ層と、銀を主成分とし、前記メ
ッキ層上に形成された電極層と、前記電極層の中央部を
残して前記電極層の端部を被覆してなるコーティング層
とを備えていることに特徴がある。
Further, the positive temperature coefficient thermistor of the present invention comprises a positive temperature coefficient thermistor body, a plating layer formed on a main plane of the positive temperature coefficient thermistor body, and silver as a main component. And a coating layer formed by covering an end of the electrode layer except for a central portion of the electrode layer.

【0017】また、本発明の正特性サ−ミスタにおいて
は、前記コーティング層は、前記電極層の端部および前
記正特性サーミスタ素体の側面の一部分を被覆してなる
ものでもよい。
Further, in the positive temperature coefficient thermistor of the present invention, the coating layer may cover an end of the electrode layer and a part of a side surface of the positive temperature coefficient thermistor body.

【0018】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、前記コーティング層は、前記電極層の端部および前
記正特性サーミスタ素体の側面の一部分および前記メッ
キ層の露出した一部分を被覆してなるものでもよい。
Further, in the positive temperature coefficient thermistor of the present invention, the coating layer covers an end portion of the electrode layer, a part of a side surface of the positive temperature coefficient thermistor body, and an exposed part of the plating layer. May be.

【0019】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、前記コーティング層は、前記電極層の端部および前
記正特性サーミスタ素体の側面の全部分を被覆してなる
ものでもよい。
Further, in the positive temperature coefficient thermistor of the present invention, the coating layer may cover an end portion of the electrode layer and the entire side surface of the positive temperature coefficient thermistor body.

【0020】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、前記コーティング層は、前記電極層の端部および前
記正特性サーミスタ素体の側面の全部分および前記メッ
キ層の露出した一部分を被覆してなるものでもよい。
Further, in the positive temperature coefficient thermistor of the present invention, the coating layer covers an end portion of the electrode layer, the entire side surface of the positive temperature coefficient thermistor body, and an exposed part of the plating layer. It may be something.

【0021】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、前記コーティング層は、前記電極層の端部および前
記正特性サーミスタ素体の側面の全部分および前記メッ
キ層の露出した全部分を被覆してなるものでもよい。
Further, in the positive temperature coefficient thermistor of the present invention, the coating layer covers an end portion of the electrode layer, a whole side surface of the positive temperature coefficient thermistor body, and a whole exposed portion of the plating layer. It may be.

【0022】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、前記コーティング層によって被覆された前記電極層
の端部の幅は100μm以上であることが好ましい。
Further, in the positive temperature coefficient thermistor of the present invention, the width of the end portion of the electrode layer covered with the coating layer is preferably 100 μm or more.

【0023】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、前記コーティング層は、B、Si、Bi、Zn、P
b、Baの組成のうち少なくとも2種類からなるガラス
であるとともに、前記ガラスの軟化点が250℃以上で
あることが好ましい。
In the PTC thermistor according to the present invention, the coating layer is made of B, Si, Bi, Zn, P
It is preferable that the glass is composed of at least two of the compositions of b and Ba, and the softening point of the glass is 250 ° C. or higher.

【0024】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、前記コーティング層は、吸水率が1.0%以下であ
り、かつ、荷重たわみ温度が前記正特性サーミスタ素体
の発熱温度以上の樹脂であることが好ましい。
In the PTC thermistor according to the present invention, the coating layer is a resin having a water absorption of 1.0% or less and a deflection temperature under load equal to or higher than the heat generation temperature of the PTC thermistor body. Is preferred.

【0025】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、前記コーティング層の硫黄、塩素、または臭素の合
計の含有率が100ppm以下であることが好ましい。
In the positive temperature coefficient thermistor of the present invention, the coating layer preferably has a total content of sulfur, chlorine or bromine of 100 ppm or less.

【0026】[0026]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。本発明の正特性サーミスタは、正特性サー
ミスタ素体と、銀を主成分とし、正特性サーミスタ素体
の主平面上に形成された電極層と、電極層の中央部を残
して電極層の端部を被覆してなるコーティング層とを備
えているものである。このような構成を有することによ
って、正特性サーミスタの抵抗値を安定させて、正特性
サーミスタの信頼性を向上させることが可能となる。
Embodiments of the present invention will be described below. The positive temperature coefficient thermistor of the present invention includes a positive temperature coefficient thermistor body, an electrode layer mainly composed of silver and formed on a main plane of the positive temperature coefficient thermistor body, and an end of the electrode layer except for a central portion of the electrode layer. And a coating layer covering the portion. With such a configuration, the resistance value of the positive temperature coefficient thermistor can be stabilized, and the reliability of the positive temperature coefficient thermistor can be improved.

【0027】すなわち、正特性サ−ミスタの両電極層間
に電圧をかけたときに、電界が集中するのは電極層の端
部である。この部分をコーティング層で覆い保護するこ
とで、電極層がイオン化するための原因物質である水分
や硫黄やハロゲン化合物等が付着するのを妨げ、結果と
して銀イオンの生成が抑えられる。銀イオンを動かす電
界は生じているが、銀イオンが生成しないため、銀マイ
グレーションは起こらない。他の電極部分に水や硫黄や
ハロゲン化合物が付着しても銀イオンを動かす電位差が
生じていないため、銀マイグレーションは起こらない。
That is, when a voltage is applied between both electrode layers of the positive temperature coefficient thermistor, the electric field concentrates at the end of the electrode layer. By covering and protecting this portion with a coating layer, adhesion of water, sulfur, a halogen compound, or the like, which is a substance causing ionization of the electrode layer, is prevented, and as a result, generation of silver ions is suppressed. Although an electric field for moving silver ions is generated, silver migration does not occur because silver ions are not generated. Even if water, sulfur, or a halogen compound adheres to the other electrode portions, no silver ion migration occurs because no potential difference for moving silver ions is generated.

【0028】また、本発明の正特性サーミスタは、正特
性サーミスタ素体と、正特性サーミスタ素体の主平面上
に形成されたメッキ層と、銀を主成分とし、メッキ層上
に形成された電極層と、電極層の中央部を残して電極層
の端部を被覆してなるコーティング層とを備えているも
のである。このような構成を有することによって、上述
した理由と同様に電極層の銀マイグレーションを防止す
ることが可能となる。
Further, the positive temperature coefficient thermistor of the present invention is formed on a positive temperature coefficient thermistor body, a plating layer formed on the main plane of the positive temperature coefficient thermistor body, and a plating layer containing silver as a main component. It comprises an electrode layer, and a coating layer formed by covering an end of the electrode layer except for a central portion of the electrode layer. With such a configuration, it is possible to prevent silver migration of the electrode layer in the same manner as described above.

【0029】なお、上記電極層の端部とは、電極層の中
央部周辺の領域を除く部分ということであり、中央部と
端部との領域面積の大小関係などは特にないが、コーテ
ィング層の形成という面から見ると、電極層の表面には
コーティングされている部分とコーティングされていな
い部分があり、上述した理由によりコーティングされる
必要がある電極層の周縁部を端部としている。
The edge of the electrode layer is a portion excluding a region around the center of the electrode layer. There is no particular relationship between the area of the center and the edge of the electrode layer. In view of the formation of the electrode layer, the surface of the electrode layer has a coated portion and an uncoated portion, and the peripheral portion of the electrode layer which needs to be coated for the above-described reason is an end.

【0030】ここで、コーティング層が被覆する部分
は、上記のように電極層の端部が必ず被覆されているも
のであれば、その他の例えば正特性サーミスタ素体の側
面への被覆や、メッキ層の露出した部分への被覆などに
は特に限定されるものではない。正特性サーミスタ素体
の側面またはメッキ層を一部分被覆するかあるいは全部
被覆するかは、例えば製造工程を考慮すれば全部被覆す
る方が工程の簡略化が図れる場合もあるし、製造コスト
を考慮すれば部分被覆する方がコスト面では有利であっ
たり、特性面を考慮すれば全部被覆するよりも部分被覆
する方が熱交換が良好であり、コーティング層の加工時
の歪み等の影響が少なく、クラックの発生を防止する場
合もある。従って、その他の部分の被覆形状には用途、
目的に応じて種々の形状が考えられる。
Here, the portion covered by the coating layer may be any other coating, such as coating on the side surface of the positive temperature coefficient thermistor element, or plating, as long as the end of the electrode layer is necessarily coated as described above. There is no particular limitation on coating the exposed portion of the layer. Whether the side surface of the positive temperature coefficient thermistor body or the plating layer is partially covered or entirely covered may be simplified by, for example, considering the manufacturing process if the whole is covered, or considering the manufacturing cost. For example, partial coating is more advantageous in terms of cost, or considering partial characteristics, partial coating has better heat exchange than full coating, and has less influence such as distortion during processing of the coating layer, In some cases, cracks are prevented from occurring. Therefore, for other parts of the coating shape,
Various shapes are conceivable depending on the purpose.

【0031】また、上記メッキ層の形成方法において
は、種々のメッキ処理が可能である。具体例としては、
無電解メッキ法、蒸着法、スパッタ法などが挙げられ
る。
In the method of forming the plating layer, various plating processes can be performed. As a specific example,
Examples include an electroless plating method, an evaporation method, and a sputtering method.

【0032】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、コーティング層によって被覆された電極層の端部の
幅は100μm以上であることが好ましい。このコーテ
ィング幅が100μm未満と小さい場合には、水分や硫
黄やハロゲン化合物が付着して生じた銀イオンが、電界
集中の状況によってはコーティング層を飛び越えて移動
してしまうため、銀マイグレーションが発生したものと
考えられる。電界強度は電圧、電極構造、または電極の
加工精度により変わるが、通常の50〜300Vで動作
する正特性サ−ミスタではコーティング幅を100μm
以上とすることで銀マイグレーションを抑える効果が高
まる。なお、本発明においては、電極層の中央部を残す
ようにコーティングするので上限がそれにより限定され
るのは言うまでもない。
Further, in the positive temperature coefficient thermistor of the present invention, the width of the end of the electrode layer covered with the coating layer is preferably 100 μm or more. When the coating width is as small as less than 100 μm, silver migration caused by adhesion of moisture, sulfur, or a halogen compound is caused by jumping over the coating layer depending on electric field concentration. It is considered something. The electric field strength varies depending on the voltage, the electrode structure, or the processing accuracy of the electrode, but the coating width is 100 μm with a normal thermistor operating at 50 to 300 V.
By doing so, the effect of suppressing silver migration increases. In the present invention, since the coating is performed so as to leave the central portion of the electrode layer, it goes without saying that the upper limit is limited thereby.

【0033】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、コーティング層は、B、Si、Bi、Zn、Pb、
Baの組成のうち少なくとも2種類からなるガラスであ
るとともに、ガラスの軟化点が250℃以上であること
が好ましい。
In the PTC thermistor of the present invention, the coating layer is made of B, Si, Bi, Zn, Pb,
It is preferable that the glass is composed of at least two kinds of Ba compositions, and that the glass has a softening point of 250 ° C. or higher.

【0034】なぜなら、高温で動作する正特性サ−ミス
タでは、コーティングするガラス材の軟化する温度が低
い場合には、コーティング材とサーミスタ素体との間に
銀マイグレーション物質である銀が浸透し易くなる危険
性がある。高軟化点のガラスをコーティング材として用
いた場合には、高温でもサーミスタ素体との接合強度が
保たれるため、銀マイグレ−ションを抑える効果が高ま
るからである。軟化点が250℃未満の場合には、銀マ
イグレーションの発生によると思われる正特性サーミス
タの抵抗値の低下が生じるので好ましくない。
In a positive temperature coefficient thermistor operating at a high temperature, when the softening temperature of the glass material to be coated is low, silver as a silver migration substance easily penetrates between the coating material and the thermistor body. There is a danger of becoming. This is because when glass having a high softening point is used as the coating material, the bonding strength with the thermistor body is maintained even at a high temperature, and the effect of suppressing silver migration is enhanced. If the softening point is lower than 250 ° C., the resistance of the positive temperature coefficient thermistor, which is considered to be caused by the occurrence of silver migration, is undesirably reduced.

【0035】また、上記ガラス組成のうち、より好まし
くはPb−Si系、Si−Bi系のガラスである。
Further, among the above glass compositions, Pb-Si-based and Si-Bi-based glasses are more preferred.

【0036】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、コーティング層は、吸水率が1.0%以下であり、
かつ、荷重たわみ温度が正特性サーミスタ素体の発熱温
度以上の樹脂であることが好ましい。
Further, in the positive temperature coefficient thermistor of the present invention, the coating layer has a water absorption of 1.0% or less,
Further, it is preferable that the resin is a resin whose deflection temperature under load is equal to or higher than the heat generation temperature of the positive temperature coefficient thermistor body.

【0037】なぜなら、荷重たわみ温度の高い樹脂をコ
ーティング材として用いた場合には、高温でもサーミス
タ素体との接合強度が保たれるため、銀マイグレ−ショ
ンを抑える効果が高まる。また、銀マイグレーションの
原因物質のひとつである水を吸着しないコーティング材
を使用することで、銀マイグレーションを抑える効果が
更に高まる。吸水率が1.0%を超える場合には、銀マ
イグレーションが発生してしまうので好ましくない。荷
重たわみ温度がサーミスタ素体の発熱温度未満の場合に
は、銀マイグレーションが発生してしまうので好ましく
ない。
When a resin having a high deflection temperature under load is used as the coating material, the bonding strength with the thermistor body is maintained even at a high temperature, and the effect of suppressing silver migration is enhanced. Further, by using a coating material that does not absorb water, which is one of the substances causing silver migration, the effect of suppressing silver migration is further enhanced. When the water absorption exceeds 1.0%, silver migration occurs, which is not preferable. If the deflection temperature under load is lower than the heat generation temperature of the thermistor body, silver migration occurs, which is not preferable.

【0038】また、本発明の正特性サーミスタにおいて
は、コーティング層の硫黄、塩素、または臭素の合計の
含有率が100ppm以下であることが好ましい。
[0038] In the PTC thermistor of the present invention, the total content of sulfur, chlorine or bromine in the coating layer is preferably 100 ppm or less.

【0039】なぜなら、高温負荷試験において発生する
銀マイグレ−ションの発生原因のひとつが、銀と大気中
に微量存在している硫黄化合物やハロゲン化物との反応
である。これらが、正特性サ−ミスタの銀を主成分とす
る電極層に付着することでイオン化した銀が電極中に存
在し得るようになる。例えば、銀と硫黄化合物の場合に
はイオン結合である硫化銀を形成し、銀イオンが格子の
間に入りやすくなる。また、銀とハロゲン化物の場合に
はイオン結合であるハロゲン化銀を形成し、銀イオンが
格子の間に入りやすくなる。銀イオンが電界の影響で移
動する現象が銀マイグレーションであるので、イオン化
の原因物質である硫黄やハロゲン化物を排除することで
銀マイグレーションの防止効果は更に高まるからであ
る。なお、ヨウ素などの他のハロゲン元素による銀イオ
ン化の防止にも効果があると考えられる。また、硫黄、
塩素、または臭素の含有率が100ppmを超える場合
には、銀マイグレーションが発生してしまうので好まし
くない。
One of the causes of silver migration occurring in a high temperature load test is a reaction between silver and a sulfur compound or a halide present in a trace amount in the atmosphere. When these adhere to the electrode layer mainly composed of silver of the positive temperature coefficient thermistor, ionized silver can be present in the electrode. For example, in the case of silver and a sulfur compound, silver sulfide which is an ionic bond is formed, and silver ions easily enter between lattices. In the case of silver and halide, silver halide, which is an ionic bond, is formed, and silver ions easily enter between lattices. This is because silver migration is a phenomenon in which silver ions move under the influence of an electric field, and the effect of preventing silver migration is further enhanced by eliminating sulfur and halides that are the causes of ionization. It is considered that this is also effective in preventing silver ionization by other halogen elements such as iodine. Also, sulfur,
When the content of chlorine or bromine exceeds 100 ppm, silver migration occurs, which is not preferable.

【0040】次に、本発明を実施例に基づき、さらに具
体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定さ
れるものではない。
Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to only these examples.

【0041】[0041]

【実施例】本発明の一実施例である正特性サ−ミスタ1
について説明する。図1〜図6は正特性サ−ミスタの垂
直断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A PTC thermistor 1 according to an embodiment of the present invention.
Will be described. 1 to 6 are vertical sectional views of a positive temperature coefficient thermistor.

【0042】正特性サーミスタ素体2は円板状の構造を
有し、BaTiO3等のセラミック材料からなってい
る。図1に示す正特性サ−ミスタ1は正特性サーミスタ
素体2の上下面にAg−Zn、Ag−Sb等からなるオ
−ム接触の銀を主成分とする電極層3a、3bが形成さ
れている。図2で示す正特性サ−ミスタ1は正特性サ−
ミスタ素体2の上下面にNi、Cu、Au、In等の無
電解メッキにより形成されたオ−ム接触のメッキ層4
a、4bに加えてその表面に銀を主成分とする電極層3
a、3bが形成されている。
The positive temperature coefficient thermistor body 2 has a disk-like structure and is made of a ceramic material such as BaTiO 3 . In the positive temperature coefficient thermistor 1 shown in FIG. 1, electrode layers 3a and 3b mainly composed of ohmic silver composed of Ag-Zn, Ag-Sb and the like are formed on the upper and lower surfaces of the positive temperature coefficient thermistor body 2. ing. The positive temperature coefficient thermistor 1 shown in FIG.
An ohmic contact plating layer 4 formed by electroless plating of Ni, Cu, Au, In, etc. on the upper and lower surfaces of the myster body 2.
a, an electrode layer 3 containing silver as a main component on its surface
a, 3b are formed.

【0043】さらに、ガラス材料あるいは耐熱性と耐水
性を兼ね備える樹脂を用い、吹き付け法やスクリーン印
刷法等の手段により形成したコーティング層6を付着さ
せる。ガラス材料を用いた場合には、約500℃〜90
0℃の温度で焼き付け処理を行い、樹脂材料を用いた場
合には、種類に応じて硬化剤の添加や加熱、乾燥処理を
行う。
Further, using a glass material or a resin having both heat resistance and water resistance, a coating layer 6 formed by means such as spraying or screen printing is adhered. When a glass material is used, about 500 ° C. to 90 ° C.
When a baking process is performed at a temperature of 0 ° C. and a resin material is used, a curing agent is added, and a heating and drying process is performed according to the type.

【0044】このような加工を経て、コーティング層6
は次のような状態になるように形成される。 (1)電極層3a、3bの中央部を残して電極層3a、
3bの端部3a1、3b1のみを被覆する(図5、図
6)。 (2)電極層3a、3bの端部3a1、3b1および正特
性サーミスタ素体2の側面5の一部分を被覆する(図
3)。 (3)電極層3a、3bの端部3a1、3b1および正特
性サーミスタ素体2の側面5の一部分およびメッキ層4
a、4bの露出した一部分を被覆する(図4)。 (4)電極層3a、3bの端部3a1、3b1および正特
性サーミスタ素体2の側面5の全部分を被覆する(図
1)。 (5)電極層3a、3bの端部3a1、3b1および正特
性サーミスタ素体2の側面5の全部分およびメッキ層4
a、4bの露出した一部分を被覆する(図7、図8)。 (6)電極層3a、3bの端部3a1、3b1および正特
性サーミスタ素体2の側面5の全部分およびメッキ層4
a、4bの露出した全部分を被覆する(図2)。
After such processing, the coating layer 6
Are formed in the following state. (1) The electrode layers 3a, 3b, except for the central portions of the electrode layers 3a, 3b,
End 3a 1 of 3b, 3b 1 only covers (5, 6). (2) The ends 3a 1 , 3b 1 of the electrode layers 3a, 3b and a part of the side surface 5 of the positive temperature coefficient thermistor body 2 are covered (FIG. 3). (3) End portions 3a 1 , 3b 1 of electrode layers 3a, 3b, part of side surface 5 of positive temperature coefficient thermistor body 2, and plating layer 4
Cover the exposed portions of a, 4b (FIG. 4). (4) The end portions 3a 1 and 3b 1 of the electrode layers 3a and 3b and the entire side surface 5 of the positive temperature coefficient thermistor body 2 are covered (FIG. 1). (5) The end portions 3a 1 , 3b 1 of the electrode layers 3a, 3b, the entire side surface 5 of the positive temperature coefficient thermistor body 2, and the plating layer 4
Cover the exposed portions of a and 4b (FIGS. 7 and 8). (6) The end portions 3a 1 , 3b 1 of the electrode layers 3a, 3b, the entire side surface 5 of the positive temperature coefficient thermistor body 2, and the plating layer 4
Cover all exposed portions of a and 4b (FIG. 2).

【0045】以下では、より詳細な実施例について説明
する。 (実施例1)まず、BaTiO3のBaの一部をCeで
置き換えたものにCuOを0.005重量%添加したも
のを厚み3mm、20φの円板状に成形して、1320
℃で1時間焼成した。このサーミスタ素体2を使用し、
銀マイグレ−ションに関する評価を行った。
Hereinafter, more detailed embodiments will be described. (Example 1) First, by molding a material obtained by adding CuO 0.005% by weight of a part of Ba of BaTiO 3 to that replaced by Ce thickness 3 mm, the disc-shaped 20Fai, 1320
Calcination was carried out at ℃ for 1 hour. Using this thermistor body 2,
The evaluation regarding silver migration was performed.

【0046】サーミスタ素体2上に銀、微量の亜鉛から
なる金属粉末50重量部と、B−Si−Bi系のガラス
フリット0.3重量部と、残りを有機ビヒクルとからな
る導電ペ−ストをスクリ−ン印刷後、700℃で焼き付
けて銀を主成分とする電極層3a、3bを形成した。
A conductive paste composed of 50 parts by weight of a metal powder composed of silver and a small amount of zinc, 0.3 parts by weight of a B-Si-Bi-based glass frit, and the remainder being an organic vehicle, on the thermistor body 2 Was screen printed and baked at 700 ° C. to form electrode layers 3a and 3b mainly containing silver.

【0047】同様にサーミスタ素体2上にNiを無電解
メッキ処理後、150℃で1時間熱処理を行い、研磨加
工によりサーミスタ素体2の側面5に相当する円筒部の
メッキ層を取り除いた。あわせて同様の加工をAuを無
電解メッキ処理したものについても行った。
Similarly, Ni was electrolessly plated on the thermistor body 2, heat-treated at 150 ° C. for 1 hour, and the cylindrical plating layer corresponding to the side surface 5 of the thermistor body 2 was removed by polishing. At the same time, the same processing was also performed on Au which had been subjected to electroless plating.

【0048】上記Ni、Auからなるそれぞれのメッキ
層4a、4b上に、銀粉末50重量部、B−Si−Bi
系ガラスフリット0.3重量部と残りを有機ビヒクルと
からなる導電ペ−ストをスクリ−ン印刷後、700℃で
焼き付けて電極層3a、3bを形成した。次に、B−S
i−Bi系ガラスによるコーティング層6−1、B−S
i−Pb系ガラスによるコーティング層6−2、あるい
はポリアミド系の耐熱性樹脂によるコーティング層6−
3を上述したような状態にコーティングし、コーティン
グ層6を形成した。なお、ガラス、樹脂ともにペースト
状に加工したものをスクリーン印刷法を用いて塗布した
後にガラスコーティング層6−1、6−2は500〜6
00℃で焼き付け、樹脂コーティング層6−3は150
℃で乾燥、硬化させた。
On each of the plating layers 4a and 4b made of Ni and Au, 50 parts by weight of silver powder and B-Si-Bi
A conductive paste consisting of 0.3 parts by weight of a system glass frit and the remainder of the organic vehicle was screen-printed and baked at 700 ° C. to form electrode layers 3a and 3b. Next, BS
Coating layer 6-1 by i-Bi-based glass, BS
i-Pb-based coating layer 6-2 or polyamide-based heat-resistant resin coating layer 6-2
3 was coated as described above to form a coating layer 6. The glass coating layers 6-1 and 6-2 are 500 to 6 after the glass and the resin are processed into a paste and applied by screen printing.
Baking at 00 ° C, the resin coating layer 6-3 is 150
It was dried and cured at ℃.

【0049】これらの試料をH2S雰囲気下で印加電圧
100V(AC60Hz)、温度300℃、500hr
の負荷をかけた後の試料の抵抗値(20℃)と銀マイグ
レ−ションの有無を調べた。また、サーミスタ素体2の
側面5のコーティング幅を変えて測定した。これらの結
果を表1に示す。なお、○印は正常、×印は銀マイグレ
−ションが起こっていることを示す。
These samples were subjected to an applied voltage of 100 V (AC 60 Hz), a temperature of 300 ° C. and 500 hours in an atmosphere of H 2 S.
After applying a load, the sample was examined for resistance (20 ° C.) and the presence or absence of silver migration. Further, the measurement was performed while changing the coating width of the side surface 5 of the thermistor body 2. Table 1 shows the results. In addition, the mark 正常 indicates normal, and the mark X indicates that silver migration has occurred.

【0050】[0050]

【表1】 [Table 1]

【0051】表1に示されているように、従来品に比べ
て本発明品の正特性サ−ミスタは高温、汚染雰囲気下の
通電によって起こる銀を主成分とした電極層の銀マイグ
レ−ションの発生を防ぐことができる。また、銀電極層
の端部上をコーティング材料が覆っていれば、サーミス
タ素体の側面全体をコーティング層で覆う必要がないこ
とが分かる。
As shown in Table 1, the positive temperature coefficient thermistor of the present invention has a silver migration of an electrode layer containing silver as a main component which is generated by energization under a high-temperature and polluted atmosphere, as compared with the conventional product. Can be prevented. Further, it can be seen that if the coating material covers the edge of the silver electrode layer, it is not necessary to cover the entire side surface of the thermistor body with the coating layer.

【0052】また、コーティング層の形成を一部分に抑
えることで、使用量の低減を図ることができるととも
に、サーミスタ素体に対する応力歪をも緩和できる利点
が期待できる。
In addition, by suppressing the formation of the coating layer to a part, it is possible to reduce the amount of use, and it can be expected to have an advantage that stress strain on the thermistor body can be reduced.

【0053】(実施例2)次に、Ag−Zn電極層3
a、3bを形成した正特性サーミスタ1、及びNiメッ
キ層4a、4b上にAg電極層3a、3bを形成した正
特性サ−ミスタ1のそれぞれにコーティング層6を作製
した。このとき、銀電極層3a、3bの端部3a1、3
1を覆う幅(図1〜図8で示す幅x)を0〜500μ
mまで変えながら作製した。なお、この際にサ−ミスタ
素体2の側面5のコーティングは、図3、図4で示すよ
うに一部分にのみ行った。
Example 2 Next, the Ag—Zn electrode layer 3
A coating layer 6 was formed on each of the positive temperature coefficient thermistor 1 on which a and 3b were formed and the positive temperature coefficient thermistor 1 on which the Ag electrode layers 3a and 3b were formed on the Ni plating layers 4a and 4b. At this time, the ends 3a 1 , 3a of the silver electrode layers 3a, 3b
b 1 covering width 0~500μ (width x shown in FIGS. 1-8)
m. At this time, the coating of the side surface 5 of the thermistor body 2 was performed only on a part as shown in FIGS.

【0054】これらの試料をH2S雰囲気下で印加電圧
100V(AC60Hz)、温度300℃、500hr
の負荷をかけた後の試料の抵抗値(20℃)と銀マイグ
レ−ションの有無を調べた。これらの結果を表2に示
す。なお、○印は正常、×印は銀マイグレ−ションが起
こっていることを示す。
These samples were subjected to an applied voltage of 100 V (AC 60 Hz), a temperature of 300 ° C. and 500 hours in an H 2 S atmosphere.
After applying a load, the sample was examined for resistance (20 ° C.) and the presence or absence of silver migration. Table 2 shows the results. In addition, the mark 正常 indicates normal, and the mark X indicates that silver migration has occurred.

【0055】[0055]

【表2】 [Table 2]

【0056】表2に示されるように、本発明品は高温、
汚染雰囲気下での通電によって起こる銀を主成分とした
電極層の銀マイグレ−ションの発生を防ぐことができ
る。しかし、市場の汚染物質や空気中の水分を効果的に
遮断するためには、コーティング幅を規定する必要があ
る。銀を主成分とする電極層の端部をコーティングする
ガラスまたは耐熱性樹脂のコーティング幅は少なくとも
100μm以上なければ、銀マイグレーションの防止効
果としては不十分であることが分かる。
As shown in Table 2, the product of the present invention was subjected to high temperature,
It is possible to prevent silver migration of an electrode layer containing silver as a main component, which is caused by energization in a polluted atmosphere. However, in order to effectively block market contaminants and air moisture, it is necessary to define the coating width. It can be seen that the effect of preventing silver migration is insufficient unless the coating width of the glass or heat-resistant resin coating the edge of the electrode layer containing silver as a main component is at least 100 μm or more.

【0057】(実施例3)次に、Ceの添加量を変えて
発熱温度を150℃、200℃とした正特性サ−ミスタ
素体2にAg−Zn電極層3a、3bを形成した正特性
サーミスタ1、及びNiメッキ層4a、4b上にAg電
極層3a、3bを形成し、その端部3a1、3b1にB、
Si、Bi、Zn、Pb、Baの2種類以上の組合せか
らなるガラスを用いて銀電極層3a、3bの端部3
1、3b1上に50μmの幅でコーティング層6を形成
した正特性サーミスタ1をそれぞれ作製した。なお、こ
の際にサ−ミスタ素体2の側面5のコーティングは、図
3、図4で示すように一部分にのみ行った。
Example 3 Next, the positive characteristic thermistor body 2 was formed with the Ag-Zn electrode layers 3a and 3b formed on the positive temperature thermistor body 2 at different exothermic temperatures of 150.degree. Ag electrode layers 3a and 3b are formed on the thermistor 1 and the Ni plating layers 4a and 4b, and B is formed on the ends 3a 1 and 3b 1 .
The end portions 3 of the silver electrode layers 3a and 3b are formed by using a glass made of a combination of two or more types of Si, Bi, Zn, Pb and Ba.
Positive temperature coefficient thermistors 1 each having a coating layer 6 formed on a 1 and 3b 1 with a width of 50 μm were produced. At this time, the coating of the side surface 5 of the thermistor body 2 was performed only on a part as shown in FIGS.

【0058】これらの試料をH2S雰囲気下で印加電圧
100V(AC60Hz)、2000hrの負荷をかけ
た後の試料の抵抗値(20℃)と銀マイグレ−ションの
有無を調べた。これらの結果を表3に示す。なお、○印
は正常、×印は銀マイグレ−ションが起こっていること
を示す。
These samples were tested for resistance (20 ° C.) and the presence or absence of silver migration after applying a load of 2,000 hours under an applied voltage of 100 V (AC 60 Hz) in an H 2 S atmosphere. Table 3 shows the results. In addition, the mark 正常 indicates normal, and the mark X indicates that silver migration has occurred.

【0059】[0059]

【表3】 [Table 3]

【0060】表3に示されるように、ガラスの構成元素
の種類によらず、ガラス軟化点の低いもので銀マイグレ
−ションの発生に伴う正特性サ−ミスタの抵抗の低下が
みられる。軟化する温度が低いものほど高温負荷試験条
件下では銀イオンの移動を阻止できずにガラスとサーミ
スタ素体の界面に銀マイグレ−ションが起こってしま
う。ガラスが軟化することでコーティング層とサーミス
タ素体の界面に銀イオンが侵入しやすくなるため、ある
いはガラス中にAgイオンが拡散して、ガラスがイオン
の媒体として働くためと考えられる。ガラス材料は、高
温下でのシール効果を安定的に機能させるため、材料の
選定基準として、より高い軟化点を有するガラス材料を
使用する方がよいことが分かる。
As shown in Table 3, the resistance of the positive temperature coefficient thermistor decreases with the occurrence of silver migration at a low glass softening point irrespective of the type of glass constituent elements. The lower the softening temperature is, the more the migration of silver ions cannot be prevented under the conditions of the high temperature load test, and silver migration occurs at the interface between the glass and the thermistor body. It is considered that the softening of the glass makes it easier for silver ions to enter the interface between the coating layer and the thermistor body, or that the Ag ions diffuse into the glass and the glass acts as an ion medium. It can be seen that a glass material having a higher softening point should be used as a material selection criterion in order to stably function as a glass material at a high temperature.

【0061】(実施例4)次に、発熱温度が異なる2種
類の正特性サーミスタ素体2を用意した。続いてこのサ
ーミスタ素体2上にAg−Zn電極層3a、3bを形成
した正特性サーミスタ1を作製した。そして、各種耐熱
性樹脂を用いて銀を主成分とする電極層3a、3bの端
部3a1、3b1に幅100μmでコ−ティングを行っ
た。なお、この際にサ−ミスタ素体2の側面5のコーテ
ィングは図3に示すように一部分にのみ行った。
Example 4 Next, two types of positive temperature coefficient thermistor bodies 2 having different heating temperatures were prepared. Subsequently, a positive temperature coefficient thermistor 1 in which Ag-Zn electrode layers 3a and 3b were formed on the thermistor body 2 was produced. Then, coating was performed with a width of 100 μm on the ends 3a 1 and 3b 1 of the electrode layers 3a and 3b containing silver as a main component using various heat-resistant resins. At this time, the coating of the side surface 5 of the thermistor body 2 was performed only on a part as shown in FIG.

【0062】これらの試料をH2S雰囲気下で印加電圧
100V(AC60Hz)、湿度70%、2000hr
の負荷をかけた後の試料の抵抗値(20℃)と銀マイグ
レ−ションの有無を調べた。これらの結果を表4に示
す。なお、○印は正常、×印は銀マイグレ−ションが起
こっていることを示す。
[0062] The samples H 2 S atmosphere at an applied voltage 100V (AC60Hz), humidity 70%, 2000 hr
After applying a load, the sample was examined for resistance (20 ° C.) and the presence or absence of silver migration. Table 4 shows the results. In addition, the mark 正常 indicates normal, and the mark X indicates that silver migration has occurred.

【0063】[0063]

【表4】 [Table 4]

【0064】表4に示されるように、発熱温度が150
℃の正特性サ−ミスタでは、コーティング樹脂の吸水率
が1.20%のもので銀マイグレ−ションを確認してい
る。同様に発熱温度が200℃の正特性サ−ミスタは吸
水率が1.20%のものと荷重たわみ温度が234℃以
下のもので銀マイグレ−ションを確認している。吸水率
の高い樹脂では双方の正特性サ−ミスタで銀マイグレ−
ションが起こっているのに加えて、発熱温度200℃の
正特性サ−ミスタでは荷重たわみ温度が発熱温度を下回
るもので銀マイグレ−ションが起こっている。銀マイグ
レ−ションを効果的に抑える耐熱性樹脂は吸水率が1%
未満で荷重たわみ温度が発熱温度より高いものをコーテ
ィング材料として選定する必要がある。
As shown in Table 4, the heat generation temperature was 150
With a positive temperature coefficient thermistor at ° C, silver migration was confirmed when the water absorption of the coating resin was 1.20%. Similarly, a positive temperature coefficient thermistor having an exothermic temperature of 200 ° C. has a water absorption of 1.20% and a deflection temperature under load of 234 ° C. or less, and silver migration has been confirmed. For resins with high water absorption, both positive temperature coefficient thermistors use silver migrating.
In addition to the occurrence of the migration, the positive temperature coefficient thermistor having an exothermic temperature of 200 ° C. has a deflection temperature under load lower than the exothermic temperature and causes silver migration. Heat-resistant resin that effectively suppresses silver migration has a water absorption of 1%
It is necessary to select a coating material having a deflection temperature under load lower than the exothermic temperature.

【0065】(実施例5)次に、正特性サーミスタ素体
2上にAg−Zn電極層3a、3bを形成した正特性サ
−ミスタ1に吸水率0.50%、荷重たわみ温度240
℃のフェノ−ル樹脂を銀を主成分とする電極層3a、3
bの端部3a1、3b1に100μmの幅でコ−ティング
を行った。使用したフェノ−ル樹脂中にはそれぞれ硫
黄、塩素、臭素の任意量を添加したものを用いた。これ
らの試料を印加電圧100V(AC60Hz)、温度2
00℃、2000hrの負荷をかけた後の試料の抵抗値
(20℃)と銀マイグレ−ションの有無を調べた。これ
らの結果を表5に示す。なお、○印は正常、×印は銀マ
イグレ−ションが起こっていることを示す。
(Example 5) Next, a positive temperature coefficient thermistor 1 having Ag-Zn electrode layers 3a and 3b formed on a positive temperature coefficient thermistor body 2 has a water absorption of 0.50% and a deflection temperature under load of 240.
Electrode layers 3a, 3a containing a phenolic resin of silver
The ends 3a 1 and 3b 1 of b were coated with a width of 100 μm. The phenolic resins used were those to which arbitrary amounts of sulfur, chlorine and bromine were added. These samples were applied at an applied voltage of 100 V (AC 60 Hz) and a temperature of
After applying a load of 2000 hours at 00 ° C., the resistance (20 ° C.) of the sample and the presence or absence of silver migration were examined. Table 5 shows the results. In addition, the mark 正常 indicates normal, and the mark X indicates that silver migration has occurred.

【0066】[0066]

【表5】 [Table 5]

【0067】表5に示されるように、樹脂中にS、C
l、Brを少なくとも100ppmを超えて含むものは
銀マイグレ−ションが発生する。これらの不純物の含有
量を100ppm以下に抑えることで更に銀マイグレー
ションを抑える効果をもつ。
As shown in Table 5, S and C were contained in the resin.
Those containing l and Br in excess of at least 100 ppm cause silver migration. By suppressing the content of these impurities to 100 ppm or less, silver migration is further suppressed.

【0068】[0068]

【発明の効果】本発明の正特性サーミスタを用いれば、
銀を主成分とする電極層または銀電極層を被覆するコー
ティング層に着目することにより、高温、多湿の市場環
境下で発生する危険性が高い銀マイグレーションの発生
を防止することができるので、正特性サーミスタの抵抗
値が安定する。従って、正特性サーミスタの信頼性をよ
り一層向上させることが可能である。
By using the thermistor of the present invention,
By focusing on an electrode layer containing silver as a main component or a coating layer covering the silver electrode layer, it is possible to prevent the occurrence of silver migration, which is likely to occur in a high-temperature, high-humidity market environment, so that positive The resistance value of the characteristic thermistor is stabilized. Therefore, it is possible to further improve the reliability of the positive temperature coefficient thermistor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例である正特性サーミスタの概
略斜視図。
FIG. 1 is a schematic perspective view of a positive temperature coefficient thermistor according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例である正特性サーミスタの垂
直断面図。
FIG. 2 is a vertical sectional view of a positive temperature coefficient thermistor according to one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例である正特性サーミスタの垂
直断面図。
FIG. 3 is a vertical sectional view of a positive temperature coefficient thermistor according to one embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例である正特性サーミスタの垂
直断面図。
FIG. 4 is a vertical sectional view of a positive temperature coefficient thermistor according to one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例である正特性サーミスタの垂
直断面図。
FIG. 5 is a vertical sectional view of a positive temperature coefficient thermistor according to one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例である正特性サーミスタの垂
直断面図。
FIG. 6 is a vertical sectional view of a positive temperature coefficient thermistor according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例である正特性サーミスタの垂
直断面図。
FIG. 7 is a vertical sectional view of a positive temperature coefficient thermistor according to one embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施例である正特性サーミスタの垂
直断面図。
FIG. 8 is a vertical sectional view of a positive temperature coefficient thermistor according to one embodiment of the present invention.

【図9】従来の正特性サーミスタの垂直断面図。FIG. 9 is a vertical sectional view of a conventional positive temperature coefficient thermistor.

【図10】従来の正特性サーミスタの垂直断面図。FIG. 10 is a vertical sectional view of a conventional PTC thermistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 正特性サーミスタ 2 正特性サーミスタ素体 3a、3b 電極層 3a1、3b1 電極層の端部 4a、4b メッキ層 5 正特性サーミスタ素体の側面 6 コーティング層1 PTC thermistor 2 PTC thermistor element 3a, 3b electrode layer 3a 1, 3b 1 end 4a of the electrode layer, 4b plating layer 5 thermistor sides 6 coating layer of the element body

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 正特性サーミスタ素体と、銀を主成分と
し、前記正特性サーミスタ素体の主平面上に形成された
電極層と、前記電極層の中央部を残して前記電極層の端
部を被覆してなるコーティング層とを備えていることを
特徴とする正特性サ−ミスタ。
1. A positive temperature coefficient thermistor body, an electrode layer containing silver as a main component and formed on a main plane of said positive temperature coefficient thermistor body, and an end of said electrode layer except for a central portion of said electrode layer. And a coating layer covering the portion.
【請求項2】 正特性サーミスタ素体と、前記正特性サ
ーミスタ素体の主平面上に形成されたメッキ層と、銀を
主成分とし、前記メッキ層上に形成された電極層と、前
記電極層の中央部を残して前記電極層の端部を被覆して
なるコーティング層とを備えていることを特徴とする正
特性サ−ミスタ。
2. A positive temperature coefficient thermistor body, a plating layer formed on a main plane of said positive temperature coefficient thermistor body, an electrode layer containing silver as a main component and formed on said plating layer, and said electrode A coating layer formed by covering an end of the electrode layer except for a central part of the layer.
【請求項3】 前記コーティング層は、前記電極層の端
部および前記正特性サーミスタ素体の側面の一部分を被
覆してなることを特徴とする請求項1または請求項2に
記載の正特性サーミスタ。
3. The PTC thermistor according to claim 1, wherein the coating layer covers an end of the electrode layer and a part of a side surface of the PTC thermistor body. .
【請求項4】 前記コーティング層は、前記電極層の端
部および前記正特性サーミスタ素体の側面の一部分およ
び前記メッキ層の露出した一部分を被覆してなることを
特徴とする請求項2または請求項3に記載の正特性サー
ミスタ。
4. The coating layer according to claim 2, wherein the coating layer covers an end portion of the electrode layer, a part of a side surface of the PTC thermistor element, and an exposed part of the plating layer. Item 3. The positive temperature coefficient thermistor according to Item 3.
【請求項5】 前記コーティング層は、前記電極層の端
部および前記正特性サーミスタ素体の側面の全部分を被
覆してなることを特徴とする請求項1から請求項4のい
ずれかに記載の正特性サーミスタ。
5. The coating layer according to claim 1, wherein the coating layer covers an end portion of the electrode layer and the entire side surface of the PTC thermistor body. Positive characteristic thermistor.
【請求項6】 前記コーティング層は、前記電極層の端
部および前記正特性サーミスタ素体の側面の全部分およ
び前記メッキ層の露出した一部分を被覆してなることを
特徴とする請求項2から請求項5のいずれかに記載の正
特性サーミスタ。
6. The coating layer according to claim 2, wherein the coating layer covers an end portion of the electrode layer, a whole side surface of the positive temperature coefficient thermistor body, and an exposed part of the plating layer. A positive temperature coefficient thermistor according to claim 5.
【請求項7】 前記コーティング層は、前記電極層の端
部および前記正特性サーミスタ素体の側面の全部分およ
び前記メッキ層の露出した全部分を被覆してなることを
特徴とする請求項2から請求項6のいずれかに記載の正
特性サーミスタ。
7. The coating layer according to claim 2, wherein the coating layer covers an end portion of the electrode layer, a whole side surface of the positive temperature coefficient thermistor body, and a whole exposed portion of the plating layer. A positive temperature coefficient thermistor according to any one of claims 1 to 6.
【請求項8】 前記コーティング層によって被覆された
前記電極層の端部の幅は100μm以上であることを特
徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の正特
性サーミスタ。
8. The positive temperature coefficient thermistor according to claim 1, wherein an end portion of said electrode layer covered with said coating layer has a width of 100 μm or more.
【請求項9】 前記コーティング層は、B、Si、B
i、Zn、Pb、Baの組成のうち少なくとも2種類か
らなるガラスであるとともに、前記ガラスの軟化点が2
50℃以上であることを特徴とする請求項1から請求項
8のいずれかに記載の正特性サーミスタ。
9. The coating layer is made of B, Si, B
The glass is composed of at least two of the compositions of i, Zn, Pb, and Ba, and has a softening point of 2
The positive temperature coefficient thermistor according to any one of claims 1 to 8, wherein the temperature is 50 ° C or higher.
【請求項10】 前記コーティング層は、吸水率が1.
0%以下であり、かつ、荷重たわみ温度が前記正特性サ
ーミスタ素体の発熱温度以上の樹脂であることを特徴と
する請求項1から請求項8のいずれかに記載の正特性サ
ーミスタ。
10. The coating layer has a water absorption of 1.
9. The positive temperature coefficient thermistor according to claim 1, wherein the positive temperature coefficient thermistor is a resin having a deflection temperature under load of 0% or less and a heat generation temperature of the positive temperature coefficient thermistor body or higher. 10.
【請求項11】 前記コーティング層の硫黄、塩素、ま
たは臭素の合計の含有率が100ppm以下であること
を特徴とする請求項1から請求項8または請求項10の
いずれかに記載の正特性サーミスタ。
11. The positive temperature coefficient thermistor according to claim 1, wherein the total content of sulfur, chlorine or bromine in said coating layer is 100 ppm or less. .
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