JPH1022220A - 基板への塗布液塗布方法及び塗布装置 - Google Patents

基板への塗布液塗布方法及び塗布装置

Info

Publication number
JPH1022220A
JPH1022220A JP8195636A JP19563696A JPH1022220A JP H1022220 A JPH1022220 A JP H1022220A JP 8195636 A JP8195636 A JP 8195636A JP 19563696 A JP19563696 A JP 19563696A JP H1022220 A JPH1022220 A JP H1022220A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
coating liquid
rotating
coating
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8195636A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuro Yamashita
哲朗 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP8195636A priority Critical patent/JPH1022220A/ja
Publication of JPH1022220A publication Critical patent/JPH1022220A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の表面に形成されたパターンの微細凹部
への塗布液の埋め込み性が良好で、かつ、塗布液の使用
量が少なく済む塗布方法を提供する。 【解決手段】 基板を高速で回転させながら基板表面へ
塗布液を吐出し、基板の表面全体が塗布液で被覆される
までの間基板の高速回転を継続した後、基板を低速で回
転させもしくは停止させて所定時間その状態に保持す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置(LCD)用或いはフォトマスク用のガラ
ス基板版などの基板の表面にSOG(Spin on
glass)材やドーパント材、フォトレジスト液など
の塗布液を塗布する基板への塗布液塗布方法、並びに、
その方法を実施するのに使用される基板への塗布液塗布
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ等の基板の表面に塗布液、
例えばSOG材を塗布する方法としては、スタティック
塗布方法及びダイナミック塗布方法とそれぞれ呼ばれて
いる2つの方法がある。前者のスタティック塗布方法
は、基板を停止させた状態で基板の表面へ塗布液を吐出
し、基板を低速で回転させて塗布液を基板の表面全体に
拡げた後に高速回転を用いてスピンドライする方法であ
る。また、後者のダイナミック塗布方法は、基板を回転
させながら基板の表面へ塗布液を吐出し、基板の表面全
体に塗布液が拡がって基板表面が塗布液で完全に被覆さ
れた後、引き続き基板を回転させてスピンドライする方
法である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スタテ
ィック塗布方法及びダイナミック塗布方法には、それぞ
れ一長一短がある。すなわち、スタティック塗布方法で
は、基板を停止させた状態で基板の表面へ塗布液を吐出
し、基板を低速で回転させ基板の表面全体に塗布液を拡
げた後に高速回転を用いてスピンドライする方法である
ので、基板表面へ吐出された塗布液は、比較的ゆっくり
と基板の表面全体に拡がる。このため、基板の表面に形
成されたパターンの微細凹部への塗布液の埋め込み性が
良いが、停止状態及び低速回転で基板の表面全体に拡が
る程度の量の塗布液を基板表面へ吐出する必要があるの
で、塗布液の使用量が多くなり、特に、塗布液の粘度が
高くなると、その使用量も多くなってしまう、といった
問題点がある。
【0004】一方、ダイナミック塗布方法では、基板を
回転させながら基板の表面へ塗布液を吐出するので、基
板表面へ吐出された塗布液は、速やかに基板の表面全体
に拡がる。このため、塗布液の使用量が少なくて済むこ
とになるが、基板の表面に形成されたパターンの微細凹
部へ入り込む塗布液の量が少なくなり、また、微細凹部
に一旦入った塗布液も、基板の回転に伴って一部が微細
凹部から振り出されるので、パターンの微細凹部への塗
布液の埋め込み性が悪い、といった問題点がある。
【0005】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板の表面に形成されたパターンの
微細凹部への塗布液の埋め込み性が良好で、かつ、塗布
液の使用量が少なく済む基板への塗布液塗布方法を提供
すること、並びに、そのような方法を好適に実施するこ
とができる基板への塗布液塗布装置を提供することを目
的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板の表面へ塗布液を吐出し基板の表面全体に塗布液を
塗布する塗布液塗布方法において、基板を高速で回転さ
せながら基板の表面へ塗布液を吐出する工程と、基板の
表面全体が塗布液で被覆されるまでの間、基板の高速回
転を継続する工程と、基板の表面全体が塗布液で被覆さ
れた後、基板を低速で回転させもしくは停止させて所定
時間その状態に保持する工程とを順次経ることを特徴と
する。
【0007】請求項2に係る発明は、基板を水平姿勢に
保持して鉛直軸回りに回転させる基板保持・回転手段
と、この基板保持・回転手段に保持された基板の表面へ
塗布液を吐出する吐出ノズルと、この吐出ノズルへ塗布
液を供給する塗布液供給手段と、前記基板保持・回転手
段の回転動作を制御し、前記塗布液供給手段の塗布液供
給動作を制御する制御手段とを備えた塗布液塗布装置に
おいて、前記塗布液供給手段を、液貯留槽に貯留された
塗布液を吸引しその吸引した塗布液を送出する圧電ポン
プを備えて構成したこと、並びに、前記制御手段により
前記基板保持・回転手段及び塗布液供給手段を制御し
て、基板を高速で回転させながら基板の表面へ塗布液を
吐出し、基板の表面全体が塗布液で被覆されるまでの
間、基板の高速回転を継続し、基板の表面全体が塗布液
で被覆された後、基板を低速で回転させもしくは停止さ
せて所定時間その状態に保持するようにすることを特徴
とする。
【0008】上記構成の請求項1に係る発明の塗布液塗
布方法では、基板を高速で回転させながら基板の表面へ
塗布液が吐出されるので、基板表面へ吐出された塗布液
は、速やかに基板の表面全体に拡がって基板の表面が塗
布液で被覆される。従って、基板の表面へ吐出される塗
布液の量を少なくすることができる。そして、基板の表
面全体が塗布液で被覆された後、基板を低速で回転させ
もしくは停止させて所定時間その状態に保持されるの
で、その間に、基板の表面に形成されたパターンの微細
凹部へ塗布液が入り込むことになる。従って、パターン
の微細凹部への塗布液の埋め込み性が良好になる。
【0009】請求項2に係る発明の塗布液塗布装置で
は、まず、基板は、基板保持・回転手段により水平姿勢
に保持されて鉛直軸回りに高速で回転させられ、この状
態で吐出ノズルから基板の表面へ塗布液が吐出される。
このように、基板を高速で回転させながら基板の表面へ
塗布液が吐出されるので、基板表面へ吐出された塗布液
は速やかに基板の表面全体に拡がり、このため、基板の
表面へ吐出される塗布液の量が少なくて済むことにな
る。この塗布液の吐出は、圧電ポンプ内へ液貯留槽に貯
留された塗布液を吸引しその吸引した塗布液を圧電ポン
プが送出して吐出ノズルへ供給することにより行なわれ
る。
【0010】ここで、吐出ノズルへ塗布液を供給する塗
布液供給手段としては、従来は一般に、図3に概略図を
示すように、密閉された加圧容器1の内部に塗布液3を
貯留した液貯留槽2を収容し、加圧容器1内へ窒素(N
2)ガスや圧縮空気などを送り込んで、液貯留槽2内の
塗布液3の液面を加圧し、一端部が液貯留槽2内の塗布
液3中に浸漬させられた液供給管4を通して、液供給管
4の先端部に接続された吐出ノズル5へ塗布液を供給す
るように構成されたガス圧送方式の塗布液供給装置が用
いられている。しかしながら、ガス圧送方式の塗布液供
給装置では、加圧容器1内へ送給する窒素ガスや圧縮空
気などのガス圧の変動により、吐出ノズル5へ圧送され
吐出ノズル5から吐出される塗布液の量にばらつきを生
じ、吐出量の厳密な再現性が得られない。このため、基
板の表面へ所定量の塗布液が確実に吐出されるようにす
るためには、吐出量の誤差を考慮して塗布液を所定量よ
りも多めに吐出する必要がある。このように、この種の
用途に従来一般に使用されているガス圧送方式の塗布液
供給装置を用いた場合には、上記したように基板を高速
で回転させながら基板の表面へ塗布液を吐出することに
よって折角塗布液の吐出量を少なくしようとしても、そ
の効果が減殺されることになる。これに対し、請求項2
に係る発明の装置では、圧電ポンプを使用して吐出ノズ
ルへ塗布液を供給するようにしており、圧電ポンプは、
それへ印加する交流電圧の電圧値や周波数を調節するこ
とにより、少量の塗布液であっても正確に再現性良く所
定量の塗布液を吐出ノズルへ供給することができる。従
って、基板を高速回転させながら基板表面へ塗布液を吐
出して塗布液の吐出量を少なくしようとしたときに、そ
の効果が十分に得られることとなる。
【0011】そして、基板の表面全体が塗布液で被覆さ
れると、制御手段によって基板保持・回転手段が制御さ
れ、基板が低速で回転させられもしくは停止させられ
る。この状態で基板が所定時間保持される間に、基板の
表面に形成されたパターンの微細凹部へ塗布液が入り込
むことになるので、パターンの微細凹部への塗布液の埋
め込み性が良好になる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、この発明の最良の実施形態
について図面を参照しながら説明する。
【0013】最初に、一部を縦断面で示し他の部分を模
式的に示した図2により、この発明に係る基板への塗布
液塗布方法を実施するのに使用される塗布液塗布装置の
構成の1例について説明する。この塗布液塗布装置(ス
ピンコータ)は、基板Wを水平姿勢に保持するスピンチ
ャック10を有し、スピンチャック10に保持された基
板Wは、スピンチャック10を支持する回転支軸12に
連結されたスピンモータ14によって鉛直軸回りに回転
させられる。基板Wの周囲には、上面が開口しスピンチ
ャック10に保持された基板Wの側方及び下方を取り囲
むような容器状に形成されたカップ16が配設されてい
る。また、スピンチャック10に保持された基板Wの上
方には、基板Wの表面へ塗布液、例えばSOG材を吐出
する吐出ノズル18が配設されている。
【0014】吐出ノズル18は、液供給管20によって
圧電ポンプ22の液送出部24に流路接続されている。
また、圧電ポンプ22の液吸引部26には液吸引管28
が接続されており、液吸引管28の末端部は、液貯留槽
30に貯留されたSOG材32中へ浸漬させられ、その
末端の吸引口が液貯留槽30の内底面近くに配置されて
いる。圧電ポンプ22は、ケーシング34に圧電振動子
36の周縁部を固定し、圧電振動子36の上面とケーシ
ング34の内面との間にポンプ室38が形設された構成
を有する。ポンプ室38にそれぞれ連通する液送出部2
4及び液吸引部26には、SOG材の逆流を防止するた
めの逆止弁40、42がそれぞれ設けられている。圧電
振動子36は、例えばセラミックス系や高分子系の2枚
の圧電膜44、44を、その間に薄膜状電極46を挾む
ようにして互いに貼り合わせ、その両面にそれぞれ薄板
状電極48、48を接合した積層構造を有している。薄
板状電極46、48は、電圧・周波数調節部52に電気
接続されており、電圧・周波数調節部52は、制御部5
4に接続されている。また、制御部54は、スピンモー
タ14にも接続している。尚、図示例のような積層型の
圧電振動子36に代えて、圧電膜の両面にそれぞれ薄膜
状電極を接合した単層型の圧電振動子を用いるようにし
てもよい。また、圧電振動子36のポンプ室38側の面
には、薬液による腐食などを防止するためにフッ素樹脂
の薄膜50がコーティングされている。さらに、ケーシ
ング34、液吸引部26及び液送出部24は、薬液によ
る腐食などの防止のためにニフ化ピニリデン(PVD
F)やポリプロピレン(PP)などで形成されている。
【0015】上記したような構成を有する圧電ポンプ2
2は、電圧・周波数調節部52から圧電振動子36の薄
板状電極46、48に交流電圧が印加されることによっ
て圧電振動子36が二点鎖線で示すように上下方向に振
動することにより、SOG材を液吸引部26からポンプ
室38内へ吸引して、その吸引したSOG材をポンプ室
38内から液送出部24を通って送出する。すなわち、
圧電振動子36が下方側へ変位すると、液送出部24の
逆止弁40が閉じるとともに液吸引部26の逆止弁42
が開き、ポンプ室38の内部が負圧になって、液貯留槽
30内からSOG材32が液吸引管28を通り液吸引部
26へ吸引されて液吸引部26からポンプ室38内へ流
入する。一方、圧電振動子36が上方側へ変位すると、
液吸引部26の逆止弁42が閉じるとともに液送出部2
4の逆止弁40が開き、ポンプ室38の内部が正圧にな
って、ポンプ室38内に吸入されたSOG材が液送出部
24を通り液供給管20へ送出される。そして、これら
の動作が繰り返し行なわれることにより、圧電ポンプ2
2から液供給管20を通って吐出ノズル18へSOG材
が供給され、吐出ノズル18から基板Wの表面へSOG
材が吐出される。
【0016】また、圧電ポンプ22では、圧電振動子3
6の薄板状電位46、48に印加される交流電圧の電圧
値又は周波数、或いは必要に応じてその両方が電圧・周
波数調節部52で調節されるようになっている。電圧・
周波数調節部52における電圧値や周波数の調節は、制
御部56からの制御信号に基づいて行なわれる。そし
て、圧電振動子36の薄板状電極46、48に印加され
る交流電圧の電圧値や周波数が変わると、圧電振動子3
6の振動周期などが変化し、圧電ポンプ22の供給流量
や供給圧力が変わることになる。制御部54は、塗布条
件に応じて吐出ノズル18から基板Wの表面へ所定量の
SOG材が吐出されるように電圧・周波数調節部52を
制御する。尚、塗布条件に応じたSOG材の吐出量の設
定は、図示しない設定部やスイッチなどによって行なわ
れ、その設定値が制御部54へ入力される。また、制御
部54は、スピンモータ14へ制御信号を送り、スピン
チャック10に保持された基板Wを処理プログラムに従
って高速回転させたり低速回転させ或いは停止させたり
する制御を行なう。
【0017】次に、図1に示したタイムチャートに基づ
いて、基板WへのSOG材の塗布動作を説明する。ま
ず、基板Wを高速、例えば2,000〜4,000r.
p.m.で回転させる。そして、基板Wを高速回転させ
ながら、圧電ポンプ22を作動させて吐出ノズル18か
ら基板Wの表面へSOG材を吐出する。SOG材の吐出
後数秒間、そのまま基板Wの高速回転を継続し、基板W
の表面全体にSOG材が拡がって基板Wの表面がSOG
材で完全に被覆されると、基板Wの回転を停止させ、或
いは、基板Wの回転速度を低速に切り換える。そして、
暫くの間、例えば5秒間程度、基板Wをそのまま停止さ
せ或いは低速回転させる。この間に、基板Wの表面に形
成されたパターンの微細凹部へSOG材が埋め込まれ
る。以後は、従来のスタティック塗布方法やダイナミッ
ク方法における場合と同様に、例えば、15秒間程度基
板Wを2,000〜4,000r.p.m.の高速で回
転させてスピンドライ処理した後、基板Wの回転数を下
げて5秒間程度エッジクリーニング、バックリンス処理
し、その後再び基板Wを高速回転させて10秒間程度ス
ピンドライ処理し、膜溶解液やリンス液を基板W上から
飛散させて除去する。
【0018】
【発明の効果】請求項1に係る発明の基板への塗布液塗
布方法によると、基板の表面に形成されたパターンの微
細凹部へのSOG材等の埋め込み性が良好で、塗布品質
が高く保持されるとともに、塗布液の使用量が少なく済
み、経済的である。
【0019】請求項2に係る発明の基板の塗布液塗布装
置を使用すると、少量の塗布液であっても正確に所定量
の塗布液を基板の表面へ供給することができるため、塗
布液の使用量が少なく済んで経済的である、といった請
求項1に係る発明の上記効果が確実に奏されるととも
に、基板の表面に形成されたパターンの微細凹部への塗
布液の埋め込み性が良好になって、塗布品質が高く保持
されることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る基板への塗布液塗布方法の実施
形態の1例を示すタイムチャートである。
【図2】この発明に係る基板への塗布液塗布方法を実施
するのに使用される塗布液塗布装置の構成の1例を示す
図であって、一部を縦断面で、他の部分を模式的にそれ
ぞれ示す図である。
【図3】基板への塗布液塗布装置において吐出ノズルへ
塗布液を供給するのに従来一般に使用されているガス圧
送方式の塗布液供給装置の概略図である。
【符号の説明】
10 スピンチャック 12 回転支軸 14 スピンモータ 18 吐出ノズル 20 液供給管 22 圧電ポンプ 28 液吸引管 30 液貯留槽 32 SOG材(塗布液) 36 圧電振動子 38 ポンプ室 52 電圧・周波数調節部 54 制御部 W 基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の表面へ塗布液を吐出し基板の表面
    全体に塗布液を塗布する基板への塗布液塗布方法におい
    て、 基板を高速で回転させながら基板の表面へ塗布液を吐出
    する工程と、 基板の表面全体が塗布液で被覆されるまでの間、基板の
    高速回転を継続する工程と、 基板の表面全体が塗布液で被覆された後、基板を低速で
    回転させもしくは停止させて所定時間その状態に保持す
    る工程とを順次経ることを特徴とする基板への塗布液塗
    布方法。
  2. 【請求項2】 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸回りに
    回転させる基板保持・回転手段と、 この基板保持・回転手段に保持された基板の表面へ塗布
    液を吐出する吐出ノズルと、 この吐出ノズルへ塗布液を供給する塗布液供給手段と、 前記基板保持・回転手段の回転動作を制御し、前記塗布
    液供給手段の塗布液供給動作を制御する制御手段とを備
    えた基板への塗布液塗布装置において、 前記塗布液供給手段を、液貯留槽に貯留された塗布液を
    吸引しその吸引した塗布液を送出する圧電ポンプを備え
    て構成し、 前記制御手段により前記基板保持・回転手段及び塗布液
    供給手段を制御して、基板を高速で回転させながら基板
    の表面へ塗布液を吐出し、基板の表面全体が塗布液で被
    覆されるまでの間、基板の高速回転を継続し、基板の表
    面全体が塗布液で被覆された後、基板を低速で回転させ
    もしくは停止させて所定時間その状態に保持するように
    することを特徴とする基板への塗布液塗布装置。
JP8195636A 1996-07-04 1996-07-04 基板への塗布液塗布方法及び塗布装置 Pending JPH1022220A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8195636A JPH1022220A (ja) 1996-07-04 1996-07-04 基板への塗布液塗布方法及び塗布装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8195636A JPH1022220A (ja) 1996-07-04 1996-07-04 基板への塗布液塗布方法及び塗布装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1022220A true JPH1022220A (ja) 1998-01-23

Family

ID=16344470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8195636A Pending JPH1022220A (ja) 1996-07-04 1996-07-04 基板への塗布液塗布方法及び塗布装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1022220A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7754619B2 (en) 2007-01-19 2010-07-13 Fujitsu Microelectronics Limited Method for forming a coating with a liquid, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2013142763A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7754619B2 (en) 2007-01-19 2010-07-13 Fujitsu Microelectronics Limited Method for forming a coating with a liquid, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2013142763A (ja) * 2012-01-11 2013-07-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2616735B2 (ja) ウェハの研磨方法およびその装置
CN111524852A (zh) 基片处理装置、基片处理方法和存储介质
JPH10146561A (ja) 塗布液塗布方法
JPH1022220A (ja) 基板への塗布液塗布方法及び塗布装置
JP2000140505A (ja) 脱気装置及び脱気方法
JP3386656B2 (ja) 塗布液の乾燥防止方法及びその装置
JP2001198515A (ja) 薄膜形成装置及び薄膜除去装置
JP2005296771A (ja) 塗布装置及び塗布方法
JPH1128412A (ja) 処理液供給ノズルシステム
JPH1176894A (ja) 塗布装置および塗布方法
JPH1032157A (ja) 基板処理装置
JP2000068188A (ja) 現像装置および現像方法
JP2001203151A (ja) 半導体製造装置
JP3039820B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JP2000077293A (ja) 基板処理方法およびその装置
TWI313194B (en) Coating film forming method
JP2780090B2 (ja) レジスト吐出方法
JP2000229258A (ja) 液体塗布装置及び液体塗布方法
JP2756639B2 (ja) 回転カップ式処理装置
JPH0736195A (ja) 基板現像装置
JP2000079367A (ja) 処理液供給用ノズルおよび該ノズルを備えた基板処理装置、ならびに該ノズルを用いた塗布方法
JP2002336761A (ja) 基板回転式処理装置
JP3383033B2 (ja) 基板処理方法
JPH11276972A (ja) レジストコーティング装置
JP2003100595A (ja) 高粘度レジスト塗布装置及び塗布方法