JPH1022275A - プラズマエッチング電極の製造方法 - Google Patents
プラズマエッチング電極の製造方法Info
- Publication number
- JPH1022275A JPH1022275A JP18678896A JP18678896A JPH1022275A JP H1022275 A JPH1022275 A JP H1022275A JP 18678896 A JP18678896 A JP 18678896A JP 18678896 A JP18678896 A JP 18678896A JP H1022275 A JPH1022275 A JP H1022275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- polishing
- electrolytic
- plasma etching
- dust
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 1
- 229920005546 furfural resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダストの発生を抑制したプラズマエッチング
電極を得る。 【解決手段】 反応ガス通過用の多数の微小径貫通孔を
有するプラズマエッチング電極を製造する方法におい
て、上記多数の微小径貫通孔を電極に形成した後、該電
極表面を電解研磨又は電解複合研磨する。
電極を得る。 【解決手段】 反応ガス通過用の多数の微小径貫通孔を
有するプラズマエッチング電極を製造する方法におい
て、上記多数の微小径貫通孔を電極に形成した後、該電
極表面を電解研磨又は電解複合研磨する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩやＩＣなど
の半導体集積回路や光通信用の導波路を製造する際に使
用されるプラズマエッチングに用いられる電極の製造方
法に関する。
の半導体集積回路や光通信用の導波路を製造する際に使
用されるプラズマエッチングに用いられる電極の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】最近に
なって、半導体集積回路の微細化技術と高密度化技術の
進展に伴い、ウエハ上に微細なパターンを高精度に形成
することのできるプラズマエッチング技術の重要性が高
まっている。
なって、半導体集積回路の微細化技術と高密度化技術の
進展に伴い、ウエハ上に微細なパターンを高精度に形成
することのできるプラズマエッチング技術の重要性が高
まっている。
【０００３】この場合、このプラズマエッチングで用い
る電極は、アルミニウム、グラファイト、ガラス状カー
ボン、金属シリコン、石英などにより形成されている
が、エッチング時に電極がプラズマによって侵食、消耗
せしめられ、この際ウエハ表面上に電極からのダストが
多数付着するという問題があった。
る電極は、アルミニウム、グラファイト、ガラス状カー
ボン、金属シリコン、石英などにより形成されている
が、エッチング時に電極がプラズマによって侵食、消耗
せしめられ、この際ウエハ表面上に電極からのダストが
多数付着するという問題があった。
【０００４】このような問題を解決するため、特開平７
−２７３０９４号公報には、プラズマにより消耗する部
位の表面平滑度がＲｍａｘ１０μｍ以下であるシリコン
からなるプラズマエッチング用電極板が提案されてい
る。しかしながら、本発明者の検討によれば、ウエハ上
に微細なパターンを高精度に形成するには、なお十分で
はなく、更に電極からのダストをより確実に減少するこ
とが望まれる。
−２７３０９４号公報には、プラズマにより消耗する部
位の表面平滑度がＲｍａｘ１０μｍ以下であるシリコン
からなるプラズマエッチング用電極板が提案されてい
る。しかしながら、本発明者の検討によれば、ウエハ上
に微細なパターンを高精度に形成するには、なお十分で
はなく、更に電極からのダストをより確実に減少するこ
とが望まれる。
【０００５】本発明は上記要望に応えたもので、ダスト
の発生を顕著に減少させることができるプラズマエッチ
ング電極の製造方法を提供することを目的とする。
の発生を顕著に減少させることができるプラズマエッチ
ング電極の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、反応ガス通過用の多数の微小径貫通孔を有するプラ
ズマエッチング電極を製造するに際し、電極に多数の微
小径貫通孔を形成した後、該電極表面に対し電解研磨又
は電解複合研磨を行った場合、得られた電極は均一に消
耗され、電極からのダストの発生が顕著に抑制されて、
ウエハ上には殆ど微小粒子の付着が生じないことを知見
した。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、反応ガス通過用の多数の微小径貫通孔を有するプラ
ズマエッチング電極を製造するに際し、電極に多数の微
小径貫通孔を形成した後、該電極表面に対し電解研磨又
は電解複合研磨を行った場合、得られた電極は均一に消
耗され、電極からのダストの発生が顕著に抑制されて、
ウエハ上には殆ど微小粒子の付着が生じないことを知見
した。
【０００７】即ち、上述したように、特開平７−２７３
０９４号公報には、エッチング時にウエハ面に落下して
付着する粉末粒子の粒子数を少なくするために、電極表
面の平滑度をＲｍａｘ１０μｍ以下とすることが提案さ
れているが、このように電極表面を形成してもダストの
抑制はなお十分ではない。そこで、本発明者は、エッチ
ング電極から発生するダスト、粒子の発生原因について
更に検討した結果、ダストの多くは電極表面の凹凸のみ
ならず、微小径貫通孔内、特にそのエッジ部分から発生
していることをつきとめると共に、微小径貫通孔を電極
に形成した後にその電極表面を電解研磨又は電解複合研
磨することにより、ダストの発生が顕著に抑制され、均
一で高精度なエッチングを行うことができるプラズマエ
ッチング電極が得られることを見出した。なお、このよ
うに電解研磨又は電解複合研磨によりダストの発生が抑
制される理由は、電解研磨又は電解複合研磨によって電
極表面及び微小径貫通孔内面、特に該貫通孔エッジ部が
平滑化し、異常放電が生じ難くなるものと思われる。こ
の場合、電極の表面凹凸に関しては表面をラップポリッ
シュやバフかけ等により平滑化し得、貫通孔エッジにつ
いてはＮＣマシンによる面取りなど、貫通孔内面につい
ては個々の穴毎に適宜な方法によって平滑化することは
可能であるが、これらの３つの加工を行うには相当な労
力及び費用が必要で実質的に不可能であるが、電解研磨
又は電解複合研磨法によれば、簡単にダスト発生を顕著
に抑制した電極を得ることができるものである。
０９４号公報には、エッチング時にウエハ面に落下して
付着する粉末粒子の粒子数を少なくするために、電極表
面の平滑度をＲｍａｘ１０μｍ以下とすることが提案さ
れているが、このように電極表面を形成してもダストの
抑制はなお十分ではない。そこで、本発明者は、エッチ
ング電極から発生するダスト、粒子の発生原因について
更に検討した結果、ダストの多くは電極表面の凹凸のみ
ならず、微小径貫通孔内、特にそのエッジ部分から発生
していることをつきとめると共に、微小径貫通孔を電極
に形成した後にその電極表面を電解研磨又は電解複合研
磨することにより、ダストの発生が顕著に抑制され、均
一で高精度なエッチングを行うことができるプラズマエ
ッチング電極が得られることを見出した。なお、このよ
うに電解研磨又は電解複合研磨によりダストの発生が抑
制される理由は、電解研磨又は電解複合研磨によって電
極表面及び微小径貫通孔内面、特に該貫通孔エッジ部が
平滑化し、異常放電が生じ難くなるものと思われる。こ
の場合、電極の表面凹凸に関しては表面をラップポリッ
シュやバフかけ等により平滑化し得、貫通孔エッジにつ
いてはＮＣマシンによる面取りなど、貫通孔内面につい
ては個々の穴毎に適宜な方法によって平滑化することは
可能であるが、これらの３つの加工を行うには相当な労
力及び費用が必要で実質的に不可能であるが、電解研磨
又は電解複合研磨法によれば、簡単にダスト発生を顕著
に抑制した電極を得ることができるものである。
【０００８】更に、上記電極材料としては、その少なく
ともプラズマにより消耗する部分をガラス状カーボン又
は金属シリコンで形成することが上記目的を達成する上
で有効であることを知見し、本発明をなすに至ったもの
である。
ともプラズマにより消耗する部分をガラス状カーボン又
は金属シリコンで形成することが上記目的を達成する上
で有効であることを知見し、本発明をなすに至ったもの
である。
【０００９】従って、本発明は、反応ガス通過用の多数
の微小径貫通孔を有するプラズマエッチング電極を製造
する方法において、上記多数の微小径貫通孔を電極に形
成した後、該電極表面を電解研磨又は電解複合研磨する
ことを特徴とするプラズマエッチング電極の製造方法、
及び、電極の少なくともプラズマで消耗する部分がガラ
ス状カーボン又は金属シリコンにて形成された上記プラ
ズマエッチング電極の製造方法を提供する。
の微小径貫通孔を有するプラズマエッチング電極を製造
する方法において、上記多数の微小径貫通孔を電極に形
成した後、該電極表面を電解研磨又は電解複合研磨する
ことを特徴とするプラズマエッチング電極の製造方法、
及び、電極の少なくともプラズマで消耗する部分がガラ
ス状カーボン又は金属シリコンにて形成された上記プラ
ズマエッチング電極の製造方法を提供する。
【００１０】以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明によるプラズマエッチング電極の製造方法
は、まず公知の適宜形状の電極を形成する。
と、本発明によるプラズマエッチング電極の製造方法
は、まず公知の適宜形状の電極を形成する。
【００１１】この場合、上記電極の材料は、公知の電極
材料でよいが、特に本発明の目的の上からはガラス状カ
ーボン及び金属シリコンが好ましい。ガラス状カーボン
としては、セルロース、フルフリルアルコール、フェノ
ール樹脂、アセトン、ポリカルボジイミド樹脂、フラン
樹脂、フルフラール樹脂、その他の熱硬化樹脂、あるい
はそれらの混合樹脂を原料として得られるものを使用す
ることができる。また、金属シリコンとしては、単結晶
シリコン、多結晶シリコンのいずれでもよい。
材料でよいが、特に本発明の目的の上からはガラス状カ
ーボン及び金属シリコンが好ましい。ガラス状カーボン
としては、セルロース、フルフリルアルコール、フェノ
ール樹脂、アセトン、ポリカルボジイミド樹脂、フラン
樹脂、フルフラール樹脂、その他の熱硬化樹脂、あるい
はそれらの混合樹脂を原料として得られるものを使用す
ることができる。また、金属シリコンとしては、単結晶
シリコン、多結晶シリコンのいずれでもよい。
【００１２】なお、ガラス状カーボン又は金属シリコン
で形成される部分は、電極全体をかかる材質としてもよ
いが、少なくともプラズマにより消耗する部分であれば
よい。なお、後者の場合、ガラス状カーボン又は金属シ
リコン形成部分以外の他の部分は、アルミニウム、グラ
ファイトなどにて形成することができるが、炭素材料が
ガラス状カーボンで被覆された状態のものであることが
好ましく、これによって電極コストを低減できる。
で形成される部分は、電極全体をかかる材質としてもよ
いが、少なくともプラズマにより消耗する部分であれば
よい。なお、後者の場合、ガラス状カーボン又は金属シ
リコン形成部分以外の他の部分は、アルミニウム、グラ
ファイトなどにて形成することができるが、炭素材料が
ガラス状カーボンで被覆された状態のものであることが
好ましく、これによって電極コストを低減できる。
【００１３】次に、上記電極に、反応ガスがプラズマ中
に円滑に流入するための微小径貫通孔（通常、直径０．
１〜１．５ｍｍ）を図１，２に示すように超音波加工、
放電加工、ドリル加工、レーザー加工、ウォータージェ
ット加工などにより多数形成する。なお、図中１は電
極、２は微小径貫通孔を示す。
に円滑に流入するための微小径貫通孔（通常、直径０．
１〜１．５ｍｍ）を図１，２に示すように超音波加工、
放電加工、ドリル加工、レーザー加工、ウォータージェ
ット加工などにより多数形成する。なお、図中１は電
極、２は微小径貫通孔を示す。
【００１４】次いで、このように多数の微小径貫通孔が
形成された電極表面に対し、電解研磨又は電解複合研磨
を施す。
形成された電極表面に対し、電解研磨又は電解複合研磨
を施す。
【００１５】ここで、電解研磨は常法に従って行うこと
ができ、これに用いる電解研磨液は上記電極材質に応じ
て適宜選定され、例えば金属シリコンからなる電極に
は、ＮａＣｌ水溶液、ＫＣｌ水溶液、ＮａＮＯ3水溶液
などの中性塩水溶液、ＮａＯＨ水溶液、ＫＯＨ水溶液、
ＬｉＯＨ水溶液などのアルカリ水溶液や希硫酸、リン酸
水溶液、フッ酸水溶液、あるいはこれらの混酸水溶液を
使用することができ、ガラス状カーボンからなる電極に
は、上記のものに加えて硝酸水溶液を使用することがで
きる。なおこれら水溶液にはメタノール、エタノールな
どのアルコールを加えてもよい。電解研磨条件は適宜選
定されるが、陽極電流密度０．１〜１０Ａ／ｃｍ2、特
に０．５〜５Ａ／ｃｍ2とすることが好ましく、通常１
０〜２００Ｖの直流、交流又はパルス電圧を印加して行
うことができる。浴温は室温〜２００℃、特に ２０〜
９０℃とすることができる。
ができ、これに用いる電解研磨液は上記電極材質に応じ
て適宜選定され、例えば金属シリコンからなる電極に
は、ＮａＣｌ水溶液、ＫＣｌ水溶液、ＮａＮＯ3水溶液
などの中性塩水溶液、ＮａＯＨ水溶液、ＫＯＨ水溶液、
ＬｉＯＨ水溶液などのアルカリ水溶液や希硫酸、リン酸
水溶液、フッ酸水溶液、あるいはこれらの混酸水溶液を
使用することができ、ガラス状カーボンからなる電極に
は、上記のものに加えて硝酸水溶液を使用することがで
きる。なおこれら水溶液にはメタノール、エタノールな
どのアルコールを加えてもよい。電解研磨条件は適宜選
定されるが、陽極電流密度０．１〜１０Ａ／ｃｍ2、特
に０．５〜５Ａ／ｃｍ2とすることが好ましく、通常１
０〜２００Ｖの直流、交流又はパルス電圧を印加して行
うことができる。浴温は室温〜２００℃、特に ２０〜
９０℃とすることができる。
【００１６】また、電解複合研磨も公知の方法に従って
行うことができる。この場合、電解研磨液としては上記
と同様のものを使用して同様の条件で行うことができ
る。なお、この電解複合研磨に用いる研磨パッド、研磨
砥粒に制限はなく、通常のものを使用することができ、
シリコン等を研磨する通常の条件、方法を採用し得る。
行うことができる。この場合、電解研磨液としては上記
と同様のものを使用して同様の条件で行うことができ
る。なお、この電解複合研磨に用いる研磨パッド、研磨
砥粒に制限はなく、通常のものを使用することができ、
シリコン等を研磨する通常の条件、方法を採用し得る。
【００１７】このように電解研磨又は電解複合研磨され
た電極は、参考写真１に示すように、貫通孔のエッジが
平滑化されたものである。
た電極は、参考写真１に示すように、貫通孔のエッジが
平滑化されたものである。
【００１８】本発明で得られたプラズマエッチング電極
は、平行平板型プラズマエッチングに適したものである
が、これは通常のプラズマエッチング法に従った方法に
よって使用し得、かかる電極を用いたプラズマエッチン
グは通常の条件で実施し得る。
は、平行平板型プラズマエッチングに適したものである
が、これは通常のプラズマエッチング法に従った方法に
よって使用し得、かかる電極を用いたプラズマエッチン
グは通常の条件で実施し得る。
【００１９】
【発明の効果】本発明によって製造したプラズマエッチ
ング電極を用いることにより、粒子の脱落が極端に抑え
られ、高精度で汚染のないエッチング物を形成できる。
ング電極を用いることにより、粒子の脱落が極端に抑え
られ、高精度で汚染のないエッチング物を形成できる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００２１】〔実施例、比較例〕Ｐ型，ボロンをドーピ
ングしたシリコン単結晶を５ｍｍ厚にスライスし、７ｍ
ｍのピッチで０．５ｍｍ径の穴をドリル加工により開
け、これを下記条件で電解研磨、電解複合研磨して、表
１に示す電極を作製した。
ングしたシリコン単結晶を５ｍｍ厚にスライスし、７ｍ
ｍのピッチで０．５ｍｍ径の穴をドリル加工により開
け、これを下記条件で電解研磨、電解複合研磨して、表
１に示す電極を作製した。
【００２２】また、不純物濃度２ｐｐｍの４ｍｍ厚のガ
ラス状カーボン板を上記と同様にして穴を開け、電解研
磨、電解複合研磨して、表１に示す電極を作製した。
ラス状カーボン板を上記と同様にして穴を開け、電解研
磨、電解複合研磨して、表１に示す電極を作製した。
【００２３】比較のため、ラップポリッシュ、バフ加工
する以外は上記と同様にして電極を作製した。
する以外は上記と同様にして電極を作製した。
【００２４】次に、上記した電極をプラズマエッチング
装置にセットし、反応ガスであるトリフロロメタン、ア
ルゴン及び酸素の混合ガスを流し、プラズマを発生させ
た。８インチのシリコンウエハの酸化膜をエッチング
し、その時のウエハ表面に付着した０．３μｍ以上の粉
末粒子の個数をカウントした。結果を表１に示す。 〔シリコン〕電解研磨 電解液 １０％リン酸水溶液 電流密度 ３Ａ／ｃｍ2 印加電圧 ＤＣ１２Ｖ 液温 ２５℃ 処理時間 ３０分電解複合研磨 電解液 １０％リン酸水溶液 電流密度 ３．５Ａ／ｃｍ2 印加電圧 ＤＣ１２Ｖ 液温 ２５℃ 砥粒 アルミナ（０．５μｍ） パッド ポリエステル不織布 回転数 １００ｒｐｍ 処理時間 ３０分ラップポリッシュ 研磨材 アルミナ（５０μｍ） 定盤材質 鋳鉄 回転数 ４０ｒｐｍ ラッピング時間 ３０分 ＋ 研磨材 コロイダルシリカ 定盤材質 錫 回転数 ４０ｒｐｍ ポリッシング時間 ３０分バフ加工 研磨材 アルミナ（５μｍ） バフ材質 コットン 回転数 ２００ｒｐｍ 処理時間 １時間 〔ガラス状カーボン〕電解研磨 電解液 １０％リン酸水溶液 電流密度 ３Ａ／ｃｍ2 印加電圧 ＤＣ１２Ｖ 液温 ２５℃ 処理時間 ４５分電解複合研磨 電解液 １０％リン酸水溶液 電流密度 ３．５Ａ／ｃｍ2 印加電圧 ＤＣ１２Ｖ 液温 ２５℃ 砥粒 アルミナ（０．５μｍ） パッド ポリエステル不織布 回転数 １００ｒｐｍ 処理時間 ４５分ラップポリッシュ 研磨材 ＳｉＣ（５０μｍ） 定盤材質 鋳鉄 回転数 ４０ｒｐｍ ラッピング時間 ３０分 ＋ 研磨材 ＳｉＣ（３μｍ） 定盤材質 錫 回転数 ４０ｒｐｍ ポリッシング時間 ３０分バフ加工 研磨材 ＳｉＣ（３μｍ） バフ材質 コットン 回転数 ２００ｒｐｍ 処理時間 １時間
装置にセットし、反応ガスであるトリフロロメタン、ア
ルゴン及び酸素の混合ガスを流し、プラズマを発生させ
た。８インチのシリコンウエハの酸化膜をエッチング
し、その時のウエハ表面に付着した０．３μｍ以上の粉
末粒子の個数をカウントした。結果を表１に示す。 〔シリコン〕電解研磨 電解液 １０％リン酸水溶液 電流密度 ３Ａ／ｃｍ2 印加電圧 ＤＣ１２Ｖ 液温 ２５℃ 処理時間 ３０分電解複合研磨 電解液 １０％リン酸水溶液 電流密度 ３．５Ａ／ｃｍ2 印加電圧 ＤＣ１２Ｖ 液温 ２５℃ 砥粒 アルミナ（０．５μｍ） パッド ポリエステル不織布 回転数 １００ｒｐｍ 処理時間 ３０分ラップポリッシュ 研磨材 アルミナ（５０μｍ） 定盤材質 鋳鉄 回転数 ４０ｒｐｍ ラッピング時間 ３０分 ＋ 研磨材 コロイダルシリカ 定盤材質 錫 回転数 ４０ｒｐｍ ポリッシング時間 ３０分バフ加工 研磨材 アルミナ（５μｍ） バフ材質 コットン 回転数 ２００ｒｐｍ 処理時間 １時間 〔ガラス状カーボン〕電解研磨 電解液 １０％リン酸水溶液 電流密度 ３Ａ／ｃｍ2 印加電圧 ＤＣ１２Ｖ 液温 ２５℃ 処理時間 ４５分電解複合研磨 電解液 １０％リン酸水溶液 電流密度 ３．５Ａ／ｃｍ2 印加電圧 ＤＣ１２Ｖ 液温 ２５℃ 砥粒 アルミナ（０．５μｍ） パッド ポリエステル不織布 回転数 １００ｒｐｍ 処理時間 ４５分ラップポリッシュ 研磨材 ＳｉＣ（５０μｍ） 定盤材質 鋳鉄 回転数 ４０ｒｐｍ ラッピング時間 ３０分 ＋ 研磨材 ＳｉＣ（３μｍ） 定盤材質 錫 回転数 ４０ｒｐｍ ポリッシング時間 ３０分バフ加工 研磨材 ＳｉＣ（３μｍ） バフ材質 コットン 回転数 ２００ｒｐｍ 処理時間 １時間
【００２５】
【表１】
【００２６】なお、実施例３及び比較例３の貫通孔付近
の顕微鏡写真（倍率１４０倍）をそれぞれ参考写真１，
２として示す。これらの結果より、ラップポリッシュで
は鋭いエッジ部分があり、ダストの原因となるが、電解
複合研磨したものはエッジ部分が滑らかで良好であるこ
とが認められる。
の顕微鏡写真（倍率１４０倍）をそれぞれ参考写真１，
２として示す。これらの結果より、ラップポリッシュで
は鋭いエッジ部分があり、ダストの原因となるが、電解
複合研磨したものはエッジ部分が滑らかで良好であるこ
とが認められる。
【００２７】以上のように、本発明によれば、エッチン
グ工程での粒子を極端に減少させることができ、歩留ま
りよく、高精度なプラズマエッチングが可能なプラズマ
エッチング電極を簡単に製造できる。
グ工程での粒子を極端に減少させることができ、歩留ま
りよく、高精度なプラズマエッチングが可能なプラズマ
エッチング電極を簡単に製造できる。
【図１】本発明の電極の一例を示す平面図である。
【図２】同例の断面図である。
１ 電極 ２ 微小径貫通孔
Claims (2)
- 【請求項１】 反応ガス通過用の多数の微小径貫通孔を
有するプラズマエッチング電極を製造する方法におい
て、上記多数の微小径貫通孔を電極に形成した後、該電
極表面を電解研磨又は電解複合研磨することを特徴とす
るプラズマエッチング電極の製造方法。 - 【請求項２】 電極の少なくともプラズマで消耗する部
分がガラス状カーボン又は金属シリコンにて形成された
請求項１記載のプラズマエッチング電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18678896A JP3317148B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | プラズマエッチング電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18678896A JP3317148B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | プラズマエッチング電極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022275A true JPH1022275A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3317148B2 JP3317148B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=16194607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18678896A Expired - Fee Related JP3317148B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | プラズマエッチング電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3317148B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4536095A (en) * | 1984-09-13 | 1985-08-20 | Timex Corporation | Crown setting switch for a wristwatch |
| WO2024166768A1 (ja) * | 2023-02-09 | 2024-08-15 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用の電極板とその製造方法 |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP18678896A patent/JP3317148B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4536095A (en) * | 1984-09-13 | 1985-08-20 | Timex Corporation | Crown setting switch for a wristwatch |
| WO2024166768A1 (ja) * | 2023-02-09 | 2024-08-15 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用の電極板とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3317148B2 (ja) | 2002-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200524833A (en) | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods | |
| KR100701342B1 (ko) | 접합 웨이퍼의 제조방법 및 접합 웨이퍼 | |
| Pandey et al. | Silicon wafers; its manufacturing processes and finishing techniques: an overview | |
| WO2000072367A1 (en) | Silicon wafering process flow | |
| Liu et al. | ELID grinding of silicon wafers: a literature review | |
| US5951814A (en) | Electrode for plasma etching | |
| JP2009111094A (ja) | ウェーハ鏡面研磨方法 | |
| CN115394631B (zh) | 用于SiC衬底的表面处理方法 | |
| JP3317148B2 (ja) | プラズマエッチング電極の製造方法 | |
| JP2001085648A (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ | |
| JP4045592B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
| WO2013031111A1 (ja) | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤 | |
| JP2004063883A (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2003163335A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| JPH09245994A (ja) | プラズマ利用の加工装置用電極およびその電極の製造方法 | |
| JP3444089B2 (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| JP4150266B2 (ja) | プラズマ処理用シャワープレート及びその製造方法 | |
| JPH09289196A (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| KR100299975B1 (ko) | 플라즈마챔버의전극제조방법 | |
| JPH09289195A (ja) | プラズマエッチング電極 | |
| JPS62136032A (ja) | 半導体ウエハ−の裏面加工方法 | |
| JPH08134667A (ja) | プラズマエッチング用陽極電極板 | |
| JP4045591B2 (ja) | プラズマエッチング用電極板 | |
| US12417909B2 (en) | Surface processing apparatus and surface processing method for SiC substrate | |
| JPH09289199A (ja) | プラズマエッチング電極 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |