JPH1022313A

JPH1022313A - 半導体装置の製造方法および製造装置

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Publication number: JPH1022313A
Application number: JP19277996A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Murata; 昭浩村田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1996-07-03
Filing date: 1996-07-03
Publication date: 1998-01-23
Anticipated expiration: 2016-07-03
Also published as: JP3610165B2

Abstract

(57)【要約】【課題】樹脂封止型半導体装置において半導体素子組
立体と封止樹脂との密着性を高め、樹脂封止部の剥離の
発生を防止することができる半導体装置の製造方法およ
び製造装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子１
６、半導体素子保持部１４、リードおよび前記半導体素
子の電極と前記リードとを電気的に接続するボンディン
グワイヤ２０を含む半導体素子組立体１０の所定の素子
領域を絶縁性樹脂によって封止する成形工程を経る。前
記半導体素子組立体は、前記成形工程の前に、オゾンよ
る表面処理を施される。この表面処理は、複数の被処理
体である前記半導体素子組立体１０をオゾン処理部６０
に収容した状態で、オゾン発生部４０において生成され
たオゾンを前記オゾン処理部６０に導入し、オゾンと前
記被処理体１０とを接触させることによって行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置において、素子領域と封止樹脂との密着性を高める
ことができる、オゾンによる表面処理工程を含む半導体
装置の製造方法およびこの製造方法を適用することがで
きる半導体装置の製造装置に関する。

【０００２】

【背景技術および発明が解決しようとする課題】近年の
ＬＳＩ等の半導体装置の高集積化および小型化に伴い、
例えば、クワットフラットパッケージ（ＱＦＰ）、スモ
ールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ）等の面実装パッ
ケージおよびボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）などが用
いられている。これらのパッケージにおいては、半導体
素子およびボンディングワイヤなどの配線部を含む素子
領域を保護するために、素子領域にエポキシ系樹脂等の
絶縁性樹脂によって封止部が形成されている。

【０００３】これらの樹脂封止型半導体装置において
は、素子領域と封止樹脂との密着性が不十分であると、
両者の界面で部分的にあるいは全面的に剥離を生ずるこ
とがある。このような界面の剥離は、この剥離部に水分
等が侵入して溜まることにより、半導体素子の電極の腐
食や樹脂封止部のクラックの原因になることがあり、半
導体装置の信頼性を低下させる。

【０００４】本発明の目的は、樹脂封止型半導体装置に
おいて半導体素子組立体と封止樹脂との密着性を高め、
剥離の発生を防止することができる半導体装置の製造方
法および製造装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、半導
体素子、半導体素子保持部、リードおよび前記半導体素
子の電極と前記リードとを電気的に接続する接続部を含
む半導体素子組立体の所定の素子領域を絶縁性樹脂によ
って封止する成形工程を経る半導体装置の製造方法にお
いて、前記半導体素子組立体は、前記成形工程の前に、
オゾンよる表面処理を施され、前記表面処理は、複数の
被処理体である前記半導体素子組立体をオゾン処理部に
収容した状態で、オゾン発生部において生成されたオゾ
ンを前記オゾン処理部に導入し、オゾンと前記被処理体
とを接触させることによって行われる。

【０００６】なお、前記素子領域とは、半導体素子、半
導体素子保持部、リードの一部およびボンディングワイ
ヤなどの接続部を含む領域を意味する。

【０００７】請求項１の発明によれば、半導体素子組立
体の素子領域を絶縁性樹脂によって封止する成形工程の
前に、オゾンによる表面処理を行うため、前記半導体素
子組立体と樹脂封止部との密着性を高め、両者の界面で
の実用上問題となるレベルの部分的あるいは全体的な剥
離を防止することができ、信頼性の高い半導体装置を製
造することができる。

【０００８】また、この半導体装置の製造方法において
は、表面処理は、オゾン処理部と異なるオゾン発生部に
よって生成されたオゾンをオゾン処理部に導入すること
によって行われるため、複数の被処理体を所定の条件下
で同時に処理することができる。

【０００９】さらに、この半導体装置の製造方法におい
ては、前記オゾン処理部は前記オゾン発生部と異なる領
域であるため、例えばオゾンの発生方法としてプラズマ
放電を用いた場合であっても、処理ガスにラジカルやイ
オンなどの電気的に活性な種を実質的にほとんど含まな
いため、半導体素子に電気的ダメージを与えることな
く、表面処理を行うことができる。

【００１０】請求項２の発明は、請求項１において、前
記オゾン処理部において、複数の前記被処理体は、その
被処理面が互いに離間した状態で容器に収容されること
により、バッチ処理によって表面処理される。

【００１１】請求項２の発明によれば、複数の被処理体
は、その被処理面が互いに離れた状態で容器に収容さ
れ、バッチ処理が可能であるため、オゾンによる表面処
理を高い効率で行うことができる。

【００１２】請求項３の発明は、請求項１または２にお
いて、前記オゾン処理部において、オゾンの濃度は５〜
５０ｇ／ｃｍ³である。

【００１３】オゾン処理に用いられるオゾンの濃度は、
被処理体の汚染原因などによって異なり、特に制限され
るものではないが、上記濃度範囲５〜５０ｇ／ｃｍ³で
良好な洗浄効果が得られる。

【００１４】請求項４の発明は、請求項１ないし３のい
ずれかにおいて、前記オゾン処理部での表面処理は、大
気圧またはその近傍の圧力下で行われる。

【００１５】請求項４の発明によれば、オゾン処理部に
おいて真空あるいは減圧のための設備を要しないため、
プロセスを単純化することができる。

【００１６】請求項５の発明は、請求項１ないし４のい
ずれかにおいて、前記オゾン発生部において、オゾン
は、大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマを誘起す
ることによって生成される。

【００１７】なお、前記大気圧の近傍の圧力下とは、真
空あるいは減圧のための設備を必要としない気圧を意味
する。

【００１８】請求項５の発明によれば、オゾン発生部に
おいてオゾンが大気圧またはその近傍の圧力下でプラズ
マを誘起することによって形成されるため、真空あるい
は減圧のための設備を必要とせず、プロセスを単純化す
ることができる。

【００１９】請求項６の発明は、酸素雰囲気または酸素
を含む雰囲気においてオゾンを発生させるオゾン発生
部、前記オゾン発生部において発生したオゾンを導入し
て、複数の被処理体にオゾンを接触させ、被処理体の表
面処理を行うオゾン処理部、および前記オゾン発生部と
前記オゾン処理部とを連結するオゾン供給路を含み、前
記被処理体は、半導体素子、半導体素子保持部、リード
および前記半導体素子の電極と前記リードとを電気的に
接続する接続部を含む半導体素子組立体である。

【００２０】なお、前記酸素を含む雰囲気としては、空
気などをあげることができる。

【００２１】請求項６の発明によれば、オゾン処理部に
おいて複数の被処理体を同時に処理することができるた
め、オゾンによる表面処理を効率良く行うことができ
る。

【００２２】また、前記オゾン処理部は前記オゾン発生
部と異なる領域であるため、例えばオゾンの発生方法と
してプラズマ放電を用いた場合であっても、処理ガスに
ラジカルやイオンなどの電気的に活性な種を実質的に含
まないため、半導体素子に電気的ダメージを与えること
なく、表面処理を行うことができる。

【００２３】請求項７の発明は、請求項６において、前
記オゾン処理部は、複数の前記被処理体が、その被処理
面が互いに離間した状態で収容された容器を収容するこ
とができる。

【００２４】請求項７の発明によれば、前記オゾン処理
部に多くの被処理体を収容することができるため、バッ
チ処理により効率の良い表面処理を行うことができる。

【００２５】請求項８の発明は、請求項６または７にお
いて、前記オゾン処理部において、オゾンの濃度は５〜
５０ｇ／ｃｍ³に設定される。

【００２６】被処理体の表面処理に必要なオゾンの濃度
を前記範囲に設定することにより、良好な表面処理を行
うことができる。

【００２７】請求項９の発明は、請求項６ないし８のい
ずれかにおいて、前記オゾン発生部は、大気圧またはそ
の近傍の圧力下でプラズマを誘起することによってオゾ
ンを生成する。

【００２８】請求項９の発明によれば、大気圧またはそ
の近傍の圧力下でオゾンを生成することができるため、
真空や減圧のための設備を必要せず、装置をシンプルに
かつ小型にすることができる。

【００２９】請求項１０の発明は、請求項６ないし９の
いずれかにおいて、前記オゾン発生部は、処理ガス供給
部、５０ｋＨｚ以下の低周波数の交流電圧または直流電
圧を出力する電源、および処理ガスに前記電圧を印加す
る一対の電極を含む。

【００３０】請求項１０の発明によれば、プラズマ発生
用の交流周波数を５０ｋＨｚ以下とすることにより、一
対の電極に印加される交流電圧のピークツーピーク
（ｐｅａｋｔｏｐｅａｋ）電圧を大きく確保するこ
とができ、ヘリウムなどの比較的高価なガスを用いず
に、大気圧またはその近傍の圧力下で処理ガスを十分に
活性化して安定したプラズマを生成することができる。
このことは、直流電圧を印加した場合にも認められた。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の製造
方法および製造装置について、図面を参照しながら詳細
に説明する。

【００３２】（製造装置）図１は、本発明の製造装置の
一例を示す模式図である。本実施の形態にかかる製造装
置１００は、オゾン発生部４０、オゾン処理部６０、オ
ゾン供給路７０、パージガス供給路８０および排気部９
０から構成されている。

【００３３】前記オゾン発生部４０は、図２に示すよう
に、密閉可能なチャンバー（図示せず）と、このチャン
バー内に対向して配置される一対の電極４２および４４
と、一方の電極４２に貫通して形成されたガス供給路４
６を含む処理ガス供給部と、処理ガス排出部（図示せ
ず）と、を含んで構成される。前記処理ガス供給部は、
図示しないボンベ等から酸素ガスあるいは圧縮空気が供
給され、少なくとも処理ガスが前記電極４２および電極
４４の間に供給されるように構成されている。そして、
チャンバー内の圧力は、大気圧あるいはそれに近い圧力
となっている。

【００３４】一方の前記電極４２は、高周波電源４８に
接続され、他方の前記電極４４は接地され、プラズマ発
生装置を構成している。また、前記電極４２は、セラミ
ックスなどの絶縁体５０を介して支持部５２に支持され
ている。

【００３５】本実施の形態においては、一対の電極４２
および電極４４間に、５０ｋＨｚ以下の比較的低周波の
交流電圧あるいは直流電圧が印加される。

【００３６】このように、比較的低周波数の交流電圧を
印加する理由は下記の通りである。すなわち、一般的に
は、大気圧プラズマを生成するためには、比較的プラズ
マの発生しやすいヘリウムガスを大量に必要とする。こ
の場合には、一対の電極間に印加される交流電圧の周波
数を、商用周波数である１３．５６ＭＨｚとすることが
できる。しかしながら、通常、ヘリウムガスを要せず
に、空気または酸素等の雰囲気では、商用周波数である
１３．５６ＭＨｚの交流電圧では大気圧プラズマを生成
することができない。本実施の形態では、５０ｋＨｚ以
下の比較的低周波数の交流電圧または直流電圧を一対の
電極に印加することで、大気圧プラズマを安定して生成
できる。この理由は、低周波数の交流電圧の場合、その
ｐｅａｋｔｏｐｅａｋ電圧を大きくでき、結果として
プラズマの生成に寄与するエネルギーを確保できるから
と推測される。

【００３７】前記オゾン処理部６０は、密閉可能なチャ
ンバー６２から構成されている。このチャンバー６２
は、複数の被処理体１０が搭載される容器（マガジン）
Ｍが単数あるいは複数収容可能な空間を備えている。容
器Ｍは、チャンバー６２のドア（図示せず）の開閉によ
って、マニュアルあるいは自動的に出し入れされる。前
記容器Ｍは、例えば上下方向に複数の棚を有し、各棚に
被処理体１０が載置される。そして、容器Ｍの各棚は、
被処理体１０の被処理面にオゾンガスが十分に到達する
ように設定されている。また、前記チャンバー６２の側
面には、オゾン濃度を検出するためのオゾン検知器６６
が単数もしくは複数設けられている。オゾン検知器６６
のデータは、オゾン処理部６０へ供給されるオゾンガス
の量を制御するためのデータとして使用される。

【００３８】前記オゾン供給路７０は、オゾン発生部４
０で生成されたオゾンを含む処理ガス（以下、単に「処
理ガス」という。）をオゾン処理部６０に供給するため
のパイプ７２を有している。このパイプ７２には、処理
ガスの供給および供給量を制御するためのバルブ機構が
設けられている。このバルブ機構は特に制限されるもの
ではないが、例えばソレノイドバルブ７４および流量計
７６を備えている。また、前記パイプ７２は、好ましく
は、前記オゾン処理部６０の複数箇所において処理ガス
を供給するために、複数の経路に分岐された分岐パイプ
７２ａないし７２ｄを有している。

【００３９】この実施の形態においては、分岐パイプは
チャンバー６２に対して縦方向に配列されているが、横
方向あるいは両方向であってもよい。また、処理ガスの
供給面は側面だけでなく、上側あるいは下側の面からで
あってもよい。

【００４０】前記パージガス供給路８０は、オゾン処理
部６０内のオゾンを含むガスを排出するためのものであ
る。パージガス供給路８０は、パージガス、例えば窒素
ガスあるいは空気などを供給するパイプ８２と、パージ
ガスの供給あるいは供給量を制御するためのバルブ機
構、例えばソレノイドバルブ８４および流量計８６など
を備えている。

【００４１】前記排気部９０は、オゾン処理部６０内の
ガスを排出するためのパイプ９２、ソレノイドバルブ９
４、流量計９６、および有害ガスを処理するための除害
部９８を備えている。処理ガスとして用いられるオゾン
は人体に有害なため、これを排出する際には、除害部９
８において例えば活性炭と排出ガスとを接触させるなど
の方法によって処理する必要がある。

【００４２】（被処理体）次に、オゾンガスによる表面
処理が施される被処理体（半導体素子組立体）１０につ
いて説明する。被処理体１０は、例えば、ＱＦＰタイプ
などの面実装型半導体装置の製造に用いられる。

【００４３】図３に示す被処理体１０は、リードフレー
ム１２の半導体素子保持部を構成するダイパット１４上
に、銀ペーストと呼ばれる接着層１８によって半導体素
子１６が固定されている。半導体素子１６の電極（図示
せず）とリードフレーム１２のインナーリード（図示せ
ず）とはワイヤボンディング２０によって電気的に接続
されている。

【００４４】被処理体１０は、前述した製造装置１００
によってオゾンによる表面処理を行った後に、図４に示
すように、被処理体である半導体素子組立体１０の素子
領域を絶縁性樹脂によって被覆する成形工程を経て、樹
脂封止部２２が形成される。その後、一般的な手法によ
って、例えば、ダムバーを除去するトリミング工程およ
びアウターリードを成形するフォーミング工程などを経
て、ＱＦＰタイプなどの面実装型半導体装置が製造され
る。

【００４５】（表面処理）次に、オゾンによる表面処理
工程の一例について、図１および図５を参照しながら説
明する。

【００４６】（ａ）まず、オゾン処理部６０内に、被処
理体１０が搭載された例えばアルミニウム製容器Ｍをセ
ットした後、オゾン処理部６０のチャンバー６２を密閉
状態、つまり、チャンバー６２のドアを閉じる。このと
き、オゾン供給路７０のソレノイドバルブ７４およびパ
ージガス供給路８０のソレノイドバルブ８４は閉じられ
ている。この状態では、オゾン処理部６０内は外部の雰
囲気と同じである。

【００４７】（ｂ）ついで、オゾン発生部４２内に生成
したオゾンを含む処理ガスをオゾン供給路７０を介して
オゾン処理部６０のチャンバー６２内に供給する。つま
り、ソレノイドバルブ７４が開かれ、処理ガスは、予め
設定された流量で、分岐パイプ７２ａないし７２ｄを介
してオゾン処理部６０のチャンバー６２内に供給され
る。

【００４８】オゾン処理部６０における表面処理は、主
に、オゾンの濃度および処理時間によって左右される。
オゾンの濃度および処理時間は、例えば被処理体の汚染
原因やオゾン処理部６０あるいは容器Ｍの構造などによ
って異なり、特に限定されるものではないが、例えばオ
ゾン濃度は５〜５０ｇ／ｃｍ³、および処理時間は１〜
９０分程度に設定されることが好ましい。また、オゾン
処理部６０内の圧力は大気圧あるいはその近傍に設定さ
れる。

【００４９】（ｃ）オゾン処理部６０におけるオゾンに
よる表面処理が終了したときには、オゾン発生部４０か
らの処理ガスの供給を止め、かつ排気部９０のソレノイ
ドバルブ９４を開き、代わりにパージガス供給路８０の
ソレノイドバルブ８４を開くことにより、所定量のパー
ジガスをオゾン処理部６０のチャンバー６２内に供給す
る。チャンバー６２から排気部９０のパイプ９２に送ら
れたガスは、除害部９８によってオゾンガスを含まない
状態に浄化され、人体に無害なガスとして排出される。

【００５０】（ｄ）オゾン処理部６０のチャンバー６２
内のオゾンガスが完全に排出された段階で、パージガス
の供給を停止し、被処理体１０の容器Ｍをオゾン処理部
６０の外部に取り出す。

【００５１】（ｅ）以後は、上記（ａ）ないし（ｄ）の
プロセスを繰り返すことにより、被処理体１０をバッチ
処理によって効率良く処理することができる。そして、
前記表面処理の全工程は大気圧または大気圧近傍の圧力
下において行われるため、真空あるいは減圧のための設
備を必要とせず、装置並びにラインの簡素化を図ること
ができる。

【００５２】なお、オゾンは、不安定で分解しやすいの
で、パージガスの供給および時間の経過によって希釈，
消滅するが、オゾンを完全にかつ、迅速にチャンバ６２
内から除去したい場合には、パイプ９２とチャンバの接
続部を、チャンバの下方、つまり少なくともチャンバの
高さの半分以下の部分に設けると良い。

【００５３】これは、オゾンが空気より重く、パージガ
スを導入した際に下にしずむ傾向があるためである。

【００５４】（実験例）次に、本発明の表面処理の効果
を確認するために行った実験の結果を示す。

【００５５】（１）サンプル実験にあたっては、ＱＦＰタイプの半導体装置であっ
て、半導体素子組立体を純水によって洗浄，乾燥した後
の放置時間のみが異なる４種のサンプル（Ａ〜Ｄ）を採
用した。サンプルＡは放置時間が２０時間、サンプルＢ
は放置時間が１０時間、サンプルＣは放置時間が５時
間、およびサンプルＤは放置時間が１時間である。な
お、各サンプルは、それぞれ６個ずつについて実験を行
った。

【００５６】実施例のサンプル：本発明にかかるオゾン
による表面処理を次の条件で行った。すなわち、オゾン
を発生させるためのガスとして酸素を用い、図２に示し
たプラズマ発生装置によって、オゾン濃度が約４０ｇ／
ｃｍ³の処理ガスを生成した。そして、オゾン処理部に
おいて、前記処理ガスを用い、大気圧で２０分間表面処
理を行った。

【００５７】比較例のサンプル：オゾンにより表面処理
を行わないほかは、実施例のサンプルと同様の方法で作
成された。

【００５８】参考例のサンプル：表面処理として、本発
明のオゾンによる表面処理の代わりに図２に示すタイプ
のプラズマ発生装置を用いて直接表面処理を行った。こ
のときの条件としては、キャリアガスとしてヘリウムを
２０リットル／分、反応ガスとして酸素を０．９リット
ル／分で供給し、電力４００Ｗで２０分間プラズマ処理
を行った。

【００５９】（２）実験方法各サンプルについて、以下の方法（ａ）〜（ｃ）で、半
導体素子とパッケージ（樹脂封止部）との剥離の状態を
調べた。

【００６０】（ａ）サンプルを１２５℃で大気中に２４
時間放置する。

【００６１】（ｂ）サンプルを８５℃、相対湿度８５％
で大気中に２４時間放置する。

【００６２】（ｃ）サンプルを日本クラウトクレイマー
（株）製の超音波探傷装置で調べることによって、０．
１μｍ以上の傷を検出し、剥離の状態を間接的に調べ
た。

【００６３】（３）実験結果実験の結果を表１に示す。

【００６４】

【表１】表１から明らかなように、本発明のオゾンによる表面処
理を行った実施例のサンプルについては、半導体素子と
パッケージとの間の剥離がいずれのサンプルについても
認められなかった。これに対し、比較例のサンプルにお
いては、サンプルＡについて４個、サンプルＢについて
１個、半導体素子とパッケージとの間に剥離が認められ
た。

【００６５】なお、被処理体に直接プラズマ処理を行っ
た参考例のサンプルについては、どのサンプルについて
も剥離が認められなかった。このことから、本発明の実
施例のサンプルは、プラズマ処理の場合と同様に優れた
表面処理効果により、剥離のない高い密着性を有するこ
とがわかる。

【００６６】以上、本発明の好適な実施の形態について
述べたが、本発明はこれに限定されることなく、発明の
要旨の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、前記
実施例においては、被処理体としては、ＱＦＰ，ＳＯ
Ｐ，ＴＱＦＰ（スィンクワットフラットパッケージ），
ＴＳＯＰ（スィンスモールアウトラインパッケージ）な
どの面実装タイプの半導体装置について述べたが、本発
明の被処理体はこれらに限定されず、樹脂封止部を有す
る他の半導体装置、例えばＢＧＡなどに適用することが
できる。

【００６７】また、前述した実施の形態においては、オ
ゾン発生部としてプラズマによるオゾン発生装置を用い
たが、オゾン発生部の構成はこれに限定されず、例え
ば、磁場マイクロ波プラズマ発生装置、反応性イオンビ
ームによるプラズマ発生装置、などを用いることができ
る。

【００６８】また、前述した実施の形態においては、オ
ゾン処理部内の圧力を大気圧またはその近傍の圧力とし
たが、オゾン処理部内を減圧状態もしくは大気圧以上の
高圧状態としてもよい。しかしながら、装置の簡易化お
よびコストの低減を考慮すれば、オゾン処理部内の圧力
は大気圧もしくはその近傍とするのが好ましい。

【００６９】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる半導体装置の製造装置の一例を
概略的に示す模式図である。

【図２】図１に示すオゾン発生部の一例を概略的に示す
模式図である。

【図３】被処理体（半導体素子組立体）の構成例を示す
模式図である。

【図４】図３に示す半導体素子組立体に樹脂封止部を形
成した状態を示す模式図である。

【図５】本発明にかかる半導体装置の製造方法におけ
る、オゾンを含む処理ガスによる表面処理の工程を示す
フローチャートである。

【符号の説明】

１０被処理体（半導体素子組立体）１２リードフレーム１４ダイパット１６半導体素子１８接着層２０ボンディングワイヤ２２樹脂封止部４０オゾン発生部４２，４４電極４６ガス供給路６０オゾン処理部６２チャンバー７０オゾン供給路８０パージガス供給路９０排気部Ｍ容器１００製造装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子、半導体素子保持部、リードお
よび前記半導体素子の電極と前記リードとを電気的に接
続する接続部を含む半導体素子組立体の所定の素子領域
を絶縁性樹脂によって封止する成形工程を経る半導体装
置の製造方法において、前記半導体素子組立体は、前記成形工程の前に、オゾン
よる表面処理を施され、前記表面処理は、複数の被処理体である前記半導体素子
組立体をオゾン処理部に収容した状態で、オゾン発生部
において生成されたオゾンを前記オゾン処理部に導入
し、オゾンと前記被処理体とを接触させることによって
行われる半導体装置の製造方法。
【請求項２】請求項１において、前記オゾン処理部において、複数の前記被処理体は、そ
の被処理面が互いに離間した状態で容器に収容されるこ
とにより、バッチ処理によって表面処理される半導体装
置の製造方法。
【請求項３】請求項１または２において、前記オゾン処理部において、オゾンの濃度は５〜５０ｇ
／ｃｍ³である半導体装置の製造方法。
【請求項４】請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記オゾン処理部での表面処理は、大気圧またはその近
傍の圧力下で行われる半導体装置の製造方法。
【請求項５】請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記オゾン発生部において、オゾンは、大気圧またはそ
の近傍の圧力下でプラズマを誘起することによって生成
される半導体装置の製造方法。
【請求項６】酸素雰囲気または酸素を含む雰囲気におい
てオゾンを発生させるオゾン発生部、前記オゾン発生部において発生したオゾンを導入して、
複数の被処理体にオゾンを接触させ、被処理体の表面処
理を行うオゾン処理部、および前記オゾン発生部と前記
オゾン処理部とを連結するオゾン供給路を含み、前記被処理体は、半導体素子、半導体素子保持部、リー
ドおよび前記半導体素子の電極と前記リードとを電気的
に接続する接続部を含む半導体素子組立体である半導体
装置の製造装置。
【請求項７】請求項６において、前記オゾン処理部は、複数の前記被処理体が、その被処
理面が互いに離間した状態で収容された容器を収納する
ことができる半導体装置の製造装置。
【請求項８】請求項６または７において、前記オゾン処理部において、オゾンの濃度は５〜５０ｇ
／ｃｍ³に設定される半導体装置の製造装置。
【請求項９】請求項６ないし８のいずれかにおいて、前記オゾン発生部は、大気圧またはその近傍の圧力下で
プラズマを誘起することによってオゾンを生成する半導
体装置の製造装置。
【請求項１０】請求項６ないし９のいずれかにおいて、前記オゾン発生部は、処理ガス供給部、５０ｋＨｚ以下
の低周波数の交流電圧または直流電圧を出力する電源、
および処理ガスに前記電圧を印加する一対の電極を含む
半導体装置の製造装置。