JPH10223406A - Ｐｔｃ組成物およびそれを用いたｐｔｃ素子 - Google Patents
Ｐｔｃ組成物およびそれを用いたｐｔｃ素子Info
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- JPH10223406A JPH10223406A JP2343397A JP2343397A JPH10223406A JP H10223406 A JPH10223406 A JP H10223406A JP 2343397 A JP2343397 A JP 2343397A JP 2343397 A JP2343397 A JP 2343397A JP H10223406 A JPH10223406 A JP H10223406A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 放射線を照射することなく，室温での抵抗値
が低く，更にスイッチング温度後に高抵抗を安定的に保
つＰＴＣ組成物とそれを用いたＰＴＣ素子と，このＰＴ
Ｃ素子を電気回路保護に用いた電気回路保護素子を提供
すること。 【解決手段】 ＰＴＣ組成物は，ポリマー成分，半導体
粉体，及び導電性粉体を主成分とし，ある温度において
急激に抵抗が上昇する正温度特性を備えた導電性樹脂組
成物である。このＰＴＣ組成物は，前記半導体粉体と前
記導電性粉体の総量が全体の１５〜６０ｖｏ１％の範囲
内である。
が低く，更にスイッチング温度後に高抵抗を安定的に保
つＰＴＣ組成物とそれを用いたＰＴＣ素子と，このＰＴ
Ｃ素子を電気回路保護に用いた電気回路保護素子を提供
すること。 【解決手段】 ＰＴＣ組成物は，ポリマー成分，半導体
粉体，及び導電性粉体を主成分とし，ある温度において
急激に抵抗が上昇する正温度特性を備えた導電性樹脂組
成物である。このＰＴＣ組成物は，前記半導体粉体と前
記導電性粉体の総量が全体の１５〜６０ｖｏ１％の範囲
内である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ある特定の温度
（スイッチング温度と呼ぶ）領域に達したときに，急激
に抵抗が上昇する正温度特性，いわゆるＰＴＣ（Positi
ve Temperature Coefficient）特性を有する高分子材料
を含む導電性樹脂組成物とそれを用いた回路素子に関す
るものである。
（スイッチング温度と呼ぶ）領域に達したときに，急激
に抵抗が上昇する正温度特性，いわゆるＰＴＣ（Positi
ve Temperature Coefficient）特性を有する高分子材料
を含む導電性樹脂組成物とそれを用いた回路素子に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来からＰＴＣ特性を有するものとし
て，Ｙ2 Ｏ3 を微量添加したＢａＴｉＯ3 等の無機導電
性組成物（セラミックＰＴＣ）やポリエチレンのような
結晶性高分子に導電性をもつカーボンブラック等の粉体
を混練した有機導電性組成物（高分子ＰＴＣ）が知られ
ている。
て，Ｙ2 Ｏ3 を微量添加したＢａＴｉＯ3 等の無機導電
性組成物（セラミックＰＴＣ）やポリエチレンのような
結晶性高分子に導電性をもつカーボンブラック等の粉体
を混練した有機導電性組成物（高分子ＰＴＣ）が知られ
ている。
【０００３】とりわけ，従来の有機導電性組成物におい
ては，ポリマーマトリックスの結晶融点より低い温度に
ある間では，導電性粒子はポリマーマトリックスの非晶
質領域にのみ存在し，導電性粒子相互に接続されたネッ
トワークを通って移動する電子により低い抵抗率を示
す。一方，従来の有機導電性組成物では，温度上昇によ
りポリマーマトリックスが融解し始めると，ポリマーマ
トリックスの粘度を保ったまま非結晶相の体積が相対的
に増加し，更に結晶相の融解で非晶質にのみ存在した導
電性粒子がマトリックス全体に拡散するため，導電性粒
子間のネットワークが切断され，抵抗率が急激に上昇す
る（正温度特性）。
ては，ポリマーマトリックスの結晶融点より低い温度に
ある間では，導電性粒子はポリマーマトリックスの非晶
質領域にのみ存在し，導電性粒子相互に接続されたネッ
トワークを通って移動する電子により低い抵抗率を示
す。一方，従来の有機導電性組成物では，温度上昇によ
りポリマーマトリックスが融解し始めると，ポリマーマ
トリックスの粘度を保ったまま非結晶相の体積が相対的
に増加し，更に結晶相の融解で非晶質にのみ存在した導
電性粒子がマトリックス全体に拡散するため，導電性粒
子間のネットワークが切断され，抵抗率が急激に上昇す
る（正温度特性）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＰＴＣ組成物は，例え
ば，過電流保護素子等に用いられるが，この場合にセラ
ミック系のＰＴＣ組成物を用いると室温状態での抵抗値
が〜１００Ω程度と高いために数Ａ程度の比較的大きな
電流を流すことができない。
ば，過電流保護素子等に用いられるが，この場合にセラ
ミック系のＰＴＣ組成物を用いると室温状態での抵抗値
が〜１００Ω程度と高いために数Ａ程度の比較的大きな
電流を流すことができない。
【０００５】また従来から知られている高分子ＰＴＣ組
成物は高分子の融点を超えると抵抗が減少していき（負
温度特性），融点以上での安定した高抵抗が得られな
い。
成物は高分子の融点を超えると抵抗が減少していき（負
温度特性），融点以上での安定した高抵抗が得られな
い。
【０００６】この欠点を解消するために，現在のところ
ＰＴＣ組成物を放射線照射し，架橋することで対策して
いる。しかし，放射線照射を行う場合，設備のコストが
大きく，又工程数が増える等の問題がある。
ＰＴＣ組成物を放射線照射し，架橋することで対策して
いる。しかし，放射線照射を行う場合，設備のコストが
大きく，又工程数が増える等の問題がある。
【０００７】そこで，本発明の技術的課題は，放射線を
照射することなく，室温での抵抗値が低く，更にスイッ
チング温度後に高抵抗を安定的に保つＰＴＣ組成物とそ
れを用いた回路素子であるＰＴＣ素子とＰＴＣ素子を電
気回路保護に用いた電気回路保護素子とを提供すること
にある。
照射することなく，室温での抵抗値が低く，更にスイッ
チング温度後に高抵抗を安定的に保つＰＴＣ組成物とそ
れを用いた回路素子であるＰＴＣ素子とＰＴＣ素子を電
気回路保護に用いた電気回路保護素子とを提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに，本発明者らは種々検討を行った結果，ポリマー成
分に導電性粉体と半導体粉体とを混練した組成物が有効
であることを見いだした。
めに，本発明者らは種々検討を行った結果，ポリマー成
分に導電性粉体と半導体粉体とを混練した組成物が有効
であることを見いだした。
【０００９】即ち，本発明によれば，ポリマー成分，半
導体粉体，及び導電性粉体を主成分とし，ある温度（ス
イッチング温度）において急激に抵抗が上昇する正温度
特性を備えた導電性樹脂組成物であって，前記半導体粉
体と前記導電性粉体の総量が全体の１５〜６０ｖｏ１％
の範囲内であることを特徴とするＰＴＣ組成物が得られ
る。
導体粉体，及び導電性粉体を主成分とし，ある温度（ス
イッチング温度）において急激に抵抗が上昇する正温度
特性を備えた導電性樹脂組成物であって，前記半導体粉
体と前記導電性粉体の総量が全体の１５〜６０ｖｏ１％
の範囲内であることを特徴とするＰＴＣ組成物が得られ
る。
【００１０】また，本発明によれば，前記ＰＴＣ組成物
において，前記半導体粉体は，Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｎＯ2 ，
ＴｉＯ2 ，及びＢＣの内の少なくとも一種からなり，前
記導電性粉体は，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，カーボンブ
ラック，黒鉛の内の少なくとも一種からなることを特徴
とするＰＴＣ組成物が得られる。
において，前記半導体粉体は，Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｎＯ2 ，
ＴｉＯ2 ，及びＢＣの内の少なくとも一種からなり，前
記導電性粉体は，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，カーボンブ
ラック，黒鉛の内の少なくとも一種からなることを特徴
とするＰＴＣ組成物が得られる。
【００１１】また，本発明によれば，前記ＰＴＣ組成物
において，前記半導体粉体の量が全体のｌ０〜５５ｖｏ
ｌ％の範囲内であることを特徴とするＰＴＣ組成物が得
られる。
において，前記半導体粉体の量が全体のｌ０〜５５ｖｏ
ｌ％の範囲内であることを特徴とするＰＴＣ組成物が得
られる。
【００１２】また，本発明によれば，前記いずれかのＰ
ＴＣ組成物を用いたことを特徴とするＰＴＣ素子が得ら
れる。
ＴＣ組成物を用いたことを特徴とするＰＴＣ素子が得ら
れる。
【００１３】さらに，本発明によれば，前記ＰＴＣ素子
を電気回路保護に用いたことを特徴とする電気回路保護
素子が得られる。
を電気回路保護に用いたことを特徴とする電気回路保護
素子が得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１５】まず，導電性樹脂組成物の目標値として室
温抵抗を１０Ω・ｃｍ以下，スイッチング後の抵抗と室
温での抵抗の比（Ｒ´／Ｒ）が１０5 以上と設定した。
次に，高密度ポリエチレンに導電性粒子として，ニッケ
ル（Ｎｉ）粉体を１０〜５０ｖｏｌ％程度ロールミル上
で加熱混練した後，シート状に成形し第１の比較試料と
してのポリマー組成体を得た。ここで，導電性樹脂組成
物に用いることができる導電性粒子としては，Ｎｉの
他，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ等の金属粉体，カーボンブラッ
ク，黒鉛等の炭素系導電性粉体，また球状粒子の表面を
物理的または化学的に金属，金属酸化物，カーボン等の
一種，または二種以上を沈着被覆させたものでも良い。
温抵抗を１０Ω・ｃｍ以下，スイッチング後の抵抗と室
温での抵抗の比（Ｒ´／Ｒ）が１０5 以上と設定した。
次に，高密度ポリエチレンに導電性粒子として，ニッケ
ル（Ｎｉ）粉体を１０〜５０ｖｏｌ％程度ロールミル上
で加熱混練した後，シート状に成形し第１の比較試料と
してのポリマー組成体を得た。ここで，導電性樹脂組成
物に用いることができる導電性粒子としては，Ｎｉの
他，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ等の金属粉体，カーボンブラッ
ク，黒鉛等の炭素系導電性粉体，また球状粒子の表面を
物理的または化学的に金属，金属酸化物，カーボン等の
一種，または二種以上を沈着被覆させたものでも良い。
【００１６】図１の曲線１２は，上記第１の比較試料の
組成物の温度と抵抗率の測定結果を示している。図１の
測定はオイルバス中４短針法で行い，抵抗率測定にはデ
ィジタルマルチメータを用いた。図１の曲線１２から分
かるように，室温での抵抗率は２Ω・ｃｍ程度であり，
スイッチング温度後にｌ０9 倍程度以上に上昇している
が，その後，更に高温となると抵抗率が低下している。
組成物の温度と抵抗率の測定結果を示している。図１の
測定はオイルバス中４短針法で行い，抵抗率測定にはデ
ィジタルマルチメータを用いた。図１の曲線１２から分
かるように，室温での抵抗率は２Ω・ｃｍ程度であり，
スイッチング温度後にｌ０9 倍程度以上に上昇している
が，その後，更に高温となると抵抗率が低下している。
【００１７】次に，高密度ポリエチレンにフィラーとし
てシリコン（Ｓｉ）粉体を１０〜６０ｖｏ１％程度ロー
ルミル上で加熱混練した後，シート状に成形し，第２の
比較試料としてのポリマー組成体を得た。ここで，導電
性樹脂組成物に用いることができるフィラーとしては，
シリコンの他に，ＳｎＯ2 やＢＣ等の半導体粉体でも良
い。
てシリコン（Ｓｉ）粉体を１０〜６０ｖｏ１％程度ロー
ルミル上で加熱混練した後，シート状に成形し，第２の
比較試料としてのポリマー組成体を得た。ここで，導電
性樹脂組成物に用いることができるフィラーとしては，
シリコンの他に，ＳｎＯ2 やＢＣ等の半導体粉体でも良
い。
【００１８】図１の曲線１３は，第２の比較試料の組成
物の温度と抵抗率の測定結果を示している。測定法は，
前述の第１の比較試料に用いた方法と同様である。図１
の曲線１３から分かるように，第２の比較試料において
は，高温側で１０4 倍程度に上昇し，その後も抵抗率は
下がらず安定している。しかし，室温での抵抗率が１０
6 Ω・ｃｍ程度とニッケル粉体をフィラーとして用いた
場合に比較し大きくなっている。
物の温度と抵抗率の測定結果を示している。測定法は，
前述の第１の比較試料に用いた方法と同様である。図１
の曲線１３から分かるように，第２の比較試料において
は，高温側で１０4 倍程度に上昇し，その後も抵抗率は
下がらず安定している。しかし，室温での抵抗率が１０
6 Ω・ｃｍ程度とニッケル粉体をフィラーとして用いた
場合に比較し大きくなっている。
【００１９】次に，高密度ポリエチレンに，ニッケル粉
体を１０〜４０ｖｏｌ％，シリコン粉体を１０〜５０ｖ
ｏ１％程度ロールミル上で加熱混練した後，シート状に
成形した本発明の試料としてのポリマー組成体を得た。
図１の曲線１１は，本発明の試料の組成物の温度と抵抗
率の測定結果を示している。測定法は前述の第１の比較
試料及び第２の比較試料に用いた方法と同様である。図
１の曲線１１から分かるように室温での抵抗率は４Ω・
ｃｍ程度であり，高温側で１０8 倍以上に上昇し，その
後も抵抗率は下がらず安定している。またフィラー量に
ついて導電性フィラー量が５ｖｏ１％以上でないと室温
抵抗の目標値である１０Ω・ｃｍ以下にならないため，
本発明の範囲から除外される。
体を１０〜４０ｖｏｌ％，シリコン粉体を１０〜５０ｖ
ｏ１％程度ロールミル上で加熱混練した後，シート状に
成形した本発明の試料としてのポリマー組成体を得た。
図１の曲線１１は，本発明の試料の組成物の温度と抵抗
率の測定結果を示している。測定法は前述の第１の比較
試料及び第２の比較試料に用いた方法と同様である。図
１の曲線１１から分かるように室温での抵抗率は４Ω・
ｃｍ程度であり，高温側で１０8 倍以上に上昇し，その
後も抵抗率は下がらず安定している。またフィラー量に
ついて導電性フィラー量が５ｖｏ１％以上でないと室温
抵抗の目標値である１０Ω・ｃｍ以下にならないため，
本発明の範囲から除外される。
【００２０】さらに半導体成分が全体のｌ０ｖｏ１％以
上ない場合，高温での抵抗の安定性が得られなくなるの
で本発明の範囲から除外される。
上ない場合，高温での抵抗の安定性が得られなくなるの
で本発明の範囲から除外される。
【００２１】また，フィラー総量が６０ｖｏ１％を超え
るとポリマーとフィラーとの混ざりが悪くなり，作業性
が著しく悪化する。このため本発明の範囲にあるフィラ
ー総量は，全体の１５ｖｏｌ％以上６０ｖｏ１％以下と
設定される。
るとポリマーとフィラーとの混ざりが悪くなり，作業性
が著しく悪化する。このため本発明の範囲にあるフィラ
ー総量は，全体の１５ｖｏｌ％以上６０ｖｏ１％以下と
設定される。
【００２２】また，以上より本発明の範囲にある半導体
成分は，全体の１０ｖｏ１% 以上，５５ｖｏｌ％以下と
設定される。
成分は，全体の１０ｖｏ１% 以上，５５ｖｏｌ％以下と
設定される。
【００２３】次に，図２の曲線２２は，一般的なＰＴＣ
組成物であるポリエチレンにカーボン系フィラーを混練
した第３の比較試料としての組成物のＰＴＣ特性を示
す。また，本発明の実施の形態による組成物のＰＴＣ特
性を図２の曲線１１（図１の曲線１１と同じ）に示す。
ただし，両方の試料ともに，放射線照射は行っていな
い。図２の曲線１１に示すように，室温での抵抗は，本
発明の試料においては，曲線２２に示される第３の比較
試料の組成物と同等でかつ高温での抵抗安定性が増して
いる。
組成物であるポリエチレンにカーボン系フィラーを混練
した第３の比較試料としての組成物のＰＴＣ特性を示
す。また，本発明の実施の形態による組成物のＰＴＣ特
性を図２の曲線１１（図１の曲線１１と同じ）に示す。
ただし，両方の試料ともに，放射線照射は行っていな
い。図２の曲線１１に示すように，室温での抵抗は，本
発明の試料においては，曲線２２に示される第３の比較
試料の組成物と同等でかつ高温での抵抗安定性が増して
いる。
【００２４】また，図３の曲線３２にポリマー成分に導
電性粉体のみを混練した第３の比較試料として，ポリエ
チレンに黒鉛約４０ｖｏ１％を加熱混練したＰＴＣ組成
物の温度と抵抗率の測定結果を示す。図３の曲線３２に
示されるように導電性粉体のみ混練したＰＴＣ組成物
は，室温では１０Ω・ｃｍ程度以下の低抵抗率で，スイ
ッチング温度後で抵抗率が室温の１０8 〜１０9 倍程度
に上昇する。しかし組成物の温度を融点以上に上げる
と，抵抗率が急激に低下する傾向がある。
電性粉体のみを混練した第３の比較試料として，ポリエ
チレンに黒鉛約４０ｖｏ１％を加熱混練したＰＴＣ組成
物の温度と抵抗率の測定結果を示す。図３の曲線３２に
示されるように導電性粉体のみ混練したＰＴＣ組成物
は，室温では１０Ω・ｃｍ程度以下の低抵抗率で，スイ
ッチング温度後で抵抗率が室温の１０8 〜１０9 倍程度
に上昇する。しかし組成物の温度を融点以上に上げる
と，抵抗率が急激に低下する傾向がある。
【００２５】これに対し，ポリマー成分に半導体粉体を
加えた組成物でも，十分なＰＴＣ特性が得られ，かつ高
温側での抵抗が安定したものが得られることが以下の実
験から分かった。
加えた組成物でも，十分なＰＴＣ特性が得られ，かつ高
温側での抵抗が安定したものが得られることが以下の実
験から分かった。
【００２６】例として，ポリエチレンに，ＳｎＯ2 約５
０ｖｏｌ％を加熱混練した第４の比較試料としてのＰＴ
Ｃ組成物の温度と抵抗率の測定結果を図３の曲線３３に
示す。図示の曲線３３に示すように，第４の比較試料に
おいては，スイッチング温度後の抵抗が１０7 倍程度ま
で上昇し，かつ高温でも抵抗は減少せず安定している。
０ｖｏｌ％を加熱混練した第４の比較試料としてのＰＴ
Ｃ組成物の温度と抵抗率の測定結果を図３の曲線３３に
示す。図示の曲線３３に示すように，第４の比較試料に
おいては，スイッチング温度後の抵抗が１０7 倍程度ま
で上昇し，かつ高温でも抵抗は減少せず安定している。
【００２７】しかしながら，室温の抵抗が非常に高く，
室温での抵抗が低い組成物を得られない。
室温での抵抗が低い組成物を得られない。
【００２８】以上，説明したように，本発明の実施の形
態においては，結晶性ポリマーに導電性粉体と半導体粉
体を併せて混練する事で室温での抵抗率が１０Ω・ｃｍ
以下と小さく，高温側でも高抵抗を安定的に維持する組
成物が得られる。
態においては，結晶性ポリマーに導電性粉体と半導体粉
体を併せて混練する事で室温での抵抗率が１０Ω・ｃｍ
以下と小さく，高温側でも高抵抗を安定的に維持する組
成物が得られる。
【００２９】
【発明の効果】以上，説明したように，本発明によれ
ば，ポリマー成分に導電性粉体と半導体粉体を混練する
事により，室温での抵抗値が低く，高温側でも高抵抗を
安定的に維持するＰＴＣ組成物を提供することができ
る。
ば，ポリマー成分に導電性粉体と半導体粉体を混練する
事により，室温での抵抗値が低く，高温側でも高抵抗を
安定的に維持するＰＴＣ組成物を提供することができ
る。
【００３０】また，本発明によれば，ポリマー成分に導
電性粉体と半導体粉体を分散させてなるＰＴＣ組成物に
より，室温での抵抗値が低く，高温での抵抗の安定性が
高いため電気回路保護素子等の信頼性が要求されるもの
に使用でき，工業的利用価値は大である。
電性粉体と半導体粉体を分散させてなるＰＴＣ組成物に
より，室温での抵抗値が低く，高温での抵抗の安定性が
高いため電気回路保護素子等の信頼性が要求されるもの
に使用でき，工業的利用価値は大である。
【図１】本発明の実施の形態によるＰＴＣ組成物の温度
と電気抵抗との関係を示す図であり，比較試料も併せて
示している。
と電気抵抗との関係を示す図であり，比較試料も併せて
示している。
【図２】本発明の実施の形態によるＰＴＣ組成物と従来
のＰＴＣ組成物の特性比較に供せられる図である。
のＰＴＣ組成物の特性比較に供せられる図である。
【図３】比較の為に，ポリマーに導電性粉体のみ又はポ
リマーに半導体粉体のみを含むＰＴＣ組成物の特性を示
す図である。
リマーに半導体粉体のみを含むＰＴＣ組成物の特性を示
す図である。
１１ 曲線（本発明試料） １２ 曲線（第１の比較試料） １３ 曲線（第２の比較試料） ２２，３２ 曲線（第３の比較試料） ３３ 曲線（第４の比較試料）
Claims (5)
- 【請求項１】ポリマー成分，半導体粉体，及び導電性粉
体を主成分とし，ある温度において急激に抵抗が上昇す
る正温度特性を備えた導電性樹脂組成物であって，前記
半導体粉体と前記導電性粉体の総量が全体の１５〜６０
ｖｏ１％の範囲内であることを特徴とするＰＴＣ組成
物。 - 【請求項２】 請求項１記載のＰＴＣ組成物において，
前記半導体粉体は，Ｓｉ，Ｇｅ，ＳｎＯ2 ，ＴｉＯ2 ，
及びＢＣの内の少なくとも一種からなり，前記導電性粉
体は，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，カーボンブラック，黒
鉛の内の少なくとも一種からなることを特徴とするＰＴ
Ｃ組成物。 - 【請求項３】 請求項１記載のＰＴＣ組成物において，
前記半導体粉体の量が全体のｌ０〜５５ｖｏｌ％の範囲
内であることを特徴とするＰＴＣ組成物。 - 【請求項４】 請求項１乃至３の内のいずれかに記載の
ＰＴＣ組成物を用いたことを特徴とするＰＴＣ素子。 - 【請求項５】 請求項４記載のＰＴＣ素子を電気回路保
護に用いたことを特徴とする電気回路保護素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2343397A JPH10223406A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | Ｐｔｃ組成物およびそれを用いたｐｔｃ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2343397A JPH10223406A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | Ｐｔｃ組成物およびそれを用いたｐｔｃ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223406A true JPH10223406A (ja) | 1998-08-21 |
Family
ID=12110377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2343397A Withdrawn JPH10223406A (ja) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | Ｐｔｃ組成物およびそれを用いたｐｔｃ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10223406A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110143922A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-16 | Cheng-Hsien Lee | Composition with catalyst particles |
| CN102215634A (zh) * | 2010-04-02 | 2011-10-12 | 刘逸群 | 具有触媒颗粒的组成物 |
| JP5073204B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2012-11-14 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | ポリマーｐｔｃ素子 |
| US8728354B2 (en) | 2006-11-20 | 2014-05-20 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Electrically conducting compositions |
-
1997
- 1997-02-06 JP JP2343397A patent/JPH10223406A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5073204B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2012-11-14 | タイコエレクトロニクスジャパン合同会社 | ポリマーｐｔｃ素子 |
| US8728354B2 (en) | 2006-11-20 | 2014-05-20 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Electrically conducting compositions |
| US20110143922A1 (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-16 | Cheng-Hsien Lee | Composition with catalyst particles |
| CN102215634A (zh) * | 2010-04-02 | 2011-10-12 | 刘逸群 | 具有触媒颗粒的组成物 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |