JPH10223485A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔Info
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- JPH10223485A JPH10223485A JP2467097A JP2467097A JPH10223485A JP H10223485 A JPH10223485 A JP H10223485A JP 2467097 A JP2467097 A JP 2467097A JP 2467097 A JP2467097 A JP 2467097A JP H10223485 A JPH10223485 A JP H10223485A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】加熱処理による結晶粒の粗大化を抑止し、ひい
ては静電容量を増大するとともに箔強度を維持し得る電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔の提供を目的とす
る。 【解決手段】 箔合金組成において、アルミニウム純度
が９９．９％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を超
え１００ppm 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有
し、かつＣｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量ＣSb(p
pm) が１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たして
いる。
ては静電容量を増大するとともに箔強度を維持し得る電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔の提供を目的とす
る。 【解決手段】 箔合金組成において、アルミニウム純度
が９９．９％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を超
え１００ppm 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有
し、かつＣｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量ＣSb(p
pm) が１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たして
いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔に関する。
電極用アルミニウム箔に関する。
【０００２】なお、この明細書において、ppm の単位は
重量を示すものである。
重量を示すものである。
【０００３】
【従来の技術】アルミニウム電解コンデンサ用電極材と
して一般に用いられるアルミニウム箔には、その実効面
積を拡大して単位面積当たりの静電容量を増大するた
め、通常、電気化学的あるいは化学的エッチング処理が
施される。
して一般に用いられるアルミニウム箔には、その実効面
積を拡大して単位面積当たりの静電容量を増大するた
め、通常、電気化学的あるいは化学的エッチング処理が
施される。
【０００４】高圧用と呼ばれるトンネル型エッチングが
施されるタイプの陽極箔においては、箔面に対して垂直
方向の結晶方位が（１００）方位を有する立方体集合組
織を優先的に成長させることにより効果的に静電容量増
大を図りうることが既に知られている。そして、前記結
晶における立方体方位占有率を高めるために、焼鈍条件
や箔の表面粗度についての種々の提案がなされている
（特開昭４７−９９５３号、特開昭６２−２２８４５６
号等）。また、一方で箔材料の合金組成により前記立方
体方位占有率を高めることも種々提案され、箔材料とし
て微量のＳｂを添加したアルミニウム合金の使用が提案
されている。（特開昭５０−１０４７１０号、特公昭５
９−１２７３６号、特開平７−１５０２８０号等）。
施されるタイプの陽極箔においては、箔面に対して垂直
方向の結晶方位が（１００）方位を有する立方体集合組
織を優先的に成長させることにより効果的に静電容量増
大を図りうることが既に知られている。そして、前記結
晶における立方体方位占有率を高めるために、焼鈍条件
や箔の表面粗度についての種々の提案がなされている
（特開昭４７−９９５３号、特開昭６２−２２８４５６
号等）。また、一方で箔材料の合金組成により前記立方
体方位占有率を高めることも種々提案され、箔材料とし
て微量のＳｂを添加したアルミニウム合金の使用が提案
されている。（特開昭５０−１０４７１０号、特公昭５
９−１２７３６号、特開平７−１５０２８０号等）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記合
金組成の箔材料を用いても、最終焼鈍温度を上げると結
晶粒が粗大化して静電容量を低下させるという問題点が
あった。
金組成の箔材料を用いても、最終焼鈍温度を上げると結
晶粒が粗大化して静電容量を低下させるという問題点が
あった。
【０００６】さらに、低圧用と呼ばれるスポンジ型エッ
チングが施されるタイプの陽極箔においては、最終乾燥
工程における加熱処理で結晶粒が粗大成長するとエッチ
ド箔の強度が著しく低下して箔が破断するという問題点
もあった。
チングが施されるタイプの陽極箔においては、最終乾燥
工程における加熱処理で結晶粒が粗大成長するとエッチ
ド箔の強度が著しく低下して箔が破断するという問題点
もあった。
【０００７】この発明は、かかる技術的背景に鑑みてな
されたものであって、加熱処理による結晶粒の粗大化を
抑止し、ひいては静電容量を増大するとともに箔強度を
維持し得る電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の提供
を目的とする。
されたものであって、加熱処理による結晶粒の粗大化を
抑止し、ひいては静電容量を増大するとともに箔強度を
維持し得る電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の提供
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、発明者らは鋭意研究の結果、一定の割合でＣｕとＳ
ｂとが共存することで、加熱後の結晶粒の粗大化を抑止
できることを見出だした。
に、発明者らは鋭意研究の結果、一定の割合でＣｕとＳ
ｂとが共存することで、加熱後の結晶粒の粗大化を抑止
できることを見出だした。
【０００９】この発明の電解コンデンサ電極用アルミニ
ウム箔は、かかる知見に基づいてなされたものであっ
て、箔合金組成において、アルミニウム純度が９９．９
％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を超え１００pp
m 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有し、かつＣｕ
含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量ＣSb(ppm) が１０Ｃ
Cu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たしていることを基
本要旨とする。
ウム箔は、かかる知見に基づいてなされたものであっ
て、箔合金組成において、アルミニウム純度が９９．９
％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を超え１００pp
m 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有し、かつＣｕ
含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量ＣSb(ppm) が１０Ｃ
Cu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たしていることを基
本要旨とする。
【００１０】さらに、この発明の電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔は、前記範囲のＣｕおよびＳｂを基本含
有元素として、これらの基本含有元素の他にさらにＰ
ｂ：０．１〜５ppm を含有するもの、これらの基本含有
元素の他にＧａ：１〜５０ppmまたはＺｎ：１〜５０ppm
のうちの１種または２種を含有するもの、これらの基
本含有元素にＰｂ：０．１〜５ppm と、Ｇａ：１〜５０
ppm またはＺｎ：１〜５０ppm のうちの１種または２種
とを含有するものである。
アルミニウム箔は、前記範囲のＣｕおよびＳｂを基本含
有元素として、これらの基本含有元素の他にさらにＰ
ｂ：０．１〜５ppm を含有するもの、これらの基本含有
元素の他にＧａ：１〜５０ppmまたはＺｎ：１〜５０ppm
のうちの１種または２種を含有するもの、これらの基
本含有元素にＰｂ：０．１〜５ppm と、Ｇａ：１〜５０
ppm またはＺｎ：１〜５０ppm のうちの１種または２種
とを含有するものである。
【００１１】この発明に係る電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔の合金組成において、アルミニウム純度に９
９．９％以上を必要とするのは、９９．９％未満の純度
では、エッチング時にエッチングピットの成長が多くの
不純物の存在によって阻害され、本発明の微量添加元素
によってもなお均一な深いトンネル状のエッチングピッ
トを形成できず、従って静電容量の高いアルミニウム箔
を得ることができないからである。好ましくはアルミニ
ウム純度を９９．９５％以上とするのが良い。
ミニウム箔の合金組成において、アルミニウム純度に９
９．９％以上を必要とするのは、９９．９％未満の純度
では、エッチング時にエッチングピットの成長が多くの
不純物の存在によって阻害され、本発明の微量添加元素
によってもなお均一な深いトンネル状のエッチングピッ
トを形成できず、従って静電容量の高いアルミニウム箔
を得ることができないからである。好ましくはアルミニ
ウム純度を９９．９５％以上とするのが良い。
【００１２】また、基本含有元素であるＣｕおよびＳｂ
は、それぞれ単独でエッチング特性を向上させる他、共
存することにより加熱後の再結晶粒の成長速度を抑えて
結晶粒の粗大化を抑える効果があり、静電容量の増大お
よび箔強度の維持に寄与する。即ち、Ｃｕは、Ａｌマト
リックス中に固溶することにより箔の溶解性を増してエ
ッチングピットの成長を促進し、静電容量を増大させ
る。Ｃｕ含有量ＣCuが３０ppm 以下ではこのような効果
に乏しく、１００ppm を超えると局部溶解が強まって、
エッチングピットの均一分布を妨げ、ひいては静電容量
を低下させる。また、Ｓｂは、エッチングピットを高密
度かつ均一に分布させることにより静電容量を増大させ
る。Ｓｂ含有量ＣSbが５ppm 未満ではこのような効果に
乏しく、１００ppm を超えると著しい表面溶解が起こ
り、高静電容量箔を得ることができない。さらに、Ｃｕ
およびＳｂの共存により上記効果に加えて焼鈍後の結晶
粒の粗大化が抑制されて静電容量を増大させることがで
きる。しかし、Ｃｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量
ＣSb(ppm) が共に多くなれば、結晶粒の粗大化を阻止す
る効 果は大きくなるが、その一方で箔が過剰に溶解さ
れ、粗大粒の発生抑制効果を上回るエッチング特性の低
下が生じて静電容量は低下する。そのため、この発明に
おいては、ＣｕおよびＳｂの両者が多量に含有される場
合を除外するものとし、Ｃｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳ
ｂ含有量ＣSb(ppm) がそれぞれ上記範囲内であって、か
つ１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たしている
ことが必要である。
は、それぞれ単独でエッチング特性を向上させる他、共
存することにより加熱後の再結晶粒の成長速度を抑えて
結晶粒の粗大化を抑える効果があり、静電容量の増大お
よび箔強度の維持に寄与する。即ち、Ｃｕは、Ａｌマト
リックス中に固溶することにより箔の溶解性を増してエ
ッチングピットの成長を促進し、静電容量を増大させ
る。Ｃｕ含有量ＣCuが３０ppm 以下ではこのような効果
に乏しく、１００ppm を超えると局部溶解が強まって、
エッチングピットの均一分布を妨げ、ひいては静電容量
を低下させる。また、Ｓｂは、エッチングピットを高密
度かつ均一に分布させることにより静電容量を増大させ
る。Ｓｂ含有量ＣSbが５ppm 未満ではこのような効果に
乏しく、１００ppm を超えると著しい表面溶解が起こ
り、高静電容量箔を得ることができない。さらに、Ｃｕ
およびＳｂの共存により上記効果に加えて焼鈍後の結晶
粒の粗大化が抑制されて静電容量を増大させることがで
きる。しかし、Ｃｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量
ＣSb(ppm) が共に多くなれば、結晶粒の粗大化を阻止す
る効 果は大きくなるが、その一方で箔が過剰に溶解さ
れ、粗大粒の発生抑制効果を上回るエッチング特性の低
下が生じて静電容量は低下する。そのため、この発明に
おいては、ＣｕおよびＳｂの両者が多量に含有される場
合を除外するものとし、Ｃｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳ
ｂ含有量ＣSb(ppm) がそれぞれ上記範囲内であって、か
つ１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たしている
ことが必要である。
【００１３】従って、本発明におけるＣｕ含有量ＣCu(p
pm) およびＳｂ含有量ＣSb(ppm) は、図１に示す範囲内
となる。また、特に好ましいＣｕ含有量ＣCuの下限値は
３５ppm 、上限値は７０ppm である。特に好ましいＳｂ
含有量ＣSbの下限値は５ppm、上限値は７０ppm であ
る。
pm) およびＳｂ含有量ＣSb(ppm) は、図１に示す範囲内
となる。また、特に好ましいＣｕ含有量ＣCuの下限値は
３５ppm 、上限値は７０ppm である。特に好ましいＳｂ
含有量ＣSbの下限値は５ppm、上限値は７０ppm であ
る。
【００１４】さらに、この発明の電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔では、箔合金組成において、前記基本含
有元素の他に、Ｐｂ、Ｇａ、Ｚｎを添加することによ
り、さらにエッチング特性を向上させて静電容量の増大
を図ることができる。
アルミニウム箔では、箔合金組成において、前記基本含
有元素の他に、Ｐｂ、Ｇａ、Ｚｎを添加することによ
り、さらにエッチング特性を向上させて静電容量の増大
を図ることができる。
【００１５】Ｐｂは、箔表面の溶解性を増すことにより
エッチング初期におけるエッチングピットの局部溶解を
抑制する効果があり、エッチングピットの均一分布を図
ることができる。このようなＰｂの含有量は、０．１pp
m 未満では前記効果に乏しく、５ppm を超えると過溶解
が生じるため、０．１〜５ppm の範囲とする必要があ
る。特に好ましいＰｂ含有量の下限値は０．３ppm であ
り、上限値は２ppm である。
エッチング初期におけるエッチングピットの局部溶解を
抑制する効果があり、エッチングピットの均一分布を図
ることができる。このようなＰｂの含有量は、０．１pp
m 未満では前記効果に乏しく、５ppm を超えると過溶解
が生じるため、０．１〜５ppm の範囲とする必要があ
る。特に好ましいＰｂ含有量の下限値は０．３ppm であ
り、上限値は２ppm である。
【００１６】ＧａおよびＺｎは、いずれもＡｌマトリッ
クス中に固溶して箔表面の溶解性を増すことによりエッ
チングピットの成長を促進する効果がある。このような
効果において、Ｇａ、Ｚｎは均等物であり、少なくとも
１種を含有すれば良い。また、Ｇａ含有量およびＺｎ含
有量は、それぞれ、１ppm 未満では前記効果に乏しく、
５０ppm を超えると過溶解が生じるため、１〜５０ppm
の範囲とする必要がある。特に好ましいＧａ含有量、Ｚ
ｎ含有量の下限値はそれぞれ５ppm であり、上限値はそ
れぞれ２０ppm である。
クス中に固溶して箔表面の溶解性を増すことによりエッ
チングピットの成長を促進する効果がある。このような
効果において、Ｇａ、Ｚｎは均等物であり、少なくとも
１種を含有すれば良い。また、Ｇａ含有量およびＺｎ含
有量は、それぞれ、１ppm 未満では前記効果に乏しく、
５０ppm を超えると過溶解が生じるため、１〜５０ppm
の範囲とする必要がある。特に好ましいＧａ含有量、Ｚ
ｎ含有量の下限値はそれぞれ５ppm であり、上限値はそ
れぞれ２０ppm である。
【００１７】
【実施例】次に、この発明の電解コンデンサ電極用アル
ミニウム箔の具体的実施例について説明する。
ミニウム箔の具体的実施例について説明する。
【００１８】まず、表１に示す実施例１〜１３、比較例
１４〜１７の各種組成のアルミニウム鋳塊を面削した
後、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）を施し、厚
さ１００μｍの箔とし、さらに最終焼鈍を行った。中間
焼鈍条件は、２５０℃×１０時間、最終焼鈍条件は５０
０℃×５時間である。
１４〜１７の各種組成のアルミニウム鋳塊を面削した
後、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）を施し、厚
さ１００μｍの箔とし、さらに最終焼鈍を行った。中間
焼鈍条件は、２５０℃×１０時間、最終焼鈍条件は５０
０℃×５時間である。
【００１９】上述のようにして作製した各アルミニウム
箔について、立方体（１００）方位占有率および、粒径
１０００μｍ以上の粗大粒子の有無を調べた。これらの
結果を表１に示す。
箔について、立方体（１００）方位占有率および、粒径
１０００μｍ以上の粗大粒子の有無を調べた。これらの
結果を表１に示す。
【００２０】次に、各アルミニウム箔について、以下の
条件でエッチングを実施したのち、得られたアルミニウ
ム箔を以下の条件で化成したときの静電容量を測定し
た。その結果を、比較例１４の静電容量を１００とした
ときの相対比較にて，併せて表１に示す。
条件でエッチングを実施したのち、得られたアルミニウ
ム箔を以下の条件で化成したときの静電容量を測定し
た。その結果を、比較例１４の静電容量を１００とした
ときの相対比較にて，併せて表１に示す。
【００２１】 ［化成条件］ 液組成：ホウ酸１００ｇ／ｌ，ホウ酸アンモニウム０．９ｇ／ｌ 液温：９０℃，電流密度：５０ｍＡ／ｃｍ2 、２５０Ｖ ［エッチング条件］ 前処理：なし 一次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ＋１０％Ｈ2 ＳＯ4 、液温：８０℃ 電流密度：直流２０Ａ／ｄｍ2 、時間：９０秒 二次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ、液温：８５℃ 電流密度：直流５Ａ／ｄｍ2 、時間：１０分
【表１】
【００２２】表１の結果から、本発明範囲のＣｕおよび
Ｓｂが共存する実施例は、本発明範囲を逸脱する比較例
に較べて立方体（１００）方位占有率が高く、かつ焼鈍
後に粗大粒子の発生がなく、エッチングにより静電容量
を増大し得ることを確認し得た。また、ＣｕおよびＳｂ
の他に所定範囲のＰｂ、Ｇａ、Ｚｎを添加することによ
り、さらに静電容量の増大しうることも確認し得た。
Ｓｂが共存する実施例は、本発明範囲を逸脱する比較例
に較べて立方体（１００）方位占有率が高く、かつ焼鈍
後に粗大粒子の発生がなく、エッチングにより静電容量
を増大し得ることを確認し得た。また、ＣｕおよびＳｂ
の他に所定範囲のＰｂ、Ｇａ、Ｚｎを添加することによ
り、さらに静電容量の増大しうることも確認し得た。
【００２３】
【発明の効果】この発明に係る電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔は、箔合金組成において、アルミニウム純
度が９９．９％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を
超え１００ppm 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有
し、かつＣｕ含有量ＣCu(ppm)およびＳｂ含有量ＣSb(pp
m) が１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たして
いるから、加熱処理後の粗大結晶の成長が抑制され、か
つ立方体（１００）方位占有率も高くなる。そのため、
エッチング処理により極めて大きな拡面率を得ることが
でき、大きな静電容量を有し電気的特性に優れた電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔となしうる。また、粗大
結晶の成長が抑制されることにより、箔強度も維持され
る。
ルミニウム箔は、箔合金組成において、アルミニウム純
度が９９．９％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を
超え１００ppm 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有
し、かつＣｕ含有量ＣCu(ppm)およびＳｂ含有量ＣSb(pp
m) が１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たして
いるから、加熱処理後の粗大結晶の成長が抑制され、か
つ立方体（１００）方位占有率も高くなる。そのため、
エッチング処理により極めて大きな拡面率を得ることが
でき、大きな静電容量を有し電気的特性に優れた電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム箔となしうる。また、粗大
結晶の成長が抑制されることにより、箔強度も維持され
る。
【００２４】また、箔合金組成において、ＣｕおよびＳ
ｂの基本含有元素の他に、Ｐｂ：０．１〜５ppm を含有
するもの、Ｇａ：１〜５０ppm またはＺｎ：１〜５０pp
m のうちの１種または２種を含有するもの、あるいは、
Ｐｂ：０．１〜５ppm と、Ｇａ：１〜５０ppm またはＺ
ｎ：１〜５０ppm のうちの１種または２種とを含有する
ものは、いずれもさらに箔の溶解性が増し、さらに大き
な静電容量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔となしうる。
ｂの基本含有元素の他に、Ｐｂ：０．１〜５ppm を含有
するもの、Ｇａ：１〜５０ppm またはＺｎ：１〜５０pp
m のうちの１種または２種を含有するもの、あるいは、
Ｐｂ：０．１〜５ppm と、Ｇａ：１〜５０ppm またはＺ
ｎ：１〜５０ppm のうちの１種または２種とを含有する
ものは、いずれもさらに箔の溶解性が増し、さらに大き
な静電容量を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔となしうる。
【図１】この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム
箔の箔合金組成において、ＣｕおよびＳｂの含有範囲を
示すグラフである。
箔の箔合金組成において、ＣｕおよびＳｂの含有範囲を
示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤平 忠雄 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 箔合金組成において、アルミニウム純度
が９９．９％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を超
え１００ppm 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有
し、かつＣｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量ＣSb(p
pm) が１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たして
いることを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム箔。 - 【請求項２】 箔合金組成において、アルミニウム純度
が９９．９％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を超
え１００ppm 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有
し、かつＣｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量ＣSb(p
pm) が１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たし、
さらにＰｂ：０．１〜５ppm を含有していることを特徴
とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項３】 箔合金組成において、アルミニウム純度
が９９．９％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を超
え１００ppm 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有
し、Ｃｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量ＣSb(ppm)
が１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たし、さら
にＧａ：１〜５０ppm またはＺｎ：１〜５０ppm のうち
の１種または２種を含有していることを特徴とする電解
コンデンサ電極用アルミニウム箔。 - 【請求項４】 箔合金組成において、アルミニウム純度
が９９．９％以上であるとともに、Ｃｕ：３０ppm を超
え１００ppm 以下およびＳｂ：５〜１００ppm を含有
し、かつＣｕ含有量ＣCu(ppm) およびＳｂ含有量ＣSb(p
pm) が１０ＣCu＋７ＣSb≦１３５０なる関係を満たし、
さらに、Ｐｂ：０．１〜５ppm 、およびＧａ：１〜５０
ppm またはＺｎ：１〜５０ppm のうちの１種または２種
を含有していることを特徴とする電解コンデンサ電極用
アルミニウム箔。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02467097A JP3590228B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02467097A JP3590228B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223485A true JPH10223485A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3590228B2 JP3590228B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=12144585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02467097A Expired - Fee Related JP3590228B2 (ja) | 1997-02-07 | 1997-02-07 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3590228B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007009318A (ja) * | 2005-05-31 | 2007-01-18 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| JP2007146269A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| CN100582273C (zh) | 2004-12-21 | 2010-01-20 | 昭和电工株式会社 | 铝材料，其制造方法，阳极材料，以及铝电解电容器 |
| JP2012144809A (ja) * | 2005-05-31 | 2012-08-02 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
-
1997
- 1997-02-07 JP JP02467097A patent/JP3590228B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2007146269A (ja) * | 2004-12-21 | 2007-06-14 | Showa Denko Kk | 電解コンデンサ電極用アルミニウム材、電解コンデンサ用電極材の製造方法、アルミニウム電解コンデンサ用陽極材及びアルミニウム電解コンデンサ |
| CN100582273C (zh) | 2004-12-21 | 2010-01-20 | 昭和电工株式会社 | 铝材料，其制造方法，阳极材料，以及铝电解电容器 |
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