JPH1022368A - ウェーハのオリエンテーションフラット位置決め方法及びウェーハチャック及び半導体製造/試験装置 - Google Patents

ウェーハのオリエンテーションフラット位置決め方法及びウェーハチャック及び半導体製造/試験装置

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JPH1022368A
JPH1022368A JP17390996A JP17390996A JPH1022368A JP H1022368 A JPH1022368 A JP H1022368A JP 17390996 A JP17390996 A JP 17390996A JP 17390996 A JP17390996 A JP 17390996A JP H1022368 A JPH1022368 A JP H1022368A
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JP
Japan
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wafer
mounting surface
orientation flat
positioning
chuck
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JP17390996A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Obara
斉 小原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明はウェーハをウェーハチャックに設けら
れた位置決め機構に押し当ててオリエンテーションフラ
ットの位置決めを行うウェーハのオリエンテーションフ
ラット位置決め方法及びウェーハチャック及び半導体製
造/試験装置に関し、オリエンテーションフラット位置
決めを正確に行うことを課題とする。 【解決手段】ウェーハ20をウェーハチャック30の装
着面38に設けられた位置決め機構32に押し当ててオ
リエンテーションフラット20aの位置決めを行う際
に、ウェーハ20が自重により前記位置決め機構32に
向け移動付勢するよう装着面38に傾斜を持たせた上
で、オリエンテーションフラット20aの位置決め処理
を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハのオリエン
テーションフラット位置決め方法及びウェーハチャック
及び半導体製造/試験装置に係り、特にウェーハをウェ
ーハチャックに設けられた位置決め機構に押し当ててオ
リエンテーションフラットの位置決めを行うウェーハの
オリエンテーションフラット位置決め方法及びウェーハ
チャック及び半導体製造/試験装置に関する。
【0002】例えば、半導体製造工程における露光工程
では、ウェーハに対して数ミクロン単位の露光処理が処
理が実施される。この露光処理を行う露光装置はウェー
ハチャックが設けられており、このウェーハチャックに
ウェーハを装着した状態で露光処理が実施される。
【0003】従って、ウェーハがウェーハチャックに適
正に装着されていないと、ウェーハに対し正確な露光処
理が実施できなくなる。よって、正確な露光処理を実施
するためには、ウェーハをウェーハチャックの所定位置
に位置決めする位置決め方法及び位置決め処理を正確に
行いうるウェーハチャックが重要となる。
【0004】
【従来の技術】図5は、従来のウェーハチャック1を示
す斜視図である。このウェーハチャック1は、例えば半
導体製造工程の露光工程で用いる露光装置等に設けられ
るものである。
【0005】ウェーハチャック1は露光装置に設けられ
たX−Yステージ(図示せず)に水平状態に固定されて
配設されており、その上部にはウェーハ2が装着される
装着面3を有している。この装着面3は、エアーの吹き
出し及び吸引を行う多数の小孔(図示せず)が形成され
ており、この小孔はエアー吹き出し/吸引装置に接続さ
れている。
【0006】また、装着面3の外周所定位置には3本の
ローラ4a〜4cが立設されている。この3本のローラ
4a〜4cは、ウェーハ2を装着面3上の所定装着位置
に位置決めする位置決め機構4として機能する。この3
本のローラ4a〜4cの内、2本のローラ4a,4bは
ウェーハ2に形成されたオリエンテーションフラット2
aの位置決め位置に配設されており、残るローラ4cは
2本のローラ4a,4bから離間した位置に配設されて
いる。
【0007】また、装着面3の外周所定位置には、押し
付けハンマー5が配設されている。この押し付けハンマ
ー5は、図示しなアクチュエータにより図中矢印方向に
変位することにより、装着面3上のウェーハ2を3本の
ローラ4a〜4cに向け押圧する機能を奏する。
【0008】続いて、ウェーハチャック1を用いた従来
のオリエンテーションフラット2aの位置決め(いわゆ
る、オリフラ合わせ)方法について説明する。ウェーハ
2のオリフラ合わせを行うには、先ずエアー吹き出し/
吸引装置を駆動して装着面3に形成された小孔よりエア
ーを吹き出す。ウェーハ2は、予めある程度の位置決め
が行われた上でウェーハチャック1に装着される。
【0009】この装着状態において、前記したように装
着面3に形成された小孔からはエアーが吹き出されてい
るため、ウェーハ2は装着面3上においてギャップを持
って浮上した状態となる。即ち、ウェーハ2は装着面3
上において自在に移動可能な状態となっている。
【0010】続いて、押し付けハンマー5がアクチュエ
ータにより駆動され、押し付けハンマー5はウェーハ2
を位置決め機構4を構成する3本のローラ4a〜4cに
向け押圧する。これにより、ウェーハ2はローラ4a〜
4cに押し当てられ、オリエンテーションフラット2a
の位置決めが行われる。ここで、オリエンテーションフ
ラット2aの位置決めが正規に行われた状態は、ローラ
4a,4bを結ぶ線分とオリエンテーションフラット2
aとが平行になった状態とである。
【0011】上記のようにオリフラ合わせが行われる
と、エアー吹き出し/吸引装置はエアーの吹き出しを終
了し、続いてエアーの吸引処理を開始する。これによ
り、ウェーハ2はオリフラ合わせが行われた状態で装着
面3に吸着される。この状態において、ウェーハ2に対
し所定の露光工程が実施される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のウェ
ーハチャック1は、露光装置に設けられたX−Yステー
ジ等の基台に水平状態に固定された構成とされていたた
め、押し付けハンマー5によりウェーハ2はローラ4a
〜4cに押し当てられるまでの間は、装着面3に形成さ
れた小孔からはエアーが吹き出されていることもあり、
ウェーハ2は装着面3上においてランダムに移動するお
それがある。
【0013】そして、装着面3上においてウェーハ2が
正規の装着位置よりも大きく移動してしまい、この状態
でウェーハ2が押し付けハンマー5によりローラ4a〜
4cに向け押圧されると、位置決め機構4ではウェーハ
2を正規の位置に位置決めすることができず、正規の位
置よりずれた状態でウェーハ2が装着面3に吸着されて
しまう。
【0014】図5は、ウェーハ2が正規の位置よりずれ
た状態で装着面3に吸着された状態を示しており、同図
に示す例ではローラ4a,4bを結ぶ線分とオリエンテ
ーションフラット2aとはΔθ傾いている。このよう
に、従来のウェーハチャック1では、オリエンテーショ
ンフラット2aの位置合わせ精度が悪く、特にオリエン
テーションフラット2aと位置決め機構4のローラ4
a,4bとが平行にならないローテンションズレが発生
しやすいという問題点があった。
【0015】投影露光装置等においてローテンションズ
レが発生すると、レチクルとウェーハ2との位置決めを
行うアライメントマークが目的の位置に現れず、アライ
メントマークのスキャンエラーが発生する。また、ウェ
ーハ2に最初にアライメントマークを形成する1stマ
ーク形成工程においてローテンションズレが発生する
と、それ以降に複数回(例えば20回以上)実施される
露光工程において、全てスキャンエラーが発生すること
となる。
【0016】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、オリエンテーションフラット位置決めを正確に行
いうるウェーハのオリエンテーションフラット位置決め
方法及びウェーハチャック及び半導体製造/試験装置を
提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上述した課題は、下記の
手段を講じることにより解決することができる。請求項
1記載の発明では、ウェーハをウェーハチャックの装着
面に設けられた位置決め機構に押し当ててオリエンテー
ションフラットの位置決めを行うウェーハのオリエンテ
ーションフラット位置決め方法において、前記ウェーハ
が自重により前記位置決め機構に向け移動付勢するよう
前記装着面に傾斜を持たせた上で、前記オリエンテーシ
ョンフラットの位置決めを行うことを特徴とするもので
ある。
【0018】また、請求項2記載の発明では、前記請求
項1記載のウェーハのオリエンテーションフラット位置
決め方法において、前記オリエンテーションフラットの
位置決め時に、気体流により前記ウェーハをウェーハチ
ャックに対し浮上させることを特徴とするものである。
【0019】また、請求項3記載の発明では、ウェーハ
が装着される装着面と、前記ウェーハが押し当てられる
ことによりオリエンテーションフラットの位置決めを行
う位置決め機構とを具備するウェーハチャックにおい
て、前記装着面を傾斜させる傾斜機構を設けると共に、
前記傾斜機構による前記装着面の傾斜方向を前記ウェー
ハが自重により前記位置決め機構に向け移動付勢される
方向に設定してなることを特徴とするものである。
【0020】また、請求項4記載の発明では、前記請求
項3記載のウェーハチャックにおいて、前記ウェーハを
気体流により前記装着面において浮上させるウェーハ浮
上装置を設けたことを特徴とするものである。
【0021】また、請求項5記載の発明では、前記請求
項3または4記載のウェーハチャックにおいて、前記傾
斜機構に前記装着面の傾斜状態を検出する傾斜検出セン
サを設けると共に、前記傾斜検出センサの検出結果に基
づき前記傾斜機構による傾斜を制御する傾斜制御手段を
設けたことを特徴とするものである。
【0022】更に、請求項6記載の発明では、ウェーハ
に対し半導体素子の形成処理または試験処理を行う半導
体製造/試験装置において、請求項3乃至5のいずれか
の記載のウェーハチャックを設けてなることを特徴とす
るものである。
【0023】上記の各手段は、次のように作用する。請
求項1記載の発明によれば、ウェーハが自重により位置
決め機構に向け移動付勢するよう装着面に傾斜を持たせ
た上でオリエンテーションフラットの位置決めを行うこ
とにより、ウェーハがウェーハチャック上においてラン
ダムに移動することはなくなる。即ち、押し付けハンマ
ー等のウェーハを位置決め機構に向け押圧する手段を設
けなくても、ウェーハは自重により自ら位置決め機構に
向け移動する。よって、ローテンションズレの発生を防
止することができ、オリエンテーションフラットの位置
決めを確実に行うことができる。
【0024】また、請求項2及び請求項4記載の発明に
よれば、気体流によりウェーハをウェーハチャックに対
し浮上させた状態でオリエンテーションフラットの位置
決めを行うため、位置決め時においてウェーハはウェー
ハチャックに対し浮上した構成となる。よって、ウェー
ハチャック上におけるウェーハの移動は円滑化され、自
重によるウェーハの位置決め機構に向けた移動を円滑に
行うことができる。
【0025】また、請求項3記載の発明によれば、傾斜
機構はウェーハが装着される装着面を傾斜され、かつそ
の傾斜方向はウェーハが自重により位置決め機構に向け
移動付勢される方向に設定されているため、ウェーハが
ウェーハチャック上においてランダムに移動することは
なくなり、よってローテンションズレの発生を防止する
ことが可能となり、オリエンテーションフラットの位置
決めを確実に行うことができる。
【0026】また、請求項5記載の発明によれば、傾斜
検出センサは装着面の傾斜状態を検出し、また傾斜制御
手段は傾斜検出センサの検出結果に基づき傾斜機構によ
る傾斜を制御する。これにより、傾斜機構による装着面
の傾斜状態を所望する傾斜角度に精度よく設定すること
が可能となる。
【0027】更に、請求項6記載の発明によれば、半導
体製造/試験装置に請求項2乃至4のいずれかの記載の
ウェーハチャックを設けたことにより、オリエンテーシ
ョンフラットの位置決めが正確に行われた状態でウェー
ハに対し半導体素子の形成処理または試験処理を行うこ
とができるため、半導体素子の形成処理及び試験処理を
精度よく実施することができる。
【0028】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図1及び図2は本発明の一実施例
であるウェーハチャック30を示しており、また図3は
本発明の一実施例であるウェーハチャック30を適用し
た投影露光装置10を示している。
【0029】先ず、図3を用いてウェーハチャック30
が組み込まれた投影露光装置10(本実施例では縮小投
影露光装置を例に挙げている)について説明する。同図
中、11は水銀ランプ等の光源であり、この光源11か
ら照射された光は露光照明系12で露光に適した光が選
択された上でレチクル13に照射される。
【0030】レチクル13は、例えば石英板上にクロム
等の光を遮断する遮光材料を所定のパターンで形成した
構成を有している。このレチクル13はレチクルプラテ
ン14に装着される。レチクルプラテン14は、レチク
ル13の外周部分と当接すると共に、中央開口部を図示
しない吸引機構により吸引することによりレチクル13
を保持するものである。このレチクルプラテン14は、
微調整機構15,16により図中X,Y方向に移動しう
る構成となっている。
【0031】また、図中17はレチクルアライメント機
構であり、18はパターン検出器である。周知のように
レチクル13及びウェーハ19の所定位置にはパターン
形成位置を位置決めするためのアライメントマークが形
成されている。レチクルアライメント機構17及びパタ
ーン検出器18は、レチクル13とウェーハ20に形成
されたアライメントマークを一致させるための機構であ
る。
【0032】レチクル13を透過した光は縮小レンズ2
4に入射し、この縮小レンズ24によりレチクル13に
形成された原画パターンは所定の縮小率に縮小されてウ
ェーハ20に照射され、これにより原画パターンに対応
した微細なパターンをウェーハ20上に形成する構成と
されている。
【0033】ウェーハ20はX−Yステージ25上に載
置されており、駆動装置26,27により図中矢印X,
Yで示す方向に移動しうる構成となっている。この駆動
機構26,27によりX−Yステージ25を移動させる
ことにより、ウェーハ20には縮小された原画パターン
が複数個形成される。尚、28はX−Yステージ25の
位置検出を行うためのレーザ測長系である。
【0034】続いて本発明の要部となるウェーハチャッ
ク30について、図1,図2及び図4を用いて以下説明
する。ウェーハチャック30は、前記した縮小投影露光
装置10に設けられたX−Yステージ25に配設されて
いる。このウェーハチャック30は、大略するとチャッ
ク本体31,位置決め機構32,エアー吹き出し/吸引
装置33,押し付けハンマー34,傾斜機構35,ポテ
ンションメーター36,及び傾斜制御装置37等により
構成されている。
【0035】チャック本体31は、後述する傾斜機構3
4によりX−Yステージ25上において傾斜可能な構成
とされている。また、チャック本体31の上部には、ウ
ェーハ20が装着される装着面38が形成されている。
この装着面38にはエアーの吹き出し及び吸引を行う多
数の小孔(図示せず)が形成されており、この小孔は接
続ホース39(一部を一点鎖線で示す)を介してエアー
吹き出し/吸引装置33に接続されている。
【0036】エアー吹き出し/吸引装置33は、圧縮エ
アーの吹き出し処理と、エアーの吸引処理とを共に行え
る構成とされている。よって、エアー吹き出し/吸引装
置33が圧縮エアーの吹き出し処理を行っている場合
は、装着面38に形成された小孔からエアーが吹き出さ
れる。一方、エアー吹き出し/吸引装置33がエアーの
吸引処理を行っている場合は、装着面38に形成された
小孔からエアーが吸引される。
【0037】このエアー吹き出し/吸引装置33は、後
述する傾斜制御装置37に接続されている。そして、こ
の傾斜制御装置37はエアー吹き出し/吸引装置33を
駆動制御することにより、駆動の開始/停止処理及びエ
アー吹き出し処理/吸引処理の切換処理を行う。
【0038】また、前記した装着面38の外周には、ウ
ェーハ20の位置決めを行う位置決め機構32が配設さ
れている。この位置決め機構32は3本のローラ32a
〜32cにより構成されており、この内2本のローラ3
2a,32bはウェーハ20に形成されたオリエンテー
ションフラット20aの所定位置決め位置に配設されて
おり、残るローラ32cは2本のローラ32a,32b
から離間した位置に配設されている。
【0039】ウェーハ20はオリエンテーションフラッ
ト20aをローラ32a,32bに押し当てられ、また
外周の所定位置をローラ32cに押し当てられることに
より位置決めされ、よってオリエンテーションフラット
20aは装着面38上の所定位置に位置決めされる(オ
リフラ合わせが行われる)。
【0040】また、装着面38の外周所定位置には、押
し付けハンマー34が配設されている。この押し付けハ
ンマー34は、アクチュエータ40によりアーム41が
駆動されることにより、図2に矢印A1,A2方向に変
位する構成とされている。そして、押し付けハンマー3
4が矢印A1方向に変位することにより、押し付けハン
マー34はウェーハ20の外周縁と接触してこれを押圧
する。これにより、装着面38上のウェーハ20は押し
付けハンマー34により3本のローラ32a〜32cに
押圧されるため、よって精度よくオリエンテーションフ
ラット20aのオリフラ合わせを行うことができる。
【0041】傾斜機構35及びポテンションメーター3
6は、チャック本体31の下部に離間して2組配設され
ている(各図には、一方の傾斜機構35及びポテンショ
ンメーター36のみ示している)。傾斜機構35は、X
−Yステージ25に取り付けられたモータ42と、この
モータ駆動により上下方向にストローク変位するネジ4
3とにより構成されている。ネジ43の上端部はチャッ
ク本体31の下面に接続されており、よってモータ42
が駆動することによりチャック本体31は傾斜する構成
とされている。
【0042】また、チャック本体31の傾斜角度α1,
α2(図2に示す)は、モータ42を駆動制御しネジ4
3のストローク量を可変することにより任意の角度に設
定することができる。この傾斜機構35は傾斜制御装置
37に接続されており、よって傾斜制御装置37により
チャック本体31の傾斜角度α1,α2は制御される構
成とされている。
【0043】一方、ポテンションメーター36は、X−
Yステージ25に取り付けられたセンサ本体44と、下
部がこのセンサ本体44に挿入されると共に上端部がチ
ャック本体31の下面に接続されたピン45とにより構
成されている。よって、チャック本体31が傾斜機構3
5により傾斜すると、この傾斜量に対応してピン45は
ストロークする。センサ本体44は、このピン45のス
トローク量を検出しうる構成とされている。
【0044】また、ポテンションメーター36は傾斜制
御装置37に接続されており、上記したピン45のスト
ローク量は傾斜制御装置37に供給される構成とされて
いる。傾斜制御装置37は、このポテンションメーター
36から供給されるピン45のストローク量に基づき、
チャック本体31の傾斜角度α1,α2を演算する構成
とされている。
【0045】上記のように本実施例においては、ポテン
ションメーター36によりチャック本体31の傾斜角度
α1,α2を演算しうる構成とされているため、傾斜制
御装置37は求められた傾斜角度α1,α2により傾斜
機構35を駆動制御(フィードバック制御)することが
可能となる。よって、傾斜機構35による装着面38の
傾斜状態を所望する傾斜角度に精度よく設定することが
可能となる。
【0046】傾斜制御装置37はマイクロコンピュータ
により構成されており、前記したようにエアー吹き出し
/吸引装置33,アクチュエータ40の駆動制御を行う
と共に、ポテンションメーター36の検出結果に基づき
傾斜機構35を駆動制御を行う。
【0047】続いて、ウェーハチャック30を用いたオ
リエンテーションフラット20aの位置決め(オリフラ
合わせ)処理について説明する。図4はオリフラ合わせ
処理を示すフローチャートであり、このオリフラ合わせ
処理は傾斜制御装置37がプログラム処理として実行す
るものである。
【0048】図4に示すオリフラ合わせ処理が起動する
と、先ずステップ10において、図示しない搬送系によ
りウェーハ20がウェーハチャック30の装着面38上
に載置される。この搬送系は、具体的には複数のウェー
ハ20を収納しておくウェーハカセットと、ウェーハ2
0を搬送するハンドリング装置と、ウェーハ20に対し
ある程度の位置決め処理を行う位置合わせステージとに
より構成されている。
【0049】ウェーハ20は、図2に矢印で示すよう
に、ウェーハカセットに収納された状態ではランダムに
収納されている。従って、オリエンテーションフラット
20a位置も各ウェーハ20毎に種々の方向となってい
る。ハンドリング装置は、上記の如く収納された複数の
ウェーハ20の内、1枚のウェーハ20を把持し位置合
わせステージに載置する。この位置合わせステージで
は、ウェーハ20に対しオリエンテーションフラット2
0aのある程度の位置決め処理が行われる。
【0050】但し、位置合わせステージで実施されるオ
リフラ合わせはその精度は低く、よって位置合わせステ
ージによるオリフラ合わせ処理のみでは、縮小投影露光
装置10の露光精度に対応したオリフラ合わせを行うこ
とはできない。上記のようにオリエンテーションフラッ
ト20aのある程度の位置決め処理が終了すると、ハン
ドリング装置は再びウェーハ20を把持し、位置合わせ
ステージよりウェーハ20をウェーハチャック30に搬
送し装着面38上に載置する。
【0051】続くステップ12では、傾斜制御装置37
はエアー吹き出し/吸引装置33を起動させエアーの吹
き出し処理を開始する。これにより、エアー吹き出し/
吸引装置33からホース39を介してチャック本体31
に圧縮エアーが供給され、装着面38に形成された多数
の小孔からエアーが吹き出す。
【0052】この際、エアーの吹き出し開始直後から速
い流速のエアーを供給すると、装着面38上に載置され
たウェーハ20が暴れてしまうおそれがあるため、本実
施例では、傾斜制御装置37がエアー吹き出し/吸引装
置33を制御することにより、エアーの吹き出し開始直
後は遅い流速のエアーを供給し、経時的にエアーの流速
を増大してゆき、最終的には6インチのウェーハ20に
おいて約3リットル/分となるよう構成されている。
【0053】上記のように装着面38に形成された小孔
からエアーが吹き出すことにより、ウェーハ20は装着
面38上に所定のギャップを持って浮上した状態とな
る。即ち、ウェーハ20は装着面38上において自在に
移動可能な状態となる。続くステップ14では、傾斜制
御装置37は傾斜機構35のモータ42を起動させてネ
ジ43を上方に向けストロークさせる。これにより、チ
ャック本体31の外周所定位置が傾斜制御装置37によ
り上方向に付勢されるため、装着面38はネジ43のス
トローク量に対応して傾斜した状態となる。
【0054】一方、前記したステップ12の処理によ
り、装着面38の小孔からはエアーが吹き出しており、
ウェーハ20は装着面38上で移動しやすい状態となっ
ている。従って、上記のように装着面38が傾斜するこ
とにより、ウェーハ20は自重により自然に傾斜下方に
向け移動する。
【0055】また、前記した位置決め機構32は装着面
38の傾斜下方に配設位置に設定されているため、ウェ
ーハ20が自重により移動することにより、ウェーハ2
0は位置決め機構32を構成する各ローラ32a〜32
cに押し当てられる。続くステップ16では、傾斜制御
装置37はポテンションメーター36から供給されるピ
ン45のストローク量に基づき、装着面38(チャック
本体31)の傾斜角度α1,α2を演算する。そして、
ステップ16において装着面38の傾斜角度α1,α2
が演算されると、続くステップ18において、現在の装
着面38の傾斜角度α1,α2が予め傾斜制御装置37
に入力設定されている適正傾斜角度となったか否かを判
断する。
【0056】そして、ステップ18において否定判断が
行われた場合、即ち現在の装着面38の傾斜角度α1,
α2が適正傾斜角度となっていないと判断されると、処
理はステップ14に戻り、傾斜制御装置37は傾斜機構
35を駆動して更に装着面38の傾斜角度α1,α2を
増大させる処理を行う。
【0057】一方、ステップ18において肯定判断が行
われた場合、即ち現在の装着面38の傾斜角度α1,α
2が適正傾斜角度となったと判断されると、処理はステ
ップ20に進み、傾斜制御装置37は傾斜機構35の駆
動を停止させる。この状態は、装着面38の傾斜角度α
1,α2が適正角度(例えば、6インチのウェーハ20
の場合には、約5°)となっている状態である。
【0058】ここで、装着面38の適正角度とは、オリ
エンテーションフラット20aのオリフラ合わせを行う
のに最も適した装着面38の傾斜角度である。即ち、装
着面38の傾斜角度α1,α2が適正角度よりも小さい
と、ウェーハ20を位置決め機構32に押し当てる力が
弱くなり、ウェーハ20が装着面38上で暴れて正確な
オリフラ合わせが行えなくなるおそれがある。
【0059】また逆に、装着面38の傾斜角度α1,α
2が適正角度よりも大きいと、ウェーハ20が必要以上
に位置決め機構32に強く押し当てられることとなり、
ウェーハ20の外周縁に損傷が発生するおそれがある。
よって、装着面38の傾斜角度α1,α2を適正角度と
することにより、精度の高いオリフラ合わせが行えると
共に、ウェーハ20に損傷が発生することを防止するこ
とができる。
【0060】続くステップ22では、傾斜制御装置37
はアクチュエータ40を起動させることにより押し付け
ハンマー34を矢印A1方向(図2参照)に駆動し、ウ
ェーハ20を位置決め機構32に向け押圧する。前記し
たステップ14〜ステップ20の処理により、ウェーハ
20は自重により位置決め機構32に押し当てられてお
り、これにより高精度のオリフラ合わせが行われてい
る。そして、ステップ22において押し付けハンマー3
4を用いて更にウェーハ20を位置決め機構32に向け
押圧することにより、確実にオリエンテーションフラッ
ト20aを装着面38上の所定位置にオリフラ合わせす
ることができる。
【0061】尚、オリフラ合わせが正確に行われた場
合、図2に示されるように、ウェーハ20に形成された
オリエンテーションフラット20aの延長線分aと、位
置決め機構32を構成するローラ32a,32bの中心
線bとは平行となる。続くステップ24では、傾斜制御
装置37はエアー吹き出し/吸引装置33を駆動制御す
ることによりエアーの吹き出し処理を停止すると共に、
ステップ26においてエアー吹き出し/吸引装置33が
吸引処理を行うようエアー吹き出し/吸引装置33のモ
ードを切り換える。
【0062】これにより、エアー吹き出し/吸引装置3
3は、ホース39を介して多数の小孔からエアーの吸引
処理を開始し、よって位置決め機構32及び押し付けハ
ンマー34により、装着面38上にオリフラ合わせされ
た状態で係止されているウェーハ20はチャック本体3
1に吸着される。即ち、ウェーハ20は高精度に位置決
めされた状態でウェーハチャック30に装着される。
【0063】続くステップ28では、傾斜制御装置37
は傾斜機構35を再び起動する。この際、傾斜制御装置
37は装着面38の傾斜角度α1,α2を少なくする方
向に傾斜機構35を駆動する。これにより、装着面38
の傾斜角度α1,α2は小さくなるが、傾斜制御装置3
7はポテンションメーター36から供給される信号に基
づき装着面38の傾斜角度の減少量を検出する。
【0064】そして、装着面38の傾斜角度α1,α2
がゼロ(α1=0,α2=0)となった時点、即ち装着
面38が水平となった時点で、傾斜制御装置37は傾斜
機構35を停止させる。このステップ28の処理を実施
している間も、ステップ26で説明した小孔からのエア
ーの吸引処理は続行されている。このため、ウェーハ2
0は高精度に位置決めされた状態を維持しつつ水平状態
とされる。そして、この状態において縮小投影露光装置
10による露光処理が行われる。
【0065】上記したように本実施例に係るウェーハチ
ャック30では、ウェーハ20が自重により位置決め機
構32に向け移動付勢するよう装着面38(チャック本
体31)に傾斜を持たせ、その上でオリエンテーション
フラット20aの位置決めを行う構成としたため、ウェ
ーハ20が装着面38に装着された後、押し付けハンマ
ー34がウェーハ20を押圧するまでの間において、ウ
ェーハ20が装着面38上においてランダムに移動する
ことを防止できる。
【0066】即ち、押し付けハンマー34によりウェー
ハ20を位置決め機構32に向け押圧しなくても、ウェ
ーハ20は自重により自ら位置決め機構32に向け移動
する。よって、ローテンションズレの発生を防止するこ
とができ、オリエンテーションフラット20aの位置決
めを確実に行うことができる。
【0067】よって、ウェーハチャック30を縮小投影
露光装置10に設けることにより、露光処理を高精度に
行うことが可能となる。具体的には、レチクル13とウ
ェーハ20の位置決めを行うアライメントマークが目的
の位置に必ず現れることとなり、アライメントマークの
スキャンエラーの発生を防止することができる。
【0068】また、ウェーハ20に最初にアライメント
マークを形成する1stマーク形成工程に用いる半導体
製造装置にウェーハチャック30を適用した場合には、
1stマークの形成を高精度に行うことができるため、
それ以降に実施される露光工程においてスキャンエラー
が発生することを確実に防止することができる。
【0069】更に、本実施例に係るウェーハチャック3
0は半導体試験装置に適用することも可能であり、ウェ
ーハチャック30を半導体試験装置に適用することによ
り、精度の高い試験を行うことができる。
【0070】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の各効
果を実現することができる。請求項1及び請求項3記載
の発明によれば、ローテンションズレの発生を防止する
ことができ、オリエンテーションフラットの位置決めを
確実に行うことができる。
【0071】また、請求項2及び請求項4記載の発明に
よれば、ウェーハチャック上におけるウェーハの移動は
円滑化され、自重によるウェーハの位置決め機構に向け
た移動を円滑に行うことができる。また、請求項5記載
の発明によれば、傾斜機構によるけ装着面の傾斜状態を
所望する傾斜角度に精度よく設定することが可能とな
る。
【0072】更に、請求項6記載の発明によれば、オリ
エンテーションフラットの位置決めが正確に行われた状
態でウェーハに対し半導体素子の形成処理または試験処
理を行うことができるため、半導体素子の形成処理及び
試験処理を精度よく実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるウェーハチャックの全
体構成図である。
【図2】本発明の一実施例であるウェーハチャックの動
作を説明するための図である。
【図3】本発明の一実施例であるウェーハチャックを縮
小投影露光装置に適用した例を示す概略構成図である。
【図4】本発明の一実施例であるウェーハのオリエンテ
ーションフラット位置決め方法を説明するための図であ
る。
【図5】従来のウェーハチャックの一例を説明するため
の図である。
【符号の説明】
10 縮小投影露光装置 12 露光照明系 13 レチクル 20 ウェーハ 20a オリエンテーションフラット 24 縮小レンズ 25 X−Yステージ 30 ウェーハチャック 31 チャック本体 32 位置決め機構 32a〜32c ローラ 33 エアー吹き出し/吸引装置 34 押し付けハンマー 35 傾斜機構 36 ポテンションメーター 37 傾斜制御装置 38 装着面 40 アクチュエータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/027 H01L 21/30 503C

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハをウェーハチャックの装着面に
    設けられた位置決め機構に押し当ててオリエンテーショ
    ンフラットの位置決めを行うウェーハのオリエンテーシ
    ョンフラット位置決め方法において、 前記ウェーハが自重により前記位置決め機構に向け移動
    付勢するよう前記装着面に傾斜を持たせた上で、前記オ
    リエンテーションフラットの位置決めを行うことを特徴
    とするウェーハのオリエンテーションフラット位置決め
    方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のウェーハのオリエンテー
    ションフラット位置決め方法において、 前記オリエンテーションフラットの位置決め時に、気体
    流により前記ウェーハをウェーハチャックに対し浮上さ
    せることを特徴とするウェーハのオリエンテーションフ
    ラット位置決め方法。
  3. 【請求項3】 ウェーハが装着される装着面と、前記ウ
    ェーハが押し当てられることによりオリエンテーション
    フラットの位置決めを行う位置決め機構とを具備するウ
    ェーハチャックにおいて、 前記装着面を傾斜させる傾斜機構を設けると共に、 前記傾斜機構による前記装着面の傾斜方向を前記ウェー
    ハが自重により前記位置決め機構に向け移動付勢される
    方向に設定してなることを特徴とするウェーハチャッ
    ク。
  4. 【請求項4】 請求項3記載のウェーハチャックにおい
    て、 前記ウェーハを気体流により前記装着面において浮上さ
    せるウェーハ浮上装置を設けたことを特徴とするウェー
    ハチャック。
  5. 【請求項5】 請求項3または4記載のウェーハチャッ
    クにおいて、 前記傾斜機構に前記装着面の傾斜状態を検出する傾斜検
    出センサを設けると共に、 前記傾斜検出センサの検出結果に基づき前記傾斜機構に
    よる傾斜を制御する傾斜制御手段を設けたことを特徴と
    するウェーハチャック。
  6. 【請求項6】 ウェーハに対し半導体素子の形成処理ま
    たは試験処理を行う半導体製造/試験装置において、 請求項3乃至5のいずれかの記載のウェーハチャックを
    設けてなることを特徴とする半導体製造/試験装置。
JP17390996A 1996-07-03 1996-07-03 ウェーハのオリエンテーションフラット位置決め方法及びウェーハチャック及び半導体製造/試験装置 Withdrawn JPH1022368A (ja)

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