JPH1022772A

JPH1022772A - 発振部品

Info

Publication number: JPH1022772A
Application number: JP8169526A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Kotani; 圭一小谷; Akio Yamashita; 章夫山下
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1996-06-28
Filing date: 1996-06-28
Publication date: 1998-01-23

Abstract

(57)【要約】【課題】Ａｕメッキ層をクリーニング処理し、その飛
散物がキャビティーの内面に付着しても各導体部との間
で短絡現象を有効に抑えることができる発振部品を提供
する。【解決手段】多層構造のセラミック容器１に水晶振動子
２、ＩＣ素子３を収納するキャビティー１０を形成し、
キャビティー１０内に水晶振動子用接続パッド１７、ワ
イヤボンディング用接続パッド１６を形成し、このキャ
ビティー１０内に水晶振動子２し、キャビティー１０開
口周囲に形成した蓋体接合用メタライズ部１４を介して
金属製蓋体４を接合封止する発振部品である。容器１の
表面と水晶振動子用接続パッド１７との間のキャビティ
ー１０の内壁面に凹部７を形成した。また、蓋体接合用
メタライズ部１４を所定間隔Ｘだけ、キャビティー１０
の開口から離して形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、多層構造のセラミ
ック基板からなる容器内に、水晶振動子を少なくともＩ
Ｃ素子とともに収納し、金属製蓋体をシーム溶接によっ
て封止した発振部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、水晶振動子は金属製容器内に封止
され、プリント配線基板にリード線を介して立設されて
いた。

【０００３】近時、水晶振動子の周囲の所定回路のユニ
ット化及びプリント配線基板への表面実装対応化のため
に、容器に、端子電極が被着形成された多層セラミック
基板が多用されている。

【０００４】図３は、従来の表面実装に対応した発振部
品の断面構造を示す。

【０００５】この容器を構成する多層構造のセラミック
基板１に、平板状絶縁底面部１ａ、第１のリング状絶縁
外周部１ｂ、第２のリング状絶縁外周部１ｃ、第３のリ
ング状外周部１ｄが積層されて構成されていた。

【０００６】このような各絶縁外周部１ｂ〜１ｄのキャ
ビティー１０を形成するための各穴部の形状が夫々相違
している。従って、セラミック基板１には、キャビティ
ー１０が形成され、その内壁面には、少なくとも第１の
複数の段差部１１、第２の段差部１２が形成されてい
る。

【０００７】このようなキャビティー１０内には、ＩＣ
素子３及び水晶振動子２が収納配置され、キャビティー
１０の開口を隠蔽する金属製蓋体４が被覆封止されてい
る。

【０００８】この第１の絶縁外周部１ｂの上面側で第１
の段差部１１となる部位には、ＩＣ素子３のワイヤボン
ディング細線接続パッド１６・・・が形成されている。
また、第１の絶縁外周部１ｃの上面側で第２の段差部１
２となる部位には、水晶振動子２が載置接続する水晶振
動子接続パッド１７、１７が形成されている。尚、キ
ャビティー１０の底面部分に、ダイアタッチ部１５が形
成されており、各絶縁部１ａ〜１ｄの層間には、所定配
線パターン１８・・・が形成されている。そして、キャ
ビティー１０から露出する導体部（ダイアタッチ部１
５、接続パッド１６、接続パッド１７、蓋体接合用メタ
ライズ部１４）は、ＭｏやＷの下地導体上に、Ｎｉメッ
キ、Ａｕメッキが施されている。そして、各絶縁部１ａ
〜１ｄの層間に配置された配線パターン１８は、メッキ
処理が施されていない。

【０００９】このような、キャビティー１０には、ＩＣ
素子３がダイアタッチ部１５に接合され、同時に、ＩＣ
素子３の各電極と第１の段差部１１のワイヤボンディン
グ接続パッド１６とはワイヤボンディング細線Ｗによっ
て接続され、第２の段差部１２の水晶振動子接続パッド
１７に水晶振動子２の振動電極が接続するように、第２
の段差部１２上に水晶振動子２が載置され、導電性接着
剤２３、２４によって接続されている。

【００１０】このようなキャビティー１０の開口は、金
属製蓋体４によって隠蔽されている。具体的には、第３
の絶縁外周部１ｄ上、即ち、セラミック基板１のキャビ
ティー１０の開口周囲にに形成したリング状に接合用メ
タライス部１４上に金属製シームリング５を載置し、さ
らに、金属性蓋体４を載置して、溶接によって蓋体接合
用メタライズ部１４、シームリング５、金属製蓋体４を
一体化する。

【００１１】尚、セラミック基板１の外周面、例えば、
底面や側面には、配線パターン１８・・と接続する端子
電極１９が形成されている。

【００１２】ところで、上述の導体部（ダイアタッチ部
１５、接続パッド１６、接続パッド１７、蓋体接合用メ
タライズ部１４）の表面には、Ａｕメッキ層が形成され
ている。これは、特に、接続パッド１６にワイヤボンデ
ィング細線Ｗを接合する場合には強固な接合を得るため
に必要なメッキ層である。また、他の導体部、例えば、
ダイアタッチ部１５、接続パッド１７、蓋体接合用メタ
ライズ部１４の表面には、付加的にＡｕメッキ層が被着
してしまう。このＡｕは、非常に高価であるため、その
厚みを極力薄くしたい。

【００１３】Ａｕメッキ層をフラシュメッキで形成し
て、非常に薄くしてしまうことができるものの、下地の
ＮｉがＡｕの粒界を通じて、Ａｕ表面に拡散し、そのＮ
ｉ化合物が表面に露出してしまい、特に、接続部１６で
のワイヤボンディング細線Ｗの接合強度を低下させてし
まう。

【００１４】一般に、このように、Ｎｉメッキ−Ａｕメ
ッキ（フラシュメッキ）を施して、ワイヤボンディング
細線Ｗの接合強度を向上させるためには、接続ハッド部
１６の表面をプラズマなどの薄膜技法を応用してクリー
ニング処理して、Ａｕフラシュメッキ層の表面の汚れを
除去して清浄化して、ワイヤボンディング細線Ｗの接合
強度を低下を防止することが行われている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のＮｉメ
ッキ、Ａｕフラシュメッキを施した後、プラズマ処理し
てクリーニング処理を行うと、クリーニング処理による
除去物が飛散してしまう。この飛散物は、主にＡｕ−Ｎ
ｉの化合物であり、導電性有するものである。

【００１６】通常は、平板状基板の下地導体膜−Ｎｉメ
ッキ−Ａｕフラシュメッキの構造で使用されるものであ
り、飛散物の影響を考慮しなくなともよい。しかし、本
発明のように、キャビティー１０を有するセラミック基
板１では、飛散物がキャビティー１０の内壁面に飛散物
が付着してしまう。

【００１７】図３に示す発振部品では、ワイヤボンディ
ング細線接続パッド１６、水晶振動子接続パッド１７、
接合用メタライズ部１４でも、クリーニング処理が同時
に施され、ワイヤボンディング細線接続パッド１６、水
晶振動子接続パッド１７、接合用メタライズ部１４から
も飛散物が発生してしまう。

【００１８】その結果、構造的に水晶振動子接続用接続
パッド１７と封止用蓋体接合用メタライズ部１４との厚
み方向の高さが非常に低い発振部品では、水晶振動子接
続パッド１７と蓋体接合用メタライズ部１４とが飛散物
の付着によって短絡してしまい、水晶振動子２の両振動
電極が短絡してしまい、動作不可能となってしまうとい
う問題点があった。

【００１９】本発明は、上述の課題に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、キャビティー内部の各導体部
がクリーニング処理されても、水晶振動子接続パッドと
接合用メタライズ部との短絡現象を有効を防止できる構
造を有する発振部品を提供するものである。

【００２０】

【課題を解決するための具体的な手段】本発明は、セラ
ミック基板の表面中央部に、第１及び第２の段差部を有
するキャビティーを形成し、前記第１の段差部の表面
に、少なくとも表面Ａｕメッキを施した水晶振動子接続
用パッドを、前記第２の段差部の表面に、少なくとも表
面Ａｕメッキを施したワイヤボンディング接続用パッド
を、前記キャビティー開口周囲の基板表面に蓋体接合用
メタライズ部を夫々形成するとともに、前記キャビティ
ー内に、ワイヤボンディング細線を介して前記ボンディ
ング接続用パッドに接続するようにＩＣ素子を収納し、
前記第２の段差部の水晶振動子用接続パッドに水晶振動
子を接続・載置し、前記キャビティーの開口をシーム溶
接によって金属製蓋体で封止接合した発振部品である。

【００２１】そして、第１の発明は、前記第２の段差部
周囲のキャビティー内壁面に凹部が形成されている。

【００２２】また、第２の発明は、蓋体接合用メタライ
ズ部が、水晶振動子接続用パッドに近傍したキャビティ
ーの内壁面と基板表面との稜線部分から所定間隔をおい
て形成されている。

【００２３】

【作用】第１の発明では、水晶振動子が載置され、接続
される水晶振動子接続パッドと蓋体接合用メタライズ部
との間において、第２の段差部の周囲のキャビティー内
壁面に凹部が形成されている。従って、ワイヤボンディ
ング接続パッドをクリーニング処理した際に、同時に、
水晶振動子接続パッドでもクリーニングされ、これによ
り、飛散物が発生しても、前記凹部の存在によって、そ
の凹部を構成する全ての面に飛散物が付着することがな
く、これによって水晶振動子接続パッドと蓋体接合用メ
タラズ部との短絡を有効に抑えることができる。

【００２４】また、第２の発明では、前記水晶振動子収
納キャビティー形成用リング状外周部の上面にで、蓋体
接合用メタライズ部及びシームリングが、前記水晶振動
子接続パッドを形成した近傍の内周部から離れているた
め、同様に、水晶振動子接続パッドと蓋体接合用メタラ
ズ部との短絡を有効に抑えることができる。

【００２５】いずれの構造も、キャビティーを有するセ
ラミック基板のキャビティー内部又は周囲に形成した導
体部分にプラズマ処理によりクリーニングを行っても、
その処理の飛散物による導体部分、特に、水晶振動子の
接続パッドと接合用金属メタライズ部との短絡現象を抑
えることができる。

【００２６】従って、導体部の表面にＮｉメッキ、Ａｕ
フラシュツメッキを施して、特にワイヤボンディング細
線の接合強度を高めるために上述のクリーニング処理を
施すことが可能となる。

【００２７】結局、Ａｕの使用量を少なくしても、安定
なワイヤボンディング細線の接合強度を高め、しかし
も、水晶振動子の安定した特性を導出することができる
水晶振動子を収納する発振部品となる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の水晶振動子を収納
する発振部品を図面に基づいて詳説する。図１は、第１
の発明に係る水晶振動子を収納する発振部品の断面構造
図である。尚、図３と同一部分と同一符号を付す。

【００２９】図１において、１は容器を構成する多層構
造のセラミック基板（以下、容器という）、２は水晶振
動子、３はＩＣ素子、４は、金属製蓋体、５は金属製シ
ームリング５である。

【００３０】セラミック基板１は、その中央部にキャビ
ティー１０が形成されており、その内部に水晶振動子２
及びＩＣ素子３が収納されている。そして、水晶振動子
２、ＩＣ素子３を収納したキャビティー１０は、セラミ
ック基板１のキャビティー１０の開口部周囲部分に、蓋
体接合用メタライズ部１４を介して金属製蓋体４によっ
て被覆されている。

【００３１】容器１は、少なくとも５層の多層構造とな
っている。具体的には底面側から平板状底面絶縁部１
ａ、ＩＣ素子キャビティー形成用外周部（以下、第１の
リング状絶縁外周部という。）１ｂ、水晶振動子載置用
リング状外周部（以下、第２のリング状絶縁外周部とい
う。）１ｃ、第１の水晶振動子キャビティー形成用外周
部（以下、下層第３のリング状絶縁外周部とうい）１
ｄ、第２の水晶振動子キャビティー形成用外周部（以
下、上層第３のリング状絶縁外周部とうい）１ｅが積層
され、一体されている。これは、底面絶縁部１ａ、各外
周部１ｂ〜１ｅとなる所定形状、所定導体膜が形成され
たセラミックグリーンシートを多層して、一体焼結によ
って得られるものである。

【００３２】従って、上述の各絶縁外周部第１ｂ〜１ｅ
の中央付近の穴部が積層しあって、容器１の表面には、
ＩＣ素子３及び水晶振動子２が収納されるキャビティー
１０形成されることになる。

【００３３】次に、キャビティー１０の構造を詳細に説
明する。

【００３４】平板状の底面絶縁部１ａは、その表面、例
えばキャビティー１０の底面部となる部分に、少なくと
もＩＣ素子３を搭載するダイアタッチ部１５が形成され
ている。また、キャビティー１０に相当しない部分に
は、所定配線パターン１８・・・が形成されている。

【００３５】第１のリング状絶縁外周部１ｂは、その中
央部に少なくともＩＣ素子３の平面形状を充分に収納し
得る形状の穴部を有するリング状となっており、その穴
部の周囲には、ワイヤボンディング接続パッド１６及び
所定配線パターン１８・・・が形成されている。

【００３６】第２のリング状絶縁外周部１ｃは、第１の
リング状絶縁外周部１ｂ上に載置され、その中央部に
は、水晶振動子２の振動部が接触しない程度、且つ、第
１のリング状絶縁外周部１ｂに形成したワイヤボンディ
ング接続パッド１６を露出する穴部が形成されている。
同時に、その穴部の周囲には、水晶振動子２の振動電極
２１、２２と接続する接続パッド１７、１７が形成され
ている。接続パッド１７、１７は、水晶振動子２の振動
電極１１、１２の引出し構造にもよるが、例えば、水晶
振動子の振動電極２１、２２が水晶片の一辺側に集中し
ている場合、開口周囲の一方側に並設されることにな
る。

【００３７】従って、第２のリング状絶縁外周部１ｃの
穴部と第１のリング状絶縁外周部１ｂの穴部との形状の
差によって、第１の段差部１１が形成され、この段差部
１１の表面にワイヤボンディング用接続パッド１６が形
成されることになる。

【００３８】下層第３のリング状絶縁外周部１ｄは、そ
の中央部に少なくとも水晶振動子が素子３の振動部に充
分な空間を形成し得る形状の穴部を有するリング状とな
っている。この下層第３のリング状絶縁外周部１ｄは、
第２のリング状絶縁外周部１ｃ上に重畳され、夫々の穴
部の形状の差によって、第２の段差部１２が形成され
る。この段差部１２の表面に、水晶振動子２が載置接続
される接続パッド１７、１７が形成されている。

【００３９】上層第３のリング状絶縁外周部１ｅは、そ
の中央部に少なくとも水晶振動子が素子３の平面形状を
充分に収納し得る形状の穴部を有するリング状となって
いる。また、上層第３のリング状絶縁外周部１ｅの上
面、即ち、穴部の周囲には、蓋体接合用メタライズ部１
４・・・が周設されている。

【００４０】上述の底面部１ａ、各絶縁外周部１ｂ〜１
ｅによって形成されるキャビティー１０は、底面にダイ
アタッチ部１５、内壁面に２つの段差部１１、１２が形
成され、その表面に各接続パッド１６、１７が、開口周
囲の表面に蓋体接合用メタライズ部１４が露出すること
になる。尚、絶縁底面部１ａ、各絶縁外周部１ｂ〜１ｅ
間の層間には、所定配線パターン１８・・・が配置され
ており、容器１の側面及び又は底面に外部端子１９が形
成されている。

【００４１】また、キャビティー１０の内部または周囲
の導体部（ダイアタッチ部１５、接続パッド１６、１
７、接合封止メタライズ部１４）は、Ｍｏ、Ｗなどの下
地導体膜上にＮｉメッキ、非常に薄いＡｕのフラシュメ
ッキが施されている。また、各層間の配線パターン１８
は、メッキが被覆されていない。さらに、外部端子１９
は、それを形成する工程によって構造が相違するが、Ａ
ｇなどの下地導体上にＮｉメッキ、半田メッキなどが施
されている。

【００４２】第１の発明には、第２の段差部１２の周囲
のキャビティー１０の内壁面に凹部７が形成されている
ことである。この凹部７は、水晶振動子用接続パッド１
７、１７の近傍となる位置に形成することが重要であ
る。この凹部７は、下層第３のリング状絶縁外周部１ｄ
と上層第３のリング状絶縁外周部１ｅの各穴部の形状の
相違によって、例えば、下層第３のリング状絶縁外周部
１ｄの穴部、上層第３のリング状絶縁外周部１ｅの穴部
よりも大きくするように設定すれば簡単に形成できる。
尚、凹部７の平面方向の深さは、０．３〜０．５ｍｍで
あり、凹部７の高さ方向の開口は０．１〜０．２ｍｍで
ある。

【００４３】このような構造の容器１は、底面絶縁部１
ａ、各外周部第１のリング状絶縁外周部１ｂ〜上層第３
のリング状絶縁外周部１ｅとなるセラミックグリーンシ
ートをパンチングによって、キャビティー１０となる所
定形状の穴部を形成し、各セラミックグリーンシート上
に、蓋体接合用メタライズ部１４、ダイアタッチ部１
５、接続パッド１６、水晶振動子用接続パッド１７とな
るＭｏ、Ｗなどのペーストで所定下地導体膜を形成し
て、各セラミックグリーンシートを積層一体化した後、
焼成した後、Ｍｏ、Ｗなどの下地導体膜上に、Ｎｉメッ
キ、非常にうすい（厚み０．１〜０．２μｍ程度）フラ
ッシュメッキＡｕメッキを施す。

【００４４】尚、外部電極１９は、内部配線パターン１
８・・・を導通スルホールや底面絶縁部１ａ、各外周部
１ｂ〜１ｅとの層間から積層体の外部に延出するように
形成しておき、延出部分を被覆するように形成される。

【００４５】次に、水晶振動子２、ＩＣ素子３の収納に
ついて説明する。まず、ＩＣ素子３とワイヤボンディン
グ用接続部１６との間のワイヤボンディング細線Ｗが安
定且つ強固に行えるように、接続部１６の表面を、プラ
ズマ処理によるクリーニング処理を行う。これによっ
て、少なくとも接続部１６がワイヤボンディング接続に
支障を与える金属化合物が飛散・除去されてその表面が
清浄化されることになる。ここで、クリーニング処理
は、具体的には、Ａｒ雰囲気の真空チャンバー内で、高
周波印加して、励起されたＡｒでＡｕの表面に清浄化す
る。この時、Ａｕ表面にまで拡散した下地のＮｉの化合
物は、飛散することになるが、飛散距離は、クリーニン
グ処理の時間に左右され、例えば３０秒程度の処理で
は、約０．２〜０．３ｍｍ程度飛散する。

【００４６】次に、キャビティー１０の底面部分、即ち
ダイヤタッチ部１５にＩＣ素子３を接合配置し、第１の
段差部１１のワイヤボンディング用接続部１６・・・と
ＩＣ素子３とをワイヤボンディング細線Ｗを介して接続
する。

【００４７】次に、キャビティー１０の第２の段差部１
２に、水晶振動子２をその表面の水晶振動子用接続パッ
ド１７、１７と水晶振動子２の振動電極２１、２２とが
接続するように載置し、例えば熱硬化性樹脂を主成分と
する、また半田などの導電性接着剤２３、２４で接続す
る。

【００４８】最後に、上層第３のリング状絶縁外周部１
ｅの上面、即ちキャビティー１０の開口周囲に形成され
た蓋体接合用メタライズ部１４上に金属シームリング５
を介在して、金属性蓋体４を載置して、シーム溶接を行
う。これによって、キャビティー１０内部の水晶振動子
２、ＩＣ素子３が気密的に封止されることになる。尚、
この作業は、所定雰囲気中で行い、封止されたキャビテ
ィー１０の内部を所定雰囲気にする。

【００４９】ところで、上述のクリーニング処理によっ
て、ワイヤボンディング接続用接続パッド１６・・・以
外に、キャビティー１０内の各導体部及び蓋体接合用メ
タライズ部１４の表面も同時にクリーニング処理されて
しまう。

【００５０】そして、各導体部からも、金属化合物の飛
散が発生し、飛散物がキャビティー１０の内壁面に付着
してしまう。

【００５１】第１の発明において、多層構造のセラミッ
クの容器１の表面と第２の段差部１２との間のキャビテ
ィー１０の内壁面に凹部７が形成されているためには、
上述のクリーニング処理による飛散物が発生しても、凹
部７の３つ内面に連続的に化合物が付着することがな
い。従って、この付着物によって水晶振動子用接続パッ
ド１７、１７と蓋体接合用メタライズ部１４との間では
短絡することがなくなる。

【００５２】従って、キャビティー１０内の導体部に、
非常に薄いＡｕフラシュメッキを被着形成し、安定且つ
強固なワイヤボンディング接合を達成するために、クリ
ーニング処理を施しても、各導体部、特に、接続パッド
１７、１７と蓋体接合用メタライズ部１４との間では短
絡することがないため、安定して特性を導出できる水晶
振動子を収納した発振部品となる。

【００５３】また、Ａｕメッキ処理でのＡｕの消費量が
少なくて済み、非常に低コストの発振部品となる。

【００５４】次に、第２の発明を図２に基づいて説明す
る。

【００５５】第２の発明は、上述の実施例に対して、上
層第３のリング状絶縁外周部１ｅに形成した蓋体接合用
メタライズ部１４の形成位置を特定している。即ち、容
器１の上面、即ち、キャビティー１０の開口周囲部に形
成した蓋体接合用メタライズ部１４を、水晶振動子２の
載置位置である用接続パッド１７、１７に近傍した位置
においては、キャビティー１０の内壁面と容器１の表面
との稜線部分と蓋体接合用メタライズ部１４の内周との
間に所定間隔Ｘを置いて形成した。

【００５６】この所定間隔Ｘによって、上述クリーニン
グ処理によって飛散する金属化合物が、キャビティー１
０の内壁面に付着しても、この間隔Ｘによって、水晶振
動子用接続パッド１７、１７と蓋体接合用メタライズ部
１４との間で短絡することを防止する。

【００５７】このため、第２の発明の構造であっても、
第１の発明と同一の効果が得られることになる。

【００５８】ここで、所定間隔Ｘとは、クリーニング処
理時の金属化合物の飛散距離によって設定されるもので
あり、少なくとも０．２ｍｍ以上の間隔であれば、短絡
の問題が発生しない。

【００５９】尚、第２の上述の実施例に対して、下層第
３のリング状絶縁外周部１ｄを省略しても構わないが、
下層第３のリング状絶縁外周部１ｄと併用すれば、短絡
現象を抑える信頼性が大きく向上することになる。

【００６０】

【発明の効果】本発明のいずれの構造においても、水晶
振動子、ＩＣ素子を収納するキャビティー内の導体部に
薄いＡｕメッキを用いても、ＩＣ素子を強固なワイヤボ
ンディング細線によって接続でき、しかも、薄いＡｕメ
ッキのために低コスト化が達成できる。

【００６１】しかも、薄いＡｕメッキでも、強固なワイ
ヤボンディング細線を達成するために、Ａｕメッキ表面
をクリーニング処理しなくてはならないが、このクリー
ニング処理時に飛散し、キャビティーの内壁面に飛散物
の付着が発生するが、これによって、特に、水晶振動子
接続パッドと蓋体接合用メタライズ部の短絡現象を防止
でき、安定した特性を導出することが同時に達成でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明に係る発振部品の断面図である。

【図２】第２の発明に係る発振部品の容器の平面図であ
る。

【図３】従来の水晶振動子を収納した発振部品の断面図
である。

【符号の説明】

１・・・・多層セラミック基板（容器）１ａ・・・絶縁底面部１ｂ・・・第１のリング状絶縁外周部１ｃ・・・第２のリング状絶縁外周部１ｄ・・・下層第３のリング状絶縁外周部１ｅ・・・上層第３のリング状絶縁外周部１０・・・キャビティー１４・・・蓋体接合用メタライズ部１５・・・ダイアタッチ部１６・・・ワイヤボンディング用接続パッド１７・・・水晶振動子用接続パッド２・・・・水晶振動子３・・・・ＩＣ素子４・・・・金属性蓋体５・・・・シームリング７・・・・凹部Ｘ・・・・間隔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基板の表面中央部に、底面側に
第１、表面側に第２の段差部を有するキャビティーを形
成するとともに、前記第１の段差部の表面に、少なくと
も表面Ａｕメッキを施した水晶振動子接続用パッドを、
前記第２の段差部の表面に、少なくとも表面Ａｕメッキ
を施したワイヤボンディング接続用パッドを、前記キャ
ビティーの開口周囲の基板表面に蓋体接合用メタライズ
部を夫々形成するとともに、前記キャビティー内に、Ｉ
Ｃ素子を収納するとともに、該ＩＣ素子の電極をワイヤ
ボンディング細線を介して前記ボンディング接続用パッ
ドに接続させ、前記第２の段差部の水晶振動子用接続パ
ッドに水晶振動子を該水晶振動子の振動電極を接続させ
ることによって固定し、且つ前記キャビティーの開口周
囲の蓋体接合用メタライズ部に金属製蓋体をシーム溶接
によって接合した発振部品において、前記第２の段差部と基板表面との間のキャビティー内壁
面に凹部を設けたことを特徴とする発振部品。
【請求項２】セラミック基板の表面中央部に、底面側に
第１、表面側に第２の段差部を有するキャビティーを形
成するとともに、前記第１の段差部の表面に、少なくと
も表面Ａｕメッキを施した水晶振動子接続用パッドを、
前記第２の段差部の表面に、少なくとも表面Ａｕメッキ
を施したワイヤボンディング接続用パッドを、前記キャ
ビティーの開口周囲の基板表面に蓋体接合用メタライズ
部を夫々形成するとともに、前記キャビティー内に、Ｉ
Ｃ素子を収納するとともに、該ＩＣ素子の電極をワイヤ
ボンディング細線を介して前記ボンディング接続用パッ
ドに接続させ、前記第２の段差部の水晶振動子用接続パ
ッドに水晶振動子を該水晶振動子の振動電極を接続させ
ることによって固定し、且つ前記キャビティーの開口周
囲の蓋体接合用メタライズ部に金属製蓋体をシーム溶接
によって接合した発振部品において、前記接合用メタライズ部が、前記水晶振動子接続用パッ
ドに近傍のキャビティーの内壁面と基板表面との稜線部
分より離間して形成されていることを特徴とする発振部
品。