JPH10227821A - コンデンサの充電電流測定方法 - Google Patents
コンデンサの充電電流測定方法Info
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Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
に、断続印加の初期の電流値から十分に充電された時点
における電流値を予測し、絶縁抵抗を短時間にかつ正確
に測定すること。 【解決手段】コンデンサに直流電圧を断続的に印加し、
断続印加による複数の印加期間の充電特性から、コンデ
ンサの誘電分極成分の充電電流計算式を求める。求めた
充電電流計算式から充電終期における電流値を求めるこ
とにより、コンデンサの絶縁抵抗を短時間で測定でき
る。
Description
流測定方法、特にコンデンサの絶縁抵抗の測定に適した
充電電流測定方法に関するものである。
め、測定用の直流電圧をコンデンサに印加し、十分に充
電された後のコンデンサの漏れ電流(充電電流)を測定
することにより、コンデンサの絶縁抵抗を測定する方法
が知られている。当然ながら、良品は漏れ電流が少な
い。
は、JIS−C5102で規定された測定方式が知られ
ている。この方式は、コンデンサに十分に充電された状
態の電流値を測定する必要があるため、約60秒の測定
時間が必要であった。しかし、電子機器のコストダウ
ン、信頼性向上の要求に伴い、コンデンサなどの電子部
品もその生産能力向上と品質向上とが求められており、
コンデンサ1個当たりこのような長い測定時間を要する
従来の測定方法では、到底このような要求に応えること
ができない。
への充電方法として、直流電圧を連続的に印加する方法
の他に、断続印加する方法が知られている(特開平4−
254769号公報)。この方法は、間欠送りされるタ
ーンテーブルを用いて特性測定を行う場合に適した充電
方法であり、パーツフィーダから供給された多数のコン
デンサを連続的に特性測定できるという特徴がある。こ
のようなターンテーブルを用いた絶縁抵抗測定方法に
は、複数の充電領域を通過して充電を終えたコンデンサ
に対して、1個ずつ絶縁抵抗を測定する連続方式と、タ
ーンテーブルに所定数のコンデンサを供給した後、ター
ンテーブルを停止し、複数のコンデンサに対して同時に
充電と絶縁抵抗測定とを行うバッチ方式とがあるが、い
ずれの方式も充電に長時間が必要であり、作業効率があ
まり良くない。
の直流電圧の断続印加について鋭意研究を重ねた結果、
断続印加であっても、ある条件の下では連続印加と同様
な効果を持つこと、つまり、断続印加の場合も、連続印
加と同様の充電特性を持ち、たとえ電圧印加が途切れた
瞬間があっても、短い期間であれば、充電は進むという
事実を発見した。このような事実に基づけば、断続印加
の初期の数回に亘って充電電流を測定すれば、十分に充
電された後の充電電流、ひいては絶縁抵抗を予測するこ
とが可能である。
れたもので、その目的は、コンデンサに直流電圧を断続
的に印加した場合に、断続印加の初期の電流値から十分
に充電された時点における電流値を予測し、絶縁抵抗を
短時間にかつ正確に測定できるコンデンサの充電電流測
定方法を提供することにある。
め、請求項1に記載の発明は、コンデンサに直流電圧を
断続的に印加する工程と、断続印加による複数の印加期
間の充電特性から、コンデンサの誘電分極成分の充電電
流計算式を求める工程と、上記充電電流計算式から充電
終期における電流値を求める工程と、を含むものであ
る。
時と断続印加時における電流値の変化を正確に測定し、
その電流値と時間とを対数電流−対数時間の座標にプロ
ットすると、図1,図2のような特性があることを発見
した。すなわち、連続印加の場合には、図1のように印
加開始t0 から微小期間はほぼ一定の大きな電流が流
れるが、それに続く遷移期間で急激に電流値が低下
し、その後、ある傾きを持った線形の充電特性で電流
が低下した。この線形の充電特性は、充電開始から1
分〜2分後まで持続していた。一方、断続印加の場合に
は、図2のように1回目の電圧印加の特性,,は
連続印加時と全く同様である。その後、時刻ta で一旦
電圧印加を中止した後、時刻tb で2回目の電圧印加を
行うと、最初はのように急激に電流値が高くなるが、
その後、急激に低下して線形の充電特性に安定する。
図2の横軸は対数時間であるため、の頂部の特性は明
確ではないが、実際にはと同様な水平部とと同様な
遷移期間とで構成されている。また、線形の充電特性
は1回目の電圧印加時の線形の充電特性の延長線上に
あることが分かった。その後、電圧の断続印加を繰り返
しても、上記〜と同様の特性が繰り返され、線形の
充電特性,の延長線上に安定する。なお、印加電圧
は連続印加も断続印加も同一電圧とした。
電流値i3 を計測すると、連続印加時も断続印加時も電
流値i3 は同一であった。つまり、直流電圧を断続印加
した場合であっても、断続印加におけるOFF時間(t
a 〜tb )が短い期間(例えば数百m秒以下)であれ
ば、連続印加により充電した時と同様の結果となった。
本発明者らの実験によると、0.01μF以上の容量値
を有するコンデンサであれば、断続印加のOFF時間を
500m秒以下とすれば、連続印加時と同様な結果が得
られた。
と、次のような事実が判明した。すなわち、コンデンサ
の等価回路は、図3のように容量C0 、内部抵抗r、絶
縁抵抗R0 のほかに、誘電分極成分Dが含まれており、
誘電分極成分Dは容量C1 ,C2 ・・・Cn と抵抗
R1 ,R2 ・・・Rn とで構成されている。そして、図
1,図2の非線形的な充電特性,は容量C0 の充電
領域であるのに対し、線形的な充電特性は誘電分極
成分Dの充電領域であることが判明した。
形の充電特性と2回目における線形の充電特性(あ
るいは3回目以後の充電特性を用いてもよい)とを用い
て、誘電分極成分Dの充電特性の電流計算式を求め、こ
の電流計算式から充電終期(例えば60秒後)における
電流値を求めれば、コンデンサの絶縁抵抗を短時間に予
測することができる。
定装置(例えばターンテーブル)を長期間止めておく必
要がなく、コンデンサを間欠搬送しながら絶縁抵抗を測
定できるので、設備能力を向上させることができるとい
う利点がある。
は、種々の方法が考えられる。例えば、断続印加による
2つの印加期間の各時点の電流値を測定し、この測定さ
れた2つの電流値から、充電電流計算式log i=a・lo
g t+bの勾配aと切片bとを求める方法がある。この
場合、測定時刻は断続印加における線形の特性部分,
であることが必要である。
が、直線近似式で近似しえない場合には、対数近似式を
用いればよい。この場合の充電電流計算式はlog (log
i)=a・log t+bである。
して、コンデンサの等価回路を使う方法がある。この方
法の場合、まず等価回路に基づいて充電電流計算式を初
期設定し、断続印加による複数の印加期間の実測電流値
m(t)と上記充電電流計算式を使って求めた計算電流
値i(t)とが一致するように、等価回路の誘電分極成
分Dである容量C1 ,C2 ・・・Cn と抵抗R1 ,R2
・・・Rn とを決定し、充電電流計算式を修正すればよ
い。この場合も、実測電流値m(t)は、断続印加にお
ける線形の特性部分,で測定すればよい。
る充電電流は、JISで50mAと決められている。し
かしながら、充電電流を50mAより大きくすると、初
期特性(図2の,,)の時間が短くなり、線形の
特性,が長くなる。したがって、充電電流を大きく
すれば、充電の応答性が向上し、電圧印加時間が短くて
も充電でき、設備処理能力を上げることができる。
の電流測定装置の一例を示す。この測定装置は、本願出
願人が特願平7−293442号で提案したものであ
る。この測定装置は、直流測定電源10、スイッチ1
1、被測定物であるコンデンサ12、制限抵抗13、対
数増幅器14、計測用アンプ15、A/D変換器16,
18、演算処理回路(CPU)17を備えている。充電
初期は計測用アンプ15で電流値を計測し、所定の閾値
で対数増幅器14に切り換え、それ以後は対数増幅器1
4で電流値を計測する。この測定装置は、コンデンサ1
2の充電電流が幅広いレンジで変化しても正確に測定す
ることができるので、従来の測定装置では計測困難であ
った充電初期から充電終期までの電流値を連続的に計測
できる。
定時間おきにON/OFFされ、コンデンサ12には直
流電圧が断続印加される。スイッチ11をON/OFF
させる時間間隔は一定である必要はない。例えば、2回
目のON時間を1回目のON時間より長くしてもよい
し、1回目のON時間を2回目のON時間より長くして
もよい。さらに3回以上印加する場合には、各回のON
時間を変えてもよい。なお、本発明方法は図4の測定装
置を用いる必要性はなく、コンデンサへの電圧印加を断
続できるものであれば、他のいかなる測定装置を用いて
もよい。
第1実施例を図5にしたがって説明する。まず、コンデ
ンサに直流電圧を断続的に印加する(ステップS0
1)。次に、断続印加による2つの印加期間の各時点t
1 ,t2 の電流値i1 ,i2を測定する(ステップS0
2)。測定時点t1 ,t2 は、図2に示すように誘電分
極成分Dの充電領域内の時点とする必要があるが、
断続印加の初期(例えば1回目や2回目など)における
充電領域の電流値を測定する方が、測定時間を短縮でき
るので望ましい。続いて、測定電流値i1 ,i2 からコ
ンデンサの誘電分極成分Dの充電領域の直線近似式(lo
g i=a・log t+b)の勾配aと切片bを求める(ス
テップS03)。勾配aと切片bは次式により計算され
る。 a=(log i2 −log i1 )/(log t2 −log t1 ) b=(log i1 ・log t2 −log i2 ・log t1 )/
(log t2 −log t1 ) 次に、勾配aと切片bとを求めた直線近似式log i=a
・log t+bに、最終充電時t3 (例えば60秒)を代
入すれば、充電時の電流値i3 を計算で求めることがで
きる(ステップS04)。この電流値i3 からコンデン
サの絶縁抵抗を知ることができる。
式(破線で示す)および実測値(実線で示す)である。
被測定物であるコンデンサとしては、積層セラミックコ
ンデンサを用い、充電電流は50mAとした。直線近似
式を求めるための具体的データは以下の通りである。 ta =30m秒,tb =70m秒,tc =100m秒 t1 =30m秒,i1 =1.0μA t2 =100m秒,i2 =0.3μA a=−0.97,b=3.5×10-8 t3 =60秒 計算値i3 =1.05nA,実測値i3 =1.01nA このように、計算値i3 と実測値i3 との誤差は3.9
6%であった。これにより、上記方法が精度の高い測定
方法であることが実証された。なお、図6の実測値は6
0秒までの連続印加によって求めた。また、計算値は0
〜30m秒、70m秒〜100m秒の2回の断続印加に
よって求めた。
似式(log i=a・log t+b)を用いて時刻t3 の電
流値i3 を予測したが、コンデンサの種類によっては誘
電分極成分Dの充電特性が必ずしも直線にならない
場合がある。その場合には、対数近似式(log (log
i)=a・log t+b)を用いて電流値i3 を求めても
よい。この場合には、勾配aと切片bは次のようにして
求められる。
第3実施例の原理を説明する。まず、コンデンサの等価
回路が図3で表されることは既に述べた。ここで、図3
に示した等価回路の誘電分極成分Dである容量C1 ,C
2 ・・・Cn と抵抗R1 ,R2 ・・・Rn を、以下に示
すように等比数列の関係におく。 Ck =pk-1 C1 , Rk =qk-1 R1 但し、k=1,2・・・n、C1 ,R1 ,p,qは定数
である。等価回路に流れる電流式は以下のとおりであ
る。
絶縁抵抗である。
を流れる電流、第2項は誘電分極成分Dを流れる電流で
ある。なお、充電初期には容量C0 と内部抵抗rとの直
列回路にも電流が流れるが、これは本発明における充電
電流計算式に直線関係がないので、省略した。
と図4の電流測定装置で実測された実測電流値m(t)
とがほぼ一致するように、パラメータC1 ,R1 ,p,
qを決定する。なお、実測電流値m(t)の計測時刻
は、誘電分極成分Dの充電領域内(図2参照)の時
点とする必要があるが、断続印加における初期(例えば
1回目,2回目など)の充電領域とするのが望ましい。
との一致度は以下のようにして評価する。まず、評価関
数n(t)を次のように設定する。 n(t)=log(m(t))−log(i(t)) 上式で求めた評価関数n(t)を直線近似する。近似式
は一次式y=ax+bで表されるが、この式の傾きaと
切片bとが0に近い程、一致度が高いと判断する。この
ように一致度の高いパラメータを用いて計算式(1)を
修正し、修正された計算式(1)に充電終了時の時間
(例えば60秒)を代入することにより、充電終了時の
電流値を求めることができる。
法の具体例を説明する。まず、被測定物であるコンデン
サとして積層セラミックコンデンサを用い、パラメータ
C1 ,R1 ,p,qを次のような値に初期設定した。 C1 =210×10-12 R1 =0.1×106 p=1.07 q=2.1
i(t)と実測値m(t)を図7に示す。初期設定値に
より求めた直線近似式は、図7の中の式のように傾きa
=5.37、切片b=0.044であり、共に0に近く
ない。そのため、例えば60秒後の計算値i(t)と実
測値m(t)とが一致していないことが分かる。なお、
図7も図6と同様にして実測値および計算値を求めた。
ように、図8のような方法を用いてパラメータC1 ,R
1 ,p,qを修正した。まず、パラメータC1 ,R1 ,
p,qを初期設定する(ステップS1)。次に、初期設
定されたパラメータを用いて、計算式(1)により、誘
電分極成分Dの充電領域(図2参照)における計算
電流値i(t)を求める(ステップS2)。続いて、同
時点における実測値m(t)を測定し、実測値m(t)
と計算値i(t)との差により評価関数n(t)を求め
る(ステップS3)。次に、評価関数n(t)を直線近
似する(ステップS4)。次に、近似式y=ax+bの
切片bの絶対値が所定値βより小さいか否かを判定する
(ステップS5)。このステップは、切片bが0に近い
かどうかを判定するものである。ステップS5で、|b
|≧βの場合には、近似計算回数が所定回数N1 以内で
あるか否かを判定する(ステップS6)。これは、無限
ループを回避するための処理である。近似計算回数がN
1 回以下であれば、bの正負によってC1 を一定値だけ
増加もしくは減少させる(ステップS7)。近似計算回
数がN1 回以上になれば、C1 の修正では切片bが0に
近づかないことを意味するので、qおよび/またはR1
をbの正負によって一定値だけ増加もしくは減少させる
(ステップS8)。ステップS7またはS8で、C1 ま
たはq,R1 を修正した後、ステップS2〜S3〜S4
〜S5を繰り返す。ステップS5で|b|<βとなった
場合は、続いて近似式の傾きaの絶対値が所定値αより
小さいか否かを判定する(ステップS9)。ステップS
9で、|a|≧αの場合には、近似計算回数が所定回数
N2 以内であるか否かを判定する(ステップS10)。
これも、無限ループを回避するための処理である。近似
計算回数がN2 回以下であれば、aの正負によってpを
一定値だけ増加もしくは減少させる(ステップS1
1)。近似計算回数がN2 回以上になれば、pの修正で
は傾きaが0に近づかないことを意味するので、qおよ
び/またはR1 をaの正負によって一定値だけ増加もし
くは減少させる(ステップS12)。ステップS11ま
たはS12で、pまたはqおよび/またはR1 を修正し
た後、ステップS2〜S3〜S4〜S5〜S9を繰り返
し、|b|<βでかつ|a|<αとなった場合に、一致
が完了したと判断する(ステップS13)。つまり、パ
ラメータC1 ,R1 ,p,qを最終的に決定する。
りである。 C1 =198.3×10-12 R1 =0.1×106 p=1.093 q=2.1
た計算値(t)と実測値m(t)との比較図である。こ
の場合の直線近似式は、傾きa=2×10-5、切片b=
−6×10-6であり、共に0に近い。図9から明らかな
ように、計算値i(t)と実測値m(t)とが充電終了
時(例えば60秒後)でも非常によく一致しており、本
発明方法が非常に精度の高い予測方法であることが証明
された。なお、図9も図6と同様にして実測値および計
算値を求めた。
ータC1 ,R1 ,p,qを修正したが、直線近似に加え
て、2次曲線近似を用いることにより、パラメータを修
正するようにしてもよい。すなわち、図10に示される
ように、実測値と計算値との差n(t)に対して、直線
y=ax+bで近似した場合、傾きaおよび切片bは共
に0に近い値となり、直線近似の一致度は高いことにな
る。しかしながら、実測値と近似直線とは全く一致して
いない。そのため、充電終期における計算値と実測値と
が大きく食い違う結果となる。このような場合には、2
次曲線近似を併用することにより、高い精度で一致度を
評価できる。
(t)の近似式をy=dx2 +ex+fとし、2次係数
dが0に近く、かつ(−e/2d)が一致度合いを比較
するための区間時間内の値となったとき、一致度が高い
と判断する。この区間時間としては、例えば5〜20m
秒程度が望ましい。一致度が低い場合、計算式(1)の
R0 の値を変更する。このように、直線近似式と2次曲
線近似式の一致度が高くなるようにパラメータを修正し
た後、修正したパラメータを用いた計算式(1)で電流
値を求めれば、一層精度の高い計算値を得ることができ
る。
併用したパラメータの決定方法を示す図である。まず、
充電初期(例えば5〜20m秒)における電流値m
(t)を測定する(ステップS14)。次に、絶縁抵抗
R0 を決定する。R0 の初期値は十分大きな値を設定す
る(ステップS15)。次に、パタメータC1 ,R1 ,
p,qを決定する(ステップS16)。これらパラメー
タの初期値は図8のステップS1と同様に、経験的に知
られた値とすればよい。次に、決定されたパラメータを
用いて計算式(1)により計算電流値i(t)を求める
(ステップS17)。次に、実測した電流値m(t)と
計算で求めた計算電流値i(t)との差により評価関数
n(t)を求める(ステップS18)。次に、評価関数
n(t)を直線近似する(ステップS19)。次に、直
線近似による一致度が高いか否かを判定する(ステップ
S20)。判定方法は、図8における傾きaと切片bが
共に0に近いかどうかで判定する。一致度が低い場合
は、パタメータC1 ,R1 ,p,qを修正し、ステップ
S16以下の処理を繰り返す。直線近似の一致度が高い
場合には、続いて評価関数n(t)を2次曲線近似する
(ステップS21)。続いて、2次曲線近似による一致
度が高いか否かを判定する(ステップS22)。この判
定方法は、2次曲線近似式の2次係数dが0に近く、か
つ(−e/2d)が一致度合いを比較するための区間時
間内の値となったか否かで判定する。一致度が低い場合
は、パタメータR0 を修正し、ステップS15以下の処
理を繰り返す。2次曲線近似の一致度が高いと判断した
場合には、パラメータR0 およびC1,R1 ,p,qを
最終決定する(ステップS23)。
Dである容量C1 ,C2 ・・・Cnと抵抗R1 ,R2 ・
・・Rn を等比数列の関係に設定したが、等比数列以外
の関係に設定してもよい。いずれにしても、実測電流値
m(t)と計算電流値i(t)の一致度から、容量
C1 ,C2 ・・・Cn と抵抗R1 ,R2 ・・・Rn を決
定できる方法であればよい。また、実測電流値m(t)
と計算電流値i(t)との一致度を評価するため、直線
近似または2次曲線近似を行ったが、他の公知の近似法
を用いてもよいことは勿論である。
電流を、制限抵抗13(図4参照)によってJISで決
められた50mAに制限したものであるが、制限抵抗1
3の抵抗値を小さくして充電電流を大きくすると、図1
2に示すように充電の応答が速くなることを発見した。
図12の実線は充電電流を50mAとした場合、二点鎖
線は充電電流を100mAとした場合である。
電流値が高くなるとともに、その時間が短縮された。こ
れに対し、誘電分極成分Dの充電領域の充電曲線は
全く変化しておらず、充電領域の開始点がより速く
なった。つまり、線形的な誘電分極成分Dの充電領域
が延長されたものである。そのため、第1実施例にお
ける電流値i1 ,i2 を測定するための時刻t1 ,t2
や、計算式(1)の評価,修正を行う時刻を短縮でき
る。つまり、より高速にかつより正確に絶縁抵抗を測定
することが可能となった。
別・テーピング装置の一具体例を示す。図において、2
0はターンテーブルであり、ターンテーブル20は矢印
方向に1ピッチずつ間欠的に回転する。ターンテーブル
20の周囲には、被測定物であるチップ型コンデンサを
1個ずつ保持できる複数の保持部21が等ピッチ間隔で
設けられている。ターンテーブル20の周囲には、コン
デンサをターンテーブル20へ供給する供給部22、容
量測定部23、本発明が実施される2つの充電IR測定
部24a,24b、不良品排出部25、良品取出部26
等が設けられており、供給部22にはコンデンサを1個
ずつターンテーブル20へ送り込むパーツフィーダなど
の供給装置27が配置されている。
グ装置28が配置されている。テーピング装置28はコ
ンデンサ収納用の基材テープ29を矢印方向に1ピッチ
ずつ間欠的に駆動しており、基材テープ29の収納部2
9aには良品取出部26から良品コンデンサが1個ずつ
収納される。収納部29aへコンデンサを収納した後、
テーピング装置28は周知のように基材テープ29にカ
バーテープ(図示せず)を接着する。
ブル上で長時間充電しなければならないため、テーピン
グ装置と同期させることができず、ターンテーブルで特
性測定を終了した良品のコンデンサを取出容器などに所
定個数溜めておき、取出容器からコンデンサを改めてパ
ーツフィーダなどを用いて1個ずつ取り出し、テーピン
グ装置に供給していた。そのため、特性測定から梱包に
至る作業スピードが非常に遅く、設備の大型化、コスト
の増大を招いていた。
は、コンデンサの充電時の電流、つまり絶縁抵抗を充電
IR測定部24a,24bで瞬時に求めることができる
ので、ターンテーブル20の2回もしくはそれ以上の停
止期間中に絶縁抵抗測定を終了でき、充電IR測定部2
4a,24bを最小2区画で構成することができる。そ
のため、ターンテーブル20とテーピング装置28とを
容易に同期させることができ、特性測定が終了したコン
デンサをターンテーブル22から直接テーピング装置2
8へ送り込むことができる。その結果、従来に比べて作
業スピードが格段に向上するだけでなく、設備の小型化
およびコスト削減を実現できる。
の他の具体例を示す。この装置は、1台のターンテーブ
ル20を中心として、その両側にパーツフィーダなどの
供給装置27を配置するとともに、2台のテーピング装
置28を配置したものである。2本のテープ29は互い
に逆方向に送られる。この装置の場合、図13の装置に
比べて作業スピードの一層の向上と、効率化とが図れ
る。
め装置の一具体例を示す。この装置では、パーツフィー
ダ27、ターンテーブル20を経て取り出された良品コ
ンデンサは、ターンテーブル20からバルクケース詰め
装置30によってバルクケース31へ詰められる。バル
クケース31には所定個数のコンデンサを収納できるよ
うになっており、一定個数のコンデンサが収納された
後、バルクケース31は矢印方向に駆動される。この場
合も、図13と同様な効果がある。
らず、電解コンデンサやフィルムコンデンサなど、誘電
分極成分を有するコンデンサであれば、如何なるコンデ
ンサであっても測定可能である。
よれば、コンデンサに直流電圧を断続的に印加し、断続
印加による複数の印加期間の充電特性から、コンデンサ
の誘電分極成分の充電電流計算式を求め、この充電電流
計算式から充電終期における電流値を求めるようにした
ので、最終的な電流値(例えば1分後の電流値)を正確
に予測できる。そのため、コンデンサの絶縁抵抗を短時
間でかつ正確に測定できる。また本発明では、コンデン
サに連続的に電圧を印加する必要がないので、ターンテ
ーブルなどによって間欠搬送しながら絶縁抵抗を測定で
きる。そして、間欠搬送時の停止期間を数十m秒程度ま
で短縮できるので、測定能力を大幅に向上させることが
できるという効果がある。
特性図である。
特性図である。
る。
ト図である。
である。
実測値との比較図である。
を示すフローチャート図である。
実測値との比較図である。
ある。
パラメータ決定方法を示すフローチャート図である。
特性図である。
ング装置の一例の平面図である。
ング装置の他の例の平面図である。
ケース詰め装置の一例の平面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】コンデンサに直流電圧を断続的に印加する
工程と、 断続印加による複数の印加期間の充電特性から、コンデ
ンサの誘電分極成分の充電電流計算式を求める工程と、 上記充電電流計算式から充電終期における電流値を求め
る工程と、を含むコンデンサの充電電流測定方法。 - 【請求項2】上記充電電流計算式を求める工程は、 断続印加による2つの印加期間の各時点t1 ,t2 の電
流値i1 ,i2 を測定する工程と、 上記測定された2つの電流値i1 ,i2 から、充電電流
計算式log i=a・log t+bの勾配aと切片bとを求
める工程と、を含む請求項1に記載のコンデンサの充電
電流測定方法。 - 【請求項3】上記充電電流計算式を求める工程は、 断続印加による2つの印加期間の各時点t1 ,t2 の電
流値i1 ,i2 を測定する工程と、 上記測定された2つの電流値i1 ,i2 から、充電電流
計算式log (log i)=a・log t+bの勾配aと切片
bとを求める工程と、を含む請求項1に記載のコンデン
サの充電電流測定方法。 - 【請求項4】上記充電電流計算式を求める工程は、 コンデンサの等価回路を使って電流計算式を初期設定す
る工程と、 断続印加による複数の印加期間の実測電流値m(t)と
上記充電電流計算式を使って求めた計算電流値i(t)
とが一致するように、等価回路の誘電分極成分である容
量C1 ,C2 ・・・Cn と抵抗R1 ,R2 ・・・Rn と
を決定し、充電電流計算式を修正する工程と、を含む請
求項1に記載のコンデンサの充電電流測定方法。 - 【請求項5】上記断続印加時にコンデンサに流れる充電
電流を50mAより大きくしたことを特徴とする請求項
1ないし4のいずれかに記載のコンデンサの充電電流測
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34861897A JP3307305B2 (ja) | 1996-12-13 | 1997-12-02 | コンデンサの良否判定方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35284696 | 1996-12-13 | ||
| JP8-352846 | 1996-12-13 | ||
| JP34861897A JP3307305B2 (ja) | 1996-12-13 | 1997-12-02 | コンデンサの良否判定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10227821A true JPH10227821A (ja) | 1998-08-25 |
| JP3307305B2 JP3307305B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=26578794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34861897A Expired - Fee Related JP3307305B2 (ja) | 1996-12-13 | 1997-12-02 | コンデンサの良否判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3307305B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010511866A (ja) * | 2006-11-30 | 2010-04-15 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 多層セラミックコンデンサ試験のための多点、多パラメータデータアクイジション |
| US8461849B1 (en) | 2006-11-30 | 2013-06-11 | Electro Scientific Industries, Inc. | Multivariate predictive insulation resistance measurement |
| JP7837585B1 (ja) * | 2024-11-22 | 2026-03-31 | 株式会社 東京ウエルズ | 検査装置及び検査方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3293540B2 (ja) | 1996-12-05 | 2002-06-17 | 株式会社村田製作所 | コンデンサの良否判定方法 |
| JP3175674B2 (ja) | 1996-12-05 | 2001-06-11 | 株式会社村田製作所 | コンデンサの良否判定方法 |
| JP3293541B2 (ja) | 1996-12-25 | 2002-06-17 | 株式会社村田製作所 | コンデンサの絶縁抵抗測定方法 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP34861897A patent/JP3307305B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010511866A (ja) * | 2006-11-30 | 2010-04-15 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 多層セラミックコンデンサ試験のための多点、多パラメータデータアクイジション |
| US8461849B1 (en) | 2006-11-30 | 2013-06-11 | Electro Scientific Industries, Inc. | Multivariate predictive insulation resistance measurement |
| JP7837585B1 (ja) * | 2024-11-22 | 2026-03-31 | 株式会社 東京ウエルズ | 検査装置及び検査方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3307305B2 (ja) | 2002-07-24 |
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