JPH10228608A - 交互配置型多チャンネル磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
交互配置型多チャンネル磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH10228608A JPH10228608A JP3166197A JP3166197A JPH10228608A JP H10228608 A JPH10228608 A JP H10228608A JP 3166197 A JP3166197 A JP 3166197A JP 3166197 A JP3166197 A JP 3166197A JP H10228608 A JPH10228608 A JP H10228608A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、再生用素子と記録用素子を交互配置
した磁気ヘッドにおいて、同一基板内及びロット間の再
生用素子と記録用素子のギャップ深さゼロラインの関係
を所定の値とするための製造方法を提供することができ
なかった。 【解決手段】下部コアと上部コアと記録用コイルと記録
用磁気ギャップと、該下部コアおよび該上部コアと該コ
イルを絶縁するための、有機絶縁膜を有する記録用薄膜
磁気ヘッドと、下部シ−ルドと上部シ−ルドと磁気抵抗
効果素子と、該磁気抵抗効果素子と該下部シ−ルドおよ
び該上部シ−ルドを絶縁するための、再生用磁気ギャッ
プを有する再生用磁気抵抗効果ヘッドを、交互に配置し
た磁気ヘッドにおいて、記録用薄膜磁気ヘッドのギャッ
プ深さＧｄ＝０位置と、再生用磁気抵抗効果ヘッドの磁
気抵抗効果素子高さＭＲｈ＝０位置を、同一工程で形成
することにより達成することができる。
した磁気ヘッドにおいて、同一基板内及びロット間の再
生用素子と記録用素子のギャップ深さゼロラインの関係
を所定の値とするための製造方法を提供することができ
なかった。 【解決手段】下部コアと上部コアと記録用コイルと記録
用磁気ギャップと、該下部コアおよび該上部コアと該コ
イルを絶縁するための、有機絶縁膜を有する記録用薄膜
磁気ヘッドと、下部シ−ルドと上部シ−ルドと磁気抵抗
効果素子と、該磁気抵抗効果素子と該下部シ−ルドおよ
び該上部シ−ルドを絶縁するための、再生用磁気ギャッ
プを有する再生用磁気抵抗効果ヘッドを、交互に配置し
た磁気ヘッドにおいて、記録用薄膜磁気ヘッドのギャッ
プ深さＧｄ＝０位置と、再生用磁気抵抗効果ヘッドの磁
気抵抗効果素子高さＭＲｈ＝０位置を、同一工程で形成
することにより達成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に磁気記録の
分野に関し、特に磁気媒体がデ−タの多重パラレル・チ
ャネルを有する記憶装置に用いられる磁気ヘッドに関す
る。
分野に関し、特に磁気媒体がデ−タの多重パラレル・チ
ャネルを有する記憶装置に用いられる磁気ヘッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】双方向に走行する磁気テ−プ記憶装置は
既によく知られている。このような、磁気テ−プ記憶装
置に採用される磁気ヘッドは、特開平4-358307号に記載
のように、磁性体基板に記録用素子と再生用磁気抵抗効
果素子を交互に配置し、磁性体ブロックを貼り合わせて
形成した磁気ヘッドが知られている。前記磁気ヘッド
は、高記録密度化が進むにつれ、今後、磁性体基板およ
び磁性体ブロックが、高透磁率の磁性薄膜に変わる方向
で検討されることが予想される。この場合、採用される
記録用薄膜素子構造は、特開昭59-79414号に記載のよう
な構造となり、記録用ヘッドのギャップ深さは、媒体浮
上面から記録用薄膜素子のギャップ長が広がる部分まで
となる。従って、記録用ヘッドのギャップ深さＧｄ＝０
位置（以下、Ｇｄ＝０位置を記録用ヘッドのギャップ深
さゼロラインと記述とする。）は、媒体浮上面側の、コ
イルと上部磁性薄膜を絶縁するための絶縁膜の端面によ
って決定される。また、再生用磁気抵抗効果素子構造
は、特開昭50-59023号に記載のような磁気抵抗効果素子
を、再生用ギャップ長を決める絶縁膜を介してシールド
膜で挟む構造となっている。このような構造の再生用ヘ
ッドでは、媒体浮上面からの磁気抵抗効果素子の素子高
さＭＲｈによって、再生特性が大きく左右される。（以
下、媒体浮上面からの磁気抵抗効果素子の素子高さＭＲ
ｈを再生用ヘッドのギャップ深さと記述し、ＭＲｈ＝０
位置を再生用ヘッドのギャップ深さゼロラインと記述と
する。）
既によく知られている。このような、磁気テ−プ記憶装
置に採用される磁気ヘッドは、特開平4-358307号に記載
のように、磁性体基板に記録用素子と再生用磁気抵抗効
果素子を交互に配置し、磁性体ブロックを貼り合わせて
形成した磁気ヘッドが知られている。前記磁気ヘッド
は、高記録密度化が進むにつれ、今後、磁性体基板およ
び磁性体ブロックが、高透磁率の磁性薄膜に変わる方向
で検討されることが予想される。この場合、採用される
記録用薄膜素子構造は、特開昭59-79414号に記載のよう
な構造となり、記録用ヘッドのギャップ深さは、媒体浮
上面から記録用薄膜素子のギャップ長が広がる部分まで
となる。従って、記録用ヘッドのギャップ深さＧｄ＝０
位置（以下、Ｇｄ＝０位置を記録用ヘッドのギャップ深
さゼロラインと記述とする。）は、媒体浮上面側の、コ
イルと上部磁性薄膜を絶縁するための絶縁膜の端面によ
って決定される。また、再生用磁気抵抗効果素子構造
は、特開昭50-59023号に記載のような磁気抵抗効果素子
を、再生用ギャップ長を決める絶縁膜を介してシールド
膜で挟む構造となっている。このような構造の再生用ヘ
ッドでは、媒体浮上面からの磁気抵抗効果素子の素子高
さＭＲｈによって、再生特性が大きく左右される。（以
下、媒体浮上面からの磁気抵抗効果素子の素子高さＭＲ
ｈを再生用ヘッドのギャップ深さと記述し、ＭＲｈ＝０
位置を再生用ヘッドのギャップ深さゼロラインと記述と
する。）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】記録用薄膜素子と再生
用磁気抵抗効果素子を、同一平面上に形成する場合に、
それぞれのギャップ深さゼロラインを決定する方法とし
て、従来の方法をそのまま採用すると次のような不具合
が発生する。第１の不具合は、同一基板内で前記した記
録用ヘッドのギャップ深さゼロラインと、前記した再生
用ヘッドのギャップ深さゼロラインの形成工程が異な
り、記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロラ
イン形成工程のマスクの合わせズレや、ギャップ深さゼ
ロラインを決める各パタ−ン形成時のパタ−ン伸縮等に
より、記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロ
ラインに数μｍのばらつきが発生する。そして、このよ
うに同一面上に記録用薄膜素子と再生用磁気抵抗効果素
子が完成された基板を機械加工等により、ギャップ深さ
加工を行った場合、記録用ヘッドのギャップ深さを所定
の値としたときに、記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャ
ップ深さゼロラインのばらつきにより再生用ヘッドのギ
ャップ深さが所定の値とならずばらつきを生じることに
なる。また、再生用ヘッドのギャップ深さを所定の値と
したときに、記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深
さゼロラインのばらつきにより、記録用ヘッドのギャッ
プ深さが所定の値とならずばらつきを生じることにな
る。さらに、第２の不具合は、各基板毎および各ロット
毎にも上記と同様の理由により、前記した記録用ヘッド
のギャップ深さゼロラインと、前記した再生用ヘッドの
ギャップ深さゼロラインにばらつきが発生する。そし
て、基板毎およびロット毎にばらつきを生じた、基板を
機械加工等により、ギャップ深さ加工を行った場合、記
録用ヘッドのギャップ深さを所定の値としたときに、記
録用ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロラインの
ばらつきにより、再生用ヘッドのギャップ深さが所定の
値とならずばらつきを生じることになる。また、再生用
ヘッドのギャップ深さを所定の値としたときに、記録用
ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロラインのばら
つきにより、記録用ヘッドのギャップ深さが所定の値と
ならずばらつきを生じることになる。上記２つの不具合
により、記録用ヘッドあるいは再生用ヘッドのギャップ
深さは、所定の値に対し大きく異なり、記録特性および
再生特性をばらつかせる原因となる。
用磁気抵抗効果素子を、同一平面上に形成する場合に、
それぞれのギャップ深さゼロラインを決定する方法とし
て、従来の方法をそのまま採用すると次のような不具合
が発生する。第１の不具合は、同一基板内で前記した記
録用ヘッドのギャップ深さゼロラインと、前記した再生
用ヘッドのギャップ深さゼロラインの形成工程が異な
り、記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロラ
イン形成工程のマスクの合わせズレや、ギャップ深さゼ
ロラインを決める各パタ−ン形成時のパタ−ン伸縮等に
より、記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロ
ラインに数μｍのばらつきが発生する。そして、このよ
うに同一面上に記録用薄膜素子と再生用磁気抵抗効果素
子が完成された基板を機械加工等により、ギャップ深さ
加工を行った場合、記録用ヘッドのギャップ深さを所定
の値としたときに、記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャ
ップ深さゼロラインのばらつきにより再生用ヘッドのギ
ャップ深さが所定の値とならずばらつきを生じることに
なる。また、再生用ヘッドのギャップ深さを所定の値と
したときに、記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深
さゼロラインのばらつきにより、記録用ヘッドのギャッ
プ深さが所定の値とならずばらつきを生じることにな
る。さらに、第２の不具合は、各基板毎および各ロット
毎にも上記と同様の理由により、前記した記録用ヘッド
のギャップ深さゼロラインと、前記した再生用ヘッドの
ギャップ深さゼロラインにばらつきが発生する。そし
て、基板毎およびロット毎にばらつきを生じた、基板を
機械加工等により、ギャップ深さ加工を行った場合、記
録用ヘッドのギャップ深さを所定の値としたときに、記
録用ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロラインの
ばらつきにより、再生用ヘッドのギャップ深さが所定の
値とならずばらつきを生じることになる。また、再生用
ヘッドのギャップ深さを所定の値としたときに、記録用
ヘッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロラインのばら
つきにより、記録用ヘッドのギャップ深さが所定の値と
ならずばらつきを生じることになる。上記２つの不具合
により、記録用ヘッドあるいは再生用ヘッドのギャップ
深さは、所定の値に対し大きく異なり、記録特性および
再生特性をばらつかせる原因となる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】記録用ヘッドと再生用ヘ
ッドのギャップ深さゼロラインを、同一工程により形成
する製造方法を採用することにより、上記課題を解決す
ることができる。具体的方法としては、再生用ヘッドの
ギャップ深さゼロラインと記録用ヘッドのギャップ深さ
ゼロラインを決定する絶縁膜形成工程を、同条件および
同一マスクを用いて形成する製造方法とすることであ
る。このことにより、素子形成時に決定される記録用ヘ
ッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロラインの関係
を、所定値に対して数十ｎｍから数百ｎｍの範囲で高精
度に形成することが可能となり、素子形成時の基板内お
よびロット毎による記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャ
ップ深さゼロラインのズレ量を低減できる。
ッドのギャップ深さゼロラインを、同一工程により形成
する製造方法を採用することにより、上記課題を解決す
ることができる。具体的方法としては、再生用ヘッドの
ギャップ深さゼロラインと記録用ヘッドのギャップ深さ
ゼロラインを決定する絶縁膜形成工程を、同条件および
同一マスクを用いて形成する製造方法とすることであ
る。このことにより、素子形成時に決定される記録用ヘ
ッドと再生用ヘッドのギャップ深さゼロラインの関係
を、所定値に対して数十ｎｍから数百ｎｍの範囲で高精
度に形成することが可能となり、素子形成時の基板内お
よびロット毎による記録用ヘッドと再生用ヘッドのギャ
ップ深さゼロラインのズレ量を低減できる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明による完成後の交互配置型
磁気ヘッドの平面図を図１に示す。図２から図７に本発
明の製造途中の平面図と断面図を示す。
磁気ヘッドの平面図を図１に示す。図２から図７に本発
明の製造途中の平面図と断面図を示す。
【０００６】図３は図２中のＡ−Ａ及びＢ−Ｂの断面図
である。図３に示す基板１上に磁性体（パ−マロイ等）
を、スパッタあるいはメッキ等により数μｍの厚さで全
面に成膜する。その後、図２に示すように、再生用素子
部の磁気シ−ルドとして下部シ−ルド１２の形状にま
た、記録素子部の磁気コアとして下部コア２の形状とな
るように、ホトリソグラフィ技術あるいはイオンミリン
グ等により形成する。この上に図３に示すような、再生
用および記録用の第１ギャップ３を形成するため、アル
ミナあるいは酸化シリコン等を、スパッタリング法によ
り数百ｎｍの厚さで全面に形成する。次に、再生用の引
出し導体１５を、下部シ−ルド１２と絶縁するためおよ
び、記録用のコイル５を、下部コア２と絶縁するために
有機絶縁膜４を図２に示すような形状に、ホトリソグラ
フィ技術を用いて厚さ数百ｎｍ形成する。この上に電気
良導体（金あるいは銅等）を、スパッタあるいはメッキ
等により数μｍの厚さで全面に成膜したのち、図２に示
すように再生用素子部は、引出し導体１５のような形状
とし、記録用素子部は、コイル５のような形状となるよ
うに、ホトリソグラフィ技術あるいはイオンミリング等
により形成する。そして次に、再生用の引出し導体１５
と、記録用のコイル５を、上部シ−ルド２０あるいは上
部コア１０と絶縁し、さらに、再生用素子のギャップ深
さゼロラインと記録用素子のギャップ深さゼロラインを
決定するための、有機絶縁膜６をスピンコ−ト等の方法
により全面に数μｍから十数μｍの厚さにコ−トし、ホ
トリソグラフィ技術により同一マスクを用いて図２に示
すような形状に形成する。図２中では、再生素子と記録
素子のギャップ深さゼロラインを同じとして形成してあ
るが、記録再生特性を確保するために、再生用素子と記
録用素子のギャップ深さゼロラインを、あらかじめシフ
トさせる必要がある場合には、その量を考慮した形状の
マスクを用いて形成する。次に、再生用素子部のみに、
磁気抵抗効果を有するパ−マロイ等を数十ｎｍと、これ
に、バイアスを印加するためのバイアス膜を、数十ｎｍ
から数百ｎｍの厚さで全面に成膜したのち、図２に示す
ような形状の、磁気抵抗効果素子７に形成する。さら
に、図２および図３に示すように、再生用素子部のみの
有機絶縁膜６を除去し、記録用素子部のみの有機絶縁膜
６を残すための、保護膜８（アルミナまたは酸化シリコ
ン等の絶縁膜あるいはチタン、ニオブ、モリブデンまた
はクロム等の高抵抗膜）をスパッタ等により数ｎｍから
数十ｎｍの厚さで全面に成膜したのち、図２に示すよう
な形状に、ホトリソグラフィ技術と、イオンミリング技
術あるいはスパッタエッチング技術を用いて形成する。
である。図３に示す基板１上に磁性体（パ−マロイ等）
を、スパッタあるいはメッキ等により数μｍの厚さで全
面に成膜する。その後、図２に示すように、再生用素子
部の磁気シ−ルドとして下部シ−ルド１２の形状にま
た、記録素子部の磁気コアとして下部コア２の形状とな
るように、ホトリソグラフィ技術あるいはイオンミリン
グ等により形成する。この上に図３に示すような、再生
用および記録用の第１ギャップ３を形成するため、アル
ミナあるいは酸化シリコン等を、スパッタリング法によ
り数百ｎｍの厚さで全面に形成する。次に、再生用の引
出し導体１５を、下部シ−ルド１２と絶縁するためおよ
び、記録用のコイル５を、下部コア２と絶縁するために
有機絶縁膜４を図２に示すような形状に、ホトリソグラ
フィ技術を用いて厚さ数百ｎｍ形成する。この上に電気
良導体（金あるいは銅等）を、スパッタあるいはメッキ
等により数μｍの厚さで全面に成膜したのち、図２に示
すように再生用素子部は、引出し導体１５のような形状
とし、記録用素子部は、コイル５のような形状となるよ
うに、ホトリソグラフィ技術あるいはイオンミリング等
により形成する。そして次に、再生用の引出し導体１５
と、記録用のコイル５を、上部シ−ルド２０あるいは上
部コア１０と絶縁し、さらに、再生用素子のギャップ深
さゼロラインと記録用素子のギャップ深さゼロラインを
決定するための、有機絶縁膜６をスピンコ−ト等の方法
により全面に数μｍから十数μｍの厚さにコ−トし、ホ
トリソグラフィ技術により同一マスクを用いて図２に示
すような形状に形成する。図２中では、再生素子と記録
素子のギャップ深さゼロラインを同じとして形成してあ
るが、記録再生特性を確保するために、再生用素子と記
録用素子のギャップ深さゼロラインを、あらかじめシフ
トさせる必要がある場合には、その量を考慮した形状の
マスクを用いて形成する。次に、再生用素子部のみに、
磁気抵抗効果を有するパ−マロイ等を数十ｎｍと、これ
に、バイアスを印加するためのバイアス膜を、数十ｎｍ
から数百ｎｍの厚さで全面に成膜したのち、図２に示す
ような形状の、磁気抵抗効果素子７に形成する。さら
に、図２および図３に示すように、再生用素子部のみの
有機絶縁膜６を除去し、記録用素子部のみの有機絶縁膜
６を残すための、保護膜８（アルミナまたは酸化シリコ
ン等の絶縁膜あるいはチタン、ニオブ、モリブデンまた
はクロム等の高抵抗膜）をスパッタ等により数ｎｍから
数十ｎｍの厚さで全面に成膜したのち、図２に示すよう
な形状に、ホトリソグラフィ技術と、イオンミリング技
術あるいはスパッタエッチング技術を用いて形成する。
【０００７】この工程において、先に形成した磁気抵抗
効果素子７に、ダメ−ジを与えないようにする必要があ
る。そのための方法としては、例えば、ホトリソグラフ
ィ技術を利用したリフトオフ法や、イオンミリング技術
あるいはスパッタエッチング技術を利用する方法があ
る。イオンミリング技術あるいはスパッタエッチング技
術を利用する場合には、反応性ガスを用いた反応性エッ
チング法を採用することが有効手段である。上記の方法
により、保護膜８を記録用素子部のみに形成したのち、
再生用素子部のみの有機絶縁膜６を、溶剤あるいは除去
液等により溶かすことにより、数μｍから十数μｍの有
機絶縁膜６上に形成されている、数十ｎｍから数百ｎｍ
の磁気抵抗効果素子７も有機絶縁膜６と同時に除去され
る。
効果素子７に、ダメ−ジを与えないようにする必要があ
る。そのための方法としては、例えば、ホトリソグラフ
ィ技術を利用したリフトオフ法や、イオンミリング技術
あるいはスパッタエッチング技術を利用する方法があ
る。イオンミリング技術あるいはスパッタエッチング技
術を利用する場合には、反応性ガスを用いた反応性エッ
チング法を採用することが有効手段である。上記の方法
により、保護膜８を記録用素子部のみに形成したのち、
再生用素子部のみの有機絶縁膜６を、溶剤あるいは除去
液等により溶かすことにより、数μｍから十数μｍの有
機絶縁膜６上に形成されている、数十ｎｍから数百ｎｍ
の磁気抵抗効果素子７も有機絶縁膜６と同時に除去され
る。
【０００８】次に、図３に示す有機絶縁膜６上の磁気抵
抗効果素子７を、確実に精度よく除去するための有効な
手段として、次のような方法が考えられる。第１案は、
保護膜８まで形成された基板を、有機絶縁膜６を溶かす
溶剤あるいは除去液等のはいった超音波層に入れて、物
理的な力を加えながら有機絶縁膜６を溶かす方法であ
る。第２案は、保護膜８まで形成された基板を回転させ
ながら、その上から、有機絶縁膜６を溶かすための、溶
剤あるいは除去液等を噴射させながら、有機絶縁膜６を
溶かす方法である。上記のようにして有機絶縁膜６と有
機絶縁膜６上の磁気抵抗効果素子７とを同時に除去した
図を図４と図５に示す。図５は図４中のＡ−Ａ及びＢ−
Ｂの断面図である。
抗効果素子７を、確実に精度よく除去するための有効な
手段として、次のような方法が考えられる。第１案は、
保護膜８まで形成された基板を、有機絶縁膜６を溶かす
溶剤あるいは除去液等のはいった超音波層に入れて、物
理的な力を加えながら有機絶縁膜６を溶かす方法であ
る。第２案は、保護膜８まで形成された基板を回転させ
ながら、その上から、有機絶縁膜６を溶かすための、溶
剤あるいは除去液等を噴射させながら、有機絶縁膜６を
溶かす方法である。上記のようにして有機絶縁膜６と有
機絶縁膜６上の磁気抵抗効果素子７とを同時に除去した
図を図４と図５に示す。図５は図４中のＡ−Ａ及びＢ−
Ｂの断面図である。
【０００９】次に、再生および記録の第２ギャップ９を
形成するため、図７に示すように、アルミナあるいは酸
化シリコン等を、スパッタリング法により全面に数百ｎ
ｍ形成する。そして、再生用素子の下部シ−ルド１２
と、上部シ−ルド２０を接続するためのバックギャップ
２１と、記録用素子の下部コア２と、上部コア１０を接
続するためのバックギャップ１１を形成するために、ホ
トリソグラフィ技術とイオンミリング技術を用いて、第
２ギャップ９と有機絶縁膜４と第１ギャップ３を、同時
にエッチングする。この上に、磁性体（パ−マロイ等）
をスパッタあるいはメッキ等により全面に数μｍ成膜し
たのち、図６に示すような形状とするため、ホトリソグ
ラフィ技術あるいはイオンミリング等により、再生用素
子の上部シ−ルド２０と、記録用素子の上部コア１０を
形成する。図７は図６中のＡ−Ａ及びＢ−Ｂの断面図で
ある。
形成するため、図７に示すように、アルミナあるいは酸
化シリコン等を、スパッタリング法により全面に数百ｎ
ｍ形成する。そして、再生用素子の下部シ−ルド１２
と、上部シ−ルド２０を接続するためのバックギャップ
２１と、記録用素子の下部コア２と、上部コア１０を接
続するためのバックギャップ１１を形成するために、ホ
トリソグラフィ技術とイオンミリング技術を用いて、第
２ギャップ９と有機絶縁膜４と第１ギャップ３を、同時
にエッチングする。この上に、磁性体（パ−マロイ等）
をスパッタあるいはメッキ等により全面に数μｍ成膜し
たのち、図６に示すような形状とするため、ホトリソグ
ラフィ技術あるいはイオンミリング等により、再生用素
子の上部シ−ルド２０と、記録用素子の上部コア１０を
形成する。図７は図６中のＡ−Ａ及びＢ−Ｂの断面図で
ある。
【００１０】最後に、図には示さないが、この上に再生
用素子と記録用素子を保護するための、アルミナ膜を数
十μｍ厚付けし、再生用素子および記録用素子の段差を
なくすため、基板状態で、保護アルミナ膜の表面をラッ
ピングして、交互配置型磁気ヘッド用基板を完成させ
る。
用素子と記録用素子を保護するための、アルミナ膜を数
十μｍ厚付けし、再生用素子および記録用素子の段差を
なくすため、基板状態で、保護アルミナ膜の表面をラッ
ピングして、交互配置型磁気ヘッド用基板を完成させ
る。
【００１１】上記のようにして、完成した基板を機械加
工により切断し、保護ブロック３０を貼りつけたのち、
媒体浮上面を研削およびラップして、ギャップ深さ加工
を行い図８に示すような交互配置型磁気ヘッドを完成さ
せる。
工により切断し、保護ブロック３０を貼りつけたのち、
媒体浮上面を研削およびラップして、ギャップ深さ加工
を行い図８に示すような交互配置型磁気ヘッドを完成さ
せる。
【００１２】
【発明の効果】上記のような製造方法を用いることによ
り、再生用素子と記録用素子のギャップ深さゼロライン
を、同時に形成することが可能となる。これにより、再
生用ヘッドと記録用ヘッドのギャップ深さを、同一もし
くは所定のシフト量を持たせ、設計通りのギャップ深さ
に、精度よく形成することができる。従って、再生用ヘ
ッドと記録用ヘッドの、ギャップ深さの影響が少なく、
再生特性および記録特性が安定した、交互配置型磁気ヘ
ッドを提供することができる。
り、再生用素子と記録用素子のギャップ深さゼロライン
を、同時に形成することが可能となる。これにより、再
生用ヘッドと記録用ヘッドのギャップ深さを、同一もし
くは所定のシフト量を持たせ、設計通りのギャップ深さ
に、精度よく形成することができる。従って、再生用ヘ
ッドと記録用ヘッドの、ギャップ深さの影響が少なく、
再生特性および記録特性が安定した、交互配置型磁気ヘ
ッドを提供することができる。
【図１】交互配置型磁気ヘッド素子の平面図
【図２】製造工程途中１の再生素子と記録素子の平面図
【図３】製造工程途中１の再生素子と記録素子の断面図
【図４】製造工程途中２の再生素子と記録素子の平面図
【図５】製造工程途中２の再生素子と記録素子の断面図
【図６】製造工程途中３の再生素子と記録素子の平面図
【図７】製造工程途中３の再生素子と記録素子の断面図
【図８】交互配置型磁気ヘッドの斜視図
１…基板，２…下部コア，３…第１ギャップ，４，６…
有機絶縁膜，５…コイル，７…磁気抵抗効果素子，８…
保護膜，９…第２ギャップ，１０…上部コア、１１…
記録用バックギャップ，１２…下部シ−ルド，１５…引
出し導体、２０…上部シ−ルド，２１…再生用バックギ
ャップ，３０…保護ブロック
有機絶縁膜，５…コイル，７…磁気抵抗効果素子，８…
保護膜，９…第２ギャップ，１０…上部コア、１１…
記録用バックギャップ，１２…下部シ−ルド，１５…引
出し導体、２０…上部シ−ルド，２１…再生用バックギ
ャップ，３０…保護ブロック
Claims (6)
- 【請求項１】下部コアと上部コアと記録用コイルと記録
用磁気ギャップと、該下部コアおよび該上部コアと該コ
イルを絶縁するための、有機絶縁膜を有する記録用薄膜
磁気ヘッドと、下部シ−ルドと上部シ−ルドと磁気抵抗
効果素子と、該磁気抵抗効果素子と該下部シ−ルドおよ
び該上部シ−ルドを絶縁するための、再生用磁気ギャッ
プを有する再生用磁気抵抗効果ヘッドを、交互に配置し
た磁気ヘッドにおいて、記録用薄膜磁気ヘッドのギャッ
プ深さＧｄ＝０位置と、再生用磁気抵抗効果ヘッドの磁
気抵抗効果素子高さＭＲｈ＝０位置を、同一工程で形成
することを特徴とする交互配置型多チャンネル磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項２】上記請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方
法において、記録用薄膜磁気ヘッドのギャップ深さＧｄ
＝０位置と、再生用磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵抗効果
素子高さＭＲｈ＝０位置を形成する手段として、記録用
薄膜磁気ヘッドの上部コアと該コイルを絶縁するため
の、有機絶縁膜を用いたことを特徴とする交互配置型多
チャンネル磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】上記請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方
法において、該記録用薄膜磁気ヘッドの該有機絶縁膜
を、記録用薄膜素子部と再生用磁気抵抗効果素子部に同
時条件及び同時マスクを用いて形成し、記録用薄膜素子
部は該有機絶縁膜を残し、記録用薄膜磁気ヘッドのギャ
ップ深さＧｄ＝０位置を決定し、再生用磁気抵抗効果素
子部は該有機絶縁膜を除去することにより、再生用磁気
抵抗効果ヘッドの磁気抵抗効果素子高さＭＲｈ＝０位置
を決定したことを特徴とする交互配置型多チャンネル磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】上記請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方
法において、記録用薄膜磁気ヘッドのギャップ深さＧｄ
＝０位置と、再生用磁気抵抗効果ヘッドの磁気抵抗効果
素子高さＭＲｈ＝０位置の決定に用いる、該記録用薄膜
磁気ヘッドの該有機絶縁膜を保護するための、保護膜を
形成する工程を採用したことを特徴とする交互配置型多
チャンネル磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】上記請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方
法において、該有機絶縁膜を保護するための保護膜材と
して、無機質の絶縁膜を採用したことを特徴とする交互
配置型多チャンネル磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】上記請求項４に記載の磁気ヘッドの製造方
法において、該有機絶縁膜を保護するための保護膜材と
して、高抵抗の導電膜を採用したことを特徴とする交互
配置型多チャンネル磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166197A JPH10228608A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 交互配置型多チャンネル磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3166197A JPH10228608A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 交互配置型多チャンネル磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10228608A true JPH10228608A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12337337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3166197A Pending JPH10228608A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | 交互配置型多チャンネル磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10228608A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7692893B2 (en) | 2004-06-30 | 2010-04-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Side-by-side magnetic head configuration with flared pole tip layer and read sensor sharing same plane |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP3166197A patent/JPH10228608A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7692893B2 (en) | 2004-06-30 | 2010-04-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Side-by-side magnetic head configuration with flared pole tip layer and read sensor sharing same plane |
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