JPH10229208A - 化合物半導体の製造方法 - Google Patents
化合物半導体の製造方法Info
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- JPH10229208A JPH10229208A JP9146388A JP14638897A JPH10229208A JP H10229208 A JPH10229208 A JP H10229208A JP 9146388 A JP9146388 A JP 9146388A JP 14638897 A JP14638897 A JP 14638897A JP H10229208 A JPH10229208 A JP H10229208A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な手段で且つ低コストで大面積の化合物
半導体を提供する。 【解決手段】 基板上に形成されたモリブデン膜上に、
セレン化インジウム粉末、セレン粉末、塩化銅粉末及び
バインダーよりなるペーストをスクリーンを用いてプリ
ントすることにより成膜するか、或いは、基板上に順次
形成されたモリブデン膜及び銅膜の上に、セレン化イン
ジウム粉末、セレン粉末及びバインダーよりなるペース
トをスクリーンを用いてプリントすることにより成膜
し、かかる成膜したペーストを乾燥後真空中又は不活性
気体雰囲気中或いは不活性気体中に還元ガスを混合した
気体中において加熱してセレン化することによりＣＩＳ
薄膜を形成する。
半導体を提供する。 【解決手段】 基板上に形成されたモリブデン膜上に、
セレン化インジウム粉末、セレン粉末、塩化銅粉末及び
バインダーよりなるペーストをスクリーンを用いてプリ
ントすることにより成膜するか、或いは、基板上に順次
形成されたモリブデン膜及び銅膜の上に、セレン化イン
ジウム粉末、セレン粉末及びバインダーよりなるペース
トをスクリーンを用いてプリントすることにより成膜
し、かかる成膜したペーストを乾燥後真空中又は不活性
気体雰囲気中或いは不活性気体中に還元ガスを混合した
気体中において加熱してセレン化することによりＣＩＳ
薄膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池として用
いられる化合物半導体の製造方法に関する。
いられる化合物半導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セレン化銅インジウム［ＣｕＩｎＳｅ2
（ＣＩＳ）］薄膜を有する化合物半導体は、太陽電池と
して用いられ、斯界で知られている。太陽電池の製造に
おいては、活性層であるＣＩＳ薄膜を形成する工程は、
最も重要な工程である。このＣＩＳ薄膜の形成方法とし
ては、三源同時蒸着法、スパッタ法、二段階セレン化法
等の真空系を用いる方法が試みられている。
（ＣＩＳ）］薄膜を有する化合物半導体は、太陽電池と
して用いられ、斯界で知られている。太陽電池の製造に
おいては、活性層であるＣＩＳ薄膜を形成する工程は、
最も重要な工程である。このＣＩＳ薄膜の形成方法とし
ては、三源同時蒸着法、スパッタ法、二段階セレン化法
等の真空系を用いる方法が試みられている。
【０００３】図１は、従来の三源同時蒸着法により真空
蒸着するための真空蒸着装置の断面図であり、図２は、
従来の二段階セレン化法によりＣＩＳ薄膜を形成する工
程図であり、そして、図３は、Ｃｕ膜、Ｉｎ膜及びＳｅ
膜の三層よりなる積層体からＣＩＳ薄膜を形成する工程
を説明する説明図である。
蒸着するための真空蒸着装置の断面図であり、図２は、
従来の二段階セレン化法によりＣＩＳ薄膜を形成する工
程図であり、そして、図３は、Ｃｕ膜、Ｉｎ膜及びＳｅ
膜の三層よりなる積層体からＣＩＳ薄膜を形成する工程
を説明する説明図である。
【０００４】三源同時蒸着法では、図１に示すように、
真空容器１０の中に、銅（Ｃｕ）蒸発源１１、インジウ
ム（Ｉｎ）蒸発源１２及びセレン（Ｓｅ）蒸発源１３を
それぞれ備えた蒸着装置を用い、ヒータ１４によって３
５０〜４００℃に加熱した基板１の上にＣｕ、Ｉｎ及び
Ｓｅを別々の蒸発源１１、１２及び１３から同時に蒸発
させ、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2 ）薄膜を形成して化合物
半導体としている。基板１の蒸発源側には、シャッタ１
５が配置されている。そして、Ｃｕ及びＩｎ用膜厚モニ
タ１６並びにＳｅ用厚膜モニタ１７を用いて各元素の蒸
着量を測定し、蒸着源１１、１２及び１３の温度にフィ
ードバックすることによって膜組成の精密制御を行って
いる。
真空容器１０の中に、銅（Ｃｕ）蒸発源１１、インジウ
ム（Ｉｎ）蒸発源１２及びセレン（Ｓｅ）蒸発源１３を
それぞれ備えた蒸着装置を用い、ヒータ１４によって３
５０〜４００℃に加熱した基板１の上にＣｕ、Ｉｎ及び
Ｓｅを別々の蒸発源１１、１２及び１３から同時に蒸発
させ、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2 ）薄膜を形成して化合物
半導体としている。基板１の蒸発源側には、シャッタ１
５が配置されている。そして、Ｃｕ及びＩｎ用膜厚モニ
タ１６並びにＳｅ用厚膜モニタ１７を用いて各元素の蒸
着量を測定し、蒸着源１１、１２及び１３の温度にフィ
ードバックすることによって膜組成の精密制御を行って
いる。
【０００５】スパッタ法では、ＣｕＩｎＳｅ2 焼結体を
ターゲットとしたスパッタリングで２００℃以下の温度
の基板上に非晶質の膜を形成し、これを加熱して結晶化
することにより化合物半導体としている。
ターゲットとしたスパッタリングで２００℃以下の温度
の基板上に非晶質の膜を形成し、これを加熱して結晶化
することにより化合物半導体としている。
【０００６】二段階セレン化法では、図２の工程図に示
すような工程で行われる。即ち、真空容器中において、
ガラス基板１の上にＭｏ膜２を蒸着した後室温でＣｕ膜
１８、Ｉｎ膜１９及びＳｅ膜２０を順次蒸着して、図３
（ａ）に示すようなＣｕ膜、Ｉｎ膜及びＳｅ膜の３層よ
りなる積層体を形成し、次に、これを窒素ガス雰囲気中
において、３５０〜４００℃の温度で熱処理し、図３
（ｂ）に示すようなＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2）薄膜３を
形成して化合物半導体としている。
すような工程で行われる。即ち、真空容器中において、
ガラス基板１の上にＭｏ膜２を蒸着した後室温でＣｕ膜
１８、Ｉｎ膜１９及びＳｅ膜２０を順次蒸着して、図３
（ａ）に示すようなＣｕ膜、Ｉｎ膜及びＳｅ膜の３層よ
りなる積層体を形成し、次に、これを窒素ガス雰囲気中
において、３５０〜４００℃の温度で熱処理し、図３
（ｂ）に示すようなＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ2）薄膜３を
形成して化合物半導体としている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の三源同
時蒸着法、スパッタ法、二段階セレン化法等の真空系を
用いる方法では、(イ) 真空蒸着装置サイズを精度よく大
きくすることが難しいため製品を大面積化することが困
難であること、(ロ)真空蒸着装置が高価であること、(ハ)
蒸着源の積層レートが遅いこと、(ニ) バッチ法で行う
ため連続工程に不向きであること、(ホ) 蒸着源が真空蒸
着装置内部の全てに析出するので、多くの蒸着材料が無
駄になること、(ヘ) 真空蒸着装置内部に析出した蒸着材
料を頻繁にクリーニングする必要があること、(ト) 真空
蒸着装置内では、均一膜厚及び均一組成膜が得られるこ
とを優先するため、そのメンテナンス性が悪いこと、等
の問題があった。
時蒸着法、スパッタ法、二段階セレン化法等の真空系を
用いる方法では、(イ) 真空蒸着装置サイズを精度よく大
きくすることが難しいため製品を大面積化することが困
難であること、(ロ)真空蒸着装置が高価であること、(ハ)
蒸着源の積層レートが遅いこと、(ニ) バッチ法で行う
ため連続工程に不向きであること、(ホ) 蒸着源が真空蒸
着装置内部の全てに析出するので、多くの蒸着材料が無
駄になること、(ヘ) 真空蒸着装置内部に析出した蒸着材
料を頻繁にクリーニングする必要があること、(ト) 真空
蒸着装置内では、均一膜厚及び均一組成膜が得られるこ
とを優先するため、そのメンテナンス性が悪いこと、等
の問題があった。
【０００８】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、簡単な手段で且つ低コ
ストで大面積の化合物半導体を提供することを目的とす
る。
的としている。即ち、本発明は、簡単な手段で且つ低コ
ストで大面積の化合物半導体を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本第１発明は、化合物半
導体の製造において、基板上に形成されたモリブデン膜
上に、セレン化インジウム粉末、セレン粉末、塩化銅粉
末及びバインダーよりなるペーストをスクリーンを用い
てプリントすることにより成膜することを特徴としてい
る。
導体の製造において、基板上に形成されたモリブデン膜
上に、セレン化インジウム粉末、セレン粉末、塩化銅粉
末及びバインダーよりなるペーストをスクリーンを用い
てプリントすることにより成膜することを特徴としてい
る。
【００１０】本第２発明は、化合物半導体の製造におい
て、基板上に順次形成されたモリブデン膜及び銅膜の上
に、セレン化インジウム粉末、セレン粉末及びバインダ
ーよりなるペーストをスクリーンを用いてプリントする
ことにより成膜することを特徴としている。
て、基板上に順次形成されたモリブデン膜及び銅膜の上
に、セレン化インジウム粉末、セレン粉末及びバインダ
ーよりなるペーストをスクリーンを用いてプリントする
ことにより成膜することを特徴としている。
【００１１】第３発明は、第１又は２発明において、成
膜されたペーストを乾燥後真空中又は不活性気体雰囲気
中或いは不活性気体中に還元ガスを混合した気体中にお
いて加熱してセレン化することによりＣＩＳ薄膜を形成
することを特徴としている。
膜されたペーストを乾燥後真空中又は不活性気体雰囲気
中或いは不活性気体中に還元ガスを混合した気体中にお
いて加熱してセレン化することによりＣＩＳ薄膜を形成
することを特徴としている。
【００１２】第４発明は、第３発明において、加熱する
温度を４００〜６００℃とすることを特徴としている。
温度を４００〜６００℃とすることを特徴としている。
【００１３】第５発明は、第１、２、３又は４発明にお
いて、ＣＩＳ薄膜上に硫化カドミウム膜及び酸化亜鉛膜
を順次積層することを特徴としている。
いて、ＣＩＳ薄膜上に硫化カドミウム膜及び酸化亜鉛膜
を順次積層することを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明において用いられる基板
は、例えば、ソーダライムガラスであるが、本発明の目
的に反しないかぎり、従来太陽電池の製造において用い
られている樹脂、セラミック基板、金属等のいかなる基
板をも用いることができる。
は、例えば、ソーダライムガラスであるが、本発明の目
的に反しないかぎり、従来太陽電池の製造において用い
られている樹脂、セラミック基板、金属等のいかなる基
板をも用いることができる。
【００１５】本発明において、ペーストを生成するため
に用いられるバインダーとしては、プロピレングリコー
ル、エチレングリコール等があるが、本発明の目的に反
しない限り、これら以外のものを用いることができる。
に用いられるバインダーとしては、プロピレングリコー
ル、エチレングリコール等があるが、本発明の目的に反
しない限り、これら以外のものを用いることができる。
【００１６】本発明において、セレン化するための加熱
温度は、４００〜６００℃、好ましくは、４００〜５５
０℃で行われる。
温度は、４００〜６００℃、好ましくは、４００〜５５
０℃で行われる。
【００１７】本発明によって製造された化合物半導体を
太陽電池とするには、例えば、化合物半導体のＣＩＳ薄
膜上に溶液成長法又は真空蒸着法によりＮ型半導体とし
て硫化カドミウム膜を３０〜５００ｎｍの膜厚に形成
し、さらに、その上にスパッタ法により透明導電膜とし
て酸化亜鉛膜を０．５〜２．０μｍの膜厚に形成する。
しかし、本発明の目的に反しないかぎり、太陽電池の製
造において用いられている公知の硫化カドミウム膜及び
硫化カドミウム膜の形成手段をそれぞれ用いることがで
きる。
太陽電池とするには、例えば、化合物半導体のＣＩＳ薄
膜上に溶液成長法又は真空蒸着法によりＮ型半導体とし
て硫化カドミウム膜を３０〜５００ｎｍの膜厚に形成
し、さらに、その上にスパッタ法により透明導電膜とし
て酸化亜鉛膜を０．５〜２．０μｍの膜厚に形成する。
しかし、本発明の目的に反しないかぎり、太陽電池の製
造において用いられている公知の硫化カドミウム膜及び
硫化カドミウム膜の形成手段をそれぞれ用いることがで
きる。
【００１８】
（実施例１）市販されているＩｎ2Ｓｅ3の粉末（０．０
１ｍｏｌ）、Ｓｅ粉末（０．１ｍｏｌ）及びＣｕＣｌ粉
末（０．０１ｍｏｌ）をメノウ乳鉢に入れてさらに細か
く粉砕して微粉末にした。この微粉末にバインダーとし
てプロピレングリコール（６ｍｌ）を加え、これをスタ
ーラーで３０分間攪拌してペーストとした。このペース
トをシルクスクリーンにて作製した版を用いてガラス基
板に予め形成されたＭｏ膜上にプリントすることにより
成膜した。このプリントしたペーストを１００℃で１０
分間乾燥した後、大気圧又は減圧下の窒素ガス流中にお
いて４５０℃でセレン化することによりＣＩＳ薄膜を形
成した。その後、このＣＩＳ薄膜上にＣｄＳ膜及びＺｎ
Ｏ膜を順次形成し、そして、グリット電極を設けて太陽
電池とした。太陽電池のサンプル３組を作成して、開放
端電圧（Ｖｏｃ）、短絡光電流（Ｊｏｃ）、曲線因子
（ＦＦ）及び変換効率（η）をそれぞれ測定した。測定
に当たっては、セル面積を１．０ｃｍ2とし、１００
（ｍＷ／ｃｍ2）ソーラーシミュレータを使用して測定
した。測定結果は、次の表１に示される。
１ｍｏｌ）、Ｓｅ粉末（０．１ｍｏｌ）及びＣｕＣｌ粉
末（０．０１ｍｏｌ）をメノウ乳鉢に入れてさらに細か
く粉砕して微粉末にした。この微粉末にバインダーとし
てプロピレングリコール（６ｍｌ）を加え、これをスタ
ーラーで３０分間攪拌してペーストとした。このペース
トをシルクスクリーンにて作製した版を用いてガラス基
板に予め形成されたＭｏ膜上にプリントすることにより
成膜した。このプリントしたペーストを１００℃で１０
分間乾燥した後、大気圧又は減圧下の窒素ガス流中にお
いて４５０℃でセレン化することによりＣＩＳ薄膜を形
成した。その後、このＣＩＳ薄膜上にＣｄＳ膜及びＺｎ
Ｏ膜を順次形成し、そして、グリット電極を設けて太陽
電池とした。太陽電池のサンプル３組を作成して、開放
端電圧（Ｖｏｃ）、短絡光電流（Ｊｏｃ）、曲線因子
（ＦＦ）及び変換効率（η）をそれぞれ測定した。測定
に当たっては、セル面積を１．０ｃｍ2とし、１００
（ｍＷ／ｃｍ2）ソーラーシミュレータを使用して測定
した。測定結果は、次の表１に示される。
【００１９】
【表１】
【００２０】（実施例２）市販されているＩｎ2Ｓｅ3の
粉末（０．０１ｍｏｌ）及びＳｅ粉末（０．１ｍｏｌ）
をメノウ乳鉢に入れてさらに細かく粉砕して微粉末にし
た。この微粉末にバインダーとしてプロピレングリコー
ル５ｍｌを加え、これをスターラーで３０分間攪拌して
ペーストとした。このペーストをシルクスクリーンにて
作製した版を用いてガラス基板に予め形成された銅膜／
モリブデン膜の上にプリントすることにより成膜した。
このプリントしたペーストを１００℃で１０分間乾燥し
た後、真空中において５００℃でセレン化することによ
りＣＩＳ薄膜を形成した。その後、このＣＩＳ薄膜上に
ＣｄＳ膜及びＺｎＯ膜を順次形成し、そして、グリット
電極を設けて太陽電池とした。太陽電池のサンプル３組
を作成して、開放端電圧（Ｖｏｃ）、短絡光電流（Ｊｏ
ｃ）、曲線因子（ＦＦ）及び変換効率（η）をそれぞれ
測定した。測定に当たっては、セル面積を１．０ｃｍ2
とし、１００（ｍＷ／ｃｍ2 ）ソーラーシミュレータを
使用した。測定結果は、次の表２に示される。
粉末（０．０１ｍｏｌ）及びＳｅ粉末（０．１ｍｏｌ）
をメノウ乳鉢に入れてさらに細かく粉砕して微粉末にし
た。この微粉末にバインダーとしてプロピレングリコー
ル５ｍｌを加え、これをスターラーで３０分間攪拌して
ペーストとした。このペーストをシルクスクリーンにて
作製した版を用いてガラス基板に予め形成された銅膜／
モリブデン膜の上にプリントすることにより成膜した。
このプリントしたペーストを１００℃で１０分間乾燥し
た後、真空中において５００℃でセレン化することによ
りＣＩＳ薄膜を形成した。その後、このＣＩＳ薄膜上に
ＣｄＳ膜及びＺｎＯ膜を順次形成し、そして、グリット
電極を設けて太陽電池とした。太陽電池のサンプル３組
を作成して、開放端電圧（Ｖｏｃ）、短絡光電流（Ｊｏ
ｃ）、曲線因子（ＦＦ）及び変換効率（η）をそれぞれ
測定した。測定に当たっては、セル面積を１．０ｃｍ2
とし、１００（ｍＷ／ｃｍ2 ）ソーラーシミュレータを
使用した。測定結果は、次の表２に示される。
【００２１】
【表２】
【００２２】（実施例３）市販されているＳｅＯ2粉末
（０．１ｍｏｌ）及びＩｎ2（ＳＯ4）3粉末（０．０１
ｍｏｌ）をそれぞれ別々のメノウ乳鉢に入れてさらに細
かく粉砕して微粉末にした。そして、ＳｅＯ2 微粉末に
ヒドラジン（０．０１ｍｏｌ）、エタノール（２０ｍ
ｌ）及びゼラチン（０．５ｇ）を加えて均一な混合液
（Ａ）とし、Ｉｎ 2（ＳＯ4）3 微粉末（０．０１ｇ）に
純水（１０ｍｌ）を加えて均一な混合液（Ｂ）とした。
次に、混合液Ａ及びＢを均一に混ぜ合わせた液にプロピ
レングリコール（５ｍｌ）を加え、これをスターラーで
３０分間攪拌してペーストとした。このペーストをシル
クスクリーンにて作製した版を用いてガラス基板に予め
形成された銅膜／モリブデン膜の上にプリントすること
により成膜した。このプリントしたペーストを１００℃
で１０分間乾燥した後、減圧下の窒素ガス流において４
００℃でセレン化することによりＣＩＳ薄膜を形成し
た。その後、このＣＩＳ薄膜上にＣｄＳ膜及びＺｎＯ膜
を順次形成し、そして、グリット電極を設けて太陽電池
とした。太陽電池のサンプル３組を作成して、開放端電
圧（Ｖｏｃ）、短絡光電流（Ｊｏｃ）、曲線因子（Ｆ
Ｆ）及び変換効率（η）をそれぞれ測定した。測定に当
たっては、セル面積を１．０ｃｍ2とし、１００（ｍＷ
／ｃｍ2）ソーラーシミュレータを使用した。測定結果
は、次の表３に示される。
（０．１ｍｏｌ）及びＩｎ2（ＳＯ4）3粉末（０．０１
ｍｏｌ）をそれぞれ別々のメノウ乳鉢に入れてさらに細
かく粉砕して微粉末にした。そして、ＳｅＯ2 微粉末に
ヒドラジン（０．０１ｍｏｌ）、エタノール（２０ｍ
ｌ）及びゼラチン（０．５ｇ）を加えて均一な混合液
（Ａ）とし、Ｉｎ 2（ＳＯ4）3 微粉末（０．０１ｇ）に
純水（１０ｍｌ）を加えて均一な混合液（Ｂ）とした。
次に、混合液Ａ及びＢを均一に混ぜ合わせた液にプロピ
レングリコール（５ｍｌ）を加え、これをスターラーで
３０分間攪拌してペーストとした。このペーストをシル
クスクリーンにて作製した版を用いてガラス基板に予め
形成された銅膜／モリブデン膜の上にプリントすること
により成膜した。このプリントしたペーストを１００℃
で１０分間乾燥した後、減圧下の窒素ガス流において４
００℃でセレン化することによりＣＩＳ薄膜を形成し
た。その後、このＣＩＳ薄膜上にＣｄＳ膜及びＺｎＯ膜
を順次形成し、そして、グリット電極を設けて太陽電池
とした。太陽電池のサンプル３組を作成して、開放端電
圧（Ｖｏｃ）、短絡光電流（Ｊｏｃ）、曲線因子（Ｆ
Ｆ）及び変換効率（η）をそれぞれ測定した。測定に当
たっては、セル面積を１．０ｃｍ2とし、１００（ｍＷ
／ｃｍ2）ソーラーシミュレータを使用した。測定結果
は、次の表３に示される。
【００２３】
【表３】
【００２４】（実施例４）市販されているＳｅＯ
2（０．１ｍｏｌ）、Ｉｎ2（ＳＯ4）3（０．０１ｍｌ）
及びＣｕＳＯ4 粉末（０．０２ｍｏｌ）を入れてさらに
細かく粉砕して微粉末にした。この微粉末にエタノール
（５０ｍｌ）を加えて加熱することにより十分に溶けた
混合液とし、この混合液にバインダーとしてプロピレン
グリコール（６ｍｌ）を加え、これをスターラーで３０
分間攪拌してペーストとした。このペーストをシルクス
クリーンにて作製した版を用いてガラス基板に予め形成
されたモリブデン膜の上にプリントすることにより成膜
した。このプリントしたペーストを１００℃で１０分間
乾燥した後、減圧下の窒素ガス流中において４００℃で
セレン化することによりＣＩＳ薄膜を形成した。その
後、このＣＩＳ薄膜上にＣｄＳ膜及びＺｎＯ膜を順次形
成し、そして、グリット電極を設けて太陽電池とした。
太陽電池のサンプル３組を作成して、開放端電圧（Ｖｏ
ｃ）、短絡光電流（Ｊｏｃ）、曲線因子（ＦＦ）及び変
換効率（η）をそれぞれ測定した。測定に当たっては、
セル面積を１．０ｃｍ2 とし、１００（ｍＷ／ｃｍ2 ）
ソーラーシミュレータを使用した。測定結果は、次の表
４に示される。
2（０．１ｍｏｌ）、Ｉｎ2（ＳＯ4）3（０．０１ｍｌ）
及びＣｕＳＯ4 粉末（０．０２ｍｏｌ）を入れてさらに
細かく粉砕して微粉末にした。この微粉末にエタノール
（５０ｍｌ）を加えて加熱することにより十分に溶けた
混合液とし、この混合液にバインダーとしてプロピレン
グリコール（６ｍｌ）を加え、これをスターラーで３０
分間攪拌してペーストとした。このペーストをシルクス
クリーンにて作製した版を用いてガラス基板に予め形成
されたモリブデン膜の上にプリントすることにより成膜
した。このプリントしたペーストを１００℃で１０分間
乾燥した後、減圧下の窒素ガス流中において４００℃で
セレン化することによりＣＩＳ薄膜を形成した。その
後、このＣＩＳ薄膜上にＣｄＳ膜及びＺｎＯ膜を順次形
成し、そして、グリット電極を設けて太陽電池とした。
太陽電池のサンプル３組を作成して、開放端電圧（Ｖｏ
ｃ）、短絡光電流（Ｊｏｃ）、曲線因子（ＦＦ）及び変
換効率（η）をそれぞれ測定した。測定に当たっては、
セル面積を１．０ｃｍ2 とし、１００（ｍＷ／ｃｍ2 ）
ソーラーシミュレータを使用した。測定結果は、次の表
４に示される。
【００２５】
【表４】
【００２６】以上説明したように、本発明の構成によれ
ば、印刷技術として斯界でよく知られているスクリーン
を用いてペーストをプリントすることにより成膜するこ
とによって、化合物半導体の大面積化を可能とするこ
と、成膜時間を短縮できること、連続的に成膜できるこ
と、成膜材料を無駄なく利用できること、メンテナンス
を簡単に行えること、等の利点がある。
ば、印刷技術として斯界でよく知られているスクリーン
を用いてペーストをプリントすることにより成膜するこ
とによって、化合物半導体の大面積化を可能とするこ
と、成膜時間を短縮できること、連続的に成膜できるこ
と、成膜材料を無駄なく利用できること、メンテナンス
を簡単に行えること、等の利点がある。
【００２７】
【発明の効果】簡単な手段で且つ低コストで大面積の化
合物半導体を提供することができる。
合物半導体を提供することができる。
【図１】従来の三源同時蒸着法により真空蒸着するため
の真空蒸着装置の断面図である。
の真空蒸着装置の断面図である。
【図２】従来の二段階セレン化法によりＣＩＳ薄膜を形
成する工程図である。
成する工程図である。
【図３】Ｃｕ膜、Ｉｎ膜及びＳｅ膜の三層よりなる積層
体からＣＩＳ薄膜を形成する工程を説明する説明図であ
る。
体からＣＩＳ薄膜を形成する工程を説明する説明図であ
る。
１ 基板 ２ Ｍｏ膜 ３ ＣＩＳ薄膜 １０ 真空容器 １１ Ｃｕ蒸発源 １２ Ｉｎ蒸発源 １３ Ｓｅ蒸発源 １８ Ｃｕ膜 １９ Ｉｎ膜 ２０ Ｓｅ膜
フロントページの続き (72)発明者 豊田 和弘 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 神谷 武志 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 中川 伸一 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 中村 真砂美 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内 (72)発明者 鈴木 和枝 静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社 内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成されたモリブデン膜上に、
セレン化インジウム粉末、セレン粉末、塩化銅粉末及び
バインダーよりなるペーストをスクリーンを用いてプリ
ントすることにより成膜することを特徴とする化合物半
導体の製造方法。 - 【請求項２】 基板上に順次形成されたモリブデン膜及
び銅膜の上に、セレン化インジウム粉末、セレン粉末及
びバインダーよりなるペーストをスクリーンを用いてプ
リントすることにより成膜することを特徴とする化合物
半導体の製造方法。 - 【請求項３】 成膜されたペーストを乾燥後真空中又は
不活性気体雰囲気中或いは不活性気体中に還元ガスを混
合した気体中において加熱してセレン化することにより
ＣＩＳ薄膜を形成することを特徴とする請求項１又は２
記載の化合物半導体の製造方法。 - 【請求項４】 加熱する温度を４００〜６００℃とする
ことを特徴とする請求項３記載の化合物半導体の製造方
法。 - 【請求項５】 ＣＩＳ薄膜上に硫化カドミウム膜及び酸
化亜鉛膜を順次積層することを特徴とする請求項１、
２、３又は４記載の化合物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146388A JPH10229208A (ja) | 1996-12-10 | 1997-06-04 | 化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32991496 | 1996-12-10 | ||
| JP8-329914 | 1996-12-10 | ||
| JP9146388A JPH10229208A (ja) | 1996-12-10 | 1997-06-04 | 化合物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229208A true JPH10229208A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=26477254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9146388A Withdrawn JPH10229208A (ja) | 1996-12-10 | 1997-06-04 | 化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10229208A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2014096569A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Korea Institute Of Science And Technology | 銅・インジウム・ガリウム・セレニウム（ｃｉｇｓ）または銅・亜鉛・錫・硫黄（ｃｚｔｓ）系薄膜型太陽電池及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP9146388A patent/JPH10229208A/ja not_active Withdrawn
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