JPH10229253A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】モジュールの高い長期信頼性を得る半導体レー
ザモジュールの提供。 【解決手段】モジュールパッケージと、該パッケージの
内部底面に固定した電子冷却素子などの温度調整素子
と、温度調整素子の上面に固定された基板と、基板上面
に固定された素子基板と、素子基板の上面に固定された
レーザ光を射出する半導体レーザと、パッケージのレー
ザ光の照射される側壁部位にその一端部を固定した光フ
ァイバと、基板の上面に固定された半導体レーザと光フ
ァイバを光学的に結合するレンズと、を備え、基板の下
面は温度調整素子の上面基板の４つの側面と接するよう
に嵌めあい、温度調整素子の上面基板の上面に固定さ
れ、パッケージ内部底面は温度調整素子の下面基板と嵌
めあう凹形状であり温度調整素子の下面基板の４つの側
面と接するように嵌めあい温度調整素子の下面を固定す
る。
ザモジュールの提供。 【解決手段】モジュールパッケージと、該パッケージの
内部底面に固定した電子冷却素子などの温度調整素子
と、温度調整素子の上面に固定された基板と、基板上面
に固定された素子基板と、素子基板の上面に固定された
レーザ光を射出する半導体レーザと、パッケージのレー
ザ光の照射される側壁部位にその一端部を固定した光フ
ァイバと、基板の上面に固定された半導体レーザと光フ
ァイバを光学的に結合するレンズと、を備え、基板の下
面は温度調整素子の上面基板の４つの側面と接するよう
に嵌めあい、温度調整素子の上面基板の上面に固定さ
れ、パッケージ内部底面は温度調整素子の下面基板と嵌
めあう凹形状であり温度調整素子の下面基板の４つの側
面と接するように嵌めあい温度調整素子の下面を固定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信や光情報処
理等に用いて好適とされる半導体レーザモジュールに関
し、特に電子冷却素子によって温度が調整された半導体
レーザから射出する光ビームを光ファイバに光結合させ
る半導体レーザモジュールに関する。
理等に用いて好適とされる半導体レーザモジュールに関
し、特に電子冷却素子によって温度が調整された半導体
レーザから射出する光ビームを光ファイバに光結合させ
る半導体レーザモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザモジュールは、光ファイバ
伝送装置等に使用される信号光源として広く使用されて
いる。この光ファイバ伝送装置では、高信頼性が要請さ
れている。このため、装置に搭載する半導体レーザモジ
ュールも長期間に亘る高信頼性が求められている。
伝送装置等に使用される信号光源として広く使用されて
いる。この光ファイバ伝送装置では、高信頼性が要請さ
れている。このため、装置に搭載する半導体レーザモジ
ュールも長期間に亘る高信頼性が求められている。
【０００３】図２は、特開平５−１５０１４６号公報に
記載されている従来の半導体レーザモジュールの構造を
示したものである。図２（ａ）は側面図、図２（ｂ）は
正面図を示している。
記載されている従来の半導体レーザモジュールの構造を
示したものである。図２（ａ）は側面図、図２（ｂ）は
正面図を示している。
【０００４】図２を参照して、半導体レーザモジュール
１０のモジュールパッケージ１１の側壁部位１１Ｆに
は、光信号を伝達するための光ファイバ１２の一端部が
ＹＡＧレーザ溶接固定されている。モジュールパッケー
ジ１１の内部底面１１Ｂには、溝部１１Ｍが光軸方向と
平行に形成され、その溝部１１Ｍに電子冷却素子１３が
半田固定されている。電子冷却素子１３は、上部絶縁板
１３Ｕと下部絶縁板１３Ｄに、金属導体パターンを薄膜
または厚膜で形成し、複数個の電子冷却素子単体１３Ｍ
を挟み込んで半田により直列に配線固定されている。基
板１４には、光軸と平行な両側部に夫々肉厚部１４ａ、
１４ｂが形成され、電子冷却素子１３の上部絶縁板１３
Ｕの上面に半田固定されている。基板１４の上面には、
その上面に半導体レーザ１５を半田固定した素子基板１
４Ｓが半田固定され、半導体レーザ１５から射出された
光ビームを光ファイバ１２に光学的に結合させるための
レンズ１６がＹＡＧレーザ溶接固定されている。
１０のモジュールパッケージ１１の側壁部位１１Ｆに
は、光信号を伝達するための光ファイバ１２の一端部が
ＹＡＧレーザ溶接固定されている。モジュールパッケー
ジ１１の内部底面１１Ｂには、溝部１１Ｍが光軸方向と
平行に形成され、その溝部１１Ｍに電子冷却素子１３が
半田固定されている。電子冷却素子１３は、上部絶縁板
１３Ｕと下部絶縁板１３Ｄに、金属導体パターンを薄膜
または厚膜で形成し、複数個の電子冷却素子単体１３Ｍ
を挟み込んで半田により直列に配線固定されている。基
板１４には、光軸と平行な両側部に夫々肉厚部１４ａ、
１４ｂが形成され、電子冷却素子１３の上部絶縁板１３
Ｕの上面に半田固定されている。基板１４の上面には、
その上面に半導体レーザ１５を半田固定した素子基板１
４Ｓが半田固定され、半導体レーザ１５から射出された
光ビームを光ファイバ１２に光学的に結合させるための
レンズ１６がＹＡＧレーザ溶接固定されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図２に示し
たような従来の半導体レーザモジュールの構造における
問題点は、半導体レーザモジュール１０の光学系の光軸
ずれ等の長期信頼性が低い、ということである。その理
由を以下に説明する。
たような従来の半導体レーザモジュールの構造における
問題点は、半導体レーザモジュール１０の光学系の光軸
ずれ等の長期信頼性が低い、ということである。その理
由を以下に説明する。
【０００６】図２を参照して、従来の半導体レーザモジ
ュール１０において、モジュールパッケージ１１の側壁
部位１１Ｆには、光ファイバ１２の一端部がＹＡＧ溶接
固定されている。モジュールパッケージ１１の内部底面
１１Ｂには、電子冷却素子１３が半田固定されており、
電子冷却素子１３の上面に基板１４が半田固定されてい
る。基板１４の上面に半導体レーザ１５が半田固定さ
れ、レンズ１６がＹＡＧ溶接固定されている。
ュール１０において、モジュールパッケージ１１の側壁
部位１１Ｆには、光ファイバ１２の一端部がＹＡＧ溶接
固定されている。モジュールパッケージ１１の内部底面
１１Ｂには、電子冷却素子１３が半田固定されており、
電子冷却素子１３の上面に基板１４が半田固定されてい
る。基板１４の上面に半導体レーザ１５が半田固定さ
れ、レンズ１６がＹＡＧ溶接固定されている。
【０００７】レンズ１６の光軸は、半導体レーザ１５か
ら出射された光ビームと一致するように設定されてい
る。光ファイバ１２の固定位置は、その光軸が半導体レ
ーザ１５の射出部の高さと一致するように設定されてい
る。
ら出射された光ビームと一致するように設定されてい
る。光ファイバ１２の固定位置は、その光軸が半導体レ
ーザ１５の射出部の高さと一致するように設定されてい
る。
【０００８】この構造では、長期信頼性を考えた場合、
基板１４と電子冷却素子１３との半田付け部分、および
電子冷却素子１３とモジュールパッケージ１１との半田
付け部分で、半田のクリープが発生する。半田のクリー
プが発生した場合、基板１４または電子冷却素子１３が
位置ずれを起こし、基板１４の上面に固定されている半
導体レーザ１５およびレンズ１６の光軸が、光ファイバ
１２の光軸と一致しなくなり、光軸ずれが起きる。
基板１４と電子冷却素子１３との半田付け部分、および
電子冷却素子１３とモジュールパッケージ１１との半田
付け部分で、半田のクリープが発生する。半田のクリー
プが発生した場合、基板１４または電子冷却素子１３が
位置ずれを起こし、基板１４の上面に固定されている半
導体レーザ１５およびレンズ１６の光軸が、光ファイバ
１２の光軸と一致しなくなり、光軸ずれが起きる。
【０００９】ただし、基板１４の両側部において光軸方
向と平行に設けた厚肉部１４ａ、１４ｂにより、電子冷
却素子１３の上面基板１３Ｕの上面と基板１４の下面と
の半田付け部分の半田のクリープによる光軸ずれを、光
軸方向に直交する方向だけは防げる可能性はある。
向と平行に設けた厚肉部１４ａ、１４ｂにより、電子冷
却素子１３の上面基板１３Ｕの上面と基板１４の下面と
の半田付け部分の半田のクリープによる光軸ずれを、光
軸方向に直交する方向だけは防げる可能性はある。
【００１０】同様に、モジュールパッケージ１１の内部
底面１１Ｂに光軸方向と平行に設けた溝部１１Ｍによ
り、モジュールパッケージ１１の内部底面１１Ｂと電子
冷却素子の下面基板１３Ｄの下面との半田付け部分の半
田のクリープによる光軸ずれを光軸方向に直交する方向
だけは防げる可能性はある。
底面１１Ｂに光軸方向と平行に設けた溝部１１Ｍによ
り、モジュールパッケージ１１の内部底面１１Ｂと電子
冷却素子の下面基板１３Ｄの下面との半田付け部分の半
田のクリープによる光軸ずれを光軸方向に直交する方向
だけは防げる可能性はある。
【００１１】しかし、上記いずれの半田付け部分も、光
軸方向の光軸ずれを防ぐことはできない。
軸方向の光軸ずれを防ぐことはできない。
【００１２】また、光軸方向が重力に対して垂直となる
ように、モジュールパッケージ１１を配置する場合もあ
り、この場合は、基板１４および電子冷却素子１３の重
量が半田に直接かかり、モジュールパッケージ１１を平
行に置く場合よりも、半田のクリープを引き起こしやす
い。
ように、モジュールパッケージ１１を配置する場合もあ
り、この場合は、基板１４および電子冷却素子１３の重
量が半田に直接かかり、モジュールパッケージ１１を平
行に置く場合よりも、半田のクリープを引き起こしやす
い。
【００１３】以上のように、このような従来の構造で
は、高い長期信頼性を得ることはできない。
は、高い長期信頼性を得ることはできない。
【００１４】したがって、本発明は、上記問題点に鑑み
てなされたものであって、その目的は、光学系の搭載さ
れた基板と電子冷却素子との固着部分および電子冷却素
子とモジュールパッケージとの固着部分の半田クリープ
による光軸ずれ劣化を光軸方向と平行および直交する方
向とも防ぎ、高い長期信頼性を得ることができる半導体
レーザモジュールを提供することにある。
てなされたものであって、その目的は、光学系の搭載さ
れた基板と電子冷却素子との固着部分および電子冷却素
子とモジュールパッケージとの固着部分の半田クリープ
による光軸ずれ劣化を光軸方向と平行および直交する方
向とも防ぎ、高い長期信頼性を得ることができる半導体
レーザモジュールを提供することにある。
【００１５】また、本発明は、モジュールパッケージを
光軸に平行に置く以外に、垂直に置いても、基板および
電子冷却素子の重量が半田に直接かかることなく、高い
長期信頼性を得ることができる半導体レーザモジュール
を提供することもその目的としている。
光軸に平行に置く以外に、垂直に置いても、基板および
電子冷却素子の重量が半田に直接かかることなく、高い
長期信頼性を得ることができる半導体レーザモジュール
を提供することもその目的としている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の半導体レーザモジュールは、モジュールパ
ッケージと、前記モジュールパッケージの内部底面に下
面基板を固定した温度調整素子と、前記温度調整素子の
上面基板に固定される基板と、前記基板の上面に固定さ
れる素子基板と、前記素子基板の上面に固定されレーザ
光を射出する半導体レーザと、前記モジュールパッケー
ジのレーザ光の照射される側壁部位にその一端部を固定
した光ファイバと、前記半導体レーザと前記光ファイバ
を光学的に結合するレンズと、を具備した半導体レーザ
モジュールにおいて、前記モジュールパッケージの内部
底面及び前記基板の下面が、それぞれ、前記温度調整素
子の下面基板及び上面基板を互いに所定の位置で係止固
定する構造を備え、光軸に平行及び直交方向のずれを回
避するようにした、ことを特徴とする。
め、本発明の半導体レーザモジュールは、モジュールパ
ッケージと、前記モジュールパッケージの内部底面に下
面基板を固定した温度調整素子と、前記温度調整素子の
上面基板に固定される基板と、前記基板の上面に固定さ
れる素子基板と、前記素子基板の上面に固定されレーザ
光を射出する半導体レーザと、前記モジュールパッケー
ジのレーザ光の照射される側壁部位にその一端部を固定
した光ファイバと、前記半導体レーザと前記光ファイバ
を光学的に結合するレンズと、を具備した半導体レーザ
モジュールにおいて、前記モジュールパッケージの内部
底面及び前記基板の下面が、それぞれ、前記温度調整素
子の下面基板及び上面基板を互いに所定の位置で係止固
定する構造を備え、光軸に平行及び直交方向のずれを回
避するようにした、ことを特徴とする。
【００１７】また、本発明は、好ましくは、前記モジュ
ールパッケージの内部底面と前記温度調整素子の下面基
板とが互いに嵌合する構造を備えると共に、前記基板の
下面と前記温度調整素子の上面基板とが互いに嵌合する
構造を備えたことを特徴とする。
ールパッケージの内部底面と前記温度調整素子の下面基
板とが互いに嵌合する構造を備えると共に、前記基板の
下面と前記温度調整素子の上面基板とが互いに嵌合する
構造を備えたことを特徴とする。
【００１８】また、本発明は、前記モジュールパッケー
ジの内部底面と前記温度調整素子の下面基板の一方に、
これらが互いに嵌合するための凹部を備え、前記基板の
下面と前記温度調整素子の上面基板の一方に、これらが
互いに嵌合する凹部を備えたことを特徴とする。
ジの内部底面と前記温度調整素子の下面基板の一方に、
これらが互いに嵌合するための凹部を備え、前記基板の
下面と前記温度調整素子の上面基板の一方に、これらが
互いに嵌合する凹部を備えたことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について以下
に説明する。本発明の半導体レーザモジュールは、その
好ましい実施の形態において、モジュールパッケージ
（図１の２１）と、モジュールパッケージの内部底面
（図１の２１Ｂ）の凹形状部分（図１の２１Ｍ）の側面
に接するように嵌め合い、半田固定した温度調整用の温
度調整用の温度調整素子（図１の２３）と、温度調整素
子の上面基板（図１の２３Ｕ）の側面に接するように嵌
め合い、温度調整素子の上面基板の上面に半田固定した
凹形状部分（図１の２４Ｍ）を下面に有する基板（図１
の２４）と、基板に半田固定された素子基板（図１の２
４Ｓ）と、素子基板に半田固定したレーザ光を射出する
半導体レーザ（図１の２５）と、モジュールパッケージ
のレーザ光の照射される側壁部位（図１の２１Ｆ）にそ
の一端部を固定した光ファイバ（図１の２２）と、基板
の上面にＹＡＧレーザ溶接固定され半導体レーザと光フ
ァイバを光学的に結合するレンズ（図１の２６）とを半
導体レーザモジュールに具備したものである。
に説明する。本発明の半導体レーザモジュールは、その
好ましい実施の形態において、モジュールパッケージ
（図１の２１）と、モジュールパッケージの内部底面
（図１の２１Ｂ）の凹形状部分（図１の２１Ｍ）の側面
に接するように嵌め合い、半田固定した温度調整用の温
度調整用の温度調整素子（図１の２３）と、温度調整素
子の上面基板（図１の２３Ｕ）の側面に接するように嵌
め合い、温度調整素子の上面基板の上面に半田固定した
凹形状部分（図１の２４Ｍ）を下面に有する基板（図１
の２４）と、基板に半田固定された素子基板（図１の２
４Ｓ）と、素子基板に半田固定したレーザ光を射出する
半導体レーザ（図１の２５）と、モジュールパッケージ
のレーザ光の照射される側壁部位（図１の２１Ｆ）にそ
の一端部を固定した光ファイバ（図１の２２）と、基板
の上面にＹＡＧレーザ溶接固定され半導体レーザと光フ
ァイバを光学的に結合するレンズ（図１の２６）とを半
導体レーザモジュールに具備したものである。
【００２０】上記したように、本発明の好ましい実施の
形態においては、基板の下面の形状が平面ではなく、電
子冷却素子などの温度調整素子の上面基板の形状と嵌め
合いにより一致する凹形状としたことにより、基板は基
板の下面と温度調整素子の上面基板の４つの側面に接す
るように嵌め合い、温度調整素子の上面基板の上面に半
田固定できる。また、モジュールパッケージの内部底面
の形状も、温度調整素子の下面基板の形状と嵌め合いに
より一致する凹形状となっているので、温度調整素子は
モジュールパッケージの内部底面と温度調整素子の下面
基板の４つの側面に接するように嵌め合い、モジュール
パッケージの内部底面に半田固定できる。このため、基
板下面と温度調整素子の上面との固着部分および温度調
整素子の下面とモジュールパッケージの内部底面との固
着部分の半田のクリープによる光軸ずれを光軸方向に平
行および直交する方向とも防ぐことができ、半導体レー
ザモジュールの高い長期信頼性を得ることができる。
形態においては、基板の下面の形状が平面ではなく、電
子冷却素子などの温度調整素子の上面基板の形状と嵌め
合いにより一致する凹形状としたことにより、基板は基
板の下面と温度調整素子の上面基板の４つの側面に接す
るように嵌め合い、温度調整素子の上面基板の上面に半
田固定できる。また、モジュールパッケージの内部底面
の形状も、温度調整素子の下面基板の形状と嵌め合いに
より一致する凹形状となっているので、温度調整素子は
モジュールパッケージの内部底面と温度調整素子の下面
基板の４つの側面に接するように嵌め合い、モジュール
パッケージの内部底面に半田固定できる。このため、基
板下面と温度調整素子の上面との固着部分および温度調
整素子の下面とモジュールパッケージの内部底面との固
着部分の半田のクリープによる光軸ずれを光軸方向に平
行および直交する方向とも防ぐことができ、半導体レー
ザモジュールの高い長期信頼性を得ることができる。
【００２１】また、本発明の実施の形態においては、モ
ジュールパッケージの内部底面と温度調整素子の下面基
板の一方に、これらが互いに嵌合するための凹部を備
え、基板の下面と温度調整素子の上面基板の一方に、こ
れらが互いに嵌合する凹部を備えるような構成としても
よい。
ジュールパッケージの内部底面と温度調整素子の下面基
板の一方に、これらが互いに嵌合するための凹部を備
え、基板の下面と温度調整素子の上面基板の一方に、こ
れらが互いに嵌合する凹部を備えるような構成としても
よい。
【００２２】
【実施例】上記した本発明の実施の形態について更に詳
細に説明すべく本発明の実施例について図面を参照して
詳細に説明する。
細に説明すべく本発明の実施例について図面を参照して
詳細に説明する。
【００２３】図１は、本発明の一実施例に係る半導体レ
ーザモジュールの構造を示したものであり、図１（ａ）
は側面図、図１（ｂ）は正面図を示している。
ーザモジュールの構造を示したものであり、図１（ａ）
は側面図、図１（ｂ）は正面図を示している。
【００２４】図１を参照すると、本実施例の半導体レー
ザモジュール２０において、モジュールパッケージ２１
の側壁部位２１Ｆには、光信号を伝達するための光ファ
イバ２２の一端部がＹＡＧレーザ溶接固定されている。
モジュールパッケージ２１の内部底面２１Ｂの凹形状部
分２１Ｍには、ペルチェ素子等からなる電子冷却素子２
３の下面基板２３Ｄの４つの側面が接するように嵌合
し、半田固定されている。また電子冷却素子２３の上面
基板２３Ｕの上面には、基板２４の下面の凹形状部分２
４Ｍが電子冷却素子２３の上面基板２３Ｕの４つの側面
と接するように嵌合し、半田固定されている。基板２４
の上面には、素子基板２４Ｓが半田固定されている。素
子基板２４Ｓの上面には、半導体レーザ２５が半田固定
されている。
ザモジュール２０において、モジュールパッケージ２１
の側壁部位２１Ｆには、光信号を伝達するための光ファ
イバ２２の一端部がＹＡＧレーザ溶接固定されている。
モジュールパッケージ２１の内部底面２１Ｂの凹形状部
分２１Ｍには、ペルチェ素子等からなる電子冷却素子２
３の下面基板２３Ｄの４つの側面が接するように嵌合
し、半田固定されている。また電子冷却素子２３の上面
基板２３Ｕの上面には、基板２４の下面の凹形状部分２
４Ｍが電子冷却素子２３の上面基板２３Ｕの４つの側面
と接するように嵌合し、半田固定されている。基板２４
の上面には、素子基板２４Ｓが半田固定されている。素
子基板２４Ｓの上面には、半導体レーザ２５が半田固定
されている。
【００２５】半導体レーザ２５から射出された光ビーム
を光ファイバ２２に光学的に結合させるためのレンズ２
６は、基板２４の上面にＹＡＧレーザ溶接固定されてい
る。レンズ２６の光軸は、半導体レーザ２５から出射さ
れた光ビームと一致するように設定されている。光ファ
イバ２２の固定位置は、その光軸が半導体レーザ２５の
射出部の高さと一致するように設定されている。
を光ファイバ２２に光学的に結合させるためのレンズ２
６は、基板２４の上面にＹＡＧレーザ溶接固定されてい
る。レンズ２６の光軸は、半導体レーザ２５から出射さ
れた光ビームと一致するように設定されている。光ファ
イバ２２の固定位置は、その光軸が半導体レーザ２５の
射出部の高さと一致するように設定されている。
【００２６】このような構成の半導体レーザモジュール
２０では、半導体レーザ２５と光ファイバ２２がレンズ
２６によって光学的に結合している。また、半導体レー
ザ２５は素子基板２４Ｓおよび基板２４を介して電子冷
却素子２３によって放熱され、所望の温度に保たれるよ
うになっている。
２０では、半導体レーザ２５と光ファイバ２２がレンズ
２６によって光学的に結合している。また、半導体レー
ザ２５は素子基板２４Ｓおよび基板２４を介して電子冷
却素子２３によって放熱され、所望の温度に保たれるよ
うになっている。
【００２７】本実施例の半導体レーザモジュール２０で
は、基板２４の下面に凹形状部分２４Ｍを設けているた
め、基板２４は、電子冷却素子２３の上面基板２３Ｕの
４つの側面に接するように嵌め合い、電子冷却素子２３
の上面基板２３Ｕの上面に半田固定できる。
は、基板２４の下面に凹形状部分２４Ｍを設けているた
め、基板２４は、電子冷却素子２３の上面基板２３Ｕの
４つの側面に接するように嵌め合い、電子冷却素子２３
の上面基板２３Ｕの上面に半田固定できる。
【００２８】また、モジュールパッケージ２１の内部底
面２１Ｂに凹形状部分２１Ｍを設けているため、モジュ
ールパッケージ２１の内部底面２１Ｂの凹形状部分２１
Ｍには、電子冷却素子２３の下面基板２３Ｄの４つの側
面に接するように嵌め合い、電子冷却素子２３の下面基
板２３Ｄの下面を半田固定できる。
面２１Ｂに凹形状部分２１Ｍを設けているため、モジュ
ールパッケージ２１の内部底面２１Ｂの凹形状部分２１
Ｍには、電子冷却素子２３の下面基板２３Ｄの４つの側
面に接するように嵌め合い、電子冷却素子２３の下面基
板２３Ｄの下面を半田固定できる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の下面は平面ではなく、温度調整素子の上面基板と
嵌め合う凹形状とし、基板の下面の凹形状部分は、温度
調整素子の上面基板の４つの側面と接するように嵌め合
い、温度調整素子の上面基板の上面に半田固定され、ま
た、モジュールパッケージの内部底面も平面ではなく、
温度調整素子の下面基板と嵌め合う凹形状とし、モジュ
ールパッケージの凹形状部分には、温度調整素子の下面
基板の４つの側面と接するように嵌め合い、温度調整素
子の下面基板の下面が半田固定されている、構成とした
ことにより、基板の下面と電子冷却素子の上面との固着
部分および電子冷却素子の下面とモジュールパッケージ
の内部底面との固着部分の半田のクリープによる光軸ず
れを光軸方向に平行および直交する方向とも防ぐことが
でき、半導体レーザモジュールの高い長期信頼性を得る
ことができる、という効果を奏する。このため、本発明
は、半導体レーザモジュールを搭載した伝送装置の高い
長期信頼性の確保に寄与することができる。
基板の下面は平面ではなく、温度調整素子の上面基板と
嵌め合う凹形状とし、基板の下面の凹形状部分は、温度
調整素子の上面基板の４つの側面と接するように嵌め合
い、温度調整素子の上面基板の上面に半田固定され、ま
た、モジュールパッケージの内部底面も平面ではなく、
温度調整素子の下面基板と嵌め合う凹形状とし、モジュ
ールパッケージの凹形状部分には、温度調整素子の下面
基板の４つの側面と接するように嵌め合い、温度調整素
子の下面基板の下面が半田固定されている、構成とした
ことにより、基板の下面と電子冷却素子の上面との固着
部分および電子冷却素子の下面とモジュールパッケージ
の内部底面との固着部分の半田のクリープによる光軸ず
れを光軸方向に平行および直交する方向とも防ぐことが
でき、半導体レーザモジュールの高い長期信頼性を得る
ことができる、という効果を奏する。このため、本発明
は、半導体レーザモジュールを搭載した伝送装置の高い
長期信頼性の確保に寄与することができる。
【００３０】また、本発明によれば、半導体レーザモジ
ュールの伝送装置等への搭載方向が光軸方向と平行およ
び直交する方向であっても、高い長期信頼性を得ること
ができる。
ュールの伝送装置等への搭載方向が光軸方向と平行およ
び直交する方向であっても、高い長期信頼性を得ること
ができる。
【図１】本発明の一実施例の半導体レーザモジュールの
構造を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図
である。
構造を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は正面図
である。
【図２】従来の小型化を目的とした半導体レーザモジュ
ールの構造を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は
正面図である。
ールの構造を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）は
正面図である。
２０ 半導体レーザモジュール ２１ モジュールパッケージ ２１Ｆ 側壁部位 ２１Ｂ 内部底面 ２１Ｍ 凹形状部分 ２２ 光ファイバ ２３ 電子冷却素子 ２３Ｕ 上面基板 ２３Ｄ 下面基板 ２４ 基板 ２４Ｓ 素子基板 ２４Ｍ 凹形状部分 ２５ 半導体レーザ ２６ レンズ
Claims (4)
- 【請求項１】モジュールパッケージと、 前記モジュールパッケージの内部底面に下面基板を固定
した温度調整素子と、 前記温度調整素子の上面基板に固定される基板と、 前記基板の上面に固定される素子基板と、 前記素子基板の上面に固定されレーザ光を射出する半導
体レーザと、 前記モジュールパッケージのレーザ光の照射される側壁
部位にその一端部を固定した光ファイバと、 前記半導体レーザと前記光ファイバを光学的に結合する
レンズと、 を具備した半導体レーザモジュールにおいて、 前記モジュールパッケージの内部底面及び前記基板の下
面が、それぞれ、前記温度調整素子の下面基板及び上面
基板を互いに所定の位置で係止固定する構造を備え、光
軸に平行及び直交方向のずれを回避するようにした、こ
とを特徴とする半導体レーザモジュール。 - 【請求項２】前記モジュールパッケージの内部底面と前
記温度調整素子の下面基板とが互いに嵌合する構造を備
えると共に、前記基板の下面と前記温度調整素子の上面
基板とが互いに嵌合する構造を備えたことを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項３】前記モジュールパッケージの内部底面と前
記温度調整素子の下面基板の一方に、これらが互いに嵌
合するための凹部を備え、 前記基板の下面と前記温度調整素子の上面基板の一方
に、これらが互いに嵌合する凹部を備えたことを特徴と
する請求項１記載の半導体レーザモジュール。 - 【請求項４】モジュールパッケージと、 前記モジュールパッケージの内部底面に固定した電子冷
却素子などの温度調整用の温度調整素子と、 前記温度調整素子の上面に固定された基板と、 前記基板の上面に固定された素子基板と、 前記素子基板の上面に固定されたレーザ光を射出する半
導体レーザと、 前記モジュールパッケージのレーザ光の照射される側壁
部位にその一端部を固定した光ファイバと、 前記素子基板の上面に固定された前記半導体レーザと前
記光ファイバとを光学的に結合するレンズと、 を具備した半導体レーザモジュールにおいて、 前記基板の下面が、前記温度調整素子の上面基板と嵌合
する凹部を備え、前記温度調整素子の上面基板の４つの
側面に接するように嵌合して、前記温度調整素子の上面
に固定され、 前記モジュールパッケージの内部底面が、前記温度調整
素子の下面基板と嵌合する凹部を備え、前記温度調整素
子の下面基板の４つの側面に接するように嵌合し、前記
温度調整素子の下面を固定している、 ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044756A JPH10229253A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 半導体レーザモジュール |
| DE69802854T DE69802854T2 (de) | 1997-02-13 | 1998-02-13 | Halbleiterlaser-Modul |
| EP98250050A EP0860914B1 (en) | 1997-02-13 | 1998-02-13 | Semiconductor laser module |
| US09/023,985 US5963697A (en) | 1997-02-13 | 1998-02-13 | Semiconductor laser module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044756A JPH10229253A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10229253A true JPH10229253A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12700285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9044756A Pending JPH10229253A (ja) | 1997-02-13 | 1997-02-13 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5963697A (ja) |
| EP (1) | EP0860914B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10229253A (ja) |
| DE (1) | DE69802854T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010140937A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Anritsu Corp | 半導体レーザ用パッケージおよび半導体レーザモジュール |
| CN113867448A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-12-31 | 北京工业大学 | 一种非线性光学晶体的控温装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3298532B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2002-07-02 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| US6568074B1 (en) * | 2000-09-15 | 2003-05-27 | Fitel Usa Corp. | Method for making planar optical fiber circuits |
| DE10100679A1 (de) * | 2001-01-09 | 2002-07-11 | Abb Research Ltd | Träger für Bauelemente der Mikrosystemtechnik |
| JP3909257B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2007-04-25 | 日本オプネクスト株式会社 | 光結合装置 |
| CN115133382A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-09-30 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种激光器的封装外壳及激光器 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0259018B1 (en) * | 1986-09-02 | 1991-10-16 | Amp Incorporated | Optoelectronics package for a semiconductor laser |
| JPS6411392A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Oscillation of carbon dioxide gas laser |
| JPH01111392A (ja) * | 1987-10-26 | 1989-04-28 | Japan Aviation Electron Ind Ltd | 発光素子モジュール |
| US5068865A (en) * | 1988-06-09 | 1991-11-26 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| JPH0229536A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-31 | Matsushita Refrig Co Ltd | 冷暖房装置 |
| JP3132868B2 (ja) * | 1991-11-29 | 2001-02-05 | アンリツ株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| JPH05241048A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光部品の結合装置 |
| JPH08152542A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子モジュール |
| JPH1022581A (ja) * | 1996-07-04 | 1998-01-23 | Nec Corp | 温度制御型半導体レーザ装置 |
-
1997
- 1997-02-13 JP JP9044756A patent/JPH10229253A/ja active Pending
-
1998
- 1998-02-13 US US09/023,985 patent/US5963697A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-13 DE DE69802854T patent/DE69802854T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-02-13 EP EP98250050A patent/EP0860914B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010140937A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Anritsu Corp | 半導体レーザ用パッケージおよび半導体レーザモジュール |
| CN113867448A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-12-31 | 北京工业大学 | 一种非线性光学晶体的控温装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5963697A (en) | 1999-10-05 |
| DE69802854D1 (de) | 2002-01-24 |
| DE69802854T2 (de) | 2002-08-08 |
| EP0860914A3 (en) | 1998-09-16 |
| EP0860914A2 (en) | 1998-08-26 |
| EP0860914B1 (en) | 2001-12-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990706 |