JPH10236899A - 不純物定量測定方法 - Google Patents
不純物定量測定方法Info
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- JPH10236899A JPH10236899A JP4358997A JP4358997A JPH10236899A JP H10236899 A JPH10236899 A JP H10236899A JP 4358997 A JP4358997 A JP 4358997A JP 4358997 A JP4358997 A JP 4358997A JP H10236899 A JPH10236899 A JP H10236899A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １ｐｐｍ以下の窒素原子濃度を検出すること
のできるダイヤモンド結晶中の不純物定量測定方法を提
供する。 【解決手段】 予め窒素原子の濃度が既知のダイヤモン
ド結晶の窒素原子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換
し、格子欠陥からの発光強度に対する前記窒素原子の濃
度の対応関係を求める。次に、ダイヤモンド結晶を形成
した後、イオン注入及びアニール処理を行って、ダイヤ
モンド結晶に含有される窒素原子を輻射遷移を伴う格子
欠陥に変換し、格子欠陥からの発光強度を測定して、求
められた対応関係に基づいて窒素原子の濃度を測定す
る。
のできるダイヤモンド結晶中の不純物定量測定方法を提
供する。 【解決手段】 予め窒素原子の濃度が既知のダイヤモン
ド結晶の窒素原子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換
し、格子欠陥からの発光強度に対する前記窒素原子の濃
度の対応関係を求める。次に、ダイヤモンド結晶を形成
した後、イオン注入及びアニール処理を行って、ダイヤ
モンド結晶に含有される窒素原子を輻射遷移を伴う格子
欠陥に変換し、格子欠陥からの発光強度を測定して、求
められた対応関係に基づいて窒素原子の濃度を測定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不純物定量測定方
法に関するものであり、特に、天然，高圧合成，気相合
成等の人工ダイヤモンド結晶の評価方法に関する。
法に関するものであり、特に、天然，高圧合成，気相合
成等の人工ダイヤモンド結晶の評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ダイヤモンドは物質中で一番硬い物質で
あり、また耐磨耗性が高い等、その機械的性質は良く知
られているが、その他にも5.5ｅＶの間接遷移型のエネ
ルギーギャップを持ち、電気絶縁性が高く、その反面、
電子と正孔の移動度がシリコンよりも大きい等、ユニー
クな特性を持っている。
あり、また耐磨耗性が高い等、その機械的性質は良く知
られているが、その他にも5.5ｅＶの間接遷移型のエネ
ルギーギャップを持ち、電気絶縁性が高く、その反面、
電子と正孔の移動度がシリコンよりも大きい等、ユニー
クな特性を持っている。
【０００３】特に、半導体的性質を持ったダイヤモンド
は、高耐圧素子，高温動作素子，耐環境素子への応用が
期待されている。
は、高耐圧素子，高温動作素子，耐環境素子への応用が
期待されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ダイヤモン
ド結晶の半導体的利用を考えた場合、極微量な不純物濃
度がその特性を大きく左右する。
ド結晶の半導体的利用を考えた場合、極微量な不純物濃
度がその特性を大きく左右する。
【０００５】特に、窒素原子はダイヤモンド結晶中に取
り込まれやすく、ダイヤモンド結晶中の窒素原子濃度の
測定は非常に重要であるが、最も良く用いられる不純物
濃度の測定方法である二次イオン質量分析法では、約１
ｐｐｍまでしか測定することができず、半導体的利用を
考えた場合、１ｐｐｍ以下の窒素原子濃度を測定する必
要があり、上述のような方法では不可能であった。
り込まれやすく、ダイヤモンド結晶中の窒素原子濃度の
測定は非常に重要であるが、最も良く用いられる不純物
濃度の測定方法である二次イオン質量分析法では、約１
ｐｐｍまでしか測定することができず、半導体的利用を
考えた場合、１ｐｐｍ以下の窒素原子濃度を測定する必
要があり、上述のような方法では不可能であった。
【０００６】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、１ｐｐｍ以下の窒素
原子濃度を検出することのできるダイヤモンド結晶中の
不純物定量測定方法を提供することにある。
であり、その目的とするところは、１ｐｐｍ以下の窒素
原子濃度を検出することのできるダイヤモンド結晶中の
不純物定量測定方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
予め窒素原子の濃度が既知のダイヤモンド結晶の窒素原
子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換し、該格子欠陥か
らのは発光強度に対する前記窒素原子の濃度の対応関係
を求め、形成したダイヤモンド結晶中に含有される窒素
原子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換し、該格子欠陥
からの発光強度を測定して、前記対応関係に基づいて前
記窒素原子の濃度を測定するようにしたことを特徴とす
るものである。
予め窒素原子の濃度が既知のダイヤモンド結晶の窒素原
子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換し、該格子欠陥か
らのは発光強度に対する前記窒素原子の濃度の対応関係
を求め、形成したダイヤモンド結晶中に含有される窒素
原子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換し、該格子欠陥
からの発光強度を測定して、前記対応関係に基づいて前
記窒素原子の濃度を測定するようにしたことを特徴とす
るものである。
【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の不
純物定量測定方法において、前記輻射遷移を伴う格子欠
陥への変換を、イオン注入及びアニール処理により行う
ようにしたことを特徴とするものである。
純物定量測定方法において、前記輻射遷移を伴う格子欠
陥への変換を、イオン注入及びアニール処理により行う
ようにしたことを特徴とするものである。
【０００９】請求項３記載の発明は、請求項１記載の不
純物定量測定方法において、前記輻射遷移を伴う格子欠
陥への変換を、放射線の照射及びアニール処理により行
うようにしたことを特徴とするものである。
純物定量測定方法において、前記輻射遷移を伴う格子欠
陥への変換を、放射線の照射及びアニール処理により行
うようにしたことを特徴とするものである。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項２または請
求項３記載の不純物定量測定方法において、前記アニー
ル処理を、５００℃以上１１００℃以下で行うようにし
たことを特徴とするものである。
求項３記載の不純物定量測定方法において、前記アニー
ル処理を、５００℃以上１１００℃以下で行うようにし
たことを特徴とするものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る気相合成ダイヤモンド薄膜の作製及び水素プラズ
マによるアニールを行うための装置を示す模式図であ
る。本実施形態おける被測定試料は、気相合成ダイヤモ
ンド薄膜であり、以下においてその作製方法について説
明する。
て図面に基づき説明する。図１は、本発明の一実施形態
に係る気相合成ダイヤモンド薄膜の作製及び水素プラズ
マによるアニールを行うための装置を示す模式図であ
る。本実施形態おける被測定試料は、気相合成ダイヤモ
ンド薄膜であり、以下においてその作製方法について説
明する。
【００１２】原料ガスは一酸化炭素１，水素２，水素希
釈ジボラン３を用い、混合比は一酸化炭素１０％，水素
９０％で、ジボランは炭素原子に対するホウ素の仕込量
が０〜４００ｐｐｍとなるように調整した。混合ガスの
総流量は１００ｃｍ3／分とし、各ガスの流量は質量流
量制御器４を用いて制御された。
釈ジボラン３を用い、混合比は一酸化炭素１０％，水素
９０％で、ジボランは炭素原子に対するホウ素の仕込量
が０〜４００ｐｐｍとなるように調整した。混合ガスの
総流量は１００ｃｍ3／分とし、各ガスの流量は質量流
量制御器４を用いて制御された。
【００１３】合成室となる反応管５は、透明石英円筒か
ら成り、その中央部にダイヤモンド結晶を成長させる下
地と成る基板６が設置された。なお、基板６としては、
ダイヤモンド砥粒で表面を軽く磨いたシリコンウェハを
用いた。
ら成り、その中央部にダイヤモンド結晶を成長させる下
地と成る基板６が設置された。なお、基板６としては、
ダイヤモンド砥粒で表面を軽く磨いたシリコンウェハを
用いた。
【００１４】基板６を反応管５の内部に設置した後、反
応管５内を約０．１Ｐａ以下まで排気し、各バルブ７を
開いて一酸化炭素１と水素２と水素希釈ジボラン３から
成る混合ガス８を反応管５内に導入する。その際、反応
管５内の圧力は、排気制御９により約６０００Ｐａに調
整される。
応管５内を約０．１Ｐａ以下まで排気し、各バルブ７を
開いて一酸化炭素１と水素２と水素希釈ジボラン３から
成る混合ガス８を反応管５内に導入する。その際、反応
管５内の圧力は、排気制御９により約６０００Ｐａに調
整される。
【００１５】その後、励起源である２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波１０を２７５Ｗのエネルギーで導入して、混合
ガス８をプラズマ状態１１にする。そして、このプラズ
マ状態１１を約６時間維持し、基板６上に膜厚約３μｍ
のホウ素を含有して成るダイヤモンド薄膜を成長させ
る。
イクロ波１０を２７５Ｗのエネルギーで導入して、混合
ガス８をプラズマ状態１１にする。そして、このプラズ
マ状態１１を約６時間維持し、基板６上に膜厚約３μｍ
のホウ素を含有して成るダイヤモンド薄膜を成長させ
る。
【００１６】なお、本実施形態に係るダイヤモンド薄膜
の成長条件は一例であり、これに限定される必要はな
い。
の成長条件は一例であり、これに限定される必要はな
い。
【００１７】次に、上述の方法により形成されたダイヤ
モンド薄膜中の窒素原子を輻射遷移を伴う格子欠陥に変
換するために、イオン注入を行った。なお、注入種とし
ては、ダイヤモンドの構成原子と同じ炭素イオンを用
い、加速エネルギー１００ｋｅＶ，ドーズ量１．０×１
０14／ｃｍ2として室温でイオン注入を行った後、アニ
ール処理を行った。
モンド薄膜中の窒素原子を輻射遷移を伴う格子欠陥に変
換するために、イオン注入を行った。なお、注入種とし
ては、ダイヤモンドの構成原子と同じ炭素イオンを用
い、加速エネルギー１００ｋｅＶ，ドーズ量１．０×１
０14／ｃｍ2として室温でイオン注入を行った後、アニ
ール処理を行った。
【００１８】なお、アニール処理としては、図１に示す
装置を用いて水素プラズマにより行った。この際に使用
するガスは、水素２のみであり、反応管５内にはイオン
注入が行われたダイヤモンド薄膜が設置される。
装置を用いて水素プラズマにより行った。この際に使用
するガスは、水素２のみであり、反応管５内にはイオン
注入が行われたダイヤモンド薄膜が設置される。
【００１９】ここで、本実施形態に用いた反応管５内の
圧力は約５０００Ｐａ、マイクロ波１０のエネルギーは
約３００Ｗ、アニール時間は約３０分である。このと
き、水素プラズマによる自然加熱により、イオン注入さ
れたダイヤモンド薄膜は約９００℃まで昇温された。
圧力は約５０００Ｐａ、マイクロ波１０のエネルギーは
約３００Ｗ、アニール時間は約３０分である。このと
き、水素プラズマによる自然加熱により、イオン注入さ
れたダイヤモンド薄膜は約９００℃まで昇温された。
【００２０】なお、上述のダイヤモンド薄膜へのイオン
注入及びアニール処理の条件は一例であり、これに限定
される必要はない。
注入及びアニール処理の条件は一例であり、これに限定
される必要はない。
【００２１】また、本実施形態においては、ダイヤモン
ド薄膜中の窒素原子を輻射遷移を伴う格子欠陥に変換す
る方法として、イオン注入により行ったが、これに限定
される必要はなく、例えば、電子線や中性子線等の放射
線を照射することにより行っても良い。
ド薄膜中の窒素原子を輻射遷移を伴う格子欠陥に変換す
る方法として、イオン注入により行ったが、これに限定
される必要はなく、例えば、電子線や中性子線等の放射
線を照射することにより行っても良い。
【００２２】図２は、本実施形態に係るダイヤモンド薄
膜の窒素欠陥である２．１６ｅＶセンタからのカソード
ルミネッセンススペクトルであり、図３は、本実施形態
に係るダイヤモンド薄膜の窒素欠陥である３．１９ｅＶ
センタからのカソードルミネッセンススペクトルであ
る。本実施形態においては、予め窒素原子の濃度が既知
のダイヤモンド結晶を用いて、前記ダイヤモンド結晶中
に包含される窒素原子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変
換し、その格子欠陥からの２．１６ｅＶセンタ及び３．
１９ｅＶセンタからの発光強度を測定，記録（同時に測
定条件も記録）し、これにより発光強度に対する窒素原
子の濃度の対応関係を求める。そして、図１に示す装置
を用いて形成されたダイヤモンド結晶に含まれる窒素原
子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換し、格子欠陥から
の２．１６ｅＶセンタ及び３．１９ｅＶセンタの発光強
度を測定して、窒素原子の濃度が既知のダイヤモンド結
晶を用いて作成された発光強度と窒素原子の濃度との対
応関係により、図１に示す装置を用いて形成されたダイ
ヤモンド結晶中に含有される窒素原子の濃度を測定す
る。
膜の窒素欠陥である２．１６ｅＶセンタからのカソード
ルミネッセンススペクトルであり、図３は、本実施形態
に係るダイヤモンド薄膜の窒素欠陥である３．１９ｅＶ
センタからのカソードルミネッセンススペクトルであ
る。本実施形態においては、予め窒素原子の濃度が既知
のダイヤモンド結晶を用いて、前記ダイヤモンド結晶中
に包含される窒素原子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変
換し、その格子欠陥からの２．１６ｅＶセンタ及び３．
１９ｅＶセンタからの発光強度を測定，記録（同時に測
定条件も記録）し、これにより発光強度に対する窒素原
子の濃度の対応関係を求める。そして、図１に示す装置
を用いて形成されたダイヤモンド結晶に含まれる窒素原
子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換し、格子欠陥から
の２．１６ｅＶセンタ及び３．１９ｅＶセンタの発光強
度を測定して、窒素原子の濃度が既知のダイヤモンド結
晶を用いて作成された発光強度と窒素原子の濃度との対
応関係により、図１に示す装置を用いて形成されたダイ
ヤモンド結晶中に含有される窒素原子の濃度を測定す
る。
【００２３】従って、窒素原子の濃度が既知のダイヤモ
ンド結晶を用いて上述の発光強度と窒素原子の濃度との
対応関係を求めることにより、ダイヤモンド結晶中の窒
素原子の濃度が１ｐｐｍ以下のものも検出することがで
きる。
ンド結晶を用いて上述の発光強度と窒素原子の濃度との
対応関係を求めることにより、ダイヤモンド結晶中の窒
素原子の濃度が１ｐｐｍ以下のものも検出することがで
きる。
【００２４】ここで、ダイヤモンド結晶中に自然に含有
される窒素原子の濃度は、ダイヤモンド結晶中のホウ素
添加濃度と関係があることが実験結果により判明した。
図４は、本実施形態に係るダイヤモンド薄膜の窒素欠陥
である２．１６ｅＶセンタ及び３．１９ｅＶセンタ発光
強度と、ホウ素添加濃度との関係を示す模式図である。
図４より、添加ホウ素濃度が増加するに従って、窒素原
子が減少していることがわかる。因みに、本実施形態に
おいては、ホウ素添加量が１０２ｐｐｍ以上の時で、窒
素濃度は０．１ｐｐｍのオーダーであった。
される窒素原子の濃度は、ダイヤモンド結晶中のホウ素
添加濃度と関係があることが実験結果により判明した。
図４は、本実施形態に係るダイヤモンド薄膜の窒素欠陥
である２．１６ｅＶセンタ及び３．１９ｅＶセンタ発光
強度と、ホウ素添加濃度との関係を示す模式図である。
図４より、添加ホウ素濃度が増加するに従って、窒素原
子が減少していることがわかる。因みに、本実施形態に
おいては、ホウ素添加量が１０２ｐｐｍ以上の時で、窒
素濃度は０．１ｐｐｍのオーダーであった。
【００２５】なお、２．１６ｅＶセンタが形成されるた
めには５００℃以上の熱エネルギーが必要であり、ま
た、２．１６ｅＶセンタが安定に維持されるのは、文献
（J.Walker,Rep. Prog. Phys. ,Vol.42,p.1605(1979))
より１１３０℃までであるので、２．１６ｅＶセンタ及
び３．１９ｅＶセンタの両方を用いてより定量性の高い
窒素原子の定量を行うためには、上述の実施形態におけ
るアニール処理の温度として、５００℃以上１１００℃
以下の範囲であることが望ましい。
めには５００℃以上の熱エネルギーが必要であり、ま
た、２．１６ｅＶセンタが安定に維持されるのは、文献
（J.Walker,Rep. Prog. Phys. ,Vol.42,p.1605(1979))
より１１３０℃までであるので、２．１６ｅＶセンタ及
び３．１９ｅＶセンタの両方を用いてより定量性の高い
窒素原子の定量を行うためには、上述の実施形態におけ
るアニール処理の温度として、５００℃以上１１００℃
以下の範囲であることが望ましい。
【００２６】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、予め窒素原子の
濃度が既知のダイヤモンド結晶の窒素原子を、輻射遷移
を伴う格子欠陥に変換し、格子欠陥からの発光強度に対
する窒素原子の濃度の対応関係を求め、形成したダイヤ
モンド結晶中に含有される窒素原子を、輻射遷移を伴う
格子欠陥に変換し、格子欠陥からの発光強度を測定し
て、対応関係に基づいて窒素原子の濃度を測定するよう
にしたので、１ｐｐｍ以下の窒素原子濃度を検出するこ
とのできる不純物定量測定方法を提供することができ
た。
濃度が既知のダイヤモンド結晶の窒素原子を、輻射遷移
を伴う格子欠陥に変換し、格子欠陥からの発光強度に対
する窒素原子の濃度の対応関係を求め、形成したダイヤ
モンド結晶中に含有される窒素原子を、輻射遷移を伴う
格子欠陥に変換し、格子欠陥からの発光強度を測定し
て、対応関係に基づいて窒素原子の濃度を測定するよう
にしたので、１ｐｐｍ以下の窒素原子濃度を検出するこ
とのできる不純物定量測定方法を提供することができ
た。
【００２７】請求項２記載の発明は、請求項１記載の不
純物定量測定方法において、輻射遷移を伴う格子欠陥へ
の変換を、イオン注入及びアニール処理により行うよう
にしたので、特定の窒素原子の格子欠陥を安定して形成
することができる。
純物定量測定方法において、輻射遷移を伴う格子欠陥へ
の変換を、イオン注入及びアニール処理により行うよう
にしたので、特定の窒素原子の格子欠陥を安定して形成
することができる。
【００２８】請求項３記載の発明は、請求項１記載の不
純物定量測定方法において、輻射遷移を伴う格子欠陥へ
の変換を、放射線の照射及びアニール処理により行うよ
うにしたので、特定の窒素原子の格子欠陥を安定して形
成することができる。
純物定量測定方法において、輻射遷移を伴う格子欠陥へ
の変換を、放射線の照射及びアニール処理により行うよ
うにしたので、特定の窒素原子の格子欠陥を安定して形
成することができる。
【００２９】請求項４記載の発明は、請求項２または請
求項３記載の不純物定量測定方法において、アニール処
理を、５００℃以上１１００℃以下で行うようにしたの
で、より定量性の高い窒素原子の定量が可能となる。
求項３記載の不純物定量測定方法において、アニール処
理を、５００℃以上１１００℃以下で行うようにしたの
で、より定量性の高い窒素原子の定量が可能となる。
【図１】本発明の一実施形態に係る気相合成ダイヤモン
ド薄膜の作製及び水素プラズマによるアニールを行うた
めの装置を示す模式図である。
ド薄膜の作製及び水素プラズマによるアニールを行うた
めの装置を示す模式図である。
【図２】本実施形態に係るダイヤモンド薄膜の窒素欠陥
である２．１６ｅＶセンタからのカソードルミネッセン
ススペクトルである。
である２．１６ｅＶセンタからのカソードルミネッセン
ススペクトルである。
【図３】本実施形態に係るダイヤモンド薄膜の窒素欠陥
である３．１９ｅＶセンタからのカソードルミネッセン
ススペクトルである。
である３．１９ｅＶセンタからのカソードルミネッセン
ススペクトルである。
【図４】本実施形態に係るダイヤモンド薄膜の窒素欠陥
である２．１６ｅＶセンタ及び３．１９ｅＶセンタ発光
強度と、ホウ素添加濃度との関係を示す模式図である。
である２．１６ｅＶセンタ及び３．１９ｅＶセンタ発光
強度と、ホウ素添加濃度との関係を示す模式図である。
【符号の説明】 １ 一酸化炭素 ２ 水素 ３ 水素希釈ジボラン ４ 質量流量制御器 ５ 反応管 ６ 基板 ７ バルブ ８ 混合ガス ９ 排気制御 １０ マイクロ波 １１ プラズマ状態
Claims (4)
- 【請求項１】 予め窒素原子の濃度が既知のダイヤモン
ド結晶の窒素原子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換
し、該格子欠陥からの発光強度に対する前記窒素原子の
濃度の対応関係を求め、形成したダイヤモンド結晶中に
含有される窒素原子を、輻射遷移を伴う格子欠陥に変換
し、該格子欠陥からの発光強度を測定して、前記対応関
係に基づいて前記窒素原子の濃度を測定するようにした
ことを特徴とする不純物定量測定方法。 - 【請求項２】 前記輻射遷移を伴う格子欠陥への変換
を、イオン注入及びアニール処理により行うようにした
ことを特徴とする請求項１記載の不純物定量測定方法。 - 【請求項３】 前記輻射遷移を伴う格子欠陥への変換
を、放射線の照射及びアニール処理により行うようにし
たことを特徴とする請求項１記載の不純物定量測定方
法。 - 【請求項４】 前記アニール処理を、５００℃以上１１
００℃以下で行うようにしたことを特徴とする請求項２
または請求項３記載の不純物定量測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4358997A JPH10236899A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 不純物定量測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4358997A JPH10236899A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 不純物定量測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10236899A true JPH10236899A (ja) | 1998-09-08 |
Family
ID=12667987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4358997A Pending JPH10236899A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 不純物定量測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10236899A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001096633A1 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Element Six (Pty) Ltd | Single crystal diamond prepared by cvd |
| JP2008526682A (ja) * | 2005-01-11 | 2008-07-24 | アポロ ダイヤモンド，インク | ダイヤモンド製医療装置 |
| JP2013534869A (ja) * | 2010-06-03 | 2013-09-09 | エレメント シックス リミテッド | ダイヤモンド工具 |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP4358997A patent/JPH10236899A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001096633A1 (en) * | 2000-06-15 | 2001-12-20 | Element Six (Pty) Ltd | Single crystal diamond prepared by cvd |
| GB2383588A (en) * | 2000-06-15 | 2003-07-02 | Element Six | Single crystal diamond prepared by CVD |
| GB2383588B (en) * | 2000-06-15 | 2004-05-05 | Element Six | Single crystal diamond prepared by CVD |
| EP1983080A3 (en) * | 2000-06-15 | 2012-12-19 | Element Six (Pty) Ltd | Single crystal diamond prepared by CVD |
| US8501143B2 (en) | 2000-06-15 | 2013-08-06 | Element Six Ltd. | Single crystal diamond prepared by CVD |
| US9103050B2 (en) | 2000-06-15 | 2015-08-11 | Element Six Technologies Limited | Single crystal diamond prepared by CVD |
| JP2008526682A (ja) * | 2005-01-11 | 2008-07-24 | アポロ ダイヤモンド，インク | ダイヤモンド製医療装置 |
| JP2013534869A (ja) * | 2010-06-03 | 2013-09-09 | エレメント シックス リミテッド | ダイヤモンド工具 |
| US8884251B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-11-11 | Element Six Limited | Diamond tools |
| US8884252B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-11-11 | Element Six Limited | Diamond tools |
| US8890091B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-11-18 | Element Six Limited | Diamond tools |
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