JPH10240889A - 非接触ｉｃカード - Google Patents
非接触ｉｃカードInfo
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- JPH10240889A JPH10240889A JP9044156A JP4415697A JPH10240889A JP H10240889 A JPH10240889 A JP H10240889A JP 9044156 A JP9044156 A JP 9044156A JP 4415697 A JP4415697 A JP 4415697A JP H10240889 A JPH10240889 A JP H10240889A
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- JP
- Japan
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- card
- power
- contact
- switch
- regulator
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- Pending
Links
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 5
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- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 過電力伝送による発熱を抑制できる手段を備
えた非接触ＩＣカードの提供にある。 【解決手段】 ＲＷＵ２と非接触ＩＣカード１とを伝送
空間３を隔てて配置する。ＲＷＵ２に実装したコイルと
ＩＣカードアンテナの電磁結合によってデータ及び電力
の伝送をする。カードアンテナ１１の受信エネルギーを
整流回路１２及びレギュレータ１３を経てＩＣ１４に駆
動電力として供給する。その電力供給回路には過電力の
供給を制限する電力制限用オン・オフスイッチ１７を設
け、カードアンテナ１１がＩＣ１４の必要とする電力よ
りも大きいエネルギーを受信したとき、余分なエネルギ
ーをスイッチ１７のオフにより並列抵抗１６に消費させ
て制限しＩＣ１４の発熱を抑制する。
えた非接触ＩＣカードの提供にある。 【解決手段】 ＲＷＵ２と非接触ＩＣカード１とを伝送
空間３を隔てて配置する。ＲＷＵ２に実装したコイルと
ＩＣカードアンテナの電磁結合によってデータ及び電力
の伝送をする。カードアンテナ１１の受信エネルギーを
整流回路１２及びレギュレータ１３を経てＩＣ１４に駆
動電力として供給する。その電力供給回路には過電力の
供給を制限する電力制限用オン・オフスイッチ１７を設
け、カードアンテナ１１がＩＣ１４の必要とする電力よ
りも大きいエネルギーを受信したとき、余分なエネルギ
ーをスイッチ１７のオフにより並列抵抗１６に消費させ
て制限しＩＣ１４の発熱を抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非接触のＩＣカー
ドに関するもので、特に過電力の供給を制限した非接触
ＩＣカードに関するものである。
ドに関するもので、特に過電力の供給を制限した非接触
ＩＣカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非接触ＩＣカードは、図２に示すよう
に、非接触ＩＣカード１とリード／ライトユニット（Ｐ
ＷＵ）２との間のデータ伝送を空間伝送（非接触）３で
行なうものである。非接触ＩＣカード１には、ＩＣを駆
動するためにバッテリーを内臓しているものと内臓して
いないものとがあるが、後者のものは、外部から電力を
供給する必要がある。外部から電力を供給するには、非
接触ＩＣカード１とＲＷＵ２にコイルを実装し、その電
磁結合によって電力伝送を行なう。
に、非接触ＩＣカード１とリード／ライトユニット（Ｐ
ＷＵ）２との間のデータ伝送を空間伝送（非接触）３で
行なうものである。非接触ＩＣカード１には、ＩＣを駆
動するためにバッテリーを内臓しているものと内臓して
いないものとがあるが、後者のものは、外部から電力を
供給する必要がある。外部から電力を供給するには、非
接触ＩＣカード１とＲＷＵ２にコイルを実装し、その電
磁結合によって電力伝送を行なう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電力伝送には、ＩＣカ
ード１とＲＷＵ２をある一定の距離（最大伝送可能距
離）を離した状態でＩＣを駆動するために必要な電力が
供給できるように設計されている。このため、ＩＣカー
ド１とＲＷＵ２との距離が最大伝送可能距離よりも短い
距離で伝送される場合には、ＩＣが必要とする電力より
も大きいエネルギーを受信することになる。この余分な
エネルギーがＩＣカード内で熱に変換され、この熱によ
り直接ＩＣを破損したり、ＩＣカードの母材である合成
樹脂が変形することによってＩＣを破壊することが発生
する。
ード１とＲＷＵ２をある一定の距離（最大伝送可能距
離）を離した状態でＩＣを駆動するために必要な電力が
供給できるように設計されている。このため、ＩＣカー
ド１とＲＷＵ２との距離が最大伝送可能距離よりも短い
距離で伝送される場合には、ＩＣが必要とする電力より
も大きいエネルギーを受信することになる。この余分な
エネルギーがＩＣカード内で熱に変換され、この熱によ
り直接ＩＣを破損したり、ＩＣカードの母材である合成
樹脂が変形することによってＩＣを破壊することが発生
する。
【０００４】本発明の目的は、この過電力伝送による発
熱を抑制できる手段を備えた非接触ＩＣカードの提供に
ある。
熱を抑制できる手段を備えた非接触ＩＣカードの提供に
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、カードア
ンテナの受信エネルギーをレギュレータを通してＩＣに
供給する回路に、オン・オフスイッチング制御によって
過電力の供給を制限する電力制限用オン・オフスイッチ
を設けたことによって達成される。
ンテナの受信エネルギーをレギュレータを通してＩＣに
供給する回路に、オン・オフスイッチング制御によって
過電力の供給を制限する電力制限用オン・オフスイッチ
を設けたことによって達成される。
【０００６】上記の手段によれば、リード／ライトユニ
ットとＩＣカードアンナテとは電磁結合によってデータ
及び電力の伝送が行なわれる。その非接触の伝送空間距
離が設計値の最大伝送可能距離よりも短い距離で伝送さ
れた場合には、カードアンテナはＩＣが必要とする電力
よりも大きいエネルギーを受信するが、余分なエネルギ
ーは電力制限用オン・オフスイッチのオン・オフ制御に
よって制限することができる。これによりＩＣの発熱を
抑制でき破損、変形等を防止することができる。
ットとＩＣカードアンナテとは電磁結合によってデータ
及び電力の伝送が行なわれる。その非接触の伝送空間距
離が設計値の最大伝送可能距離よりも短い距離で伝送さ
れた場合には、カードアンテナはＩＣが必要とする電力
よりも大きいエネルギーを受信するが、余分なエネルギ
ーは電力制限用オン・オフスイッチのオン・オフ制御に
よって制限することができる。これによりＩＣの発熱を
抑制でき破損、変形等を防止することができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
により説明する。
により説明する。
【０００８】図１は、本発明の非接触ＩＣカードの基本
の実施形態である。ＲＷＵコイルと電磁結合するカード
アンテナ１１によりＲＷＵ２からＩＣ駆動のための電力
が伝送される。カードアンテナ１１に受信された電力は
整流回路１２で整流され、さらにレギュレータ１３で調
整されてＩＣ１４に供給される。このＩＣ１４への駆動
電力供給回路には過電力の供給を制限する回路１５が設
けられている。この電力制限回路は電流制御抵抗１６と
抵抗１６の両端を短絡するオン・オフスイッチ１７とに
より構成される。
の実施形態である。ＲＷＵコイルと電磁結合するカード
アンテナ１１によりＲＷＵ２からＩＣ駆動のための電力
が伝送される。カードアンテナ１１に受信された電力は
整流回路１２で整流され、さらにレギュレータ１３で調
整されてＩＣ１４に供給される。このＩＣ１４への駆動
電力供給回路には過電力の供給を制限する回路１５が設
けられている。この電力制限回路は電流制御抵抗１６と
抵抗１６の両端を短絡するオン・オフスイッチ１７とに
より構成される。
【０００９】上記オン・オフスイッチ１７は、通常はオ
ン導通して抵抗１６を短絡するが、カードアンテナ１１
からＩＣ１４に過大電力が流れるときはスイッチオフし
て抵抗１６により電流制限させる。
ン導通して抵抗１６を短絡するが、カードアンテナ１１
からＩＣ１４に過大電力が流れるときはスイッチオフし
て抵抗１６により電流制限させる。
【００１０】図３は、本発明の一実施形態の具体的構成
を示し、図１と同符号は同一部分を示す、オン・オフス
イッチには、トランジスタ、ＦＥＴなどの半導体スイッ
チ１７１を用いる。そしてレギュレータ１３に入力する
電圧を電圧検知回路１８で検出し、それがある一定電圧
以上になると半導体スイッチ１７１をオフするよう制御
する。半導体スイッチ１７１がオフすることにより電流
は抵抗１６によって制限され、レギュレータ１３の発熱
が抑制される。レギュレータ１３への入力電圧が低下す
れば半導体スイッチ１７１がオンして供給電力を増加す
るので、ＩＣ１４への駆動電力が不足するようなことは
なく、所定の電力供給により安定したＩＣ駆動をするこ
とができる。
を示し、図１と同符号は同一部分を示す、オン・オフス
イッチには、トランジスタ、ＦＥＴなどの半導体スイッ
チ１７１を用いる。そしてレギュレータ１３に入力する
電圧を電圧検知回路１８で検出し、それがある一定電圧
以上になると半導体スイッチ１７１をオフするよう制御
する。半導体スイッチ１７１がオフすることにより電流
は抵抗１６によって制限され、レギュレータ１３の発熱
が抑制される。レギュレータ１３への入力電圧が低下す
れば半導体スイッチ１７１がオンして供給電力を増加す
るので、ＩＣ１４への駆動電力が不足するようなことは
なく、所定の電力供給により安定したＩＣ駆動をするこ
とができる。
【００１１】図４は、本発明の他の実施形態で、レギュ
レータ１３の近くに温度スイッチ１７２を配置したもの
である。温度スイッチ１７２は、感温リードスイッチ、
温度リレー等が用いられ、ある一定の温度以上になると
スイッチオフして電流を抵抗１６に流して制限する。こ
れにより過大電力によるレギュレータ１３の発熱量を抑
制することができ、安定したＩＣ駆動を行なわせること
ができる。
レータ１３の近くに温度スイッチ１７２を配置したもの
である。温度スイッチ１７２は、感温リードスイッチ、
温度リレー等が用いられ、ある一定の温度以上になると
スイッチオフして電流を抵抗１６に流して制限する。こ
れにより過大電力によるレギュレータ１３の発熱量を抑
制することができ、安定したＩＣ駆動を行なわせること
ができる。
【００１２】以上のようにＲＷＵとカードアンテナ１１
とは電磁結合によってデータ及び電力の伝送が行なわ
れ、このとき非接触の空間伝送距離が設計値よりも短い
と、カードアンテナ１１には過大電力が受信されるが、
カードアンテナ１１からＩＣ１４への電力供給回路に電
力制限用オン・オフスイッチ１７、１７１、１７２を設
け、スイッチオフにより余分なエネルギーを抵抗制限す
るようにしてＩＣの駆動電力を制御するようにしたか
ら、空間伝送距離が設計値と変化してもＩＣカードの発
熱破損を防ぐことができる。これによりＲＷＵとＩＣカ
ードとの非接触の設置も容易にできる。
とは電磁結合によってデータ及び電力の伝送が行なわ
れ、このとき非接触の空間伝送距離が設計値よりも短い
と、カードアンテナ１１には過大電力が受信されるが、
カードアンテナ１１からＩＣ１４への電力供給回路に電
力制限用オン・オフスイッチ１７、１７１、１７２を設
け、スイッチオフにより余分なエネルギーを抵抗制限す
るようにしてＩＣの駆動電力を制御するようにしたか
ら、空間伝送距離が設計値と変化してもＩＣカードの発
熱破損を防ぐことができる。これによりＲＷＵとＩＣカ
ードとの非接触の設置も容易にできる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、非接触Ｉ
Ｃカードの熱による破損を防止することが可能となり、
耐久性に優れた非接触ＩＣカードが得られる。
Ｃカードの熱による破損を防止することが可能となり、
耐久性に優れた非接触ＩＣカードが得られる。
【図１】本発明の実施形態の基本構成図。
【図２】非接触ＩＣカードのイメージ図。
【図３】本発明の一実施形態の構成図。
【図４】本発明の他の実施形態の構成図。
１…非接触ＩＣカード、２…リード／ライトユニット
（ＲＷＵ）、３…伝送空間、１１…カードアンテナ、１
２…整流回路、１３…レギュレータ、１４…ＩＣ、１５
…電力制限回路、１６…抵抗、１７…オン・オフスイッ
チ、１８…電圧検知回路、１７１…半導体スイッチ、１
７２…温度スイッチ。
（ＲＷＵ）、３…伝送空間、１１…カードアンテナ、１
２…整流回路、１３…レギュレータ、１４…ＩＣ、１５
…電力制限回路、１６…抵抗、１７…オン・オフスイッ
チ、１８…電圧検知回路、１７１…半導体スイッチ、１
７２…温度スイッチ。
Claims (3)
- 【請求項１】 リード／ライトユニットとＩＣに接続の
カードアンテナとの伝送空間を隔てての電磁結合によっ
てデータ及び電力の伝送を行なう非接触ＩＣカードにお
いて、カードアンテナの受信エネルギーをレギュレータ
を通してＩＣに供給する電力供給回路に、オン・オフス
イッチング制御によって過電力の供給を制限する電力制
限用オン・オフスイッチを設けたことを特徴とする非接
触ＩＣカード。 - 【請求項２】 上記オン・オフスイッチは、レギュレー
タの入力電圧により制御される半導体素子であることを
特徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。 - 【請求項３】 上記オン・オフスイッチは、レギュレー
タの温度により制御される温度スイッチであることを特
徴とする請求項１記載の非接触ＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044156A JPH10240889A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 非接触ｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9044156A JPH10240889A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 非接触ｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10240889A true JPH10240889A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12683763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9044156A Pending JPH10240889A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 非接触ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10240889A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002109495A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非接触ｉｃカードおよびリーダライタ |
| WO2004025551A1 (ja) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体集積回路及び非接触型情報媒体 |
| US6848620B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| JP2005293597A (ja) * | 2005-04-05 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路とこれを搭載した非接触型情報媒体 |
| WO2006028231A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2006107470A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、ｉｃカード、ｉｃタグ、ｒｆｉｄ、トランスポンダ、紙幣、有価証券類、パスポート、電子機器、バッグ及び衣類 |
| US7141939B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-11-28 | Fujitsu Limited | Power supply circuit that is stable against sudden load change |
| JP2008177544A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014532927A (ja) * | 2011-10-26 | 2014-12-08 | クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｎｆｃトランシーバにおける適応型信号スケーリング |
| US9330353B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna module |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP9044156A patent/JPH10240889A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002109495A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非接触ｉｃカードおよびリーダライタ |
| US6848620B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
| US7138699B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit and noncontact information medium |
| WO2004025551A1 (ja) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体集積回路及び非接触型情報媒体 |
| US7141939B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-11-28 | Fujitsu Limited | Power supply circuit that is stable against sudden load change |
| US7658333B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2006107470A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-04-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、ｉｃカード、ｉｃタグ、ｒｆｉｄ、トランスポンダ、紙幣、有価証券類、パスポート、電子機器、バッグ及び衣類 |
| WO2006028231A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7909260B2 (en) | 2004-09-10 | 2011-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2005293597A (ja) * | 2005-04-05 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路とこれを搭載した非接触型情報媒体 |
| JP2008177544A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013258413A (ja) * | 2006-12-18 | 2013-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2014532927A (ja) * | 2011-10-26 | 2014-12-08 | クゥアルコム・インコーポレイテッドＱｕａｌｃｏｍｍ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｎｆｃトランシーバにおける適応型信号スケーリング |
| US9384373B2 (en) | 2011-10-26 | 2016-07-05 | Qualcomm Incorporated | Adaptive signal scaling in NFC transceivers |
| US9330353B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Antenna module |
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