JPH10241136A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH10241136A JPH10241136A JP3817597A JP3817597A JPH10241136A JP H10241136 A JPH10241136 A JP H10241136A JP 3817597 A JP3817597 A JP 3817597A JP 3817597 A JP3817597 A JP 3817597A JP H10241136 A JPH10241136 A JP H10241136A
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- recording medium
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 走行性、耐久性が向上した磁気記録媒体およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 金属薄膜型磁気記録層3上に、ダイアモ
ンド状カーボンのような硬質カーボン系保護層4、およ
び潤滑剤層5を形成し、この潤滑剤層5として、特定構
造のグリセリド構造化合物を採用する。 【効果】 強靭な潤滑剤層被膜の形成により、摩擦係
数、シャトル耐久性、スチル耐久性のいずれもが向上す
る。
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 金属薄膜型磁気記録層3上に、ダイアモ
ンド状カーボンのような硬質カーボン系保護層4、およ
び潤滑剤層5を形成し、この潤滑剤層5として、特定構
造のグリセリド構造化合物を採用する。 【効果】 強靭な潤滑剤層被膜の形成により、摩擦係
数、シャトル耐久性、スチル耐久性のいずれもが向上す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は金属薄膜型の磁気記
録媒体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、安
定した走行性や耐久性を得るため、潤滑剤層を構成する
化合物に特徴を有する金属薄膜型の磁気記録媒体および
その製造方法に関する。
録媒体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、安
定した走行性や耐久性を得るため、潤滑剤層を構成する
化合物に特徴を有する金属薄膜型の磁気記録媒体および
その製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】オーディオ装置、ビデオ装置あるいはコ
ンピュータ装置等に付随する磁気記録装置で用いられる
磁気記録テープ等の磁気記録媒体として、薄膜型と塗布
型のものが主として用いられている。薄膜型は、非磁性
支持体上にCo等の強磁性金属薄膜をスパッタリング、
蒸着あるいはめっき等の薄膜形成技術により被着したも
のである。また塗布型のものは、磁性粉末、有機バイン
ダおよび各種添加剤等を有機溶媒に分散、混練して調整
される磁性塗料を、非磁性支持体上に塗布、乾燥、硬化
することにより形成される磁気記録層を用いたものであ
る。
ンピュータ装置等に付随する磁気記録装置で用いられる
磁気記録テープ等の磁気記録媒体として、薄膜型と塗布
型のものが主として用いられている。薄膜型は、非磁性
支持体上にCo等の強磁性金属薄膜をスパッタリング、
蒸着あるいはめっき等の薄膜形成技術により被着したも
のである。また塗布型のものは、磁性粉末、有機バイン
ダおよび各種添加剤等を有機溶媒に分散、混練して調整
される磁性塗料を、非磁性支持体上に塗布、乾燥、硬化
することにより形成される磁気記録層を用いたものであ
る。
【0003】これらの各種磁気記録装置においては、近
年ますます小型軽量化、高画質化、長時間化あるいはデ
ィジタル記録化等が進展し、磁気記録媒体に対しても高
密度記録化が強く要望されるようになっている。この要
望に応えるため、近年の磁気記録媒体、特に金属薄膜型
磁気記録媒体においては、その磁気記録層表面を鏡面に
近い状態にまで平滑化し、磁気ヘッド/磁気記録層間の
間隙を狭め、スペーシングロスを可及的に低減する方向
にある。
年ますます小型軽量化、高画質化、長時間化あるいはデ
ィジタル記録化等が進展し、磁気記録媒体に対しても高
密度記録化が強く要望されるようになっている。この要
望に応えるため、近年の磁気記録媒体、特に金属薄膜型
磁気記録媒体においては、その磁気記録層表面を鏡面に
近い状態にまで平滑化し、磁気ヘッド/磁気記録層間の
間隙を狭め、スペーシングロスを可及的に低減する方向
にある。
【0004】一方、磁気記録テープは、その使用形態か
ら各種ガイドピン等の摺動部材と摺動しつつ走行する。
一例として8ミリビデオテープレコーダの場合、磁気記
録テープは10個以上のステンレス等からなる固定ガイ
ドピンを通過して磁気ドラムに巻き付けられ、ピンチロ
ーラ、キャプスタンおよびリールモータにより、テープ
テンションは約20g、走行速度は0.5cm/sec
と、共に一定に保持されつつ走行する。磁気記録テープ
レコーダの走行系では、摺動部材/磁気記録テープ間の
摩擦力が大きくなると、磁気テープがスティックスリッ
プと呼ばれる自励振動によるテープ鳴きを起こし、再生
画面の歪みを発生する。また摺動部材への磁気記録媒体
の凝着現象、いわゆる張り付き等が起き易い。また磁気
ヘッド/磁気テープ間の相対速度は3.8m/secと
高速であるため、摩擦・磨耗により耐久性、走行性ある
いは耐蝕性が低下し易い。このように、金属薄膜型磁気
記録媒体においては、走行性や耐久性に解決すべき問題
点を残している。
ら各種ガイドピン等の摺動部材と摺動しつつ走行する。
一例として8ミリビデオテープレコーダの場合、磁気記
録テープは10個以上のステンレス等からなる固定ガイ
ドピンを通過して磁気ドラムに巻き付けられ、ピンチロ
ーラ、キャプスタンおよびリールモータにより、テープ
テンションは約20g、走行速度は0.5cm/sec
と、共に一定に保持されつつ走行する。磁気記録テープ
レコーダの走行系では、摺動部材/磁気記録テープ間の
摩擦力が大きくなると、磁気テープがスティックスリッ
プと呼ばれる自励振動によるテープ鳴きを起こし、再生
画面の歪みを発生する。また摺動部材への磁気記録媒体
の凝着現象、いわゆる張り付き等が起き易い。また磁気
ヘッド/磁気テープ間の相対速度は3.8m/secと
高速であるため、摩擦・磨耗により耐久性、走行性ある
いは耐蝕性が低下し易い。このように、金属薄膜型磁気
記録媒体においては、走行性や耐久性に解決すべき問題
点を残している。
【0005】これら諸問題を解決するために、鏡面状態
の金属薄膜型磁気記録層表面に硬質のカーボン系保護
層、特にダイアモンド状カーボン保護層を設けることが
有効とされている。しかしながら、この保護層は磁気ヘ
ッド/磁気記録層間のスペーシングロスともなるので、
むやみに厚さを増加することはできず、例えば5nm〜
10nmの厚さが採用される。このためカーボン系保護
層だけでは充分な耐久性を得ることは困難で、さらにト
ップコート層を設ける試みがなされている。トップコー
ト層としては、含フッ素有機化合物や、リン酸エステル
等の含リン有機化合物を塗布や気相成長により形成する
例がある。一例として、ダイアモンド状カーボン上に含
フッ素カルボン酸を3〜4nmの厚さに真空蒸着する方
法が、特開平7−57254号公報および特開平6−1
68436号公報に開示されている。
の金属薄膜型磁気記録層表面に硬質のカーボン系保護
層、特にダイアモンド状カーボン保護層を設けることが
有効とされている。しかしながら、この保護層は磁気ヘ
ッド/磁気記録層間のスペーシングロスともなるので、
むやみに厚さを増加することはできず、例えば5nm〜
10nmの厚さが採用される。このためカーボン系保護
層だけでは充分な耐久性を得ることは困難で、さらにト
ップコート層を設ける試みがなされている。トップコー
ト層としては、含フッ素有機化合物や、リン酸エステル
等の含リン有機化合物を塗布や気相成長により形成する
例がある。一例として、ダイアモンド状カーボン上に含
フッ素カルボン酸を3〜4nmの厚さに真空蒸着する方
法が、特開平7−57254号公報および特開平6−1
68436号公報に開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、今後一
層磁気記録層表面の平滑性が要求され、より厳しい走行
条件下での耐久性が求められることが予想される。本発
明はかかる現状に鑑み提案するものであり、摩擦係数が
低く、安定した走行性および耐久性が得られる金属薄膜
型磁気記録媒体およびその製造方法を提供することをそ
の課題とする。
層磁気記録層表面の平滑性が要求され、より厳しい走行
条件下での耐久性が求められることが予想される。本発
明はかかる現状に鑑み提案するものであり、摩擦係数が
低く、安定した走行性および耐久性が得られる金属薄膜
型磁気記録媒体およびその製造方法を提供することをそ
の課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、上述した課題を解決するために提案するものであ
り、非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜型磁気記録層
と、硬質カーボン系保護層と、潤滑剤層とをこの順に有
する磁気記録媒体において、この潤滑剤層は、下記一般
式(1)で示されるグリセリド構造を有する化合物、お
よび下記一般式(2)で示されるグリセリド構造を有す
る化合物の重合体のうちのいずれか少なくとも一種を含
むことを特徴とする。
は、上述した課題を解決するために提案するものであ
り、非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜型磁気記録層
と、硬質カーボン系保護層と、潤滑剤層とをこの順に有
する磁気記録媒体において、この潤滑剤層は、下記一般
式(1)で示されるグリセリド構造を有する化合物、お
よび下記一般式(2)で示されるグリセリド構造を有す
る化合物の重合体のうちのいずれか少なくとも一種を含
むことを特徴とする。
【化5】 (ただし一般式(1)において、Rは飽和脂肪族アルキ
ル基を表し、R中の水素の少なくとも一部はフッ素で置
換されていてもよい。)
ル基を表し、R中の水素の少なくとも一部はフッ素で置
換されていてもよい。)
【化6】 (ただし一般式(2)において、R’は不飽和脂肪族ア
ルキル基を表し、R’中の水素の少なくとも一部はフッ
素で置換されていてもよい。)
ルキル基を表し、R’中の水素の少なくとも一部はフッ
素で置換されていてもよい。)
【0008】つぎに本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜型磁気記録層
と、硬質カーボン系保護層と、潤滑剤層とをこの順に形
成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法において、
この潤滑剤層の形成工程は、少なくとも下記一般式
(1)で示されるグリセリド構造を有する化合物を含む
潤滑剤を塗布する工程を有することを特徴とする。
は、非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜型磁気記録層
と、硬質カーボン系保護層と、潤滑剤層とをこの順に形
成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法において、
この潤滑剤層の形成工程は、少なくとも下記一般式
(1)で示されるグリセリド構造を有する化合物を含む
潤滑剤を塗布する工程を有することを特徴とする。
【化7】 (ただし一般式(1)において、Rは飽和脂肪族アルキ
ル基を表し、R中の水素の少なくとも一部はフッ素で置
換されていてもよい。)
ル基を表し、R中の水素の少なくとも一部はフッ素で置
換されていてもよい。)
【0009】本発明の他の磁気記録媒体の製造方法は、
非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜型磁気記録層と、
硬質カーボン系保護層と、潤滑剤層とをこの順に形成す
る工程を有する磁気記録媒体の製造方法において、この
潤滑剤層の形成工程は、少なくとも下記一般式(2)で
示されるグリセリド構造を有する化合物を含む潤滑剤を
塗布しこれを加熱処理する工程を有することを特徴とす
る。
非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜型磁気記録層と、
硬質カーボン系保護層と、潤滑剤層とをこの順に形成す
る工程を有する磁気記録媒体の製造方法において、この
潤滑剤層の形成工程は、少なくとも下記一般式(2)で
示されるグリセリド構造を有する化合物を含む潤滑剤を
塗布しこれを加熱処理する工程を有することを特徴とす
る。
【化8】 (ただし一般式(2)において、R’は不飽和脂肪族ア
ルキル基を表し、R’中の水素の少なくとも一部はフッ
素で置換されていてもよい。)
ルキル基を表し、R’中の水素の少なくとも一部はフッ
素で置換されていてもよい。)
【0010】本発明の磁気記録媒体およびその製造方法
において、 一般式(1)中のRおよび一般式(2)中
のR’中の炭素数は、均一な薄膜形成能力および塗布液
の溶媒への溶解性等の観点から10以上30以下である
ことが望ましい。
において、 一般式(1)中のRおよび一般式(2)中
のR’中の炭素数は、均一な薄膜形成能力および塗布液
の溶媒への溶解性等の観点から10以上30以下である
ことが望ましい。
【0011】本発明の磁気記録媒体の製造方法におい
て、潤滑剤層の塗布厚は特に限定はされないが、一例と
して0.2nm以上3nm以下の膜厚が採用される。膜
厚が0.2nm未満では充分な耐久性および走行性安定
性が得られず、3nmを超えるとやはり耐久性が低下
し、磁気ドラム等への貼り付き現象が発生する。潤滑剤
層の厚さは0.5nm以上1.5nm以下であることが
さらに望ましい。
て、潤滑剤層の塗布厚は特に限定はされないが、一例と
して0.2nm以上3nm以下の膜厚が採用される。膜
厚が0.2nm未満では充分な耐久性および走行性安定
性が得られず、3nmを超えるとやはり耐久性が低下
し、磁気ドラム等への貼り付き現象が発生する。潤滑剤
層の厚さは0.5nm以上1.5nm以下であることが
さらに望ましい。
【0012】潤滑剤の塗布方法は特に限定されないが、
グラビアコーティング、ディップコーティング等の各種
塗布方法が適用される。二重結合や三重結合を含む不飽
和脂肪族アルキル基を有するグリセリド構造を有する化
合物の場合には、この潤滑剤を塗布後、さらに大気等の
酸化性雰囲気中で加熱する工程を有することが望まし
い。この加熱処理により、酸化とともに重合反応が進行
し、強靭な耐久性のある潤滑剤層が得られる。加熱処理
温度は特に限定されないが、酸化重合が促進される温度
以上、非磁性支持体等が熱劣化しない温度範囲以下、例
えば50℃以上120℃以下、好ましくは55℃以上1
00℃以下が採用される。
グラビアコーティング、ディップコーティング等の各種
塗布方法が適用される。二重結合や三重結合を含む不飽
和脂肪族アルキル基を有するグリセリド構造を有する化
合物の場合には、この潤滑剤を塗布後、さらに大気等の
酸化性雰囲気中で加熱する工程を有することが望まし
い。この加熱処理により、酸化とともに重合反応が進行
し、強靭な耐久性のある潤滑剤層が得られる。加熱処理
温度は特に限定されないが、酸化重合が促進される温度
以上、非磁性支持体等が熱劣化しない温度範囲以下、例
えば50℃以上120℃以下、好ましくは55℃以上1
00℃以下が採用される。
【0013】また硬質カーボン系保護層は、ダイアモン
ド状カーボン(DLC;Diamond Like C
arbon)が望ましい。ダイアモンド状カーボンは、
一例として化学的気相成長法(CVD;Chemica
l Vapor Deposition)やスパッタリ
ング等の物理的気相成長法(PVD;Physical
Vapor Deposition)法により形成す
ることができる。カーボン系保護層は一層で構成しても
良いし、下層に他の材料を設けて多層に形成しても良
い。かかる他の材料としては、SiO2 、Si3 N4 、
SiON、SiC、Al2 O3 、AlN、TiO2 、C
r2 O3 、TiN、TiC、ZrO2 、MgO、BN、
CoOあるいは非磁性金属等が例示される。
ド状カーボン(DLC;Diamond Like C
arbon)が望ましい。ダイアモンド状カーボンは、
一例として化学的気相成長法(CVD;Chemica
l Vapor Deposition)やスパッタリ
ング等の物理的気相成長法(PVD;Physical
Vapor Deposition)法により形成す
ることができる。カーボン系保護層は一層で構成しても
良いし、下層に他の材料を設けて多層に形成しても良
い。かかる他の材料としては、SiO2 、Si3 N4 、
SiON、SiC、Al2 O3 、AlN、TiO2 、C
r2 O3 、TiN、TiC、ZrO2 、MgO、BN、
CoOあるいは非磁性金属等が例示される。
【0014】金属薄膜型磁気記録層を形成する非磁性支
持体としては、通常の薄膜型磁気記録媒体で用いられる
ものはいずれも使用可能であり、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート等のポリ
エステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオ
レフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダ
イセテート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル等の
ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン等のビニリデン樹
脂、ポリカーボネート、ポリアミドイミド、ポリイミド
等の有機高分子が例示される。これら非磁性支持体の表
面には接着性向上のために、有機バインダからなる下地
材料層を設けてもよい。また、この下地材料層中や非磁
性支持体中に、SiO2 やラテックス等のフィラーを含
有させ、微細な表面突起を形成してもよい。これら表面
突起は、金属磁性薄膜の表面性を制御して、磁気記録テ
ープの走行性の向上に寄与する。さらにハードディスク
等の磁気記録媒体の場合には非磁性支持体としてAl系
金属、セラミクスやガラス等の剛体基板をもちいること
ができる。
持体としては、通常の薄膜型磁気記録媒体で用いられる
ものはいずれも使用可能であり、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリエチレン−2,6−ナフタレート等のポリ
エステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオ
レフィン類、セルローストリアセテート、セルロースダ
イセテート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル等の
ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン等のビニリデン樹
脂、ポリカーボネート、ポリアミドイミド、ポリイミド
等の有機高分子が例示される。これら非磁性支持体の表
面には接着性向上のために、有機バインダからなる下地
材料層を設けてもよい。また、この下地材料層中や非磁
性支持体中に、SiO2 やラテックス等のフィラーを含
有させ、微細な表面突起を形成してもよい。これら表面
突起は、金属磁性薄膜の表面性を制御して、磁気記録テ
ープの走行性の向上に寄与する。さらにハードディスク
等の磁気記録媒体の場合には非磁性支持体としてAl系
金属、セラミクスやガラス等の剛体基板をもちいること
ができる。
【0015】金属薄膜型磁気記録層は、強磁性金属を蒸
着やスパッタリングあるいはめっき等の薄膜形成技術に
より非磁性支持体上に形成したものである。強磁性金属
の材料としては、Co、FeあるいはNi等の単体強磁
性金属や、Co−Ni系合金、Co−Ni−Pt系合
金、Co−Cr合金、Co−Cr−Ta合金、Co−C
r−Pt合金等のCo系合金、Fe−Co−Ni合金、
Fe−Ni−B合金、Fe−Co−B合金、Fe−Co
−Ni−B合金等のFe系合金等や、これら強磁性材料
中や粒界に酸化物、窒化物あるいは炭化物等が析出した
構造からなるものが例示される。特に、面内磁化モード
による薄膜型磁気記録媒体では、非磁性支持体表面に対
し、斜め蒸着等で磁性層を形成して磁化容易軸を磁性層
の略面内に配向する。非磁性支持体上にBi、Sb、P
b、Sn、Ga、In、Ge、SiあるいはTi等の非
磁性下地層を形成しておき、ここに非磁性支持体表面の
垂直方向から強磁性金属を蒸着あるいはスパッタリング
してもよい。かかる非磁性下地層を介在させることによ
り、非磁性金属を磁性層中に拡散したり、磁性層のモホ
ロジ(morphology) を制御して面内等方性磁化を付与す
るとともに、抗磁力を向上することができる。金属薄膜
型磁気記録層は単層あるいは積層で用いられる。積層の
場合には、中間層として非磁性層を介在させてもよい。
着やスパッタリングあるいはめっき等の薄膜形成技術に
より非磁性支持体上に形成したものである。強磁性金属
の材料としては、Co、FeあるいはNi等の単体強磁
性金属や、Co−Ni系合金、Co−Ni−Pt系合
金、Co−Cr合金、Co−Cr−Ta合金、Co−C
r−Pt合金等のCo系合金、Fe−Co−Ni合金、
Fe−Ni−B合金、Fe−Co−B合金、Fe−Co
−Ni−B合金等のFe系合金等や、これら強磁性材料
中や粒界に酸化物、窒化物あるいは炭化物等が析出した
構造からなるものが例示される。特に、面内磁化モード
による薄膜型磁気記録媒体では、非磁性支持体表面に対
し、斜め蒸着等で磁性層を形成して磁化容易軸を磁性層
の略面内に配向する。非磁性支持体上にBi、Sb、P
b、Sn、Ga、In、Ge、SiあるいはTi等の非
磁性下地層を形成しておき、ここに非磁性支持体表面の
垂直方向から強磁性金属を蒸着あるいはスパッタリング
してもよい。かかる非磁性下地層を介在させることによ
り、非磁性金属を磁性層中に拡散したり、磁性層のモホ
ロジ(morphology) を制御して面内等方性磁化を付与す
るとともに、抗磁力を向上することができる。金属薄膜
型磁気記録層は単層あるいは積層で用いられる。積層の
場合には、中間層として非磁性層を介在させてもよい。
【0016】非磁性支持体の他方の面に、塗布型あるい
は薄膜型のバックコート層を設けてもよい。バックコー
ト層の構成は特に限定されない。塗布バックコート層は
非磁性粒子を有機バインダ中に分散させたものであり、
非磁性粒子の材料としては例えばヘマタイト、ベーマイ
ト、溶融アルミナ、α,β,γ−アルミナ等の各種アル
ミナ、雲母、カオリン、タルク、粘土、シリカ、酸化マ
グネシウム、酸化チタン(ルチルおよびアナターゼ)、
酸化亜鉛、硫化亜鉛、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウ
ム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸鉛、硫化タング
ステン等の無機化合物、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリイミド、ポリテトラフフルオロエチレン等の高
分子樹脂、デンプン、あるいは非磁性金属等が例示され
る。非磁性粒子は、平均粒子径0.05〜1μm、好ま
しくは0.1〜0.7μmの大きさのものが使用され、
有機バインダ100重量部に対して通常1〜20重量部
の範囲で添加される。また粒子形状は塗料適性や耐久性
等の観点から、略球形、略正多面体等の等方的な形状を
有するものが好ましい。
は薄膜型のバックコート層を設けてもよい。バックコー
ト層の構成は特に限定されない。塗布バックコート層は
非磁性粒子を有機バインダ中に分散させたものであり、
非磁性粒子の材料としては例えばヘマタイト、ベーマイ
ト、溶融アルミナ、α,β,γ−アルミナ等の各種アル
ミナ、雲母、カオリン、タルク、粘土、シリカ、酸化マ
グネシウム、酸化チタン(ルチルおよびアナターゼ)、
酸化亜鉛、硫化亜鉛、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウ
ム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸鉛、硫化タング
ステン等の無機化合物、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリイミド、ポリテトラフフルオロエチレン等の高
分子樹脂、デンプン、あるいは非磁性金属等が例示され
る。非磁性粒子は、平均粒子径0.05〜1μm、好ま
しくは0.1〜0.7μmの大きさのものが使用され、
有機バインダ100重量部に対して通常1〜20重量部
の範囲で添加される。また粒子形状は塗料適性や耐久性
等の観点から、略球形、略正多面体等の等方的な形状を
有するものが好ましい。
【0017】また塗布バックコート層に用いる有機バイ
ンダ材料としては、これも特に限定されないが、従来よ
り使用されている熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型
樹脂等のすべてが使用可能である。熱可塑性樹脂は、熱
硬化性樹脂や反応型樹脂等と混合して用いることが望ま
しい。樹脂の分子量としては、平均分子量5,000な
いし200,000のものが好適であり、10,000
ないし100,000のものがさらに好適である。熱可
塑性樹脂としては、例えば塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、フッ化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体、塩化ビニ
ル−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニリデン−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリル
ニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−
塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化
ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデ
ン共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合
体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、スチレン
−ブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ルポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ートポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロース誘導
体(セルロースアセテートブチレート、セルロースダイ
アセテート、セルローストリアセテート、セルロースプ
ロピオネート、ニトロセルロース等)、スチレンブタジ
エン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、各種合
成ゴム系等があげられる。また熱硬化性樹脂および反応
型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン硬化型樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、
メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリ
アミン樹脂、高分子量ポリエステル樹脂とイソシアネー
トプレポリマの混合物、ポリエステルポリオールとポリ
イソシアネートの混合物、低分子量グリコールと高分子
量ジオールとイソシアネートの混合物等、およびこれら
樹脂の混合物が例示される。これらの樹脂のうち、柔軟
性を付与するとされるポリウレタン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体等の使用が好ましい。これらの樹脂は、
非磁性粒子の分散性を向上するために−SO3 M、−O
SO3 M、−COOM、あるいは −PO(OM’)2
等の極性官能基を含有していてもよい(但し、MはHま
たはLi、Ka、Na等のアルカリ金属、M’はHまた
はLi、Ka、Na等のアルカリ金属またはアルキル基
をあらわす)。極性官能基としてはこの他に−NR1 R
2 、−NR1 R2 R3 + X- の末端基を有する側鎖型の
もの、>NR1 R2 + X- の主鎖型のもの等がある(こ
こでR1 、R2、R3 は水素原子または炭化水素基であ
り、X- はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンイ
オンあるいは無機、有機イオンをあらわす)。この他に
−OH、−SH、−CN、エポキシ基等の極性官能基で
あってもよい。これら極性官能基の含有量は10-1〜1
0-8mol/gであり、好ましくは10-2〜10-6mo
l/gである。これら有機バインダは単独で用いること
も可能であるが、2種類以上を併用することも可能であ
る。塗布バックコート層中におけるこれら有機バインダ
の量は、非磁性粒子100重量部に対して1〜200重
量部、好ましくは10〜50重量部である。
ンダ材料としては、これも特に限定されないが、従来よ
り使用されている熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型
樹脂等のすべてが使用可能である。熱可塑性樹脂は、熱
硬化性樹脂や反応型樹脂等と混合して用いることが望ま
しい。樹脂の分子量としては、平均分子量5,000な
いし200,000のものが好適であり、10,000
ないし100,000のものがさらに好適である。熱可
塑性樹脂としては、例えば塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、フッ化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−ビニルアルコール共重合体、塩化ビニ
ル−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニリデン−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリル
ニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−
塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化
ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデ
ン共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合
体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、スチレン
−ブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステ
ルポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ートポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロース誘導
体(セルロースアセテートブチレート、セルロースダイ
アセテート、セルローストリアセテート、セルロースプ
ロピオネート、ニトロセルロース等)、スチレンブタジ
エン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、各種合
成ゴム系等があげられる。また熱硬化性樹脂および反応
型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン硬化型樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、
メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリ
アミン樹脂、高分子量ポリエステル樹脂とイソシアネー
トプレポリマの混合物、ポリエステルポリオールとポリ
イソシアネートの混合物、低分子量グリコールと高分子
量ジオールとイソシアネートの混合物等、およびこれら
樹脂の混合物が例示される。これらの樹脂のうち、柔軟
性を付与するとされるポリウレタン樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体等の使用が好ましい。これらの樹脂は、
非磁性粒子の分散性を向上するために−SO3 M、−O
SO3 M、−COOM、あるいは −PO(OM’)2
等の極性官能基を含有していてもよい(但し、MはHま
たはLi、Ka、Na等のアルカリ金属、M’はHまた
はLi、Ka、Na等のアルカリ金属またはアルキル基
をあらわす)。極性官能基としてはこの他に−NR1 R
2 、−NR1 R2 R3 + X- の末端基を有する側鎖型の
もの、>NR1 R2 + X- の主鎖型のもの等がある(こ
こでR1 、R2、R3 は水素原子または炭化水素基であ
り、X- はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲンイ
オンあるいは無機、有機イオンをあらわす)。この他に
−OH、−SH、−CN、エポキシ基等の極性官能基で
あってもよい。これら極性官能基の含有量は10-1〜1
0-8mol/gであり、好ましくは10-2〜10-6mo
l/gである。これら有機バインダは単独で用いること
も可能であるが、2種類以上を併用することも可能であ
る。塗布バックコート層中におけるこれら有機バインダ
の量は、非磁性粒子100重量部に対して1〜200重
量部、好ましくは10〜50重量部である。
【0018】上述した有機バインダを架橋硬化する硬化
剤として、例えばポリイソシアネート等を添加すること
が可能である。ポリイソシアネートとしては、トリメチ
ロールプロパンと2,4−トリレンジイソシアネート
(TDI)の付加体(例えば商品名コロネートL−5
0)が一般的であるが、4,4−ジフェニルメタンジイ
ソシアネート(MDI)やヘキサンジイソシアネート
(HDI)等のアルキレンジイソシアネートの付加体を
使用してもよい。この他、テトラグリシジルメタキシレ
ンジアミン、テトラグリシジル−1,3−ビスアミノメ
チルシクロヘキサン、テトラグリシジルアミノジフェニ
ルメタン、トリグリシジル−p−アミノフェノール等の
ポリグリシジルアミン化合物、2−ジブチルアミノ−
4,6−ジメルカプト置換トリアジン等のポリチオール
化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等のエポキシ
化合物、エポキシ化合物とイソシアネート化合物の混合
物、エポキシ化合物とオキサゾリン化合物との混合物、
イミダゾール化合物とイソシアネート化合物の混合物、
無水メチルナジン酸等、従来より公知のものはいずれも
使用可能である。これら硬化剤の有機バインダへの配合
割合は、有機バインダ100重量部に対し5〜80重量
部、好ましくは10〜50重量部である。
剤として、例えばポリイソシアネート等を添加すること
が可能である。ポリイソシアネートとしては、トリメチ
ロールプロパンと2,4−トリレンジイソシアネート
(TDI)の付加体(例えば商品名コロネートL−5
0)が一般的であるが、4,4−ジフェニルメタンジイ
ソシアネート(MDI)やヘキサンジイソシアネート
(HDI)等のアルキレンジイソシアネートの付加体を
使用してもよい。この他、テトラグリシジルメタキシレ
ンジアミン、テトラグリシジル−1,3−ビスアミノメ
チルシクロヘキサン、テトラグリシジルアミノジフェニ
ルメタン、トリグリシジル−p−アミノフェノール等の
ポリグリシジルアミン化合物、2−ジブチルアミノ−
4,6−ジメルカプト置換トリアジン等のポリチオール
化合物、トリグリシジルイソシアヌレート等のエポキシ
化合物、エポキシ化合物とイソシアネート化合物の混合
物、エポキシ化合物とオキサゾリン化合物との混合物、
イミダゾール化合物とイソシアネート化合物の混合物、
無水メチルナジン酸等、従来より公知のものはいずれも
使用可能である。これら硬化剤の有機バインダへの配合
割合は、有機バインダ100重量部に対し5〜80重量
部、好ましくは10〜50重量部である。
【0019】塗布バックコート層と非磁性支持体との間
に、塗布バックコート層の接着性向上等の目的で、下部
塗布バックコート層を形成してもよい。下部塗布バック
コート層は、有機バインダ単独、あるいはカーボン粉末
および必要に応じて他の非磁性粉末および有機バインダ
を溶剤に溶解し塗料化し、これを非磁性支持体上に塗
布、乾燥することにより形成される。
に、塗布バックコート層の接着性向上等の目的で、下部
塗布バックコート層を形成してもよい。下部塗布バック
コート層は、有機バインダ単独、あるいはカーボン粉末
および必要に応じて他の非磁性粉末および有機バインダ
を溶剤に溶解し塗料化し、これを非磁性支持体上に塗
布、乾燥することにより形成される。
【0020】塗布バックコート層形成用の塗料に用いら
れる溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ル等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プ
ロピル、酢酸ブチル、乳酸エチル、エチレングリコール
モノアセテート等のエステル類、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、メチレン
クロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロ
ホルム、ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素等が
使用される。
れる溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノー
ル等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プ
ロピル、酢酸ブチル、乳酸エチル、エチレングリコール
モノアセテート等のエステル類、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、メチレン
クロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロ
ホルム、ジクロルベンゼン等のハロゲン化炭化水素等が
使用される。
【0021】非磁性支持体上に塗布バックコート層を形
成するための塗布方法は特に限定されず、エアドクタコ
ート、ブレードコート、エアナイフコート、スクィズコ
ート、含浸コート、リバースロールコート、トランスフ
ァロールコート、グラビアコート、キスコート、キャス
トコート、エクストルージョンコート、スピンコート等
従来の方法はいずれも採用可能である。非磁性支持体上
に形成された塗布バックコート層は、加熱空気等により
乾燥して有機溶剤を除去し、必要に応じて硬化処理を施
す。
成するための塗布方法は特に限定されず、エアドクタコ
ート、ブレードコート、エアナイフコート、スクィズコ
ート、含浸コート、リバースロールコート、トランスフ
ァロールコート、グラビアコート、キスコート、キャス
トコート、エクストルージョンコート、スピンコート等
従来の方法はいずれも採用可能である。非磁性支持体上
に形成された塗布バックコート層は、加熱空気等により
乾燥して有機溶剤を除去し、必要に応じて硬化処理を施
す。
【0022】薄膜バックコート層に採用される材料とし
ては、例えばカーボン、グラファイト、ダイアモンド状
カーボン、SiO2 、Si3 N4 、SiON、SiC、
Al2 O3 、AlN、TiO2 、Cr2 O3 、TiN、
TiC、ZrO2 、MgO、BN、CoOあるいは非磁
性金属等を単独あるいは複合膜として使用される。さら
にはポリパラキシリレン(商品名パリレン)やフッ素樹
脂等、真空薄膜形成技術を適用可能な有機高分子を用い
ることもできる。これら材料を単層あるいは積層で用い
てもよい。
ては、例えばカーボン、グラファイト、ダイアモンド状
カーボン、SiO2 、Si3 N4 、SiON、SiC、
Al2 O3 、AlN、TiO2 、Cr2 O3 、TiN、
TiC、ZrO2 、MgO、BN、CoOあるいは非磁
性金属等を単独あるいは複合膜として使用される。さら
にはポリパラキシリレン(商品名パリレン)やフッ素樹
脂等、真空薄膜形成技術を適用可能な有機高分子を用い
ることもできる。これら材料を単層あるいは積層で用い
てもよい。
【0023】薄膜バックコート層の形成方法は、真空薄
膜形成法すなわちDCスパッタリング法、RFスパッタ
リング法、イオンビームスパッタリング法、マグネトロ
ンスパッタリング法、反応性スパッタリング法等の各種
スパッタリング法や、蒸着法、反応性蒸着法、イオンプ
レーティング法等が採用される。プラズマCVD法やE
CRプラズマCVD法、減圧CVD法等を採用してもよ
い。有機高分子薄膜の場合には、蒸着法や原料モノマガ
スのプラズマ重合により形成することができる。いずれ
の方法においても、非磁性支持体やこの上に設けられた
塗布バックコート層が熱変形しないように非磁性支持体
等を冷却しながら形成することが望ましい。
膜形成法すなわちDCスパッタリング法、RFスパッタ
リング法、イオンビームスパッタリング法、マグネトロ
ンスパッタリング法、反応性スパッタリング法等の各種
スパッタリング法や、蒸着法、反応性蒸着法、イオンプ
レーティング法等が採用される。プラズマCVD法やE
CRプラズマCVD法、減圧CVD法等を採用してもよ
い。有機高分子薄膜の場合には、蒸着法や原料モノマガ
スのプラズマ重合により形成することができる。いずれ
の方法においても、非磁性支持体やこの上に設けられた
塗布バックコート層が熱変形しないように非磁性支持体
等を冷却しながら形成することが望ましい。
【0024】これらバックコート層上にも潤滑剤層を形
成してもよい。中でも薄膜型のバックコート層、特にダ
イアモンド状カーボンを採用する場合には、この表面に
本発明のグリセリド構造の化合物を含む滑剤層を設ける
ことにより、安定した走行性、耐久性を有する磁気記録
媒体を得ることができる。
成してもよい。中でも薄膜型のバックコート層、特にダ
イアモンド状カーボンを採用する場合には、この表面に
本発明のグリセリド構造の化合物を含む滑剤層を設ける
ことにより、安定した走行性、耐久性を有する磁気記録
媒体を得ることができる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体およ
びその製造方法につき、Co金属を磁気記録層に採用し
た金属薄膜形の磁気記録テープを例にとり、比較例を交
えながら詳細な説明を加える。
びその製造方法につき、Co金属を磁気記録層に採用し
た金属薄膜形の磁気記録テープを例にとり、比較例を交
えながら詳細な説明を加える。
【0026】最初に、本発明の磁気記録媒体の一例の概
略断面図を図1に示す。非磁性支持体1の一方の面に
は、下塗り層2、金属薄膜型磁気記録層3、硬質カーボ
ン系保護層4および潤滑剤層5が形成されている。また
非磁性支持体1の他方の面には、バックコート層6が形
成され、ディジタルビデオカッセット用の金属薄膜型磁
気テープが構成されている。
略断面図を図1に示す。非磁性支持体1の一方の面に
は、下塗り層2、金属薄膜型磁気記録層3、硬質カーボ
ン系保護層4および潤滑剤層5が形成されている。また
非磁性支持体1の他方の面には、バックコート層6が形
成され、ディジタルビデオカッセット用の金属薄膜型磁
気テープが構成されている。
【0027】次に、図1に示した磁気記録媒体の製造方
法の一例を説明する。厚さ7μm、幅150mmのPE
T(ポリエチレンテレフタレート)フィルムからなる非
磁性支持体1の片面に、アクリル酸エステルを主成分と
する水溶性ラテックスを分散させたエマルジョン溶液を
塗布し、粒子密度107 個/mm2 の表面突起を有する
下塗り層2を形成した。次に下塗り層2上に、リールツ
ーリール方式の連続巻き取り蒸着装置を用いて、金属薄
膜型磁気記録層3を形成した。蒸着条件の一例を下記に
示す。 蒸着用インゴット材 : 純コバルト 入射角 45〜90 ° 走行速度 0.17 m/sec 酸素導入量 3.3〜4.0×10-6 m3 /sec 蒸着時真空度 7×10-2 Pa 膜厚 200 nm この金属薄膜型磁気記録層3の磁気特性は、蒸着チャン
バ内に酸素を導入することにより保磁力Hc=110k
A/m、残留磁束密度Br=0.45Tに調整された。
法の一例を説明する。厚さ7μm、幅150mmのPE
T(ポリエチレンテレフタレート)フィルムからなる非
磁性支持体1の片面に、アクリル酸エステルを主成分と
する水溶性ラテックスを分散させたエマルジョン溶液を
塗布し、粒子密度107 個/mm2 の表面突起を有する
下塗り層2を形成した。次に下塗り層2上に、リールツ
ーリール方式の連続巻き取り蒸着装置を用いて、金属薄
膜型磁気記録層3を形成した。蒸着条件の一例を下記に
示す。 蒸着用インゴット材 : 純コバルト 入射角 45〜90 ° 走行速度 0.17 m/sec 酸素導入量 3.3〜4.0×10-6 m3 /sec 蒸着時真空度 7×10-2 Pa 膜厚 200 nm この金属薄膜型磁気記録層3の磁気特性は、蒸着チャン
バ内に酸素を導入することにより保磁力Hc=110k
A/m、残留磁束密度Br=0.45Tに調整された。
【0028】次にPETフィルムの他方の面(裏面)に
バックコート層6を形成した。バックコート層6用の塗
料は、一例として下記組成によった。 カーボン粒子 100 重量部 (旭カーボン社製 カーボンブラック#60) 有機バインダ 100 重量部 (ポリウレタンを主成分とする) 溶剤 250 重量部 (メチルエチルケトン/トルエン/シクロヘキサノン=
2/2/1) この組成物をボールミルで混合し、塗布直前に硬化剤
(コロネートL)を5重量部添加した。この塗料をグラ
ビアコータにより、乾燥塗布厚が0.6μmとなるよう
に塗布した。
バックコート層6を形成した。バックコート層6用の塗
料は、一例として下記組成によった。 カーボン粒子 100 重量部 (旭カーボン社製 カーボンブラック#60) 有機バインダ 100 重量部 (ポリウレタンを主成分とする) 溶剤 250 重量部 (メチルエチルケトン/トルエン/シクロヘキサノン=
2/2/1) この組成物をボールミルで混合し、塗布直前に硬化剤
(コロネートL)を5重量部添加した。この塗料をグラ
ビアコータにより、乾燥塗布厚が0.6μmとなるよう
に塗布した。
【0029】次に、金属薄膜型磁気記録層3上に硬質カ
ーボン系保護層4を形成した。図2に硬質カーボン系保
護層4形成用のCVD装置の一例として、プラズマCV
D装置の概略断面図を示す。非磁性支持体1の一方の面
に下塗り層2、金属薄膜型磁気記録層3、他の面にバッ
クコート層6を形成した被処理体ウェブ11を、巻きだ
しロール13から供給し、ガイドロール12、成膜ロー
ル19、ガイドロール12を経由して走行させ、巻き取
りロール14に巻き取る。成膜ロール19の軸方向の全
長には、その上部の開口を有する反応管15が配設され
ている。反応管15の下部にはガス導入口18が連結さ
れ、ここから炭化水素系ガスを主成分とする反応ガスが
導入される。反応管15内にはDC電源17からの+5
00〜2000VのDC電圧が印加されるメッシュ状の
電極16が収納されており、接地電位の成膜ロール19
との間で炭化水素系ガスのプラズマを生成し、走行する
被処理体ウェブ11表面に連続的にカーボン系保護層を
形成することができる。これらの構成部材は、真空チャ
ンバ22内に収容され、チャンバ内を排気系21により
所望の真空度に制御することが可能である。
ーボン系保護層4を形成した。図2に硬質カーボン系保
護層4形成用のCVD装置の一例として、プラズマCV
D装置の概略断面図を示す。非磁性支持体1の一方の面
に下塗り層2、金属薄膜型磁気記録層3、他の面にバッ
クコート層6を形成した被処理体ウェブ11を、巻きだ
しロール13から供給し、ガイドロール12、成膜ロー
ル19、ガイドロール12を経由して走行させ、巻き取
りロール14に巻き取る。成膜ロール19の軸方向の全
長には、その上部の開口を有する反応管15が配設され
ている。反応管15の下部にはガス導入口18が連結さ
れ、ここから炭化水素系ガスを主成分とする反応ガスが
導入される。反応管15内にはDC電源17からの+5
00〜2000VのDC電圧が印加されるメッシュ状の
電極16が収納されており、接地電位の成膜ロール19
との間で炭化水素系ガスのプラズマを生成し、走行する
被処理体ウェブ11表面に連続的にカーボン系保護層を
形成することができる。これらの構成部材は、真空チャ
ンバ22内に収容され、チャンバ内を排気系21により
所望の真空度に制御することが可能である。
【0030】図2に示すプラズマCVD装置により、先
に形成した金属薄膜型磁気記録層3上に硬質カーボン系
保護層4を成膜した。プラズマCVD条件の一例を下記
に示す。 導入ガス:キャリアガスで希釈したトルエン 反応圧力 10 Pa DC電圧 1.5 kV カーボン系保護層膜厚 10 nm このように硬質カーボン系保護層4を形成した長尺の試
料を作製し、これに潤滑剤層5を塗布して実施例1〜
5、および比較例1〜2の各磁気記録媒体を製造した。
に形成した金属薄膜型磁気記録層3上に硬質カーボン系
保護層4を成膜した。プラズマCVD条件の一例を下記
に示す。 導入ガス:キャリアガスで希釈したトルエン 反応圧力 10 Pa DC電圧 1.5 kV カーボン系保護層膜厚 10 nm このように硬質カーボン系保護層4を形成した長尺の試
料を作製し、これに潤滑剤層5を塗布して実施例1〜
5、および比較例1〜2の各磁気記録媒体を製造した。
【0031】実施例1 一般式(1)で示されるグリセリド構造を有する化合物
のうち、 R = C17H35(ステアリル基) のものをトルエンに1.0重量%の濃度で溶解して塗布
液を調製し、ダイレクトグラビア方式で硬質カーボン系
保護層4上に塗布した。塗布後の乾燥工程においては、
70℃の温度条件によるドライアにより加熱工程を加え
た。潤滑剤層5が形成された長尺試料を6.35mm幅
に裁断後、カセットに収納して実施例1の磁気記録媒体
を完成した。
のうち、 R = C17H35(ステアリル基) のものをトルエンに1.0重量%の濃度で溶解して塗布
液を調製し、ダイレクトグラビア方式で硬質カーボン系
保護層4上に塗布した。塗布後の乾燥工程においては、
70℃の温度条件によるドライアにより加熱工程を加え
た。潤滑剤層5が形成された長尺試料を6.35mm幅
に裁断後、カセットに収納して実施例1の磁気記録媒体
を完成した。
【0032】実施例2 一般式(1)で示されるグリセリド構造を有する化合物
として、 R = (CH2 )10(CF2 )9 CF3 で示される飽和部分フッ化アルキル基を採用した他は、
前実施例1に準拠して実施例2の磁気記録媒体を製造し
た。
として、 R = (CH2 )10(CF2 )9 CF3 で示される飽和部分フッ化アルキル基を採用した他は、
前実施例1に準拠して実施例2の磁気記録媒体を製造し
た。
【0033】実施例3 一般式(2)で示されるグリセリド構造を有する化合物
として、 R’ = (CH2)7CH=CHCH2CH=CH(C
H2)4CH3 で示される不飽和脂肪族アルキル基を採用した他は、前
実施例1に準拠して実施例3の磁気記録媒体を製造し
た。
として、 R’ = (CH2)7CH=CHCH2CH=CH(C
H2)4CH3 で示される不飽和脂肪族アルキル基を採用した他は、前
実施例1に準拠して実施例3の磁気記録媒体を製造し
た。
【0034】実施例4 一般式(2)で示されるグリセリド構造を有する化合物
として、 R’ = (CH2)7CH=CHCH2−CH=CH--
CH2CH=CHCH2CH3 で示される不飽和脂肪族アルキル基を採用した他は、前
実施例1に準拠して実施例4の磁気記録媒体を製造し
た。
として、 R’ = (CH2)7CH=CHCH2−CH=CH--
CH2CH=CHCH2CH3 で示される不飽和脂肪族アルキル基を採用した他は、前
実施例1に準拠して実施例4の磁気記録媒体を製造し
た。
【0035】実施例5 一般式(1)で示されるグリセリド構造を有する化合物
のうち、 R = C17H35(ステアリル基) と、一般式(2)で示されるグリセリド構造を有する化
合物として、 R’ = (CH2)7CH=CHCH2−CH=CH--
CH2CH=CHCH2CH3 で示される不飽和脂肪族アルキル基を1:1の重量比で
混合したものを採用した他は、前実施例1に準拠して実
施例5の磁気記録媒体を製造した。
のうち、 R = C17H35(ステアリル基) と、一般式(2)で示されるグリセリド構造を有する化
合物として、 R’ = (CH2)7CH=CHCH2−CH=CH--
CH2CH=CHCH2CH3 で示される不飽和脂肪族アルキル基を1:1の重量比で
混合したものを採用した他は、前実施例1に準拠して実
施例5の磁気記録媒体を製造した。
【0036】比較例1 潤滑剤として市販のパーフルオロポリエーテルを採用し
た他は、前実施例1に準拠して比較例1の磁気記録媒体
を製造した。
た他は、前実施例1に準拠して比較例1の磁気記録媒体
を製造した。
【0037】比較例2 一般式(2)で示されるグリセリド構造を有する化合物
として、 R’ = (CH2)7CH=CHCH2CH=CH(C
H2)4CH3 で示される不飽和脂肪族アルキル基を採用し、トルエン
に1.0重量%の濃度で溶解して塗布液を調製し、ダイ
レクトグラビア方式で硬質カーボン系保護層4上に塗布
した。塗布後の乾燥工程においては、20℃の温度条件
により送風乾燥した。潤滑剤層5が形成された長尺試料
を6.35mm幅に裁断後、カセットに収納して比較例
2の磁気記録媒体を完成した。
として、 R’ = (CH2)7CH=CHCH2CH=CH(C
H2)4CH3 で示される不飽和脂肪族アルキル基を採用し、トルエン
に1.0重量%の濃度で溶解して塗布液を調製し、ダイ
レクトグラビア方式で硬質カーボン系保護層4上に塗布
した。塗布後の乾燥工程においては、20℃の温度条件
により送風乾燥した。潤滑剤層5が形成された長尺試料
を6.35mm幅に裁断後、カセットに収納して比較例
2の磁気記録媒体を完成した。
【0038】これら各実施例および比較例の7種の磁気
記録媒体につき、市販のDVCカムコーダ(ソニー製V
X−1000)を用いて特性を評価した。評価項目は、
摩擦係数、スチル特性およびシャトル特性の3項目であ
る。以下、各測定項目の測定評価方法を示す。
記録媒体につき、市販のDVCカムコーダ(ソニー製V
X−1000)を用いて特性を評価した。評価項目は、
摩擦係数、スチル特性およびシャトル特性の3項目であ
る。以下、各測定項目の測定評価方法を示す。
【0039】摩擦係数の測定 測定装置の概略を図3に示す。ステンレス製のガイドピ
ンDを水平に配置し、この外周面に角度θにわたって磁
気記録媒体Pの潤滑剤層5側を案内させる。磁気記録媒
体Pの一端に、おもりWを係合し、このおもりWにより
テンションT1をかける。磁気記録媒体Pの他端は、一
定速度Vで移動する力測定装置Mの検出端に係合し、ガ
イドピンDと磁気記録媒体Pとの摺動時のテンションT
2の測定をおこなう。このとき下式の関係が成り立つ。 T2/T1=exp(μ・θ) この式より、摩擦係数μは次の式より求められる。 μ=(1/θ)ln(T2/T1) 実際の測定は、恒温高湿糟中40℃80%の雰囲気で1
00回シャトル走行させた後の磁気記録媒体について、
W=10gf、θ=90°、V=20mm/secの条
件を用い、25℃50%RHの測定環境下でおこなっ
た。
ンDを水平に配置し、この外周面に角度θにわたって磁
気記録媒体Pの潤滑剤層5側を案内させる。磁気記録媒
体Pの一端に、おもりWを係合し、このおもりWにより
テンションT1をかける。磁気記録媒体Pの他端は、一
定速度Vで移動する力測定装置Mの検出端に係合し、ガ
イドピンDと磁気記録媒体Pとの摺動時のテンションT
2の測定をおこなう。このとき下式の関係が成り立つ。 T2/T1=exp(μ・θ) この式より、摩擦係数μは次の式より求められる。 μ=(1/θ)ln(T2/T1) 実際の測定は、恒温高湿糟中40℃80%の雰囲気で1
00回シャトル走行させた後の磁気記録媒体について、
W=10gf、θ=90°、V=20mm/secの条
件を用い、25℃50%RHの測定環境下でおこなっ
た。
【0040】シャトル測定 40℃80%RHの測定評価環境下で8mmVTR試験
機により200回シャトル走行させた後、その再生出力
を初期再生出力と比較した。
機により200回シャトル走行させた後、その再生出力
を初期再生出力と比較した。
【0041】スチル測定 −5℃に制御した恒温糟中でスチル再生し、再生出力が
初期再生出力から3dB落ちるまでの時間を測定した。
初期再生出力から3dB落ちるまでの時間を測定した。
【0042】以上の各測定結果を〔表1〕にまとめて示
す。
す。
【0043】
【表1】
【0044】〔表1〕から明らかなように、実施例1お
よび2では、飽和アルキル基またはその部分フッ化物を
有するグリセリド構造の化合物を潤滑剤層に採用するこ
とにより、いずれの評価項目も改善が見られるが、特に
動摩擦係数の低減に大きな効果をもたらす。また実施例
3および実施例4では、不飽和の脂肪族アルキル基を有
するグリセリド構造を有する化合物の重合体を採用する
ことにより、いずれの評価項目も改善が見られるが、特
にスチルおよびシャトル耐久性の向上に大きな効果をも
たらす。さらに実施例5の磁気記録媒体の場合には、双
方の化合物の相乗効果によりいずれの評価項目において
も大きな改善が見られる。
よび2では、飽和アルキル基またはその部分フッ化物を
有するグリセリド構造の化合物を潤滑剤層に採用するこ
とにより、いずれの評価項目も改善が見られるが、特に
動摩擦係数の低減に大きな効果をもたらす。また実施例
3および実施例4では、不飽和の脂肪族アルキル基を有
するグリセリド構造を有する化合物の重合体を採用する
ことにより、いずれの評価項目も改善が見られるが、特
にスチルおよびシャトル耐久性の向上に大きな効果をも
たらす。さらに実施例5の磁気記録媒体の場合には、双
方の化合物の相乗効果によりいずれの評価項目において
も大きな改善が見られる。
【0045】これに対し、パーフルオロポリエーテルを
採用した比較例1の磁気記録媒体は一定の効果は得られ
るものの、満足すべき水準には至っていない。また比較
例2の磁気記録媒体は、潤滑剤として実施例3と同じ不
飽和アルキル基を有するグリセリド構造の化合物を採用
していながら、乾燥時の熱処理の有無が評価結果を分け
ている。これは熱処理時の酸化にともなう重合の促進に
より、強靭な耐久性のある潤滑剤層が形成されるためと
推測される。
採用した比較例1の磁気記録媒体は一定の効果は得られ
るものの、満足すべき水準には至っていない。また比較
例2の磁気記録媒体は、潤滑剤として実施例3と同じ不
飽和アルキル基を有するグリセリド構造の化合物を採用
していながら、乾燥時の熱処理の有無が評価結果を分け
ている。これは熱処理時の酸化にともなう重合の促進に
より、強靭な耐久性のある潤滑剤層が形成されるためと
推測される。
【0046】以上、本発明の磁気記録媒体およびその製
造方法につき詳細な説明を加えたが、これらは単なる例
示であり、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもの
ではない。
造方法につき詳細な説明を加えたが、これらは単なる例
示であり、本発明はこれら実施例に何ら限定されるもの
ではない。
【0047】例えば、実施例で採用したグリセリド化合
物の他に各種飽和脂肪族アルキル基および不飽和脂肪族
アルキル基を有するグリセリド化合物を採用することが
できる。
物の他に各種飽和脂肪族アルキル基および不飽和脂肪族
アルキル基を有するグリセリド化合物を採用することが
できる。
【0048】また、実施例は磁気記録媒体として純Co
からなる磁気記録層を用いたが、例えばCo−20%N
i等、各種の合金組成の薄膜型磁気記録テープに適用が
可能である。また非磁性支持体としてAl系金属やガラ
ス、セラミックス等を採用するハードディスク型の磁気
記録媒体についても、磁気記録層の耐久性が得られ、C
SS(Contact Start and Sto
p)特性の向上や、ヘッドクラッシュ等を低減すること
ができる。
からなる磁気記録層を用いたが、例えばCo−20%N
i等、各種の合金組成の薄膜型磁気記録テープに適用が
可能である。また非磁性支持体としてAl系金属やガラ
ス、セラミックス等を採用するハードディスク型の磁気
記録媒体についても、磁気記録層の耐久性が得られ、C
SS(Contact Start and Sto
p)特性の向上や、ヘッドクラッシュ等を低減すること
ができる。
【0049】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の磁気記録媒体およびその製造方法によれば、特定構造
の化合物を潤滑剤層に採用するより、磁気記録媒体の走
行性、耐久性を向上することができる。したがって、か
かる磁気記録媒体の採用により、高密度磁気記録再生シ
ステム全体の信頼性を高めることが可能となる。
の磁気記録媒体およびその製造方法によれば、特定構造
の化合物を潤滑剤層に採用するより、磁気記録媒体の走
行性、耐久性を向上することができる。したがって、か
かる磁気記録媒体の採用により、高密度磁気記録再生シ
ステム全体の信頼性を高めることが可能となる。
【図1】本発明の磁気記録媒体を磁気記録テープに適用
した例の概略断面図である。
した例の概略断面図である。
【図2】プラズマCVD装置の一例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図3】摩擦係数の測定装置の概略を示す図である。
1…非磁性支持体、2…下塗り層、3…金属薄膜型磁気
記録層、4…硬質カーボン系保護層、5…潤滑剤層、6
…バックコート層、11…被処理体ウェブ、12…ガイ
ドロール、13…巻きだしロール、14…巻き取りロー
ル、15…反応管、16…電極、17…DC電源、18
…ガス導入口、19…成膜ロール、21…排気系、22
…真空チャンバ
記録層、4…硬質カーボン系保護層、5…潤滑剤層、6
…バックコート層、11…被処理体ウェブ、12…ガイ
ドロール、13…巻きだしロール、14…巻き取りロー
ル、15…反応管、16…電極、17…DC電源、18
…ガス導入口、19…成膜ロール、21…排気系、22
…真空チャンバ
Claims (8)
- 【請求項1】 非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜型
磁気記録層と、硬質カーボン系保護層と、潤滑剤層とを
この順に有する磁気記録媒体において、 前記潤滑剤層は、 下記一般式(1)で示されるグリセリド構造を有する化
合物、および下記一般式(2)で示されるグリセリド構
造を有する化合物の重合体のうちのいずれか少なくとも
一種を含むことを特徴とする磁気記録媒体。 【化1】 (ただし一般式(1)において、Rは飽和脂肪族アルキ
ル基を表し、R中の水素の少なくとも一部はフッ素で置
換されていてもよい。) 【化2】 (ただし一般式(2)において、R’は不飽和脂肪族ア
ルキル基を表し、R’中の水素の少なくとも一部はフッ
素で置換されていてもよい。) - 【請求項2】 前記RおよびR’中の炭素数は10以上
30以下であることを特徴とする請求項1記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項3】 前記硬質カーボン系保護層は、ダイアモ
ンド状カーボンからなることを特徴とする請求項1記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項4】 非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜型
磁気記録層と、硬質カーボン系保護層と、潤滑剤層とを
この順に形成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法
において、 前記潤滑剤層の形成工程は、 少なくとも下記一般式(1)で示されるグリセリド構造
を有する化合物を含む潤滑剤を塗布する工程を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 【化3】 (ただし一般式(1)において、Rは飽和脂肪族アルキ
ル基を表し、R中の水素の少なくとも一部はフッ素で置
換されていてもよい。) - 【請求項5】 前記R中の炭素数は10以上30以下で
あることを特徴とする請求項4記載の磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項6】 非磁性支持体の一主面上に、金属薄膜型
磁気記録層と、硬質カーボン系保護層と、潤滑剤層とを
この順に形成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法
において、 前記潤滑剤層の形成工程は、 少なくとも下記一般式(2)で示されるグリセリド構造
を有する化合物を塗布し、加熱処理する工程を有するこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 【化4】 (ただし一般式(2)において、R’は不飽和脂肪族ア
ルキル基を表し、R’中の水素の少なくとも一部はフッ
素で置換されていてもよい。) - 【請求項7】 前記R’中の炭素数は10以上30以下
であることを特徴とする請求項6記載の磁気記録媒体の
製造方法。 - 【請求項8】 前記硬質カーボン系保護層を形成する工
程は、ダイアモンド状カーボンを化学的気相成長法およ
び物理的気相成長法のいずれかにより形成する工程であ
ることを特徴とする請求項4または6記載の磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3817597A JPH10241136A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3817597A JPH10241136A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241136A true JPH10241136A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12518060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3817597A Pending JPH10241136A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10241136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187090A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Hitachi Maxell Ltd | ガイド部材、磁気テープ駆動装置、磁気テープ |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP3817597A patent/JPH10241136A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011187090A (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Hitachi Maxell Ltd | ガイド部材、磁気テープ駆動装置、磁気テープ |
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