JPH10241618A

JPH10241618A - 荷電ビームによる観察，加工方法及びその装置

Info

Publication number: JPH10241618A
Application number: JP9041862A
Authority: JP
Inventors: Norimasa Nishimura; 規正西村; Junzo Azuma; 淳三東; Akira Shimase; 朗嶋瀬; Michinobu Mizumura; 通伸水村; Yuichi Hamamura; 有一濱村; Mikio Hongo; 幹雄本郷; Katsuro Mizukoshi; 克郎水越; Yasuhiro Koizumi; 裕弘古泉
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-02-26
Filing date: 1997-02-26
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】基板に形成された絶縁性パターンに欠陥が存在
する際、荷電ビームでは次第に基板表面に電荷が蓄積し
てしまい二次粒子検出による欠陥部分の観察が困難とな
る。【解決手段】基板１の欠陥部４の周辺に接地できるよう
な導電性薄膜８を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は荷電ビームによる観
察，加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体の高集積化に伴い、より微細なパ
ターンを低コストで露光するために、位相シフトマスク
の実用化が進められている。この位相シフトマスクの一
例を図５に示す。同図で、透明基板１上に回路パターン
形成用の遮光膜２、さらに深掘り型の位相シフタ３が回
路パターン形成予定領域上に交互に設けられている。図
５の（ａ）に示すように、位相シフタ３を透過した光は
隣り合うパターンを透過した光と位相がπずれるため
に、パターン境界での光の干渉により高解像度の露光が
可能になるようになっている。

【０００３】ところが、図５の（ｂ）に示すように、位
相シフタ３上に欠陥４が存在すると、欠陥部を透過した
光の位相振幅が大きくずれて、そのまま素子上に欠陥が
転写されてしまう。このため、この欠陥を検出し修正す
る事が、位相シフトマスクの実用化で重要な課題になっ
ている。図５の（ｂ）に示した位相シフタ３上の欠陥４
は欠陥検査装置により欠陥の位置を検出し、その欠陥位
置の座標データに基づき、欠陥があると思われる周辺部
分に静電レンズにより集束された荷電ビームを走査しな
がら照射して、基板から放出される二次電子或は二次イ
オンを二次粒子検出器により検出し、マスク表面の観察
を行った後、特開平４−４４９に記載されるイオンビー
ムを使用する方法などによって欠陥部分を修正する。ま
た、この際マスク基板への荷電ビームによるダメージを
防ぐ事も重要である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図５の（ｂ）に示した
位相シフタ３上の欠陥４は集束した荷電ビームを走査し
ながら照射して、基板から放出される二次電子或は二次
イオンを検出し、マスク表面の観察を行い、特開平４−
４４９に記載されるように欠陥部のみに集束イオンビー
ムを照射，走査し欠陥部を削りとる方法などによって修
正する。しかし、マスク自体が絶縁性であるため照射さ
れた荷電ビームの電荷はアースに逃げることなく、マス
ク表面に蓄積（チャージアップ）されて、照射される荷
電ビームが反発するため二次粒子像は次第にずれたり、
放電して二次粒子像に白すじが入る等欠陥部の観察は困
難となる。例えば、荷電ビームとして、イオンビームを
用いた場合、チャージアップを防止する手段の一つとし
て電子シャワーを用いて基板表面に蓄積されたイオンを
中和する方法がある。しかし、電子シャワーが加工部に
照射されるように構成する必要があることと、電子シャ
ワーを用いているため、二次粒子像として二次電子を検
出した像が得られず、二次イオンを検出した像でしか観
察できない。その場合二次イオンの収率が一次イオンの
数％と低いためコントラストの高い像が得られないなど
の課題が残る。このため、欠陥部分の検出及び修正加工
位置精度の低下が生じてしまう。

【０００５】本発明の目的は、絶縁物を含む基板上の欠
陥を高精度かつ簡便に検出，修正することのできる基板
加工方法とそれを実施するための装置を提供することに
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】絶縁物を含む基板上の欠
陥観察で二次粒子像の観察が困難になるのは基板自体が
絶縁性であるため、照射された荷電ビームの電荷がアー
スに逃げることなく、基板表面に蓄積（チャージアッ
プ）されて、照射される荷電ビームが反発されてしまう
ためである。したがって、基板自体を導電性に変え接地
すればチャージアップを防ぐことができる。これは、基
板表面に導電性の薄膜を設け接地することにより達成さ
れる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施例を図面を
用いて説明する。

【０００８】＜第１実施例＞本発明の第１実施例とし
て、位相シフトマスクの欠陥上に導電性薄膜を形成し、
位相シフタの欠陥を検出，修正する方法を図１を用いて
説明する。同図で１は透明基板、２は導電性遮光膜、３
は位相シフタ、４は欠陥である。前述したように位相シ
フタ３に欠陥４があると、欠陥部を透過した光の位相振
幅は大きくずれてしまう。そこで、この欠陥修正に集束
イオンビーム６を用いる。まず、あらかじめ欠陥検査装
置により欠陥の位置を検出し、その欠陥位置の座標デー
タに基づき、欠陥があると思われる周辺部分にガスノズ
ル５からＣＶＤガスを吹き付けながら、集束イオンビー
ムを照射して導電性薄膜８を形成する。ＣＶＤガスとし
ては、例えば、Ｗ(ＣＯ)₆を用いＷ膜を形成する。この
時、導電性薄膜の膜厚は欠陥の形状が埋もれてしまわな
い程度であり、５０nm以下が望ましい。また、導電性薄
膜は欠陥と思われる部分から基板ホルダにより接地され
ている導電性遮光膜までデポするか、導電性薄膜を含む
導電膜をプローバ等により直接接地する必要がある。そ
の後、集束イオンビーム６を走査し、形成した導電性薄
膜の表面から放出される二次粒子を二次粒子検出器７に
より検出して、走査イオン像を観察する。この走査イオ
ン像により、位相シフタの欠陥４の位置を検出し、集束
イオンビーム６の照射領域を設定し、欠陥部のみに集束
イオンビーム６を照射して欠陥４を除去，修正する。修
正後薄膜８はアンモニア等薄膜を十分溶融する溶液９で
洗浄，除去する。

【０００９】＜第２実施例＞本発明の第２実施例とし
て、アルゴンイオン照射によって位相シフトマスクの欠
陥上にタングステン等の導電性を持った薄膜を用いて欠
陥検出し、修正する方法を図２を用いて説明する。位相
シフタ３上の欠陥４を欠陥検査装置により検出し、その
欠陥位置の座標データに基づき、欠陥があると思われる
周辺部分にガスノズル５からＣＶＤガスとして例えばＷ
(ＣＯ)₆ガスを吹き付けながら、アルゴンイオンガン１
０によりアルゴンイオンを照射してタングステン薄膜８
を形成する。この時、第１実施例と同様、タングステン
薄膜８の膜厚は欠陥４の形状が埋もれてしまわない程度
であり、５０nm以下が望ましい。また、タングステン薄
膜８は欠陥と思われる部分から基板ホルダにより接地さ
れている導電性遮光膜までデポするか、導電性薄膜を含
む導電膜をプローバ等により直接接地する必要がある。
その後、第１実施例と同様に例えば集束イオンビーム６
を用いて欠陥４を観察，修正し、修正後タングステン薄
膜８はアンモニア溶液９により除去する。

【００１０】なお、構成方法は図６に示す構成方法と同
等な物になる。

【００１１】＜第３実施例＞本発明の第３実施例とし
て、レーザＣＶＤによって位相シフトマスクの欠陥上に
モリブデン等の導電性を持った薄膜を形成した後、欠陥
検出し、修正する方法を図３を用いて説明する。まず、
位相シフトマスクをレーザＣＶＤ装置内に導入し、レー
ザＣＶＤ装置のチャンバ内にＣＶＤガス１２を充填す
る。ＣＶＤガス１２として、例えばＭｏ(ＣＯ)₆を用い
る。しかる後、前述のように位相シフタ３上の欠陥４を
欠陥検査装置により検出し、その欠陥位置の座標データ
に基づき、欠陥があると思われる周辺部分にレーザ１１
を照射してＭｏ薄膜８を形成する。この時上記第１実施
例と同様、Ｍｏ薄膜８の膜厚は欠陥の形状が埋もれてし
まわない程度であり、５０nm以下が望ましい。また、Ｍ
ｏ薄膜８は欠陥４と思われる部分から接地されている導
電性遮光膜までデポする必要がある。その後、上記実施
例と同様に例えば集束イオンビーム６を用いて欠陥４を
観察，修正後Ｍｏ薄膜８はアンモニア溶液により除去す
る。

【００１２】＜第４実施例＞本発明の第４実施例とし
て、位相シフトマスクの欠陥上にパラジウム錯体等の導
電性を持った薄膜を用いて欠陥検出し、修正する方法を
図４を用いて説明する。位相シフタ３上の欠陥４を欠陥
検査装置により検出し、その欠陥位置の座標データに基
づき、欠陥があると思われる周辺部分にマイクロピペッ
ト１３からパラジウム錯体１４を微量塗布し、レーザ１
１を照射して、熱分解によりＰｄ薄膜８を形成する。こ
の時上記第１実施例と同様、Ｐｄ薄膜８の膜厚は欠陥４
の形状が埋もれてしまわない程度であり、５０nm以下が
望ましい。また、Ｐｄ薄膜８は欠陥４と思われる部分か
ら接地されている導電性遮光膜までデポする必要があ
る。その後、上記実施例と同様に例えば集束イオンビー
ム６を用いて欠陥４を観察，修正後Ｐｄ薄膜８は熱硫酸
により除去する。

【００１３】＜第５実施例＞本発明の第５実施例とし
て、液晶ＴＦＴ基板上の欠陥を検出，修正する方法を説
明する。プロジェクタ等１画素あたりの大きさが小さい
液晶ＴＦＴのデータ線若しくはゲート線の一部に断線が
生じた場合、ＴＦＴ基板は線欠陥を生じる。そこで、こ
の欠陥を検出する方法として荷電ビームを用いる。ま
ず、あらかじめ欠陥検査装置により欠陥の位置を検出
し、その欠陥位置の座標データに基づき、欠陥があると
思われる部分を実施例１ないし４を用いて観察，修正後
導電性薄膜を除去する。

【００１４】＜第６実施例＞本発明の第６実施例とし
て、ＬＳＩ基板表面が絶縁層で覆われている場合の観
察，加工方法を述べる。ＬＳＩ基板表面が絶縁層で覆わ
れている場合、位相シフトマスクの例と同様にチャージ
アップが発生し、二次粒子像の観察が困難となる。そこ
で、実施例１ないし４を用いて欠陥があると思われる部
分に導電性薄膜を形成した後、観察、必要に応じて諸々
の処理（例えば欠陥部の修正など）を行い、導電性薄膜
を除去する。また、ＬＳＩ基板の場合、多層構造での下
層欠陥を検出する方法として、例えば集束イオンビーム
で断面加工後、断面観察面に導電性薄膜を形成して接地
した後、断面観察を行う事も可能である。

【００１５】＜第７実施例＞本発明の第７実施例とし
て、アルゴンイオン照射によって位相シフトマスクの欠
陥上にカーボン等の導電性を持った薄膜を用いて欠陥検
出し、修正する方法を図６を用いて説明する。前述のよ
うに位相シフタ上の欠陥を欠陥検査装置により検出し、
その欠陥位置の座標データに基づき、欠陥があると思わ
れる周辺部分にガスノズル５からＣＶＤガスとして例え
ばピレン（Ｃ₁₆Ｈ₁₀）やナフタリン（Ｃ₁₀Ｈ₈）等のカ
ーボンを多く含む昇華性のガス１５を吹き付けながら、
アルゴンイオンガン１０によりアルゴンイオンを照射し
てカーボン薄膜を形成する。この時第１実施例と同様、
カーボン薄膜８の膜厚は欠陥４の形状が埋もれてしまわ
ない程度であり、５０nm以下が望ましい。また、カーボ
ン薄膜８は欠陥と思われる部分から基板ホルダにより接
地されている導電性遮光膜までデポするか、導電性薄膜
を含む導電膜をプローバ等により直接接地する必要があ
る。その後、第１実施例と同様に例えば集束イオンビー
ムを用いて欠陥を観察，修正する。修正後カーボン薄膜
８はアルゴンイオンガン１０のアルゴンガス１６を酸素
ガス１７に変え、酸素を照射することで除去したり、基
板を酸素雰囲気中で加熱若しくは紫外線照射するか、プ
ラズマによるアッシングで除去する。

【００１６】また、この時の装置構成は図７のように予
備室２０にイオンガンチャンバ２８を設けカーボン薄膜
を形成，除去する構成や図８のようにプロセスチャンバ
１８内にイオンガンチャンバ２８を設けプロセスチャン
バ内でカーボン薄膜を形成，除去する構成方法も考えら
れる。

【００１７】＜第８実施例＞本発明の第８実施例とし
て、実施例で形成した導電性薄膜の接地方法についてプ
ローバでより正確に接地する方法を図９に示す。

【００１８】まず、実施例のように、導電性薄膜８を欠
陥と思われる部分に形成する。この時、欠陥の観察に支
障をきたさない部分の導電性薄膜の膜厚ａを０.１〜０.
５μｍ程度に厚く形成する。その後、膜厚の厚い部分に
接地されたプローバ２９を導電性薄膜を貫通しないよう
にｂの高さ分だけ下げて接触させ接地する。ここで、プ
ローバとしてＳＴＭプローバを用いて導電性薄膜の膜厚
を観察し、膜厚の厚い部分にＳＴＭプローバ２９を導電
性薄膜を貫通しない様にｂの高さ分だけ下げて接触させ
接地するとより正確に接地できる。接地後は欠陥がある
と思われる周辺部分に静電レンズにより集束された荷電
ビームを走査しながら照射して、基板から放出される二
次電子或は二次イオンを二次粒子検出器により検出し、
観察，加工を行う。

【００１９】＜第９実施例＞本発明の第９実施例とし
て、実施例で形成した導電性薄膜の接地方法について、
スパッタにより導電性薄膜を局所的に形成し接地する方
法を図１０に示す。基板１の外側に近い部分に導電性の
膜８がある場合でその導電性は接地された基板ホルダと
接触させる事により接地できるが、中央部の孤立パター
ンは接地できない。そのため、スリットのある回転でき
る板３０を基板１の上部に置き、スリット部分を欠陥部
を含む位置の上部にあわせ、導電性薄膜形成用のターゲ
ット３１をアルゴンガス１６雰囲気中でスパッタして導
電性薄膜を基板の中央部から接地された外側の導電膜ま
で形成し接地する。スリットのある板は必ずしも回転す
る必要はなく１軸方向或は２軸方向に移動出来るもので
あっても良い。接地後は欠陥があると思われる周辺部分
に静電レンズにより集束された荷電ビームを走査しなが
ら照射して、基板から放出される二次電子或は二次イオ
ンを二次粒子検出器により検出し、観察，加工を行う。

【００２０】＜第１０実施例＞本発明の第１０実施例と
して、実施例で形成した導電性薄膜のチャージアップを
荷電ビームの相殺により防ぐ方法を図１１，図１２に示
す。実施例のように、導電性薄膜８を欠陥と思われる部
分に形成する。また、基板の裏面にも導電性膜３２を局
所的或は全面に形成する。その後、欠陥の観察を例えば
イオンビーム６を用いて行う場合は図１１のように基板
の端の導電性薄膜を含む導電膜に観察に使う荷電ビーム
とは逆の性質のビーム、この場合は電子ビーム３３を照
射する。図１２はこの電子ビームを観察に影響のない程
度の導電性薄膜を含む導電膜に斜めから入射させたもの
である。この時、基板の裏面の導電性膜と基板表面にお
ける容量、或は電圧を測定器３４によりモニタしながら
基板表面に電荷の蓄積がなくなるように電子ビームの電
流値を変化させる。ここで、電子ビームの加速電圧は二
次電子の放出が少なくなる必要があり、１keＶ以下にす
るのが望ましい。その後、実施例と同様に基板から放出
される二次電子或は二次イオンを二次粒子検出器により
検出し、観察，加工を行う。

【００２１】＜第１１実施例＞本発明の第１１実施例と
して、実施例で形成した導電性薄膜の接地方法につい
て、導電性のシート或はメッシュにより接地する方法を
述べる。実施例のように、導電性薄膜を欠陥があると思
われる部分に形成する。導電性薄膜を含む導電膜は観
察，加工領域の外まで導出し、観察，加工領域以外の場
所まで導出し、観察に支障をきたさないようにする。そ
の後、観察，加工に支障が無いように接地された導電性
のシート或はメッシュを一部または全面に被せ、これに
より接地する。この時、シート及びメッシュは基板表面
を傷付けない物が望ましい。接地後は欠陥があると思わ
れる周辺部分に静電レンズにより集束された荷電ビーム
を走査しながら照射して、基板から放出される二次電子
或は二次イオンを二次粒子検出器により検出し、観察，
加工を行う。

【００２２】ここで、マスク基板へのダメージを防ぐ方
法として特開平８−１２３０１２号公報に記載されるよ
うに修正前にマスク全面あるいは加工部周辺に平坦な面
を有するコート膜をマスク上に設けられた遮光膜パター
ンまたは位相シフタ層によって形成された段差よりも
１.２倍以上の膜厚で形成する方法も挙げられるが、平
坦な膜や膜厚の厚いものは二次粒子検出を困難にする。
このため実施例のようにマスク基板へのダメージを防ぎ
一様に薄い５０nm程度の膜が良い。

【００２３】

【発明の効果】本発明によれば、絶縁物を含む基板の観
察，加工が容易に出来る。特に位相シフトマスク上の欠
陥を容易に検出，修正できる。また、二次粒子像を検出
する際にマスク自体が導電性の膜で保護されるためイオ
ン源の打ち込みが減少し、チャージアップしないため二
次電子像，二次イオン像のどちらによる観察も可能であ
り、導電膜に適当なものを選ぶ事によって二次粒子の収
率も向上する。さらに、導電性の薄膜は後の洗浄工程で
十分に溶融するものや簡単に除去できるものを選べば導
電膜による汚染もなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の修正方法の説明図。

【図２】本発明の第２実施例の修正方法の説明図。

【図３】本発明の第３実施例の修正方法の説明図。

【図４】本発明の第４実施例の修正方法の説明図。

【図５】位相シフトマスクの一例の説明図。

【図６】本発明の第２，第７実施例の修正方法の説明
図。

【図７】本発明の第７実施例の修正方法の説明図。

【図８】本発明の第７実施例の修正方法の説明図。

【図９】本発明の第８実施例の修正方法の説明図。

【図１０】本発明の第９実施例の修正方法の説明図。

【図１１】本発明の第１０実施例の修正方法の説明図。

【図１２】本発明の第１０実施例の修正方法の説明図。

【符号の説明】

１…透明基板、２…導電性遮光膜、３…位相シフタ、４
…欠陥部分、５…ガスノズル、６…集束イオンビーム、
７…二次粒子検出器、８…導電性薄膜、９…洗浄用液
体。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者水村通伸神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者濱村有一神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者本郷幹雄神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者水越克郎神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者古泉裕弘東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を観
察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止す
るための導電性薄膜を局所的に選択，形成する事を特徴
とする荷電ビームによる観察，加工方法。
【請求項２】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を観
察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止す
るための導電性薄膜を所望の領域にガスノズルによりＣ
ＶＤガスを吹き付け上記荷電ビームにより形成すること
を特徴とする荷電ビームによる観察，加工方法。
【請求項３】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を観
察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止す
るための導電性薄膜を所望の領域にガスノズルによりＣ
ＶＤガスを吹き付けイオンガスにより形成することを特
徴とする荷電ビームによる観察，加工方法。
【請求項４】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を観
察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止す
るための導電性薄膜を所望の領域にＣＶＤガスを充満さ
せレーザにより形成することを特徴とする荷電ビームに
よる観察，加工方法。
【請求項５】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を観
察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止す
るための導電性薄膜を所望の領域にマイクロピペットに
より錯体を微量塗布しレーザにより形成することを特徴
とする荷電ビームによる観察，加工方法。
【請求項６】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を観
察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止す
るために５０nm以下の薄い導電性薄膜を局所的に選択，
形成する事を特徴とする荷電ビームによる観察，加工方
法。
【請求項７】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を観
察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止す
るために５０nm以下の薄い導電性薄膜を所望の領域にガ
スノズルによりＣＶＤガスを吹き付け上記荷電ビームに
より形成することを特徴とする荷電ビームによる観察，
加工方法。
【請求項８】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を観
察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止す
るために５０nm以下の薄い導電性薄膜を所望の領域にガ
スノズルによりＣＶＤガスを吹き付けイオンガスにより
形成することを特徴とする荷電ビームによる観察，加工
方法。
【請求項９】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を観
察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止す
るために５０nm以下の薄い導電性薄膜を所望の領域にＣ
ＶＤガスを充満させレーザにより形成することを特徴と
する荷電ビームによる観察，加工方法。
【請求項１０】荷電ビームによって絶縁物を含む基板を
観察，加工する際、上記荷電ビームの電荷の蓄積を防止
するために５０nm以下の薄い導電性薄膜を所望の領域に
マイクロピペットにより錯体を微量塗布しレーザにより
形成することを特徴とする荷電ビームによる観察，加工
方法。
【請求項１１】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９または１０において、上記薄膜は下地となる絶縁
物よりも二次電子或は二次イオンの放出が多い荷電ビー
ムによる観察，加工方法。
【請求項１２】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９または１０の電荷の蓄積を防止するための上記導
電性薄膜は直接、或は間接的に接地できる所に接続され
ている荷電ビームによる観察，加工方法。
【請求項１３】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９または１０の電荷の蓄積を防止するための上記導
電性薄膜の接地方法において、上記導電性薄膜を含む導
電膜をあらかじめ接地されたプローブを接触させ接地す
る荷電ビームによる観察，加工方法。
【請求項１４】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９または１０の電荷の蓄積を防止するための上記導
電性薄膜の接地方法において、接地された基板ホルダと
基板上の導電膜を接触させ、その接地された上記導電膜
と観察領域の絶縁物が上記導電性薄膜を介して導通する
荷電ビームによる観察，加工方法。
【請求項１５】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９または１０の電荷の蓄積を防止するための上記導
電性薄膜の接地方法において、観察に用いる荷電ビーム
とは逆の性質の荷電ビームを上記導電性薄膜を含む導電
膜に電荷の蓄積がなくなるよう照射する荷電ビームによ
る観察，加工方法。
【請求項１６】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９または１０の電荷の蓄積を防止するための上記導
電性薄膜の接地方法において、接地された導電膜が絶縁
体の層の下にある場合は、その絶縁層を除去した上で導
電性薄膜を形成し接地する荷電ビームによる観察，加工
方法。
【請求項１７】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９または１０の電荷の蓄積を防止するための上記導
電性薄膜の接地方法において、導電性薄膜を含む導電膜
を観察，加工領域の外まで導出し、観察，加工領域以外
の場所に接地された導電性のシート或はメッシュを被
せ、これにより接地する荷電ビームによる観察，加工方
法。
【請求項１８】電子ビーム，イオンビーム等のエネルギ
ビームを発生するエネルギビーム源と、集束光学系，ス
テージ，二次粒子検出系，導電性薄膜デポ系、それらを
駆動制御するコントローラとを具備し、基板上に設けら
れた所定の絶縁性パターンを含む上記基板を加工するた
めの装置であって、上記ステージ上の基板の所望の領域
にエネルギビームを照射すると共に、所望の領域の状態
を二次粒子検出により観察できるようにしたことを特徴
とする荷電ビームによる観察，加工方法。