JPH10241893A - マイクロ波プラズマ発生装置 - Google Patents

マイクロ波プラズマ発生装置

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JPH10241893A
JPH10241893A JP9054033A JP5403397A JPH10241893A JP H10241893 A JPH10241893 A JP H10241893A JP 9054033 A JP9054033 A JP 9054033A JP 5403397 A JP5403397 A JP 5403397A JP H10241893 A JPH10241893 A JP H10241893A
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tube
insulating tube
wound
metal
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己拔 篠原
Satoshi Ishida
敏 石田
Hiroyuki Kamiyama
寛幸 上山
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Nihon Koshuha Co Ltd
Daihen Corp
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Nihon Koshuha Co Ltd
Daihen Corp
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/46Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

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  • Drying Of Semiconductors (AREA)
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  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構造で、絶縁管の冷却効果のよいマイ
クロ波プラズマ発生装置を提供する。 【解決手段】 マイクロ波導波管を貫通する絶縁管にプ
ロセス用ガスを導入してプラズマを発生させるマイクロ
波プラズマ発生装置において、該絶縁管に空冷用の金属
線もしくは金属棒を螺旋状に巻付ける。絶縁管の導波管
を貫通する部分に送風する送風手段を備える。巻付けた
金属線等は半田付けしてもよい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波を用い
るプラズマ発生装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウェーファーのCVD、プラズマ
アッシャー、エッチング等において、マイクロ波プラズ
マが使用されている。よく知られているように、プラズ
マとはイオン、電子、中性粒子を含む電離した気体で、
全体としては中性であるものをいい、用途に応じてマイ
クロ波電力、ガス流量、ガス圧が変わる。最近、半導体
ウェーファーの大型化や大面積化の要求が急速に高まっ
ており、これに対応するため耐電力の大きいプラズマ発
生部が必要となっている。
【0003】プラズマ発生部の、ガスを流すための絶縁
管は通常石英管が用いられ、プラズマ発生による消耗な
どのためこの絶縁管は消耗品として交換性のよいことが
必要である。絶縁管はマイクロ波電力が小さい場合は問
題はないが、1KW以上の電力を使用する場合は、使用
中、熱の発生により絶縁管が破損することが少なくな
い。そのため絶縁管の冷却が重要であり、従来冷却方法
として水冷用金属管を絶縁管に螺旋状に巻付けたり、絶
縁管の周囲に水の層を設けたりしてプラズマ発生装置の
構造が複雑となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みて提案されたもので、簡単な構造で、絶縁管の冷却
効果の良いマイクロ波プラズマ発生装置を提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明に係るマ
イクロ波プラズマ発生装置は、マイクロ波導波管を貫通
する絶縁管にプロセス用ガスを導入してプラズマを発生
させるマイクロ波プラズマ発生装置において、絶縁管に
空冷用の金属線もしくは金属棒が螺旋状に巻付けられて
いることを特徴とする。
【0006】上記絶縁管に螺旋状に巻き付けた金属線も
しくは金属棒は、絶縁管全体にわたって巻付けられてい
てもよいし、導波管を貫通する部分(導波管の内部でマ
イクロ波が照射される部分)のみに巻付けられていても
よい。あるいは、導波管を貫通する部分以外の部分が、
その上に金属製水冷管のコイルが巻付けられていて、螺
旋状の金属線もしくは金属棒の群が、絶縁管と金属製水
冷管のコイルの間の仲介物となる構成であってもよい。
また、絶縁管の導波管の内部にある部分が金属線もしく
は金属棒を螺旋状に巻付けられており、その他の部分は
金属製冷却管のコイルが巻付けられている構成であって
もよい。
【0007】本発明のマイクロ波プラズマ発生装置は、
前記金属線もしくは金属棒を巻付けた絶縁管を導波管の
外部から送風して冷却するための送風手段を備え、これ
を用いて送風することによりさらに冷却効果をよくする
ことができる。また、金属線もしくは金属棒が半田付け
されていてもよく、あるいは絶縁管のマイクロ波照射部
以外の部分がメタライズされていてもよい。これらはい
ずれも本発明における冷却をより効果的にする好ましい
手段である。
【0008】
【作用】本発明はマイクロ波プラズマ発生装置において
プラズマを発生させる絶縁管の外周囲に巻付けた熱伝導
性のよい金属線もしくは金属棒を介して、絶縁管内に発
生する熱を速やかに外部に放出することを利用して、よ
り高い冷却効果が得られるようにしたもので、さらに外
部からの送風により空冷効果を一層高くしようとするも
のである。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明に係るマイクロ波プラズマ
発生装置を、図に示した実施形態に基づいて具体的に説
明する。図1は本発明によるマイクロ波プラズマ発生装
置の実施形態の一例を示す正面図である。
【0010】図1において、1はマイクロ波電力を伝送
する偏平角筒状の方形導波管、3は方形導波管1を直角
に貫通するプラズマ発生用の絶縁管である。絶縁管3は
上部にプロセス用ガス導入口6と、下部に発生したプラ
ズマ出口7が設けられる。絶縁管3の導波管1の内部に
ある部分以外の部分(図示例においては導波管の外の上
下の部分)には、冷却用水管5がコイル状に巻付けられ
ている。勿論この冷却用水管と絶縁管との間には、金属
線もしくは金属棒が螺旋状に巻付けられていてもよい。
8は冷却用水管5の冷却水の入口、9は冷却水の出口で
ある。
【0011】絶縁管3の導波管1の中にある部分には、
本発明の特徴とする空冷用の金属線もしくは金属棒4が
コイル状に巻き付けられている。その巻付け方は金属線
もしくは金属棒が順次に隙間なく密接して巻付けられて
いてもよく、あるいは多少の間隔をおいて螺旋状に巻付
けられていてもよい。または、絶縁管に螺旋状に巻き付
けた金属線もしくは金属棒が半田付けされているのも好
ましい実施形態である。図示例には多少の間隔をおいて
金属線を巻き付けた状態を示した。
【0012】ここに用いられる金属線もしくは金属棒と
しては電気伝導性、熱伝導性および可撓性を兼ね備えた
材料であればよく特に限定はない。また金属線の太さ
(径)は、絶縁管にコイル状に巻き付けることが可能な
程度に可撓性を有する範囲であればよい。例えば径2mm
乃至4mmの銅線、その他の金属等が用いられる。そして
絶縁管3のこの金属線を巻いた部分は、導波管のマイク
ロ波の伝送軸と絶縁管3に対し横方向(図示例では紙面
に垂直な方向)から送風により空冷される。
【0013】方形導波管1のマイクロ波導入側に対し
て、絶縁管3を挟んで反対側には、方形導波管1内をロ
ッド10により外部からスライドさせるショートプラン
ジャ2が設けられている。このショートプランジャ2
は、絶縁管3のプロセス用ガス導入口6よりプロセス用
ガスを導入し、導波管1からマイクロ波電力を入射して
マイクロ波プラズマを発生させるとき、絶縁管の中のマ
イクロ波プラズマの発生が最も効率よく行える最適位置
に設定することができる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明によるマイク
ロ波プラズマ発生装置は上記の構成であるので、絶縁管
に水冷用パイプを巻付けたり、水の層を設けたりする従
来の方法に比べて構造が簡単であり、空冷により容易に
絶縁管を冷却することができる。実際に石英製絶縁管を
そのままで空冷した場合には、2.45GHzのマイクロ波
電力1KW以上を用いると発熱のため絶縁管が破損した
が、本発明による金属線を螺旋状に巻付けて送風空冷し
た絶縁管の場合は2KWのマイクロ波電力を用いても破
損しなかった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるプラズマ発生装置の正面図
【符号の説明】
1 方形導波管 2 ショートプランジャ 3 絶縁管 4 螺旋状金属線 5 冷却用水管 6 プロセス用ガス導入管 7 プラズマ出口 8 冷却水入口 9 冷却水出口

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マイクロ波導波管を貫通する絶縁管にプ
    ロセス用ガスを導入してプラズマを発生させるマイクロ
    波プラズマ発生装置において、該絶縁管に空冷用の金属
    線もしくは金属棒が螺旋状に巻付けられていることを特
    徴とするマイクロ波プラズマ発生装置。
  2. 【請求項2】 前記金属線もしくは金属棒を巻付けた絶
    縁管を導波管の外部から送風して冷却するための送風手
    段を備えた請求項1記載のマイクロ波プラズマ発生装
    置。
  3. 【請求項3】 金属線もしくは金属棒を巻付けた絶縁管
    の導波管の内部以外の部分に、金属製水冷管のコイルが
    巻付けられている請求項1記載のマイクロ波プラズマ発
    生装置。
  4. 【請求項4】 金属線もしくは金属棒が半田付けされて
    いる請求項1記載のマイクロ波プラズマ発生装置。
  5. 【請求項5】 絶縁管のマイクロ波照射部以外の部分が
    メタライズされている請求項1記載のマイクロ波プラズ
    マ発生装置。
JP9054033A 1997-02-21 1997-02-21 マイクロ波プラズマ発生装置 Expired - Lifetime JP2967060B2 (ja)

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US09/026,506 US5929570A (en) 1997-02-21 1998-02-19 Micro-wave plasma device with a metal cooling wire wrapped around the insulating tube

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JPH10241893A true JPH10241893A (ja) 1998-09-11
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007026861A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd リモートプラズマ発生ユニットの電界分布測定装置、リモートプラズマ発生ユニット、処理装置及びリモートプラズマ発生ユニットの特性調整方法
JP2007048516A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
CN106817834A (zh) * 2017-02-24 2017-06-09 中国航天空气动力技术研究院 一种高频感应等离子发生器双水冷电感线圈

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2420113A4 (en) 2009-04-14 2014-04-02 Rf Thummim Technologies Inc METHOD AND DEVICE FOR EXPLORING RESONANCES IN MOLECULES
US9295968B2 (en) 2010-03-17 2016-03-29 Rf Thummim Technologies, Inc. Method and apparatus for electromagnetically producing a disturbance in a medium with simultaneous resonance of acoustic waves created by the disturbance
US8633648B2 (en) 2011-06-28 2014-01-21 Recarbon, Inc. Gas conversion system
CN112055455B (zh) * 2020-10-22 2021-06-22 四川大学 一种微波等离子体炬无尖端放电的点火方法
CN115852344A (zh) * 2022-11-16 2023-03-28 武汉友美科自动化有限公司 一种微波等离子体化学气相沉积装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5673539A (en) * 1979-11-22 1981-06-18 Toshiba Corp Surface treating apparatus of microwave plasma
US4893584A (en) * 1988-03-29 1990-01-16 Energy Conversion Devices, Inc. Large area microwave plasma apparatus
US5389153A (en) * 1993-02-19 1995-02-14 Texas Instruments Incorporated Plasma processing system using surface wave plasma generating apparatus and method
US5568015A (en) * 1995-02-16 1996-10-22 Applied Science And Technology, Inc. Fluid-cooled dielectric window for a plasma system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007026861A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Tokyo Electron Ltd リモートプラズマ発生ユニットの電界分布測定装置、リモートプラズマ発生ユニット、処理装置及びリモートプラズマ発生ユニットの特性調整方法
JP2007048516A (ja) * 2005-08-08 2007-02-22 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
CN106817834A (zh) * 2017-02-24 2017-06-09 中国航天空气动力技术研究院 一种高频感应等离子发生器双水冷电感线圈

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