JPH10241911A - 非直線抵抗体 - Google Patents
非直線抵抗体Info
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- JPH10241911A JPH10241911A JP9043809A JP4380997A JPH10241911A JP H10241911 A JPH10241911 A JP H10241911A JP 9043809 A JP9043809 A JP 9043809A JP 4380997 A JP4380997 A JP 4380997A JP H10241911 A JPH10241911 A JP H10241911A
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Abstract
増加、大型化することができ、放電耐量特性に優れ、ま
た、大型化しても抵抗値のバラツキが少なく、放電耐量
特性や課電寿命特性に優れた非直線抵抗体を提供するこ
と。 【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、副成分として、ビ
スマスを酸化ビスマス(Bi2 O3 )に換算して0.1
〜5.0mol%、チタンを酸化チタン(TiO2 )に換算
して0.1〜5.0mol%それぞれ含有し、バリスタ電圧
(V1mA )が、20〜150V/mmであること。
Description
ブソーバ等に用いられる非直線抵抗体、特に酸化亜鉛を
主成分とした非直線抵抗体に関する。
る異常電圧を抑制し、電力系統や電子機器を保護するた
めに避雷器やサージアブソーバが用いられている。そし
て、この避雷器やサージアブソーバには、正常な電圧で
絶縁特性を示し、異常電圧が印加されたときに低抵抗特
性を示すことにより、系統や回路を保護する非直線抵抗
体が採用されている。
の通りである。原料は、ΖnOを主成分とし、これに副
成分として、例えば、特開平5−234716に示され
ているように、Bi2 O3 、Sb2 O3 、CoΟ、Μn
O、Cr2 O3 等を加えている。これらの原料を水及び
有機バインダーとともに十分混合した後、スプレードラ
イヤーなどで造粒し、成形及び焼結を行っている。この
後、焼結体の側面に沿面閃絡を防止するため高抵抗物質
を塗布し、再焼成して高抵抗層を形成する。そして、焼
結体の両端面を研磨し電極を取付けて、非直線抵抗体が
製造される。
減のため大容量化が進んでいる。例えば避雷器に使用さ
れる非直線抵抗体は、極めて大きなサージエネルギーを
処理する必要があり、非直線抵抗体の大容量化、並列接
続枚数の増加等の手段が用いられる。
のアンバランスを招き易い等の特性上の問題から制限さ
れ、必然的に非直線抵抗体の大容量化が図られなければ
ならない。しかし、素子径の増加は、それを収容する円
筒容器の直径により制限される。
体の立上がり電圧(バリスタ電圧,V1mA )と避雷器の
制限電圧との兼合いにより制限される。現状の非直線抵
抗体のバリスタ電圧は、180〜300V/mmである
が、これを低くすることができれば、非直線抵抗体の厚
さを増加することができ、エネルギー処理量の増加が図
れる。このため、バリスタ電圧の低い非直線抵抗体が望
まれていた。
形状は、直径が100〜120mm、厚さが20〜45mm
にもなる。このような大型の非直線抵抗体には、別の問
題が生じる。すなわち、大型の非直線抵抗体に使用され
る焼結体は、焼結時の部分的な焼成温度の不均一等の影
響により、ΖnO結晶粒子の異常粒成長が起こり、抵抗
値のバラツキが生じ易くなる。さらに、抵抗の低い部分
に電流が集中し、耐量特性の低下、寿命特性の低下を招
くといった間題があった。
非直線抵抗体はバリスタ電圧が高く、避雷器の制限電圧
による制約から、非直線抵抗体の厚さの増加が困難であ
った。また、大型化すると、焼結体に部分的な抵抗値の
バラツキが生じ、放電耐量特性や課電寿命特性が低下す
るといった問題があった。
で、バリスタ電圧を低くし、非直線抵抗体の厚さを増
加、大型化することができ、放電耐量特性に優れた非直
線抵抗体を提供することを目的とする。
ツキが少なく、放電耐量特性や課電寿命特性に優れた非
直線抵抗体を提供することを目的とする。
成するために、請求項1の発明に係る非直線抵抗体は、
酸化亜鉛を主成分とし、副成分として、ビスマスを酸化
ビスマス(Bi2 O3 )に換算して0.1〜5.0mol
%、チタンを酸化チタン(TiO2 )に換算して0.1
〜5.0mol%それぞれ含有し、バリスタ電圧(V1mA )
が、20〜150V/mmであることを特徴とする。
成分として、コバルトをCoΟに換算して01〜5.0
mol%含有することを特徴とする。
成分として、マンガンをΜnOに換算して0.1〜5.
0mol%含有することを特徴とする。
成分として、ニッケルをNiOに換算して0.1〜5.
0mol%含有することを特徴とする。
成分として、アルミニウムをA12O3 に換算して0.
5×10-3〜20×10-3mol%含有することを特徴とす
る。
ウ素をB2 O3 に換算して0.5×10-3〜20×10
-3mol%含有することを特徴とする。
をAg2 Oに換算して0.5×10-3〜20×10-3mo
l%含有することを特徴とする。
有されるビスマスが体心立方晶酸化ビスマスを形成する
ことを特徴とする。
されたものである。
の抵抗は、ΖnO粒子の粒界において発現する。したが
って、非直線抵抗体の抵抗は、粒界の数の逆数、すなわ
ちΖnO粒子の粒径によって決定される。ΖnO粒子の
成長は、添加される副成分により影響される。すなわ
ち、Bi2 O3 は、焼結中液相になり、ΖnΟを溶解
し、その移動を促進することによりΖnΟ結晶粒子の成
長を促進する。TiO2 は、そのΖnOの溶解度を上げ
ることにより、ΖnO結晶粒子の成長を促進する。この
2つの副成分により、ΖnO結晶粒子の成長が促進さ
れ、非直線抵抗体のバリスタ電圧(V1mA )を低くする
ことができると同時に、放電耐量が優れた非直線抵抗体
が得られると考えられる。
234716)に含まれる、アンチモン(Sb)、クロ
ム(Cr)を含んでいないが、これらは、焼成中、Ζn
Oと反応して複合酸化物を形成する。これらの複合酸化
物は、ΖnO結晶粒子の成長を阻害するため、バリスタ
電圧(V1mA )を低くすることができない。本発明で
は、この2つの成分を含まないため、良好なΖnΟ結晶
粒子を得ることができ、バリスタ電圧(V1mA )が低
く、良好な耐量特性を持つ非直線抵抗体が得られること
を確認している。
50V/mmとした理由は以下のように考えられる。バリ
スタ電圧(V1mA )が20V/mmより低い場合、避雷器
としての所定の制限電圧を得るためには、素子が大型に
なり、上記の副成分Bi2 O3 およびTiO2 を添加し
ても、均一な焼結体を得ることが困難なためである。バ
リスタ電圧(V1mA )が150V/mmを超えた場合、非
直線抵抗体の厚さを十分増やすことができず、放電耐量
の改善が図れないためである。
長くすることによっても、ΖnΟ結晶粒子の成長を進め
ることができる。したがって、焼成時間、焼成温度を適
宜選ぶことによりバリスタ電圧(V1mA )を20〜15
0V/mmとすることができる。
換算して0.1〜5.0mol%、チタンを、TiO2 に換
算して0.1〜5.0mol%とした理由は、これらの範囲
を外れると、非直線特性が悪くなるためである。
子中に固溶する。Co2+は、ΖnΟ粒子の粒界付近に存
在し、非直線特性発現の要因となる障壁を形成する。こ
のため、コバルトの添加により非直線特性が改善される
と考えられる。なお、CoOの添加量が、0.1mol%未
満では、添加量が少なく、非直線特性改善の効果が少な
い。また、5.0mol%を超えた場合では、Co2+量が多
くなり、粒界における抵抗が低くなり、非直線特性が劣
化すると考えられる。
子中に固溶する。Co2+同様Μn2+は、ΖnO粒子の粒
界付近に存在し、非直線特性発現の要因となる障壁を形
成する。以下、非直線特性が改善された理由は、CoO
を添加した場合と概略同様と考えられる。
子中に固溶する。Co2+同様Ni2+は、ΖnO粒子の粒
界付近に存在し、非直線特性発現の要因となる障壁を形
成する。以下、非直線特性が改善された理由は、CoΟ
を添加した場合と概略同様と考えられる。
晶粒子中に固溶する。Co2+同様A13+は、ΖnO粒子
の粒界付近に存在し、非直線特性発現の要因となる障壁
を形成する。非直線特性が改善される理由は、CoΟを
添加した場合と概略同様と考えられる。
子間に存在し、イオンの移動を阻害すると考えられ、こ
のため、課電寿命特性が改善されると考えられる。な
お、B2 O3 の添加量を、0.5×10-3〜20×10
-3mol%した理由は、B2 O3 の添加量が0.5×10-3
mol%未満では課電寿命特性の改善の効果が少ないためで
あり、また、20×10-3mol%を超えた場合では、B3+
の量が多く、非直線抵抗体の抵抗が低くなり、非直線特
性が低下するためである。
在し、イオンの移動を阻害すると考えられる。このた
め、銀の添加により課電寿命特性が改善されると考えら
れる。なお、Ag2 O添加量を0.5×10-3〜20×
10-3mol%とした理由は、Ag2 Oの添加量が、0.5
×10-3mol%未満では、添加量が少なく、課電寿命特性
改善の効果が少ないためであり、また、20×10-3mo
l%を超えた場合では、Ag+ 量が多くなり、非直線特性
の課電寿命特性が低下するためである。
体においては、酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビ
スマス、チタンを含むため、ΖnΟ結晶粒子径を均一に
大きくすることができる。さらに、バリスタ電圧を20
〜150V/mmとしているため、非直線抵抗体の厚さを
増やすことができ、サージ耐量を増加することができ
る。
いては、コバルト、マンガン、ニッケル、またはアルミ
ニウムを含有している。この結果、優れた非直線特性を
得ることができる。
おいては、銀またはホウ素を含有することにより優れた
寿命特性を得ることができる。
されるビスマスが体心立方晶酸化ビスマスを形成するこ
とにより優れた耐量特性を得ることができる。
参照して説明する。
秤量し、原料とした。この原料を水及び分散剤などの有
機バインダーとともに混合装置にて混合した。
で所定の粒径例えば100μmに噴霧造粒した。そし
て、この造粒粉を金型に入れ加圧し、円板等所定の形状
に成形することで成形体を得た。こうして得られた成形
体は、添加した有機バインダー類を除去するために空気
中で例えば500℃で焼成し、さらに空気中で1200
℃で2時間焼成することにより、図1に示す焼結体1を
得ることができた。そして、焼結体1の側面に焼成して
高抵抗となる絶縁物を塗布した後、焼成して高抵抗層2
を形成した。この後、焼結体1の両端面を研磨し、この
両端面にアルミニウムを溶射して電極3を形成した。こ
れにより図1に示す非直線抵抗体を得た。
抗体の電気特性について説明する。
1mA )、放電耐量特性、および非直線特性を表1に示
す。表1は、本実施形態の試料(実施例1〜11)と、
これに対する成分素成等が外れた試料(比較例1〜4)
とを示している。なお、放電耐量特性は、雷インパルス
(4/10)電流を、順次電流値を増加させながら印加
し、非直線抵抗体が耐えた電流値で示した。また、非直
線抵抗体はその厚さを調整し、非直線抵抗体1個のバリ
スタ電圧(V1mA )を同じにして、放電耐量試験を行っ
た。非直線特性は、5kAの電流を流したときに発生する
電圧V5kA とバリスタ電圧(V1mA )との比V5kA /V
1mA で示した。
実施形態の非直線抵抗体は、バリスタ電圧(V1mA )が
20〜150V/mmとなり、従来例に比べ、放電耐量特
性が良好であることがわかる。
2 をそれそれ、1mol%、また、CoOを所定量秤量し、
原料とした。製造方法は第1の実施形態と同様である。
本実施形態の非直線抵抗体は、第1実施形態と同様、V
1mA は20〜150V/mmであり、放電耐量特性も良好
である。
非直線性を図2に示す。図2に示した結果から明らかな
ように、非直線特性は、第1実施形態に比べて、さらに
改善されていることがわかる。
O2 をそれそれ、1mol%含み、C00を0.1〜5.0
mol%含む場合について示したが、Bi2 O3 を0.1〜
5.0mol%およびTiO2 を0.1〜5.0mol%含む場
合についも同様の効果が得られることを確認した。
2 をそれそれ1mol%、また、ΜnOを所定量秤量し、原
料とした。製造方法は第1実施形態と同様である。本実
施形態の非直線抵抗体は、第1実施形態と同様、V1mA
を20〜150V/mmとすることができ、放電耐量特性
も良好である。
非直線性を図3に示す。図3に示した結果から明らかな
ように、非直線特性は、第1実施形態に比べて、さらに
改善されていることがわかる。
2 をそれぞれ1mol%含みΜnOを0.1〜5.0mol%含
む場合について示したが、Bi2 O3 を0.1〜5.0
mol%、TiO2 を0.1〜5.0mol%、およびΜnOを
0.1〜5.0mol%含む場合について、さらに、Bi2
O3 を0.1〜5.0mol%、ΤiΟ2 を0.1〜5.0
mol%、CoOを0.1〜5.0mol%、およびΜnOを
0.1〜5.0mol%含む場合についても同様の効果が得
られることを確認した。
2 をそれそれ、1mol%、また、NiΟを所定量秤量し、
原料とした。製造方法は第1実施形態と同様である。
態と同様、V1mA は20〜150V/mmであり、放電耐
量特性も良好である。
非直線性を図4に示す。図4に示した結果から明らかな
ように、非直線特性は、第1実施形態に比べて、さらに
改善されていることがわかる。
2 をそれそれ1mol%含み、NiΟを0.1〜5.0mol%
含む場合について示したが、Bi2 O3 を0.1〜5.
0mol%、TiO2 を0.1〜5.0mol%、およびNiO
を0.1〜5.0mol%含む場合について、Bi2 O3 を
0.1〜5.0mol%、TiO2 を0.1〜5.0mol%、
CoOを0.1〜5.0mol%、およびNiOを0.1〜
5.0mol%含む場合について、さらに、Bi2 O3 を
0.1〜5.0mol%、Τi2 2を0.1〜5.0mol%、
CoΟを0.1〜5.0mol%、ΜnOを0.1〜5.0
mol%、およびNiOを0.1〜5.0mol%含む場合につ
いても同様の効果が得られることを確認した。
2 をそれそれ1mol%、また、Al2O3 を所定量秤量
し、原料とした。製造方法は第1実施形態と同様であ
る。
態と同様、V1mA は20〜150V/mmであり、放電耐
量特性も良好である。
非直線性を図5に示す。図5に示した結果から明らかな
ように、非直線特性は、第1実施形態に比べて、さらに
改善されていることがわかる。
2 をそれそれ1mol%含み、Al2 O3 を0.5×10-3
〜20×10-3mol%含む場合について示したが、Bi2
O3を0.1〜5.0mol%、TiO2 を0.1〜5.0m
ol%、およびAl2 O3 を0.5×10-3〜20Χ10
-3mol%含む場合についても同様の効果が得られる。
TiO2 を0.1〜5.0mol%、CoOを0.1〜5.
0mol%、およびAl2 O3 を0.5×10-3〜20×1
0-3mol%含む場合についても同様である。
%、TiO2 を0.1〜5.0mol%、CoOを0.1〜
5.0mol%、ΜnΟを0.1〜5.0mol%、およびAl
2 O3を0.5×10-3〜20×10-3mol%含む場合に
ついて、また、Bi2 O3 を0.1〜5.0mol%、Ti
Ο2 を0.1〜5.0mol%、CoOを0.1〜5.0mo
l%、ΜnOを0.1〜5.0mol%、NiOを0.1〜
5.0mol%、およびAl2O3 を0.1〜5.0mol%含
む場合についても同様の効果が得られることを確認し
た。
O2 をそれそれ1mol%、また、Αg2 Oを所定量秤量
し、原料とした。製造方法は第1実施形態と同様であ
る。
態と同様、V1mA は20〜150V/mmであり、放電耐
量特性、非直線特性も良好である。
寿命特性を図6に示す。寿命特性は、図6に示した結果
から明らかなように、寿命特性は、第1実施形態に比べ
て、さらに改善されていることがわかる。
2 をそれそれ1mol%含み、Αg2 Oを0.5×10-3〜
20×10-3mol%含む場合について示したが、Bi2 O
3 を0.1〜5.0mol%、TiO2 を0.1〜5.0mo
l%、CoOを5.0mol%以下、ΜnOを5.0mol%以
下、NiOを5.0mol%以下、およびAl2 O3 を20
×10-3mol%含み、Αg2 Oを0.5×10-3〜20×
10-3mol%含む場合についても同様の効果が得られるこ
とを確認している。
それそれ1mol%、また、B2 O3 を所定量秤量し、原料
とした。製造方法は第1実施形態と同様である。また、
比較のためにB2 O3 を添加しない非直線抵抗体も製造
した。本実施形態の非直線抵抗体は、第1実施形態と同
様、V1mA は3.0〜150V/mmであり、放電耐量特
性、非直線抵抗特性とも良好である。
課電寿命特性を図7に示す。課電寿命特性は、大気中、
120℃で、課電率はV1mA に対して100%で行っ
た。図7には、500時間課電した後の、V10μΑの変
化率を示した。図中、横軸にはB2 O3 添加量を対数目
盛で、縦軸にはV10μΑの変化率を示した。図7から明
らかなように、課電寿命特性は、第1実施形態に比べ改
善されていることがわかる。
2 をそれぞれ、1mol%含みB2 O3を0.5×10-3〜
20×10-3mol%含む場合について示したが、Bi2 O
3 を0.1〜5.0mol%、TiO2 を0.1〜5.0mo
l%、CoOを5.0mol%以下、ΜnΟを5.0mol%以
下、NiΟを5.0mol%以下、Al2 O3 を20×10
-3mol%以下、および、Αg2 Oを20×10-3mol%以下
含み、B2 O3 を0.5×10-3〜20×10-3mol%含
む場合についても同様の効果が得られることを確認して
いる。
それそれ1mol%秤量し、原料とした。製造方法は第1実
施形態と略同様であるが、本実施形態では、得られた焼
結体を、さらに450℃〜500℃で熱処理した。続い
て、側面高抵抗層形成以下第1実施形態と同様の製造方
法により、非直線抵抗体を製造した。
いて、Χ線回折測定を行ったところ、本実施形態につい
ては立方晶系酸化ビスマスが形成しているのに対し、比
較形態については、単斜晶系酸化ビスマスが形成してい
ることを確認した。
態と同様、V1mA は20〜150V/mmであり、非直線
特性も良好であった。
放電耐量特性を図8に示す。放電耐量特性は、20個の
非直線抵抗体に、雷インパルス(4/20)電流を、順
次電流値を増加させながら印加し、非直線抵抗体が耐え
た電流の平均値で示した。
実施形態の非直線抵抗体は、比較形態に比べ、放電耐量
特性が良好であることがわかる。
形態に比べて良好な非直線抵抗体が得られる理由は、概
略次のように考えられる。
μm程度のΖnO結晶粒子とこのΖnΟ結晶粒子を取り
囲む粒界層から形成されている。比較形態における粒界
層は、単斜晶系酸化ビスマスが形成されているのに対
し、本実施形態においては、立方晶系酸化ビスマスで構
成されていることが認められた。非直線抵抗体の強度は
ΖnO結晶粒子の粒界層との界面の強度によって決定さ
れる。本実施形態と比較形態について、破壊試験を行
い、その強度を比較したところΖnOと立方晶系酸化ビ
スマスとの界面の強度がより優れていることが認められ
た。
系酸化ビスマスが形成されているため、非直線抵抗体の
機械的強度が向上し、電流印加時に発生する熱応力に対
して十分耐え得ることができるため、放電耐量特性が向
上したと考えられる。
2 をそれそれ1mol%含み、立方晶系酸化ビスマスが形成
されている非直線抵抗体の場合について示したが、Bi
2 O3 を0.1〜5.0mol%、TiO2 を0.1〜5.
0mol%、CoOを5.0mol%以下、MnOを5.0mol%
以下、ΝiΟを5.0mol%以下、Al2 O3 を20×1
0-3mol%以下、Ag2 Οを20×10-3mol%以下、およ
び、B2 O3 を0.5×10-3〜20×10-3mol%含
み、立方晶系酸化ビスマスが形成されいている非直線抵
抗体の場合についても同様の効果が得られることを確認
している。
として酸化物を用いたが、これに限定されるものではな
く、焼成し、酸化物になるものであればよく、例えば、
水酸化物、炭酸化物、シュウ酸化物であっても、同様の
効果を得ることができる。また、成形体および焼結体の
大きさは適宜選択できる。
酸化亜鉛を主成分とし、副成分としてビスマス、チタン
を含み、ZnO結晶粒子径を均一に大きくし、バリスタ
電圧を20〜150V/mmとすることにより、非直線抵
抗体の厚さを増やすことができ、放電耐量特性を向上し
た非直線抵抗体を提供することができる。
ルト、マンガン、ニッケル、またはアルミニウムを含有
しているため、非直線特性に優れた非直線抵抗体を提供
することができる。
たはホウ素を含有しているため、非直線特性に優れた非
直線抵抗体を提供することができる。
立方晶酸化ビスマスを形成しているため、寿命特性に優
れた非直線抵抗体を提供することができる。
す断面図。
直線特性を示すグラフ。
直線特性を示すグラフ。
直線特性を示すグラフ。
直線特性を示すグラフ。
電寿命特性を示すグラフ。
電寿命特性を示すグラフ。
電耐量特性を示すグラフ。
Claims (8)
- 【請求項1】 酸化亜鉛を主成分とし、副成分として、
ビスマスを酸化ビスマス(Bi2 O3 )に換算して0.
1〜5.0mol%、チタンを酸化チタン(TiO2 )に換
算して0.1〜5.0mol%それぞれ含有し、バリスタ電
圧(V1mA )が、20〜150V/mmであることを特徴
とする非直線抵抗体。 - 【請求項2】 副成分として、コバルトを酸化コバルト
(CoO)に換算して0.1〜5.0mol%含有すること
を特徴とする請求項1記載の非直線抵抗体。 - 【請求項3】 副成分として、マンガンを酸化マンガン
(MnO)に換算して0.1〜5.0mol%含有すること
を特徴とする請求項1または請求項2記載の非直線抵抗
体。 - 【請求項4】 副成分として、ニッケルを酸化ニッケル
(NiO)に換算して0.1〜5.0mol%含有すること
を特徴とする請求項1乃至請求項3記載の非直線抵抗
体。 - 【請求項5】 アルミニウムを酸化アルミニウム(Al
2 O3 )に換算して0.5×10-3〜20×10-3mol%
含有することを特徴とする請求項1乃至請求項4記載の
非直線抵抗体。 - 【請求項6】 ホウ素を酸化ホウ素(B2 O3 )に換算
して5×10-3〜20×10-3mol%含有することを特徴
とする請求項1乃至請求項5記載の非直線抵抗体。 - 【請求項7】 銀を酸化銀(Ag2 Ο)に換算して0.
5×10-3〜20×10-3mol%含有することを特徴とす
る請求項1乃至請求項6記載の非直線抵抗体。 - 【請求項8】 含有されるビスマスが体心立方晶酸化ビ
スマスを形成することを特徴とする請求項1乃至請求項
7記載の非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9043809A JPH10241911A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9043809A JPH10241911A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 非直線抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241911A true JPH10241911A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12674081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9043809A Pending JPH10241911A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10241911A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2776076A1 (fr) * | 1998-03-11 | 1999-09-17 | Toshiba Kk | Compteur de decharges et element a resistance non lineaire pour compteur de decharges |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP9043809A patent/JPH10241911A/ja active Pending
Cited By (3)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A521 | Written amendment |
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|
| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040624 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040830 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041012 |