JPH10242008A - 電気二重層キャパシタ - Google Patents
電気二重層キャパシタInfo
- Publication number
- JPH10242008A JPH10242008A JP9078812A JP7881297A JPH10242008A JP H10242008 A JPH10242008 A JP H10242008A JP 9078812 A JP9078812 A JP 9078812A JP 7881297 A JP7881297 A JP 7881297A JP H10242008 A JPH10242008 A JP H10242008A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electric double
- layer capacitor
- double layer
- conductive polymer
- polymer film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 55
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 68
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 abstract description 31
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 25
- -1 polyethylene Polymers 0.000 abstract description 16
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 abstract description 8
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 abstract description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 abstract description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000123 paper Substances 0.000 abstract description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 229940077386 sodium benzenesulfonate Drugs 0.000 description 17
- MZSDGDXXBZSFTG-UHFFFAOYSA-M sodium;benzenesulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 MZSDGDXXBZSFTG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 17
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 9
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 9
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- XCMBPJMFGGKIOB-UHFFFAOYSA-M benzenesulfonate;tetraethylazanium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC.[O-]S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 XCMBPJMFGGKIOB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010220 ion permeability Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940085991 phosphate ion Drugs 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical group [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/13—Energy storage using capacitors
Landscapes
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 集電体に用いる貴金属の量を低減し、容量密
度を高めた電気二重層キャパシタを得ること。 【解決手段】 少なくとも一方の分極性電極として、高
導電性薄膜１と電解重合により製膜した導電性高分子２
との積層体を使用し、２つの分極性電極間にセパレータ
３を挟んで電気二重層キャパシタを構成する。
度を高めた電気二重層キャパシタを得ること。 【解決手段】 少なくとも一方の分極性電極として、高
導電性薄膜１と電解重合により製膜した導電性高分子２
との積層体を使用し、２つの分極性電極間にセパレータ
３を挟んで電気二重層キャパシタを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、容量密度を高め、
コストを低減した電気二重層キャパシタに関する。
コストを低減した電気二重層キャパシタに関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように電気二重層キャパシタは、
一対の分極性電極と、各分極性電極の集電電極と、両分
極性電極間に介在する多孔性のセパレータとによって主
として構成されている。各分極性電極とセパレータには
電解液が含侵されている。
一対の分極性電極と、各分極性電極の集電電極と、両分
極性電極間に介在する多孔性のセパレータとによって主
として構成されている。各分極性電極とセパレータには
電解液が含侵されている。
【０００３】このような分極性電極を形成する方法とし
て、集電体上に電解重合法で製膜した導電性高分子を用
いる方法が知られている。図８は、従来の分極性電極間
にセパレータを挟みこんだ電気二重層キャパシタの概念
構成図である。図において、金、白金等の集電体９に、
電解重合法によりポリピロール等の導電性高分子膜２を
製膜して分極性電極を形成する。この分極性電極をセパ
レータ３の両側に配置して電気二重層キャパシタの電極
部を構成する。
て、集電体上に電解重合法で製膜した導電性高分子を用
いる方法が知られている。図８は、従来の分極性電極間
にセパレータを挟みこんだ電気二重層キャパシタの概念
構成図である。図において、金、白金等の集電体９に、
電解重合法によりポリピロール等の導電性高分子膜２を
製膜して分極性電極を形成する。この分極性電極をセパ
レータ３の両側に配置して電気二重層キャパシタの電極
部を構成する。
【０００４】次に、従来の分極性電極を形成するための
実験例について説明する。縦１００ｍｍ、横５０ｍｍ、
厚さ約５０ミクロンの金箔を、縦５０ｍｍの深さまで
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリ
ウムと０．１（モル／リットル）のピロールを含有する
水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ
ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／
ｃｍ２）まで行った。このとき、ポリピロール膜厚は１
５ミクロンとなった。
実験例について説明する。縦１００ｍｍ、横５０ｍｍ、
厚さ約５０ミクロンの金箔を、縦５０ｍｍの深さまで
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリ
ウムと０．１（モル／リットル）のピロールを含有する
水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ
ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／
ｃｍ２）まで行った。このとき、ポリピロール膜厚は１
５ミクロンとなった。
【０００５】この分極性電極をもう１つ作成して、厚さ
０．０５ｍｍのナイロン系不織布を間に挟んで固定し、
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム水溶液に浸し、静電容量を測定したところ、３．０
ファラドであった。また、耐電圧特性は１．２Ｖであっ
た。
０．０５ｍｍのナイロン系不織布を間に挟んで固定し、
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリ
ウム水溶液に浸し、静電容量を測定したところ、３．０
ファラドであった。また、耐電圧特性は１．２Ｖであっ
た。
【０００６】電気二重層キャパシタに用いるセパレータ
は、両分極性電極の電気的な短絡を防ぎ、電気化学的に
安定でイオン透過性が大きく、ある程度の機械強度を備
えた、絶縁性の多孔体であればよい。具体的には、不織
布あるいは多孔性のポリプロピレンフイルム、ポリエチ
レンフイルムなどが利用できる。
は、両分極性電極の電気的な短絡を防ぎ、電気化学的に
安定でイオン透過性が大きく、ある程度の機械強度を備
えた、絶縁性の多孔体であればよい。具体的には、不織
布あるいは多孔性のポリプロピレンフイルム、ポリエチ
レンフイルムなどが利用できる。
【０００７】図９は、このような分極性電極を用いた電
気二重層キャパシタの一例を示す断面図である。図にお
いて、９は集電体、２は電解重合法により集電体上に製
膜されたポリピロール等の導電性高分子膜、３は不織布
等で形成されたセパレータ、４は缶、５はキャップ、６
はパッキンである。集電体９、導電性高分子膜２、セパ
レータ３は電解質に含浸されている。電解質としては、
プロトン、アルカリ金属イオン、４級アンモニウムイオ
ン、４級スルホニウムイオンなどの単独あるいは複数の
カチオンと、スルホン酸イオン、過塩素酸イオン、６フ
ッ化ヒ素イオン、ハロゲンイオン、リン酸イオン、硫酸
イオン、硝酸イオンの単独あるいは複数のアニオンを組
み合わせたものが使用される。
気二重層キャパシタの一例を示す断面図である。図にお
いて、９は集電体、２は電解重合法により集電体上に製
膜されたポリピロール等の導電性高分子膜、３は不織布
等で形成されたセパレータ、４は缶、５はキャップ、６
はパッキンである。集電体９、導電性高分子膜２、セパ
レータ３は電解質に含浸されている。電解質としては、
プロトン、アルカリ金属イオン、４級アンモニウムイオ
ン、４級スルホニウムイオンなどの単独あるいは複数の
カチオンと、スルホン酸イオン、過塩素酸イオン、６フ
ッ化ヒ素イオン、ハロゲンイオン、リン酸イオン、硫酸
イオン、硝酸イオンの単独あるいは複数のアニオンを組
み合わせたものが使用される。
【０００８】また、電気二重層キャパシタの耐電圧特性
を向上させるために、図１０に示すように、電気二重層
キャパシタのユニットＡ，Ｂを積層して直列に接続する
構成のものが用いられている。各ユニットＡ，Ｂは、図
９の構成のものを使用している。
を向上させるために、図１０に示すように、電気二重層
キャパシタのユニットＡ，Ｂを積層して直列に接続する
構成のものが用いられている。各ユニットＡ，Ｂは、図
９の構成のものを使用している。
【０００９】次に、図１０のような２つの電気二重層キ
ャパシタを積層して直列に接続する構成とする場合の製
造工程の例について説明する。直径１５Ｅ、厚さ約１ｍ
ｍのステンレス鋼に０．５ミクロンの金をスパッタリン
グにより形成して電極を作製した。重合させるための配
線は電極の裏面に銅のリード線を銀ペーストで接着して
作成した。不要な反応が電極裏面で起きないように電極
の裏面はシリコン樹脂で絶縁被覆した。これを０．１
（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムと
０．１（モル／リットル）のピロールを含有する水溶液
に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳ
ＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ
２）まで行った。このときポリピロール膜厚は１５ミク
ロンとなった。電極裏面のリード線とシリコン樹脂はそ
の後剥離した。
ャパシタを積層して直列に接続する構成とする場合の製
造工程の例について説明する。直径１５Ｅ、厚さ約１ｍ
ｍのステンレス鋼に０．５ミクロンの金をスパッタリン
グにより形成して電極を作製した。重合させるための配
線は電極の裏面に銅のリード線を銀ペーストで接着して
作成した。不要な反応が電極裏面で起きないように電極
の裏面はシリコン樹脂で絶縁被覆した。これを０．１
（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムと
０．１（モル／リットル）のピロールを含有する水溶液
に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳ
ＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ
２）まで行った。このときポリピロール膜厚は１５ミク
ロンとなった。電極裏面のリード線とシリコン樹脂はそ
の後剥離した。
【００１０】このようにして作成した電極をもう１個製
造して０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸
ナトリウム水溶液に浸した厚さ０．０５ｍｍのナイロン
系不織布を間に挟んで封缶した。このような封缶された
構造体をもう１個作成して直列に接続した。この電気二
重層キャパシタの静電容量は０．１ファラドであり、耐
電圧特性は２．４Ｖであった。完成品の形状は、直径が
１５ｍｍ、厚さが６ｍｍであり、全工程数は２３であっ
た。
造して０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸
ナトリウム水溶液に浸した厚さ０．０５ｍｍのナイロン
系不織布を間に挟んで封缶した。このような封缶された
構造体をもう１個作成して直列に接続した。この電気二
重層キャパシタの静電容量は０．１ファラドであり、耐
電圧特性は２．４Ｖであった。完成品の形状は、直径が
１５ｍｍ、厚さが６ｍｍであり、全工程数は２３であっ
た。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のようにして形成
される分極性電極は、集電体の体積が構成部品中に占め
る割合が大きく、容量密度を大きくすることが困難であ
るという問題があった。また、集電体として金や白金等
の貴金属を用いているので、これらの貴金属の使用量が
増大して電気二重層キャパシタが高価になるという問題
があった。
される分極性電極は、集電体の体積が構成部品中に占め
る割合が大きく、容量密度を大きくすることが困難であ
るという問題があった。また、集電体として金や白金等
の貴金属を用いているので、これらの貴金属の使用量が
増大して電気二重層キャパシタが高価になるという問題
があった。
【００１２】また、耐電圧を向上させるために図１０に
示したように複数の単位電気二重層キャパシタを積層し
て直列接続するものにおいては、製作工数が多くなり、
容量密度が十分に得られないという問題があった。
示したように複数の単位電気二重層キャパシタを積層し
て直列接続するものにおいては、製作工数が多くなり、
容量密度が十分に得られないという問題があった。
【００１３】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
であり、貴金属の使用量を低減することでコストを引下
げ、容量密度を増大した電気二重層キャパシタの提供を
目的とする。
であり、貴金属の使用量を低減することでコストを引下
げ、容量密度を増大した電気二重層キャパシタの提供を
目的とする。
【００１４】また、製作工数を増大させることなく耐電
圧特性を高め、容量密度を改善した電気二重層キャパシ
タの提供を目的とする。
圧特性を高め、容量密度を改善した電気二重層キャパシ
タの提供を目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記問題点は、対とされ
た分極性電極に電解液を含浸し、セパレータを介して構
成される電気二重層キャパシタにおいて、前記分極性電
極の少なくとも一方を、高導電性薄膜と電解重合により
製膜した導電性高分子膜との積層体により構成すること
によって達成される。
た分極性電極に電解液を含浸し、セパレータを介して構
成される電気二重層キャパシタにおいて、前記分極性電
極の少なくとも一方を、高導電性薄膜と電解重合により
製膜した導電性高分子膜との積層体により構成すること
によって達成される。
【００１６】また、対とされた分極性電極に電解液を含
浸し、セパレータを介して構成される電気二重層キャパ
シタにおいて、両面に電解重合により導電性高分子膜を
製膜した基板と、集電体の一方の面に電解重合により導
電性高分子膜が生成された２つの電極とを設け、前記基
板と２つの電極の導電性高分子膜が生成された面とを対
向配置し、前記基板に生成された導電性高分子膜と各電
極の導電性高分子間にそれぞれにセパレータを介在させ
て、積層構造としたことによって達成される。
浸し、セパレータを介して構成される電気二重層キャパ
シタにおいて、両面に電解重合により導電性高分子膜を
製膜した基板と、集電体の一方の面に電解重合により導
電性高分子膜が生成された２つの電極とを設け、前記基
板と２つの電極の導電性高分子膜が生成された面とを対
向配置し、前記基板に生成された導電性高分子膜と各電
極の導電性高分子間にそれぞれにセパレータを介在させ
て、積層構造としたことによって達成される。
【００１７】本発明の上記特徴によれば、高導電性薄膜
を形成するために使用される金等の貴金属は少量です
み、製造コストが低減できる。また、同じ電気的特性が
従来よりも小型の電気二重層キャパシタで得られるので
容量密度を増大できる。
を形成するために使用される金等の貴金属は少量です
み、製造コストが低減できる。また、同じ電気的特性が
従来よりも小型の電気二重層キャパシタで得られるので
容量密度を増大できる。
【００１８】また、耐電圧特性の大きな電気二重層キャ
パシタを製造する際の製造工数を減少でき、容量密度を
増大させることができる。
パシタを製造する際の製造工数を減少でき、容量密度を
増大させることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電気二重層キ
ャパシタの実施の形態について図を参照して説明する。
図３（ａ），（ｂ）は本発明に係る電気二重層キャパシ
タに使用される分極性電極を生成する方法を示す説明図
である。同図（ａ）において、７はポリエチレン、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリスチレン等の汎用高分子
フイルムまたは紙を用いた基体、１は基体７上に、蒸
着、スパッタリング、ＣＶＤ，イオンプレーティング法
等により形成された集電体としての金の膜等の高導電性
薄膜、２は定電位電解重合により形成されたポリピロー
ル膜等の導電性高分子膜である。
ャパシタの実施の形態について図を参照して説明する。
図３（ａ），（ｂ）は本発明に係る電気二重層キャパシ
タに使用される分極性電極を生成する方法を示す説明図
である。同図（ａ）において、７はポリエチレン、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリスチレン等の汎用高分子
フイルムまたは紙を用いた基体、１は基体７上に、蒸
着、スパッタリング、ＣＶＤ，イオンプレーティング法
等により形成された集電体としての金の膜等の高導電性
薄膜、２は定電位電解重合により形成されたポリピロー
ル膜等の導電性高分子膜である。
【００２０】図３（ａ）に示すように、基体７上に金等
の高導電性薄膜１を形成し、次いで定電位電解重合法に
よりポリピロール等の導電性高分子膜２を製膜した後
に、同図（ｂ）に示すように基体７を高導電性薄膜１か
ら剥離、溶解等により除去して、電気二重層キャパシタ
用の分極性電極を形成する。
の高導電性薄膜１を形成し、次いで定電位電解重合法に
よりポリピロール等の導電性高分子膜２を製膜した後
に、同図（ｂ）に示すように基体７を高導電性薄膜１か
ら剥離、溶解等により除去して、電気二重層キャパシタ
用の分極性電極を形成する。
【００２１】次に、本発明の実験例及び本発明と特性を
対比するための実験例について説明する。
対比するための実験例について説明する。
【００２２】（実験例１）縦１００ｍｍ、横５０ｍｍ、
厚さ約１０ミクロンのポリエチレンフイルム上に金を
０．０５ミクロン蒸着した。これを縦５０ｍｍの深さま
で０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナト
リウムと０．１（モル／リットル）のピロールを含有す
る水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖ
ｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５
（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このとき、ポリピロール膜
厚は１５ミクロンとなった。この後、ポリピロール膜を
ポリエチレンフイルムから引きはがした。金は０．０５
ミクロンの厚さでポリピロール上に残存していた。この
ような構成の積層体をもう１つ作製し、厚さ０．０５ｍ
ｍのナイロン系不織布を間に挟んで固定し、０．１（モ
ル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムの水溶
液に浸し、静電容量を測定したところ、３．０ファラド
であった。また、耐電圧特性は１．２Ｖであった。
厚さ約１０ミクロンのポリエチレンフイルム上に金を
０．０５ミクロン蒸着した。これを縦５０ｍｍの深さま
で０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナト
リウムと０．１（モル／リットル）のピロールを含有す
る水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖ
ｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５
（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このとき、ポリピロール膜
厚は１５ミクロンとなった。この後、ポリピロール膜を
ポリエチレンフイルムから引きはがした。金は０．０５
ミクロンの厚さでポリピロール上に残存していた。この
ような構成の積層体をもう１つ作製し、厚さ０．０５ｍ
ｍのナイロン系不織布を間に挟んで固定し、０．１（モ
ル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムの水溶
液に浸し、静電容量を測定したところ、３．０ファラド
であった。また、耐電圧特性は１．２Ｖであった。
【００２３】（実験例２）縦１００ｍｍ、横５０ｍｍ、
厚さ約１０ミクロンのポリエチレンフイルム上に金を
０．０５ミクロン蒸着した。これを縦５０ｍｍの深さま
で０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナト
リウムと０．１（モル／リットル）のピロールを含有す
る水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖ
ｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５
（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このとき、ポリピロール膜
厚は１５ミクロンとなった。（実験例１）とは異なり、
ポリピロール膜をポリエチレンフイルムにそのまま残し
た。このような構成の積層体をもう１つ作製し、厚さ
０．０５ｍｍのナイロン系不織布を間に挟んで固定し、
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリ
ウムの水溶液に浸し、静電容量を測定したところ、３．
０ファラドであった。また、耐電圧特性は１．２Ｖであ
った。
厚さ約１０ミクロンのポリエチレンフイルム上に金を
０．０５ミクロン蒸着した。これを縦５０ｍｍの深さま
で０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナト
リウムと０．１（モル／リットル）のピロールを含有す
る水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖ
ｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５
（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このとき、ポリピロール膜
厚は１５ミクロンとなった。（実験例１）とは異なり、
ポリピロール膜をポリエチレンフイルムにそのまま残し
た。このような構成の積層体をもう１つ作製し、厚さ
０．０５ｍｍのナイロン系不織布を間に挟んで固定し、
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリ
ウムの水溶液に浸し、静電容量を測定したところ、３．
０ファラドであった。また、耐電圧特性は１．２Ｖであ
った。
【００２４】（実験例３）縦１００ｍｍ、横５０ｍｍ、
厚さ約１０ミクロンのポリエチレンテレフタレートフイ
ルム上に金を０．０５ミクロン蒸着した。これを縦５０
ｍｍの深さまで０．１（モル／リットル）のベンゼンス
ルホン酸ナトリウムと０．１（モル／リットル）のピロ
ールを含有する水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８
００ｍＶｖｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合
電荷量５（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このとき、ポリピ
ロール膜厚は１５ミクロンとなった。この後、ポリピロ
ール膜をポリエチレンテレフタレートフイルムから引き
はがした。金はポリピロール上に残存していた。このよ
うな分極性電極をもう１つ作製し、厚さ０．０５ｍｍの
ナイロン系不織布を間に挟んで固定し、０．１（モル／
リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムの水溶液に
浸し、静電容量を測定したところ、３．０ファラドであ
った。また、耐電圧特性は１．２Ｖであった。
厚さ約１０ミクロンのポリエチレンテレフタレートフイ
ルム上に金を０．０５ミクロン蒸着した。これを縦５０
ｍｍの深さまで０．１（モル／リットル）のベンゼンス
ルホン酸ナトリウムと０．１（モル／リットル）のピロ
ールを含有する水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８
００ｍＶｖｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合
電荷量５（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このとき、ポリピ
ロール膜厚は１５ミクロンとなった。この後、ポリピロ
ール膜をポリエチレンテレフタレートフイルムから引き
はがした。金はポリピロール上に残存していた。このよ
うな分極性電極をもう１つ作製し、厚さ０．０５ｍｍの
ナイロン系不織布を間に挟んで固定し、０．１（モル／
リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムの水溶液に
浸し、静電容量を測定したところ、３．０ファラドであ
った。また、耐電圧特性は１．２Ｖであった。
【００２５】（実験例４）縦１００ｍｍ、横５０ｍｍ、
厚さ約１０ミクロンのポリスチレン板上に金を０．０５
ミクロン蒸着した。これを縦５０ｍｍの深さまで０．１
（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムと
０．１（モル／リットル）のピロールを含有する水溶液
に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳ
ＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ
２）まで行った。このとき、ポリピロール膜厚は１５ミ
クロンとなった。この後、ポリスチレン板はアセトンで
溶かして除去した。このような分極性電極をもう１つ作
製し、厚さ０．０５ｍｍのナイロン系不織布を間に挟ん
で固定し、０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホ
ン酸ナトリウムの水溶液に浸し、静電容量を測定したと
ころ、３．０ファラドであった。また、耐電圧特性は
１．２Ｖであった。
厚さ約１０ミクロンのポリスチレン板上に金を０．０５
ミクロン蒸着した。これを縦５０ｍｍの深さまで０．１
（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムと
０．１（モル／リットル）のピロールを含有する水溶液
に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳ
ＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ
２）まで行った。このとき、ポリピロール膜厚は１５ミ
クロンとなった。この後、ポリスチレン板はアセトンで
溶かして除去した。このような分極性電極をもう１つ作
製し、厚さ０．０５ｍｍのナイロン系不織布を間に挟ん
で固定し、０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホ
ン酸ナトリウムの水溶液に浸し、静電容量を測定したと
ころ、３．０ファラドであった。また、耐電圧特性は
１．２Ｖであった。
【００２６】（実験例５）縦１００ｍｍ、横５０ｍｍ、
厚さ約２ｍｍの金電極を縦５０ｍｍの深さまで０．１
（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムと
０．１（モル／リットル）のピロールを含有する水溶液
に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶｖｓ ＳＳＣ
Ｅ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃ
ｍ２）まで行った。このとき、ポリピロール膜厚は１５
ミクロンとなった。この後、ポリピロール膜を金電極か
ら引き剥がした。このポリピロール膜の片面にのみ金を
０．０５ｍｍ蒸着して分極性電極を形成した。このよう
な分極性電極をもう１つ作製し、厚さ０．０５ｍｍのナ
イロン系不織布を間に挟んで固定し、０．１（モル／リ
ットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムの水溶液に浸
し、静電容量を測定したところ、２．８ファラドであっ
た。また、耐電圧特性は１．２Ｖであった。
厚さ約２ｍｍの金電極を縦５０ｍｍの深さまで０．１
（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムと
０．１（モル／リットル）のピロールを含有する水溶液
に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶｖｓ ＳＳＣ
Ｅ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃ
ｍ２）まで行った。このとき、ポリピロール膜厚は１５
ミクロンとなった。この後、ポリピロール膜を金電極か
ら引き剥がした。このポリピロール膜の片面にのみ金を
０．０５ｍｍ蒸着して分極性電極を形成した。このよう
な分極性電極をもう１つ作製し、厚さ０．０５ｍｍのナ
イロン系不織布を間に挟んで固定し、０．１（モル／リ
ットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムの水溶液に浸
し、静電容量を測定したところ、２．８ファラドであっ
た。また、耐電圧特性は１．２Ｖであった。
【００２７】以上の（実験例１）〜（実験例５）の結果
を表１にまとめた。
を表１にまとめた。
【００２８】
【表１】
【００２９】図２は、本発明による分極性電極を有する
電気二重層キャパシタの部分説明図である。図におい
て、１は金等の高導電性薄膜、２は導電性高分子膜、３
はセパレータである。図２の積層構造の厚みは約８０ミ
クロンで形成されている。これを図８に示した従来例の
電気二重層キャパシタの積層構造の厚みと比較すると、
図８の構成では厚みが約１８０ミクロンであるから、積
層構造の厚さは半分以下となった。このような構造で静
電容量の値は従来例のものと変わりはないので、電気二
重層キャパシタの容量密度を増大できる。また、集電体
として金等の高導電性薄膜を使用しているので、金等の
貴金属の使用量は減少し、従来の構成と対比すると図２
のような積層体の一層あたりで金の使用量は約０．１％
にまで低減できた。
電気二重層キャパシタの部分説明図である。図におい
て、１は金等の高導電性薄膜、２は導電性高分子膜、３
はセパレータである。図２の積層構造の厚みは約８０ミ
クロンで形成されている。これを図８に示した従来例の
電気二重層キャパシタの積層構造の厚みと比較すると、
図８の構成では厚みが約１８０ミクロンであるから、積
層構造の厚さは半分以下となった。このような構造で静
電容量の値は従来例のものと変わりはないので、電気二
重層キャパシタの容量密度を増大できる。また、集電体
として金等の高導電性薄膜を使用しているので、金等の
貴金属の使用量は減少し、従来の構成と対比すると図２
のような積層体の一層あたりで金の使用量は約０．１％
にまで低減できた。
【００３０】図１は、図２に示した積層構造体を用いて
電気二重層キャパシタを構成する場合の一例を示す断面
図である。この例ではセパレータ３の両側に導電性高分
子膜２、高導電性薄膜１を形成して分極性電極としてい
るが、片側のみをこのような分極性電極を使用し、対向
する側の分極性電極は従来の構成のものとしても、容量
密度の増大と金等の貴金属の使用量の低減が可能であ
る。
電気二重層キャパシタを構成する場合の一例を示す断面
図である。この例ではセパレータ３の両側に導電性高分
子膜２、高導電性薄膜１を形成して分極性電極としてい
るが、片側のみをこのような分極性電極を使用し、対向
する側の分極性電極は従来の構成のものとしても、容量
密度の増大と金等の貴金属の使用量の低減が可能であ
る。
【００３１】図６は、本発明の電気二重層キャパシタを
耐電圧特性を高めるために複数個積層する場合の説明図
である。この例では、両面に導電性高分子膜２を製膜し
た基体１０と、集電体９の一方の面に導電性高分子膜２
を生膜した２つの電極を具備し、基体１０と２つの電極
の導電性高分子膜２が生成された面とを対向配置し、前
記基体１０に製膜された導電性高分子膜２と各電極の導
電性高分子間２にそれぞれにセパレータ３を介在させ
て、積層構造とした構成としている。
耐電圧特性を高めるために複数個積層する場合の説明図
である。この例では、両面に導電性高分子膜２を製膜し
た基体１０と、集電体９の一方の面に導電性高分子膜２
を生膜した２つの電極を具備し、基体１０と２つの電極
の導電性高分子膜２が生成された面とを対向配置し、前
記基体１０に製膜された導電性高分子膜２と各電極の導
電性高分子間２にそれぞれにセパレータ３を介在させ
て、積層構造とした構成としている。
【００３２】次に、図６に示したような電気二重層キャ
パシタの製造工程について説明する。直径１５ｍｍ、厚
さ約１ｍｍのステンレス鋼に０．５ミクロンの金をスパ
ッタリングにより形成して電極を作製した。重合させる
ための配線を電極の裏面に銅のリード線を銀ペーストで
接着して作製した。不要な反応が電極裏面で起きないよ
うに電極の裏面はシリコン樹脂で絶縁被覆した。これを
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリ
ウムと０．１（モル／リットル）のピロールを含有する
水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ
ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ
／ｃｍ２）まで行った。このときポリピロール膜厚は１
５ミクロンとなった。電極裏面のリード線とシリコン樹
脂はその後剥離した。このようにして作成した電極をも
う１個製造して一対の電極を用意しておく。
パシタの製造工程について説明する。直径１５ｍｍ、厚
さ約１ｍｍのステンレス鋼に０．５ミクロンの金をスパ
ッタリングにより形成して電極を作製した。重合させる
ための配線を電極の裏面に銅のリード線を銀ペーストで
接着して作製した。不要な反応が電極裏面で起きないよ
うに電極の裏面はシリコン樹脂で絶縁被覆した。これを
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリ
ウムと０．１（モル／リットル）のピロールを含有する
水溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ
ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ
／ｃｍ２）まで行った。このときポリピロール膜厚は１
５ミクロンとなった。電極裏面のリード線とシリコン樹
脂はその後剥離した。このようにして作成した電極をも
う１個製造して一対の電極を用意しておく。
【００３３】次に、縦４０Ｅ、横２０ｍｍ、厚さ約５０
ミクロンの金箔を縦２０ｍｍの深さまで０．１（モル／
リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムと０．１
（モル／リットル）のピロールを含有する水溶液に含浸
し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳＣＥ）
による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ２）ま
で金箔の両面に行い基板を作成した。このときポリピロ
ール膜厚は１５ミクロンとなった。この基板を切断し、
直径１５ｍｍの円板状に成形した。
ミクロンの金箔を縦２０ｍｍの深さまで０．１（モル／
リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウムと０．１
（モル／リットル）のピロールを含有する水溶液に含浸
し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳＣＥ）
による定電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ２）ま
で金箔の両面に行い基板を作成した。このときポリピロ
ール膜厚は１５ミクロンとなった。この基板を切断し、
直径１５ｍｍの円板状に成形した。
【００３４】前記した一対の電極の間に上記基板を挟
み、さらにそれぞれの電極と基板との間に０．１（モル
／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウム水溶液に
浸した厚さ０．０５ｍｍのナイロン系不織布を間に挟ん
でシールしこれを封缶した。この電気二重層キャパシタ
の静電容量は０．１ファラドであり、耐電圧特性は２．
４Ｖであった。完成品の形状は、直径が１５ｍｍ、厚さ
が３ｍｍであり、全工程数は１３であった。このように
して、従来例のものと対比して厚さが半分になり小型化
されても電気的特性が同じものが得られるので容量密度
が改善される。また、耐電圧特性が高い電気二重層キャ
パシタが、従来よりも製造工程数を大幅に少なくして製
造することができる。
み、さらにそれぞれの電極と基板との間に０．１（モル
／リットル）のベンゼンスルホン酸ナトリウム水溶液に
浸した厚さ０．０５ｍｍのナイロン系不織布を間に挟ん
でシールしこれを封缶した。この電気二重層キャパシタ
の静電容量は０．１ファラドであり、耐電圧特性は２．
４Ｖであった。完成品の形状は、直径が１５ｍｍ、厚さ
が３ｍｍであり、全工程数は１３であった。このように
して、従来例のものと対比して厚さが半分になり小型化
されても電気的特性が同じものが得られるので容量密度
が改善される。また、耐電圧特性が高い電気二重層キャ
パシタが、従来よりも製造工程数を大幅に少なくして製
造することができる。
【００３５】前記の例では、導電性高分子膜の材料とし
てはポリピロールのみを使用したが、ポリピロールと異
種の導電性高分子材料を併用することもできる。次に、
このようなポリピロールと異種の導電性高分子材料を併
用する例について説明する。
てはポリピロールのみを使用したが、ポリピロールと異
種の導電性高分子材料を併用することもできる。次に、
このようなポリピロールと異種の導電性高分子材料を併
用する例について説明する。
【００３６】直径１５ｍｍ、厚さ約１ｍｍのステンレス
鋼に０．５ミクロンの金をスパッタリングにより形成し
て電極を２個作製した。重合させるための配線を電極の
裏面に銅のリード線を銀ペーストで接着して作製した。
不要な反応が電極裏面で起きないように電極の裏面はシ
リコン樹脂で絶縁被覆した。この一方の電極を０．１
（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸テトラエチル
アンモニウムと０．１（モル／リットル）のピロールを
含有するアセトニトリル溶液に含浸し、定電位電解重合
法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重
合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このとき
ポリピロール膜厚は１５ミクロンとなった。
鋼に０．５ミクロンの金をスパッタリングにより形成し
て電極を２個作製した。重合させるための配線を電極の
裏面に銅のリード線を銀ペーストで接着して作製した。
不要な反応が電極裏面で起きないように電極の裏面はシ
リコン樹脂で絶縁被覆した。この一方の電極を０．１
（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸テトラエチル
アンモニウムと０．１（モル／リットル）のピロールを
含有するアセトニトリル溶液に含浸し、定電位電解重合
法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重
合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このとき
ポリピロール膜厚は１５ミクロンとなった。
【００３７】他方の電極を０．１（モル／リットル）の
ベンゼンスルホン酸テトラエチルアンモニウムと０．１
（モル／リットル）のチオフェンを含有するアセトニト
リル溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖ
ｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５
（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このときチオフェンの膜厚
は１５ミクロンとなった。２個の電極裏面のリード線と
シリコン樹脂はその後剥離した。
ベンゼンスルホン酸テトラエチルアンモニウムと０．１
（モル／リットル）のチオフェンを含有するアセトニト
リル溶液に含浸し、定電位電解重合法（８００ｍＶ ｖ
ｓ ＳＳＣＥ）による定電位電解重合を重合電荷量５
（Ｃ／ｃｍ２）まで行った。このときチオフェンの膜厚
は１５ミクロンとなった。２個の電極裏面のリード線と
シリコン樹脂はその後剥離した。
【００３８】次に、図７（ａ）に示すように電極の片面
をレジスト８でマスキングした後に、縦４０ｍｍ、横２
０ｍｍ、厚さ約５０ミクロンの金箔を縦２０ｍｍの深さ
まで０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸テ
トラエチルアンモニウムと０．１（モル／リットル）の
ピロールを含有するアセトニトリル溶液に含浸し、定電
位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳＣＥ）による定
電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ２）まで行っ
た。
をレジスト８でマスキングした後に、縦４０ｍｍ、横２
０ｍｍ、厚さ約５０ミクロンの金箔を縦２０ｍｍの深さ
まで０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸テ
トラエチルアンモニウムと０．１（モル／リットル）の
ピロールを含有するアセトニトリル溶液に含浸し、定電
位電解重合法（８００ｍＶ ｖｓ ＳＳＣＥ）による定
電位電解重合を重合電荷量５（Ｃ／ｃｍ２）まで行っ
た。
【００３９】次いで、レジスト８を剥離し、図７（ｂ）
に示すようにポリピロール２の面をポリエチレンとシー
ル材８’でマスクした。その後、縦２０ｍｍの深さまで
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸テトラ
エチルアンモニウムと０．１（モル／リットル）のチオ
フェンを含有する水溶液に含浸し、続いてマスクを剥離
した。このときポリピロールとチオフェンの膜厚は共に
１５ミクロンとなった。この基板を直径１５ｍｍに成形
した。
に示すようにポリピロール２の面をポリエチレンとシー
ル材８’でマスクした。その後、縦２０ｍｍの深さまで
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸テトラ
エチルアンモニウムと０．１（モル／リットル）のチオ
フェンを含有する水溶液に含浸し、続いてマスクを剥離
した。このときポリピロールとチオフェンの膜厚は共に
１５ミクロンとなった。この基板を直径１５ｍｍに成形
した。
【００４０】ポリピロールの膜とチオフェンの膜とが対
向するように基板と各電極とを配置し、電極と基板間に
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸テトラ
エチルアンモニウムのアセトニトリル溶液に浸した厚さ
約０．０５ｍｍのナイロン系不織布を挟んでシールす
る。この構成は、図６で導電性高分子膜として、図示番
号２のポリピロールに代えて、図示番号（２’）として
チオフェンを表している構成である。このようにして形
成された積層体全体を封缶し静電容量を測定したとこ
ろ、０．１２ファラドであった。また、耐電圧特性は
２．４Ｖであった。完成品の形状は、直径が１５ｍｍ、
厚さが３ｍｍであり、全工程数は１８であった。
向するように基板と各電極とを配置し、電極と基板間に
０．１（モル／リットル）のベンゼンスルホン酸テトラ
エチルアンモニウムのアセトニトリル溶液に浸した厚さ
約０．０５ｍｍのナイロン系不織布を挟んでシールす
る。この構成は、図６で導電性高分子膜として、図示番
号２のポリピロールに代えて、図示番号（２’）として
チオフェンを表している構成である。このようにして形
成された積層体全体を封缶し静電容量を測定したとこ
ろ、０．１２ファラドであった。また、耐電圧特性は
２．４Ｖであった。完成品の形状は、直径が１５ｍｍ、
厚さが３ｍｍであり、全工程数は１８であった。
【００４１】このようにして異種の導電性高分子膜を対
向配置したものも、従来例のものと対比して、厚さが半
分になって小型化されているが電気的特性がほぼ同じも
のが得られるので容量密度が改善される。また、耐電圧
特性の高い電気二重層キャパシタが、従来よりも製造工
程数を少なくして製造することができる。
向配置したものも、従来例のものと対比して、厚さが半
分になって小型化されているが電気的特性がほぼ同じも
のが得られるので容量密度が改善される。また、耐電圧
特性の高い電気二重層キャパシタが、従来よりも製造工
程数を少なくして製造することができる。
【００４２】図４は、図６のような構成の積層体を一体
化して電気二重層キャパシタとした例を示す断面図であ
る。図において２は導電性高分子膜、３はセパレータ、
４は缶、５はキャップ、６はパッキン、９は集電体、１
０は基板である。この例では、導電性高分子膜２はすべ
て同一の材質である例えばポリピロールで形成されてい
る。
化して電気二重層キャパシタとした例を示す断面図であ
る。図において２は導電性高分子膜、３はセパレータ、
４は缶、５はキャップ、６はパッキン、９は集電体、１
０は基板である。この例では、導電性高分子膜２はすべ
て同一の材質である例えばポリピロールで形成されてい
る。
【００４３】図５は、図６の積層体により電気二重層キ
ャパシタを構成する他の例である。図４のものと同一の
図示番号のものは説明を省略し、構成が相違していると
ころのみを説明する。この例では導電性高分子膜として
それぞれ異種の材質のものを使用しており、図示番号２
はポリピロール、２’はチオフェンである。
ャパシタを構成する他の例である。図４のものと同一の
図示番号のものは説明を省略し、構成が相違していると
ころのみを説明する。この例では導電性高分子膜として
それぞれ異種の材質のものを使用しており、図示番号２
はポリピロール、２’はチオフェンである。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、本発明の電気二重層キャ
パシタは、対とされた分極性電極に電解液を含浸し、セ
パレータを介して構成される電気二重層キャパシタにお
いて、前記分極性電極の少なくとも一方を、高導電性薄
膜と電解重合により製膜した導電性高分子膜との積層体
により構成しているので、電気二重層キャパシタの容量
密度を増大できる。また、集電体として高導電性薄膜を
使用しているので、従来のものよりも金等の貴金属の使
用量を低減できるので製造コストの安い電気二重層キャ
パシタが得られる。
パシタは、対とされた分極性電極に電解液を含浸し、セ
パレータを介して構成される電気二重層キャパシタにお
いて、前記分極性電極の少なくとも一方を、高導電性薄
膜と電解重合により製膜した導電性高分子膜との積層体
により構成しているので、電気二重層キャパシタの容量
密度を増大できる。また、集電体として高導電性薄膜を
使用しているので、従来のものよりも金等の貴金属の使
用量を低減できるので製造コストの安い電気二重層キャ
パシタが得られる。
【００４５】また、本発明の電気二重層キャパシタは、
対とされた分極性電極に電解液を含浸し、セパレータを
介して構成される電気二重層キャパシタにおいて、両面
に電解重合により導電性高分子膜を製膜した基板と、集
電体の一方の面に電解重合により導電性高分子膜が生成
された２つの電極とを設け、前記基板と２つの電極の導
電性高分子膜が生成された面とを対向配置し、前記基板
に生成された導電性高分子膜と各電極の導電性高分子間
にそれぞれにセパレータを介在させて、積層構造として
いるので、少ない製造工数で耐電圧特性が大きな、しか
も容量密度を増大した電気二重層キャパシタが得られ
る。
対とされた分極性電極に電解液を含浸し、セパレータを
介して構成される電気二重層キャパシタにおいて、両面
に電解重合により導電性高分子膜を製膜した基板と、集
電体の一方の面に電解重合により導電性高分子膜が生成
された２つの電極とを設け、前記基板と２つの電極の導
電性高分子膜が生成された面とを対向配置し、前記基板
に生成された導電性高分子膜と各電極の導電性高分子間
にそれぞれにセパレータを介在させて、積層構造として
いるので、少ない製造工数で耐電圧特性が大きな、しか
も容量密度を増大した電気二重層キャパシタが得られ
る。
【図１】本発明に係る電気二重層キャパシタの第１の例
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の電気二重層キャパシタの部分説明図で
ある。
ある。
【図３】本発明の分極性電極を生成する方法の一例の説
明図である。
明図である。
【図４】本発明に係る電気二重層キャパシタの第２の例
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図５】本発明に係る電気二重層キャパシタの第３の例
の構成を示す断面図である。
の構成を示す断面図である。
【図６】本発明に係る電気二重層キャパシタを積層構造
とした例の説明図である。
とした例の説明図である。
【図７】本発明の分極性電極を生成する方法の他の例の
説明図である。
説明図である。
【図８】従来の電気二重層キャパシタの概念構成図であ
る。
る。
【図９】従来の電気二重層キャパシタの断面図である。
【図１０】従来の電気二重層キャパシタを２個直列に接
続した例の断面図である。
続した例の断面図である。
１ 高導電性薄膜 ２ 導電性高分子膜 ３ セパレータ ４ 缶 ５ キャップ ６ パッキン ７ 基体 ８ レジスト ９ 集電体 １０ 基板
Claims (5)
- 【請求項１】 対とされた分極性電極に電解液を含浸
し、セパレータを介して構成される電気二重層キャパシ
タにおいて、前記分極性電極の少なくとも一方を、高導
電性薄膜と電解重合により製膜した導電性高分子膜との
積層体により構成したことを特徴とする電気二重層キャ
パシタ。 - 【請求項２】 基体上に高導電性薄膜を蒸着してから、
電解重合により導電性高分子膜を製膜し、基体を除去し
て上記積層体を構成したことを特徴とする請求項１に記
載の電気二重層キャパシタ。 - 【請求項３】 金属板上に、電解重合により導電性高分
子膜を製膜し、金属板を剥離してから導電性高分子膜上
に高導電性薄膜を形成して、上記積層体を構成したこと
を特徴とする請求項１に記載の電気二重層キャパシタ。 - 【請求項４】 対とされた分極性電極に電解液を含浸
し、セパレータを介して構成される電気二重層キャパシ
タにおいて、両面に電解重合により導電性高分子膜を製
膜した基板と、集電体の一方の面に電解重合により導電
性高分子膜が生成された２つの電極とを設け、前記基板
と２つの電極の導電性高分子膜が生成された面とを対向
配置し、前記基板に生成された導電性高分子膜と各電極
の導電性高分子間にそれぞれにセパレータを介在させ
て、積層構造としたことを特徴とする電気二重層キャパ
シタ。 - 【請求項５】 基板の両面に製膜される導電性高分子膜
は、異種の材質のものであることを特徴とする、請求項
４に記載の電気二重層キャパシタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078812A JPH10242008A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 電気二重層キャパシタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078812A JPH10242008A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 電気二重層キャパシタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242008A true JPH10242008A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=13672264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9078812A Pending JPH10242008A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 電気二重層キャパシタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242008A (ja) |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP9078812A patent/JPH10242008A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6563693B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| US6310765B1 (en) | Electrolytic capacitor and method for manufacturing the same | |
| CN100466124C (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
| US6343004B1 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| EP0691027B1 (en) | Capacitor | |
| US5568353A (en) | Electrochemical capacitor and method of making same | |
| US6790556B1 (en) | Electrochemical energy storage device having improved enclosure arrangement | |
| CN108475590B (zh) | 高电压装置 | |
| US5714053A (en) | Conducting polymer electrodes for energy storage devices and method of making same | |
| TW201639220A (zh) | 電極材料及能量儲存設備 | |
| JP2003086459A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US4907130A (en) | Method for the fabrication of aluminium electrolytic capacitors, and capacitor with integrated anode obtained thereby | |
| JP3416053B2 (ja) | 電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2003526899A (ja) | ２重電気層を備えたコンデンサ | |
| JPH0364013A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH04119624A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH10242008A (ja) | 電気二重層キャパシタ | |
| JP2964345B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH1079326A (ja) | コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH06104141A (ja) | 電気二重層キャパシタ | |
| JPH05234823A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| EP1696446A1 (en) | Capacitor and method for manufacturing same | |
| JPH0763045B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPS61163630A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0446446B2 (ja) |