JPH10242058A - 窒素を含むｉｉｉ−ｖ族化合物半導体膜の製造方法 - Google Patents
窒素を含むｉｉｉ−ｖ族化合物半導体膜の製造方法Info
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- JPH10242058A JPH10242058A JP4603297A JP4603297A JPH10242058A JP H10242058 A JPH10242058 A JP H10242058A JP 4603297 A JP4603297 A JP 4603297A JP 4603297 A JP4603297 A JP 4603297A JP H10242058 A JPH10242058 A JP H10242058A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良質のｐ型半導体膜を得ることを可能とした
Ｎを含むIII−Ｖ族化合物半導体膜の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 減圧されるチャンバ１１内の第１の固体
ソース容器１３に、半導体膜の母相となる第１の固体ソ
ースＧａを収容し、第１の固体ソース容器１３と同軸的
に第１の固体ソース容器１３の下方に配置された第２の
固体ソース容器１４にはアクセプタ不純物源となる第２
の固体ソースＭｇ3Ｎ2を収容して、これらを加熱蒸発さ
せ、これらの蒸発気体を外部から供給されるＮＨ3と共
にガス案内管１５において熱分解して、その上方に配置
された成膜用基板１８にｐ型ＧａＮ膜を形成する。
Ｎを含むIII−Ｖ族化合物半導体膜の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 減圧されるチャンバ１１内の第１の固体
ソース容器１３に、半導体膜の母相となる第１の固体ソ
ースＧａを収容し、第１の固体ソース容器１３と同軸的
に第１の固体ソース容器１３の下方に配置された第２の
固体ソース容器１４にはアクセプタ不純物源となる第２
の固体ソースＭｇ3Ｎ2を収容して、これらを加熱蒸発さ
せ、これらの蒸発気体を外部から供給されるＮＨ3と共
にガス案内管１５において熱分解して、その上方に配置
された成膜用基板１８にｐ型ＧａＮ膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、窒素（Ｎ）を含
むIII−Ｖ族化合物半導体膜の製造方法に係り、特に結
晶性に優れたｐ型化合物半導体膜を得るための不純物添
加法に関する。
むIII−Ｖ族化合物半導体膜の製造方法に係り、特に結
晶性に優れたｐ型化合物半導体膜を得るための不純物添
加法に関する。
【０００２】
【従来の技術】III−Ｖ族化合物半導体のうちＧａＮ
は、青色発光素子用の半導体材料として従来より注目さ
れている。しかしＧａＮでは、ｎ型は得られるが、自己
補償効果によってｐ型半導体が簡単には得られず、従っ
てｐｎ接合形成が容易ではない。
は、青色発光素子用の半導体材料として従来より注目さ
れている。しかしＧａＮでは、ｎ型は得られるが、自己
補償効果によってｐ型半導体が簡単には得られず、従っ
てｐｎ接合形成が容易ではない。
【０００３】例えば、良質の化合物半導体膜を得る方法
として、ＨＷＥ（Hot Wall Epitaxy）法が知られてい
る。ＨＷＥ装置を用いてｐ型のＧａＮ膜を得るには、半
導体膜の母相となる固体ソース（Ｇａ）を減圧チャンバ
内に配置してこれを加熱蒸発させると同時に、チャンバ
外部からは、気体ソースＮＨ3を固体ソース上に供給す
る。そしてこれらの原料をホットウォール部で熱分解す
る。更にチャンバ内にはアクセプタ不純物源としてＭｇ
単体またはＭｇの有機化合物を配置してこれを加熱蒸発
させてやはりホットウォール部で熱分解させる。Ｍｇの
有機化合物としては、ビスシクロペンタジエルマグネシ
ウム（Ｃｐ2Ｍｇ）が一般に用いられる。そしてホット
ウォール部の上に配置された成膜用基板に、アクセプタ
不純物であるＭｇを添加したｐ型ＧａＮ膜を形成する。
として、ＨＷＥ（Hot Wall Epitaxy）法が知られてい
る。ＨＷＥ装置を用いてｐ型のＧａＮ膜を得るには、半
導体膜の母相となる固体ソース（Ｇａ）を減圧チャンバ
内に配置してこれを加熱蒸発させると同時に、チャンバ
外部からは、気体ソースＮＨ3を固体ソース上に供給す
る。そしてこれらの原料をホットウォール部で熱分解す
る。更にチャンバ内にはアクセプタ不純物源としてＭｇ
単体またはＭｇの有機化合物を配置してこれを加熱蒸発
させてやはりホットウォール部で熱分解させる。Ｍｇの
有機化合物としては、ビスシクロペンタジエルマグネシ
ウム（Ｃｐ2Ｍｇ）が一般に用いられる。そしてホット
ウォール部の上に配置された成膜用基板に、アクセプタ
不純物であるＭｇを添加したｐ型ＧａＮ膜を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述したＧａ
Ｎへのアクセプタ不純物Ｍｇの添加法では、III族サイ
トへの添加のみを考えており、形成されるＧａＮ膜はＮ
が抜けることにより生じる原子空孔が多いものとなる。
そしてこの原子空孔により、結晶性が劣化するだけでな
く、ドナーライクの不純物レベルが生じて、高い正孔濃
度を持つ良質のｐ型ＧａＮ膜が得られない。
Ｎへのアクセプタ不純物Ｍｇの添加法では、III族サイ
トへの添加のみを考えており、形成されるＧａＮ膜はＮ
が抜けることにより生じる原子空孔が多いものとなる。
そしてこの原子空孔により、結晶性が劣化するだけでな
く、ドナーライクの不純物レベルが生じて、高い正孔濃
度を持つ良質のｐ型ＧａＮ膜が得られない。
【０００５】この発明は、上記事情を考慮してなされた
もので、良質のｐ型半導体膜を得ることを可能とした窒
素を含むIII−Ｖ族化合物半導体膜の製造方法を提供す
ることを目的としている。
もので、良質のｐ型半導体膜を得ることを可能とした窒
素を含むIII−Ｖ族化合物半導体膜の製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、減圧された
チャンバ内で半導体膜の母相となる第１の固体ソースを
含む原料を熱分解して成膜用基板に窒素を含むIII−Ｖ
族化合物半導体膜を形成する方法において、前記チャン
バ内にＭｇ3Ｎ2を含む第２の固体ソースを配置して、こ
の第２の固体ソースを前記原料と共に熱分解し、生成さ
れたＭｇをアクセプタ不純物として添加した化合物半導
体膜を形成することを特徴とする。この発明において好
ましくは、前記第２の固体ソースを収容した第２の固体
ソース容器は、前記第１の固体ソースを収容した第１の
固体ソース容器と同軸的に第１の固体ソース容器の下方
に配置し、前記成膜用基板は前記第１の固体ソース容器
の上方に配置し、かつ前記第１の固体ソース容器と成膜
用基板の間には各固体ソースからの蒸発気体を熱分解す
るガス案内管を配置する。
チャンバ内で半導体膜の母相となる第１の固体ソースを
含む原料を熱分解して成膜用基板に窒素を含むIII−Ｖ
族化合物半導体膜を形成する方法において、前記チャン
バ内にＭｇ3Ｎ2を含む第２の固体ソースを配置して、こ
の第２の固体ソースを前記原料と共に熱分解し、生成さ
れたＭｇをアクセプタ不純物として添加した化合物半導
体膜を形成することを特徴とする。この発明において好
ましくは、前記第２の固体ソースを収容した第２の固体
ソース容器は、前記第１の固体ソースを収容した第１の
固体ソース容器と同軸的に第１の固体ソース容器の下方
に配置し、前記成膜用基板は前記第１の固体ソース容器
の上方に配置し、かつ前記第１の固体ソース容器と成膜
用基板の間には各固体ソースからの蒸発気体を熱分解す
るガス案内管を配置する。
【０００７】この発明によると、ＧａＮ等への不純物ソ
ースとして固体ソースである窒化マグネシウム（Ｍｇ3
Ｎ2）を用いることにより、熱分解により生成されるＭ
ｇがアクセプタ不純物としてＧａＮに添加されると同時
に、Ｎが原子空孔を補償する働きをする。これにより、
原子空孔の少ない良質の結晶性を有し、かつ高い正孔濃
度を持つｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体膜を得ることが
できる。また、一般に固体の窒化物はＢＮに代表される
ように蒸気圧が低く、石英容器等に入れて加熱蒸発させ
ることは難しいが、Ｍｇ3Ｎ2は超高真空下でなくても数
１００℃程度の加熱で蒸発させることができる。従っ
て、半導体膜の母相となるＧａを第１の固体ソースと
し、チャンバ外部からは気体ソースＮＨ3を供給し、ま
た不純物源となるＭｇ3Ｎ2を含む第２の固体ソースを用
意したＨＷＥ装置を用いて、容易にｐ型ＧａＮ膜を形成
することができる。
ースとして固体ソースである窒化マグネシウム（Ｍｇ3
Ｎ2）を用いることにより、熱分解により生成されるＭ
ｇがアクセプタ不純物としてＧａＮに添加されると同時
に、Ｎが原子空孔を補償する働きをする。これにより、
原子空孔の少ない良質の結晶性を有し、かつ高い正孔濃
度を持つｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体膜を得ることが
できる。また、一般に固体の窒化物はＢＮに代表される
ように蒸気圧が低く、石英容器等に入れて加熱蒸発させ
ることは難しいが、Ｍｇ3Ｎ2は超高真空下でなくても数
１００℃程度の加熱で蒸発させることができる。従っ
て、半導体膜の母相となるＧａを第１の固体ソースと
し、チャンバ外部からは気体ソースＮＨ3を供給し、ま
た不純物源となるＭｇ3Ｎ2を含む第２の固体ソースを用
意したＨＷＥ装置を用いて、容易にｐ型ＧａＮ膜を形成
することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施例を説明する。図１は、この発明の一実施例に用
いたＨＷＥ装置の構成を示す。チャンバ１１はＨＷＥ装
置本体であり、内部は真空ポンプ１２により減圧され
る。チャンバ１１内部には、半導体膜の母相形成用の第
１の固定ソース（この実施例の場合Ｇａ）を収容する筒
状の第１の固体ソース容器１３と、不純物源となる第２
の固体ソース（この実施例の場合Ｍｇ3Ｎ2）を収容する
筒状の第２の固体ソース容器１４が同軸的に、かつ第２
の固体ソース容器１４が第１の固体ソース容器１３の下
方に位置するように配置されている。即ち第２の固体ソ
ース容器１４は、その上端を第１の固体ソース容器１３
の底部を貫通させて、第２の固体ソース容器１４内部に
開口するように配置される。
の実施例を説明する。図１は、この発明の一実施例に用
いたＨＷＥ装置の構成を示す。チャンバ１１はＨＷＥ装
置本体であり、内部は真空ポンプ１２により減圧され
る。チャンバ１１内部には、半導体膜の母相形成用の第
１の固定ソース（この実施例の場合Ｇａ）を収容する筒
状の第１の固体ソース容器１３と、不純物源となる第２
の固体ソース（この実施例の場合Ｍｇ3Ｎ2）を収容する
筒状の第２の固体ソース容器１４が同軸的に、かつ第２
の固体ソース容器１４が第１の固体ソース容器１３の下
方に位置するように配置されている。即ち第２の固体ソ
ース容器１４は、その上端を第１の固体ソース容器１３
の底部を貫通させて、第２の固体ソース容器１４内部に
開口するように配置される。
【０００９】これら二つの固体ソースの上方には、ホル
ダー１９により保持されヒータ２０により加熱される成
膜用基板１８が配置される。また、固体ソースと基板保
持部の間には、各固体ソースからの蒸発気体を熱分解し
て基板１８の面に案内するガス案内管１６が、図の例で
は第１の固体ソース容器１３と一体に形成されている。
これら固体ソース容器１３，１４及びガス案内管１５は
全て石英管であり、これらの周囲には、加熱ヒータ１６
ａ，１６ｂが配設される。加熱ヒータ１６ａ，１６ｂは
熱遮蔽体１７ａ，１７ｂにより囲まれている。即ちこの
実施例の装置は、母相形成用の固体ソース部Ｂの下に、
不純物源の固体ソース部Ａ（通常、リザーバと呼ばれ
る）が配置され、固体ソース部Ｂの上のガス案内管１５
の部分が各固体ソースからの蒸発気体を熱分解させるホ
ットウォール部Ｃとなっている。
ダー１９により保持されヒータ２０により加熱される成
膜用基板１８が配置される。また、固体ソースと基板保
持部の間には、各固体ソースからの蒸発気体を熱分解し
て基板１８の面に案内するガス案内管１６が、図の例で
は第１の固体ソース容器１３と一体に形成されている。
これら固体ソース容器１３，１４及びガス案内管１５は
全て石英管であり、これらの周囲には、加熱ヒータ１６
ａ，１６ｂが配設される。加熱ヒータ１６ａ，１６ｂは
熱遮蔽体１７ａ，１７ｂにより囲まれている。即ちこの
実施例の装置は、母相形成用の固体ソース部Ｂの下に、
不純物源の固体ソース部Ａ（通常、リザーバと呼ばれ
る）が配置され、固体ソース部Ｂの上のガス案内管１５
の部分が各固体ソースからの蒸発気体を熱分解させるホ
ットウォール部Ｃとなっている。
【００１０】ＧａＮを成膜する場合のもう一つの原料Ｎ
は、チャンバ１１の外部に設けられた気体ソースボンベ
２１からＮＨ3の形で供給される。即ちボンベ２１のＮ
Ｈ3ガスは、バルブ２２及びマスフローコントローラ２
３を介し、チャンバ１１を貫通するガス導入管２４を介
して、ガス案内管１５の底部に供給されるようになって
いる。このようにして外部から供給されるＮＨ3ガスも
ガス案内管１５において熱分解されることになる。
は、チャンバ１１の外部に設けられた気体ソースボンベ
２１からＮＨ3の形で供給される。即ちボンベ２１のＮ
Ｈ3ガスは、バルブ２２及びマスフローコントローラ２
３を介し、チャンバ１１を貫通するガス導入管２４を介
して、ガス案内管１５の底部に供給されるようになって
いる。このようにして外部から供給されるＮＨ3ガスも
ガス案内管１５において熱分解されることになる。
【００１１】次に具体的に、図１のＨＷＥ装置を用いて
ｐ型ＧａＮ膜を成膜する場合を説明すると、前述のよう
に第１の固体ソース容器１３にはＧａを、第２の固体ソ
ース容器１４にはＭｇ3Ｎ2を入れる。成膜用基板１８に
は、（０００１）面を主面とするＡｌ2Ｏ3基板を用い
る。但し、ＳｉＣ，ＺｎＯ，ＧａＡｓ等の基板を用いる
こともできる。チャンバ１１内を１０-6Torr程度まで減
圧した状態で、第１の固体ソース容器１３を７５０〜９
５０℃に、第２の固体ソース容器１４を１００〜７００
℃にそれぞれ加熱し、またガス案内管１５を５６０〜６
００℃に加熱する。これにより各固体ソースは蒸発し、
その蒸発気体と外部から供給されたＮＨ3はガス案内管
１４、即ちホットウォール部Ｃで熱分解されて基板１８
に供給され、基板１８にＧａＮ膜が成膜される。
ｐ型ＧａＮ膜を成膜する場合を説明すると、前述のよう
に第１の固体ソース容器１３にはＧａを、第２の固体ソ
ース容器１４にはＭｇ3Ｎ2を入れる。成膜用基板１８に
は、（０００１）面を主面とするＡｌ2Ｏ3基板を用い
る。但し、ＳｉＣ，ＺｎＯ，ＧａＡｓ等の基板を用いる
こともできる。チャンバ１１内を１０-6Torr程度まで減
圧した状態で、第１の固体ソース容器１３を７５０〜９
５０℃に、第２の固体ソース容器１４を１００〜７００
℃にそれぞれ加熱し、またガス案内管１５を５６０〜６
００℃に加熱する。これにより各固体ソースは蒸発し、
その蒸発気体と外部から供給されたＮＨ3はガス案内管
１４、即ちホットウォール部Ｃで熱分解されて基板１８
に供給され、基板１８にＧａＮ膜が成膜される。
【００１２】この実施例においては、不純物源であるＭ
ｇ3Ｎ2が熱分解されて、ＭｇとＮが生成され、Ｍｇがア
クセプタ不純物となり、Ｎは形成されるＧａＮからＮが
抜けることによるＮ不足を補償する働きをする。即ち、
Ｎを含む固体不純物ソースを用いることにより、原料ガ
スＮＨ3だけでは不十分になり易いＶ族サイトのＮ不足
を補い、Ｎが抜けることにより生成されるＮ空孔による
ドナーの密度を減らし、同時にIII族サイトへのアクセ
プタであるＭｇ添加が可能となる。従って、得られるＧ
ａＮ膜は原子空孔の少ない良質の結晶膜となり、またド
ナーとして作用する原子空孔が少なくなる結果、高い正
孔濃度のｐ型ＧａＮ層が得られる。
ｇ3Ｎ2が熱分解されて、ＭｇとＮが生成され、Ｍｇがア
クセプタ不純物となり、Ｎは形成されるＧａＮからＮが
抜けることによるＮ不足を補償する働きをする。即ち、
Ｎを含む固体不純物ソースを用いることにより、原料ガ
スＮＨ3だけでは不十分になり易いＶ族サイトのＮ不足
を補い、Ｎが抜けることにより生成されるＮ空孔による
ドナーの密度を減らし、同時にIII族サイトへのアクセ
プタであるＭｇ添加が可能となる。従って、得られるＧ
ａＮ膜は原子空孔の少ない良質の結晶膜となり、またド
ナーとして作用する原子空孔が少なくなる結果、高い正
孔濃度のｐ型ＧａＮ層が得られる。
【００１３】従来技術のように、ＮＨ3を熱分解するこ
とによってのみＮを供給する場合において、ＧａとＮの
蒸気圧を比較すると、Ｎの方が高く、特に結晶成長温度
（１０００℃）においては、Ｎの蒸気圧が更に高まり、
基板上に一旦ＧａＮが形成されても、ＧａＮ膜中からＮ
が離脱してしまう。ＮがＧａＮ膜から離脱することによ
りＮ空孔が生じ、このＮ空孔がドナーとなってしまい、
ｎ型半導体となる傾向を示していた。しかしこの実施例
によれば、アクセプタとして働くＭｇをＧａＮ膜のＧａ
格子に取り込み、かつＮを補償することでＮ空孔の発生
を抑制しているので、ドナー密度を小さくすることがで
きる。成長したＧａＮ膜は、ＧａＮ膜中の正味のアクセ
プタ密度ＮａとＧａＮ膜中の正味のドナー密度Ｎｄとの
差でｐ型かｎ型かが決まる。この実施例においては、Ｍ
ｇを導入することでアクセプタ密度Ｎａを大きくし、更
にＮ空孔を減らすことでドナー密度Ｎｄを小さくしてお
り、ＧａＮ膜を良質なｐ型半導体膜として形成すること
が可能になる。
とによってのみＮを供給する場合において、ＧａとＮの
蒸気圧を比較すると、Ｎの方が高く、特に結晶成長温度
（１０００℃）においては、Ｎの蒸気圧が更に高まり、
基板上に一旦ＧａＮが形成されても、ＧａＮ膜中からＮ
が離脱してしまう。ＮがＧａＮ膜から離脱することによ
りＮ空孔が生じ、このＮ空孔がドナーとなってしまい、
ｎ型半導体となる傾向を示していた。しかしこの実施例
によれば、アクセプタとして働くＭｇをＧａＮ膜のＧａ
格子に取り込み、かつＮを補償することでＮ空孔の発生
を抑制しているので、ドナー密度を小さくすることがで
きる。成長したＧａＮ膜は、ＧａＮ膜中の正味のアクセ
プタ密度ＮａとＧａＮ膜中の正味のドナー密度Ｎｄとの
差でｐ型かｎ型かが決まる。この実施例においては、Ｍ
ｇを導入することでアクセプタ密度Ｎａを大きくし、更
にＮ空孔を減らすことでドナー密度Ｎｄを小さくしてお
り、ＧａＮ膜を良質なｐ型半導体膜として形成すること
が可能になる。
【００１４】この発明は、上記実施例に限られない。例
えば実施例では、ＧａＮ膜を形成したが、ＡｌＮやＩｎ
Ｎ等、Ｎを含む他のIII−Ｖ族化合物半導体膜を成膜す
る場合に同様にこの発明を適用することができる。
えば実施例では、ＧａＮ膜を形成したが、ＡｌＮやＩｎ
Ｎ等、Ｎを含む他のIII−Ｖ族化合物半導体膜を成膜す
る場合に同様にこの発明を適用することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、Ｎ
を含むIII−Ｖ族化合物半導体膜への不純物ソースとし
て固体ソースＭｇ3Ｎ2を用いることにより、熱分解によ
り生成されるＭｇがアクセプタ不純物としてＧａＮに添
加されると同時に、Ｎが原子空孔を補償する作用をし、
良質の結晶性を有しかつ高い正孔濃度を持つｐ型の化合
物半導体膜を得ることができる。
を含むIII−Ｖ族化合物半導体膜への不純物ソースとし
て固体ソースＭｇ3Ｎ2を用いることにより、熱分解によ
り生成されるＭｇがアクセプタ不純物としてＧａＮに添
加されると同時に、Ｎが原子空孔を補償する作用をし、
良質の結晶性を有しかつ高い正孔濃度を持つｐ型の化合
物半導体膜を得ることができる。
【図１】 この発明の一実施例に用いたＨＷＥ装置の構
成を示す。
成を示す。
１１…チャンバ、１２…真空ポンプ、１３…第１の固体
ソース容器、１４…第２の固体ソース容器、１５…ガス
案内管（ホットウォール部）、１６ａ，１６ｂ…ヒー
タ、１７ａ，１７ｂ…熱遮蔽体、１８…成膜用基板、１
９…ホルダー、２０…ヒータ、２１…ガスボンベ、２２
…バルブ、２３…マスフローコントローラ、２４…ガス
導入管、Ｇａ…第１の固体ソース、Ｍｇ3Ｎ2…第２の固
体ソース。
ソース容器、１４…第２の固体ソース容器、１５…ガス
案内管（ホットウォール部）、１６ａ，１６ｂ…ヒー
タ、１７ａ，１７ｂ…熱遮蔽体、１８…成膜用基板、１
９…ホルダー、２０…ヒータ、２１…ガスボンベ、２２
…バルブ、２３…マスフローコントローラ、２４…ガス
導入管、Ｇａ…第１の固体ソース、Ｍｇ3Ｎ2…第２の固
体ソース。
Claims (2)
- 【請求項１】 減圧されたチャンバ内で半導体膜の母相
となる第１の固体ソースを含む原料を熱分解して成膜用
基板に窒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する
方法において、 前記チャンバ内にＭｇ3Ｎ2を含む第２の固体ソースを配
置して、この第２の固体ソースを前記原料と共に熱分解
し、生成されたＭｇをアクセプタ不純物として添加した
化合物半導体膜を形成することを特徴とする窒素を含む
III−Ｖ族化合物半導体膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記第２の固体ソースを収容した第２の
固体ソース容器は、前記第１の固体ソースを収容した第
１の固体ソース容器と同軸的に第１の固体ソース容器の
下方に配置し、前記成膜用基板は前記第１の固体ソース
容器の上方に配置し、かつ前記第１の固体ソース容器と
成膜用基板の間には各固体ソースからの蒸発気体を熱分
解するガス案内管を配置することを特徴とする請求項１
記載の窒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体膜の製造方
法。
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| JP04603297A JP3633187B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 窒素を含むｉｉｉ−ｖ族化合物半導体膜の製造方法 |
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| JPH10242058A true JPH10242058A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3633187B2 JP3633187B2 (ja) | 2005-03-30 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3633187B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100297573B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2001-10-25 | 박근섭 | Ⅲ-ⅴ족화합물반도체제작용반응로 |
| JP2008081809A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | National Institute For Materials Science | 真空蒸着装置 |
| JP2008516877A (ja) * | 2004-10-16 | 2008-05-22 | アズッロ セミコンダクターズ アクチエンゲゼルシャフト | ＧａＮ結晶またはＡｌＧａＮ結晶の製造法 |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP04603297A patent/JP3633187B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| KR100297573B1 (ko) * | 1998-04-09 | 2001-10-25 | 박근섭 | Ⅲ-ⅴ족화합물반도체제작용반응로 |
| JP2008516877A (ja) * | 2004-10-16 | 2008-05-22 | アズッロ セミコンダクターズ アクチエンゲゼルシャフト | ＧａＮ結晶またはＡｌＧａＮ結晶の製造法 |
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