JPH10242143A - 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法 - Google Patents
半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法Info
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- JPH10242143A JPH10242143A JP9043696A JP4369697A JPH10242143A JP H10242143 A JPH10242143 A JP H10242143A JP 9043696 A JP9043696 A JP 9043696A JP 4369697 A JP4369697 A JP 4369697A JP H10242143 A JPH10242143 A JP H10242143A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の製造において絶縁膜の比誘電率
の低下を図る。 【解決手段】 シリコン基板１にアルミ配線２を配置し
て、プラズマ酸化膜３を堆積する。その後、シランとメ
チルシランと過酸化水素水との混合ガスあるいはメチル
シランと過酸化水素水との混合ガスを用いて、プラズマ
ＣＶＤ法によりＨＭＯ膜４を堆積する。そのＨＭＯ膜４
の上に、プラズマ酸化膜５を形成する。
の低下を図る。 【解決手段】 シリコン基板１にアルミ配線２を配置し
て、プラズマ酸化膜３を堆積する。その後、シランとメ
チルシランと過酸化水素水との混合ガスあるいはメチル
シランと過酸化水素水との混合ガスを用いて、プラズマ
ＣＶＤ法によりＨＭＯ膜４を堆積する。そのＨＭＯ膜４
の上に、プラズマ酸化膜５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置とそ
の製造方法及びその絶縁膜形成方法に関し、特に、金属
配線間を埋める層間絶縁膜の形成方法に関するものであ
る。
の製造方法及びその絶縁膜形成方法に関し、特に、金属
配線間を埋める層間絶縁膜の形成方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置における層間絶縁膜の
模式的な製造工程を表す図を、図１５〜図１７に示す。
模式的な製造工程を表す図を、図１５〜図１７に示す。
【０００３】図１５〜図１７において、各参照符号は次
のものを示す。１ｐは図示しない素子、絶縁層が形成さ
れているシリコン基板、２ｐはアルミ配線、３ｐは下層
のプラズマ酸化膜、４ｐはＳｉＨ4およびＨ2Ｏ2の混合
ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により形成されたシリコ
ン酸化膜、５ｐは上層のプラズマ酸化膜、６ｐは、プラ
ズマ酸化膜３ｐ、シリコン酸化膜４ｐ及びプラズマ酸化
膜５ｐから構成される層間絶縁膜である。
のものを示す。１ｐは図示しない素子、絶縁層が形成さ
れているシリコン基板、２ｐはアルミ配線、３ｐは下層
のプラズマ酸化膜、４ｐはＳｉＨ4およびＨ2Ｏ2の混合
ガスを用いてプラズマＣＶＤ法により形成されたシリコ
ン酸化膜、５ｐは上層のプラズマ酸化膜、６ｐは、プラ
ズマ酸化膜３ｐ、シリコン酸化膜４ｐ及びプラズマ酸化
膜５ｐから構成される層間絶縁膜である。
【０００４】次に、層間絶縁膜６ｐが形成される製造工
程の詳細な説明を行う。
程の詳細な説明を行う。
【０００５】図１５に示すように、シリコン基板１ｐ上
にアルミ配線２ｐを形成し、そのシリコン基板１ｐ及び
アルミ配線２ｐの表面を覆うようにして、下層であるプ
ラズマ酸化膜３ｐを形成する。
にアルミ配線２ｐを形成し、そのシリコン基板１ｐ及び
アルミ配線２ｐの表面を覆うようにして、下層であるプ
ラズマ酸化膜３ｐを形成する。
【０００６】次に、図１６に示すように、ＳｉＨ4およ
びＨ2Ｏ2の混合ガスを用いてＣＶＤ法によりシリコン酸
化膜４ｐを形成する。なお、シリコン酸化膜４ｐは、下
層のプラズマ酸化膜３ｐを全体的に覆っている。
びＨ2Ｏ2の混合ガスを用いてＣＶＤ法によりシリコン酸
化膜４ｐを形成する。なお、シリコン酸化膜４ｐは、下
層のプラズマ酸化膜３ｐを全体的に覆っている。
【０００７】最後に、図１７に示すように、上層のプラ
ズマ酸化膜５ｐを、シリコン酸化膜４ｐ全体を覆うよう
に形成すると平坦な層間絶縁膜６ｐを有する半導体装置
が得られる。
ズマ酸化膜５ｐを、シリコン酸化膜４ｐ全体を覆うよう
に形成すると平坦な層間絶縁膜６ｐを有する半導体装置
が得られる。
【０００８】この場合のシリコン酸化膜４ｐは、以下の
化学反応式により生成される。
化学反応式により生成される。
【０００９】まず、下記に示すＳｉＨ4がＨ2Ｏ2の酸化
反応によりシラノール（Ｓｉ（ＯＨ）4）を生成する。
反応によりシラノール（Ｓｉ（ＯＨ）4）を生成する。
【００１０】
【化１】
【００１１】
【化２】
【００１２】
【化３】
【００１３】次に、形成されたシラノールは、下記に示
す加水分解あるいは熱エネルギーにより脱水重合反応が
起きることで、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）を生成す
る。
す加水分解あるいは熱エネルギーにより脱水重合反応が
起きることで、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）を生成す
る。
【００１４】
【化４】
【００１５】このような化学反応がシリコン基板１ｐ上
で起きた場合、シリコン酸化膜を形成することとなる。
で起きた場合、シリコン酸化膜を形成することとなる。
【００１６】この時、形成されたシリコン酸化膜４ｐの
分子構造は、図１８に示すように、Ｓｉ−Ｏ結合、Ｓｉ
−ＯＨ結合のみより構成されている。また、Ｓｉ原子同
士は、Ｏ原子を介して結合している。
分子構造は、図１８に示すように、Ｓｉ−Ｏ結合、Ｓｉ
−ＯＨ結合のみより構成されている。また、Ｓｉ原子同
士は、Ｏ原子を介して結合している。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は上
記のように構成されているので、次のような問題点を内
包している。
記のように構成されているので、次のような問題点を内
包している。
【００１８】即ち、上述した従来の技術を簡単に述べれ
ば、半導体装置における層間絶縁膜は、シリコン化合
物、たとえばシラン（ＳｉＨ4）と過酸化水素（Ｈ
2Ｏ2）との混合ガスを用いてＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition）法によりシリコン酸化膜を形成していた。
このシリコン酸化膜は、０．２５μｍ以下の極微細な配
線間を埋め込むことが可能である。さらに、流動性に優
れ、それにより自己平坦化作用を示すことから、従来か
ら使用されていたＳＯＧ（Spin on glass）法等に代わ
る次世代層間絶縁膜の平坦化手法として注目されている
（NOVEL SELF-PLANARIZING CVD OXIDE FOR INTERLAYER
DIELECTRIC APPLICATIONS"(Technical digestof IEDM'9
4の117-120頁)及び"PLANARISATION FOR SUB-MICRON DEV
ICES UTILIZING A NEW CHEMISTRY" (Proceedings of DU
MIC conference'95の94-100頁)に記載）。
ば、半導体装置における層間絶縁膜は、シリコン化合
物、たとえばシラン（ＳｉＨ4）と過酸化水素（Ｈ
2Ｏ2）との混合ガスを用いてＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition）法によりシリコン酸化膜を形成していた。
このシリコン酸化膜は、０．２５μｍ以下の極微細な配
線間を埋め込むことが可能である。さらに、流動性に優
れ、それにより自己平坦化作用を示すことから、従来か
ら使用されていたＳＯＧ（Spin on glass）法等に代わ
る次世代層間絶縁膜の平坦化手法として注目されている
（NOVEL SELF-PLANARIZING CVD OXIDE FOR INTERLAYER
DIELECTRIC APPLICATIONS"(Technical digestof IEDM'9
4の117-120頁)及び"PLANARISATION FOR SUB-MICRON DEV
ICES UTILIZING A NEW CHEMISTRY" (Proceedings of DU
MIC conference'95の94-100頁)に記載）。
【００１９】しかし、シラノール（化１〜化３）から生
成されたシリコン酸化膜（化４）の比誘電率は４．０〜
５．０である。近年のデバイスの微細化にともない、層
間絶縁膜の寄生容量に起因した配線による信号遅延の問
題が深刻になってきている。このため、半導体装置に形
成される層間絶縁膜においては、その寄生容量を減らす
ことが重要課題となってきている。特に、金属配線間が
０．３μｍ以下と微細になった金属配線間の寄生容量を
減少させることが最重要課題である。そのためには、比
誘電率の低減、埋め込み性及び平坦化特性が優れた層間
絶縁膜が求められている。
成されたシリコン酸化膜（化４）の比誘電率は４．０〜
５．０である。近年のデバイスの微細化にともない、層
間絶縁膜の寄生容量に起因した配線による信号遅延の問
題が深刻になってきている。このため、半導体装置に形
成される層間絶縁膜においては、その寄生容量を減らす
ことが重要課題となってきている。特に、金属配線間が
０．３μｍ以下と微細になった金属配線間の寄生容量を
減少させることが最重要課題である。そのためには、比
誘電率の低減、埋め込み性及び平坦化特性が優れた層間
絶縁膜が求められている。
【００２０】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、シランとシラン系ガスと
過酸化水素水の混合ガスあるいはシラン系ガスと過酸化
水素水の混合ガスをＣＶＤ法によりシリコン酸化膜とし
て成長させることで、優れた埋め込み性能、自己平坦化
特性をも有し、さらには比誘電率が低下する半導体装
置、その製造方法及びその絶縁膜形成方法を提供するこ
とを目的としている。
るためになされたものであり、シランとシラン系ガスと
過酸化水素水の混合ガスあるいはシラン系ガスと過酸化
水素水の混合ガスをＣＶＤ法によりシリコン酸化膜とし
て成長させることで、優れた埋め込み性能、自己平坦化
特性をも有し、さらには比誘電率が低下する半導体装
置、その製造方法及びその絶縁膜形成方法を提供するこ
とを目的としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
装置の絶縁膜形成方法は、炭化水素基と結合したシリコ
ン原子を含むシラン系ガスと過酸化水素水の混合ガスま
たは前記炭化水素基と結合したシリコン原子を含むシラ
ン系ガスとシランと過酸化水素水の混合ガスを用いて化
学気相成長法により絶縁膜を形成する。
装置の絶縁膜形成方法は、炭化水素基と結合したシリコ
ン原子を含むシラン系ガスと過酸化水素水の混合ガスま
たは前記炭化水素基と結合したシリコン原子を含むシラ
ン系ガスとシランと過酸化水素水の混合ガスを用いて化
学気相成長法により絶縁膜を形成する。
【００２２】第２の発明に係る半導体装置の絶縁膜形成
方法は、第１の発明の半導体装置の絶縁膜形成方法であ
って、前記炭化水素基はアルキル基であることを特徴と
している。
方法は、第１の発明の半導体装置の絶縁膜形成方法であ
って、前記炭化水素基はアルキル基であることを特徴と
している。
【００２３】第３の発明に係る半導体装置の絶縁膜形成
方法は、第２の発明の半導体装置の絶縁膜形成方法であ
って、前記アルキル基はメチル基あるいはジメチル基あ
るいはトリメチル基であることを特徴としている。
方法は、第２の発明の半導体装置の絶縁膜形成方法であ
って、前記アルキル基はメチル基あるいはジメチル基あ
るいはトリメチル基であることを特徴としている。
【００２４】第４の発明に係る半導体装置の絶縁膜形成
方法は、第２の発明の半導体装置の絶縁膜形成方法であ
って、前記アルキル基はエチル基あるいはジエチル基あ
るいはトリエチル基であることを特徴としている。
方法は、第２の発明の半導体装置の絶縁膜形成方法であ
って、前記アルキル基はエチル基あるいはジエチル基あ
るいはトリエチル基であることを特徴としている。
【００２５】第５の発明に係る半導体装置の絶縁膜形成
方法は、第１の発明の半導体装置の絶縁膜形成方法であ
って、前記炭化水素基はビニル基であることを特徴とし
ている。
方法は、第１の発明の半導体装置の絶縁膜形成方法であ
って、前記炭化水素基はビニル基であることを特徴とし
ている。
【００２６】第６の発明に係る半導体装置の絶縁膜形成
方法は、第１の発明ないし第５の発明のいずれかに記載
の半導体装置の絶縁膜形成方法であって、前記絶縁膜の
形成時の温度の範囲は−１０〜６０℃、前記絶縁膜の形
成時の圧力の範囲は４００〜２０００ｍＴｏｒｒ、前記
シランのガス流量の範囲は０〜１２０ｓｃｃｍ、前記炭
化水素基と結合したシリコン原子を含むシラン系ガスの
ガス流量の範囲は０ｓｃｃｍより多く１２０ｓｃｃｍ以
下、前記過酸化水素水のガス流量の範囲は０．３５〜
０．８５ｇ／ｍｉｎであることを特徴としている。
方法は、第１の発明ないし第５の発明のいずれかに記載
の半導体装置の絶縁膜形成方法であって、前記絶縁膜の
形成時の温度の範囲は−１０〜６０℃、前記絶縁膜の形
成時の圧力の範囲は４００〜２０００ｍＴｏｒｒ、前記
シランのガス流量の範囲は０〜１２０ｓｃｃｍ、前記炭
化水素基と結合したシリコン原子を含むシラン系ガスの
ガス流量の範囲は０ｓｃｃｍより多く１２０ｓｃｃｍ以
下、前記過酸化水素水のガス流量の範囲は０．３５〜
０．８５ｇ／ｍｉｎであることを特徴としている。
【００２７】第７の発明の半導体装置は、半導体基板
と、前記半導体基板上に形成された多層の金属配線と、
前記半導体基板上の前記多層の金属配線間に形成される
層間絶縁膜とを備え、前記層間絶縁膜は炭化水素基と結
合したシリコン原子を含むことを特徴としている。
と、前記半導体基板上に形成された多層の金属配線と、
前記半導体基板上の前記多層の金属配線間に形成される
層間絶縁膜とを備え、前記層間絶縁膜は炭化水素基と結
合したシリコン原子を含むことを特徴としている。
【００２８】第８の発明の半導体装置は、第７の発明の
半導体装置であって、前記層間絶縁膜は第１の発明ない
し第６の発明のいずれかに記載の半導体装置の絶縁膜形
成方法により形成されることを特徴としている。
半導体装置であって、前記層間絶縁膜は第１の発明ない
し第６の発明のいずれかに記載の半導体装置の絶縁膜形
成方法により形成されることを特徴としている。
【００２９】第９の発明の半導体装置の製造方法は、半
導体基板を準備する第１の工程と、前記半導体基板上に
金属配線を形成する第２の工程と、前記半導体基板上の
前記金属配線を覆う絶縁膜を形成する第３の工程とを備
え、前記絶縁膜は第１の発明ないし第６の発明のいずれ
かに記載の半導体装置の絶縁膜形成方法により形成され
ることを特徴としている。
導体基板を準備する第１の工程と、前記半導体基板上に
金属配線を形成する第２の工程と、前記半導体基板上の
前記金属配線を覆う絶縁膜を形成する第３の工程とを備
え、前記絶縁膜は第１の発明ないし第６の発明のいずれ
かに記載の半導体装置の絶縁膜形成方法により形成され
ることを特徴としている。
【００３０】
（実施の形態１）以下、この発明の実施の形態１を図１
〜図５に基づき説明する。
〜図５に基づき説明する。
【００３１】図１〜図３は、実施の形態１における半導
体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。図４
は、実施の形態１におけるシリコン酸化膜の分子構造を
模式的に示す図である。図５は、従来の技術のシリコン
酸化膜と実施の形態１におけるシリコン酸化膜のそれぞ
れの比誘電率の測定の結果を表すグラフである。
体装置の製造工程を模式的に示す断面図である。図４
は、実施の形態１におけるシリコン酸化膜の分子構造を
模式的に示す図である。図５は、従来の技術のシリコン
酸化膜と実施の形態１におけるシリコン酸化膜のそれぞ
れの比誘電率の測定の結果を表すグラフである。
【００３２】先ず、図１においてシリコン基板１（半導
体基板）上に、アルミ配線２（金属配線）が配置されて
いる。このシリコン基板１には、図示しない素子及び絶
縁層が形成されている。シリコン基板１及びアルミ配線
２の表面上には、下層のプラズマ酸化膜３が形成され
る。なお、このプラズマ酸化膜３は、プラズマＣＶＤ法
によって形成されている。この時のプラズマ酸化膜３の
プラズマＣＶＤ法による一般的な形成条件は、形成温度
が３００゜Ｃ、圧力が７５０ｍＴｏｒｒ、高周波パワー
が５００Ｗ、原料ガスにＳｉＨ4と亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）
を用いて形成を行っている。プラズマ酸化膜３の膜厚
は、１０００オングストロームである。この場合、原料
ガスとしてＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）と酸素を用
い、プラズマＣＶＤ法により、一般的な形成条件として
形成温度４００゜Ｃ、圧力５Ｔｏｒｒ、高周波パワーを
５００Ｗとしてプラズマ酸化膜３を形成してもよい。
体基板）上に、アルミ配線２（金属配線）が配置されて
いる。このシリコン基板１には、図示しない素子及び絶
縁層が形成されている。シリコン基板１及びアルミ配線
２の表面上には、下層のプラズマ酸化膜３が形成され
る。なお、このプラズマ酸化膜３は、プラズマＣＶＤ法
によって形成されている。この時のプラズマ酸化膜３の
プラズマＣＶＤ法による一般的な形成条件は、形成温度
が３００゜Ｃ、圧力が７５０ｍＴｏｒｒ、高周波パワー
が５００Ｗ、原料ガスにＳｉＨ4と亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）
を用いて形成を行っている。プラズマ酸化膜３の膜厚
は、１０００オングストロームである。この場合、原料
ガスとしてＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）と酸素を用
い、プラズマＣＶＤ法により、一般的な形成条件として
形成温度４００゜Ｃ、圧力５Ｔｏｒｒ、高周波パワーを
５００Ｗとしてプラズマ酸化膜３を形成してもよい。
【００３３】次に、図１の製造工程の終了後は、図２に
示すように、下層のプラズマ酸化膜３上に、炭化水素基
と結合したシリコン原子を含むシラン系のガスの１種類
であるモノメチルシラン（ＳｉＨ3ＣＨ3）、シラン（Ｓ
ｉＨ4）、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）の混合ガスを用い、
プラズマＣＶＤ法（化学気相成長法）によりシリコン酸
化膜４（ＨＭＯ：Hydrogen peroxide and Methylsilane
based CVD Oxide）を形成する。このように、シリコン
酸化膜４は、アルミ配線２を覆うように、アルミ配線２
間を完全に埋めている。
示すように、下層のプラズマ酸化膜３上に、炭化水素基
と結合したシリコン原子を含むシラン系のガスの１種類
であるモノメチルシラン（ＳｉＨ3ＣＨ3）、シラン（Ｓ
ｉＨ4）、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）の混合ガスを用い、
プラズマＣＶＤ法（化学気相成長法）によりシリコン酸
化膜４（ＨＭＯ：Hydrogen peroxide and Methylsilane
based CVD Oxide）を形成する。このように、シリコン
酸化膜４は、アルミ配線２を覆うように、アルミ配線２
間を完全に埋めている。
【００３４】このモノメチルシラン、シラン、過酸化水
素水の混合ガスは以下に示すような化学反応を起こす。
素水の混合ガスは以下に示すような化学反応を起こす。
【００３５】先ず、下記に示すＳｉＨ3ＣＨ3とＨ2Ｏ2の
酸化反応によりＳｉＣＨ3（ＯＨ）3が生成される（化
５）。同時に、従来の技術で示したＳｉＨ4とＨ2Ｏ2の
化学反応によりＳｉ（ＯＨ）4も生成される（化１，
２，３）。
酸化反応によりＳｉＣＨ3（ＯＨ）3が生成される（化
５）。同時に、従来の技術で示したＳｉＨ4とＨ2Ｏ2の
化学反応によりＳｉ（ＯＨ）4も生成される（化１，
２，３）。
【００３６】
【化５】
【００３７】次に、形成されたＳｉＣＨ3（ＯＨ）3は、
下記に示す加水分解あるいは熱エネルギーによる脱水縮
合反応が起きることで、Ｓｉ（ＣＨ3）Ｏ1.5が生成され
る（化６）。Ｓｉ（ＯＨ）4も加水分解あるいは熱エネ
ルギーによる脱水縮合反応が起きることで、ＳｉＯ2が
生成される（化４）。
下記に示す加水分解あるいは熱エネルギーによる脱水縮
合反応が起きることで、Ｓｉ（ＣＨ3）Ｏ1.5が生成され
る（化６）。Ｓｉ（ＯＨ）4も加水分解あるいは熱エネ
ルギーによる脱水縮合反応が起きることで、ＳｉＯ2が
生成される（化４）。
【００３８】
【化６】
【００３９】この上述した、ＳｉＣＨ3（ＯＨ）3とＳｉ
（ＯＨ）4の中間体同士あるいはＳｉ（ＣＨ3）Ｏ1.5と
ＳｉＯ2の最終生成物同士の反応により、図２に示すよ
うなＨＭＯ膜４が形成される。
（ＯＨ）4の中間体同士あるいはＳｉ（ＣＨ3）Ｏ1.5と
ＳｉＯ2の最終生成物同士の反応により、図２に示すよ
うなＨＭＯ膜４が形成される。
【００４０】なお、このＨＭＯ膜４は従来の技術のＳｉ
（ＯＨ）4と同様に優れた流動性を持つため、極微細な
アルミ配線間の埋め込みが可能となる。
（ＯＨ）4と同様に優れた流動性を持つため、極微細な
アルミ配線間の埋め込みが可能となる。
【００４１】最後に、図２の製造工程の終了後は、図３
に示すように、シリコン酸化膜４上に、上層のプラズマ
酸化膜５を形成することで、平坦な層間絶縁膜６が得ら
れる。なお、このプラズマ酸化膜５の形成条件は、下層
のプラズマ酸化膜３と同じ形成条件である。もし、異な
る条件であったとしても、本発明の効果自体に影響を与
えるものではない。
に示すように、シリコン酸化膜４上に、上層のプラズマ
酸化膜５を形成することで、平坦な層間絶縁膜６が得ら
れる。なお、このプラズマ酸化膜５の形成条件は、下層
のプラズマ酸化膜３と同じ形成条件である。もし、異な
る条件であったとしても、本発明の効果自体に影響を与
えるものではない。
【００４２】又、このプラズマ酸化膜５の上層には、図
示しない２層目のアルミ配線が形成され、１層目の場合
と同様にプラズマ酸化膜、シリコン酸化膜、プラズマ酸
化膜が形成される。この時、２層目のアルミ配線間はシ
リコン酸化膜により完全に埋められて、平坦化を図るこ
とが可能となる。加えて、下層のアルミ配線２と図示し
ない上層のアルミ配線を接続する接続孔が形成される。
その後、必要に応じて図示しない３層目、４層目とアル
ミ配線が形成され、多層配線構造を有する半導体装置に
おいてアルミ配線間がシリコン酸化膜により完全に埋め
られて、半導体装置の平坦化が図ることができる。
示しない２層目のアルミ配線が形成され、１層目の場合
と同様にプラズマ酸化膜、シリコン酸化膜、プラズマ酸
化膜が形成される。この時、２層目のアルミ配線間はシ
リコン酸化膜により完全に埋められて、平坦化を図るこ
とが可能となる。加えて、下層のアルミ配線２と図示し
ない上層のアルミ配線を接続する接続孔が形成される。
その後、必要に応じて図示しない３層目、４層目とアル
ミ配線が形成され、多層配線構造を有する半導体装置に
おいてアルミ配線間がシリコン酸化膜により完全に埋め
られて、半導体装置の平坦化が図ることができる。
【００４３】次に、上述したシリコン酸化膜４（ＨＭＯ
膜）の形成条件について述べる。
膜）の形成条件について述べる。
【００４４】本実施の形態１の形成方法としては、上述
したシリコン酸化膜４の製造工程において、アルキルシ
ラン（ＳｉＨx（ＣＨ3）4-x）ガスに過酸化水素水（Ｈ2
Ｏ2）とシラン（ＳｉＨ4）を添加する。本実施の形態１
で用いたアルキルシランは、モノメチルシラン（ＳｉＨ
3ＣＨ3）であり、形成条件は形成温度が−１０〜６０
（゜Ｃ）、形成圧力が４００〜２０００（ｍＴｏｒ
ｒ）、ＳｉＨ4のガス流量が０〜１２０（ｓｃｃｍ）、
ＳｉＨ3ＣＨ3のガス流量が０（ｓｃｃｍ）より多く１２
０（ｓｃｃｍ）以下、Ｈ2Ｏ2のガス流量が０．３５〜
０．８５ｇ／ｍｉｎで行うこととする。
したシリコン酸化膜４の製造工程において、アルキルシ
ラン（ＳｉＨx（ＣＨ3）4-x）ガスに過酸化水素水（Ｈ2
Ｏ2）とシラン（ＳｉＨ4）を添加する。本実施の形態１
で用いたアルキルシランは、モノメチルシラン（ＳｉＨ
3ＣＨ3）であり、形成条件は形成温度が−１０〜６０
（゜Ｃ）、形成圧力が４００〜２０００（ｍＴｏｒ
ｒ）、ＳｉＨ4のガス流量が０〜１２０（ｓｃｃｍ）、
ＳｉＨ3ＣＨ3のガス流量が０（ｓｃｃｍ）より多く１２
０（ｓｃｃｍ）以下、Ｈ2Ｏ2のガス流量が０．３５〜
０．８５ｇ／ｍｉｎで行うこととする。
【００４５】この際、望ましくは、ＳｉＨ4とＳｉＨ3Ｃ
Ｈ3を合わせたガス流量は、１２０（ｓｃｃｍ）であ
る。つまり、例えば、ＳｉＨ4を５０（ｓｃｃｍ）とし
た場合には、ＳｉＨ3ＣＨ3は７０（ｓｃｃｍ）となる。
またＳｉＨ4のガス流量を減少させた場合にはＳｉＨ3Ｃ
Ｈ3のガス流量は増加することとなり、他方、ＳｉＨ4の
ガス量を増加させた場合にはＳｉＨ3ＣＨ3のガス流量は
減少することとなる。この場合のＳｉＨ4及びＳｉＨ3Ｃ
Ｈ3のガス流量の条件の下（ＳｉＨ4及びＳｉＨ3ＣＨ3の
ガス流量が０（ｓｃｃｍ）でない）では、図４に示すよ
うに、シリコン酸化膜はＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−ＣＨ3結
合、Ｓｉ−ＯＨ結合の分子構造を有することとなる。な
お、Ｓｉ原子は、Ｏ原子を介して、シリコン酸化膜分子
全体の骨格となるように結合する。
Ｈ3を合わせたガス流量は、１２０（ｓｃｃｍ）であ
る。つまり、例えば、ＳｉＨ4を５０（ｓｃｃｍ）とし
た場合には、ＳｉＨ3ＣＨ3は７０（ｓｃｃｍ）となる。
またＳｉＨ4のガス流量を減少させた場合にはＳｉＨ3Ｃ
Ｈ3のガス流量は増加することとなり、他方、ＳｉＨ4の
ガス量を増加させた場合にはＳｉＨ3ＣＨ3のガス流量は
減少することとなる。この場合のＳｉＨ4及びＳｉＨ3Ｃ
Ｈ3のガス流量の条件の下（ＳｉＨ4及びＳｉＨ3ＣＨ3の
ガス流量が０（ｓｃｃｍ）でない）では、図４に示すよ
うに、シリコン酸化膜はＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−ＣＨ3結
合、Ｓｉ−ＯＨ結合の分子構造を有することとなる。な
お、Ｓｉ原子は、Ｏ原子を介して、シリコン酸化膜分子
全体の骨格となるように結合する。
【００４６】ここでシリコン酸化膜の分子構造について
詳細に説明するならば、本実施の形態１のシリコン酸化
膜（図４）と従来の技術のシリコン酸化膜（図１８）と
を比較すると、従来の技術のシリコン酸化膜では存在し
なかったＳｉ−ＣＨ3結合がシリコン酸化膜の分子構造
として存在している。これより、従来の技術でＳｉ原子
が存在していた場所は、Ｓｉ原子が抜け、その跡にミク
ロな空間が存在するようになって、シリコン酸化膜全体
の密度が低下することとなる。この結果、本実施の形態
１のシリコン酸化膜は従来の技術に比べ、密度が低下す
ることで比誘電率が低下することとなる。
詳細に説明するならば、本実施の形態１のシリコン酸化
膜（図４）と従来の技術のシリコン酸化膜（図１８）と
を比較すると、従来の技術のシリコン酸化膜では存在し
なかったＳｉ−ＣＨ3結合がシリコン酸化膜の分子構造
として存在している。これより、従来の技術でＳｉ原子
が存在していた場所は、Ｓｉ原子が抜け、その跡にミク
ロな空間が存在するようになって、シリコン酸化膜全体
の密度が低下することとなる。この結果、本実施の形態
１のシリコン酸化膜は従来の技術に比べ、密度が低下す
ることで比誘電率が低下することとなる。
【００４７】本実施の形態１の実験の結果である図５に
示すように、従来の技術、本実施の形態１のそれぞれの
比誘電率は、従来の技術によるシリコン酸化膜の比誘電
率が４．５であるのに対し、本実施の形態１によるシリ
コン酸化膜は３．３〜３．４である。
示すように、従来の技術、本実施の形態１のそれぞれの
比誘電率は、従来の技術によるシリコン酸化膜の比誘電
率が４．５であるのに対し、本実施の形態１によるシリ
コン酸化膜は３．３〜３．４である。
【００４８】以上説明したように、本実施の形態１によ
るシリコン酸化膜の比誘電率は従来の技術のシリコン酸
化膜に比べて、低誘電率化が可能となる。
るシリコン酸化膜の比誘電率は従来の技術のシリコン酸
化膜に比べて、低誘電率化が可能となる。
【００４９】このように、本実施の形態１の発明による
シリコン酸化膜は、モノメチルシランとシランと過酸化
水素水との混合ガスを用い、あるいはモノメチルシラン
と過酸化水素水とを用いても結果的には同様な低誘電率
化の効果を得ることができる。又、金属配線間の埋め込
みを可能とし、優れた自己平坦化の特性をも保持してい
る。
シリコン酸化膜は、モノメチルシランとシランと過酸化
水素水との混合ガスを用い、あるいはモノメチルシラン
と過酸化水素水とを用いても結果的には同様な低誘電率
化の効果を得ることができる。又、金属配線間の埋め込
みを可能とし、優れた自己平坦化の特性をも保持してい
る。
【００５０】なお、本実施の形態１では、ＨＭＯ膜４は
下層のプラズマ酸化膜３上に形成したが、プラズマ酸化
膜３を形成せずに直接アルミ配線２上に形成してもよ
い。
下層のプラズマ酸化膜３上に形成したが、プラズマ酸化
膜３を形成せずに直接アルミ配線２上に形成してもよ
い。
【００５１】（実施の形態２）以上、実施の形態１では
アルキルシランとしてモノメチルシラン（ＳｉＨ3Ｃ
Ｈ3）を使用した例を示したが、ジメチルシラン（Ｓｉ
Ｈ2（ＣＨ3）2）およびトリメチルシラン（ＳｉＨ（Ｃ
Ｈ3）3）を用いても同様な効果を奏する。
アルキルシランとしてモノメチルシラン（ＳｉＨ3Ｃ
Ｈ3）を使用した例を示したが、ジメチルシラン（Ｓｉ
Ｈ2（ＣＨ3）2）およびトリメチルシラン（ＳｉＨ（Ｃ
Ｈ3）3）を用いても同様な効果を奏する。
【００５２】以下、この発明の実施の形態２を、図に基
づき説明を行う。
づき説明を行う。
【００５３】図６は、ジメチルシランを用いてシリコン
酸化膜を形成した場合の分子構造を模式的に示す図であ
る。図７は、トリメチルシランを用いてシリコン酸化膜
を形成した場合の分子構造を模式的に示す図である。図
８は、従来の技術のシリコン酸化膜と本実施の形態２の
シリコン酸化膜との比誘電率を表すグラフである。
酸化膜を形成した場合の分子構造を模式的に示す図であ
る。図７は、トリメチルシランを用いてシリコン酸化膜
を形成した場合の分子構造を模式的に示す図である。図
８は、従来の技術のシリコン酸化膜と本実施の形態２の
シリコン酸化膜との比誘電率を表すグラフである。
【００５４】本実施の形態２のシリコン酸化膜は、実施
の形態１のＨＭＯ膜４と同様に、図１〜図３で示す製造
方法で半導体装置の製造を行う。異なるのは、実施の形
態１で使用した原料となるガスがモノメチルシランから
ジメチルシランあるいはトリメチルシランに変わったこ
とのみである。本実施の形態２においてシリコン酸化膜
を形成する条件（形成温度、形成圧力、ガス流量等）
は、実施の形態１と全く同じ条件であり、プラズマＣＶ
Ｄ法により生成を行う。又、ジメチルシランあるいはト
リメチルシランに過酸化水素水とシラン、あるいは過酸
化水素水のみを添加して混合ガスの化学反応を起こさ
せ、シリコン酸化膜の生成を行う点も同じである。
の形態１のＨＭＯ膜４と同様に、図１〜図３で示す製造
方法で半導体装置の製造を行う。異なるのは、実施の形
態１で使用した原料となるガスがモノメチルシランから
ジメチルシランあるいはトリメチルシランに変わったこ
とのみである。本実施の形態２においてシリコン酸化膜
を形成する条件（形成温度、形成圧力、ガス流量等）
は、実施の形態１と全く同じ条件であり、プラズマＣＶ
Ｄ法により生成を行う。又、ジメチルシランあるいはト
リメチルシランに過酸化水素水とシラン、あるいは過酸
化水素水のみを添加して混合ガスの化学反応を起こさ
せ、シリコン酸化膜の生成を行う点も同じである。
【００５５】以下、本実施の形態２の化学反応式を説明
する。
する。
【００５６】本実施の形態２で用いるジメチルシラン
は、先ず下記に示す酸化反応が起こることでＳｉ（ＣＨ
3）2（ＯＨ）2が生成される（化７）。
は、先ず下記に示す酸化反応が起こることでＳｉ（ＣＨ
3）2（ＯＨ）2が生成される（化７）。
【００５７】
【化７】
【００５８】次に、生成されたＳｉ（ＣＨ3）2（ＯＨ）
2が脱水縮合反応が起こることで、Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｏ2が
生成される（化８）。
2が脱水縮合反応が起こることで、Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｏ2が
生成される（化８）。
【００５９】
【化８】
【００６０】又、シランも実施の形態１と同様に化学反
応が起き、中間体Ｓｉ（ＯＨ）4、最終生成物ＳｉＯ2が
生成される（化１，２，３，４）。中間体Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3）2（ＯＨ）2及びＳｉ（ＯＨ）4同士、あるいは最終
生成物Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｏ2及びＳｉＯ2同士の反応によ
り、図３のシリコン酸化膜４が作成される。
応が起き、中間体Ｓｉ（ＯＨ）4、最終生成物ＳｉＯ2が
生成される（化１，２，３，４）。中間体Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3）2（ＯＨ）2及びＳｉ（ＯＨ）4同士、あるいは最終
生成物Ｓｉ（ＣＨ3）2Ｏ2及びＳｉＯ2同士の反応によ
り、図３のシリコン酸化膜４が作成される。
【００６１】他方、トリメチルシランは、下記に示す酸
化反応（化９）、脱水縮合反応（化１０）の化学反応が
起きると共に、シランもまた酸化反応（化１，２，
３）、脱水縮合反応（化４）が起きることで、図３のシ
リコン酸化膜４が作成される。
化反応（化９）、脱水縮合反応（化１０）の化学反応が
起きると共に、シランもまた酸化反応（化１，２，
３）、脱水縮合反応（化４）が起きることで、図３のシ
リコン酸化膜４が作成される。
【００６２】
【化９】
【００６３】
【化１０】
【００６４】なお、ジメチルシラン、トリメチルシラン
から生成された図３のシリコン酸化膜４は、優れた流動
性を保持しているため、極微細のアルミ配線間の埋め込
みを可能としている。
から生成された図３のシリコン酸化膜４は、優れた流動
性を保持しているため、極微細のアルミ配線間の埋め込
みを可能としている。
【００６５】ジメチルシランあるいはトリメチルシラン
に過酸化水素水とシランを添加した場合の本実施の形態
２のシリコン酸化膜の分子構造は、図６及び図７に示す
ように、Ｓｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−ＯＨ結合及びＳｉ−ＣＨ
3結合から構成されている。Ｓｉ原子の中にはＳｉ原子
１つ当たりＣＨ3基が２つあるいは３つ結合しているも
のもある。このように、実施の形態１のＨＭＯ膜４（図
４）と同様、従来の技術に比でＳｉ原子が存在していた
場所は、Ｓｉ原子が抜けている。このため、その抜けた
跡には、空間が存在するようになり、シリコン酸化膜全
体の密度が低下することとなる。その結果、本実施の形
態２のシリコン酸化膜の分子内には実施の形態１のＨＭ
Ｏ膜と同様に、シリコン酸化膜の密度が低下することと
なる。
に過酸化水素水とシランを添加した場合の本実施の形態
２のシリコン酸化膜の分子構造は、図６及び図７に示す
ように、Ｓｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−ＯＨ結合及びＳｉ−ＣＨ
3結合から構成されている。Ｓｉ原子の中にはＳｉ原子
１つ当たりＣＨ3基が２つあるいは３つ結合しているも
のもある。このように、実施の形態１のＨＭＯ膜４（図
４）と同様、従来の技術に比でＳｉ原子が存在していた
場所は、Ｓｉ原子が抜けている。このため、その抜けた
跡には、空間が存在するようになり、シリコン酸化膜全
体の密度が低下することとなる。その結果、本実施の形
態２のシリコン酸化膜の分子内には実施の形態１のＨＭ
Ｏ膜と同様に、シリコン酸化膜の密度が低下することと
なる。
【００６６】このように、シリコン酸化膜の分子構造内
の密度が低下することで、比誘電率の低下を図ることが
可能となる。また、アルミ配線２間をシリコン酸化膜で
埋めることができ優れた埋め込み特性を実現できる。ま
た、優れた自己平坦化特性を実現することも可能とな
る。
の密度が低下することで、比誘電率の低下を図ることが
可能となる。また、アルミ配線２間をシリコン酸化膜で
埋めることができ優れた埋め込み特性を実現できる。ま
た、優れた自己平坦化特性を実現することも可能とな
る。
【００６７】本実施の形態２の実験の結果である図８に
示すように、従来の技術のシリコン酸化膜、本実施の形
態２のシリコン酸化膜のそれぞれの比誘電率は、従来の
技術によるシリコン酸化膜の比誘電率４．５であるのに
対し、本実施の形態２によるシリコン酸化膜は３．３〜
３．４である。
示すように、従来の技術のシリコン酸化膜、本実施の形
態２のシリコン酸化膜のそれぞれの比誘電率は、従来の
技術によるシリコン酸化膜の比誘電率４．５であるのに
対し、本実施の形態２によるシリコン酸化膜は３．３〜
３．４である。
【００６８】以上説明したように、本実施の形態２によ
るシリコン酸化膜の比誘電率は従来の技術のシリコン酸
化膜に比べて、比誘電率の低下を図ることが可能とな
る。
るシリコン酸化膜の比誘電率は従来の技術のシリコン酸
化膜に比べて、比誘電率の低下を図ることが可能とな
る。
【００６９】このように、本実施の形態２の発明による
シリコン酸化膜は、ジメチルシランまたはトリメチルシ
ランとシランと過酸化水素水の混合ガス、あるいはジメ
チルシランまたはトリメチルシランと過酸化水素水との
混合ガスを用いて低誘電率化の効果を得ることができ
る。また、金属配線間の埋め込みを可能とし、優れた自
己平坦化の特性を保持することも可能である。
シリコン酸化膜は、ジメチルシランまたはトリメチルシ
ランとシランと過酸化水素水の混合ガス、あるいはジメ
チルシランまたはトリメチルシランと過酸化水素水との
混合ガスを用いて低誘電率化の効果を得ることができ
る。また、金属配線間の埋め込みを可能とし、優れた自
己平坦化の特性を保持することも可能である。
【００７０】（実施の形態３）以上、実施の形態１、２
ではメチル系シランを使用したが、エチル系シランであ
るモノエチルシラン（ＳｉＨ3（Ｃ2Ｈ5））、ジエチル
シラン（ＳｉＨ2（Ｃ2Ｈ5）2）、トリエチルシラン（Ｓ
ｉＨ（Ｃ2Ｈ5）3）を用いても同様な効果を奏する。
ではメチル系シランを使用したが、エチル系シランであ
るモノエチルシラン（ＳｉＨ3（Ｃ2Ｈ5））、ジエチル
シラン（ＳｉＨ2（Ｃ2Ｈ5）2）、トリエチルシラン（Ｓ
ｉＨ（Ｃ2Ｈ5）3）を用いても同様な効果を奏する。
【００７１】以下、この発明の実施の形態３を、図に基
づき説明する。
づき説明する。
【００７２】図９は、モノエチルシランを用いてシリコ
ン酸化膜を形成した場合の分子構造を模式的に示す図で
ある。図１０は、ジエチルシランを用いてシリコン酸化
膜を形成した場合の分子構造を模式的に示す図である。
図１１は、トリエチルシランを用いてシリコン酸化膜を
形成した場合の分子構造を模式的に示す図である。図１
２は、従来の技術のシリコン酸化膜と本実施の形態３の
シリコン酸化膜との比誘電率を表すグラフである。
ン酸化膜を形成した場合の分子構造を模式的に示す図で
ある。図１０は、ジエチルシランを用いてシリコン酸化
膜を形成した場合の分子構造を模式的に示す図である。
図１１は、トリエチルシランを用いてシリコン酸化膜を
形成した場合の分子構造を模式的に示す図である。図１
２は、従来の技術のシリコン酸化膜と本実施の形態３の
シリコン酸化膜との比誘電率を表すグラフである。
【００７３】本実施の形態３のシリコン酸化膜は、実施
の形態１のＨＭＯ膜４及び実施の形態２のシリコン酸化
膜４と同様に、実施の形態１の図１〜図３で示す製造方
法で半導体装置の製造を行う。異なる点は、原料として
メチル系シランを用いていたが、エチル系シランを使用
している点である。又、本実施の形態３においてシリコ
ン酸化膜を形成する条件（形成温度、形成圧力、ガス流
量等）は、実施の形態１，２と全く同じ条件であり、プ
ラズマＣＶＤ法により行う。モノエチルシラン、ジエチ
ルシランあるいはトリエチルシランに過酸化水素水とシ
ラン、あるいは過酸化水素水のみを添加した混合ガスの
化学反応によりシリコン酸化膜を作成することも同じで
ある。
の形態１のＨＭＯ膜４及び実施の形態２のシリコン酸化
膜４と同様に、実施の形態１の図１〜図３で示す製造方
法で半導体装置の製造を行う。異なる点は、原料として
メチル系シランを用いていたが、エチル系シランを使用
している点である。又、本実施の形態３においてシリコ
ン酸化膜を形成する条件（形成温度、形成圧力、ガス流
量等）は、実施の形態１，２と全く同じ条件であり、プ
ラズマＣＶＤ法により行う。モノエチルシラン、ジエチ
ルシランあるいはトリエチルシランに過酸化水素水とシ
ラン、あるいは過酸化水素水のみを添加した混合ガスの
化学反応によりシリコン酸化膜を作成することも同じで
ある。
【００７４】以下、本実施の形態３の化学反応式を説明
する。
する。
【００７５】モノエチルシランは、下記に示す酸化反応
（化１１）、脱水重合反応（化１２）の化学反応が起こ
ることで中間体Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）（ＯＨ）3、最終生成物
Ｓｉ（ＣＨ3）Ｏ1.5が生成される。
（化１１）、脱水重合反応（化１２）の化学反応が起こ
ることで中間体Ｓｉ（Ｃ2Ｈ5）（ＯＨ）3、最終生成物
Ｓｉ（ＣＨ3）Ｏ1.5が生成される。
【００７６】
【化１１】
【００７７】
【化１２】
【００７８】一方、シランも化学反応（化１，２，３，
４）が起きることで中間体Ｓｉ（ＯＨ）4、最終生成物
ＳｉＯ2が生成される。このＳｉ（Ｃ2Ｈ5）（ＯＨ）3、
Ｓｉ（ＯＨ）4の中間体同士、あるいはＳｉ（ＣＨ3）Ｏ
1.5、ＳｉＯ2の最終生成物同士の化学反応により図３の
シリコン酸化膜４が作成される。
４）が起きることで中間体Ｓｉ（ＯＨ）4、最終生成物
ＳｉＯ2が生成される。このＳｉ（Ｃ2Ｈ5）（ＯＨ）3、
Ｓｉ（ＯＨ）4の中間体同士、あるいはＳｉ（ＣＨ3）Ｏ
1.5、ＳｉＯ2の最終生成物同士の化学反応により図３の
シリコン酸化膜４が作成される。
【００７９】又、ジエチルシランは、下記に示す酸化反
応（化１３）、脱水重合反応（化１４）の化学反応、シ
ランの化学反応（化１，２，３，４）が起こることで同
様に図３のシリコン酸化膜４が形成される。
応（化１３）、脱水重合反応（化１４）の化学反応、シ
ランの化学反応（化１，２，３，４）が起こることで同
様に図３のシリコン酸化膜４が形成される。
【００８０】
【化１３】
【００８１】
【化１４】
【００８２】なお、トリエチルシランについても同様
に、下記に示す酸化反応（化１５）、脱水重合反応（化
１６）の化学反応、シランの化学反応（化１，２，３，
４）が起こることで図３のシリコン酸化膜４が形成され
る。
に、下記に示す酸化反応（化１５）、脱水重合反応（化
１６）の化学反応、シランの化学反応（化１，２，３，
４）が起こることで図３のシリコン酸化膜４が形成され
る。
【００８３】
【化１５】
【００８４】
【化１６】
【００８５】このように、モノエチルシラン、ジエチル
シラン、トリエチルシランから生成された図３のシリコ
ン酸化膜４も、優れた流動性を保持しているため、極微
細のアルミ配線間の埋め込みを可能としている。
シラン、トリエチルシランから生成された図３のシリコ
ン酸化膜４も、優れた流動性を保持しているため、極微
細のアルミ配線間の埋め込みを可能としている。
【００８６】モノエチルシラン、ジエチルシランあるい
はトリエチルシランに過酸化水素水とシランを添加した
場合の本実施の形態３のシリコン酸化膜の分子構造は、
図９、図１０及び図１１に示すように、Ｓｉ−Ｏ結合、
Ｓｉ−ＯＨ結合及びＳｉ−Ｃ2Ｈ5結合から構成されてい
る。この時のＳｉ原子は、実施の形態１のＨＭＯ膜４
（図４）及び実施の形態２のシリコン酸化膜４（図６、
図７）のＳｉ原子と比較してシリコン酸化膜分子構造内
に占める割合が少なくなっている。このため、分子構造
内にさらにミクロの空間が存在するようになり、シリコ
ン酸化膜全体の密度が低下することとなる。その結果、
本実施の形態３のシリコン酸化膜４は、実施の形態１の
ＨＭＯ膜４あるいは実施の形態２のシリコン酸化膜４に
比べて、密度が低下することとなる。勿論、従来の技術
のシリコン酸化膜４ｐ（図１８）と比較しても密度が低
下していることが、実施の形態１，２と合わせても理解
できるであろう。
はトリエチルシランに過酸化水素水とシランを添加した
場合の本実施の形態３のシリコン酸化膜の分子構造は、
図９、図１０及び図１１に示すように、Ｓｉ−Ｏ結合、
Ｓｉ−ＯＨ結合及びＳｉ−Ｃ2Ｈ5結合から構成されてい
る。この時のＳｉ原子は、実施の形態１のＨＭＯ膜４
（図４）及び実施の形態２のシリコン酸化膜４（図６、
図７）のＳｉ原子と比較してシリコン酸化膜分子構造内
に占める割合が少なくなっている。このため、分子構造
内にさらにミクロの空間が存在するようになり、シリコ
ン酸化膜全体の密度が低下することとなる。その結果、
本実施の形態３のシリコン酸化膜４は、実施の形態１の
ＨＭＯ膜４あるいは実施の形態２のシリコン酸化膜４に
比べて、密度が低下することとなる。勿論、従来の技術
のシリコン酸化膜４ｐ（図１８）と比較しても密度が低
下していることが、実施の形態１，２と合わせても理解
できるであろう。
【００８７】又、実施の形態１，２の実験結果から推測
すると図１２に示すように、従来の技術のシリコン酸化
膜、本実施の形態３のシリコン酸化膜のそれぞれの比誘
電率は、従来の技術によるシリコン酸化膜の比誘電率
４．５であるのに対し、本実施の形態３によるシリコン
酸化膜は３．０程度が見込まれ、より一層比誘電率の低
下が図られるものと思われる。
すると図１２に示すように、従来の技術のシリコン酸化
膜、本実施の形態３のシリコン酸化膜のそれぞれの比誘
電率は、従来の技術によるシリコン酸化膜の比誘電率
４．５であるのに対し、本実施の形態３によるシリコン
酸化膜は３．０程度が見込まれ、より一層比誘電率の低
下が図られるものと思われる。
【００８８】以上説明したように、本実施の形態３によ
るシリコン酸化膜の比誘電率は従来の技術のシリコン酸
化膜または実施の形態１，２のシリコン酸化膜に比べて
も、比誘電率の低下を図ることが可能となる。
るシリコン酸化膜の比誘電率は従来の技術のシリコン酸
化膜または実施の形態１，２のシリコン酸化膜に比べて
も、比誘電率の低下を図ることが可能となる。
【００８９】このように、本実施の形態３の発明による
シリコン酸化膜は、モノエチルシラン、ジエチルシラン
またはトリエチルシランとシランと過酸化水素水との混
合ガス、あるいはモノエチルシラン、ジエチルシランま
たはトリエチルシランと過酸化水素水との混合ガスを用
いて低誘電率化の効果を得ることができる。また、金属
配線間の埋め込みを可能とし、優れた自己平坦化の特性
を保持することも可能である。
シリコン酸化膜は、モノエチルシラン、ジエチルシラン
またはトリエチルシランとシランと過酸化水素水との混
合ガス、あるいはモノエチルシラン、ジエチルシランま
たはトリエチルシランと過酸化水素水との混合ガスを用
いて低誘電率化の効果を得ることができる。また、金属
配線間の埋め込みを可能とし、優れた自己平坦化の特性
を保持することも可能である。
【００９０】（実施の形態４）以上、実施の形態１，
２，３ではアルキル系シランを使用していたが、ビニル
シラン（ＳｉＨ3（ＣＨ＝ＣＨ2））を用いても同様に比
誘電率低下の効果を奏する。
２，３ではアルキル系シランを使用していたが、ビニル
シラン（ＳｉＨ3（ＣＨ＝ＣＨ2））を用いても同様に比
誘電率低下の効果を奏する。
【００９１】以下、この発明の実施の形態４を、図に基
づき説明する。
づき説明する。
【００９２】図１３は、ビニルシランを用いてシリコン
酸化膜を形成した場合の分子構造を模式的に示す図であ
る。図１４は、従来の技術のシリコン酸化膜と本実施の
形態４のシリコン酸化膜との比誘電率を表すグラフであ
る。
酸化膜を形成した場合の分子構造を模式的に示す図であ
る。図１４は、従来の技術のシリコン酸化膜と本実施の
形態４のシリコン酸化膜との比誘電率を表すグラフであ
る。
【００９３】なお、本実施の形態４のシリコン酸化膜
は、実施の形態１のＨＭＯ膜４及び実施の形態２，３，
４のシリコン酸化膜４と同様に、実施の形態１の図１〜
図３で示す製造方法により半導体装置の製造を行う。こ
の場合の半導体装置の製造において異なる点は、実施の
形態１，２，３では原料としてアルキルシランを用いて
いたが、ビニルシランに変わったことのみである。
は、実施の形態１のＨＭＯ膜４及び実施の形態２，３，
４のシリコン酸化膜４と同様に、実施の形態１の図１〜
図３で示す製造方法により半導体装置の製造を行う。こ
の場合の半導体装置の製造において異なる点は、実施の
形態１，２，３では原料としてアルキルシランを用いて
いたが、ビニルシランに変わったことのみである。
【００９４】又、本実施の形態４においてシリコン酸化
膜を形成する条件（形成温度、形成圧力、ガス流量等）
は、実施の形態１，２，３と同じ条件であり、プラズマ
ＣＶＤ法を用いている。ビニルシランに過酸化水素水と
シラン、あるいは過酸化水素水のみを添加した混合ガス
の化学反応によりシリコン酸化膜を作成することも同じ
である。
膜を形成する条件（形成温度、形成圧力、ガス流量等）
は、実施の形態１，２，３と同じ条件であり、プラズマ
ＣＶＤ法を用いている。ビニルシランに過酸化水素水と
シラン、あるいは過酸化水素水のみを添加した混合ガス
の化学反応によりシリコン酸化膜を作成することも同じ
である。
【００９５】以下、本実施の形態４の化学反応式を説明
する。
する。
【００９６】ビニルシランは、下記に示す酸化反応（化
１７）、脱水重合反応（化１８）の化学反応が起きるこ
とで、中間体Ｓｉ（ＣＨ＝ＣＨ2）（ＯＨ）3、最終生成
物Ｓｉ（ＣＨ＝ＣＨ2）（ＯＨ）3が生成される。
１７）、脱水重合反応（化１８）の化学反応が起きるこ
とで、中間体Ｓｉ（ＣＨ＝ＣＨ2）（ＯＨ）3、最終生成
物Ｓｉ（ＣＨ＝ＣＨ2）（ＯＨ）3が生成される。
【００９７】
【化１７】
【００９８】
【化１８】
【００９９】一方、シランも化学反応（化１，２，３，
４）が起きることで、中間体Ｓｉ（ＯＨ）4、最終生成
物ＳｉＯ2が生成される。Ｓｉ（ＣＨ＝ＣＨ2）（ＯＨ）
3、Ｓｉ（ＯＨ）4の中間体同士、Ｓｉ（ＣＨ＝ＣＨ2）
（ＯＨ）3、ＳｉＯ2の最終生成物同士の化学反応により
図３のシリコン酸化膜４が形成される。
４）が起きることで、中間体Ｓｉ（ＯＨ）4、最終生成
物ＳｉＯ2が生成される。Ｓｉ（ＣＨ＝ＣＨ2）（ＯＨ）
3、Ｓｉ（ＯＨ）4の中間体同士、Ｓｉ（ＣＨ＝ＣＨ2）
（ＯＨ）3、ＳｉＯ2の最終生成物同士の化学反応により
図３のシリコン酸化膜４が形成される。
【０１００】なお、ビニルシランから生成されたシリコ
ン酸化膜４は、優れた流動性を有しているため、極微細
なアルミ配線間の埋め込みを可能としている。
ン酸化膜４は、優れた流動性を有しているため、極微細
なアルミ配線間の埋め込みを可能としている。
【０１０１】ビニルシランに過酸化水素水とシランを添
加した場合の本実施の形態４のシリコン酸化膜４の分子
構造は、図１３に示すように、Ｓｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｏ
Ｈ結合及びＳｉ−（ＣＨ＝ＣＨ2）結合から構成されて
いる。この時のＳｉ原子は、実施の形態１のＨＭＯ膜４
（図４）及び実施の形態２，３のシリコン酸化膜（図
４、図６、図７、図９、図１０、図１１）のＳｉ原子と
比較してシリコン酸化膜分子構造内に占める割合が少な
くなっている。このため、分子構造内にさらにミクロな
空間が存在するようになり、シリコン酸化膜全体の密度
が低下することとなる。その結果、本実施の形態４のシ
リコン酸化膜は実施の形態１のＨＭＯ膜及び実施の形態
２，３のシリコン酸化膜に比べて、密度が低下すること
となる。勿論、従来の技術のシリコン酸化膜４ｐ（図１
８）と比較しても密度が低下していることが理解できる
であろう。
加した場合の本実施の形態４のシリコン酸化膜４の分子
構造は、図１３に示すように、Ｓｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｏ
Ｈ結合及びＳｉ−（ＣＨ＝ＣＨ2）結合から構成されて
いる。この時のＳｉ原子は、実施の形態１のＨＭＯ膜４
（図４）及び実施の形態２，３のシリコン酸化膜（図
４、図６、図７、図９、図１０、図１１）のＳｉ原子と
比較してシリコン酸化膜分子構造内に占める割合が少な
くなっている。このため、分子構造内にさらにミクロな
空間が存在するようになり、シリコン酸化膜全体の密度
が低下することとなる。その結果、本実施の形態４のシ
リコン酸化膜は実施の形態１のＨＭＯ膜及び実施の形態
２，３のシリコン酸化膜に比べて、密度が低下すること
となる。勿論、従来の技術のシリコン酸化膜４ｐ（図１
８）と比較しても密度が低下していることが理解できる
であろう。
【０１０２】このように、シリコン酸化膜の分子構造内
の密度が低下することで、比誘電率の低下を図ることが
可能となる。また、アルミ配線２間を本実施の形態４の
シリコン酸化膜４で埋めることができ、優れた自己平坦
化特性を実現することが可能となる。
の密度が低下することで、比誘電率の低下を図ることが
可能となる。また、アルミ配線２間を本実施の形態４の
シリコン酸化膜４で埋めることができ、優れた自己平坦
化特性を実現することが可能となる。
【０１０３】本実施の形態４の実験結果である図１４に
示すように、従来の技術のシリコン酸化膜、本実施の形
態４のシリコン酸化膜のそれぞれの比誘電率は、従来の
技術によるシリコン酸化膜の比誘電率４．５であるのに
対し、本実施の形態４によるシリコン酸化膜は２．７で
あり、さらにより一層比誘電率の低下が図られている。
示すように、従来の技術のシリコン酸化膜、本実施の形
態４のシリコン酸化膜のそれぞれの比誘電率は、従来の
技術によるシリコン酸化膜の比誘電率４．５であるのに
対し、本実施の形態４によるシリコン酸化膜は２．７で
あり、さらにより一層比誘電率の低下が図られている。
【０１０４】以上説明したように、本実施の形態４によ
るシリコン酸化膜の比誘電率は従来の技術のシリコン酸
化膜または実施の形態１のＨＭＯ膜、実施の形態２，３
のシリコン酸化膜に比べて、比誘電率の低下を図ること
が可能となる。
るシリコン酸化膜の比誘電率は従来の技術のシリコン酸
化膜または実施の形態１のＨＭＯ膜、実施の形態２，３
のシリコン酸化膜に比べて、比誘電率の低下を図ること
が可能となる。
【０１０５】このように、本実施の形態４の発明による
シリコン酸化膜は、ビニルシランとシランと過酸化水素
水との混合ガス、あるいはビニルシランと過酸化水素水
との混合ガスを用いて低誘電率化の効果を得ることがで
きる。また、金属配線間の埋め込みを可能とし、優れた
自己平坦化の特性を保持することも可能である。
シリコン酸化膜は、ビニルシランとシランと過酸化水素
水との混合ガス、あるいはビニルシランと過酸化水素水
との混合ガスを用いて低誘電率化の効果を得ることがで
きる。また、金属配線間の埋め込みを可能とし、優れた
自己平坦化の特性を保持することも可能である。
【０１０６】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、炭素水素
基と結合したシリコン原子を含むシラン系ガスとシラン
と過酸化水素水の混合ガスあるいは炭化水素基と結合し
たシリコン原子を含むシラン系ガスと過酸化水素水の混
合ガスを用いて化学気相成長法により絶縁膜を形成する
ことで、誘電率が低く、かつ埋め込み特性がよく自己平
坦化特性の優れたシリコン酸化膜の形成方法を提供でき
るという効果がある。
基と結合したシリコン原子を含むシラン系ガスとシラン
と過酸化水素水の混合ガスあるいは炭化水素基と結合し
たシリコン原子を含むシラン系ガスと過酸化水素水の混
合ガスを用いて化学気相成長法により絶縁膜を形成する
ことで、誘電率が低く、かつ埋め込み特性がよく自己平
坦化特性の優れたシリコン酸化膜の形成方法を提供でき
るという効果がある。
【０１０７】請求項２記載の発明によれば、炭化水素基
をアルキル基とすることで、アルキル基と結合したシラ
ン系ガスを用いた化学気相成長方法でも、誘電率が低
く、かつ埋め込み特性がよく、自己平坦化特性の優れた
絶縁膜の形成方法を提供できるという効果がある。
をアルキル基とすることで、アルキル基と結合したシラ
ン系ガスを用いた化学気相成長方法でも、誘電率が低
く、かつ埋め込み特性がよく、自己平坦化特性の優れた
絶縁膜の形成方法を提供できるという効果がある。
【０１０８】請求項３記載の発明によれば、アルキル基
をメチル基、ジメチル基あるいはトリメチル基とするこ
とで、メチル基、ジメチル基あるいはトリメチル基と結
合したシラン系ガスを用いた化学気相成長方法でも、誘
電率が低く、かつ埋め込み特性がよく自己平坦化特性の
優れた絶縁膜の形成方法を提供できるという効果があ
る。
をメチル基、ジメチル基あるいはトリメチル基とするこ
とで、メチル基、ジメチル基あるいはトリメチル基と結
合したシラン系ガスを用いた化学気相成長方法でも、誘
電率が低く、かつ埋め込み特性がよく自己平坦化特性の
優れた絶縁膜の形成方法を提供できるという効果があ
る。
【０１０９】請求項４記載の発明によれば、アルキル基
をエチル基あるいはジエチル基あるいはトリエチル基と
することで、エチル基あるいはジエチル基あるいはトリ
エチル基と結合したシラン系ガスを用いた化学気相成長
法方法でも、誘電率が低く、かつ埋め込み特性がよく自
己平坦化特性の優れた絶縁膜の形成方法を提供できると
いう効果がある。
をエチル基あるいはジエチル基あるいはトリエチル基と
することで、エチル基あるいはジエチル基あるいはトリ
エチル基と結合したシラン系ガスを用いた化学気相成長
法方法でも、誘電率が低く、かつ埋め込み特性がよく自
己平坦化特性の優れた絶縁膜の形成方法を提供できると
いう効果がある。
【０１１０】請求項５記載の発明によれば、炭化水素基
をビニル基とすることで、ビニル基と結合したシラン系
ガスを用いた化学気相成長方法でも、誘電率が低く、か
つ埋め込み特性がよく自己平坦化特性の優れた絶縁膜の
形成方法を提供できるという効果がある。
をビニル基とすることで、ビニル基と結合したシラン系
ガスを用いた化学気相成長方法でも、誘電率が低く、か
つ埋め込み特性がよく自己平坦化特性の優れた絶縁膜の
形成方法を提供できるという効果がある。
【０１１１】請求項６記載の発明によれば、絶縁膜形成
時の温度の範囲を−１０〜６０℃、絶縁膜形成時の圧力
の範囲を４００〜２０００ｍＴｏｒｒ、シランのガス流
量の範囲を０〜１２０ｓｃｃｍ、炭化水素基と結合した
シリコン原子を含むシラン系ガスのガス流量の範囲を０
ｓｃｃｍより多く１２０ｓｃｃｍ以下、過酸化水素水の
ガス流量の範囲を０．３５〜０．８５ｇ／ｍｉｎとする
ことで、誘電率が低く、かつ埋め込み特性がよく自己平
坦化特性の優れた絶縁膜の形成方法を提供できるという
効果がある。
時の温度の範囲を−１０〜６０℃、絶縁膜形成時の圧力
の範囲を４００〜２０００ｍＴｏｒｒ、シランのガス流
量の範囲を０〜１２０ｓｃｃｍ、炭化水素基と結合した
シリコン原子を含むシラン系ガスのガス流量の範囲を０
ｓｃｃｍより多く１２０ｓｃｃｍ以下、過酸化水素水の
ガス流量の範囲を０．３５〜０．８５ｇ／ｍｉｎとする
ことで、誘電率が低く、かつ埋め込み特性がよく自己平
坦化特性の優れた絶縁膜の形成方法を提供できるという
効果がある。
【０１１２】請求項７記載の発明によれば、半導体基板
と、半導体基板上に形成された多層の金属配線と、半導
体基板上に多層の金属配線間に形成される層間絶縁膜を
備え、層間絶縁膜を炭化水素基と結合したシリコン原子
を含むことで、層間絶縁膜内に空間ができるので、誘電
率が低くく、かつ金属配線間の埋め込み特性がよく自己
平坦化特性の優れた絶縁膜を有する半導体装置を提供で
きるという効果がある。
と、半導体基板上に形成された多層の金属配線と、半導
体基板上に多層の金属配線間に形成される層間絶縁膜を
備え、層間絶縁膜を炭化水素基と結合したシリコン原子
を含むことで、層間絶縁膜内に空間ができるので、誘電
率が低くく、かつ金属配線間の埋め込み特性がよく自己
平坦化特性の優れた絶縁膜を有する半導体装置を提供で
きるという効果がある。
【０１１３】請求項８記載の発明によれば、層間絶縁膜
を請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置の絶
縁膜形成方法により形成することで、誘電率が低く、か
つ金属配線間の埋め込み特性がよく自己平坦化特性の優
れた絶縁膜を有する半導体装置を提供できるという効果
がある。
を請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置の絶
縁膜形成方法により形成することで、誘電率が低く、か
つ金属配線間の埋め込み特性がよく自己平坦化特性の優
れた絶縁膜を有する半導体装置を提供できるという効果
がある。
【０１１４】請求項９記載の発明によれば、半導体基板
を準備する第１の工程と、半導体基板上に金属配線を形
成する第２の工程と、半導体基板上の金属配線を覆う絶
縁膜を形成する第３の工程とを備え、絶縁膜を請求項１
ないし６にいずれかに記載の半導体装置の絶縁膜形成方
法により形成することで、誘電率が低く、かつ金属配線
間の埋め込み特性がよく自己平坦化特性の優れた絶縁膜
を有する半導体装置の製造方法を提供できるという効果
がある。
を準備する第１の工程と、半導体基板上に金属配線を形
成する第２の工程と、半導体基板上の金属配線を覆う絶
縁膜を形成する第３の工程とを備え、絶縁膜を請求項１
ないし６にいずれかに記載の半導体装置の絶縁膜形成方
法により形成することで、誘電率が低く、かつ金属配線
間の埋め込み特性がよく自己平坦化特性の優れた絶縁膜
を有する半導体装置の製造方法を提供できるという効果
がある。
【図１】 この発明の実施の形態１〜３による層間絶縁
膜の製造工程を模式的に示す断面図である。
膜の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１〜３による層間絶縁
膜の製造工程を模式的に示す断面図である。
膜の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１〜３による層間絶縁
膜の製造工程を模式的に示す断面図である。
膜の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態１によるシリコン酸化
膜の分子構造を模式的に示した図である。
膜の分子構造を模式的に示した図である。
【図５】 この発明の実施の形態１によるシリコン酸化
膜の比誘電率、及び従来の技術のシリコン酸化膜の比誘
電率の測定結果を示したグラフである。
膜の比誘電率、及び従来の技術のシリコン酸化膜の比誘
電率の測定結果を示したグラフである。
【図６】 この発明の実施の形態２によるシリコン酸化
膜の分子構造を模式的に示した図である。
膜の分子構造を模式的に示した図である。
【図７】 この発明の実施の形態２によるシリコン酸化
膜の分子構造を模式的に示した図である。
膜の分子構造を模式的に示した図である。
【図８】 この発明の実施の形態２によるシリコン酸化
膜の比誘電率、及び従来の技術のシリコン酸化膜の比誘
電率の測定結果を示したグラフである。
膜の比誘電率、及び従来の技術のシリコン酸化膜の比誘
電率の測定結果を示したグラフである。
【図９】 この発明の実施の形態３によるシリコン酸化
膜の分子構造を模式的に示した図である。
膜の分子構造を模式的に示した図である。
【図１０】 この発明の実施の形態３によるシリコン酸
化膜の分子構造を模式的に示した図である。
化膜の分子構造を模式的に示した図である。
【図１１】 この発明の実施の形態３によるシリコン酸
化膜の分子構造を模式的に示した図である。
化膜の分子構造を模式的に示した図である。
【図１２】 この発明の実施の形態３によるシリコン酸
化膜の比誘電率の見込み値、及び従来の技術のシリコン
酸化膜の比誘電率の測定結果を示したグラフである。
化膜の比誘電率の見込み値、及び従来の技術のシリコン
酸化膜の比誘電率の測定結果を示したグラフである。
【図１３】 この発明の実施の形態４によるシリコン酸
化膜の分子構造を模式的に示した図である。
化膜の分子構造を模式的に示した図である。
【図１４】 この発明の実施の形態４によるシリコン酸
化膜の比誘電率、及び従来の技術のシリコン酸化膜の比
誘電率の測定結果を示したグラフである。
化膜の比誘電率、及び従来の技術のシリコン酸化膜の比
誘電率の測定結果を示したグラフである。
【図１５】 従来の層間絶縁膜の製造工程を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図１６】 従来の層間絶縁膜の製造工程を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図１７】 従来の層間絶縁膜の製造工程を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図１８】 従来のシリコン酸化膜の分子構造を模式的
に示した図である。
に示した図である。
１ シリコン基板、２ アルミ配線、３，５ プラズマ
酸化膜、４ シリコン酸化膜、６ 層間絶縁膜。
酸化膜、４ シリコン酸化膜、６ 層間絶縁膜。
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体装置の絶縁膜形成方法であって、 炭化水素基と結合したシリコン原子を含むシラン系ガス
と過酸化水素水の混合ガスまたは前記炭化水素基と結合
したシリコン原子を含むシラン系ガスとシランと過酸化
水素水の混合ガスを用いて化学気相成長法により絶縁膜
を形成する、半導体装置の絶縁膜形成方法。 - 【請求項２】 前記炭化水素基はアルキル基であること
を特徴とする、請求項１記載の半導体装置の絶縁膜形成
方法。 - 【請求項３】 前記アルキル基はメチル基あるいはジメ
チル基あるいはトリメチル基であることを特徴とする、
請求項２記載の半導体装置の絶縁膜形成方法。 - 【請求項４】 前記アルキル基はエチル基あるいはジエ
チル基あるいはトリエチル基であることを特徴とする、
請求項２記載の半導体装置の絶縁膜形成方法。 - 【請求項５】 前記炭化水素基はビニル基であることを
特徴とする、請求項１記載の半導体装置の絶縁膜形成方
法。 - 【請求項６】 前記絶縁膜の形成時の温度の範囲は−１
０〜６０℃、前記絶縁膜の形成時の圧力の範囲は４００
〜２０００ｍＴｏｒｒ、前記シランのガス流量の範囲は
０〜１２０ｓｃｃｍ、前記炭化水素基と結合したシリコ
ン原子を含むシラン系ガスのガス流量の範囲は０ｓｃｃ
ｍより多く１２０ｓｃｃｍ以下、前記過酸化水素水のガ
ス流量の範囲は０．３５〜０．８５ｇ／ｍｉｎであるこ
とを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の
半導体装置の絶縁膜形成方法。 - 【請求項７】 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された多層の金属配線と、 前記半導体基板上の前記多層の金属配線間に形成される
層間絶縁膜とを備え、 前記層間絶縁膜は炭化水素基と結合したシリコン原子を
含むことを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項８】 前記層間絶縁膜は請求項１ないし６のい
ずれかに記載の半導体装置の絶縁膜形成方法により形成
されることを特徴とする、請求項７記載の半導体装置。 - 【請求項９】 半導体基板を準備する第１の工程と、 前記半導体基板上に金属配線を形成する第２の工程と、 前記半導体基板上の前記金属配線を覆う絶縁膜を形成す
る第３の工程とを備え、 前記絶縁膜は請求項１ないし６のいずれかに記載の半導
体装置の絶縁膜形成方法により形成されることを特徴と
する、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9043696A JPH10242143A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9043696A JPH10242143A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242143A true JPH10242143A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12671004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9043696A Pending JPH10242143A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242143A (ja) |
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