JPH10242260A - 半導体装置のための素子分離領域およびその形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 活性領域を荒らすことなく、これにはみ出す
ことなく、容易かつ高精度で素子分離領域を形成する方
法を提供する。 【解決手段】 基板１０の溝１４を充填すべく絶縁体１
８、１８′を形成する。絶縁体は、本体部分１８ａ、２
２ａからエッチングストッパ膜１２、２０を越えて突出
する突出部１８ｂ、２２ｂを備える。突出部は、活性領
域へ向けて張り出すことなく、絶縁体の内方への横方向
の段差ｄを規定する。エッチングストッパ膜、および突
出部を含む絶縁体の表面を覆う表面層１９、１９′が、
横方向段差ｄにほぼ等しい厚さに形成される。エッチン
グにより、エッチングストッパ膜が露出するまで、表面
層が除去され、段差部分に残存する表面層部分により、
活性領域へはみ出すことのないサイドウォール部１８
ｃ、１８′ｃが絶縁体に形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
ような半導体装置に利用される素子分離領域およびその
形成方法に関し、特に、例えば０．３μｍ以下という、
いわゆるディープサブミクロンレベルの高集積ＩＣ回路
の素子分離に好適な素子分離領域およびその製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板に組み込まれる集積回路に
は、半導体基板上の各素子領域を電気的に相互に分離す
るための素子分離技術が用いられている。この素子分離
技術の１つに、シャロートレンチアイソレーション（Sh
allow Trench Isolation：以下ＳＴＩと称する）があ
る。

【０００３】このＳＴＩによれば、ＩＥＤＭ第５７〜６
０頁に紹介されているように、窒化膜で表面が覆われた
シリコン基板に凹溝が形成され、この凹溝に、素子分離
領域を形成するための酸化物すなわち絶縁体が埋め戻さ
れる。シリコン基板から突出する埋め戻された絶縁体の
表面はエッチング処理を受けるが、このエッチング処理
により、半導体表面から突出する絶縁体の縁部に段差が
生じると、素子分離領域を構成する絶縁体により区画さ
れる半導体基板の活性領域が、損傷を受ける虞がある。

【０００４】そこで、埋め戻された絶縁体の表面のエッ
チング処理によって、その表面の縁部に段差が生じない
ように、このエッチング処理に先立ち、絶縁体の縁部に
は、予め窒化膜の除去後に、活性領域にはみ出すサイド
ウォール部が形成される。エッチング処理により段差が
生じやすい部分に予めサイドウォール部が盛り上げられ
ていることから、この部分に、前記したエッチング処理
によって段差が生じることが防止される。このＳＴＩに
よれば、例えば、０．６μｍよりも小さな配列ピッチで
活性領域を区画することが可能となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たような従来のＳＴＩでは、凹溝を埋め戻す絶縁体のエ
ッチング処理に先立って該絶縁体の縁部にサイドウォー
ル部を形成するために、半導体基板の表面を覆う窒化膜
が除去される。そのため、半導体基板の表面が露出した
状態で、サイドウォール部が形成された絶縁体が、エッ
チング処理を受けることから、このエッチング処理によ
って半導体基板の活性領域が損傷を受ける虞があった。

【０００６】また、サイドウォール部は、絶縁体の縁部
からその外方の活性領域へ横方向にはみ出すように形成
される。そのため、絶縁体の前記したエッチング処理に
よっても、絶縁体の一部として、サイドウォール部が部
分的に活性領域にはみ出しで残存することがある。この
絶縁体の活性領域へのはみ出しは、高精度での素子分離
を不可能とすることから、絶縁体の活性領域へのはみ出
しを確実に防止する必要がある。しかしながら、活性領
域へはみ出した絶縁体のエッチングによる正確な寸法制
御は、容易ではない。

【０００７】そのため、半導体の活性領域を荒らすこと
なく、また活性領域にはみ出すことなく比較的容易に高
精度かつ高集積度で素子分離領域を形成する方法および
そのような素子分離領域の出現が望まれていた。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、以上の点を解
決するために、次の構成を採用する。 〈構成〉本発明に係る素子分離方法は、半導体基板に活
性領域を区画する素子分離領域を形成する方法であっ
て、素子分離領域を構成する絶縁材料のエッチングに際
してストッパ膜として機能する絶縁材料からなるエッチ
ングストッパ膜で表面が覆われかつ該表面に活性領域を
規定する溝が形成された半導体基板には、その溝に、こ
れを充填する本体部分および該本体部分から一体的に前
記エッチングストッパ層を越えて突出しかつ前記本体部
分の周壁との間で所定寸法の横方向段差ｄにより規定さ
れた突出部を有する素子分離領域のための絶縁体が形成
される。次に、前記エッチングストッパ膜上および該エ
ッチングストッパ膜から突出する前記絶縁体の表面に
は、前記段差ｄの寸法にほぼ等しい厚さ寸法を有し前記
絶縁体と同一材料からなる表面層が形成される。この表
面層は、異方性エッチングにより、前記エッチングスト
ッパ膜が露出するまで、除去される。その後、エッチン
グストッパ膜が除去される。

【０００９】〈作用〉本発明に係る素子分離方法では、
半導体基板の溝を充填すべく形成される絶縁体は、その
本体部分からエッチングストッパ膜を越えて突出する突
出部を備え、この突出部は、活性領域へ向けて張り出す
ことなく、逆に絶縁体の内方への横方向の段差ｄを有す
るへこみとなる。また、エッチングストッパ膜およびこ
のストッパ膜から突出する突出部を含む絶縁体の表面を
覆う表面層の厚さ寸法は、前記横方向段差ｄにほぼ等し
く形成されることから、異方性エッチングを用いてエッ
チングストッパ膜が露出するまで表面層を除去すること
により、前記段差部分に残存する表面層部分により、容
易に、活性領域へはみ出すことのないサイドウォール部
を前記絶縁体に形成することができる。

【００１０】従って、活性領域へはみ出すことのないサ
イドウォール部を比較的容易かつ高精度に形成すること
ができることから、絶縁体の縁部にサイドウォール部を
適正に形成することができ、これにより、活性領域に損
傷を与えることのない素子分離領域を比較的容易に高精
度で形成することができる。また、表面層のエッチング
処理では、活性層がエッチングストッパ層で保護されて
いることから、このエッチング処理での活性層への損傷
を確実に防止することができる。

【００１１】〈構成〉また、本発明に係る素子分離領域
は、半導体基板に活性領域を区画すべく該半導体基板の
表面に開放して形成される凹溝内に充填されかつ該凹溝
から突出して形成される絶縁体を含む。本発明に係る素
子分離領域では、凹溝内に充填されかつこの凹溝から突
出する絶縁体は、シリコン窒化物と、該シリコン窒化物
の前記凹溝の壁面に対向する底部および周壁部を覆うシ
リコン酸化膜からなる表層膜とを備え、シリコン窒化物
の頂部と同一面にある前記表層膜の周壁部における頂部
の外縁は、角が落とされて丸められている。

【００１２】〈作用〉絶縁体の頂部の外縁で、角が落と
されて丸められた表層膜を有する絶縁体は、活性領域に
損傷を与えることなく、この活性領域を確実に電気的に
分離する。また、絶縁体の本体がシリコン窒化物からな
ることから、例えば素子分離領域上に形成される層間絶
縁膜として、ボロンおよびリンが添加されたいわゆるＢ
ＰＳＧのような層間絶縁膜が採用されても、シリコン窒
化物を本体とする絶縁体は、これらボロンおよびリンの
拡散を効果的に抑制することから、この素子分離領域に
より規定された活性領域への前記ボロンあるいはリンの
拡散によるトランジスタのような能動素子の閾値変化を
確実に防止することができる。さらに、シリコン窒化物
は、ゲート電極材料であるポリシリコンのエッチング選
択比がシリコン酸化膜のそれに比較して高いことから、
ゲートのパターニング時の耐エッチング特性に優れる点
で、有利である。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
について詳細に説明する。 〈具体例１〉図１は、本発明に係る素子分離領域の形成
方法を示す。本発明の形成方法では、図１（ａ）に示さ
れているように、例えばシリコン基板１０の表面が熱酸
化を受け、この表面に１０ｎｍ〜２０ｎｍの厚さ寸法を
有する酸化シリコン膜（SiO₂）１１が形成される。この
酸化シリコン膜１１をパッド酸化膜として、その上に、
例えば減圧化学気相成長法（以下、ＬＰ−ＣＶＤ法と称
する。）を用いて、例えばシリコン窒化膜１２（Si₃N
₄ ）が１５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さ寸法に形成され
る。このシリコン窒化膜１２は、後述する素子分離のた
めの絶縁体にサイドウォール部を形成するときのエッチ
ングストッパ膜として利用される。

【００１４】酸化シリコン膜１１およびシリコン窒化膜
１２は、従来よく知られたホトリソグラフィおよびエッ
チング技術により、パターニングを受ける。このパター
ニングにより、酸化シリコン膜１１およびシリコン窒化
膜１２の素子分離領域を形成すべき領域に対応する部分
が選択的に除去され、これによりマスク開口１３が形成
される。開口１３が形成された酸化シリコン膜１１およ
びシリコン窒化膜１２をマスクとする異方性エッチング
により、開口１３に開放する基板１０の所定領域がエッ
チングを受ける。これにより、基板１０には、図１
（ａ）に示されるとおり、例えば幅寸法および深さ寸法
がそれぞれ約０．３μｍのトレンチすなわち凹溝１４が
形成される。

【００１５】凹溝１４の形成後、図１（ｂ）に示されて
いるように、凹溝１４およびこれが開放するシリコン窒
化膜１２の表面に、例えば、ＬＰ−ＣＶＤ法を用いてシ
リコン酸化膜１５が例えば５０ｎｍの厚さ寸法に形成さ
れる。シリコン酸化膜１５の形成後、シリコン酸化膜１
５により表面が覆われた凹溝１４に、プラグ状のポリシ
リコン１６が充填されるが、このポリシリコン１６の充
填に先立ち、シリコン酸化膜１５の凹溝１４の表面を覆
う部分を保護膜として、基板１０の凹溝１４の周辺部
に、従来よく知られたチャンネルストッパとして、例え
ばイオン注入法により、ボロンを注入することが望まし
い。

【００１６】凹溝１４へのポリシリコン１６の充填のた
めに、例えばＣＶＤ法を用いて凹溝１４を含むシリコン
酸化膜１５上に、ポリシリコンを例えば５００ｎｍの厚
さ寸法に堆積させた後、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）あ
るいは化学的エッチングにより、ポリシリコンのシリコ
ン窒化膜１２上に堆積した部分、すなわち凹溝１４内の
部分（１６）を除く基板１０上に堆積した部分が除去さ
れる。これにより、凹溝１４内を充填するプラグ状のポ
リシリコン１６が形成される。このポリシリコン１６の
頂面は、基板１０上のシリコン酸化膜１５の表面、すな
わちシリコン窒化膜１２上のシリコン酸化膜１５の表面
とほぼ同一面にあるように平坦化される。シリコン酸化
膜１５上の前記した不要なポリシリコンの除去に際し、
シリコン酸化膜１５の、シリコン窒化膜１２上の部分
は、エッチングストッパ膜として利用される。

【００１７】その後、ポリシリコン１６をエッチングス
トッパとして、図１（ｃ）に示されているように、シリ
コン酸化膜１５の基板１０上に露出する部分が、エッチ
ングにより、除去される。また、このシリコン酸化膜１
５のエッチングにより、ポリシリコン１６の周面を取り
巻きこのポリシリコン１６から露出するシリコン酸化膜
１５の上縁部が、シリコン窒化膜１２の表面位置、すな
わち、ポリシリコン１６の頂部位置よりも低い高さ位置
まで、エッチングを受ける。その結果、ポリシリコン１
６の頂面と、その周面に残存するシリコン酸化膜１５の
上縁との間には、段部１７が形成される。

【００１８】次に、ポリシリコン１６が熱酸化処理を受
けて酸化シリコンとなる。この熱酸化処理により、図１
（ｄ）に示されているように、酸化シリコンとなったポ
リシリコン１６は、その周面に残存したシリコン酸化膜
１５と一体化され、これにより酸化シリコンからなる絶
縁体１８が形成される。

【００１９】ポリシリコン１６およびシリコン酸化膜１
５の一体化による絶縁体１８は、前記した段部１７によ
り、凹溝１４内を充填する本体部分１８ａからこれと一
体的にシリコン窒化膜１２を越えて突出する突出部１８
ｂが規定されている。従って、突出部１８ｂの両縁に
は、本体部分１８ａとの間に、所定の横方向段差ｄが形
成されている。

【００２０】横方向段差ｄを有する絶縁体１８の形成
後、図１（ｄ）に仮想線で示されているように、シリコ
ン窒化膜１２およびシリコン窒化膜１２から突出する絶
縁体１８の表面に、例えばＣＶＤ法により、前記横方向
段差ｄの寸法にほぼ等しい厚さ寸法を有するシリコン酸
化膜からなる表面層１９が形成される。

【００２１】表面層１９は、前記横方向段差ｄを埋め込
むが、その厚さ寸法は、ほぼ段差ｄの寸法に等しい。そ
のため、シリコン窒化膜１２をエッチングストッパとし
て、表面層１９を異方性エッチングにより除去し、シリ
コン窒化膜１２の露出したときに、このエッチング処理
を停止することにより、図１（ｅ）に示されているよう
に、前記した段差ｄを埋め込み、凹溝１４からその横方
向外方の活性領域にはみ出すことのない、しかも上縁部
が丸められたサイドウォール部１８ｃが形成される。

【００２２】また、このサイドウォール部１８ｃの形成
のためのエッチングでは、基板１０の凹溝１４を除く活
性領域がエッチングストッパ膜として機能するシリコン
窒化膜１２により覆われていることから、基板１０の前
記活性領域がサイドウォール部１８ｃの形成のためのエ
ッチングによって損傷を受けることはない。

【００２３】その後、図１（ｆ）に示されているよう
に、シリコン窒化膜１２が例えば熱リン酸を用いて除去
され、シリコン窒化膜１２の除去後に、図１（ｇ）に示
されているように、酸化シリコン膜１１が除去される。
これにより、凹溝１４からその横方向外方の活性領域に
はみ出すことなく縁部が丸められ、基板１０表面から例
えば３０〜５０ｎｍの高さで突出する絶縁体１８からな
る素子分離領域が完成する。

【００２４】具体例１の方法では、前記したように、横
方向段差ｄにほぼ等しい厚さ寸法を有する表面層１９
に、その下のシリコン窒化膜１２をエッチングストッパ
膜とするエッチング処理を施し、シリコン窒化膜１２の
露出によってそのエッチング処理を停止することによ
り、凹溝１４からその横方向外方の活性領域にはみ出す
ことなく、しかも上縁部が丸められたサイドウォール部
１８ｃを確実かつ比較的容易に形成することができる。
また、このサイドウォール部１８ｃのエッチングに際
し、基板１０の活性領域はシリコン窒化膜１２により確
実に保護されていることから、シリコン窒化膜１２下の
活性領域への損傷を確実に防止することができる。

【００２５】従って、本発明の前記方法によれば、例え
ば０．３μｍ以下という、いわゆるディープサブミクロ
ンレベルの高集積ＩＣ回路の素子分離に好適な素子分離
領域を比較的容易に製造することができる。

【００２６】〈具体例２〉図２は、本発明に係る素子分
離領域の他の形成方法を示す。図２に示す例では、図２
（ａ）に示されているように、基板１０上に前記したと
同様なパッド酸化膜１１を介して、例えばＬＰ−ＣＶＤ
法により厚さ１００ｎｍを有するポリシリコン層２０が
積層される。ポリシリコン層２０は、後述する素子分離
のための絶縁体にサイドウォール部を形成するときのエ
ッチングストッパ膜として利用される。

【００２７】酸化シリコンからなるパッド酸化膜１１お
よびポリシリコン層２０で覆われた基板１０は、従来よ
く知られたホトリソグラフィおよびエッチング技術によ
り、ポリシリコン層２０上に形成されたマスク開口１３
を有するレジスト２１を用いて、異方性のエッチング処
理を受ける。このエッチングにより、基板１０には、そ
の上の酸化シリコン膜１１およびポリシリコン層２０を
貫通する、例えば幅寸法および深さ寸法がそれぞれ約
０．３μｍの凹溝１４が形成される。

【００２８】基板１０の凹溝１４の周辺部に、前記した
と同様なチャンネルストップ用イオンを注入することが
望ましい。また、レジスト２１を用いることに代えて、
酸化シリコン膜１１およびポリシリコン層２０の積層体
をエッチングマスクとすることができる。

【００２９】レジスト２１の除去後、図２（ｂ）に示さ
れているように、凹溝１４およびこれが開放するポリシ
リコン層２０の表面に、例えば、ＬＰ−ＣＶＤ法を用い
てシリコン酸化膜１５が例えば５０ｎｍの厚さ寸法で形
成される。シリコン酸化膜１５の形成後、凹溝１４内を
含むシリコン酸化膜１５上に、例えば３００ｎｍの厚さ
寸法で、シリコン窒化膜が例えばＬＰ−ＣＶＤ法により
成長される。

【００３０】このシリコン窒化膜のうち、凹溝１４内を
除く、シリコン酸化膜１５上の不要なシリコン窒化膜部
分が除去され、これにより、図２（ｂ）に示されている
ように、１４内のシリコン酸化膜１５上には、凹溝１４
内を充填するシリコン窒化物２２が形成される。シリコ
ン窒化物２２の上面は、ポリシリコン層２０上のシリコ
ン酸化膜１５の表面とほぼ同一面にあるように、平坦化
を受ける。

【００３１】次に、シリコン窒化物２２をエッチングス
トッパとして、図２（ｃ）に示されているように、シリ
コン酸化膜１５の基板１０上に露出する部分が、エッチ
ングにより、除去される。また、このシリコン酸化膜１
５のエッチングにより、シリコン窒化物２２の周面を取
り巻き、このシリコン窒化物２２から露出するシリコン
酸化膜１５の上縁部が、シリコン窒化物２２の表面位置
すなわちシリコン窒化物２２の頂部位置よりも低い高さ
位置まで、エッチングを受ける。その結果、シリコン窒
化物２２の頂面と、その周面に残存するシリコン酸化膜
１５の上縁との間には、段部１７が形成される。

【００３２】シリコン窒化物２２およびその周面に残存
するシリコン酸化膜１５のうち、段部１７から上方の部
分２２ｂは、ポリシリコン層２０から突出する突出部を
構成し、残部が凹溝１４内の本体部分２２ａを構成す
る。この本体部分２２ｂと、突出部２２ａとの間には、
段部１７により、前記したと同様な段差ｄが規定されて
いる。

【００３３】従って、シリコン酸化膜からなる表層膜１
５を有するシリコン窒化物２２により、溝１４を充填す
る本体部分２２ａおよび該本体部分から一体的に前記ポ
リシリコン層２０層を越えて突出しかつ前記本体部分の
周壁との間で所定寸法の横方向段差ｄにより規定された
突出部２２ｂを有する絶縁体１８′が形成される。

【００３４】横方向段差ｄを有する絶縁体１８′の形成
後、図１（ｃ）に仮想線で示されているように、ポリシ
リコン層２０およびポリシリコン層２０から突出する絶
縁体１８′の表面に、例えばＣＶＤ法により、前記横方
向段差ｄの寸法にほぼ等しい厚さ寸法を有するシリコン
酸化膜からなる表面層１９′が形成される。

【００３５】表面層１９′は、前記横方向段差ｄとほぼ
等しい厚さ寸法を有する。従って、前記した例における
と同様に、ポリシリコン層２０をエッチングストッパと
して、表面層１９′を異方性エッチングにより除去し、
ポリシリコン層２０の露出によりエッチング処理を停止
することにより、図２（ｄ）に示されているように、前
記した段差ｄを埋め込み、凹溝１４からその横方向外方
の活性領域にはみ出すことなく、しかも上縁部が丸めら
れたサイドウォール部１８′ｃが、シリコン酸化膜１５
の上縁にこれと一体的に形成される。

【００３６】その後、図２（ｅ）に示されているよう
に、基板１０の活性領域の保護のために酸化シリコン膜
１１を残してポリシリコン層２０が異方性エッチングに
より、除去され、続いて、酸化シリコン膜１１が除去さ
れる。これにより、凹溝１４からその横方向外方の活性
領域にはみ出すことなく縁部が丸められ、基板１０表面
から例えば３０〜５０ｎｍの高さで突出する絶縁体１
８′からなる素子分離領域が完成する。

【００３７】従って、具体例２の方法によれば、具体例
１におけると同様に、凹溝１４からその横方向外方の活
性領域にはみ出すことのなく、しかも上縁部が丸められ
たサイドウォール部１８′ｃを確実かつ比較的容易に形
成することができる。また、このサイドウォール部１
８′ｃのエッチングに際し、基板１０の活性領域はポリ
シリコン層２０により確実に保護されていることから、
ポリシリコン層２０下の活性領域への損傷を確実に防止
することができる。

【００３８】また、図２（ｅ）に仮想線で示されるよう
に、例えば絶縁体１８′からなる素子分離領域上に例え
ばゲート酸化膜２３を介して、ゲートのためのポリシリ
コン層２４が形成されるが、このポリシリコン２４のパ
ターニングのためのエッチングに対し、具体例２におけ
る絶縁体１８′の本体であるシリコン窒化物２２は、シ
リコン酸化物に比較して、高い耐性を示す。この点で、
具体例２に示す絶縁体１８′からなる素子分離領域は、
有利である。

【００３９】また、具体例２に示す絶縁体１８′からな
る素子分離領域は、その本体を構成するシリコン窒化物
が、ボロンおよびリンの拡散を効果的に抑制することか
ら、素子分離領域上にボロンおよびリンが添加されたい
わゆるＢＰＳＧのような層間絶縁膜が採用されても、こ
れらボロンおよびリンの拡散が効果的に抑制される。そ
のため、この素子分離領域に形成される例えばトランジ
スタのような能動素子へのボロンおよびリンの拡散が防
止され、この拡散による能動素子の閾値変化等を確実に
防止することができる。

【００４０】

【発明の効果】本発明に係る素子分離領域形成方法によ
れば、前記したように、活性領域へはみ出すことのない
サイドウォール部を比較的容易かつ高精度に形成するこ
とができることから、絶縁体の縁部にサイドウォール部
を適正に形成することができ、これにより、活性領域に
損傷を与えることのない素子分離領域を比較的容易に高
精度で形成することができる。また、表面層のエッチン
グ処理では、活性層がエッチングストッパ層で保護され
ていることから、このエッチング処理での活性層への損
傷を確実に防止することができる。

【００４１】また、本発明に係る素子分離領域によれ
ば、前記したように、絶縁体の頂部の外縁で、角が落と
されて丸められた表層膜を有する絶縁体が、活性領域に
損傷を与えることなく、この活性領域を確実に電気的に
分離し、また、シリコン窒化物からなる絶縁体の本体
が、例えばＢＰＳＧのような層間絶縁膜に含まれるボロ
ンおよびリンの拡散を効果的に抑制することから、これ
らの活性領域への拡散を効果的に抑制することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る素子分離領域の形成方法を示す製
造工程図である。

【図２】本発明に係る素子分離領域の他の形成方法を示
す製造工程図である。

【符号の説明】

１０ 基板 １２、２０ エッチングストッパ膜 １４ 溝 １８、１８′ 絶縁体 １８ａ、２２ａ 本体部分 １８ｂ、２２ｂ 突出部 １８ｃ、１８′ｃ サイドウォール部 １９、１９′ 表面層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板に活性領域を区画する素子分
   離領域を形成する方法であって、 素子分離領域を構成する絶縁材料の耐エッチング特性と
   異なる耐エッチング特性を示す絶縁材料からなるエッチ
   ングストッパ膜で表面が覆われかつ該表面に活性領域を
   規定する溝が形成された半導体基板の前記溝に、該溝を
   充填する本体部分および該本体部分から一体的に前記エ
   ッチングストッパ層を越えて突出しかつ前記本体部分の
   周壁との間で所定寸法の横方向段差ｄにより規定された
   突出部を有する素子分離領域のための絶縁体を形成する
   こと、 前記エッチングストッパ膜および該エッチングストッパ
   膜から突出する前記絶縁体の表面に、前記段差ｄの寸法
   にほぼ等しい厚さ寸法を有し前記絶縁体と同一材料から
   なる表面層を形成すること、 異方性エッチングにより、前記エッチングストッパ膜が
   露出するまで、前記表面層を除去し、前記段差の部分に
   活性領域へはみ出すことのないサイドウオール部を前記
   絶縁体に形成すること、 前記エッチングストッパ膜を除去すること、 とを含む、半導体装置のための素子分離領域形成方法。
2. 【請求項２】 前記エッチングストッパ膜はシリコン窒
   化膜で形成され、前記絶縁体は酸化シリコンで形成され
   る請求項１記載の素子分離領域形成方法。
3. 【請求項３】 前記突出部を有する前記絶縁体は、 前記シリコン窒化膜で表面が覆われかつ前記溝が形成さ
   れた前記半導体基板に、前記溝の面および前記シリコン
   窒化膜の表面を覆うシリコン酸化膜を形成すること、該
   シリコン酸化膜で覆われた前記溝内をポリシリコンで充
   填すること、前記シリコン窒化膜上のシリコン酸化膜が
   露出するまで、前記ポリシリコンを除去して前記溝内に
   残る前記ポリシリコンの上面を平坦化すること、前記シ
   リコン酸化膜の前記シリコン窒化膜の表面を覆う部分を
   除去すること、前記溝内に残存する前記ポリシリコンを
   酸化させ、前記溝の面に残存する前記シリコン酸化膜と
   一体の酸化シリコンを形成すること、 により得られる請求項２記載の素子分離領域形成方法。
4. 【請求項４】 前記エッチングストッパ膜はポリシリコ
   ン膜で形成され、前記絶縁体はシリコン窒化物およびそ
   の周面を覆うシリコン酸化膜で形成される請求項１記載
   の素子分離領域形成方法。
5. 【請求項５】 前記突出部を有する前記絶縁体は、 前記ポリシリコン膜で表面が覆われかつ前記溝が形成さ
   れた前記半導体基板に、前記溝の面および前記ポリシリ
   コン膜の表面を覆うシリコン酸化膜を形成すること、該
   シリコン酸化膜で覆われた前記溝内をシリコン窒化物で
   充填すること、前記ポリシリコンが露出するまで、前記
   シリコン酸化膜を除去すること、前記シリコン酸化膜の
   前記シリコン窒化膜の表面を覆う部分を除去すること、 により得られる請求項４記載の素子分離領域形成方法。
6. 【請求項６】 半導体基板に活性領域を区画すべく該半
   導体基板の表面に開放して形成される凹溝内に充填され
   かつ該凹溝から突出して形成される絶縁体を含む素子分
   離領域であって、前記絶縁体は、シリコン窒化物と、該
   シリコン窒化物の前記凹溝の壁面に対向する底部および
   周壁部を覆うシリコン酸化膜からなる表層膜とを備え、
   前記シリコン窒化物の頂部と同一面にある前記表層膜の
   周壁部における頂部の外縁は、角が落とされて丸められ
   ていることを特徴とする素子分離領域。