JPH10242338A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置および半導体装置の製造方法Info
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- JPH10242338A JPH10242338A JP9041857A JP4185797A JPH10242338A JP H10242338 A JPH10242338 A JP H10242338A JP 9041857 A JP9041857 A JP 9041857A JP 4185797 A JP4185797 A JP 4185797A JP H10242338 A JPH10242338 A JP H10242338A
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- frame
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】部材費および組み立て工数にて安価な半導体装
置を提供する。 【解決手段】絶縁基板１２に安価なメタライズ板を用
い、ケース枠３にリードフレーム１と嵌合する溝と段付
け部を設け、ケース枠３と金属ベース板１１の不図示の
接着と、絶縁基板１２上下の半田２５接合を同時化す
る。
置を提供する。 【解決手段】絶縁基板１２に安価なメタライズ板を用
い、ケース枠３にリードフレーム１と嵌合する溝と段付
け部を設け、ケース枠３と金属ベース板１１の不図示の
接着と、絶縁基板１２上下の半田２５接合を同時化す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、装置内部に絶縁
層や絶縁板が存在する、いわゆる内部絶縁型の半導体装
置とこの製造方法に関する。
層や絶縁板が存在する、いわゆる内部絶縁型の半導体装
置とこの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この発明に関する半導体装置の構造上で
の特徴は、次記の３つに大きく分類できる。 導体間の絶縁方法。 外部端子の導出方法。
半導体装置の樹脂封止方法。
の特徴は、次記の３つに大きく分類できる。 導体間の絶縁方法。 外部端子の導出方法。
半導体装置の樹脂封止方法。
【０００３】絶縁方法と外部端子の導出方法として採用
されている構造は、絶縁性のセラミックス板に回路導通
用の銅箔が接合された銅貼り回路基板、すなわち、組立
工数の削減に効果のあるいわゆるダイレクトボンディン
グカッパー基板を用いたものである。そして、この他
に、半導体チップのすぐ下に板厚の厚いリードフレーム
を設置し、安価でかつ熱伝導特性に優れたメタライズ板
による絶縁基板とリードフレームを採用する場合もあ
り、この発明に関係する従来品は後者に属する。更に半
導体装置の封止方法として、端子を含むケース枠内が硬
質のエポキシ樹脂などで覆われていた。
されている構造は、絶縁性のセラミックス板に回路導通
用の銅箔が接合された銅貼り回路基板、すなわち、組立
工数の削減に効果のあるいわゆるダイレクトボンディン
グカッパー基板を用いたものである。そして、この他
に、半導体チップのすぐ下に板厚の厚いリードフレーム
を設置し、安価でかつ熱伝導特性に優れたメタライズ板
による絶縁基板とリードフレームを採用する場合もあ
り、この発明に関係する従来品は後者に属する。更に半
導体装置の封止方法として、端子を含むケース枠内が硬
質のエポキシ樹脂などで覆われていた。
【０００４】図８はこの従来技術の半導体装置の断面で
ある。金属ベース板１１に半田２５を介して絶縁基板１
２，リードフレーム１４，半導体チップ１５が接合さ
れ、ボンディングワイヤ２１は半導体チップ１５の電極
とリードフレーム１４に接合されておのおのを導通させ
ている。また、金属ベース板１１にケース枠１３が接着
され、内部にシリコーン樹脂等のゲル状樹脂３１とエポ
キシ樹脂３５が充填されている。この構造によれば、半
導体チップ１５の発熱は各接合部の半田２５，リードフ
レーム１４，絶縁基板１２，金属ベース板１１を経て放
熱される。更に、絶縁基板１２上の半導体チップ１５等
への振動及び衝撃等の機械的ストレスあるいは水の侵入
やゴミの付着を防ぐためのコーティング剤としての常温
で柔軟性のあるゲル状樹脂３１の封止剤にエポキシ樹脂
３５が用いられている。
ある。金属ベース板１１に半田２５を介して絶縁基板１
２，リードフレーム１４，半導体チップ１５が接合さ
れ、ボンディングワイヤ２１は半導体チップ１５の電極
とリードフレーム１４に接合されておのおのを導通させ
ている。また、金属ベース板１１にケース枠１３が接着
され、内部にシリコーン樹脂等のゲル状樹脂３１とエポ
キシ樹脂３５が充填されている。この構造によれば、半
導体チップ１５の発熱は各接合部の半田２５，リードフ
レーム１４，絶縁基板１２，金属ベース板１１を経て放
熱される。更に、絶縁基板１２上の半導体チップ１５等
への振動及び衝撃等の機械的ストレスあるいは水の侵入
やゴミの付着を防ぐためのコーティング剤としての常温
で柔軟性のあるゲル状樹脂３１の封止剤にエポキシ樹脂
３５が用いられている。
【０００５】図９は図８と同様に従来技術の他の半導体
装置の断面である。図８と異なる点はケース枠１３内の
樹脂であり、他は同一のため説明を略す。ここでは、ゲ
ル状樹脂３１とエポキシ樹脂３５に代えて、保護コート
材３３を半導体チップ１５の近傍に塗布し、他をエポキ
シ樹脂３５で覆う構造である。この構造においても、半
導体チップ１５自身とボンディングワイヤ２１のボンデ
ィング部に生ずる応力や機械的ストレスを柔らかな保護
コート材３３で緩和し、エポキシ樹脂３５によって保護
コート材３３を定位置に保持すると同時に一式を覆って
振動や湿度から裸電部を保護する。更に図８および図９
の樹脂二種に代えて低応力型のエポキシ樹脂の一種を用
いて工程数を低減することもあった。
装置の断面である。図８と異なる点はケース枠１３内の
樹脂であり、他は同一のため説明を略す。ここでは、ゲ
ル状樹脂３１とエポキシ樹脂３５に代えて、保護コート
材３３を半導体チップ１５の近傍に塗布し、他をエポキ
シ樹脂３５で覆う構造である。この構造においても、半
導体チップ１５自身とボンディングワイヤ２１のボンデ
ィング部に生ずる応力や機械的ストレスを柔らかな保護
コート材３３で緩和し、エポキシ樹脂３５によって保護
コート材３３を定位置に保持すると同時に一式を覆って
振動や湿度から裸電部を保護する。更に図８および図９
の樹脂二種に代えて低応力型のエポキシ樹脂の一種を用
いて工程数を低減することもあった。
【０００６】また、図８，９の組み立てはリードフレー
ム１４に加工される前の、図５で説明する打ち抜き部材
２と、図８，９の絶縁基板１２，金属ベース板１１の半
田付け相互位置確保のため、治具の取り付けと取り外し
が必要であり、更に、ケース枠１３下部の接着剤硬化が
半田付けと別に必要であった。
ム１４に加工される前の、図５で説明する打ち抜き部材
２と、図８，９の絶縁基板１２，金属ベース板１１の半
田付け相互位置確保のため、治具の取り付けと取り外し
が必要であり、更に、ケース枠１３下部の接着剤硬化が
半田付けと別に必要であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の図８の例では、
半導体装置の周囲温度の変化によってゲル状樹脂の体積
が変化して、エポキシ樹脂に封止された空間での圧力変
化で、ゲルに亀裂が発生して耐電圧不良になる可能性が
あった。また、保護コート材または低応力型のエポキシ
樹脂を用いる場合は素材が高価なため市場競争力に乏し
い商品になってしまっていた。
半導体装置の周囲温度の変化によってゲル状樹脂の体積
が変化して、エポキシ樹脂に封止された空間での圧力変
化で、ゲルに亀裂が発生して耐電圧不良になる可能性が
あった。また、保護コート材または低応力型のエポキシ
樹脂を用いる場合は素材が高価なため市場競争力に乏し
い商品になってしまっていた。
【０００８】この発明の課題は、部材費および組み立て
工数にて安価な半導体装置を達成することである。
工数にて安価な半導体装置を達成することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、金属ベース
板と、この金属ベース板に接着されたケース枠と、この
ケース枠内にて金属ベース板に接合された絶縁基板と、
この絶縁基板に接合されたリードフレームと、このリー
ドフレームに接合された半導体チップとで構成され、こ
のケース枠内の下部にゲル状樹脂封止剤が充填され、こ
のケース枠を閉じる絶縁樹脂製の蓋が設けられる構造の
半導体装置において、リードフレームはケース枠と嵌合
する屈曲部が形成され、前記屈曲部はケース枠内面に形
成された段差と嵌合される構造である。
板と、この金属ベース板に接着されたケース枠と、この
ケース枠内にて金属ベース板に接合された絶縁基板と、
この絶縁基板に接合されたリードフレームと、このリー
ドフレームに接合された半導体チップとで構成され、こ
のケース枠内の下部にゲル状樹脂封止剤が充填され、こ
のケース枠を閉じる絶縁樹脂製の蓋が設けられる構造の
半導体装置において、リードフレームはケース枠と嵌合
する屈曲部が形成され、前記屈曲部はケース枠内面に形
成された段差と嵌合される構造である。
【００１０】請求項２の発明は、請求項１に記載の半導
体装置において、リードフレームは蓋との嵌合部が形成
され、蓋はリードフレームの端子と嵌合する凹凸部が形
成され、かつ、リードフレームの端子がケース枠の溝と
蓋の凹凸部に嵌合されて位置が固定される構造である。
請求項３の発明は、金属ベース板に接合されるケース枠
にリードフレームの端子と嵌合する溝と段差が形成さ
れ、半導体チップが電気的に接合されたリードフレーム
に屈曲部が形成され、リードフレームの端子がケース枠
に嵌合されながら挿入されて前記屈曲部で位置決めさ
れ、金属ベース板に半田板，絶縁基板，半田板，およ
び、下部周囲に接着剤が塗布されたケース枠がリードフ
レームと共に重ねられ、一式が加熱されて半田板が接合
剤になり接着剤が同時に硬化され、次にゲル状樹脂封止
剤が充填され、蓋が嵌合されて周囲が接着される半導体
装置の製造方法である。
体装置において、リードフレームは蓋との嵌合部が形成
され、蓋はリードフレームの端子と嵌合する凹凸部が形
成され、かつ、リードフレームの端子がケース枠の溝と
蓋の凹凸部に嵌合されて位置が固定される構造である。
請求項３の発明は、金属ベース板に接合されるケース枠
にリードフレームの端子と嵌合する溝と段差が形成さ
れ、半導体チップが電気的に接合されたリードフレーム
に屈曲部が形成され、リードフレームの端子がケース枠
に嵌合されながら挿入されて前記屈曲部で位置決めさ
れ、金属ベース板に半田板，絶縁基板，半田板，およ
び、下部周囲に接着剤が塗布されたケース枠がリードフ
レームと共に重ねられ、一式が加熱されて半田板が接合
剤になり接着剤が同時に硬化され、次にゲル状樹脂封止
剤が充填され、蓋が嵌合されて周囲が接着される半導体
装置の製造方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明は、ケース内部にリード
フレームの位置決め機能を形成し、リードフレームにケ
ースの位置決め機能に嵌合する屈曲や凹凸を設けてリー
ドフレームとケースの位置関係を無調整とし、リードフ
レームの端部をケースと蓋によって支えてリードフレー
ムの変位を防止する構造と、この製造方法の提供であ
る。
フレームの位置決め機能を形成し、リードフレームにケ
ースの位置決め機能に嵌合する屈曲や凹凸を設けてリー
ドフレームとケースの位置関係を無調整とし、リードフ
レームの端部をケースと蓋によって支えてリードフレー
ムの変位を防止する構造と、この製造方法の提供であ
る。
【００１２】
【実施例】この発明の実施例を図１に示し、（ａ）は半
導体装置の一部断面図、（ｂ）はＤ矢視図、（ｃ）はＳ
矢視図である。また、図２は図１（ｂ）の蓋の平面図で
ある。更に、図３はケース枠３の構造を示し、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）の長手方向の断面図、（ｃ）は
（ａ）の側面断面図であり、図４は図３の主要部の斜視
図である。図１にて金属ベース板１１と絶縁基板１２と
の間、および絶縁基板１２とリードフレーム１との間が
半田２５によって接合されている。リードフレーム１
は、屈曲部１ａが形成され、図３，４に示すようにケー
ス枠３の内面に形成された段付き部３ａと、ケース枠３
内部にリードフレーム１の幅に形作られた溝３ｂとに嵌
合されて位置が決められる。また、蓋５にもリードフレ
ーム１の角孔１ｄと嵌合できる凸部５ａと、図１（ｂ）
のようにケース枠３の溝とでリードフレーム１を嵌合で
きる溝５ｂが形成されている。更に、接着剤５ｓが蓋５
の周囲に固着される。この構造であれば、図８，９のよ
うにエポキシ樹脂によるリードフレームの保持機能をケ
ース枠３と蓋５に代行させるため、完成後のリードフレ
ーム１の変形や変位を防止できる。
導体装置の一部断面図、（ｂ）はＤ矢視図、（ｃ）はＳ
矢視図である。また、図２は図１（ｂ）の蓋の平面図で
ある。更に、図３はケース枠３の構造を示し、（ａ）は
平面図、（ｂ）は（ａ）の長手方向の断面図、（ｃ）は
（ａ）の側面断面図であり、図４は図３の主要部の斜視
図である。図１にて金属ベース板１１と絶縁基板１２と
の間、および絶縁基板１２とリードフレーム１との間が
半田２５によって接合されている。リードフレーム１
は、屈曲部１ａが形成され、図３，４に示すようにケー
ス枠３の内面に形成された段付き部３ａと、ケース枠３
内部にリードフレーム１の幅に形作られた溝３ｂとに嵌
合されて位置が決められる。また、蓋５にもリードフレ
ーム１の角孔１ｄと嵌合できる凸部５ａと、図１（ｂ）
のようにケース枠３の溝とでリードフレーム１を嵌合で
きる溝５ｂが形成されている。更に、接着剤５ｓが蓋５
の周囲に固着される。この構造であれば、図８，９のよ
うにエポキシ樹脂によるリードフレームの保持機能をケ
ース枠３と蓋５に代行させるため、完成後のリードフレ
ーム１の変形や変位を防止できる。
【００１３】図５は図１のリードフレーム１の折り曲げ
及び切断前の打ち抜き部材２であり、図６にて説明する
打ち抜き部材２に相当する部品の平面図である。打ち抜
き部材２は導体部２ｂ，タイバー部２ｃ，リードフレー
ム部２ｔに角孔２ｄなどが加工されている。図１のリー
ドフレーム１は図５の折り曲げ線Ｂ−Ｂにて折り曲げ、
不図示の計４ケ所で更に折り曲げ、切断線Ｃ−Ｃにて切
断した後の形状である。
及び切断前の打ち抜き部材２であり、図６にて説明する
打ち抜き部材２に相当する部品の平面図である。打ち抜
き部材２は導体部２ｂ，タイバー部２ｃ，リードフレー
ム部２ｔに角孔２ｄなどが加工されている。図１のリー
ドフレーム１は図５の折り曲げ線Ｂ−Ｂにて折り曲げ、
不図示の計４ケ所で更に折り曲げ、切断線Ｃ−Ｃにて切
断した後の形状である。
【００１４】また、従来の構造では、通常、半導体チッ
プが搭載され所定の電気回路を達成するようにアルミニ
ュウム等の金属細線でワイヤーボンディング接合された
リードフレームが絶縁基板や金属ベース板と半田付けさ
れている状態にて、ケース枠が金属ベース板の周囲端面
に接着接合される組み立て工程をとっていたが、図１の
構造を採用する場合、ケース枠内面下部の段構造部がリ
ードフレームの通過を阻害して組み立て不可能になる。
そこで、発明の実施例として図１の構造を組み立てる製
造方法の工程の前半分と後半分を図６の（ａ）から
（ｄ）と、図７の（ａ）から（ｃ）に示す。
プが搭載され所定の電気回路を達成するようにアルミニ
ュウム等の金属細線でワイヤーボンディング接合された
リードフレームが絶縁基板や金属ベース板と半田付けさ
れている状態にて、ケース枠が金属ベース板の周囲端面
に接着接合される組み立て工程をとっていたが、図１の
構造を採用する場合、ケース枠内面下部の段構造部がリ
ードフレームの通過を阻害して組み立て不可能になる。
そこで、発明の実施例として図１の構造を組み立てる製
造方法の工程の前半分と後半分を図６の（ａ）から
（ｄ）と、図７の（ａ）から（ｃ）に示す。
【００１５】図６の（ａ）にて、図５相当の打ち抜き部
材２の所定部に半導体チップ１５を半田２５にて接合す
る。そして、（ｂ）にて打ち抜き部材２を計６ケ所折り
曲げて打ち抜き部材２ｍとする。更に、図３にて説明し
たケース枠３の溝と段付け部まで、打ち抜き部材２ｍを
嵌合させて（ｃ）の状態にする。そして、（ｄ）に示す
ように半田板２５ｐ，絶縁基板１２，半田板２５ｐ，金
属ベース板１１を、接着剤２９を塗布したケース枠３に
一致させて組み合わせる。なお、実際の組み立て作業は
（ｄ）を反転させて行い、その後再度反転させて図７に
移行する。
材２の所定部に半導体チップ１５を半田２５にて接合す
る。そして、（ｂ）にて打ち抜き部材２を計６ケ所折り
曲げて打ち抜き部材２ｍとする。更に、図３にて説明し
たケース枠３の溝と段付け部まで、打ち抜き部材２ｍを
嵌合させて（ｃ）の状態にする。そして、（ｄ）に示す
ように半田板２５ｐ，絶縁基板１２，半田板２５ｐ，金
属ベース板１１を、接着剤２９を塗布したケース枠３に
一致させて組み合わせる。なお、実際の組み立て作業は
（ｄ）を反転させて行い、その後再度反転させて図７に
移行する。
【００１６】更に、図７（ａ）に示すようにメタライズ
板である絶縁基板１２を案内するガイド８１ｇ付きの治
具８１によってケース枠３を金属ベース板１１に押しつ
けるように重り８５を載せながら加熱させて接着剤を硬
化させ半田を溶融，固着させる。この接着と半田付けを
同時作業にすることによって、工数の節減を図る。そし
て、（ｂ）に示すように半導体チップ１５とリードフレ
ーム１の回路をボンディングワイヤ２１によって接続す
る。その後、ケース枠３内にゲル状樹脂３１が注入さ
れ、蓋５がリードフレーム１に嵌合されて周囲は接着剤
５ｓが塗布される。なお、ワイヤーボンディングは、図
７（ｂ）の工程に限定されず、図６（ｂ）の前に行って
も良い。
板である絶縁基板１２を案内するガイド８１ｇ付きの治
具８１によってケース枠３を金属ベース板１１に押しつ
けるように重り８５を載せながら加熱させて接着剤を硬
化させ半田を溶融，固着させる。この接着と半田付けを
同時作業にすることによって、工数の節減を図る。そし
て、（ｂ）に示すように半導体チップ１５とリードフレ
ーム１の回路をボンディングワイヤ２１によって接続す
る。その後、ケース枠３内にゲル状樹脂３１が注入さ
れ、蓋５がリードフレーム１に嵌合されて周囲は接着剤
５ｓが塗布される。なお、ワイヤーボンディングは、図
７（ｂ）の工程に限定されず、図６（ｂ）の前に行って
も良い。
【００１７】
【発明の効果】この発明によれば、ケースに溝や段付け
部を形成し、溝や凸部付きの蓋を設けてリードフレーム
の変位を防止するため、エポキシ樹脂の注入や硬化に代
えて蓋の組み立てと接着剤塗布だけで良い安価な半導体
装置を提供できる。請求項２の発明によれば、蓋とリー
ドフレームの関係を嵌合にしたため、組み立て時間が短
く、より安価な半導体装置を提供できる。
部を形成し、溝や凸部付きの蓋を設けてリードフレーム
の変位を防止するため、エポキシ樹脂の注入や硬化に代
えて蓋の組み立てと接着剤塗布だけで良い安価な半導体
装置を提供できる。請求項２の発明によれば、蓋とリー
ドフレームの関係を嵌合にしたため、組み立て時間が短
く、より安価な半導体装置を提供できる。
【００１８】請求項３の発明によれば、ケースに溝や段
付け部を形成し、溝や凸部付きの蓋を設けてリードフレ
ームの変位を防止するため、エポキシ樹脂の注入や硬化
に代えて蓋を簡単な嵌合で組み立てられ、かつ、金属ベ
ース板，絶縁基板の半田付けと接着を同時に行なえるた
め、工数が低減できる半導体装置の製造方法を提供でき
る。
付け部を形成し、溝や凸部付きの蓋を設けてリードフレ
ームの変位を防止するため、エポキシ樹脂の注入や硬化
に代えて蓋を簡単な嵌合で組み立てられ、かつ、金属ベ
ース板，絶縁基板の半田付けと接着を同時に行なえるた
め、工数が低減できる半導体装置の製造方法を提供でき
る。
【図１】この発明の実施例の一部断面図
【図２】図１（ｂ）の蓋５の部分平面図
【図３】この発明のケース枠の構造を示す図で、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）の長手方向の断面図、（ｃ）
は（ａ）の側面の断面図
は平面図、（ｂ）は（ａ）の長手方向の断面図、（ｃ）
は（ａ）の側面の断面図
【図４】図３の要部の斜視図
【図５】この発明の実施例の打ち抜き部材の平面図
【図６】この発明の製造工程の前半を示す図で、（ａ）
は半導体チップと打ち抜き部材の接合側面図、（ｂ）は
打ち抜き部材の折り曲げ図、（ｃ）はケースと打ち抜き
部材との嵌合図、（ｄ）は半田付け前の構成図
は半導体チップと打ち抜き部材の接合側面図、（ｂ）は
打ち抜き部材の折り曲げ図、（ｃ）はケースと打ち抜き
部材との嵌合図、（ｄ）は半田付け前の構成図
【図７】この発明の製造工程の後半を示す図で、（ａ）
は接着と半田付けの加熱状態図、（ｂ）はワイヤーボン
ディング後の一部破断側面図、（ｃ）は蓋嵌合後の完成
品の一部破断側面図
は接着と半田付けの加熱状態図、（ｂ）はワイヤーボン
ディング後の一部破断側面図、（ｃ）は蓋嵌合後の完成
品の一部破断側面図
【図８】従来の半導体装置の一部側面図
【図９】従来の他の半導体装置の一部側面図
１ リードフレーム １ａ 屈曲部 ２ 打ち抜き部材 ３ ケース枠 ３ａ 段付け部 ３ｂ 溝 ５ 蓋 ５ａ 蓋凸部 １１ 金属ベース板 １２ 絶縁基板 １５ 半導体チップ ２１ ボンディングワイヤ ２５ 半田 ２５ｐ 半田板 ２９ 接着剤 ３１ ゲル状樹脂 ３３ 保護コート材 ３５ エポキシ樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】金属ベース板と、この金属ベース板に接着
されたケース枠と、このケース枠内にて金属ベース板に
接合された絶縁基板と、この絶縁基板に接合されたリー
ドフレームと、このリードフレームに接合された半導体
チップとで構成され、このケース枠内の下部にゲル状樹
脂封止剤が充填され、このケース枠を閉じる絶縁樹脂製
の蓋が設けられる構造の半導体装置において、 リードフレームはケース枠と嵌合する屈曲部が形成さ
れ、前記屈曲部はケース枠内面に形成された段差と嵌合
されることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体装置において、 リードフレームは蓋との嵌合部が形成され、蓋はリード
フレームの端子と嵌合する凹凸部が形成され、かつ、リ
ードフレームの端子がケース枠の溝と蓋の凹凸部に嵌合
されて位置が固定される構造を特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】金属ベース板に接合されるケース枠にリー
ドフレームの端子と嵌合する溝と段差が形成され、半導
体チップが電気的に接合されたリードフレームに屈曲部
が形成され、リードフレームの端子がケース枠に嵌合さ
れながら挿入されて前記屈曲部で位置決めされ、金属ベ
ース板に半田板，絶縁基板，半田板，および、下部周囲
に接着剤が塗布されたケース枠がリードフレームと共に
重ねられ、一式が加熱されて半田板が接合剤になり接着
剤と共に同時硬化され、次にゲル状樹脂封止剤が充填さ
れ、蓋が嵌合されて周囲が接着されることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9041857A JPH10242338A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9041857A JPH10242338A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242338A true JPH10242338A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12619929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9041857A Pending JPH10242338A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242338A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8399976B2 (en) | 2008-02-27 | 2013-03-19 | Mitsubishi Electric Corporation | Resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor |
| JP2013098395A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置組立方法および半導体装置組立治具 |
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