JPH10242355A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH10242355A JPH10242355A JP9040205A JP4020597A JPH10242355A JP H10242355 A JPH10242355 A JP H10242355A JP 9040205 A JP9040205 A JP 9040205A JP 4020597 A JP4020597 A JP 4020597A JP H10242355 A JPH10242355 A JP H10242355A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07354—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in dispositions
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/341—Dispositions of die-attach connectors, e.g. layouts
- H10W72/347—Dispositions of multiple die-attach connectors
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路装置において、低熱抵抗で、
熱膨張係数、弾性率の異なる異種材料間の接合界面に発
生する剥離やクラックを低減する。 【解決手段】 半導体素子が形成されている主面と反対
側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導体集
積回路装置であって、前記放熱板の一部が前記パッケー
ジの封止樹脂を引掛けて係合するフック構造になってい
るものである。また、半導体素子が形成されている主面
と反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半
導体集積回路装置であって、前記放熱板平面内の少なく
とも一部に逆円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔を少なく
とも１個設けたものである。
熱膨張係数、弾性率の異なる異種材料間の接合界面に発
生する剥離やクラックを低減する。 【解決手段】 半導体素子が形成されている主面と反対
側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導体集
積回路装置であって、前記放熱板の一部が前記パッケー
ジの封止樹脂を引掛けて係合するフック構造になってい
るものである。また、半導体素子が形成されている主面
と反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半
導体集積回路装置であって、前記放熱板平面内の少なく
とも一部に逆円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔を少なく
とも１個設けたものである。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置に関し、特に、ヒートスプレッダー付ボール・グリッ
ド・アレイ（ＨＢＧＡ）型半導体集積回路装置に適用し
て有効な技術に関するものである。
置に関し、特に、ヒートスプレッダー付ボール・グリッ
ド・アレイ（ＨＢＧＡ）型半導体集積回路装置に適用し
て有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路装置においては、
半導体素子の高集積化にとない入出力ピン数が急速に増
大している。外部端子をパッケージの周辺に設けるＱＦ
Ｐ（Ｑuad Ｆlat Ｐackage )等のパッケージは多ピンに
なる程、はんだ接続時にピン間の絶縁を保つため一定間
隔以下に外部端子を配置できないという制約からパッケ
ージが大型化する傾向にある。このため実装効率が低下
したり、電気特性の劣化が生じやすいため、パッケージ
裏面に格子状に外部端子を設けるボール・グリッド・ア
レイ（ＢＧＡ）型パッケージが開発されている。
半導体素子の高集積化にとない入出力ピン数が急速に増
大している。外部端子をパッケージの周辺に設けるＱＦ
Ｐ（Ｑuad Ｆlat Ｐackage )等のパッケージは多ピンに
なる程、はんだ接続時にピン間の絶縁を保つため一定間
隔以下に外部端子を配置できないという制約からパッケ
ージが大型化する傾向にある。このため実装効率が低下
したり、電気特性の劣化が生じやすいため、パッケージ
裏面に格子状に外部端子を設けるボール・グリッド・ア
レイ（ＢＧＡ）型パッケージが開発されている。
【０００３】一方、ペレットの発熱量も増大の一途をた
どっており、特に、高性能デバイスではパッケージの低
熱抵抗化が重要視されている。
どっており、特に、高性能デバイスではパッケージの低
熱抵抗化が重要視されている。
【０００４】このような背景からモールド樹脂（レジ
ン）の上面にヒートスプレッダーを設けたＨＢＧＡ型の
パッケージが開発されている。
ン）の上面にヒートスプレッダーを設けたＨＢＧＡ型の
パッケージが開発されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【０００６】前記従来の技術では、熱膨張係数、弾性率
の異なる異種材料間の接合においては、モールド後の熱
収縮の起こる製造プロセス時やスイッチのオン・オフ
（ＯＮ・ＯＦＦ）による温度サイクル時にモールド樹脂
（レジン）界面に剥離やクラックが発生するという問題
があった。
の異なる異種材料間の接合においては、モールド後の熱
収縮の起こる製造プロセス時やスイッチのオン・オフ
（ＯＮ・ＯＦＦ）による温度サイクル時にモールド樹脂
（レジン）界面に剥離やクラックが発生するという問題
があった。
【０００７】本発明の目的は、熱膨張係数、弾性率の異
なる異種材料間の接合界面に発生する剥離やクラックを
低減することが可能な技術を提供することにある。
なる異種材料間の接合界面に発生する剥離やクラックを
低減することが可能な技術を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、低熱抵抗で、かつ、
封止樹脂（モールドレジン）と放熱板の界面に発生する
剥離やクラックを低減することが可能なＨＢＧＡ型のパ
ッケージの半導体集積回路装置を提供することにある。
封止樹脂（モールドレジン）と放熱板の界面に発生する
剥離やクラックを低減することが可能なＨＢＧＡ型のパ
ッケージの半導体集積回路装置を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記のとおりである。
【００１１】（１）半導体素子が形成されている主面と
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の一部が前記パッ
ケージの封止樹脂を引掛けて係合するフック構造になっ
ているものである。
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の一部が前記パッ
ケージの封止樹脂を引掛けて係合するフック構造になっ
ているものである。
【００１２】（２）半導体素子が形成されている主面と
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の周辺縁部の少な
くとも一部が前記パッケージの封止樹脂を引掛けて係合
するフック構造になっているものである。
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の周辺縁部の少な
くとも一部が前記パッケージの封止樹脂を引掛けて係合
するフック構造になっているものである。
【００１３】（３）半導体素子が形成されている主面と
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の平面部に逆円錐
状もしくは逆角錐状の貫通孔を少なくとも１個設けたも
のである。
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の平面部に逆円錐
状もしくは逆角錐状の貫通孔を少なくとも１個設けたも
のである。
【００１４】（４）半導体素子が形成されている主面と
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の平面部に逆円錐
状もしくは逆角錐状の穴を少なくとも１個設けたもので
ある。
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の平面部に逆円錐
状もしくは逆角錐状の穴を少なくとも１個設けたもので
ある。
【００１５】（５）半導体素子が形成されている主面と
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の周辺縁部の少な
くとも一部が前記パッケージの封止樹脂を引掛けて係合
するフック構造になっており、前記放熱板の平面部に逆
円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔あるいは逆円錐状もし
くは逆角錐状の穴を少なくとも１個設けたものである。
反対側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導
体集積回路装置であって、前記放熱板の周辺縁部の少な
くとも一部が前記パッケージの封止樹脂を引掛けて係合
するフック構造になっており、前記放熱板の平面部に逆
円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔あるいは逆円錐状もし
くは逆角錐状の穴を少なくとも１個設けたものである。
【００１６】（６）前記手段の各半導体集積回路装置に
おいて、前記放熱板の内面部に凹凸を少なくとも１個設
けたものである。
おいて、前記放熱板の内面部に凹凸を少なくとも１個設
けたものである。
【００１７】（７）前記手段の各半導体集積回路装置に
おいて、前記放熱板の上面に放熱フィンを設けたもので
ある。
おいて、前記放熱板の上面に放熱フィンを設けたもので
ある。
【００１８】（８）前記パッケージはヒートスプレッダ
ー付ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型である。
ー付ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型である。
【００１９】（９）前記ヒートスプレッダーの上面に放
熱フィンを設けたものである。
熱フィンを設けたものである。
【００２０】前記の手段によれば、放熱板の一部が前記
パッケージの封止樹脂を引掛けて係合するフック構造と
なっているため、このフック構造のフック部に封止樹脂
が嵌め込められ、かつ、放熱板と封止樹脂（モールドレ
ジン）の接触面積が大きくなるので、低熱抵抗で、か
つ、放熱板と封止樹脂の界面に発生する剥離やクラック
を低減することができる。すなわち、熱膨張係数、弾性
率の異なる異種材料間の接合界面に発生する剥離やクラ
ックを低減することができる。
パッケージの封止樹脂を引掛けて係合するフック構造と
なっているため、このフック構造のフック部に封止樹脂
が嵌め込められ、かつ、放熱板と封止樹脂（モールドレ
ジン）の接触面積が大きくなるので、低熱抵抗で、か
つ、放熱板と封止樹脂の界面に発生する剥離やクラック
を低減することができる。すなわち、熱膨張係数、弾性
率の異なる異種材料間の接合界面に発生する剥離やクラ
ックを低減することができる。
【００２１】また、放熱板に逆円錐状もしくは逆角錐状
の貫通孔を設けることにより、この貫通孔に封止樹脂が
嵌め込められ、かつ、放熱板と封止樹脂の接触面積が大
きくなるので、低熱抵抗で、かつ、放熱板と封止樹脂の
界面に発生する剥離やクラックを低減することができ
る。
の貫通孔を設けることにより、この貫通孔に封止樹脂が
嵌め込められ、かつ、放熱板と封止樹脂の接触面積が大
きくなるので、低熱抵抗で、かつ、放熱板と封止樹脂の
界面に発生する剥離やクラックを低減することができ
る。
【００２２】また、放熱板の内面部に逆円錐状もしくは
逆角錐状の穴を設けることにより、この穴にパッケージ
の封止樹脂が嵌め込められ、かつ、放熱板と封止樹脂の
接触面積が大きくなるので、低熱抵抗で、かつ、放熱板
と封止樹脂の界面に発生する剥離やクラックを低減する
ことができる。
逆角錐状の穴を設けることにより、この穴にパッケージ
の封止樹脂が嵌め込められ、かつ、放熱板と封止樹脂の
接触面積が大きくなるので、低熱抵抗で、かつ、放熱板
と封止樹脂の界面に発生する剥離やクラックを低減する
ことができる。
【００２３】また、放熱板の内面部に凹凸を設けたこと
により、放熱板と封止樹脂との接触面積が大きくなるの
で、放熱効率を向上することができる。
により、放熱板と封止樹脂との接触面積が大きくなるの
で、放熱効率を向上することができる。
【００２４】また、前記ヒートスプレッダーの上面に放
熱フィンを設けたことにより、さらに、放熱効率を向上
することができる。
熱フィンを設けたことにより、さらに、放熱効率を向上
することができる。
【００２５】以下、本発明について、図面を参照して実
施の形態とともに詳細に説明する。
施の形態とともに詳細に説明する。
【００２６】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
おいて、同一機能を有するものは同一符号を付け、その
繰り返しの説明は省略する。
【００２７】
（実施形態１）図１は本発明の実施形態１のＨＢＧＡ型
のパッケージの半導体集積回路装置の概略構成を示す平
面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図１におい
て、１はヒートスプレーダー（放熱板）、１Ａはフック
構造、２はモールドレジン（封止樹脂）、３はＬＳｉチ
ップ、４は配線基板、５はボール（外部電極）、６は配
線基板４上に設けられた配線電極（パッド）である。
のパッケージの半導体集積回路装置の概略構成を示す平
面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図１におい
て、１はヒートスプレーダー（放熱板）、１Ａはフック
構造、２はモールドレジン（封止樹脂）、３はＬＳｉチ
ップ、４は配線基板、５はボール（外部電極）、６は配
線基板４上に設けられた配線電極（パッド）である。
【００２８】本実施形態１のＨＢＧＡ型のパッケージの
半導体集積回路装置は、図１に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン（パッケージ）２の表面上にヒートスプレー
ダー（放熱板）１が設けられた半導体集積回路装置であ
って、前記ヒートスプレーダー１の周辺縁部の少なくと
も一部が前記モールドレジン２を引掛けて係合するフッ
ク構造１Ａになっているものである。すなわち、ボール
（外部電極）５が設けられている配線基板４上に、配線
電極（パッド）６を介してＬＳｉチップ３を搭載し、モ
ールドレジン（封止樹脂）２で封止し、その上に周辺縁
部の少なくとも一部が前記モールドレジン２を引掛けて
係合するフック構造１Ａを有するヒートスプレーダー１
が、モールドレジン２に嵌め込められた構成になってい
る。前記フック構造１Ａのフックの角度θは鋭角（θ＜
９０°）である。
半導体集積回路装置は、図１に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン（パッケージ）２の表面上にヒートスプレー
ダー（放熱板）１が設けられた半導体集積回路装置であ
って、前記ヒートスプレーダー１の周辺縁部の少なくと
も一部が前記モールドレジン２を引掛けて係合するフッ
ク構造１Ａになっているものである。すなわち、ボール
（外部電極）５が設けられている配線基板４上に、配線
電極（パッド）６を介してＬＳｉチップ３を搭載し、モ
ールドレジン（封止樹脂）２で封止し、その上に周辺縁
部の少なくとも一部が前記モールドレジン２を引掛けて
係合するフック構造１Ａを有するヒートスプレーダー１
が、モールドレジン２に嵌め込められた構成になってい
る。前記フック構造１Ａのフックの角度θは鋭角（θ＜
９０°）である。
【００２９】前記フック構造１Ａを有するヒートスプレ
ーダー１をモールドレジン２に嵌め込む手段は、例え
ば、モールドレジン２で封止する際に、あらかじめフッ
ク構造１Ａを有するヒートスプレーダー１を金型内に固
定しておき、一体成形することにより製作する。
ーダー１をモールドレジン２に嵌め込む手段は、例え
ば、モールドレジン２で封止する際に、あらかじめフッ
ク構造１Ａを有するヒートスプレーダー１を金型内に固
定しておき、一体成形することにより製作する。
【００３０】この時、モールドレジン２の熱膨張係数に
近い材質（例えば、銅）のヒートスプレーダー１を選定
することにより、熱膨張係数差により発生する応力を低
減することができる。
近い材質（例えば、銅）のヒートスプレーダー１を選定
することにより、熱膨張係数差により発生する応力を低
減することができる。
【００３１】このように構成することにより、前記フッ
ク構造１Ａのフック部にパッケージのモールドレジン２
が嵌め込められ、かつ、前記ヒートスプレーダー１とパ
ッケージのモールドレジン２との接触面積が大きくなる
ので、低熱抵抗で、かつ、モールドレジン２とヒートス
プレーダー１の界面に発生する剥離やクラックを低減す
ることができる。すなわち、低熱抵抗で、かつ、熱膨張
係数、弾性率の異なる異種材料間の接合界面に発生する
剥離やクラックを低減することができる。
ク構造１Ａのフック部にパッケージのモールドレジン２
が嵌め込められ、かつ、前記ヒートスプレーダー１とパ
ッケージのモールドレジン２との接触面積が大きくなる
ので、低熱抵抗で、かつ、モールドレジン２とヒートス
プレーダー１の界面に発生する剥離やクラックを低減す
ることができる。すなわち、低熱抵抗で、かつ、熱膨張
係数、弾性率の異なる異種材料間の接合界面に発生する
剥離やクラックを低減することができる。
【００３２】（実施形態２）図２は本発明の実施形態２
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図
２において、１Ｂはヒートスプレーダー１に設けられた
逆円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔である。
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図
２において、１Ｂはヒートスプレーダー１に設けられた
逆円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔である。
【００３３】本実施形態２のＨＢＧＡ型のパッケージの
半導体集積回路装置は、図２に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン２の表面上にヒートスプレーダー１が設けら
れた半導体集積回路装置であって、前記ヒートスプレー
ダー１の平面内の少なくとも一部に逆円錐状もしくは逆
角錐状の貫通孔１Ｂを少なくとも１個設けたものであ
る。
半導体集積回路装置は、図２に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン２の表面上にヒートスプレーダー１が設けら
れた半導体集積回路装置であって、前記ヒートスプレー
ダー１の平面内の少なくとも一部に逆円錐状もしくは逆
角錐状の貫通孔１Ｂを少なくとも１個設けたものであ
る。
【００３４】すなわち、前記実施形態１におけるヒート
スプレーダー１のフック構造１Ａの代りに、逆円錐状も
しくは逆角錐状の貫通孔１Ｂを設けたものである。
スプレーダー１のフック構造１Ａの代りに、逆円錐状も
しくは逆角錐状の貫通孔１Ｂを設けたものである。
【００３５】前記ヒートスプレーダー１に設けられた貫
通孔１Ｂをモールドレジン２で埋め嵌め込む手段は、例
えば、モールドレジン２で封止する際に、あらかじめ貫
通孔１Ｂをを設けたヒートスプレーダー１を金型内に固
定しておき、一体成形することにより製作する。
通孔１Ｂをモールドレジン２で埋め嵌め込む手段は、例
えば、モールドレジン２で封止する際に、あらかじめ貫
通孔１Ｂをを設けたヒートスプレーダー１を金型内に固
定しておき、一体成形することにより製作する。
【００３６】このように構成することにより、前記貫通
孔１Ｂにパッケージのモールドレジン２が嵌め込めら
れ、かつ、前記ヒートスプレーダー１とパッケージのモ
ールドレジン２との接触面積が大きくなるので、低熱抵
抗で、かつ、モールドレジン２とヒートスプレーダー１
の界面に発生する剥離やクラックを低減することができ
る。
孔１Ｂにパッケージのモールドレジン２が嵌め込めら
れ、かつ、前記ヒートスプレーダー１とパッケージのモ
ールドレジン２との接触面積が大きくなるので、低熱抵
抗で、かつ、モールドレジン２とヒートスプレーダー１
の界面に発生する剥離やクラックを低減することができ
る。
【００３７】（実施形態３）図３は本発明の実施形態３
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。
【００３８】本実施形態２のＨＢＧＡ型のパッケージの
半導体集積回路装置は、図３に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン２の表面上にヒートスプレーダー１が設けら
れた半導体集積回路装置であって、前記ヒートスプレー
ダー１の周辺縁部の少なくとも一部が前記モールドレジ
ン２を引掛けて係合するフック構造１Ａになっており、
前記ヒートスプレーダー１の平面内の少なくとも一部に
逆円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔１Ｂを少なくとも１
個設けたものである。
半導体集積回路装置は、図３に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン２の表面上にヒートスプレーダー１が設けら
れた半導体集積回路装置であって、前記ヒートスプレー
ダー１の周辺縁部の少なくとも一部が前記モールドレジ
ン２を引掛けて係合するフック構造１Ａになっており、
前記ヒートスプレーダー１の平面内の少なくとも一部に
逆円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔１Ｂを少なくとも１
個設けたものである。
【００３９】このように構成することにより、前記フッ
ク構造１Ａのフック部にパッケージのモールドレジン２
が嵌め込められ、かつ、前記貫通孔１Ｂにパッケージの
モールドレジン２が嵌め込められ、さらに、前記ヒート
スプレーダー１とパッケージのモールドレジン２との接
触面積が大きくなるので、低熱抵抗で、かつ、モールド
レジン２とヒートスプレーダー１の界面に剥離やクラッ
クの発生をさらに低減することができる。
ク構造１Ａのフック部にパッケージのモールドレジン２
が嵌め込められ、かつ、前記貫通孔１Ｂにパッケージの
モールドレジン２が嵌め込められ、さらに、前記ヒート
スプレーダー１とパッケージのモールドレジン２との接
触面積が大きくなるので、低熱抵抗で、かつ、モールド
レジン２とヒートスプレーダー１の界面に剥離やクラッ
クの発生をさらに低減することができる。
【００４０】（実施形態４）図４は本発明の実施形態４
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図
４において、１Ｃはヒートスプレーダー１の内部平面に
設けられた凹凸である。
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図
４において、１Ｃはヒートスプレーダー１の内部平面に
設けられた凹凸である。
【００４１】本実施形態４のＨＢＧＡ型のパッケージの
半導体集積回路装置は、図４に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン２の表面上にヒートスプレーダー１が設けら
れた半導体集積回路装置であって、前記ヒートスプレー
ダー１の周辺縁部の少なくとも一部が前記パッケージの
封止樹脂を引掛けて係合するフック構造１Ａを有し、前
記ヒートスプレーダー１の内部平面に凹凸１Ｃを少なく
とも１個設けたものである。前記凹凸１Ｃはヒートスプ
レーダー１を貫通する構造にしてもよい。
半導体集積回路装置は、図４に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン２の表面上にヒートスプレーダー１が設けら
れた半導体集積回路装置であって、前記ヒートスプレー
ダー１の周辺縁部の少なくとも一部が前記パッケージの
封止樹脂を引掛けて係合するフック構造１Ａを有し、前
記ヒートスプレーダー１の内部平面に凹凸１Ｃを少なく
とも１個設けたものである。前記凹凸１Ｃはヒートスプ
レーダー１を貫通する構造にしてもよい。
【００４２】このように構成することにより、前記フッ
ク構造１Ａのフック部にパッケージのモールドレジン２
が嵌め込められ、かつ、前記ヒートスプレーダー１とパ
ッケージのモールドレジン２との接触面積が大きくなる
ので、低熱抵抗で、かつ、モールドレジン２とヒートス
プレーダー１の界面に剥離やクラックの発生をさらに低
減することができる。
ク構造１Ａのフック部にパッケージのモールドレジン２
が嵌め込められ、かつ、前記ヒートスプレーダー１とパ
ッケージのモールドレジン２との接触面積が大きくなる
ので、低熱抵抗で、かつ、モールドレジン２とヒートス
プレーダー１の界面に剥離やクラックの発生をさらに低
減することができる。
【００４３】（実施形態５）図５は本発明の実施形態５
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図
４において、１Ｄはヒートスプレーダー１の内部平面に
設けられた逆円錐状もしくは逆角錐状の穴である。
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図
４において、１Ｄはヒートスプレーダー１の内部平面に
設けられた逆円錐状もしくは逆角錐状の穴である。
【００４４】本実施形態５のＨＢＧＡ型のパッケージの
半導体集積回路装置は、図５に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン２（パッケージ）の表面上にヒートスプレー
ダー１が設けられた半導体集積回路装置であって、前記
ヒートスプレーダー１の内部平面内の少なくとも一部に
逆円錐状もしくは逆角錐状の穴１Ｄを少なくとも１個設
けたものである。
半導体集積回路装置は、図５に示すように、ＬＳｉチッ
プ３の半導体素子が形成されている主面と反対側のモー
ルドレジン２（パッケージ）の表面上にヒートスプレー
ダー１が設けられた半導体集積回路装置であって、前記
ヒートスプレーダー１の内部平面内の少なくとも一部に
逆円錐状もしくは逆角錐状の穴１Ｄを少なくとも１個設
けたものである。
【００４５】すなわち、前記実施形態１におけるヒート
スプレーダー１のフック構造１Ａの代りに、前記ヒート
スプレーダー１の内部平面内に逆円錐状もしくは逆角錐
状の穴１Ｄを設けたものである。
スプレーダー１のフック構造１Ａの代りに、前記ヒート
スプレーダー１の内部平面内に逆円錐状もしくは逆角錐
状の穴１Ｄを設けたものである。
【００４６】前記ヒートスプレーダー１の内部平面内の
少なくとも一部に逆円錐状もしくは逆角錐状の穴１Ｄを
モールドレジン２で埋め込む手段は、例えば、モールド
レジン２で封止する際に、あらかじめ逆円錐状もしくは
逆角錐状の穴１Ｄを設けたヒートスプレーダー１を金型
に固定しておき、一体成形することにより製作する手法
を用いる。
少なくとも一部に逆円錐状もしくは逆角錐状の穴１Ｄを
モールドレジン２で埋め込む手段は、例えば、モールド
レジン２で封止する際に、あらかじめ逆円錐状もしくは
逆角錐状の穴１Ｄを設けたヒートスプレーダー１を金型
に固定しておき、一体成形することにより製作する手法
を用いる。
【００４７】このように構成することにより、前記逆円
錐状もしくは逆角錐状の穴１Ｄにパッケージの封止樹脂
が嵌め込められ、かつ、前記ヒートスプレーダー１とパ
ッケージの封止樹脂との接触面積が大きくなるので、低
熱抵抗で、かつ、モールドレジン２とヒートスプレーダ
ー１の界面に剥離やクラックの発生を前記実施形態１よ
りもさらに低減することができる。
錐状もしくは逆角錐状の穴１Ｄにパッケージの封止樹脂
が嵌め込められ、かつ、前記ヒートスプレーダー１とパ
ッケージの封止樹脂との接触面積が大きくなるので、低
熱抵抗で、かつ、モールドレジン２とヒートスプレーダ
ー１の界面に剥離やクラックの発生を前記実施形態１よ
りもさらに低減することができる。
【００４８】（実施形態６）図６は本発明の実施形態６
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図
６において、７はヒートスプレーダー１の上面に設けら
れた放熱フィンである。
のＨＢＧＡ型のパッケージの半導体集積回路装置の概略
構成を示す平面図及び断面図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切った断面図である。図
６において、７はヒートスプレーダー１の上面に設けら
れた放熱フィンである。
【００４９】前記実施形態６のＨＢＧＡ型のパッケージ
の半導体集積回路装置のヒートスプレーダー１の上面に
放熱フィンを設け、放熱効率を向上させたものである。
の半導体集積回路装置のヒートスプレーダー１の上面に
放熱フィンを設け、放熱効率を向上させたものである。
【００５０】以上、本発明者によってなされた発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更し得ることは勿論であ
る。
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更し得ることは勿論であ
る。
【００５１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００５２】（１）放熱板の一部がパッケージの封止樹
脂を引掛けて係合するフック構造になっていることとに
より、前記フック構造のフック部に封止樹脂が嵌め込め
られ、かつ、前記放熱板と封止樹脂の接触面積が大きく
なるので、低熱抵抗で、かつ、放熱板と封止樹脂界面に
発生する剥離やクラックの発生を低減することができ
る。すなわち、熱膨張係数、弾性率の異なる異種材料間
の接合界面に発生する剥離やクラックを低減することが
できる。
脂を引掛けて係合するフック構造になっていることとに
より、前記フック構造のフック部に封止樹脂が嵌め込め
られ、かつ、前記放熱板と封止樹脂の接触面積が大きく
なるので、低熱抵抗で、かつ、放熱板と封止樹脂界面に
発生する剥離やクラックの発生を低減することができ
る。すなわち、熱膨張係数、弾性率の異なる異種材料間
の接合界面に発生する剥離やクラックを低減することが
できる。
【００５３】（２）放熱板に逆円錐状もしくは逆角錐状
の貫通孔を設けることにより、この貫通孔に封止樹脂が
嵌め込められ、かつ、前記放熱板と封止樹脂の接触面積
が大きくなるので、低熱抵抗で、かつ、封止樹脂と放熱
板との界面に団生する剥離やクラックを低減することが
できる。
の貫通孔を設けることにより、この貫通孔に封止樹脂が
嵌め込められ、かつ、前記放熱板と封止樹脂の接触面積
が大きくなるので、低熱抵抗で、かつ、封止樹脂と放熱
板との界面に団生する剥離やクラックを低減することが
できる。
【００５４】（３）放熱板の内面部に凹凸を設けたこと
により、放熱板と封止樹脂の接触面積が大きくなるの
で、放熱効率を向上することができる。
により、放熱板と封止樹脂の接触面積が大きくなるの
で、放熱効率を向上することができる。
【００５５】（４）放熱板の内面部に逆円錐状もしくは
逆角錐状の穴を設けることにより、この穴に封止樹脂が
嵌め込められ、かつ、前記放熱板と封止樹脂の接触面積
が大きくなるので、低熱抵抗で、かつ、封止樹脂界面に
発生する剥離やクラックを低減することができる。
逆角錐状の穴を設けることにより、この穴に封止樹脂が
嵌め込められ、かつ、前記放熱板と封止樹脂の接触面積
が大きくなるので、低熱抵抗で、かつ、封止樹脂界面に
発生する剥離やクラックを低減することができる。
【図１】本発明の実施形態１のＨＢＧＡ型のパッケージ
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
【図２】本発明の実施形態２のＨＢＧＡ型のパッケージ
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
【図３】本発明の実施形態３のＨＢＧＡ型のパッケージ
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
【図４】本発明の実施形態４のＨＢＧＡ型のパッケージ
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
【図５】本発明の実施形態５のＨＢＧＡ型のパッケージ
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
【図６】本発明の実施形態６のＨＢＧＡ型のパッケージ
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
の半導体集積回路装置の概略構成を示す平面図及び断面
図である。
１…ヒートスプレーダー（放熱板）、１Ａ…フック構
造、１Ｂ…逆円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔、１Ｃ…
凹凸、１Ｄ…逆円錐状もしくは逆角錐状の穴、２…モー
ルドレジン（封止樹脂）、３…ＬＳｉチップ、４…配線
基板、５…ボール（外部電極）、６…配線電極（パッ
ド）、７…放熱フィン。
造、１Ｂ…逆円錐状もしくは逆角錐状の貫通孔、１Ｃ…
凹凸、１Ｄ…逆円錐状もしくは逆角錐状の穴、２…モー
ルドレジン（封止樹脂）、３…ＬＳｉチップ、４…配線
基板、５…ボール（外部電極）、６…配線電極（パッ
ド）、７…放熱フィン。
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体素子が形成されている主面と反対
側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導体集
積回路装置であって、前記放熱板の一部が前記パッケー
ジの封止樹脂を引掛けて係合するフック構造となっいる
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 半導体素子が形成されている主面と反対
側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導体集
積回路装置であって、前記放熱板の周辺縁部の少なくと
も一部が前記パッケージの封止樹脂を引掛けて係合する
フック構造になっていることを特徴とする半導体集積回
路装置。 - 【請求項３】 半導体素子が形成されている主面と反対
側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導体集
積回路装置であって、前記放熱板の平面部に逆円錐状も
しくは逆角錐状の貫通孔を少なくとも１個設けたことを
特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項４】 半導体素子が形成されている主面と反対
側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導体集
積回路装置であって、前記放熱板の平面部に逆円錐状も
しくは逆角錐状の穴を少なくとも１個設けたことを特徴
とする半導体集積回路装置。 - 【請求項５】 半導体素子が形成されている主面と反対
側のパッケージの表面上に放熱板が設けられた半導体集
積回路装置であって、前記放熱板の周辺縁部の少なくと
も一部が前記パッケージの封止樹脂を引掛けて係合する
フック構造になっており、前記放熱板の平面部に逆円錐
状もしくは逆角錐状の貫通孔あるいは逆円錐状もしくは
逆角錐状の穴を少なくとも１個設けたことを特徴とする
半導体集積回路装置。 - 【請求項６】 前記放熱板の内面部に凹凸を少なくとも
１個設けたことを特徴とする請求項１乃至５のうちいず
れか１項に記載の半導体集積回路装置。 - 【請求項７】 前記放熱板の上面に放熱フィンを設けた
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路装
置。 - 【請求項８】 前記パッケージはヒートスプレッダー付
ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）型であることを特
徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の半
導体集積回路装置。 - 【請求項９】 前記ヒートスプレッダーの上面に放熱フ
ィンを設けたことを特徴とする請求項８に記載の半導体
集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040205A JPH10242355A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040205A JPH10242355A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242355A true JPH10242355A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12574289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9040205A Pending JPH10242355A (ja) | 1997-02-25 | 1997-02-25 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242355A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008047920A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Agere Systems Inc | モールド・リッド・アタッチメントを有するプラスチック・オーバーモールド・パッケージ |
| US7683479B2 (en) | 2005-10-12 | 2010-03-23 | Sony Computer Entertainment Inc. | Semiconductor package involving a rotary lock that connects a package substrate and a separate component |
| JP2010103244A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2023071671A1 (zh) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | 北京比特大陆科技有限公司 | 一种芯片模组和电路板 |
-
1997
- 1997-02-25 JP JP9040205A patent/JPH10242355A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7683479B2 (en) | 2005-10-12 | 2010-03-23 | Sony Computer Entertainment Inc. | Semiconductor package involving a rotary lock that connects a package substrate and a separate component |
| JP2008047920A (ja) * | 2006-08-16 | 2008-02-28 | Agere Systems Inc | モールド・リッド・アタッチメントを有するプラスチック・オーバーモールド・パッケージ |
| JP2010103244A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8334591B2 (en) | 2008-10-22 | 2012-12-18 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| WO2023071671A1 (zh) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | 北京比特大陆科技有限公司 | 一种芯片模组和电路板 |
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