JPH10242528A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH10242528A JPH10242528A JP9043600A JP4360097A JPH10242528A JP H10242528 A JPH10242528 A JP H10242528A JP 9043600 A JP9043600 A JP 9043600A JP 4360097 A JP4360097 A JP 4360097A JP H10242528 A JPH10242528 A JP H10242528A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数のＬＥＤチップを基板に実装した半導体
装置であって、生産性の良い半導体装置を提供する。 【解決手段】 複数のＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ
１の各々を収納する複数の第１の凹部３１が形成される
とともに各第１の凹部３１の下部にはＬＥＤチップ１を
収納した状態でＬＥＤチップ１の下面から発光される光
を上部方向に反射する反射壁３６を有する第２の凹部３
２が連設された３次元成形基板３とを有し、第１の凹部
３１の対向する２つの側壁３５から上面にわたって配線
パターン４が形成され、ＬＥＤチップ１の電極１１、１
２面でない面が第１の凹部３１の底面側になり、電極１
１、１２面が側壁３５に形成された配線パターン４と対
向するようにＬＥＤチップ１を搭載し、隣接するＬＥＤ
チップ１の電極１１、１２間を半田５及び配線パターン
４により接続するようにした。
装置であって、生産性の良い半導体装置を提供する。 【解決手段】 複数のＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ
１の各々を収納する複数の第１の凹部３１が形成される
とともに各第１の凹部３１の下部にはＬＥＤチップ１を
収納した状態でＬＥＤチップ１の下面から発光される光
を上部方向に反射する反射壁３６を有する第２の凹部３
２が連設された３次元成形基板３とを有し、第１の凹部
３１の対向する２つの側壁３５から上面にわたって配線
パターン４が形成され、ＬＥＤチップ１の電極１１、１
２面でない面が第１の凹部３１の底面側になり、電極１
１、１２面が側壁３５に形成された配線パターン４と対
向するようにＬＥＤチップ１を搭載し、隣接するＬＥＤ
チップ１の電極１１、１２間を半田５及び配線パターン
４により接続するようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板に複数の
ＬＥＤチップを実装してなる半導体装置に関するもので
ある。
ＬＥＤチップを実装してなる半導体装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＥＤは電子機器のインジケータ
等の用途に用いられてきたものであるが、近年、その発
光効率や輝度が向上し、単位入力あたりの輝度が白熱ラ
ンプに優るようなＬＥＤ素子が開発され、このＬＥＤ素
子を複数個まとめることにより、照明用途への応用が可
能となってきた。
等の用途に用いられてきたものであるが、近年、その発
光効率や輝度が向上し、単位入力あたりの輝度が白熱ラ
ンプに優るようなＬＥＤ素子が開発され、このＬＥＤ素
子を複数個まとめることにより、照明用途への応用が可
能となってきた。
【０００３】また、ＬＥＤ素子は長寿命であることから
ランプの取り替えの省力化等のメンテナンス性のメリッ
トがあり、発光波長レンジが狭いことにより生鮮食物に
ダメージを与える赤外線が出ない照明（例えば、鮮魚店
のショウケース用照明）として使用できるというメリッ
ト、美術品を退色劣化させる紫外線が出ない照明（例え
ば、美術館、博物館の照明）等に使用できるというメリ
ット等がある。
ランプの取り替えの省力化等のメンテナンス性のメリッ
トがあり、発光波長レンジが狭いことにより生鮮食物に
ダメージを与える赤外線が出ない照明（例えば、鮮魚店
のショウケース用照明）として使用できるというメリッ
ト、美術品を退色劣化させる紫外線が出ない照明（例え
ば、美術館、博物館の照明）等に使用できるというメリ
ット等がある。
【０００４】ここで、現行のＬＥＤ素子の実装例を図５
により説明する。１個のＬＥＤチップ１の電極１１の面
をリードフレーム２ａに導電性接着剤でダイボンドする
ことにより固着し、ＬＥＤチップ１の他方の電極１２は
他方のリードフレーム２ｂへボンディングワイヤ２１に
よりワイヤボンドし、ダイオードのＰＮ電極へのリード
フレーム２ａ、２ｂの接続がなされ、リードフレーム２
ａ、２ｂを介してＬＥＤチップ１に給電されるようにな
っている。さらに、金型成形により透明の封止樹脂２２
をレンズ状に成形することで、個別のＬＥＤ素子が完成
する。このようにして完成された個別のＬＥＤ素子のリ
ードフレーム２ａ、２ｂを基板の所定位置に半田付け等
により実装する。つまり、ＬＥＤチップ１の下面及び上
面の電極１１、１２に対して、接着及びワイヤボンディ
ングという別々の接合方法を使用している。
により説明する。１個のＬＥＤチップ１の電極１１の面
をリードフレーム２ａに導電性接着剤でダイボンドする
ことにより固着し、ＬＥＤチップ１の他方の電極１２は
他方のリードフレーム２ｂへボンディングワイヤ２１に
よりワイヤボンドし、ダイオードのＰＮ電極へのリード
フレーム２ａ、２ｂの接続がなされ、リードフレーム２
ａ、２ｂを介してＬＥＤチップ１に給電されるようにな
っている。さらに、金型成形により透明の封止樹脂２２
をレンズ状に成形することで、個別のＬＥＤ素子が完成
する。このようにして完成された個別のＬＥＤ素子のリ
ードフレーム２ａ、２ｂを基板の所定位置に半田付け等
により実装する。つまり、ＬＥＤチップ１の下面及び上
面の電極１１、１２に対して、接着及びワイヤボンディ
ングという別々の接合方法を使用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなＬＥＤ素子を照明分野に応用する場合には、ＬＥ
Ｄ素子の個々の輝度は低いため多数個のＬＥＤ素子を使
用する必要があり、複数のＬＥＤ素子のリードフレーム
２ａ、２ｂを各素子への電流供給回路が形成された基板
の所定位置に半田付け等により一括して実装しなければ
ならない。
ようなＬＥＤ素子を照明分野に応用する場合には、ＬＥ
Ｄ素子の個々の輝度は低いため多数個のＬＥＤ素子を使
用する必要があり、複数のＬＥＤ素子のリードフレーム
２ａ、２ｂを各素子への電流供給回路が形成された基板
の所定位置に半田付け等により一括して実装しなければ
ならない。
【０００６】従って、上述のようなＬＥＤ素子を用いて
照明装置を作製する場合には、ＬＥＤ素子をつくる段階
で素子接着及びワイヤボンディングという２つの接合方
法により電極を１１、１２をリードフレーム２ａ、２ｂ
に固着、接続し、さらに、複数のＬＥＤ素子のリードフ
レーム２ａ、２ｂを基板の所定位置に半田付け等により
実装するという工程が必要となり生産性が悪い。
照明装置を作製する場合には、ＬＥＤ素子をつくる段階
で素子接着及びワイヤボンディングという２つの接合方
法により電極を１１、１２をリードフレーム２ａ、２ｂ
に固着、接続し、さらに、複数のＬＥＤ素子のリードフ
レーム２ａ、２ｂを基板の所定位置に半田付け等により
実装するという工程が必要となり生産性が悪い。
【０００７】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、複数のＬＥＤチップを
基板に実装した半導体装置であって、生産性の良い半導
体装置を提供することにある。
あり、その目的とするところは、複数のＬＥＤチップを
基板に実装した半導体装置であって、生産性の良い半導
体装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
複数のＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップの各々を収納す
る複数の第１の凹部が形成されるとともに該各第１の凹
部の下部にはＬＥＤチップを収納した状態でＬＥＤチッ
プの下面から発光される光を上部方向に反射する反射壁
を有する第２の凹部が連設された３次元成形基板とを有
し、前記第１の凹部の対向する２つの側壁から上面にわ
たって配線パターンが形成され、前記ＬＥＤチップの電
極面でない面が前記第１の凹部の底面側になり、電極面
が前記側壁に形成された配線パターンと対向するように
前記ＬＥＤチップを搭載し、隣接するＬＥＤチップの電
極間を半田及び前記配線パターンにより接続するように
したことを特徴とするものである。
複数のＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップの各々を収納す
る複数の第１の凹部が形成されるとともに該各第１の凹
部の下部にはＬＥＤチップを収納した状態でＬＥＤチッ
プの下面から発光される光を上部方向に反射する反射壁
を有する第２の凹部が連設された３次元成形基板とを有
し、前記第１の凹部の対向する２つの側壁から上面にわ
たって配線パターンが形成され、前記ＬＥＤチップの電
極面でない面が前記第１の凹部の底面側になり、電極面
が前記側壁に形成された配線パターンと対向するように
前記ＬＥＤチップを搭載し、隣接するＬＥＤチップの電
極間を半田及び前記配線パターンにより接続するように
したことを特徴とするものである。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記側壁に形成された配線パターン上に半
田めっきを予め施しておき、該半田めっきを溶融させ、
溶融した半田を介して前記配線パターンと電極とを接続
させることにより、隣接するＬＥＤチップの電極間を接
続するようにしたことを特徴とするものである。
明において、前記側壁に形成された配線パターン上に半
田めっきを予め施しておき、該半田めっきを溶融させ、
溶融した半田を介して前記配線パターンと電極とを接続
させることにより、隣接するＬＥＤチップの電極間を接
続するようにしたことを特徴とするものである。
【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記側壁に形成された配線パターン上に半
田箔を予め配置しておき、該半田箔を溶融させ、溶融し
た半田を介して前記配線パターンと電極とを接続させる
ことにより、隣接するＬＥＤチップの電極間を接続する
ようにしたことを特徴とするものである。
明において、前記側壁に形成された配線パターン上に半
田箔を予め配置しておき、該半田箔を溶融させ、溶融し
た半田を介して前記配線パターンと電極とを接続させる
ことにより、隣接するＬＥＤチップの電極間を接続する
ようにしたことを特徴とするものである。
【００１１】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の発明において、前記第１の凹部の側壁と底面
とが鈍角をなすようにしたことを特徴とするものであ
る。
項３記載の発明において、前記第１の凹部の側壁と底面
とが鈍角をなすようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００１２】請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求
項４記載の発明において、前記ＬＥＤチップの上面側を
樹脂封止する際に、透明な樹脂を注入し加熱硬化させる
ことによりレンズを形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
項４記載の発明において、前記ＬＥＤチップの上面側を
樹脂封止する際に、透明な樹脂を注入し加熱硬化させる
ことによりレンズを形成するようにしたことを特徴とす
るものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体装置の一部の平面及びＡ−Ａ、Ｂ−Ｂ
での断面状態を示す模式図である。１は０．３ｍｍ立方
の微小なＬＥＤチップであり、ＰＮ接合により構成さ
れ、ＰＮの各領域の接合面でない面には各々電極１１、
１２が形成されている。３は３次元成形基板（ＭＩＤ基
板：Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅ）であり、各ＬＥＤチップ１を収納するた
めの複数の第１の凹部３１が設けられるとともに、各凹
部３１の下部に凹部３１より開口部の小さい第２の凹部
３２が連設される。ＬＥＤチップ１は、電極１１、１２
の形成されていない面が凹部３１の底面側になるように
搭載される。この時、凹部３２の開口部はＬＥＤチップ
１の底面の大きさより小さく形成されており、ＬＥＤチ
ップ１の底面の周辺部が凹部３１と凹部３２とで形成さ
れる段部３３に係止されるようになっている。従って、
ＬＥＤチップ１を凹部３１に収納した状態で、ＬＥＤチ
ップ１の底面の下部は凹部３２による空隙が形成される
ことになる。
を図面に基づき説明する。図１は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体装置の一部の平面及びＡ−Ａ、Ｂ−Ｂ
での断面状態を示す模式図である。１は０．３ｍｍ立方
の微小なＬＥＤチップであり、ＰＮ接合により構成さ
れ、ＰＮの各領域の接合面でない面には各々電極１１、
１２が形成されている。３は３次元成形基板（ＭＩＤ基
板：Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ
Ｄｅｖｉｃｅ）であり、各ＬＥＤチップ１を収納するた
めの複数の第１の凹部３１が設けられるとともに、各凹
部３１の下部に凹部３１より開口部の小さい第２の凹部
３２が連設される。ＬＥＤチップ１は、電極１１、１２
の形成されていない面が凹部３１の底面側になるように
搭載される。この時、凹部３２の開口部はＬＥＤチップ
１の底面の大きさより小さく形成されており、ＬＥＤチ
ップ１の底面の周辺部が凹部３１と凹部３２とで形成さ
れる段部３３に係止されるようになっている。従って、
ＬＥＤチップ１を凹部３１に収納した状態で、ＬＥＤチ
ップ１の底面の下部は凹部３２による空隙が形成される
ことになる。
【００１４】複数のＬＥＤチップ１をＭＩＤ基板３の複
数の凹部３１に搭載した状態を示す概略構成図を図２に
示す。
数の凹部３１に搭載した状態を示す概略構成図を図２に
示す。
【００１５】ＬＥＤチップ１の搭載部としての凹部３１
のサイズは、ＬＥＤチップ１の寸法との関係で決められ
る。電極１１、１２の形成されていない面に対向する側
壁３４は側壁３４によるＬＥＤチップ１からの反射波が
凹部３１の開口部側に行くように、凹部３１の底面に対
して鈍角となるように、傾斜を持たせるのが良い。電極
１１、１２の形成されている面に対向する側壁３５は凹
部３１の底面に対して垂直に立ち上がっている。
のサイズは、ＬＥＤチップ１の寸法との関係で決められ
る。電極１１、１２の形成されていない面に対向する側
壁３４は側壁３４によるＬＥＤチップ１からの反射波が
凹部３１の開口部側に行くように、凹部３１の底面に対
して鈍角となるように、傾斜を持たせるのが良い。電極
１１、１２の形成されている面に対向する側壁３５は凹
部３１の底面に対して垂直に立ち上がっている。
【００１６】また、ＭＩＤ基板３の上面には、隣接する
ＬＥＤチップ１の電極１１、１２間を接続するとともに
ＬＥＤチップ１の各々に給電するための銅による配線パ
ターン４が形成される。配線パターン４はＭＩＤ基板３
の上面から電極１１、１２の形成されている面に対向す
る側壁３５にわたって形成されている。配線パターン４
の形成方法としては、無電解めっきで所定の厚み（例え
ば、０．１ｍｍ以下）の銅パターンを形成する等の方法
がある。
ＬＥＤチップ１の電極１１、１２間を接続するとともに
ＬＥＤチップ１の各々に給電するための銅による配線パ
ターン４が形成される。配線パターン４はＭＩＤ基板３
の上面から電極１１、１２の形成されている面に対向す
る側壁３５にわたって形成されている。配線パターン４
の形成方法としては、無電解めっきで所定の厚み（例え
ば、０．１ｍｍ以下）の銅パターンを形成する等の方法
がある。
【００１７】次に、側壁３５上に形成された配線パター
ン４上に半田５をめっき形成する。半田５の厚みは凹部
３１にＬＥＤチップ１の搭載が容易であり、半田５を溶
融した時に配線パターン４と電極１１、１２との接合が
確実に行われる程度の半田量を計算することにより決定
する。
ン４上に半田５をめっき形成する。半田５の厚みは凹部
３１にＬＥＤチップ１の搭載が容易であり、半田５を溶
融した時に配線パターン４と電極１１、１２との接合が
確実に行われる程度の半田量を計算することにより決定
する。
【００１８】以上の状態のＭＩＤ基板３の各凹部３１に
複数のＬＥＤチップ１を搭載し、窒素等の不活性雰囲気
中でリフロー加熱する。このリフロー加熱により半田５
が溶融し配線パターン４と電極１１、１２との接合がな
される。なお、リフロー加熱は、通常雰囲気中で行って
も良く、この場合には、半田酸化対応のためにフラック
スを用いれば良い。半田５は、半田めっきされた状態で
はＭＩＤ基板３の凹部３１へのＬＥＤチップ１の搭載が
阻害されることがなく、溶融後は電極１１、１２と側壁
３５との間のギャップを埋めるように接続するように機
能するのである。このようにして、ＭＩＤ基板３への複
数のＬＥＤチップ１の装着が完成し、ＬＥＤチップ１の
凹部３１内への固着と隣接するＬＥＤチップ１の電極１
１、１２間の電気的接続がなされるのである。
複数のＬＥＤチップ１を搭載し、窒素等の不活性雰囲気
中でリフロー加熱する。このリフロー加熱により半田５
が溶融し配線パターン４と電極１１、１２との接合がな
される。なお、リフロー加熱は、通常雰囲気中で行って
も良く、この場合には、半田酸化対応のためにフラック
スを用いれば良い。半田５は、半田めっきされた状態で
はＭＩＤ基板３の凹部３１へのＬＥＤチップ１の搭載が
阻害されることがなく、溶融後は電極１１、１２と側壁
３５との間のギャップを埋めるように接続するように機
能するのである。このようにして、ＭＩＤ基板３への複
数のＬＥＤチップ１の装着が完成し、ＬＥＤチップ１の
凹部３１内への固着と隣接するＬＥＤチップ１の電極１
１、１２間の電気的接続がなされるのである。
【００１９】なお、半田５の形成は、めっきによる方法
以外にも、所定長さに切断したリボン状の半田箔を、凹
部３１の内の側壁３５に沿った位置に収納させる方法で
も良い。
以外にも、所定長さに切断したリボン状の半田箔を、凹
部３１の内の側壁３５に沿った位置に収納させる方法で
も良い。
【００２０】また、ＬＥＤチップ１の搭載時にＵＶ接着
剤や即時硬化型の接着剤等の接着剤により凹部３１の段
部３３に仮止めしておけば、リフロー加熱による半田５
の溶融という次の工程までの位置ずれ等を防止すること
ができる。
剤や即時硬化型の接着剤等の接着剤により凹部３１の段
部３３に仮止めしておけば、リフロー加熱による半田５
の溶融という次の工程までの位置ずれ等を防止すること
ができる。
【００２１】本実施形態によれば、複数のＬＥＤチップ
１を各々ＭＩＤ基板３の各凹部３１に搭載した状態で、
リフロー加熱すれば、ＬＥＤチップ１の凹部３１内への
固着と隣接するＬＥＤチップ１の電極１１、１２間の電
気的接続が一括して行えるので、素子接着及びワイヤボ
ンディングという接合工程及び基板への接続という工程
という３つの工程が必要であった従来の半導体装置に比
して、製造工程の簡略化、生産性の向上が図れる。ま
た、接合の工程品質管理も１工程の管理ですむので、歩
留まりの安定性が期待できる。さらに、ＬＥＤチップ１
を凹部３１内に収納した状態で、ＬＥＤチップ１の底面
（下面）の下部には凹部３２による空隙が形成されるの
で、ＬＥＤチップ１の底面（下面）から出た光は凹部３
２の反射壁３６によりＭＩＤ基板３の上面の方向へ反射
されるので、発光効率の向上が図れる。
１を各々ＭＩＤ基板３の各凹部３１に搭載した状態で、
リフロー加熱すれば、ＬＥＤチップ１の凹部３１内への
固着と隣接するＬＥＤチップ１の電極１１、１２間の電
気的接続が一括して行えるので、素子接着及びワイヤボ
ンディングという接合工程及び基板への接続という工程
という３つの工程が必要であった従来の半導体装置に比
して、製造工程の簡略化、生産性の向上が図れる。ま
た、接合の工程品質管理も１工程の管理ですむので、歩
留まりの安定性が期待できる。さらに、ＬＥＤチップ１
を凹部３１内に収納した状態で、ＬＥＤチップ１の底面
（下面）の下部には凹部３２による空隙が形成されるの
で、ＬＥＤチップ１の底面（下面）から出た光は凹部３
２の反射壁３６によりＭＩＤ基板３の上面の方向へ反射
されるので、発光効率の向上が図れる。
【００２２】図３は本発明のさらに他の実施形態に係る
半導体装置の一部断面状態及び上面を示す模式図であ
る。本実施形態では、以上の実施形態のものにおいて、
凹部３１の上方から透明な（光透過性を有し、必要に応
じ多少の着色可）封止樹脂を滴下し、加熱硬化させるこ
とにより、レンズ６を形成する。ここで、レンズ６は、
封止樹脂の吐出量の制御や、図４に示すように、凹部３
１の形状を変えることにより、所望の配光特性を実現す
ることができる。図４（ａ）の場合は凹部３１の平面形
状が正方形であり、ＸＹ軸に対称なレンズを形成する
が、図４（ｂ）の場合は凹部３１の平面形状が長方形で
あり、ＸＹ方向が等しくないレンズを形成することがで
き、図４（ｃ）の場合は凹部３１の上部に円形の座ぐり
３６を設けることにより球面のレンズを形成することが
可能である。
半導体装置の一部断面状態及び上面を示す模式図であ
る。本実施形態では、以上の実施形態のものにおいて、
凹部３１の上方から透明な（光透過性を有し、必要に応
じ多少の着色可）封止樹脂を滴下し、加熱硬化させるこ
とにより、レンズ６を形成する。ここで、レンズ６は、
封止樹脂の吐出量の制御や、図４に示すように、凹部３
１の形状を変えることにより、所望の配光特性を実現す
ることができる。図４（ａ）の場合は凹部３１の平面形
状が正方形であり、ＸＹ軸に対称なレンズを形成する
が、図４（ｂ）の場合は凹部３１の平面形状が長方形で
あり、ＸＹ方向が等しくないレンズを形成することがで
き、図４（ｃ）の場合は凹部３１の上部に円形の座ぐり
３６を設けることにより球面のレンズを形成することが
可能である。
【００２３】本実施形態によれば、凹部３１内のＬＥＤ
チップ１の上部に封止樹脂によりレンズ６を形成したの
で、所望の配光特性を有する照明用途に使用することが
できる。
チップ１の上部に封止樹脂によりレンズ６を形成したの
で、所望の配光特性を有する照明用途に使用することが
できる。
【００２４】なお、３次元成形基板３の成形時に、熱伝
導性の良い金属材料やセラミック等の無機材料を同時成
形したり、あるいは後で貼り付けることにより、放熱性
を良くすることも可能である。
導性の良い金属材料やセラミック等の無機材料を同時成
形したり、あるいは後で貼り付けることにより、放熱性
を良くすることも可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、複数のＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップの各々を
収納する複数の第１の凹部が形成されるとともに該各第
１の凹部の下部にはＬＥＤチップを収納した状態でＬＥ
Ｄチップの下面から発光される光を上部方向に反射する
反射壁を有する第２の凹部が連設された３次元成形基板
とを有し、前記第１の凹部の対向する２つの側壁から上
面にわたって配線パターンが形成され、前記ＬＥＤチッ
プの電極面でない面が前記第１の凹部の底面側になり、
電極面が前記側壁に形成された配線パターンと対向する
ように前記ＬＥＤチップを搭載し、隣接するＬＥＤチッ
プの電極間を半田及び前記配線パターンにより接続する
ようにしたので、製造工程が簡略化でき、複数のＬＥＤ
チップを搭載した半導体装置を生産性良く製造すること
ができるとともに、ＬＥＤチップの下面から発光される
光も外部に取り出せるので、発光効率を向上させること
ができるのである。
れば、複数のＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップの各々を
収納する複数の第１の凹部が形成されるとともに該各第
１の凹部の下部にはＬＥＤチップを収納した状態でＬＥ
Ｄチップの下面から発光される光を上部方向に反射する
反射壁を有する第２の凹部が連設された３次元成形基板
とを有し、前記第１の凹部の対向する２つの側壁から上
面にわたって配線パターンが形成され、前記ＬＥＤチッ
プの電極面でない面が前記第１の凹部の底面側になり、
電極面が前記側壁に形成された配線パターンと対向する
ように前記ＬＥＤチップを搭載し、隣接するＬＥＤチッ
プの電極間を半田及び前記配線パターンにより接続する
ようにしたので、製造工程が簡略化でき、複数のＬＥＤ
チップを搭載した半導体装置を生産性良く製造すること
ができるとともに、ＬＥＤチップの下面から発光される
光も外部に取り出せるので、発光効率を向上させること
ができるのである。
【００２６】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記側壁に形成された配線パターン上に半
田めっきを予め施しておき、該半田めっきを溶融させ、
溶融した半田を介して前記配線パターンと電極とを接続
させることにより、隣接するＬＥＤチップの電極間を接
続するようにすれば、第１の凹部にＬＥＤチップの搭載
が容易であり、半田めっきを溶融した時に配線パターン
と電極との接合が確実に行われるのである。
明において、前記側壁に形成された配線パターン上に半
田めっきを予め施しておき、該半田めっきを溶融させ、
溶融した半田を介して前記配線パターンと電極とを接続
させることにより、隣接するＬＥＤチップの電極間を接
続するようにすれば、第１の凹部にＬＥＤチップの搭載
が容易であり、半田めっきを溶融した時に配線パターン
と電極との接合が確実に行われるのである。
【００２７】請求項３記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記側壁に形成された配線パターン上に半
田箔を予め配置しておき、該半田箔を溶融させ、溶融し
た半田を介して前記配線パターンと電極とを接続させる
ことにより、隣接するＬＥＤチップの電極間を接続する
ようにすれば、凹部にＬＥＤチップの搭載が容易であ
り、半田箔を溶融した時に配線パターンと電極との接合
が確実に行われるのである。
明において、前記側壁に形成された配線パターン上に半
田箔を予め配置しておき、該半田箔を溶融させ、溶融し
た半田を介して前記配線パターンと電極とを接続させる
ことにより、隣接するＬＥＤチップの電極間を接続する
ようにすれば、凹部にＬＥＤチップの搭載が容易であ
り、半田箔を溶融した時に配線パターンと電極との接合
が確実に行われるのである。
【００２８】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３記載の発明において、前記凹部の側壁と底面とが鈍
角をなすようにすれば、ＬＥＤチップの側面から発光さ
れる光を効率良く外部に取り出すことができる。
項３記載の発明において、前記凹部の側壁と底面とが鈍
角をなすようにすれば、ＬＥＤチップの側面から発光さ
れる光を効率良く外部に取り出すことができる。
【００２９】請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求
項４記載の発明において、前記ＬＥＤチップの上面側を
樹脂封止する際に、透明な樹脂を注入し加熱硬化させる
ことによりレンズを形成するようにすれば、レンズ形状
を所望の形状にすることにより、所望の配光特性を有す
る照明用途に使用することができる。
項４記載の発明において、前記ＬＥＤチップの上面側を
樹脂封止する際に、透明な樹脂を注入し加熱硬化させる
ことによりレンズを形成するようにすれば、レンズ形状
を所望の形状にすることにより、所望の配光特性を有す
る照明用途に使用することができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の一部の
平面状態及び断面状態を示す模式図である。
平面状態及び断面状態を示す模式図である。
【図２】同上に係るＬＥＤチップをＭＩＤ基板の凹部に
搭載した状態を示す概略構成図である。
搭載した状態を示す概略構成図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の一部
の断面状態及び平面状態を示す模式図である。
の断面状態及び平面状態を示す模式図である。
【図４】同上に係るＭＩＤ基板の凹部の形状の断面状態
及び平面状態を示す模式図である。
及び平面状態を示す模式図である。
【図５】従来のＬＥＤ素子の断面状態を示す模式図であ
る。
る。
１ ＬＥＤチップ ３ ３次元成形基板（ＭＩＤ基板） ４ 配線パターン ５ 半田 ６ レンズ １１ 電極 １２ 電極 ３１ 第１の凹部 ３２ 第２の凹部 ３３ 段部 ３４ 側壁 ３５ 側壁 ３６ 反射壁 ３７ 座ぐり
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップ
の各々を収納する複数の第１の凹部が形成されるととも
に該各第１の凹部の下部にはＬＥＤチップを収納した状
態でＬＥＤチップの下面から発光される光を上部方向に
反射する反射壁を有する第２の凹部が連設された３次元
成形基板とを有し、前記第１の凹部の対向する２つの側
壁から上面にわたって配線パターンが形成され、前記Ｌ
ＥＤチップの電極面でない面が前記第１の凹部の底面側
になり、電極面が前記側壁に形成された配線パターンと
対向するように前記ＬＥＤチップを搭載し、隣接するＬ
ＥＤチップの電極間を半田及び前記配線パターンにより
接続するようにしたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記側壁に形成された配線パターン上に
半田めっきを予め施しておき、該半田めっきを溶融さ
せ、溶融した半田を介して前記配線パターンと電極とを
接続させることにより、隣接するＬＥＤチップの電極間
を接続するようにしたことを特徴とする請求項１記載の
半導体装置。 - 【請求項３】 前記側壁に形成された配線パターン上に
半田箔を予め配置しておき、該半田箔を溶融させ、溶融
した半田を介して前記配線パターンと電極とを接続させ
ることにより、隣接するＬＥＤチップの電極間を接続す
るようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 前記凹部の側壁と底面とが鈍角をなすよ
うにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の
半導体装置。 - 【請求項５】 前記ＬＥＤチップの上面側を樹脂封止す
る際に、透明な樹脂を注入し加熱硬化させることにより
レンズを形成するようにしたことを特徴とする請求項１
乃至請求項４記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04360097A JP3221345B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04360097A JP3221345B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242528A true JPH10242528A (ja) | 1998-09-11 |
| JP3221345B2 JP3221345B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=12668319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04360097A Expired - Fee Related JP3221345B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3221345B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114854A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置 |
| JP2007123777A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002014013A1 (fr) | 2000-08-14 | 2002-02-21 | Makino Milling Machine Co.,Ltd. | Machine-outil et son dispositif de changement de palette |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP04360097A patent/JP3221345B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114854A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置 |
| US7977689B2 (en) | 2004-10-18 | 2011-07-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Backlight device for liquid crystal display including a plurality of light emitting diodes within their own concaves aligned in a straight line within a larger concave |
| JP2007123777A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sharp Corp | 半導体発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3221345B2 (ja) | 2001-10-22 |
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| Date | Code | Title | Description |
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