JPH10242583A - Semiconductor laser device manufacturing method and semiconductor laser device - Google Patents
Semiconductor laser device manufacturing method and semiconductor laser deviceInfo
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- JPH10242583A JPH10242583A JP4443997A JP4443997A JPH10242583A JP H10242583 A JPH10242583 A JP H10242583A JP 4443997 A JP4443997 A JP 4443997A JP 4443997 A JP4443997 A JP 4443997A JP H10242583 A JPH10242583 A JP H10242583A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性を低下させることなくダイボンディン
グの際の電気的短絡状態を防ぐ。
【解決手段】 半導体レーザ素子１が半導体積層構造側
をサブマウント３側に配し、かつ、ろう材２を介してサ
ブマウント３上にダイボンディングされている。半導体
積層構造のレーザ出射端面と垂直な側面は、活性層４を
含むｐｎ接合部を露出させるまでライン状にエッチング
されている。エッチングにより露出した結晶面１０ａ、
１０ｂには絶縁膜１１がコーティングされている。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To prevent an electrical short-circuit state during die bonding without lowering reliability. SOLUTION: A semiconductor laser device 1 has a semiconductor laminated structure side disposed on a submount 3 side and is die-bonded on a submount 3 via a brazing material 2. The side surface perpendicular to the laser emission end surface of the semiconductor multilayer structure is etched in a line shape until the pn junction including the active layer 4 is exposed. Crystal face 10a exposed by etching,
An insulating film 11 is coated on 10b.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＶＤ（デジタル
ビデオ ディスク）やレーザポインタ等に使用される
赤色発光などの半導体レーザ素子の製造方法およびその
半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor laser device for emitting red light or the like used for a DVD (digital video disk), a laser pointer, or the like, and a semiconductor laser device using the semiconductor laser device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】上述した赤色発光の半導体レーザ素子と
して、図３（ａ）に示すものが知られている（特開平５
−７０５０号）。この半導体レーザ素子は、ここでは詳
述を避けるが、ＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる多重量子
井戸層により構成される活性層３４がｐ型半導体層３５
およびｎ型半導体層３６により挟まれている。基板４５
側には電極４２ａが設けられ、半導体積層構造側には電
極４２ｂが設けられている。この半導体レーザ素子３１
の取付けは、半導体積層構造側をＳｉＣサブマウント３
３側に配し、かつ、ＡｕＳｎろう材３２を介してＳｉＣ
サブマウント３３上にダイボンディングされている。2. Description of the Related Art As the above-mentioned red-emitting semiconductor laser device, the one shown in FIG.
No. 7050). Although the semiconductor laser device will not be described in detail here, the active layer 34 composed of a multiple quantum well layer made of an AlGaInP-based material is replaced with a p-type semiconductor layer 35.
And n-type semiconductor layer 36. Substrate 45
The electrode 42a is provided on the side, and the electrode 42b is provided on the semiconductor laminated structure side. This semiconductor laser device 31
Is mounted on the side of the semiconductor laminated structure with the SiC submount 3
3 and SiC via AuSn brazing material 32
Die bonding is performed on the submount 33.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、この半導体
レーザ素子３１においては、各半導体層を分子線成長法
（ＭＢＥ法）または有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）により成長させているので薄膜の層厚制御には優れ
ているが、液相成長法に比べて成長速度が遅いため、厚
い層を成長させるのに時間を要する。また、放熱効果を
高めるために活性層３４からダイボンド面３７までの厚
みを薄くする必要があり、約２μｍという薄さになって
いるため、サブマウント３３上にろう材３２を介してダ
イボンディングする際に、ろう材３２が加熱処理により
チップ側面の活性層３４を含むｐｎ接合面まではい上が
り、電気的に短絡状態になる。このことは、半導体レー
ザ素子の実装工程における歩留り低下の要因の１つにな
る。In the semiconductor laser device 31, each semiconductor layer is formed by molecular beam epitaxy (MBE) or metal organic chemical vapor deposition (MOCVD).
Method), it is excellent in controlling the thickness of the thin film, but the growth rate is slower than in the liquid phase growth method, so that it takes time to grow a thick layer. Further, it is necessary to reduce the thickness from the active layer 34 to the die bonding surface 37 in order to enhance the heat radiation effect. Since the thickness is reduced to about 2 μm, die bonding is performed on the submount 33 via the brazing material 32. At this time, the brazing material 32 rises up to the pn junction surface including the active layer 34 on the side surface of the chip due to the heat treatment, and an electrical short circuit occurs. This is one of the factors that reduce the yield in the mounting process of the semiconductor laser device.
【０００４】また、従来の他の半導体レーザ素子とし
て、図３（ｂ）に示すものが知られている（特開平７−
２８３４３９号）。この半導体レーザ素子の場合は、活
性層４４を含む領域４９の側面に設けた溝に絶縁材４８
を形成し、この絶縁材４８にて活性層４４を挟むｐ層と
ｎ層との間の電気的短絡を防止している。その絶縁材４
８を設ける溝は、ダイヤモンドブレード等を使用して形
成され、幅が約５０μｍ乃至８０μｍ、深さ５０μｍ乃
至１５０μｍとなっている。FIG. 3B shows another known conventional semiconductor laser device (Japanese Patent Laid-Open No. 7-1995).
No. 283439). In the case of this semiconductor laser device, the insulating material 48 is formed in a groove provided on the side surface of the region 49 including the active layer 44.
The insulating material 48 prevents an electrical short circuit between the p-layer and the n-layer sandwiching the active layer 44. Its insulation 4
8 is formed using a diamond blade or the like, and has a width of about 50 μm to 80 μm and a depth of 50 μm to 150 μm.
【０００５】ところで、絶縁材により電気的短絡の防止
を図るべく、前記ダイヤモンドブレード等を用いる力学
的な溝形成方法を、特開平５−７０５０号の赤色半導体
レーザ素子に適用する場合は、チップの厚さが約１００
μｍ、チップ幅が約２５０μｍ乃至３００μｍの小さな
チップであり、活性層およびその活性層を構成する多重
量子井戸の各層の厚みが極めて薄いため、それらの結晶
性が破壊され、素子信頼性の低下につながるという問題
がある。In order to prevent an electrical short circuit by using an insulating material, when a dynamic groove forming method using a diamond blade or the like is applied to a red semiconductor laser device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-7050, it is necessary to use a chip. About 100 thick
μm and a chip width of about 250 μm to 300 μm. Since the thickness of the active layer and each layer of the multiple quantum well constituting the active layer is extremely thin, their crystallinity is destroyed and the reliability of the device is reduced. There is a problem of being connected.
【０００６】本発明は、このような従来技術の問題点を
解決すべくなされたものであり、信頼性を低下させるこ
となくダイボンディングの際の電気的短絡を防ぐことが
できる半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ
装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the problems of the prior art, and is intended to manufacture a semiconductor laser device capable of preventing an electric short circuit at the time of die bonding without reducing reliability. It is an object to provide a method and a semiconductor laser device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子の製造方法は、基板上に半導体積層構造を有し、端面
からレーザ光を出射する半導体レーザ素子の製造方法で
あって、ウェハー基板上に複数の半導体層からなる半導
体積層構造を形成する工程と、該半導体積層構造にエッ
チングを施して、活性層を含むｐｎ接合部に達するＶ溝
を形成する工程と、各Ｖ溝の両側の露出面を絶縁材によ
って覆う工程と、該絶縁材で覆われたＶ溝と交差する方
向に基板分割すると共に該絶縁材で覆われた各Ｖ溝で基
板分割し、半導体積層構造の両縁部に、該絶縁材で覆わ
れたＶ溝の半体からなる傾斜部を有するチップ状にする
工程とを含み、そのことにより上記目的が達成される。A method of manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor laser device having a semiconductor laminated structure on a substrate and emitting a laser beam from an end face. Forming a semiconductor laminated structure including a plurality of semiconductor layers, etching the semiconductor laminated structure to form V-grooves reaching a pn junction including an active layer, and exposing both sides of each V-groove. A step of covering the surface with an insulating material, dividing the substrate in a direction intersecting the V-groove covered with the insulating material, and dividing the substrate at each V-groove covered with the insulating material; And a step of forming a chip having an inclined portion composed of a half of a V-shaped groove covered with the insulating material, whereby the object is achieved.
【０００８】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、
基板分割するに際し、該絶縁材で覆われたＶ溝とは反対
側にけがき線を予め入れておいた上で基板分割するのが
好ましい。The method for manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention comprises:
When dividing the substrate, it is preferable to divide the substrate after previously putting a scribe line on the side opposite to the V groove covered with the insulating material.
【０００９】本発明の半導体レーザ装置は、所定の設置
部に半導体レーザ素子が設置されてなる半導体レーザ装
置であって、上記半導体レーザ素子の製造方法により製
造された半導体レーザ素子が、前記絶縁材で覆われたＶ
溝の半体からなる傾斜部を有する半導体積層構造側を該
設置部の側に配してダイボンディングされ、そのことに
より上記目的が達成される。A semiconductor laser device according to the present invention is a semiconductor laser device in which a semiconductor laser device is installed in a predetermined installation portion, wherein the semiconductor laser device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor laser device includes the insulating material. V covered with
The semiconductor laminated structure side having the inclined portion composed of the half of the groove is arranged on the side of the installation portion and die-bonded, thereby achieving the above object.
【００１０】以下、本発明の作用について説明する。The operation of the present invention will be described below.
【００１１】本発明の半導体レーザ素子にあっては、エ
ッチングにより活性層を含むｐｎ接合部に達するＶ溝を
形成しているので、活性層が薄層であってもその結晶性
が破壊されない。このとき、けがき線を入れておくこと
により、切断が容易になる。In the semiconductor laser device of the present invention, since the V-groove reaching the pn junction including the active layer is formed by etching, even if the active layer is a thin layer, its crystallinity is not destroyed. At this time, cutting is facilitated by inserting a scribe line.
【００１２】また、本発明の半導体レーザ装置は、この
ようにして作製された半導体レーザ素子を、絶縁材で覆
われたＶ溝の半体からなる傾斜部を有する半導体積層構
造側を設置部の側に配してダイボンディングしているの
で、ダイボンディング用のろう材がはい上がっても、傾
斜部が絶縁材で覆われているので、ｐ層とｎ層との電気
的な短絡が生じない。Further, in the semiconductor laser device of the present invention, the semiconductor laser device manufactured as described above is obtained by mounting the semiconductor laminated structure having an inclined portion formed of a half of a V-shaped groove covered with an insulating material on the side of an installation portion. Since the die bonding is arranged on the side, even if the brazing material for die bonding goes up, since the inclined portion is covered with the insulating material, no electrical short circuit occurs between the p layer and the n layer. .
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１４】図１は、本発明に係る半導体レーザ装置を
示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor laser device according to the present invention.
【００１５】この半導体レーザ装置は、半導体レーザ素
子１の半導体積層構造側がＳｉＣサブマウント３側に配
され、かつ、半導体レーザ素子１がＡｕＳｎろう材２を
介してＳｉＣサブマウント３上にダイボンディングされ
ている。In this semiconductor laser device, the semiconductor laser device 1 is provided with the semiconductor laminated structure side on the SiC submount 3 side, and the semiconductor laser device 1 is die-bonded on the SiC submount 3 via the AuSn brazing material 2. ing.
【００１６】上記半導体レーザ素子１は、ｎ型基板１５
の上にｎ型バッファ層８ａ、８ｂが形成され、バッファ
層８ｂの上にｎ型半導体層６、ＡｌＧａＩｎＰ系材料か
らなる多重量子井戸層により構成される活性層４、ｐ型
半導体層５、およびエッチングストップ層９ａが形成さ
れている。エッチングストップ層９ａの上には、ｐ型ク
ラッド層９ｂ、ｐ型中間層９ｃおよびｐ型コンタクト層
９ｄからなるメサ部が形成され、そのメサ部の両側にｎ
型電流阻止層９ｅが形成されている。また、基板１５と
電流阻止層９ｅとの各々に電極１２ａ、１２ｂが形成さ
れている。The semiconductor laser device 1 has an n-type substrate 15
Buffer layers 8a and 8b are formed thereon, and an n-type semiconductor layer 6, an active layer 4 composed of a multiple quantum well layer made of an AlGaInP-based material, a p-type semiconductor layer 5, and An etching stop layer 9a is formed. A mesa portion including a p-type cladding layer 9b, a p-type intermediate layer 9c, and a p-type contact layer 9d is formed on the etching stop layer 9a.
A type current blocking layer 9e is formed. Further, electrodes 12a and 12b are formed on each of the substrate 15 and the current blocking layer 9e.
【００１７】また、半導体積層構造のレーザ出射端面と
垂直な側面において、図下側の電極１２ｂから半導体層
６までにわたって傾斜した結晶面１０ａ、１０ｂが形成
されている。この結晶面１０ａ、１０ｂは、ｎ型半導体
層６とｐ型半導体層５とで挟まれた活性層４を少なくと
も含むように形成する。前記結晶面１０ａ、１０ｂに
は、共に絶縁膜１１がコーティングされ、ダイボンディ
ングの際のろう材２のはい上がりによるｐｎ接合部の電
気的短絡を、この絶縁膜１１が保護している。On the side surface perpendicular to the laser emission end face of the semiconductor laminated structure, crystal planes 10a and 10b are formed, which are inclined from the lower electrode 12b to the semiconductor layer 6. The crystal planes 10a and 10b are formed so as to include at least the active layer 4 sandwiched between the n-type semiconductor layer 6 and the p-type semiconductor layer 5. The crystal faces 10a and 10b are both coated with an insulating film 11, and the insulating film 11 protects an electrical short circuit of the pn junction due to the rising of the brazing material 2 during die bonding.
【００１８】この半導体レーザ素子１は、例えば以下の
ようにして作製される。The semiconductor laser device 1 is manufactured, for example, as follows.
【００１９】まず、図２（ａ）に示すように、ウェハー
基板２５上に半導体積層構造を形成する。この半導体積
層構造は、ｎ型バッファ層８ａおよび８ｂと、ｎ型半導
体層６と、活性層４と、ｐ型半導体層５と、エッチング
ストップ層９ａと、ｐ型クラッド層９ｂ、ｐ型中間層９
ｃおよびｐ型コンタクト層９ｄからなるメサ部と、その
メサ部の両側のｎ型電流阻止層９ｅとからなる。このと
きの成長法としては、ＭＢＥ法またはＭＯＣＶＤ法等を
用いることができる。First, as shown in FIG. 2A, a semiconductor laminated structure is formed on a wafer substrate 25. This semiconductor laminated structure includes n-type buffer layers 8a and 8b, n-type semiconductor layer 6, active layer 4, p-type semiconductor layer 5, etching stop layer 9a, p-type cladding layer 9b, and p-type intermediate layer. 9
It comprises a mesa portion composed of c and p-type contact layers 9d, and n-type current blocking layers 9e on both sides of the mesa portion. As a growth method at this time, an MBE method, an MOCVD method, or the like can be used.
【００２０】次に、基板側に電極１２ａを形成すると共
に、半導体積層構造側に電極１２ｂを形成する。ダイボ
ンディングされる側の電極１２ｂについては、後の工程
で半導体積層構造をエッチング除去する部分を予め選択
的に除去しておく。Next, an electrode 12a is formed on the substrate side, and an electrode 12b is formed on the semiconductor laminated structure side. With respect to the electrode 12b on the side to be die-bonded, a portion where the semiconductor laminated structure is etched away in a later step is selectively removed in advance.
【００２１】続いて、図２（ｂ）に示すように、半導体
積層構造のレーザ出射端面（図では紙面に平行な面）と
交差する方向（図では紙面に垂直な方向）のストライプ
状にエッチングして、活性層４を含むｐｎ接合部をＶ溝
状に露出させる。このとき、ストライプ状のＶ溝１３内
で露出した結晶面１０ａは（１１１）面であり、結晶面
１０ｂは（１１１）Ａ面であり、結晶面１０ａと電極１
２ｂとのなす角度と、結晶面１０ｂと電極１２ｂとのな
す角度とを５４゜にした。なお、Ｖ溝１３の深さは深い
ほど有効であるが、構造上、ダイボンド面７から活性層
４を含むｐｎ接合部が露出される深さであれば、それ以
上に深くする必要はない。本実施形態では、活性層４か
らダイボンド面７までの厚みが約２μｍ程度であったの
で、Ｖ溝１３の深さを約５μｍ程度とした。従って、前
の工程でエッチングのために電極１２ｂを予め除去して
おく幅は、２×５μｍ×ｔａｎ５４゜＝約７．３μｍと
すればよい。また、結晶面と電極とのなす角度は５４゜
に限らず他の角度でもよい。たとえば、４０゜〜９０゜
の範囲であればよい。Subsequently, as shown in FIG. 2B, etching is performed in a stripe shape in a direction intersecting with a laser emission end face (a plane parallel to the paper plane in the figure) of the semiconductor multilayer structure (a direction perpendicular to the paper plane in the figure). Thus, the pn junction including the active layer 4 is exposed in a V-groove shape. At this time, the crystal plane 10a exposed in the stripe-shaped V groove 13 is the (111) plane, the crystal plane 10b is the (111) A plane, and the crystal plane 10a and the electrode 1
2b and the angle between crystal plane 10b and electrode 12b were set to 54 °. Although the depth of the V-groove 13 is more effective as it is deeper, it is not necessary to make it deeper as long as the pn junction including the active layer 4 is exposed from the die bond surface 7 in structure. In the present embodiment, since the thickness from the active layer 4 to the die bond surface 7 is about 2 μm, the depth of the V groove 13 is set to about 5 μm. Therefore, the width in which the electrode 12b is removed in advance in the previous step for etching may be 2 × 5 μm × tan54 ゜ = about 7.3 μm. Further, the angle between the crystal plane and the electrode is not limited to 54 ° and may be another angle. For example, the angle may be in the range of 40 ° to 90 °.
【００２２】その後、Ｖ溝１３内の結晶面１０ａ、１０
ｂを絶縁材１１でコーティングする。絶縁材１１として
は、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＮ等からなるものを用いること
ができ、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法またはＣ
ＶＤ法等によりコーティングすることができる。Thereafter, the crystal planes 10a, 10a
b is coated with the insulating material 11. As the insulating material 11, a material made of Al 2 O 3 or SiN or the like can be used.
It can be coated by a VD method or the like.
【００２３】次に、ウェハー基板から複数の半導体レー
ザチップを含むバー状態に切り出し、つまり基板分割
し、レーザ出射端面である（００１）へき開面に端面保
護膜（図示せず）をコーティングする。Next, the wafer substrate is cut into bars each including a plurality of semiconductor laser chips, that is, the substrate is divided, and the cleavage plane (001), which is the laser emission end face, is coated with an end face protective film (not shown).
【００２４】続いて、基板２５側にストライプ状のＶ溝
１３に沿うように、バーをチップに分割するためのけが
き線１４を入れ、このけがき線１４によって個々の半導
体レーザチップに切り出し、つまり基板分割することに
より図１に示した半導体レーザ素子１が完成する。Subsequently, a scribe line 14 for dividing the bar into chips is formed along the V-shaped groove 13 on the substrate 25 side, and cut out into individual semiconductor laser chips by the scribe line 14. That is, the semiconductor laser device 1 shown in FIG. 1 is completed by dividing the substrate.
【００２５】このようにして得られた半導体レーザ素子
１は、エッチングにより活性層を含むｐｎ接合部に達す
るＶ溝１３を形成しているので、ｐｎ接合部の結晶性が
破壊されず、結晶面１０ａ、１０ｂの状態が良好であっ
た。In the semiconductor laser device 1 thus obtained, since the V-groove 13 reaching the pn junction including the active layer is formed by etching, the crystallinity of the pn junction is not destroyed and the crystal plane The states of 10a and 10b were good.
【００２６】得られた半導体レーザ素子１を、ＤＶＤや
レーザーポインタ等の半導体装置に実装するため、半導
体積層構造側をＳｉＣサブマウント３側に配してＡｕＳ
ｎろう材２を介してダイボンディングした。その結果、
活性層４を含むｐｎ接合部が絶縁材１１によりコーティ
ングされているので、ろう材２による電気的短絡が生じ
ず、実装工程の歩留りを向上することができた。In order to mount the obtained semiconductor laser device 1 on a semiconductor device such as a DVD or a laser pointer, the semiconductor laminated structure side is arranged on the SiC submount 3 side and AuS
Die bonding was performed via the n-brazing material 2. as a result,
Since the pn junction including the active layer 4 was coated with the insulating material 11, no electrical short circuit occurred due to the brazing material 2, and the yield of the mounting process could be improved.
【００２７】なお、本実施形態では、特開平５−７０５
０号公報に開示されているような赤色半導体レーザ素子
の製造に本発明を適用した例について説明したが、半導
体積層構造側を半導体レーザ装置の設置部側に配してダ
イボンドされる半導体レーザ素子であれば、どのような
構造の半導体レーザ素子であっても本発明を適用するこ
とが可能である。In this embodiment, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-705
Although the example in which the present invention is applied to the production of a red semiconductor laser device as disclosed in Japanese Patent Application Publication No. 0-095 is described, a semiconductor laser device which is die-bonded by arranging a semiconductor laminated structure side on a mounting portion side of a semiconductor laser device The present invention can be applied to any structure of the semiconductor laser device.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上に詳述したように、本発明によれ
ば、エッチングにより活性層を含むｐｎ接合部に達する
Ｖ溝を形成しているので、ｐｎ接合部の結晶性が破壊さ
れず、出射効率が高く信頼性の良好な半導体レーザ素子
が得られる。このとき、けがき線を入れておくことによ
り、切断が容易になる。また、ダイボンド面からｐｎ接
合部までの厚みを薄くすることができるので、放熱効果
が高く信頼性が良好な半導体レーザ素子が得られる。As described in detail above, according to the present invention, since the V-groove reaching the pn junction including the active layer is formed by etching, the crystallinity of the pn junction is not destroyed. A highly reliable semiconductor laser device having high emission efficiency can be obtained. At this time, cutting is facilitated by inserting a scribe line. Further, since the thickness from the die bonding surface to the pn junction can be reduced, a semiconductor laser device having a high heat radiation effect and good reliability can be obtained.
【００２９】また、本発明の半導体レーザ装置は、この
ようにして作製された半導体レーザ素子を、絶縁材で覆
われたＶ溝の半体からなる傾斜部を有する半導体積層構
造側を設置部の側に配してダイボンディングしているの
で、ダイボンディング用のろう材がはい上がっても、傾
斜部が絶縁材で覆われているので、ｐ層とｎ層との電気
的な短絡が生じない。よって、実装工程における歩留り
を向上させることができるので、半導体レーザ装置の低
廉化を図ることができる。Further, in the semiconductor laser device of the present invention, the semiconductor laser device manufactured in this manner is obtained by mounting the semiconductor laminated structure side having an inclined portion consisting of a half of a V-shaped groove covered with an insulating material on the side of an installation portion. Since the die bonding is arranged on the side, even if the brazing material for die bonding goes up, since the inclined portion is covered with the insulating material, no electrical short circuit occurs between the p layer and the n layer. . Therefore, the yield in the mounting process can be improved, and the cost of the semiconductor laser device can be reduced.
【図１】本発明に係る半導体レーザ装置を示す断面図で
ある。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor laser device according to the present invention.
【図２】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法を説
明するための工程図（断面図）である。FIG. 2 is a process diagram (cross-sectional view) for describing a method for manufacturing a semiconductor laser device according to the present invention.
【図３】従来の半導体レーザ素子を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a conventional semiconductor laser device.
１ 半導体レーザ素子 ２ ろう材 ３ サブマウント ４ 活性層 ５ ｐ型半導体層 ６ ｎ型半導体層 ８ａ、８ｂ バッファ層 ９ａ エッチングストップ層 ９ｂ クラッド層 ９ｃ 中間層 ９ｄ コンタクト層 ９ｅ 電流阻止層 １０ａ、１０ｂ 結晶面 １１ 絶縁材 １２ａ、１２ｂ 電極 １３ 溝 １４ けがき線 １５ 基板 ２５ ウェハー基板 Reference Signs List 1 semiconductor laser element 2 brazing material 3 submount 4 active layer 5 p-type semiconductor layer 6 n-type semiconductor layer 8a, 8b buffer layer 9a etching stop layer 9b cladding layer 9c intermediate layer 9d contact layer 9e current blocking layer 10a, 10b crystal plane DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Insulation material 12a, 12b Electrode 13 Groove 14 Marking line 15 Substrate 25 Wafer substrate
Claims (3)
らレーザ光を出射する半導体レーザ素子の製造方法であ
って、 ウェハー基板上に複数の半導体層からなる半導体積層構
造を形成する工程と、 該半導体積層構造にエッチングを施して、活性層を含む
ｐｎ接合部に達するＶ溝を形成する工程と、 各Ｖ溝の両側の露出面を絶縁材によって覆う工程と、 該絶縁材で覆われたＶ溝と交差する方向に基板分割する
と共に該絶縁材で覆われた各Ｖ溝で基板分割し、半導体
積層構造の両縁部に、該絶縁材で覆われたＶ溝の半体か
らなる傾斜部を有するチップ状にする工程とを含む半導
体レーザ素子の製造方法。1. A method for manufacturing a semiconductor laser device having a semiconductor laminated structure on a substrate and emitting a laser beam from an end face, comprising: forming a semiconductor laminated structure comprising a plurality of semiconductor layers on a wafer substrate; Etching the semiconductor stacked structure to form V-grooves reaching the pn junction including the active layer; covering the exposed surfaces on both sides of each V-groove with an insulating material; The substrate is divided in a direction intersecting the V-groove, and the substrate is divided at each V-groove covered with the insulating material. At both edges of the semiconductor laminated structure, a half of the V-groove covered with the insulating material is formed. Forming a chip having an inclined portion.
たＶ溝とは反対側にけがき線を予め入れておいた上で基
板分割する請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方
法。2. The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, wherein when dividing the substrate, the substrate is divided after a scribe line is previously inserted on the side opposite to the V-groove covered with the insulating material. .
されてなる半導体レーザ装置であって、 請求項１または２に記載の半導体レーザ素子の製造方法
により製造された半導体レーザ素子が、前記絶縁材で覆
われたＶ溝の半体からなる傾斜部を有する半導体積層構
造側を該設置部の側に配してダイボンディングされてい
る半導体レーザ装置。3. A semiconductor laser device in which a semiconductor laser device is installed in a predetermined installation portion, wherein the semiconductor laser device manufactured by the method for manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1 or 2 is provided, A semiconductor laser device which is die-bonded by arranging a semiconductor laminated structure side having an inclined portion composed of a half of a V groove covered with a material on the side of the installation portion.
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1997
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