JPH10242599A

JPH10242599A - 配線基板

Info

Publication number: JPH10242599A
Application number: JP9043582A
Authority: JP
Inventors: Ayako Takagi; 亜矢子高木; Takeshi Miyagi; 武史宮城; Kazuto Higuchi; 和人樋口
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-02-27
Filing date: 1997-02-27
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】高周波数化が進んでも伝送損失の増加を抑制で
き、かつ形成が容易な信号配線を有する配線基板を実現
すること。【解決手段】基板１と、基板１上に形成されたグラウン
ド層２、グラウンド層２上に形成された薄膜誘電体層
３、および薄膜誘電体層３内に形成された信号配線４に
より構成されたマイクロストリップ線路とを備えてい
る。信号配線４に関して、グラウンド層２に最も近い面
はグランド層２と平行な底面であり、側面部の少なくと
も一部は上記底面から配線厚方向に向かって、配線幅が
連続的に増加するように側面が変化する曲面部５からな
り、曲面部５の配線幅方向の寸法は、曲面部５の配線厚
方向の寸法の０．３倍以上２倍以下であり、かつ上記底
面から最も離れたところにおいて、配線幅が最も広くな
っている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に係わ
り、特にマイクロ波帯やミリ波帯等の高周波信号を扱う
配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、マイクロ波帯やミリ波帯等の高周
波帯の民生化が進み、移動体無線、衛星通信、自動車衝
突防止システム等の無線通信の分野は、大きな広がりを
見せている。それに伴いデータ通信に用いられる周波数
も高くなり、送受信機の内部で処理される信号もますま
す高周波化する傾向にある。

【０００３】送受信機の内部では、一般に、プリント基
板またはセラミック基板上に誘電体層を形成し、この誘
電体層上に微細な回路パターン（配線パターン）を形成
し、この回路パターンにＩＣや受動部品等が実装されて
いる。誘電体層は、スパッタ法などによる真空プロセス
で形成され、回路パターンは、フォトリソグラフィ技術
を用いたパターニングによって形成される。

【０００４】図１１に、このような方法で形成された従
来のマイクロストリップ線路の断面図を示す。図中、７
１は基板を示しており、この基板７１上にはグラウンド
層７２を介して誘電体層７３が形成されている。この誘
電体層７３上には断面形状が長方形の信号配線７４が形
成されている。

【０００５】マイクロストリップ線路の設計において重
要なことは、特性インピーダンスの整合と伝送損失の低
減化である。まず、伝送損失を低減するためには、高周
波での抵抗を小さくする必要がある。

【０００６】しかし、６０ＧＨｚ近辺の高周波帯では、
信号配線７４の材料としてＣｕやＡｕを用いても、その
表皮の厚さは０．３μｍ程度である。したがって、信号
配線７４の配線厚を大きくしても、小さな抵抗を得るこ
とは期待できない。

【０００７】また、信号配線７４の配線幅を広くして低
抵抗化を図る場合には、５０Ωのインピーダンス整合を
するために、誘電体層７３を厚く形成する必要がある。
一度に厚い誘電体層７３を形成することは困難であるの
で、複数に分けて形成する必要がある。これにより、プ
ロセス数が増大して歩留まりが低下したり、基板が反り
やすくなるという問題が生じる。

【０００８】また、高周波化が進むと、配線幅を広くし
ても、信号配線７４の角部（端部）７５に電流が集中す
る（縁効果）。このため、導体損失が大きくなり、伝送
損失が大きくなるという問題が生じる。

【０００９】このような伝送損失の問題を解決するため
に、各所で研究がなされており、例えば、多層化ＭＭＩ
Ｃ伝送線路（１９９１年電子情報通信学会春期全国大会
ＳＣ−２−９）や、図１２に示すような「角が欠けた導
体をもつ均質ストリップ線路の導体損」（１９９４年電
子情報通信学会春期全国大会Ｃ−１４１）や、図１３に
示すような「Ｕ溝マイクロストリップ線路の特性解析」
（１９９４年電子情報通信学会春期全国大会Ｃ−１４
４）などが発表されている。

【００１０】図１２のマイクロストリップ線路によれ
ば、信号配線７４の上下の端部の角をとっているので、
端部への電流集中が低減され、例えば、図１１のタイプ
のマイクロストリップ線路に比べて、導体損失がおよそ
７％低減するといった報告もある。

【００１１】しかしながら、信号配線７４には依然とし
て角が存在するため、電流集中が避けられない。また、
プロセス上、このような上下端部で角が無い信号配線７
４を形成することは困難である。

【００１２】一方、図１３のマイクロストリップ線路に
よれば、誘電体層７３のＵ字型溝の表面に信号配線７４
を形成しているので、信号配線７４の端部への電流集中
が効果的に低減され、導体損失をさらに小さくすること
ができる。

【００１３】しかしながら、電気力線がほぼ誘電体層７
３内を通ることにより、誘電正接の小さな空気中を通る
というマイクロストリップ線路の良い点が失われてい
る。すなわち、導体損失は小さくなるが、誘電体損失は
大きくなる。

【００１４】信号配線７４には、高周波信号だけではな
く、ＤＣ信号も流すこともある。ここで、信号配線７４
は、Ｕ字型溝の内部を完全には埋めておらず、その膜厚
は薄い。このため、信号配線７４は、ＤＣ信号に対する
抵抗が高いという問題がある。

【００１５】また、配線基板においては、高周波信号配
線（高速信号配線）、制御配線などの中速信号配線、電
源配線およびグラウンド配線は、通常、同一層に混在す
るものである。

【００１６】しかしながら、高周波信号配線として、図
１３のマイクロストリップ線路を用いた場合、同一層に
混在する他の配線も信号配線７４と同等に薄く形成され
るので、他の配線の抵抗の低減化を図ることができない
という問題がある。

【００１７】図１４に、従来の他のマイクロストリップ
線路を示す。このマイクロストリップ線路では、信号配
線７４の上下の端部の角をとり、かつこの部分の面を連
続曲面としている。

【００１８】したがって、信号配線７４の角部に電流が
集中することによる損失の増大を防止できる。また、信
号配線７４は厚く形成できるので、図１３のマイクロス
トリップ線路よりも、ＤＣ信号に対する抵抗を小さくで
きる。しかしながら、プロセス上、このような形状の信
号配線７４を形成することは困難であるという問題があ
る。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来より
も種々のマイクロストリップ線路が提案されていたが、
高周波数化が進むと導体損失が大きくなったり、また、
導体損失の増加を抑制できても、形成が困難であった
り、またはＤＣ信号に対する抵抗が高いという問題あっ
た。

【００２０】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、高周波数化が進んでも
伝送損失の増加を抑制でき、かつ形成が容易な信号配線
を有する配線基板を提供することにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】

［構成］上記目的を達成するために、本発明に係る配線
基板（請求項１）は、基板と、この基板上に形成された
グラウンド層、このグラウンド層上に形成された誘電体
層、および少なくとも一部分が前記誘電体層内に形成さ
れた信号配線により構成されたマイクロストリップ線路
とを備えてなり、前記信号配線のうち前記誘電体層内に
形成されたものに関して、前記グラウンド層に最も近い
面が、前記グランド層と平行な底面であり、側面部の少
なくとも一部が、前記底面から配線厚方向に向かって、
配線幅が連続的に増加するように側面が変化する曲面部
からなり、前記曲面部の配線幅方向の寸法が、前記曲面
部の配線厚方向の寸法の０．３倍以上２倍以下であり、
かつ前記底面から最も離れたところにおいて、配線幅が
最も広くなっていることを特徴とする。

【００２２】また、本発明に係る他の配線基板（請求項
２）は、上記配線基板（請求項１）において、前記信号
配線が、前記底面および前記曲面部の側面により規定さ
れる下部配線部と、前記グランド層に対して前記下部配
線部よりも上に位置し、形状が長方体で前記下部配線部
よりも配線幅が広い上部配線部とから構成され、かつ前
記上部配線部のうち、前記下部配線部の外側に形成され
たものに関して、配線幅方向の寸法が、配線厚方向の寸
法の０．５倍以上１．５倍以下であることを特徴とす
る。

【００２３】［作用］本発明者は、上記課題を解決する
ために、電磁解析を行なうことにより、マイクロストリ
ップ線路の損失について詳細に調べた。

【００２４】その結果、本発明（請求項１〜３）の如き
の断面形状を有する信号配線は、側面部（角部）におけ
る電流集中を効果的に緩和できることが分かった。これ
により、高周波数化が進んでも伝送損失の増加を抑制で
きるようになる。

【００２５】また、本発明（請求項１〜３）の如きの構
造の信号配線は、誘電体層の表面に形成した所定形状の
配線溝の内部に、信号配線としての導電膜を埋込み形成
した後、別の誘電体層を全面に形成することにより、容
易に実現できる。

【００２６】すなわち、信号配線となる導電膜を所定の
形状に加工することは困難であるが、それに比べて、誘
電体層の表面に所定形状の配線溝を形成することは容易
である。

【００２７】このとき、配線溝の内部を完全に埋め込め
ば、信号配線の厚さを十分なものとすることができ、こ
れにより、信号配線のＤＣ信号に対する抵抗を低くでき
る（請求項１〜３）。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係る配線基板の断面図である。この断面図は、法線が信
号配線の長手方向と平行な平面により、配線基板を切断
して現れる断面を示している。

【００２９】図中、１は基板を示しており、この基板１
上にはグランド層２、薄膜誘電体層３が順次設けられて
いる。薄膜誘電体層３は、第１の薄膜誘電体層３₁ と第
２の薄膜誘電体層３₂ とから構成されている。薄膜誘電
体層３の材料としては、例えば、感光性ベンゾシクロブ
テン樹脂を用いるとよい。

【００３０】薄膜誘電体層３の内部には信号配線４が形
成されている。これらのグランド層２、薄膜誘電体層３
および信号配線４により、マイクロストリップ線路が構
成されている。

【００３１】信号配線４は、薄膜誘電体層３₁ の表面に
形成した所定形状の配線溝内に埋込み形成したものであ
る。すなわち、信号配線４は、配線溝の内部を完全に満
たす厚さの導電膜を全面に形成し、これを上記配線溝ま
でエッチバックやＣＭＰなどにより後退させることによ
り、形成できる。この後、全面に薄膜誘電体層３₂ を形
成する。この方法は、導電膜を所定の形状に加工して、
信号配線を形成する方法よりも容易である。

【００３２】また、信号配線４は、上記配線溝の内部を
完全に満たした構造なので、図１３の従来のマイクロス
トリップ線路とは異なり、ＤＣ信号に対する抵抗は低い
ものとなる。

【００３３】また、このような信号配線４であれば、同
一工程で、同一薄膜誘電体層に、高周波信号配線、中速
信号配線、電源グラウンド配線を同時に形成することが
できる。

【００３４】このとき、各配線の厚さは配線溝の深さで
決まるので、信号配線４の配線溝を浅く、他の配線の配
線溝を深く形成しておけば、信号配線４の厚さが薄くて
も、他の配線の抵抗の低減化を図ることできる。

【００３５】信号配線４において、グラウンド層２に最
も近い面は、グランド層２と平行な底面である。また、
信号配線４の側面部は、底面から配線厚方向に向かっ
て、配線幅が連続的に増加するように側面が変化する曲
面部５からなる。

【００３６】言い換えれば、従来の断面形状が長方形の
信号配線において、その側面部の角をとった形になって
いる。その結果、信号配線４の側面部においては、配線
側面は配線底面の一部と見ることもできる。したがっ
て、従来に比べて配線底面の電流が流れるところの表面
積は大きくなっている。

【００３７】信号配線４の側面部（曲面部５）の配線幅
方向の寸法ΔＷは、曲面部５の配線厚方向の寸法ｔの
０．３倍以上２倍以下である（０．３ｔ≦ΔＷ≦２
ｔ）。また、底面から最も離れたところ、つまり、上面
において、配線幅は最も広くなっている。

【００３８】本実施形態の信号配線４は、従来の信号配
線に比べて、配線底面の電流が流れるところの表面積は
大きくなっている。図２に、配線底面の表面積とΔＷと
の関係を調べた結果を示す。ここで、配線上面における
配線幅Ｗは３６μｍ、ｔは５μｍである。

【００３９】図に示すように、ΔＷ＝１９付近から値が
小さくなるにつれて、表面積が大きくなることが分か
る。しかし、ΔＷがある一定より小さくなると、表面積
は小さくなり、ΔＷ＝０で最小となる。

【００４０】これは、実際に電流が流れているところの
表面積の最大値は、ΔＷに依存し、したがって、ΔＷを
最適化することにより、損失の低減化を図れる可能性が
あることを意味している。そこで、実際に調べたとこ
ろ、以下のことが分かった。

【００４１】図３は、ｋ（＝ΔＷ／ｔ）と導体損失の関
係を調べた結果を示す図である。ここで、Ｗは３６μ
ｍ、ｔは５μｍである。図から、配線底面の全てが曲面
の場合（ｋ＝３．６）よりも、配線底面が平面と曲面と
で構成されている場合のほうが、導体損失を小さくする
ことができ、ｋ＝１．０で損失を最も小さくできること
が分かる。

【００４２】これは、配線底面が平面と曲面とで構成さ
れている場合のほうが、側面部（角部）における電流集
中を効果的に緩和でき、これにより、高周波数化が進ん
でも伝送損失の増加を抑制できることを意味している。

【００４３】また、図から、従来の断面形状が長方形の
信号配線（ｋ＝０）の場合、導体損失は１．０５（ｄＢ
／ｃｍ）であることが分かる。ここで、従来よりも損失
を５％程度小さくするには、つまり、損失を１（ｄＢ／
ｃｍ）程度以下に抑制するには、図から、０．３≦ｋ≦
２であればよいことが分かる。これは、伝送損失の低減
を図る設計基準となるものである。

【００４４】この場合、図から、ｔ＝１μｍの通常のマ
イクロストリップ線路と比べると、最高で２０％の損失
の低減が図られていることがわかる。このように本実施
形態によれば、ｋ（ΔＷ）、つまり、信号配線の側面部
の形状を最適化することにより、伝送損失の低減化を効
果的に図ることができ、これにより、高周波数化が進ん
でも伝送損失の増加を抑制できるようになる。

【００４５】図４は、ｋと特性インピーダンスとの関係
を調べた結果を示す図である。ここで、Ｗは３６μｍ、
ｔは５μｍである。図から、特性インピーダンスはｋに
より制御できることがわかる。また、図から、配線の厚
みｔ＝１μｍの通常のマイクロストリップ線路の特性イ
ンピーダンスは、ｋ＝２の場合と同程度であることがわ
かる。

【００４６】以上述べたように本実施形態によれば、信
号配線４の側面部の形状を最適化することにより、高周
波数化が進んでも伝送損失の増加を抑制でき、さらにこ
のような信号配線４は配線溝内に埋め込み形成すること
により容易に実現でき、かつ配線溝内を信号配線４によ
り完全に埋め込むことにより、信号配線４のＤＣ信号に
対する抵抗も低いものとすることができる。（第２の実施形態）図５は、本発明の第２の実施形態に
係る配線基板の断面図である。なお、図１の配線基板と
対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な
説明は省略する。

【００４７】本実施形態の配線基板が第１の実施形態の
それと異なる点は、信号配線４の上部が空気と接してい
ることにある。信号配線４の上部の形状は、高さｔ１ほ
ど空気にせり上がった凸状である。

【００４８】本実施形態でも第１の実施形態と同様な効
果が得られるのはもちろんのこと、本実施形態の場合、
信号配線４の上部が空気にせり上がっているので、誘電
正接ｔａｎδが０である空気中を電気力線がより多く走
り、これにより、第１の実施形態よりも誘電体損失をさ
らに小さくすることが可能となる。

【００４９】なお、信号配線４の上部が空気に曝される
ので、信号配線４の材料としては腐食性の小さい金など
の金属が好ましい。（第３の実施形態）図６は、本発明の第３の実施形態に
係る配線基板の断面図である。なお、図１の配線基板と
対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な
説明は省略する。

【００５０】本実施形態の配線基板が第２の実施形態の
それと異なる点は、信号配線４の上部の断面形状が長方
形で、かつ信号配線４の上部のうち、薄膜誘電体層３内
の信号配線４の外側に位置する部分に関して、配線幅方
向の寸法ｔ２が、配線厚方向の寸法ｔ３の０．５倍以上
１．５倍以下であることにある（０．５ｔ３≦ｔ２≦
１．５ｔ３）。

【００５１】ここで、０．５ｔ３≦ｔ２とするのは、誘
電正接ｔａｎδが０である空気中を電気力線がより多く
走るようにして誘電体損失を小さくするためである。ま
た、ｔ２≦１．５ｔ３とするのは、側面部の形状（ｋ）
を最適化したことによる得られる効果（導体損失の抑
制）を損なわないようにするためである。（第４の実施形態）図７は、本発明の第４の実施形態に
係る配線基板の断面図である。なお、図１の配線基板と
対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な
説明は省略する。

【００５２】本実施形態の配線基板が第３の実施形態の
それと異なる点は、信号配線４が薄膜誘電体層３内に埋
め込まれ、信号配線４の上部が空気に曝されいないこと
にある。

【００５３】これにより、信号配線４の上部の酸化を防
止できる。したがって、信号配線４の材料として高価な
金を用いる必要がなくなり、コストの削減化を図ること
が可能となる。信号配線４の材料としては、例えば、Ｃ
ｕを用いることができる。

【００５４】ここで、信号配線４上の薄膜誘電体層３₂
は薄くてよい。すなわち、信号配線４の上部の酸化を防
止できる厚さであればよい。また、信号配線４上の薄膜
誘電体層３₂ を薄くすることにより、空気中を電気力線
が走るようになり、第３の実施形態と同様な効果が得ら
れる。（第５の実施形態）図８は、本発明の第５の実施形態に
係る配線基板の断面図である。なお、図１の配線基板と
対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な
説明は省略する。

【００５５】信号配線のうち、空気に接する部分の材料
としては、通常腐食性の小さい金が用いられる。この金
をメッキ法により厚く形成することは困難であり、しか
も、高周波信号に対しては、表皮の厚さが薄くなり、信
号配線を不必要に厚くする必要がない。

【００５６】そこで、図１３に示したような構造、つま
り、配線溝の内部が信号配線７４により完全には埋め込
まれない構造が考えられる。この場合、表皮の厚さを厚
くすることにより、導体損失を低減することができる。
しかし、前述したように、電気力線がほぼ誘電体層７３
内を通ることにより、誘電正接の小さな空気中を通ると
いうマイクロストリップ線路の良い点が失われてしま
う。

【００５７】そこで、本実施形態では、図８に示すよう
に、信号配線４の側面部（端部）を配線溝の外側にまで
延在させている。言い換えれば、図６に示した配線基板
において、配線溝の内部を信号配線４により完全には埋
め込まない構造にしたものとなっている。

【００５８】このような構造であれば、空気中を電気力
線が走るようになり、誘電体損を小さくできる。なお、
ここでは、ｔ２＝ｔ３である。また、本実施形態の場
合、信号配線４の形状は凹状となる。このため、図９に
示すように、バンプ電極６を用いて本実施形態の配線基
板上にＩＣチップ７をフリップチップ実装する場合、信
号配線４とＩＣチップ７との位置合わせを容易に行なう
ことができる。（第６の実施形態）図１０は、本発明の第６の実施形態
に係る配線基板の断面図である。なお、図１の配線基板
と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細
な説明は省略する。

【００５９】これを製造工程に従い説明すると、まず、
基板１上に、グラウンド層２としての金属膜を形成す
る。基板１としては、半導体基板または絶縁性基板を使
用することができる。半導体基板の場合には、スパッタ
法などによって、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ等の金属膜
を形成する。また、プリント基板上では、予め表面に接
着されている銅箔を利用することができる。

【００６０】次にグラウンド層２上に薄膜誘電体層３₁
を形成する。薄膜誘電体層３₁ の材料としては、例え
ば、ポリイミド、アルミナ、ＳｉＯ₂ 、エポキシなどが
あげられる。

【００６１】これらの中でベンゾシクロブテン（ＢＣ
Ｂ）が最も好ましい。何故なら、ＢＣＢは、低誘電率
（２．７）、低誘電正接（０．０００８）と良好な電気
特性を有し、しかも、平坦性が良いなど必要な機械的特
性、さらには優れた熱特性も備えているからである。

【００６２】次に感光性のＢＣＢを用いた場合につい
て、薄膜誘電体層３₁ の具体的な形成方法について説明
する。感光性のＢＣＢを用るのは、フォトレジストを用
いる必要がなくなり、プロセスを簡略化できるからであ
る。

【００６３】まず、全面に感光性のＢＣＢを塗布し、ス
ピンコート法を用いて、例えば感光性のＢＣＢからなる
１０μｍの厚さの薄膜誘電体層３₁ を形成する。次いで
６０〜９０℃、好ましくは８０℃でプリベークを行なっ
た後、ビアホール形成用のマスクパターンを介して、３
６５ｎｍにピークを持つ紫外線により、薄膜誘電体層３
₁ に露光を施す。次いで有機系ＢＣＢ専用現像液により
現像処理を行なって、グランド層２に達する深さｈの第
１のビアホールを選択的に形成する。

【００６４】次にスパッタ法または真空蒸着法を用い
て、厚さ０．８〜１．５μｍ程度の銅薄膜（不図示）を
薄膜誘電体層３₁ の表面全体に形成する。この銅薄膜を
電極として用いて、上記第１のビアホールの内部が銅薄
膜により完全に満たされるまで、電気メッキを行なう。

【００６５】次に上記第１のビアホールの外部に形成さ
れた不要な銅薄膜をエッチングまたは研磨等によって除
去する。この結果、上記第１のビアホール内に銅薄膜か
らなる第１のビア１１が完成する。

【００６６】ここで、工程に必要な時間やエッチング液
の廃液等を考慮すると、不要な銅膜の除去は、研磨を用
いて行なうことが好ましい。特に、プリント基板工程で
一般に使用されているバフ研磨を用いることが望まし
い。

【００６７】次に全面に感光性のＢＣＢを塗布し、スピ
ンコート法を用いて、例えば、感光性のＢＣＢからなる
厚さ５μｍの薄膜誘電体層３₂ を形成する。次いでプリ
ベークを行なった後、第２のビアホールおよび第１の配
線溝形成用のマスクパターンを介して、薄膜誘電体層３
₂ に露光を施す。次いで有機系ＢＣＢ専用現像液により
現像処理を行なって、第１のビア１１に達する深さｔの
第２のビアホールおよび深さｔの第１の配線溝を選択的
に形成する。

【００６８】このとき、配線溝の内部に埋め込まれる信
号配線の断面形状が上述した寸法条件を満たすような形
状の配線溝を形成する。これは例えば露光条件を制御す
ることにより容易に実現できる。

【００６９】次にスパッタ法または真空蒸着法を用い
て、厚さ０．８〜１．５μｍ程度の銅薄膜（不図示）を
薄膜誘電体層３₂ の表面全体に形成する。この銅薄膜を
電極として用いて、ＢＣＢ膜に形成された深さｔの第２
のビアホールおよび第１の配線溝の内部が銅薄膜により
完全に満たされるまで、電気メッキを行なう。

【００７０】次に上記第２のビアホールおよび第１の配
線溝の外部に形成された不要な銅薄膜をエッチングまた
は研磨等によって除去する。この結果、上記第２のビア
ホール内には銅薄膜からなる第２のビア１２、上記第１
の配線溝内には銅薄膜からなる第１の信号配線１が完成
する。

【００７１】次に全面に感光性のＢＣＢを塗布し、スピ
ンコート法を用いて、例えば、感光性のＢＣＢからなる
厚さ１０μｍの薄膜誘電体層３₃ を形成する。次いでプ
リベークを行った後、第３のビアホール形成用のマスク
パターンを介して薄膜誘電体層３₃ に露光を施す。次い
で有機系ＢＣＢ専用現像液により現像処理を行なって、
第２のビア１２に達する深さｔの第３のビアホールを選
択的に形成する。

【００７２】次にスパッタ法または真空蒸着法を用い
て、厚さ０．８〜１．５μｍ程度の銅薄膜（不図示）を
上記ＢＣＢ膜の表面全体に形成する。この銅薄膜を電極
として用いて、薄膜誘電体層３₃ に形成された深さｈの
第３のビアホールが銅で満たされるまで、電気メッキを
行なう。

【００７３】次に上記第３のビアホールの外部に形成さ
れた不要な銅薄膜をエッチングまたは研磨等によって除
去する。この結果、第３のビアホール内には銅薄膜から
なる第３のビア１３が完成する。

【００７４】次に基板１上に感光性のＢＣＢを塗布し、
スピンコート法を用いて、例えば、感光性のＢＣＢから
なる厚さ５μｍの薄膜誘電体層３₄ を形成する。次いで
プリベークを行なった後、第２、第３の配線溝形成用の
マスクパターンを介して薄膜誘電体層３₄ に露光を施
す。次いで有機系ＢＣＢ専用現像液により現像処理なを
行って、第３のビア１３に達する深さｔの第２の配線溝
および深さｔの第３の配線溝を選択的に形成する。

【００７５】次にスパッタ法または真空蒸着法を用い
て、厚さ０．８〜１．５μｍ程度の銅薄膜（不図示）を
薄膜誘電体層３₄ の表面全体に形成した後、第２および
第３の配線溝の外部の不要な銅薄膜をエッチングによっ
て除去する。この結果、第２、第３の配線溝内にそれぞ
れ第２、第３の信号配線１４，１５が完成する。

【００７６】最後に、例えば、２１０〜２８０℃、好ま
しくは２５０℃でハードキュアをする。なお、本発明は
上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記
実施形態では、薄膜誘電体層の材料として、ＢＣＢを用
いた場合について説明したが、ポリイミド、ＳｉＯ₂ 、
アルミナ、またはエポキシ等の樹脂を用いることもでき
る。すなわち、材料は、使用する周波数によって決めれ
ばよい。

【００７７】これらの材料を用いた場合には、薄膜誘電
体層上にフォトレジストパターンを形成し、これをマス
クとして薄膜誘電体層をエッチングすれば、配線溝やビ
アホールを形成できる。また、上記材料のうち、アルミ
ナ、ＳｉＯ₂ 等を用いた場合には、ＣＤＥ法などの等方
性ドライエッチングにより、配線溝やビアホールを形成
することができる。

【００７８】また、信号配線の材料としては、金や銅に
限らず、アルミニウムなどの導電率の高い他の金属を使
用してもよい。さらに、信号配線として、前述の金属の
膜とチタン、クロム、またはニッケル等の金属の膜との
多層構造のものを用いれば、接着強度の向上を図ること
ができる。その他、本発明の技術的範囲の中で種々変形
して実施できる。

【００７９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、信
号配線の側面部の形状を最適化することにより、高周波
数化が進んでも伝送損失の増加を抑制でき、かつ形成が
容易な信号配線を有する配線基板を実現できるようにな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る配線基板の断面
図

【図２】配線底面の表面積とΔＷとの関係を調べた結果
を示す図

【図３】ｋ（＝ΔＷ／ｔ）と導体損失の関係を調べた結
果を示す図

【図４】ｋ（＝ΔＷ／ｔ）と特性インピーダンスとの関
係を調べた結果を示す図

【図５】本発明の第２の実施形態に係る配線基板の断面
図

【図６】本発明の第３の実施形態に係る配線基板の断面
図

【図７】本発明の第４の実施形態に係る配線基板の断面
図

【図８】本発明の第５の実施形態に係る配線基板の断面
図

【図９】図８の配線基板上にＩＣチップをフリップチッ
プ実装した様子を示す断面図

【図１０】本発明の第６の実施形態に係る配線基板の断
面図

【図１１】従来のマイクロストリップ線路の断面図

【図１２】従来の他のマイクロストリップ線路の断面図

【図１３】従来のさらに別のイクロストリップ線路の断
面図

【図１４】従来のさらにまた別のマイクロストリップ線
路の断面図

【符号の説明】

１…基板２…グランド層３，３₁ ，３₂ …薄膜誘電体層４…信号配線５…曲面部６…バンプ電極７…ＩＣチップ１１〜１３…ビア１４，１５…信号配線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、この基板上に形成されたグラウンド層、このグラウンド
層上に形成された誘電体層、および少なくとも一部分が
前記誘電体層内に形成された信号配線により構成された
マイクロストリップ線路とを具備してなり、前記信号配線のうち前記誘電体層内に形成されたものに
関して、前記グラウンド層に最も近い面は、前記グランド層と平
行な底面であり、側面部の少なくとも一部は、前記底面から配線厚方向に
向かって、配線幅が連続的に増加するように側面が変化
する曲面部からなり、前記曲面部の配線幅方向の寸法は、前記曲面部の配線厚
方向の寸法の０．３倍以上２倍以下であり、かつ前記底面から最も離れたところにおいて、配線幅が
最も広くなっていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】前記信号配線は、前記底面および前記曲面
部の側面により規定される下部配線部と、前記グランド
層に対して前記下部配線部よりも上に位置し、形状が長
方体で前記下部配線部よりも配線幅が広い上部配線部と
から構成され、かつ前記上部配線部のうち、前記下部配線部の外側に形
成されたものに関して、配線幅方向の寸法が、配線厚方
向の寸法の０．５倍以上１．５倍以下であることを特徴
とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】前記誘電体層の材料は、感光性ベンゾシク
ロブテン樹脂であることを特徴とする請求項１または請
求項２に記載の配線基板。