JPH10247607A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH10247607A JPH10247607A JP6746497A JP6746497A JPH10247607A JP H10247607 A JPH10247607 A JP H10247607A JP 6746497 A JP6746497 A JP 6746497A JP 6746497 A JP6746497 A JP 6746497A JP H10247607 A JPH10247607 A JP H10247607A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気効率の向上と製造プロセスの簡略化を図っ
た磁気記録媒体の製造方法を提供すること。 【解決手段】磁気記録媒体の基板上に、該基板面と概ね
同方向に磁束を通過させるヨーク層３と、該ヨーク層３
の上面に形成される磁気記録層４とを具備する磁気記録
媒体の製造方法において、成分組成の異なる２種以上の
合金ターゲットを装着したスパッタ装置を用い、時間の
経過に従って各々のターゲットからのスパッタ率を変え
て、該基板１上に一体不可分のヨーク層３と磁気記録層
４とから成る合金膜を形成する磁気記録媒体の製造方法
であって、上記磁気記録層４とヨーク層３とから成る合
金膜が、Ｔｈ2 Ｚｎ17，Ｔｈ2 Ｎｉ17、ＴｂＣｕ7 ，Ｔ
ｈＭｎ12，Ｒ3 （Ｆｅ、Ｍ）29型いずれか１つの結晶構
造をもつ。さらに、上記磁気記録層の上面に保護膜８が
被着されている。
た磁気記録媒体の製造方法を提供すること。 【解決手段】磁気記録媒体の基板上に、該基板面と概ね
同方向に磁束を通過させるヨーク層３と、該ヨーク層３
の上面に形成される磁気記録層４とを具備する磁気記録
媒体の製造方法において、成分組成の異なる２種以上の
合金ターゲットを装着したスパッタ装置を用い、時間の
経過に従って各々のターゲットからのスパッタ率を変え
て、該基板１上に一体不可分のヨーク層３と磁気記録層
４とから成る合金膜を形成する磁気記録媒体の製造方法
であって、上記磁気記録層４とヨーク層３とから成る合
金膜が、Ｔｈ2 Ｚｎ17，Ｔｈ2 Ｎｉ17、ＴｂＣｕ7 ，Ｔ
ｈＭｎ12，Ｒ3 （Ｆｅ、Ｍ）29型いずれか１つの結晶構
造をもつ。さらに、上記磁気記録層の上面に保護膜８が
被着されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの外
部記憶装置である磁気記録装置や音楽、画像の記憶に使
用される磁気記録媒体の製造方法に関する。
部記憶装置である磁気記録装置や音楽、画像の記憶に使
用される磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体は、音楽や画像のデータの
記録媒体のみならず、コンピュータの外部記憶装置とし
ても広く用いられている。例えばコンピュータの外部記
憶装置について考察してみると、近年磁気記録装置にお
いて高密度記録を可能にするため、記録方式や記録媒体
において様々な工夫がなされている。一例として、記録
方式では従来の長手記録に対して垂直記録方式が提案さ
れている。また、記録媒体では材質と磁気特性の異なる
２層或いは３層の媒体が一部に用いられている。
記録媒体のみならず、コンピュータの外部記憶装置とし
ても広く用いられている。例えばコンピュータの外部記
憶装置について考察してみると、近年磁気記録装置にお
いて高密度記録を可能にするため、記録方式や記録媒体
において様々な工夫がなされている。一例として、記録
方式では従来の長手記録に対して垂直記録方式が提案さ
れている。また、記録媒体では材質と磁気特性の異なる
２層或いは３層の媒体が一部に用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】下層に軟磁性のパーマ
ロイ等の磁性膜を形成して、その上層に硬磁性のＣｏー
Ｃｒ系膜を形成してなる垂直記録媒体の場合、硬磁性膜
が下層の結晶性の影響を受け、膜面に対して垂直異方性
を持ちにくいために、合金組成やスパッタリング諸条件
を厳しく管理して成膜している。或いは、このような下
層の影響を除くために上層と下層の界面に薄いバッファ
層を設けることが行われているが、いずれの場合にも、
工程数が増えるだけでなく磁気的な効率を著しく下げる
ことになり、記録再生効率や信号対ノイズ比の低下や記
録磁化状態の安定性を損なう要因となっている。本発明
は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、
磁気効率の向上と製造プロセスの簡略化を目的とした新
規な磁気記録媒体の製造方法を提供しようとするもので
ある。
ロイ等の磁性膜を形成して、その上層に硬磁性のＣｏー
Ｃｒ系膜を形成してなる垂直記録媒体の場合、硬磁性膜
が下層の結晶性の影響を受け、膜面に対して垂直異方性
を持ちにくいために、合金組成やスパッタリング諸条件
を厳しく管理して成膜している。或いは、このような下
層の影響を除くために上層と下層の界面に薄いバッファ
層を設けることが行われているが、いずれの場合にも、
工程数が増えるだけでなく磁気的な効率を著しく下げる
ことになり、記録再生効率や信号対ノイズ比の低下や記
録磁化状態の安定性を損なう要因となっている。本発明
は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、
磁気効率の向上と製造プロセスの簡略化を目的とした新
規な磁気記録媒体の製造方法を提供しようとするもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、磁気記録媒体の基板上に、該基板面と概
ね同方向に磁束を通過させるヨーク層と、該ヨーク層の
上面に形成される磁気記録層とを具備する磁気記録媒体
の製造方法において、成分組成の異なる２種以上の合金
ターゲットを装着したスパッタ装置を用い、時間の経過
に従って各々のターゲットからのスパッタ率を変えて、
該基板上に一体不可分のヨーク層と磁気記録層とから成
る合金膜を形成する磁気記録媒体の製造方法を提供す
る。
に、本発明は、磁気記録媒体の基板上に、該基板面と概
ね同方向に磁束を通過させるヨーク層と、該ヨーク層の
上面に形成される磁気記録層とを具備する磁気記録媒体
の製造方法において、成分組成の異なる２種以上の合金
ターゲットを装着したスパッタ装置を用い、時間の経過
に従って各々のターゲットからのスパッタ率を変えて、
該基板上に一体不可分のヨーク層と磁気記録層とから成
る合金膜を形成する磁気記録媒体の製造方法を提供す
る。
【０００５】本発明の、磁気記録層とヨーク層とが一体
不可分に形成された磁気記録媒体の構造原理は以下のよ
うである。例えば、スパッタリングによって、初期にＳ
ｍ−Ｆｅターゲットを用いてＳｍ2 Ｆｅ17膜を形成し、
途中でＦｅ−Ｔｉターゲットを追加してＳｍ−Ｆｅとの
２元同時スパッタを行い、上層にＳｍＦｅ11Ｔｉ膜を形
成する。このとき、軟磁性Ｓｍ2 Ｆｅ17結晶のＣ軸が基
板面と垂直になるよう形成すると、硬磁性のＳｍＦｅ11
Ｔｉ上層は結晶Ｃ軸が基板面と平行になるよう形成さ
れ、従って硬磁性記録層の磁化容易方向は膜面と平行方
向になる。この他にも、合金の結晶構造と成分組成を適
切に選定することによって、硬軟両磁性と異方性を制御
した磁性膜の製作が可能となる。
不可分に形成された磁気記録媒体の構造原理は以下のよ
うである。例えば、スパッタリングによって、初期にＳ
ｍ−Ｆｅターゲットを用いてＳｍ2 Ｆｅ17膜を形成し、
途中でＦｅ−Ｔｉターゲットを追加してＳｍ−Ｆｅとの
２元同時スパッタを行い、上層にＳｍＦｅ11Ｔｉ膜を形
成する。このとき、軟磁性Ｓｍ2 Ｆｅ17結晶のＣ軸が基
板面と垂直になるよう形成すると、硬磁性のＳｍＦｅ11
Ｔｉ上層は結晶Ｃ軸が基板面と平行になるよう形成さ
れ、従って硬磁性記録層の磁化容易方向は膜面と平行方
向になる。この他にも、合金の結晶構造と成分組成を適
切に選定することによって、硬軟両磁性と異方性を制御
した磁性膜の製作が可能となる。
【０００６】本発明の成膜方法については、２元スパッ
タリング法を用いる。また合金膜の成分については、ラ
ンタナイド属の希土類元素一種以上と鉄、および元素Ｍ
（Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ）のいず
れか一種以上を必須元素として含み、その組成範囲につ
いては、希土類元素が３％未満では保磁力が小さく、磁
気記録層に必要な保磁力が得られない。一方、１５％を
越えると飽和磁化が低下し、また希土類含有率が多くな
るために膜の耐酸化性が損なわれる。また、元素Ｍの一
種以上の添加により合金の結晶構造の安定化や磁気特性
の調整をすることができる。但し、元素Ｍの総量が０．
０２％未満では磁気特性の調整効果がほとんど見られ
ず、一方２０％を越えると合金本来の結晶構造が維持で
きなくなって、磁気特性が著しく損なわれる。
タリング法を用いる。また合金膜の成分については、ラ
ンタナイド属の希土類元素一種以上と鉄、および元素Ｍ
（Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ）のいず
れか一種以上を必須元素として含み、その組成範囲につ
いては、希土類元素が３％未満では保磁力が小さく、磁
気記録層に必要な保磁力が得られない。一方、１５％を
越えると飽和磁化が低下し、また希土類含有率が多くな
るために膜の耐酸化性が損なわれる。また、元素Ｍの一
種以上の添加により合金の結晶構造の安定化や磁気特性
の調整をすることができる。但し、元素Ｍの総量が０．
０２％未満では磁気特性の調整効果がほとんど見られ
ず、一方２０％を越えると合金本来の結晶構造が維持で
きなくなって、磁気特性が著しく損なわれる。
【０００７】また、本発明の合金膜はＴｈ2 Ｚｎ17，Ｔ
ｈ2 Ｎｉ17，ＴｂＣｕ7 ，ＴｈＭｎ12，Ｒ3 （Ｆｅ，
Ｍ）29型などの化合物を種々選定して構成される。例え
ばＴｈ2 Ｚｎ17結晶構造を持つＳｍ2 Ｆｅ17組成の合金
のＣ面（001)上に、Ｔｉを添加したＳｍ2 Ｆｅ17Ｔｉ2
組成の上層合金膜を形成すると、結晶積み重ねの有利さ
から、上層はＴｈＭｎ12型結晶構造をもちそのＣ軸は膜
面と平行になる。他の例では、ＴｈＭｎ12構造を持つＮ
ｄＦｅ11Ｖ組成の合金のＣ面(001) 上に、同じ結晶構造
のＮｄＦｅ10ＶＭｏ組成の上層膜を形成する。この場合
には、下層は軟磁性と硬磁性との中間的な磁性を示し、
上層は硬磁性を示して膜面と垂直方向の磁化容易軸をも
つ。
ｈ2 Ｎｉ17，ＴｂＣｕ7 ，ＴｈＭｎ12，Ｒ3 （Ｆｅ，
Ｍ）29型などの化合物を種々選定して構成される。例え
ばＴｈ2 Ｚｎ17結晶構造を持つＳｍ2 Ｆｅ17組成の合金
のＣ面（001)上に、Ｔｉを添加したＳｍ2 Ｆｅ17Ｔｉ2
組成の上層合金膜を形成すると、結晶積み重ねの有利さ
から、上層はＴｈＭｎ12型結晶構造をもちそのＣ軸は膜
面と平行になる。他の例では、ＴｈＭｎ12構造を持つＮ
ｄＦｅ11Ｖ組成の合金のＣ面(001) 上に、同じ結晶構造
のＮｄＦｅ10ＶＭｏ組成の上層膜を形成する。この場合
には、下層は軟磁性と硬磁性との中間的な磁性を示し、
上層は硬磁性を示して膜面と垂直方向の磁化容易軸をも
つ。
【０００８】なお、一般に希土類鉄系合金は化学的に活
性であるために、実用においては合金膜上部に酸化や磨
耗を防止するための酸化ケイ素やカーボン、あるいは高
分子等の保護膜を被着させている。上記のように構成し
た磁気記録媒体は、上下層境界面での乱れがないため
に、平滑性に優れるだけでなく、従来の二層膜にみられ
る磁気的なギャップも生じないために、記録再生特性や
信号ノイズ比が高く、かつ記録磁化状態の安定性にも優
れる。
性であるために、実用においては合金膜上部に酸化や磨
耗を防止するための酸化ケイ素やカーボン、あるいは高
分子等の保護膜を被着させている。上記のように構成し
た磁気記録媒体は、上下層境界面での乱れがないため
に、平滑性に優れるだけでなく、従来の二層膜にみられ
る磁気的なギャップも生じないために、記録再生特性や
信号ノイズ比が高く、かつ記録磁化状態の安定性にも優
れる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施形態を、図面
を用いて詳細に説明する。図１は、本発明に係る磁気記
録媒体の部分断面図である。図１において、１はガラス
等からなる基板である。該基板１の上面には、磁気媒体
層２が形成されている。該磁気媒体層２は基板上に被着
されたヨーク層３と表面の磁気記録層４とその間に形成
されている境界部分５とからなる。
を用いて詳細に説明する。図１は、本発明に係る磁気記
録媒体の部分断面図である。図１において、１はガラス
等からなる基板である。該基板１の上面には、磁気媒体
層２が形成されている。該磁気媒体層２は基板上に被着
されたヨーク層３と表面の磁気記録層４とその間に形成
されている境界部分５とからなる。
【００１０】基板１は、機械的強度が高く、温度変化に
より膨張収縮が小さいＳｉＯ2 系のガラスが使用され
る。ヨーク層３は、軟磁性体からなるか、あるいは基板
１の平面方向に磁気異方性の容易軸が揃った強磁性体か
らなり、いずれも該基板１の平面と同方向に磁束を通過
させることができるように構成されている。磁気記録層
４は、ヨーク層３が軟磁性体からなるときあるいは基板
１の平面方向に軸が揃った強磁性体からなるときには、
基板１の平面に対して垂直方向の異方性を持たせること
ができ、また、ヨーク層３が軟磁性体からなるときには
基板１の平面方向に異方性を持たせることもでき、いず
れにせよ優れた硬磁気特性を示す磁気記録層である。境
界部分５は明確にヨーク層３と磁気記録層４とが面で隔
離されているわけではなく、双方が入り交った状態とな
っており、それらの境界部分において、いずれか一方の
層に向かって他方の層の組成が漸減する構成により両者
の境界部分が形成されているが、その詳細については後
に詳細に説明する。なお、磁気記録層の厚みは、磁気記
録層境界部分ヨーク層全体の厚みのほぼ２〜５０％であ
る。
より膨張収縮が小さいＳｉＯ2 系のガラスが使用され
る。ヨーク層３は、軟磁性体からなるか、あるいは基板
１の平面方向に磁気異方性の容易軸が揃った強磁性体か
らなり、いずれも該基板１の平面と同方向に磁束を通過
させることができるように構成されている。磁気記録層
４は、ヨーク層３が軟磁性体からなるときあるいは基板
１の平面方向に軸が揃った強磁性体からなるときには、
基板１の平面に対して垂直方向の異方性を持たせること
ができ、また、ヨーク層３が軟磁性体からなるときには
基板１の平面方向に異方性を持たせることもでき、いず
れにせよ優れた硬磁気特性を示す磁気記録層である。境
界部分５は明確にヨーク層３と磁気記録層４とが面で隔
離されているわけではなく、双方が入り交った状態とな
っており、それらの境界部分において、いずれか一方の
層に向かって他方の層の組成が漸減する構成により両者
の境界部分が形成されているが、その詳細については後
に詳細に説明する。なお、磁気記録層の厚みは、磁気記
録層境界部分ヨーク層全体の厚みのほぼ２〜５０％であ
る。
【００１１】基板１は上述のようにガラスにより構成す
ることもできるが、図２に示すように、基板６をアルミ
ニウムにより構成することもでき、この場合、基板６と
磁気媒体層２との間に非磁性の金属からなる下地膜７を
形成し、アルミ基板表面の欠陥を補修すると同時に、磁
気媒体層２と基板６間に生じる物理的ひずみを吸収させ
るように構成するとよい。更に基板１はシリコンにより
構成することもできる。
ることもできるが、図２に示すように、基板６をアルミ
ニウムにより構成することもでき、この場合、基板６と
磁気媒体層２との間に非磁性の金属からなる下地膜７を
形成し、アルミ基板表面の欠陥を補修すると同時に、磁
気媒体層２と基板６間に生じる物理的ひずみを吸収させ
るように構成するとよい。更に基板１はシリコンにより
構成することもできる。
【００１２】
実施例１．Ｓｍ−Ｆｅターゲットを用いてアルゴンガス
中で初期スパッタリングを行った後、さらにＦｅ−Ｔｉ
ターゲットを追加し、磁場を加えずにＳｍ−Ｆｅとの２
元同時スパッタを行い、シリコン基板上に８．３ａｔ％
Ｓｍ−５．４ａｔ％Ｔｉ−残Ｆｅ組成の合金膜を形成し
て、本発明試料（１）とした。また、別途シリコン基板
上にＮｉ−Ｆｅターゲットを用いてパーマロイ膜を成膜
した後、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａターゲットを用いてＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ合金膜を成膜して比較例試料（３）としたこの
膜は下層がＴｈ2 Ｚｎ17型の結晶構造をもち、およその
組成がＳｍ2Ｆｅ17であり、その結晶のＣ軸が基板面と
垂直に形成されていた。一方、上層はＴｈＭｎ12型の結
晶構造をもち、およその組成がＳｍＦｅ11Ｔｉであり、
その結晶のＣ軸が基板面と平行に形成されていた。また
上層部の微細組織の観察結果、２０−５０ｎｍ径のＳｍ
−Ｔｉ−Ｆｅ主相周辺に約１０ｎｍのＦｅ2 Ｔｉ非磁性
副相が認められた。さらに下層は軟磁性を示す一方、上
層は硬磁性を示してその異方性方向は膜面に平行であっ
た。この試料（１）の保磁力は、図５に示すとおり、上
層が２６３０Oeで下層が１．１Oeであった。
中で初期スパッタリングを行った後、さらにＦｅ−Ｔｉ
ターゲットを追加し、磁場を加えずにＳｍ−Ｆｅとの２
元同時スパッタを行い、シリコン基板上に８．３ａｔ％
Ｓｍ−５．４ａｔ％Ｔｉ−残Ｆｅ組成の合金膜を形成し
て、本発明試料（１）とした。また、別途シリコン基板
上にＮｉ−Ｆｅターゲットを用いてパーマロイ膜を成膜
した後、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａターゲットを用いてＣｏ−Ｃ
ｒ−Ｔａ合金膜を成膜して比較例試料（３）としたこの
膜は下層がＴｈ2 Ｚｎ17型の結晶構造をもち、およその
組成がＳｍ2Ｆｅ17であり、その結晶のＣ軸が基板面と
垂直に形成されていた。一方、上層はＴｈＭｎ12型の結
晶構造をもち、およその組成がＳｍＦｅ11Ｔｉであり、
その結晶のＣ軸が基板面と平行に形成されていた。また
上層部の微細組織の観察結果、２０−５０ｎｍ径のＳｍ
−Ｔｉ−Ｆｅ主相周辺に約１０ｎｍのＦｅ2 Ｔｉ非磁性
副相が認められた。さらに下層は軟磁性を示す一方、上
層は硬磁性を示してその異方性方向は膜面に平行であっ
た。この試料（１）の保磁力は、図５に示すとおり、上
層が２６３０Oeで下層が１．１Oeであった。
【００１３】試料（１）を媒体に用い、垂直磁気記録で
一般的に使用される単磁極ヘッドを使用して、記録再生
特性の評価を行った。トラック幅は１０μｍ、コイル巻
き数は２６ターン、周速は１０ｍ／ｓとした。この結
果、試料（１）は従来の比較例試料（３）と比較して再
生出力が７４％高く、また高記録密度の目安となるＤ50
も３８％高いことがわかった。さらに、ＳＮ比は−４４
ｄＢで良好な値を示した。
一般的に使用される単磁極ヘッドを使用して、記録再生
特性の評価を行った。トラック幅は１０μｍ、コイル巻
き数は２６ターン、周速は１０ｍ／ｓとした。この結
果、試料（１）は従来の比較例試料（３）と比較して再
生出力が７４％高く、また高記録密度の目安となるＤ50
も３８％高いことがわかった。さらに、ＳＮ比は−４４
ｄＢで良好な値を示した。
【００１４】この実施例では、図３に示すように、下層
膜は、軟磁性を示して磁束を通すヨーク層３となる。ま
た、上層膜は、硬磁性で膜面と平行方向の異方性を持っ
た磁気記録層４を形成する。また、ヨーク層３と磁気記
録層４とは一体不可分に形成され、それらの境界部分５
では、いずれか一方の層に向かって他方の層の組成が漸
減する構成を持っている。８は保護膜である。
膜は、軟磁性を示して磁束を通すヨーク層３となる。ま
た、上層膜は、硬磁性で膜面と平行方向の異方性を持っ
た磁気記録層４を形成する。また、ヨーク層３と磁気記
録層４とは一体不可分に形成され、それらの境界部分５
では、いずれか一方の層に向かって他方の層の組成が漸
減する構成を持っている。８は保護膜である。
【００１５】実施例２．Ｎｄ−ＦｅとＦｅ−Ｂの２種タ
ーゲットを用いてアルゴンガス中で初期スパッタリング
を行う際に、時間の経過に従って、Ｆｅ−Ｂタ−ゲット
からのスパッタ率を上げて成膜をし、ガラス基板上に１
３．４ａｔ％Ｎｄ−８．５ａｔ％Ｂ−残りＦｅ組成の合
金膜を形成して、本発明試料（２）とした。この膜は、
下層がＴｂＣｕ7 型の結晶構造をもち、そのＣ軸が基板
面と垂直に形成されていた。一方、硼素を含有した上層
膜はＮｄ2 Ｆｅ14Ｂ型の結晶構造を持ち、そのＣ軸が基
板面と垂直に形成されていた。また、下層膜は軟磁性を
示し、上層膜は硬磁性を示して膜面と垂直方向の異方性
を有していた。この試料（２）の保磁力は、上層が２４
１０Oeで下層が０．８Oeであった。
ーゲットを用いてアルゴンガス中で初期スパッタリング
を行う際に、時間の経過に従って、Ｆｅ−Ｂタ−ゲット
からのスパッタ率を上げて成膜をし、ガラス基板上に１
３．４ａｔ％Ｎｄ−８．５ａｔ％Ｂ−残りＦｅ組成の合
金膜を形成して、本発明試料（２）とした。この膜は、
下層がＴｂＣｕ7 型の結晶構造をもち、そのＣ軸が基板
面と垂直に形成されていた。一方、硼素を含有した上層
膜はＮｄ2 Ｆｅ14Ｂ型の結晶構造を持ち、そのＣ軸が基
板面と垂直に形成されていた。また、下層膜は軟磁性を
示し、上層膜は硬磁性を示して膜面と垂直方向の異方性
を有していた。この試料（２）の保磁力は、上層が２４
１０Oeで下層が０．８Oeであった。
【００１６】この実施例では、図４に示すように、上層
膜は硬磁性となり膜面と垂直方向の異方性を示す磁気記
録層４が形成され、下層膜は軟磁性のヨーク層３とな
る。そして、これらの中間の境界部分５では、いずれか
一方の層に向かって他方の層の組成が漸減する構成を持
っている。
膜は硬磁性となり膜面と垂直方向の異方性を示す磁気記
録層４が形成され、下層膜は軟磁性のヨーク層３とな
る。そして、これらの中間の境界部分５では、いずれか
一方の層に向かって他方の層の組成が漸減する構成を持
っている。
【００１７】実施例３、スパッタでＮｄ−Ｆｅターゲッ
トを用いて基板面上にＮｄＦｅ7 膜を形成し、途中でＦ
ｅ−Ｂターゲットを追加して２元同時スパッタを行っ
て、上層にＮｄ2Ｆｅ14Ｂ膜を形成する。このとき、軟
磁性ＮｄＦｅ7 結晶のＣ面（００１）が、基板面と平行
になるように形成する。硬磁性のＮｄ2 Ｆｅ14Ｂ上層
は、結晶のＣ軸が基板面と垂直となるように形成するこ
とにより、基板面と垂直方向に異方性を示す。よって、
図４に示すように、最下層は軟磁性のヨーク層３が形成
され、最上層は基板面に対して垂直方向に異方性を示す
強磁性体の磁気記録層４が形成される。そして、これら
の中間の境界部分５では、いずれか一方の層に向かって
他方の層の組成が漸減する構成を持っている。この試料
の保磁力は上層が２５３０Oeで下層が０．９Oeであっ
た。
トを用いて基板面上にＮｄＦｅ7 膜を形成し、途中でＦ
ｅ−Ｂターゲットを追加して２元同時スパッタを行っ
て、上層にＮｄ2Ｆｅ14Ｂ膜を形成する。このとき、軟
磁性ＮｄＦｅ7 結晶のＣ面（００１）が、基板面と平行
になるように形成する。硬磁性のＮｄ2 Ｆｅ14Ｂ上層
は、結晶のＣ軸が基板面と垂直となるように形成するこ
とにより、基板面と垂直方向に異方性を示す。よって、
図４に示すように、最下層は軟磁性のヨーク層３が形成
され、最上層は基板面に対して垂直方向に異方性を示す
強磁性体の磁気記録層４が形成される。そして、これら
の中間の境界部分５では、いずれか一方の層に向かって
他方の層の組成が漸減する構成を持っている。この試料
の保磁力は上層が２５３０Oeで下層が０．９Oeであっ
た。
【００１８】以上、本発明を上述の実施形態ないし実施
例により説明したが、本発明の主旨の範囲内で種々の変
形や応用が可能であり、これらの変形や応用を本発明の
範囲から排除するものではない。
例により説明したが、本発明の主旨の範囲内で種々の変
形や応用が可能であり、これらの変形や応用を本発明の
範囲から排除するものではない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、磁気記
録媒体の基板上に、該基板面と概ね同方向に磁束を通過
させるヨーク層と、該ヨーク層の上面に形成される磁気
記録層とを具備する磁気記録媒体の製造方法において、
成分組成の異なる２種以上の合金ターゲットを装着した
スパッタ装置を用い、時間の経過に従って各々のターゲ
ットからのスパッタ率を変えて、該基板上に一体不可分
のヨーク層と磁気記録層とから成る合金膜を形成したの
で、従来の製法のように、磁気記録層とヨーク層との間
にバッファ層を設け得る必要がない。そのため、従来の
二層膜構造にない優れた磁気的性質を具備し、境界面で
の乱れがなく平滑性に優れ、磁気的なギャップも生じな
いために、記録再生特性や信号対ノイズ比の向上に効果
ある。さらに、二種の磁性層を成膜する必要がないため
に製造プロセスの簡略化を図ることができる。
録媒体の基板上に、該基板面と概ね同方向に磁束を通過
させるヨーク層と、該ヨーク層の上面に形成される磁気
記録層とを具備する磁気記録媒体の製造方法において、
成分組成の異なる２種以上の合金ターゲットを装着した
スパッタ装置を用い、時間の経過に従って各々のターゲ
ットからのスパッタ率を変えて、該基板上に一体不可分
のヨーク層と磁気記録層とから成る合金膜を形成したの
で、従来の製法のように、磁気記録層とヨーク層との間
にバッファ層を設け得る必要がない。そのため、従来の
二層膜構造にない優れた磁気的性質を具備し、境界面で
の乱れがなく平滑性に優れ、磁気的なギャップも生じな
いために、記録再生特性や信号対ノイズ比の向上に効果
ある。さらに、二種の磁性層を成膜する必要がないため
に製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体の部分断面図で
ある。
ある。
【図２】図２は、本発明の他の磁気記録媒体の部分断面
図である。
図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】図４は、本発明の第２と第３の実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図５】図５は、本発明と従来例の比較図表図である。
１・・・・・基板 ２・・・・・磁気媒体層 ３・・・・・ヨーク層 ４・・・・・磁気記録層 ５・・・・・境界部分 ６・・・・・基板 ７・・・・・下地膜 ８・・・・・保護膜
Claims (7)
- 【請求項１】磁気記録媒体の基板上に、該基板面と概ね
同方向に磁束を通過させるヨーク層と、該ヨーク層の上
面に形成される磁気記録層とを具備する磁気記録媒体の
製造方法において、 成分組成の異なる２種以上の合金ターゲットを装着した
スパッタ装置を用い、時間の経過に従って各々のターゲ
ットからのスパッタ率を変えて、該基板上に一体不可分
のヨーク層と磁気記録層とから成る合金膜を形成する磁
気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】上記２種以上の合金ターゲットの内の少な
くとも１の合金組成は、希土類金属と鉄の合金であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - 【請求項３】上記合金に含まれる希土類金属はＳｍであ
ることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項４】上記合金に含まれる希土類金属はＮｄであ
ることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体の製
造方法。 - 【請求項５】上記合金ターゲットの内の少なくとも１の
合金ターゲットには、Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｇａ，Ｓｎ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗのいずれか一種以上を０．０２ー２０ａｔ
％を含めることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項６】上記磁気記録層とヨーク層とからなる合金
膜が、Ｔｈ2 Ｚｎ17，Ｔｈ2 Ｎｉ17，ＴｂＣｕ7 ，Ｔｈ
Ｍｎ12，Ｒ3 （Ｆｅ，Ｍ）29型のいずれか１つの結晶構
造を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項７】上記磁気記録層の上面に保護膜が被着され
ていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6746497A JPH10247607A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6746497A JPH10247607A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247607A true JPH10247607A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=13345710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6746497A Pending JPH10247607A (ja) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247607A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019107029A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 昭和電工株式会社 | 磁気センサ、計測装置及び磁気センサの製造方法 |
| JP2021180059A (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 希土類化合物及びこれを用いた磁気記録媒体並びにこれらの製造方法 |
-
1997
- 1997-03-05 JP JP6746497A patent/JPH10247607A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019107029A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 昭和電工株式会社 | 磁気センサ、計測装置及び磁気センサの製造方法 |
| JP2019100847A (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-24 | 昭和電工株式会社 | 磁気センサ、計測装置及び磁気センサの製造方法 |
| US11287487B2 (en) | 2017-12-01 | 2022-03-29 | Showa Denko K.K. | Magnetic sensor, measuring device and method of manufacturing magnetic sensor |
| JP2021180059A (ja) * | 2020-05-13 | 2021-11-18 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 希土類化合物及びこれを用いた磁気記録媒体並びにこれらの製造方法 |
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