JPH10247720A - 圧接型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アロイフリータイプの圧接型半導体装置にお
いて、加圧前においても半導体基板と陰極内側熱補償板
との間に生じる隙間の発生を防止する。 【解決手段】 陽極挿入板５，陽極熱補償板７，半導体
基板１２，陰極内側熱補償板８，陰極外側熱補償板２
０、陰極内側挿入板６ａ，陰極外側挿入板６ｂ及び陰極
ブロック２を、断面がＬ字型の絶縁リング１１で挟持す
る。これにより、皿バネ１５のバネ圧以上の圧接力を上
記ブロック２と半導体基板１２との間に発生させる。そ
の結果、各部５，７，１２，８，２０，６ａ，６ｂが陰
極ブロック２に一体的に固定され、陰極側の熱補償板
８，２０が直接に半導体基板１２の第１主面２Ｓ１に面
接触する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アロイフリータイ
プの電力用圧接型半導体装置（例えば、ゲートターンオ
フサイリスタ（以下、ＧＴＯと称す））のパッケージ内
部の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図４は、従来のアロイフリータイプの圧
接型半導体装置（ＧＴＯ）の一例を示す断面図である。
同図に示す様に、圧接型半導体装置は、Ｃｕの陽極ブロ
ック１、Ｃｕの陰極ブロック２、陽極フランジ３、陰極
フランジ４、陽極挿入板５、陰極内側挿入板６ａ、陰極
外側挿入板６ｂ、陽極熱補償板７、陰極内側熱補償板８
ａ、陰極外側熱補償板８ｂ、リングゲート１０、圧接リ
ング１１ａ，１１ｂ、半導体基板１２、セラミックシー
ル１３、ゲートリード１４、マイカワッシャ１５、皿バ
ネ１６、平座金１７、テフロンベルト１８から構成され
る。

【０００３】本装置では、陽極挿入板５と陽極熱補償板
７の外周端部に係合された圧接リング１１ａと、陰極外
側熱補償板８ｂと陰極外側挿入板６ｂの外周端部に係合
された圧接リング１１ｂとを、図示しないボルトによっ
てボルト締結している。これにより、陽極挿入板５、陽
極熱補償板７、半導体基板１２、陰極外側熱補償板８
ｂ、及び陰極外側挿入板６ｂを締め付けて固定している
（但し、これらは、一体として装置内部で左右に動
く）。そして、陰極内側熱補償板８ａと陰極内側挿入板
６ａとは、陰極外側熱補償板８ｂの内周部分とリングゲ
ート１０の外周部とで位置決めされる。リングゲート１
０は、陰極ブロック２に予め設けられたリング状の溝の
内部に配置された各部品１５〜１７によって組み立てら
れている。

【０００４】本装置に対して外部から加圧接することに
より、半導体基板１２に形成されているＧＴＯ素子の陽
極電極、ゲート電極及び、陰極電極は、それぞれ陽極ブ
ロック１，リングゲート１０，陰極ブロック２に接続さ
れ、半導体基板１２の特性が得られる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図５は、図４に示した
従来の圧接型半導体装置の圧接前の断面拡大図である。
圧接前では、図５に示す様に、リングゲート１０は、皿
バネ１６がたわまないために、半導体基板１２を押し上
げている。この事により、陰極内側熱補償板８ａ及び陰
極内側挿入板６ａはフリーな状態となり、陰極内側熱補
償板８ａと半導体基板１２との間に隙間３０が生じる。
この隙間３０の発生と両板８ａ，６ａがフリーの状態に
あることとは、次のような問題点を生じさせる。

【０００６】即ち、製造時の工程間の搬送中に生ずる
震動により、陰極内側熱補償板８ａが半導体基板１２の
表面に衝突して、その衝撃の際に半導体基板１２の表面
に傷を付ける事態が生ずる。

【０００７】あるいは、装置の密閉工程中に異物が隙
間３０内に混入してきた場合には、図５に例示するよう
に、その異物１９が陰極側とゲート側とをショートさせ
るという事態も生じうる。

【０００８】この発明は、かかる問題点に鑑みてなされ
たものであり、アロイフリーの圧接型半導体装置におい
て、上記のような陰極内側熱補償板の半導体基板への衝
撃の発生をなくし、また、異物が混入することもなくし
て、安定した特性を得ることを可能にすることを目的と
する。

【０００９】又、本発明は、そのような圧接型半導体装
置を高信頼性を有しつつ低コストで実現可能とすること
をも、目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の圧
接型半導体装置は、その第１主面の第１領域に第１主電
極が形成され、前記第１主面に対向する第２主面に第２
主電極が形成された半導体基板と、その第１主面が前記
半導体基板の前記第１主電極のみと面接触するように配
設された導電性の第１熱補償板と、前記第２熱補償板の
前記第２主面に面した内面の内の第１主面が前記第１熱
補償板の前記第１主面に対向する第２主面と面接触する
ように配設された導電性の第１電極ブロックと、その第
１主面が前記半導体基板の前記第２主電極と面接触する
ように配設された導電性の第２熱補償板と、その内面の
一部が前記第２熱補償板の前記第１主面に対向する第２
主面の一部と面接触するように配設された導電性の第２
電極ブロックと、前記第１及び第２電極ブロックの外面
に溶接されて前記第１及び第２電極ブロック間の空間を
密閉する絶縁性のケーシング体と、前記ケーシング体に
よって密閉された空間内に於いて、前記第２熱補償板を
介して前記半導体基板及び前記第１熱補償板を前記第１
電極ブロックの前記第１主面に圧接させる様に配設され
た、剛性を有するリング状の絶縁性リングとを備えるこ
とを特徴とする。

【００１１】請求項２記載の発明の圧接型半導体装置で
は、請求項１記載の圧接型半導体装置において、前記半
導体基板の前記第１主面の内で前記第１領域の外側に位
置する第２領域には第３主電極が形成されており、前記
第１電極ブロックの前記内面の内で前記第１主面の外側
に位置する部分より前記第１電極ブロックの内部に向け
て形成された溝内に弾性力を有する導電性のリング機構
部がリング状に配設されおり、前記リング機構部は前記
弾性力を以て前記第３主電極と電気的に接触しており、
前記絶縁性リングは、前記リング機構部の前記弾性力よ
りも大きな圧接力を生ずることができる様に、前記ケー
シング体によって密閉された空間内に位置する前記第１
電極ブロックの突出した端部と、前記第２熱補償板の前
記第２主面の前記一部の外側に位置する他部とを、前記
半導体基板及び前記第１熱補償板を介して挟持している
ことを特徴とする。

【００１２】請求項３記載の発明の圧接型半導体装置で
は、請求項２記載の圧接型半導体装置において、前記リ
ング機構部の外周面により位置決めされ且つその第１主
面が前記半導体基板の前記第１主面の内で前記第３主電
極が形成されている部分の外側に面接触する、リング状
の第３熱補償板を更に備え、前記第１電極ブロックの前
記内面の内で前記溝の外側に位置する部分は前記第３熱
補償板の前記第１主面に対向する第２主面に面接触して
いることを特徴とする。

【００１３】請求項４記載の発明の圧接型半導体装置で
は、請求項２又は３に記載の圧接型半導体装置におい
て、前記絶縁性リングの一方の端部には係合部が設けら
れ、他方の端部には突起部が設けられており、前記係合
部を介して前記絶縁性リングの一方の端部と前記第２熱
補償板の前記第２主面の他部とが係合し、且つ前記絶縁
性リングの前記突起部と前記第１電極ブロックの前記突
出端部とが係合していることを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】この発明に係わる圧接型半導体装
置の特徴点は、以下の点にある。即ち、加圧接前でも、
パッケージ内部において、剛性を有するリング形状の絶
縁リングにより、陽極側の熱補償板の周縁端部と陰極ブ
ロックの装置内部の周縁端部とを、その間に設けられた
半導体基板及び陰極側の熱補償板を介して挟持すること
で、半導体基板と陰極側の熱補償板とを完全に圧接した
状態を作り出している。これにより、弾性力によって半
導体基板のゲート電極パターンと接触して導通している
リングゲートが、上記圧接力に屈して撓み（上記圧接力
＞上記弾性力）、陰極側の熱補償板と半導体基板とを隙
間が空かないように接触させている。従って、外部から
の震動に起因した陰極側の熱補償板の半導体基板への衝
撃や、密閉工程中の異物混入という問題は、本発明では
全くなくなる。

【００１５】以下、図面を参照して、本発明をＧＴＯサ
イリスタに適用した場合の実施の形態１について記述す
る。勿論、本発明の圧接型半導体装置の適用対象は、Ｇ
ＴＯサイリスタに限られるわけではなく、ＩＧＢＴ装置
やＳＩＴ（静電誘導型トランジスタ）装置やパワーＭＯ
ＳＦＥＴ等であっても良い。

【００１６】（実施の形態１）図１は、この発明の実施
の形態１に係るアローフリー型の圧接型半導体装置の内
部構造を示す断面図である。同図において、図４と同一
符号のものは同一のものを示す。

【００１７】図１の構造が図４の構造と相違する点は、
ケーシング体内部の空間内に設けられた剛性のリング状
の絶縁性リング１１（その断面がＬ字型）が、皿バネ１
６をたわませるように、陽極熱補償板７を介して、半導
体基板１２と陰極内側熱補償板８と陰極外側熱補償板２
０とを、陰極ブロック２の内面２Ｓに圧接して固定して
いることにある。しかも、上記圧接固定により各部７，
１２，８，２０は陰極ブロック２に一体化されるので、
図４の従来技術の場合と異なり、これらが陰極ブロック
２とは別個に左右，上下方向に動くこともない。

【００１８】尚、本実施の形態では、陽極挿入板５と、
陰極内側挿入板６ａと陰極外側挿入板６ｂとを用いてい
るが、必ずしもそれら（５，６ａ，６ｂ）を用いる必要
性はない。従って、それらは、この発明の本質的な構成
要素ではないと言える。

【００１９】セラミックシール（絶縁性のケーシング体
に該当）１３に陰極フランジ４を介して溶接されたＣｕ
の陰極ブロック（導電性の第１電極ブロックに該当）２
には、その内面２Ｓの内の第１主面２Ｓ１の外側に位置
する部分より同ブロック２の内部に向けて、リングゲー
ト１０を位置決めして装着するための溝２Ｒが、リング
状に加工・形成されている。又、陰極ブロック２内に
は、ゲートリード線１４を配置するための空間用の切欠
部２６が形成されている。その溝２Ｒ内には、その底面
側より順に、平座金１７、皿バネ１６、マイカワッシャ
１５が挿入されて配置されると共に、更に、マイカワッ
シャ１５の上には溝２Ｒの内壁に沿ってテフロンベルト
１８が配設され、テフロンベルト１８の内周面で画され
る範囲内にリングゲート１０が配置される。ここでは、
上記各部材１５，１６，１７，１８，１０を総称して、
リング状に配設されて弾性力を以て後述する第３主電極
と電気的に接触する「リング機構部」と呼ぶことにす
る。

【００２０】又、陰極ブロック２と陰極フランジ４とを
総称して、ケーシング体１３にその外面で溶接された
「第１電極ブロック」と呼ぶことも可能である。同様
に、陽極ブロック１と陽極フランジ３とを、「第２電極
ブロック」と総称しても良い。

【００２１】半導体基板１２の内部には、ｐｎｐｎ構造
のＧＴＯサイリスタ素子（図示せず）が形成されてい
る。半導体基板１２の表面上に形成される各電極パター
ンを、図２の縦断面図に模式的に示す。同図に示すよう
に、半導体基板１２の第１主面１２Ｓ１の中央部にあた
る第１領域Ｒ１には、陰極パターンＫ（第１主電極）が
形成されており、その隣接する外側の第２領域Ｒ２に
は、リング状のゲート電極パターンＧ（第３主電極）が
形成されている。第２領域Ｒ２の更に外側領域の一部分
にあたる第３領域Ｒ３は、後述するように、図１の陰極
外側熱補償板２０の第１主面２０Ｓ１（従って、陰極ブ
ロック２の内面２Ｓ中の第２主面２Ｓ２）と面接触する
部分である。更に、その外側の半導体基板１２の周縁端
部には、樹脂製のリング状の保護部材２３が嵌め込まれ
ている。又、半導体基板１２の第２主面１２Ｓ２上に
は、陽極パターンＡ（第２主電極）が形成されている。

【００２２】以下に、本装置の組立て方法を図１を参照
しつつ説明することで、本装置の内部構成を詳述する。

【００２３】先ず、上述したように、リング機構部１５
〜１８，１０を溝２Ｒ内に配置し、テフロンベルト１８
の内周面と陰極ブロック２の第１主面２Ｓ１とで画され
る範囲内、及びテフロンベルト１８の外周面と陰極ブロ
ック２の第２主面２Ｓ２とで画される範囲のそれぞれの
中に、陰極内側挿入板６ａと陰極内側熱補償板８とを、
及び陰極外側挿入板６ｂと陰極外側熱補償板２０とを配
設する。これにより、陰極内側熱補償板８及び陰極内側
挿入板６ａと、陰極外側熱補償板２０及び陰極外側挿入
板６ｂとは、リングゲート１０のテフロンベルト１８の
内外周面により位置決めされて陰極ブロック２の内面２
Ｓ１，２Ｓ２上に装着されたこととなる。

【００２４】次に、陰極内側熱補償板８の第１主面８Ｓ
１と陰極外側熱補償板２０の第１主面２０Ｓ１との上に
図２の半導体基板１２をセットし、更に、半導体基板１
２の第２主面１２Ｓ２（従って、陽極パターンＡ）の上
に、陽極熱補償板７、及び陽極挿入板５を順次に装着す
る。尚、８Ｓ２，２０Ｓ２は、それぞれ、陰極内側熱補
償板８及び陰極外側熱補償板２０の第２主面である。
又、７Ｓ１，７Ｓ２は、陽極熱補償板７の第１及び第２
主面である。

【００２５】絶縁リング１１の断面形状はＬ字状になっ
ており、陽極熱補償板７の外周端部分と係合させるべき
絶縁リング１１の一方の端部には、段差形状の係合部２
４が設けられている。この係合部分２４を利用して、絶
縁リング１１の一方の端部を陽極熱補償板７の外周端部
（陽極熱補償板７の第２主面７Ｓ２の他部）と陽極挿入
板５の外周端部に係合し、これにより、絶縁リング１１
の位置決め固定を行う。又、絶縁リング１１の他方の端
部には、図１のように、陰極ブロック２の装置内部に位
置する突出端部２Ｅにワンタッチでかみ合うような、爪
状の突起部２５が設けられている。そこで、この突起部
２５を上記突出端部２Ｅにかみ合わせて両者を係合させ
ることにより、絶縁リング１１を、陽極挿入板５及び陽
極熱補償板７の外周端部と陰極ブロック２の外周端部と
の間に装着する。この挟持状態が、皿バネ１５のバネ圧
（ないしリング機構の弾性力）よりも強い圧接力で、陽
極熱補償板７を介して、半導体基板１２と陰極内側熱補
償板８と陰極外側熱補償板２０とを陰極ブロック２の第
１，第２主面２Ｓ１，２Ｓ２側に対して圧接することに
より、半導体基板１２の陰極電極面Ｋ（図２）は、陰極
内側熱補償板８の第１主面８Ｓ１と完全に面接触する。
勿論、この場合、陰極外側熱補償板２０の第１主面２０
Ｓ１も、半導体基板１２の第１主面１２Ｓ１の第３領域
Ｒ３部分と完全に機械的に面接触する。

【００２６】以上のように、絶縁リング１１は、上記係
合部２４と突起部２５とを以て、陽極熱補償板７及び陰
極ブロック２の外周端部間にかみ合うように嵌め合わさ
れているので、外部からの衝撃が絶縁リング１１に加わ
ったとしても、絶縁リング１１がはずれることはない。
従って、陽極挿入板５，陽極熱補償板７，半導体基板１
２，陰極内側熱補償板８，及び陰極外側熱補償板２０の
陰極ブロック２側への位置決め固定を、確実に高信頼度
で実現することができる。

【００２７】尚、この発明の技術的思想からすれば、本
実施の形態で用いている陰極外側熱補償板２０は必ずし
も必須の部材ではないと言える。

【００２８】最後に、陽極ブロック（第２電極ブロッ
ク）１の内面の一部が陽極熱補償板７の第２主面７Ｓ２
側と面接触するように、陽極ブロック１の内面の一部を
絶縁リング１１の一方の端部で囲まれた陽極挿入板５の
表面上に配置し、陽極ブロック１の外面に設けられたフ
ランジ部３をセラミックシール１３の他方の端部と溶接
して、各部１２，１１，５，７，８，６，２０を密閉す
る。

【００２９】絶縁リング１１の側面には、例えば図３に
模式的に例示するように、図１のゲートリード線１４を
通すための溝２１が設けられており、更に当該溝２１の
周辺には、複数個の溝２７が配設されている。これによ
り、ゲートリード線１４を溝２１及びセラミックシール
１３内の溝２２（図１）に貫通させた上で絶縁リング１
１を上記のように装着する際に、絶縁リング１１に加わ
る応力を複数個（少なくとも１つ）の周辺溝２７で吸収
ないし緩和させることができる。しかも、これらの溝２
７は、溶接後に高温加熱状態で高真空に装置内部を引い
た上で活性ガスを内部に充填する際の、真空用・充填用
の溝として、及び、装置各部より発生するガスの抜け道
用の溝としても、機能しうる。即ち、溝２７の設定によ
り、脱ガス効果を向上させることができる。

【００３０】以上のように、この圧接型半導体装置によ
れば、断面がＬ字形状をした絶縁リング１１の一方の端
部を陽極熱補償板７の外周端部に係合固定し、絶縁リン
グ１１の他方の端部を突起部２５を介して陰極ブロック
２のケーシング体内部の外周の突出端部２Ｅにワンタッ
チで係合させることで、加圧接前の装置内部の各部を圧
接固定することとしている。このような圧接固定構造を
採用することにより、組立完了後の搬送中の衝撃等が加
わっても、内部の各部５，７，８，２０，１０，６ａ，
６ｂは陰極ブロック２の内面２Ｓ側に圧接されているた
め、リングゲート１０の内側部分における熱補償板８と
半導体基板１２の第１主面１２Ｓ１（ないし陰極パター
ンＫ）とは常に面接触していることとなり、半導体基板
１２の表面へのキズの発生を防ぐことが可能となる。加
えて、異物等が半導体基板１２と陰極内側熱補償板８と
の間に混入することも一切なくなるので、ショート等の
不具合が発生することはなくなる。

【００３１】また、従来は、図４に示すように、締付用
のリング部材を２個必要としていたが、本装置では、図
１の絶縁リング１１を１個だけ設ければ良い。この点に
より、本装置は、装置のコストを低減させることも可能
となる。

【００３２】又、絶縁リング１１の側面の一部に複数の
溝を設けることにより、ゲートリード線１４を貫通させ
ることができ、しかも、絶縁リング１１の装着時の応力
緩和及び脱ガス効果も得られる。

【００３３】以上より、低コストで高信頼性の圧接型半
導体装置を得ることができる。

【００３４】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、外部より
第１及び第２電極ブロックへ加圧される前の状態に於い
て、絶縁性リングが第２熱補償板を介して半導体基板と
第１熱補償板とを第１電極ブロックの第１主面に圧接す
るので、半導体基板と第１熱補償板とは第１電極ブロッ
クに固定されることとなる。その結果、半導体基板と第
１熱補償板とは完全に面接触した状態となり、両者間に
は隙間は発生しない。しかも、第２熱補償板と半導体基
板と第１熱補償板と第１電極ブロックは絶縁性リングを
介して一体化するので、第２熱補償板と半導体基板と第
１熱補償板とが別個に上下・左右方向へ動くこともなく
なる。従って、本装置の組み立て後の搬送工程中に本装
置に振動が加わっても、半導体基板の第１主面が第１熱
補償板の衝撃を受けて損傷することは無くなる。又、異
物等が半導体基板と第１熱補償板との間に混入すること
も無く、装置の電気的特性を信頼性のあるものとするこ
とが可能となる。

【００３５】請求項２記載の発明によれば、（絶縁性リ
ングの圧接力）＞（リング機構部の弾性力）との関係が
成立するので、絶縁性リングによる挟持によりリング機
構部は撓み、リング機構部の内周面により画される範囲
内において、第１熱補償板を位置決めし且つ第１電極ブ
ロックに固定することが可能となる。

【００３６】請求項３記載の発明によれば、絶縁性リン
グによって半導体基板と第３熱補償板も第１電極ブロッ
クへ圧接固定されることとなり、第２熱補償板、半導体
基板、第１熱補償板及び第３熱補償板の全てを装置内部
で第１電極ブロックに固定することができる。

【００３７】請求項４記載の発明によれば、絶縁性リン
グの一方及び他方の端部にそれぞれ係合部と突起部とを
設けているので、絶縁性リングの装着ないし取付けをワ
ンタッチで容易に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装
置の正面断面図である。

【図２】 半導体基板の電極パターンを模式的に示す断
面図である。

【図３】 絶縁リングの側面に設けられた溝を模式的に
示す斜視図である。

【図４】 従来の圧接型半導体装置の正面断面図であ
る。

【図５】 従来の圧接型半導体装置の部分拡大断面図で
ある。

【符号の説明】

１ 陽極ブロック、２ 陰極ブロック、３ 陽極フラン
ジ、４ 陰極フランジ、５ 陽極挿入板、６ａ 陰極内
側挿入板、６ｂ 陰極外側挿入板、７ 陽極熱補償板、
８ 陰極内側熱補償板、２０ 陰極外側熱補償板、１０
リングゲート、１１ 絶縁リング、１２ 半導体基
板、１３ セラミックシール、１４ ゲートリード、１
５ マイカワッシャ、１６ 皿バネ、１７ 平座金、１
８ テフロンベルト。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その第１主面の第１領域に第１主電極が
   形成され、前記第１主面に対向する第２主面に第２主電
   極が形成された半導体基板と、 その第１主面が前記半導体基板の前記第１主電極のみと
   面接触するように配設された導電性の第１熱補償板と、 前記第２熱補償板の前記第２主面に面した内面の内の第
   １主面が前記第１熱補償板の前記第１主面に対向する第
   ２主面と面接触するように配設された導電性の第１電極
   ブロックと、 その第１主面が前記半導体基板の前記第２主電極と面接
   触するように配設された導電性の第２熱補償板と、 その内面の一部が前記第２熱補償板の前記第１主面に対
   向する第２主面の一部と面接触するように配設された導
   電性の第２電極ブロックと、 前記第１及び第２電極ブロックの外面に溶接されて前記
   第１及び第２電極ブロック間の空間を密閉する絶縁性の
   ケーシング体と、 前記ケーシング体によって密閉された空間内に於いて、
   前記第２熱補償板を介して前記半導体基板及び前記第１
   熱補償板を前記第１電極ブロックの前記第１主面に圧接
   させる様に配設された、剛性を有するリング状の絶縁性
   リングとを、備えることを特徴とする、圧接型半導体装
   置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の圧接型半導体装置におい
   て、 前記半導体基板の前記第１主面の内で前記第１領域の外
   側に位置する第２領域には第３主電極が形成されてお
   り、 前記第１電極ブロックの前記内面の内で前記第１主面の
   外側に位置する部分より前記第１電極ブロックの内部に
   向けて形成された溝内に弾性力を有する導電性のリング
   機構部がリング状に配設されおり、前記リング機構部は
   前記弾性力を以て前記第３主電極と電気的に接触してお
   り、 前記絶縁性リングは、前記リング機構部の前記弾性力よ
   りも大きな圧接力を生ずることができる様に、前記ケー
   シング体によって密閉された空間内に位置する前記第１
   電極ブロックの突出した端部と、前記第２熱補償板の前
   記第２主面の前記一部の外側に位置する他部とを、前記
   半導体基板及び前記第１熱補償板を介して挟持している
   ことを特徴とする、圧接型半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の圧接型半導体装置におい
   て、 前記リング機構部の外周面により位置決めされ且つその
   第１主面が前記半導体基板の前記第１主面の内で前記第
   ３主電極が形成されている部分の外側に面接触する、リ
   ング状の第３熱補償板を更に備え、 前記第１電極ブロックの前記内面の内で前記溝の外側に
   位置する部分は前記第３熱補償板の前記第１主面に対向
   する第２主面に面接触していることを特徴とする、圧接
   型半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項２又は３に記載の圧接型半導体装
   置において、 前記絶縁性リングの一方の端部には係合部が設けられ、
   他方の端部には突起部が設けられており、 前記係合部を介して前記絶縁性リングの一方の端部と前
   記第２熱補償板の前記第２主面の他部とが係合し、且つ
   前記絶縁性リングの前記突起部と前記第１電極ブロック
   の前記突出端部とが係合していることを特徴とする、圧
   接型半導体装置。