JPH10247780A - 多層配線板及びその製造方法 - Google Patents
多層配線板及びその製造方法Info
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- JPH10247780A JPH10247780A JP9048915A JP4891597A JPH10247780A JP H10247780 A JPH10247780 A JP H10247780A JP 9048915 A JP9048915 A JP 9048915A JP 4891597 A JP4891597 A JP 4891597A JP H10247780 A JPH10247780 A JP H10247780A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 粗化剤による樹脂フィラーの溶解を伴うこと
なく好適な粗面を得ることができ、しかもファインで高
精度なバイアホール形成用穴を確実に形成することがで
きる多層配線板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 微細な凹凸8aを有する金属箔8を未硬
化の樹脂層6に圧着する。その状態で樹脂層6を硬化さ
せる。次いで金属箔8を湿式エッチングにより除去す
る。次に層間絶縁層7の表層に粗面6aを形成する。次
にレーザ光照射によって層間絶縁層7を穴あけすること
により、バイアホール形成用穴9を形成する。そして、
粗面6a及びバイアホール形成用穴9に対する無電解め
っきにより、層間絶縁層7に導体パターン13及びバイ
アホール11を形成する。その結果、多層配線板14が
製造される。
なく好適な粗面を得ることができ、しかもファインで高
精度なバイアホール形成用穴を確実に形成することがで
きる多層配線板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 微細な凹凸8aを有する金属箔8を未硬
化の樹脂層6に圧着する。その状態で樹脂層6を硬化さ
せる。次いで金属箔8を湿式エッチングにより除去す
る。次に層間絶縁層7の表層に粗面6aを形成する。次
にレーザ光照射によって層間絶縁層7を穴あけすること
により、バイアホール形成用穴9を形成する。そして、
粗面6a及びバイアホール形成用穴9に対する無電解め
っきにより、層間絶縁層7に導体パターン13及びバイ
アホール11を形成する。その結果、多層配線板14が
製造される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線板及びそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の電子産業の進歩に伴い、LSIを
実装するための配線板に対して、小型化、高速化、高密
度化、高信頼化等が望まれている。そのため、最近では
配線板が多層化されるとともに、高密度パターンの形成
に有利なアディティブ法が実施されるに至っている。以
下にその一例を紹介する。
実装するための配線板に対して、小型化、高速化、高密
度化、高信頼化等が望まれている。そのため、最近では
配線板が多層化されるとともに、高密度パターンの形成
に有利なアディティブ法が実施されるに至っている。以
下にその一例を紹介する。
【0003】まず、内層導体パターンが形成されたコア
基板を用意する。そのコア基板の上に無電解めっき用接
着剤を塗布しかつ硬化させる。このような無電解めっき
用接着剤としては、例えばクロム酸等の粗化剤に対して
難溶性の樹脂マトリクスと、同粗化剤に対して易溶性の
樹脂フィラーとからなるものが用いられる。形成された
層間絶縁層に対して粗化剤を処理することにより、易溶
性のフィラーのみを選択的に溶解する。その結果、多数
の微細なアンカー用凹部が形成され、層間絶縁層の表面
が粗化面となる。次に、層間絶縁層上にフォトマスクを
形成した状態でエッチングをすることにより、所定箇所
にバイアホール形成用穴を形成する。この後、無電解め
っき等のプロセス等を経ることによりバイアホール及び
外層導体パターンが形成することで、最終的に所望の多
層配線板を得ている。
基板を用意する。そのコア基板の上に無電解めっき用接
着剤を塗布しかつ硬化させる。このような無電解めっき
用接着剤としては、例えばクロム酸等の粗化剤に対して
難溶性の樹脂マトリクスと、同粗化剤に対して易溶性の
樹脂フィラーとからなるものが用いられる。形成された
層間絶縁層に対して粗化剤を処理することにより、易溶
性のフィラーのみを選択的に溶解する。その結果、多数
の微細なアンカー用凹部が形成され、層間絶縁層の表面
が粗化面となる。次に、層間絶縁層上にフォトマスクを
形成した状態でエッチングをすることにより、所定箇所
にバイアホール形成用穴を形成する。この後、無電解め
っき等のプロセス等を経ることによりバイアホール及び
外層導体パターンが形成することで、最終的に所望の多
層配線板を得ている。
【0004】ところで、フォトマスクを利用した穴あけ
方法ではファイン化におのずと限界があることから、最
近ではレーザ光照射を利用した穴あけ方法に期待が寄せ
られている。
方法ではファイン化におのずと限界があることから、最
近ではレーザ光照射を利用した穴あけ方法に期待が寄せ
られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、層間絶縁層
の最表層にある無電解めっき用接着剤層には、樹脂フィ
ラーが含まれているため、レーザ光照射による穴あけを
行うと以下のような問題が生じる。
の最表層にある無電解めっき用接着剤層には、樹脂フィ
ラーが含まれているため、レーザ光照射による穴あけを
行うと以下のような問題が生じる。
【0006】1)樹脂フィラーがあると層間絶縁層内に
おいてレーザ光が散乱してしまうため、ファインなバイ
アホール形成用穴を精度よく形成することが難しい。 2)樹脂フィラーは吸湿しやすいため信頼性の向上にと
って好ましくない。
おいてレーザ光が散乱してしまうため、ファインなバイ
アホール形成用穴を精度よく形成することが難しい。 2)樹脂フィラーは吸湿しやすいため信頼性の向上にと
って好ましくない。
【0007】3)樹脂フィラーを含む接着剤は高価であ
る。 4)粗化剤を用いた粗化処理を行うと廃液が生じる。 従って、これらの問題を解消するためには、粗化剤によ
る樹脂フィラーの溶解を行わずに粗面を形成する必要が
あると考えられていた。
る。 4)粗化剤を用いた粗化処理を行うと廃液が生じる。 従って、これらの問題を解消するためには、粗化剤によ
る樹脂フィラーの溶解を行わずに粗面を形成する必要が
あると考えられていた。
【0008】本発明は上記の課題を解決するためなされ
たものであり、その目的は、粗化剤による樹脂フィラー
の溶解を伴うことなく好適な粗面を得ることができ、し
かもファインで高精度なバイアホール形成用穴を確実に
形成することができる多層配線板の製造方法を提供する
ことにある。
たものであり、その目的は、粗化剤による樹脂フィラー
の溶解を伴うことなく好適な粗面を得ることができ、し
かもファインで高精度なバイアホール形成用穴を確実に
形成することができる多層配線板の製造方法を提供する
ことにある。
【0009】また、本発明の別の目的は、耐熱性及び信
頼性に優れた多層配線板を実現することにある。
頼性に優れた多層配線板を実現することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の発明では、微細な凹凸を有する
金属箔を未硬化の樹脂層に圧着し、その状態で前記樹脂
層を硬化させ、次いで前記金属箔を湿式エッチングによ
り除去することによって、層間絶縁層の表層に粗面を形
成する工程と、レーザ光照射によって前記層間絶縁層を
穴あけすることにより、バイアホール形成用穴を形成す
る工程と、前記粗面及び前記バイアホール形成用穴に対
する無電解めっきにより、前記層間絶縁層に導体パター
ン及びバイアホールを形成する工程とを含むことを特徴
とする多層配線板の製造方法をその要旨とする。
めに、請求項1に記載の発明では、微細な凹凸を有する
金属箔を未硬化の樹脂層に圧着し、その状態で前記樹脂
層を硬化させ、次いで前記金属箔を湿式エッチングによ
り除去することによって、層間絶縁層の表層に粗面を形
成する工程と、レーザ光照射によって前記層間絶縁層を
穴あけすることにより、バイアホール形成用穴を形成す
る工程と、前記粗面及び前記バイアホール形成用穴に対
する無電解めっきにより、前記層間絶縁層に導体パター
ン及びバイアホールを形成する工程とを含むことを特徴
とする多層配線板の製造方法をその要旨とする。
【0011】請求項2に記載の発明は、請求項1におい
て、前記層間絶縁層は、最下層に形成された第1の樹脂
層と、最表層に形成されかつ前記粗面を有する第2の樹
脂層と、前記両樹脂層間に形成された高靭性樹脂層とか
らなるとした。
て、前記層間絶縁層は、最下層に形成された第1の樹脂
層と、最表層に形成されかつ前記粗面を有する第2の樹
脂層と、前記両樹脂層間に形成された高靭性樹脂層とか
らなるとした。
【0012】請求項3に記載の発明は、請求項2におい
て、前記高靭性樹脂層はポリイミドフィルムであり、前
記第2の樹脂層はそのポリイミドフィルムの片側面に塗
布した樹脂材料をBステージの状態にしたものであると
した。
て、前記高靭性樹脂層はポリイミドフィルムであり、前
記第2の樹脂層はそのポリイミドフィルムの片側面に塗
布した樹脂材料をBステージの状態にしたものであると
した。
【0013】請求項4に記載の発明は、請求項3におい
て、前記ポリイミドフィルムは5μm〜50μmである
とした。請求項5に記載の発明は、微細な凹凸を有する
金属箔を未硬化の樹脂層に圧着し、その状態で前記樹脂
層を硬化させ、次いで前記金属箔を湿式エッチングによ
り除去することによって形成された粗面を、その表層に
有する層間絶縁層と、レーザ光照射によって前記層間絶
縁層に穴あけされたバイアホール形成用穴に対する無電
解めっきにより形成されたバイアホールと、前記粗面に
対する無電解めっきにより形成された導体パターンとを
備えた多層配線板をその要旨とする。
て、前記ポリイミドフィルムは5μm〜50μmである
とした。請求項5に記載の発明は、微細な凹凸を有する
金属箔を未硬化の樹脂層に圧着し、その状態で前記樹脂
層を硬化させ、次いで前記金属箔を湿式エッチングによ
り除去することによって形成された粗面を、その表層に
有する層間絶縁層と、レーザ光照射によって前記層間絶
縁層に穴あけされたバイアホール形成用穴に対する無電
解めっきにより形成されたバイアホールと、前記粗面に
対する無電解めっきにより形成された導体パターンとを
備えた多層配線板をその要旨とする。
【0014】以下、本発明の「作用」を説明する。請求
項1に記載の発明によると、まず、微細な凹凸を有する
金属箔を未硬化の樹脂層に圧着することにより、未硬化
の樹脂が流動してその凹凸に入り込む。この状態で樹脂
層を硬化させると、樹脂の流動性が失われて、前記凹凸
に対応する形状のアンカー用凹部が樹脂層の表面に多数
形成される。次いで金属箔を湿式エッチングにより除去
すると、金属箔下にあった粗面が露出する。なお、金属
箔の除去方法として湿式エッチングを採用しているた
め、その際にアンカー用凹部に大きな応力が加わること
はない。従って、好適な形状のアンカー用凹部は、破壊
されることなく後の無電解めっき工程まで確実に保持さ
れる。この後、レーザ光照射によって層間絶縁層を穴あ
けすることにより、バイアホール形成用穴が形成され
る。
項1に記載の発明によると、まず、微細な凹凸を有する
金属箔を未硬化の樹脂層に圧着することにより、未硬化
の樹脂が流動してその凹凸に入り込む。この状態で樹脂
層を硬化させると、樹脂の流動性が失われて、前記凹凸
に対応する形状のアンカー用凹部が樹脂層の表面に多数
形成される。次いで金属箔を湿式エッチングにより除去
すると、金属箔下にあった粗面が露出する。なお、金属
箔の除去方法として湿式エッチングを採用しているた
め、その際にアンカー用凹部に大きな応力が加わること
はない。従って、好適な形状のアンカー用凹部は、破壊
されることなく後の無電解めっき工程まで確実に保持さ
れる。この後、レーザ光照射によって層間絶縁層を穴あ
けすることにより、バイアホール形成用穴が形成され
る。
【0015】以上のような本発明の製造方法によると、
易溶性の樹脂フィラーを層間絶縁層に分散させておく必
要がないばかりでなく、それを溶解するための粗化剤も
不要になる。従って、粗化剤による樹脂フィラーの溶解
に起因していた従来の問題が解消される。
易溶性の樹脂フィラーを層間絶縁層に分散させておく必
要がないばかりでなく、それを溶解するための粗化剤も
不要になる。従って、粗化剤による樹脂フィラーの溶解
に起因していた従来の問題が解消される。
【0016】即ち、樹脂フィラーを含まない層間絶縁層
であればレーザ光が散乱することもなく、ファインなバ
イアホール形成用穴を精度よく形成することができる。
また、層間絶縁層の吸湿の原因となる樹脂フィラーが省
略されることで、信頼性の向上が図られる。さらに、樹
脂フィラーの省略により接着剤が安価になるため、多層
配線板の低コスト化が図られる。また、粗化剤を用いな
いため廃液が生じないという利益が得られる。
であればレーザ光が散乱することもなく、ファインなバ
イアホール形成用穴を精度よく形成することができる。
また、層間絶縁層の吸湿の原因となる樹脂フィラーが省
略されることで、信頼性の向上が図られる。さらに、樹
脂フィラーの省略により接着剤が安価になるため、多層
配線板の低コスト化が図られる。また、粗化剤を用いな
いため廃液が生じないという利益が得られる。
【0017】請求項2に記載の発明によると、層間絶縁
層には高靭性樹脂層が存在しており、それが第1の樹脂
層と第2の樹脂層とを隔てている。従って、ヒートサイ
クル時に発生する応力が高靭性樹脂層によって吸収さ
れ、それによりクラックの発生が抑制される。また、第
1の樹脂層側にある下層導体層の断線も防止される。
層には高靭性樹脂層が存在しており、それが第1の樹脂
層と第2の樹脂層とを隔てている。従って、ヒートサイ
クル時に発生する応力が高靭性樹脂層によって吸収さ
れ、それによりクラックの発生が抑制される。また、第
1の樹脂層側にある下層導体層の断線も防止される。
【0018】請求項3に記載の発明によると、ポリイミ
ドフィルムは無電解めっき接着剤層と比較して破壊伸度
がとりわけ優れており、好適な靭性を備えている。その
ため、応力を充分に吸収することができ、ヒートサイク
ル時におけるクラックの発生がより確実に抑制される。
また、クラックが仮に発生したときであってもその進行
が確実にくい止められる。加えて、ポリイミドフィルム
は電気的特性や耐熱性にも優れているため、高性能の多
層配線板を製造することができる。さらに、第2の樹脂
層はBステージであってポリイミドフィルムにあらかじ
め塗布されているため、平滑性に優れているばかりでな
く取扱性にも優れている。
ドフィルムは無電解めっき接着剤層と比較して破壊伸度
がとりわけ優れており、好適な靭性を備えている。その
ため、応力を充分に吸収することができ、ヒートサイク
ル時におけるクラックの発生がより確実に抑制される。
また、クラックが仮に発生したときであってもその進行
が確実にくい止められる。加えて、ポリイミドフィルム
は電気的特性や耐熱性にも優れているため、高性能の多
層配線板を製造することができる。さらに、第2の樹脂
層はBステージであってポリイミドフィルムにあらかじ
め塗布されているため、平滑性に優れているばかりでな
く取扱性にも優れている。
【0019】請求項4に記載の発明によると、ポリイミ
ドフィルムの厚さが上記の好適範囲内にあることから、
層間絶縁層の肉厚化や高コスト化等を伴うことなく、応
力吸収という効果を充分に得ることができる。
ドフィルムの厚さが上記の好適範囲内にあることから、
層間絶縁層の肉厚化や高コスト化等を伴うことなく、応
力吸収という効果を充分に得ることができる。
【0020】請求項5に記載の発明によると、好適な形
状のアンカー用凹部を備える粗面上に導体パターンが形
成されているため、層間絶縁層と導体パターンとの間に
は高い密着性が確保されている。従って、ヒートサイク
ル時においても導体パターンが層間絶縁層から剥離しに
くくなり、耐熱性及び信頼性に優れた多層配線板を実現
することができる。
状のアンカー用凹部を備える粗面上に導体パターンが形
成されているため、層間絶縁層と導体パターンとの間に
は高い密着性が確保されている。従って、ヒートサイク
ル時においても導体パターンが層間絶縁層から剥離しに
くくなり、耐熱性及び信頼性に優れた多層配線板を実現
することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態の多層配線板及びその製造方法を図1〜図6に基づ
き詳細に説明する。
形態の多層配線板及びその製造方法を図1〜図6に基づ
き詳細に説明する。
【0022】まず、図1に示されるように、内層導体パ
ターン3が形成されたコア基板1を作製する。ここで内
層導体パターン3は銅パターンであることがよい。この
コア基板1への内層導体パターン3の形成は、例えば銅
張積層板のエッチングという方法により行われる。ま
た、ガラスエポキシ基板、BT(ビスマレイミドトリア
ジン)基板、ポリイミド基板、セラミック基板、金属基
板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この
表面を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっきを施す
という方法でもよい。また、前記内層導体パターン3
は、コア基板1の片面のみに形成される場合に限定され
ず、両面に形成される場合も含む。なお、コア基板1が
両面板である場合には、表裏を貫通する図示しないスル
ーホールが形成される。スルーホールは表裏両面の配線
層を電気的に接続するためのものである。
ターン3が形成されたコア基板1を作製する。ここで内
層導体パターン3は銅パターンであることがよい。この
コア基板1への内層導体パターン3の形成は、例えば銅
張積層板のエッチングという方法により行われる。ま
た、ガラスエポキシ基板、BT(ビスマレイミドトリア
ジン)基板、ポリイミド基板、セラミック基板、金属基
板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この
表面を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっきを施す
という方法でもよい。また、前記内層導体パターン3
は、コア基板1の片面のみに形成される場合に限定され
ず、両面に形成される場合も含む。なお、コア基板1が
両面板である場合には、表裏を貫通する図示しないスル
ーホールが形成される。スルーホールは表裏両面の配線
層を電気的に接続するためのものである。
【0023】具体的にいうと本実施形態では、厚さ1mm
のガラスエポキシ樹脂からなる基板に18μmの銅箔がラ
ミネートされている銅張積層板を出発材料とし、コア基
板1を作製した。
のガラスエポキシ樹脂からなる基板に18μmの銅箔がラ
ミネートされている銅張積層板を出発材料とし、コア基
板1を作製した。
【0024】パターン形成後のコア基板1には凹凸があ
ることから、内層導体パターン3間のギャップ部分は樹
脂充填層2で埋められることが好ましい。その結果、表
面の平滑化が図られるからである。
ることから、内層導体パターン3間のギャップ部分は樹
脂充填層2で埋められることが好ましい。その結果、表
面の平滑化が図られるからである。
【0025】具体的にいうと本実施形態では、以下のよ
うにして樹脂充填層2の形成用の充填剤を得ている。ま
ず、ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
製、分子量310 、商品名:YL983U) 100重量部と、イミ
ダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-CN)6重
量部とを混合する。この混合物に対して、平均粒径 1.6
μmで表面にシランカップリング剤がコーティングされ
たSiO2 球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−CE、こ
こで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚
み(15μm)以下とする) 170重量部、消泡剤(サンノ
プコ製 ペレノールS4)0.5 重量部を混合する。これ
を3本ロールによって混練することにより、その混合物
の粘度を23±1℃で45,000〜49,000cps に調整する。そ
して、かかる充填剤をロールコータ等の従来公知の塗布
方法によりコア基板1に塗布しかつ乾燥・硬化させるこ
とで、樹脂充填層2を形成している。なお、この後にベ
ルトサンダー等による研磨を行なうことで、よりいっそ
う表面平滑化を図ってもよい。
うにして樹脂充填層2の形成用の充填剤を得ている。ま
ず、ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル
製、分子量310 、商品名:YL983U) 100重量部と、イミ
ダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ-CN)6重
量部とを混合する。この混合物に対して、平均粒径 1.6
μmで表面にシランカップリング剤がコーティングされ
たSiO2 球状粒子(アドマテック製、CRS 1101−CE、こ
こで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚
み(15μm)以下とする) 170重量部、消泡剤(サンノ
プコ製 ペレノールS4)0.5 重量部を混合する。これ
を3本ロールによって混練することにより、その混合物
の粘度を23±1℃で45,000〜49,000cps に調整する。そ
して、かかる充填剤をロールコータ等の従来公知の塗布
方法によりコア基板1に塗布しかつ乾燥・硬化させるこ
とで、樹脂充填層2を形成している。なお、この後にベ
ルトサンダー等による研磨を行なうことで、よりいっそ
う表面平滑化を図ってもよい。
【0026】次に、内層導体パターン3等が形成された
コア基板1上に、接着剤層4、高靭性樹脂層5及び無電
解めっき用接着剤層6が前記順序で積層されてなる層間
絶縁層7を形成する(図1参照)。即ち、この層間絶縁
層7においては、第1の樹脂層である接着剤層4が最下
層に位置し、第2の樹脂層である無電解めっき用接着剤
層6が最表層に位置している。両接着剤層4,6間には
高靭性樹脂層5が介在している。
コア基板1上に、接着剤層4、高靭性樹脂層5及び無電
解めっき用接着剤層6が前記順序で積層されてなる層間
絶縁層7を形成する(図1参照)。即ち、この層間絶縁
層7においては、第1の樹脂層である接着剤層4が最下
層に位置し、第2の樹脂層である無電解めっき用接着剤
層6が最表層に位置している。両接着剤層4,6間には
高靭性樹脂層5が介在している。
【0027】無電解めっき用接着剤層6は、高靱性樹脂
層5及び接着剤層4を介して、その下層にある内層導体
パターン3等の導体層と一体化している。それゆえ、下
層導体層とそれが接触する前記樹脂充填層2とは密着し
ていない。このため、ヒートサイクル時に層間絶縁層7
に発生する応力が高靱性樹脂層5によって吸収され、そ
れによりクラックの発生が抑制される。また、下層導体
層の断線も防止される。
層5及び接着剤層4を介して、その下層にある内層導体
パターン3等の導体層と一体化している。それゆえ、下
層導体層とそれが接触する前記樹脂充填層2とは密着し
ていない。このため、ヒートサイクル時に層間絶縁層7
に発生する応力が高靱性樹脂層5によって吸収され、そ
れによりクラックの発生が抑制される。また、下層導体
層の断線も防止される。
【0028】前記高靱性樹脂層5は、その破壊伸度が無
電解めっき用接着剤層6を構成する樹脂よりも大きけれ
ばよい。このようなものとしては、例えばポイリミド、
熱可塑性樹脂、ゴム等がある。これらは、靱性が高くて
破壊伸度も大きいため、応力を充分吸収できるからであ
る。
電解めっき用接着剤層6を構成する樹脂よりも大きけれ
ばよい。このようなものとしては、例えばポイリミド、
熱可塑性樹脂、ゴム等がある。これらは、靱性が高くて
破壊伸度も大きいため、応力を充分吸収できるからであ
る。
【0029】ポリイミドとしては、イミド構造とビフェ
ニル構造とを兼ね備えるものがよい。その理由は、耐ア
ルカリ性などの耐薬品性に優れ、破壊伸度も60%と高
いからである。
ニル構造とを兼ね備えるものがよい。その理由は、耐ア
ルカリ性などの耐薬品性に優れ、破壊伸度も60%と高
いからである。
【0030】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン(PES:破壊伸度40〜80%)、ポリスルフ
ォン(PS:破壊伸度50〜100%)、ポリフェニレ
ンエーテル(PPE:破壊伸度50%)、ポリフェニレ
ンスルフォン(PPES:破壊伸度60〜120%)な
どがある。
フォン(PES:破壊伸度40〜80%)、ポリスルフ
ォン(PS:破壊伸度50〜100%)、ポリフェニレ
ンエーテル(PPE:破壊伸度50%)、ポリフェニレ
ンスルフォン(PPES:破壊伸度60〜120%)な
どがある。
【0031】また、ゴムとしては、アクリロニトリル−
ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、
スチレンブタジエン共重合、ポリアミド、ポリエチレン
テレフタレートやシリコーンゴムなどが使用可能であ
る。
ブタジエンゴム、ブタジエンゴム、クロロプレンゴム、
スチレンブタジエン共重合、ポリアミド、ポリエチレン
テレフタレートやシリコーンゴムなどが使用可能であ
る。
【0032】なお、ポイリミド、熱可塑性樹脂、ゴム等
はフィルム状であることがよい。前記接着剤層4の形成
には、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン樹脂などの各種樹脂が使用可能であ
る。この場合、特に脂環式エポキシ樹脂の使用が望まし
い。脂環式エポキシ樹脂の利点は、誘電率を4以下にで
きるため信号の伝搬遅延を防止できること、破壊伸度が
クレゾールノボラック型のエポキシ樹脂よりも大きいこ
と等である。具体的にいうと本実施形態では、脂環式エ
ポキシ樹脂であるジシクロペンタジエン変成エポキシ樹
脂(大日本インキ株式会社製:EPICLON HP−
7200)をDMDGに溶解させて接着剤層4に使用さ
れる樹脂溶液としている。なお、接着剤層4はこの組成
のようにフィラーを含まないことが望ましい。
はフィルム状であることがよい。前記接着剤層4の形成
には、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン樹脂などの各種樹脂が使用可能であ
る。この場合、特に脂環式エポキシ樹脂の使用が望まし
い。脂環式エポキシ樹脂の利点は、誘電率を4以下にで
きるため信号の伝搬遅延を防止できること、破壊伸度が
クレゾールノボラック型のエポキシ樹脂よりも大きいこ
と等である。具体的にいうと本実施形態では、脂環式エ
ポキシ樹脂であるジシクロペンタジエン変成エポキシ樹
脂(大日本インキ株式会社製:EPICLON HP−
7200)をDMDGに溶解させて接着剤層4に使用さ
れる樹脂溶液としている。なお、接着剤層4はこの組成
のようにフィラーを含まないことが望ましい。
【0033】無電解めっき用接着剤層6は、例えばクレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂やビスフェノール型エ
ポキシ樹脂などの各種エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
ビスマレイミドトリアジン樹脂等を主成分とする無電解
めっき用接着剤を用いて形成される。各種エポキシ樹脂
のなかでも、特に脂環式エポキシ樹脂が好ましい。
ゾールノボラック型エポキシ樹脂やビスフェノール型エ
ポキシ樹脂などの各種エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
ビスマレイミドトリアジン樹脂等を主成分とする無電解
めっき用接着剤を用いて形成される。各種エポキシ樹脂
のなかでも、特に脂環式エポキシ樹脂が好ましい。
【0034】また、無電解めっき用接着剤層6は少なく
とも熱硬化性を有し、加熱することにより硬化するもの
であることが好ましい。その理由は、加熱による硬化法
であると、他の硬化法を採った場合に比べて装置が簡単
で済み、しかも確実に樹脂を硬化させることができるか
らである。なお、熱硬化性に併せて光硬化性を有してい
てもよい。
とも熱硬化性を有し、加熱することにより硬化するもの
であることが好ましい。その理由は、加熱による硬化法
であると、他の硬化法を採った場合に比べて装置が簡単
で済み、しかも確実に樹脂を硬化させることができるか
らである。なお、熱硬化性に併せて光硬化性を有してい
てもよい。
【0035】具体的にいうと本実施形態では、下記のよ
うにして得られた無電解めっき用接着剤を用いている。
即ち、脂環式エポキシ樹脂であるジシクロペンタジエン
変成エポキシ樹脂(大日本インキ株式会社製:EPIC
LON HP−7200)を35重量部、イミダゾール
硬化剤(四国化成製:商品名2E4MZ−CN)2重量
部、消泡剤(サンノプコ社製:S−65)0.5重量
部、さらにこの混合物に対して易溶性樹脂フィラーを全
く混合することなく、NMP30重量部を添加しながら
混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度7Pa・sに調整
したものである。無電解めっき用接着剤は、この組成の
ようにフィラーを含まないことが望ましい。
うにして得られた無電解めっき用接着剤を用いている。
即ち、脂環式エポキシ樹脂であるジシクロペンタジエン
変成エポキシ樹脂(大日本インキ株式会社製:EPIC
LON HP−7200)を35重量部、イミダゾール
硬化剤(四国化成製:商品名2E4MZ−CN)2重量
部、消泡剤(サンノプコ社製:S−65)0.5重量
部、さらにこの混合物に対して易溶性樹脂フィラーを全
く混合することなく、NMP30重量部を添加しながら
混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度7Pa・sに調整
したものである。無電解めっき用接着剤は、この組成の
ようにフィラーを含まないことが望ましい。
【0036】無電解めっき用接着剤層6の厚さは、2μ
m〜50μm程度がよい。これが薄すぎると、密着強度
が低下するからである。逆にこれが厚すぎると、バイア
ホール形成用穴9のアスペクト比が大きくなり、めっき
が着きにくくなるからである。
m〜50μm程度がよい。これが薄すぎると、密着強度
が低下するからである。逆にこれが厚すぎると、バイア
ホール形成用穴9のアスペクト比が大きくなり、めっき
が着きにくくなるからである。
【0037】高靱性樹脂層5の厚さは1μm〜50μm
程度、さらには5μm〜50μm程度、特には20μm
〜30μm程度がよい。これが薄すぎると、クラックを
抑制する効果が低下するからである。また、フィルム状
である場合には、薄すぎると取扱性が悪化する。逆に、
これが厚すぎると、バイアホール形成用穴9のアスペク
ト比が大きくなり、めっきが着きにくくなるからであ
る。
程度、さらには5μm〜50μm程度、特には20μm
〜30μm程度がよい。これが薄すぎると、クラックを
抑制する効果が低下するからである。また、フィルム状
である場合には、薄すぎると取扱性が悪化する。逆に、
これが厚すぎると、バイアホール形成用穴9のアスペク
ト比が大きくなり、めっきが着きにくくなるからであ
る。
【0038】接着剤層4の厚さは、0.1μm〜30μ
m程度がよい。これが薄すぎると、コア基板1の導体層
と密着しにくくなるからである。逆に、これが厚すぎる
と、バイアホール形成用穴9のアスペクト比が大きくな
り、めっきが着きにくくなるからである。
m程度がよい。これが薄すぎると、コア基板1の導体層
と密着しにくくなるからである。逆に、これが厚すぎる
と、バイアホール形成用穴9のアスペクト比が大きくな
り、めっきが着きにくくなるからである。
【0039】なお、層間絶縁層7の形成には、例えば層
間絶縁層形成用フィルム状物を使用することがよい。か
かるフィルム状物とは、高靭性樹脂からなるフィルムの
片側面に、無電解めっき用樹脂の塗布により形成された
無電解めっき用接着剤層6を備えるものをいう。このよ
うなフィルム状物は、あらかじめ接着剤が塗布されたコ
ア基板1に圧着される。
間絶縁層形成用フィルム状物を使用することがよい。か
かるフィルム状物とは、高靭性樹脂からなるフィルムの
片側面に、無電解めっき用樹脂の塗布により形成された
無電解めっき用接着剤層6を備えるものをいう。このよ
うなフィルム状物は、あらかじめ接着剤が塗布されたコ
ア基板1に圧着される。
【0040】具体的にいうと本実施形態では、厚さ25
μmのポリイミドフィルム(宇部興産:ユーピレック
ス)5の片面に、前述の無電解めっき用接着剤を塗布し
かつ60℃で乾燥させることで、未硬化で厚さ5μmの
無電解めっき用接着剤層6を形成した。ここで未硬化と
は、いわゆるBステージの状態であることがよい。な
お、無電解めっき用接着剤層6を未硬化としたのは、後
述する粗面形成方法により粗面6aを形成する際の便宜
を図るためである。即ち、樹脂が既に硬化して流動性を
失っていると、樹脂が微細な凹凸8aに対して充分に入
り込むことができないからである。
μmのポリイミドフィルム(宇部興産:ユーピレック
ス)5の片面に、前述の無電解めっき用接着剤を塗布し
かつ60℃で乾燥させることで、未硬化で厚さ5μmの
無電解めっき用接着剤層6を形成した。ここで未硬化と
は、いわゆるBステージの状態であることがよい。な
お、無電解めっき用接着剤層6を未硬化としたのは、後
述する粗面形成方法により粗面6aを形成する際の便宜
を図るためである。即ち、樹脂が既に硬化して流動性を
失っていると、樹脂が微細な凹凸8aに対して充分に入
り込むことができないからである。
【0041】そして、本実施形態では、あらかじめ接着
剤層4が形成されたコア基板1上に前記フィルム状物を
載置し、ラミネート装置を用いて両者を圧着させた(図
1参照)。この場合、ラミネート温度は150℃〜20
0℃に、ラミネート圧は1kg/cm2 〜100kg/
cm2 に設定される。脂環式エポキシ樹脂を接着剤層4
に使用しかつポリイミドフィルム5を採用した本実施形
態では、ラミネート温度を175℃に、ラミネート圧を
20kg/cm2 に設定している。
剤層4が形成されたコア基板1上に前記フィルム状物を
載置し、ラミネート装置を用いて両者を圧着させた(図
1参照)。この場合、ラミネート温度は150℃〜20
0℃に、ラミネート圧は1kg/cm2 〜100kg/
cm2 に設定される。脂環式エポキシ樹脂を接着剤層4
に使用しかつポリイミドフィルム5を採用した本実施形
態では、ラミネート温度を175℃に、ラミネート圧を
20kg/cm2 に設定している。
【0042】ここで、層間絶縁層7が形成されたコア基
板1に対する粗面形成を行うべく、微細な凹凸8aを有
する金属箔8を未硬化の無電解めっき用接着剤層6に圧
着する(図2参照)。このとき、微細な凹凸8aがある
面を無電解めっき用接着剤層6の側に配置する。する
と、未硬化の樹脂が流動して、その微細な凹凸8aに入
り込む。
板1に対する粗面形成を行うべく、微細な凹凸8aを有
する金属箔8を未硬化の無電解めっき用接着剤層6に圧
着する(図2参照)。このとき、微細な凹凸8aがある
面を無電解めっき用接着剤層6の側に配置する。する
と、未硬化の樹脂が流動して、その微細な凹凸8aに入
り込む。
【0043】前記金属箔8の圧着は、コア基板1にフィ
ルム状物をラミネートする際に同時に行われることが望
ましい。別個にラミネートを実施する場合に比べて工程
数が少なくなり、生産効率が向上するからである。
ルム状物をラミネートする際に同時に行われることが望
ましい。別個にラミネートを実施する場合に比べて工程
数が少なくなり、生産効率が向上するからである。
【0044】使用される金属箔8としては、例えば銅
箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、スズ箔、金箔、銀箔
等がある。これらのなかでも特に銅箔8を使用すること
が望ましい。銅箔8はそれ自体が廉価であるという利点
に加えて、特殊なエッチャントを用いることなく通常の
もので簡単にかつ確実に除去できるという利点があるか
らである。
箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、スズ箔、金箔、銀箔
等がある。これらのなかでも特に銅箔8を使用すること
が望ましい。銅箔8はそれ自体が廉価であるという利点
に加えて、特殊なエッチャントを用いることなく通常の
もので簡単にかつ確実に除去できるという利点があるか
らである。
【0045】金属箔8として銅箔8を用いた場合、圧着
前におけるその厚さは9μm 〜18μm程度であること
がよい。これが薄すぎると、微細な凹凸8aの形成が困
難になるばかりでなく、箔に変形等が生じやすくなるこ
とで取扱性も悪くなるからである。一方、これが厚すぎ
ると、湿式エッチングにより溶解すべき量が増えること
で、処理時間が長くなりかつ材料の無駄も増えるからで
ある。
前におけるその厚さは9μm 〜18μm程度であること
がよい。これが薄すぎると、微細な凹凸8aの形成が困
難になるばかりでなく、箔に変形等が生じやすくなるこ
とで取扱性も悪くなるからである。一方、これが厚すぎ
ると、湿式エッチングにより溶解すべき量が増えること
で、処理時間が長くなりかつ材料の無駄も増えるからで
ある。
【0046】また、銅箔8の表面粗度は2μm 〜6μm
程度がよい。これが小さすぎても大きすぎても、好適な
アンカー用凹部の形成が困難になるからである。具体的
にいうと本実施形態では、厚さ12μm,表面粗度4μ
mの銅箔8を使用している。
程度がよい。これが小さすぎても大きすぎても、好適な
アンカー用凹部の形成が困難になるからである。具体的
にいうと本実施形態では、厚さ12μm,表面粗度4μ
mの銅箔8を使用している。
【0047】金属箔8に微細な凹凸8aを形成する方法
としては、圧延された金属箔8に対するエンボス加工の
ほか、エッチング等による方法や、サンドブラストやシ
ョットブラスト等による方法がある。
としては、圧延された金属箔8に対するエンボス加工の
ほか、エッチング等による方法や、サンドブラストやシ
ョットブラスト等による方法がある。
【0048】次に、金属箔8を圧着した状態でコア基板
1を加熱し、無電解めっき用接着剤層6を熱硬化させ
る。すると、樹脂の流動性が失われて、前記微細な凹凸
8aに対応する形状のアンカー用凹部が、無電解めっき
用接着剤層6の表面に多数形成される。即ち、層間絶縁
層7の表層に好適な粗面6aが形成される。
1を加熱し、無電解めっき用接着剤層6を熱硬化させ
る。すると、樹脂の流動性が失われて、前記微細な凹凸
8aに対応する形状のアンカー用凹部が、無電解めっき
用接着剤層6の表面に多数形成される。即ち、層間絶縁
層7の表層に好適な粗面6aが形成される。
【0049】さらに、図3に示されるように、コア基板
1をエッチャントで処理することにより、層間絶縁層7
上の金属箔8を湿式エッチングにより除去する。その結
果、金属箔8の下にあった粗面6aが露出する。金属箔
8の除去方法として湿式エッチングを採用した理由は、
処理の際にアンカー用凹部に大きな応力が加わることが
ないからである。従って、形成された好適な形状のアン
カー用凹部は、破壊されることなく後の無電解めっき工
程まで確実に保持される。
1をエッチャントで処理することにより、層間絶縁層7
上の金属箔8を湿式エッチングにより除去する。その結
果、金属箔8の下にあった粗面6aが露出する。金属箔
8の除去方法として湿式エッチングを採用した理由は、
処理の際にアンカー用凹部に大きな応力が加わることが
ないからである。従って、形成された好適な形状のアン
カー用凹部は、破壊されることなく後の無電解めっき工
程まで確実に保持される。
【0050】なお、金属箔8として銅箔8を選択した場
合には、エッチャントとして、例えば塩化第二鉄、塩化
第二銅、硫酸と過酸化水素の混合液、過硫酸塩などを使
用し、通常の条件でエッチングを行えばよい。具体的に
いうと本実施形態では塩化第二銅を使用している。
合には、エッチャントとして、例えば塩化第二鉄、塩化
第二銅、硫酸と過酸化水素の混合液、過硫酸塩などを使
用し、通常の条件でエッチングを行えばよい。具体的に
いうと本実施形態では塩化第二銅を使用している。
【0051】次に、炭酸ガスレーザ照射装置を用い、開
口径を30μmに設定して、バイアホール形成用穴9の
穴あけを行う(図4参照)。層間絶縁層7においてレー
ザ光が照射された部分は、一瞬のうちに高温になり気化
する。炭酸ガスレーザのほかにも、例えば紫外線レーザ
やエキシマレーザ等を使用してもよい。
口径を30μmに設定して、バイアホール形成用穴9の
穴あけを行う(図4参照)。層間絶縁層7においてレー
ザ光が照射された部分は、一瞬のうちに高温になり気化
する。炭酸ガスレーザのほかにも、例えば紫外線レーザ
やエキシマレーザ等を使用してもよい。
【0052】さらに、ここではフルアディティブ法によ
りパターン形成を行うべく、前記粗面6aに対して触媒
核を付与した後、図示しないめっきレジストを形成す
る。そして、前記めっきレジストの非形成部分に対して
無電解めっきを施す。その結果、バイアホール形成用穴
9がバイアホール内導体層10で充填され、バイアホー
ル11が完成する(図5参照)。
りパターン形成を行うべく、前記粗面6aに対して触媒
核を付与した後、図示しないめっきレジストを形成す
る。そして、前記めっきレジストの非形成部分に対して
無電解めっきを施す。その結果、バイアホール形成用穴
9がバイアホール内導体層10で充填され、バイアホー
ル11が完成する(図5参照)。
【0053】触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金属
コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、塩
化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。なお、
触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望まし
い。このような触媒核としてはパラジウムがよい。
コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、塩
化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。なお、
触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望まし
い。このような触媒核としてはパラジウムがよい。
【0054】また、めっきレジストとしては、市販のド
ライフィルムを使用することができる。とくには、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂やフェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂をメ
タクリル酸やアクリル酸でアクリル化した樹脂と、イミ
ダゾール硬化剤とからなる感光性樹脂組成物を使用する
ことが望ましい。解像度や耐塩基性に優れるからであ
る。
ライフィルムを使用することができる。とくには、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂やフェノールノボラッ
ク型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂をメ
タクリル酸やアクリル酸でアクリル化した樹脂と、イミ
ダゾール硬化剤とからなる感光性樹脂組成物を使用する
ことが望ましい。解像度や耐塩基性に優れるからであ
る。
【0055】バイアホール形成用穴9を無電解めっきに
て充填形成する場合(いわゆるフィルドビア形成の場
合)は、以下のようにすることがよい。即ち、無電解め
っき用接着剤層6上に触媒核を付与する前に、バイアホ
ール形成用穴9から露出する下層の導体層の表面を酸で
処理する。このような活性化処理の後、次いで無電解め
っき液に浸漬する。これは表面の酸化皮膜を除去し、め
っきを析出しやすくさせるためである。
て充填形成する場合(いわゆるフィルドビア形成の場
合)は、以下のようにすることがよい。即ち、無電解め
っき用接着剤層6上に触媒核を付与する前に、バイアホ
ール形成用穴9から露出する下層の導体層の表面を酸で
処理する。このような活性化処理の後、次いで無電解め
っき液に浸漬する。これは表面の酸化皮膜を除去し、め
っきを析出しやすくさせるためである。
【0056】具体的には本実施形態では、コア基板1を
下記の組成の無電解銅めっき液に約6時間浸漬すること
により、バイアホール形成用穴9への無電解銅めっきを
行った。
下記の組成の無電解銅めっき液に約6時間浸漬すること
により、バイアホール形成用穴9への無電解銅めっきを
行った。
【0057】 金属塩… CuSO4・5H2O : 8.6 mM 錯化剤…TEA : 0.15M 還元剤…HCHO : 0.02M その他…安定剤(ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等):少量 析出速度は、6μm/時間 次いで、めっきでバイアホール形成用穴9を充填した
後、無電解めっき用接着剤層6上に触媒核を付与し、め
っきレジスト(永久レジスト12)を設ける。この状態
で無電解めっきを行うことにより、レジスト非形成部分
に外層導体パターン13を形成する。このようにして形
成される外層導体パターン13と内層導体パターン3と
は、バイアホール11を介して電気的に接続される。
等):少量 析出速度は、6μm/時間 次いで、めっきでバイアホール形成用穴9を充填した
後、無電解めっき用接着剤層6上に触媒核を付与し、め
っきレジスト(永久レジスト12)を設ける。この状態
で無電解めっきを行うことにより、レジスト非形成部分
に外層導体パターン13を形成する。このようにして形
成される外層導体パターン13と内層導体パターン3と
は、バイアホール11を介して電気的に接続される。
【0058】この工程で使用される無電解めっき液とし
ては、無電解銅めっき液が使用されることがよい。より
詳細には、銅イオン、トリアルカノールアミン、還元剤
及びpH調整剤からなる無電解めっき液が有利である。
高速めっきを実現できるからである。
ては、無電解銅めっき液が使用されることがよい。より
詳細には、銅イオン、トリアルカノールアミン、還元剤
及びpH調整剤からなる無電解めっき液が有利である。
高速めっきを実現できるからである。
【0059】前記トリアルカノールアミンは、トリエタ
ノールアミン、トリイソパノールアミン、トリメタノー
ルアミン及びトリプロパノールアミンから選ばれる少な
くとも1種であることが望ましい。前記アミン類は水溶
性だからである。
ノールアミン、トリイソパノールアミン、トリメタノー
ルアミン及びトリプロパノールアミンから選ばれる少な
くとも1種であることが望ましい。前記アミン類は水溶
性だからである。
【0060】この無電解めっき液に用いられる還元剤
は、アルデヒド、次亜リン酸塩、水素化ホウ素塩及びヒ
ドラジンから選ばれる少なくとも1種であることが望ま
しい。先に列挙した物質は水溶性であり、塩基性条件下
で還元力を持つからである。
は、アルデヒド、次亜リン酸塩、水素化ホウ素塩及びヒ
ドラジンから選ばれる少なくとも1種であることが望ま
しい。先に列挙した物質は水溶性であり、塩基性条件下
で還元力を持つからである。
【0061】また、pH調整剤は、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム及び水酸化カルシウムから選ばれる少な
くとも1種であることが望ましい。なお、導体層と無電
解めっき用接着剤層との密着力を向上させる方法として
は、以下のような方法もある。即ち、銅、ニッケル、コ
バルト及びリンから選ばれる少なくとも2種以上の金属
イオンを使用した合金めっきを一次めっきとして施した
後、銅めっきを二次めっきとして施す方法である。これ
らの合金は強度が高く、ピール強度を向上させることが
できるからである。
水酸化カリウム及び水酸化カルシウムから選ばれる少な
くとも1種であることが望ましい。なお、導体層と無電
解めっき用接着剤層との密着力を向上させる方法として
は、以下のような方法もある。即ち、銅、ニッケル、コ
バルト及びリンから選ばれる少なくとも2種以上の金属
イオンを使用した合金めっきを一次めっきとして施した
後、銅めっきを二次めっきとして施す方法である。これ
らの合金は強度が高く、ピール強度を向上させることが
できるからである。
【0062】具体的にいうと本実施形態では、永久レジ
スト12が形成されたコア基板1に対して、下記組成を
有する無電解銅−ニッケル合金めっき浴を用いて一次め
っきを行い、レジスト非形成部分に厚さ約1.7 μmの銅
−ニッケル−リンめっき薄膜を形成した。めっき浴の温
度は60℃とし、めっき浸漬時間は1時間とした。
スト12が形成されたコア基板1に対して、下記組成を
有する無電解銅−ニッケル合金めっき浴を用いて一次め
っきを行い、レジスト非形成部分に厚さ約1.7 μmの銅
−ニッケル−リンめっき薄膜を形成した。めっき浴の温
度は60℃とし、めっき浸漬時間は1時間とした。
【0063】 金属塩… CuSO4・5H2O : 6.0 mM(1.5 g/l) … NiSO4・6H2O : 95.1 mM(25g/l) 錯化剤… Na3C6H5O7 : 0.23M (60g/l) 還元剤… NaPH2O2・H2O : 0.19M (20g/l) pH調節剤…NaOH : 0.75M (pH=9.5 ) 安定剤…硝酸鉛 : 0.2 mM(80ppm ) 界面活性剤 : 0.05g/l 析出速度は、1.7 μm/時間 また、一次めっき処理したコア基板1を、前記めっき浴
から引き上げて表面に付着しているめっき浴を水で洗い
流し、さらに、そのコア基板1を酸性溶液で処理するこ
とにより、銅−ニッケル−リンめっき薄膜表層の酸化皮
膜を除去した。その後、Pd置換を行うことなく、国際公
開番号WO96/20294号の国際特許出願に記載の
前処理液で活性化処理を施し、銅−ニッケル−リンめっ
き薄膜上に、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて二次
めっきを施した。めっき浴の温度は50〜70℃とし、めっ
き浸漬時間は90〜360 分とした。
から引き上げて表面に付着しているめっき浴を水で洗い
流し、さらに、そのコア基板1を酸性溶液で処理するこ
とにより、銅−ニッケル−リンめっき薄膜表層の酸化皮
膜を除去した。その後、Pd置換を行うことなく、国際公
開番号WO96/20294号の国際特許出願に記載の
前処理液で活性化処理を施し、銅−ニッケル−リンめっ
き薄膜上に、下記組成の無電解銅めっき浴を用いて二次
めっきを施した。めっき浴の温度は50〜70℃とし、めっ
き浸漬時間は90〜360 分とした。
【0064】 金属塩… CuSO4・5H2O : 8.6 mM 錯化剤…TEA : 0.15M 還元剤…HCHO : 0.02M その他…安定剤(ビピリジル、フェロシアン化カリウム
等):少量 析出速度は、6μm/時間 また、本実施形態では永久レジスト12の作製を以下の
ような手順で行った。まず、感光性エポキシ樹脂からな
る液状のワニスを作製し、それをコア基板1にロールコ
ーターを用いて塗布し、60℃で30分の乾燥を行っ
た。それにより厚さ30μmのレジスト層とした。次い
でフォトマスクフィルムを載置して400mJ/cm2
の紫外線を照射しかつ露光した。フォトマスクフィルム
を取り除き、レジスト層をDMTGで溶解現像した後、
開口部を所定箇所に有するめっき用レジストをコア基板
1上に形成した。さらに超高圧水銀灯によって6000
mJ/cm2 で露光し、100℃で1時間かつ150℃
で3時間の加熱処理を行い、永久レジスト12とした。
等):少量 析出速度は、6μm/時間 また、本実施形態では永久レジスト12の作製を以下の
ような手順で行った。まず、感光性エポキシ樹脂からな
る液状のワニスを作製し、それをコア基板1にロールコ
ーターを用いて塗布し、60℃で30分の乾燥を行っ
た。それにより厚さ30μmのレジスト層とした。次い
でフォトマスクフィルムを載置して400mJ/cm2
の紫外線を照射しかつ露光した。フォトマスクフィルム
を取り除き、レジスト層をDMTGで溶解現像した後、
開口部を所定箇所に有するめっき用レジストをコア基板
1上に形成した。さらに超高圧水銀灯によって6000
mJ/cm2 で露光し、100℃で1時間かつ150℃
で3時間の加熱処理を行い、永久レジスト12とした。
【0065】そして、以上のような各工程を経ることに
より、所望の多層配線板14が製造される。なお、層間
絶縁層7の形成以降の工程を必要に応じて繰り返してビ
ルドアップを行えば、さらに多層化した多層配線板14
を得ることができる。
より、所望の多層配線板14が製造される。なお、層間
絶縁層7の形成以降の工程を必要に応じて繰り返してビ
ルドアップを行えば、さらに多層化した多層配線板14
を得ることができる。
【0066】さて、以下に本実施形態において特徴的な
作用効果を列挙する。 (イ)本実施形態の製造方法によると、上述のような各
工程を経て確実に粗面6aを形成することができる。こ
の場合、易溶性の樹脂フィラーを層間絶縁層7に分散さ
せておく必要がないばかりでなく、それを溶解するため
の粗化剤も不要である。従って、粗化剤による樹脂フィ
ラーの溶解に起因していた従来の問題が解消される。即
ち、層間絶縁層7においてレーザ光が散乱することがな
いため、ファインなバイアホール形成用穴9を精度よく
形成することができ、バイアホール11の形成精度が確
実に向上する。また、層間絶縁層7の吸湿の原因となる
樹脂フィラーが省略されることで、信頼性の向上が図ら
れる。さらに、樹脂フィラーの省略により無電解めっき
用接着剤が安価になるため、多層配線板14の低コスト
化が図られる。また、粗化剤を用いないため廃液が生じ
ないという利益が得られる。
作用効果を列挙する。 (イ)本実施形態の製造方法によると、上述のような各
工程を経て確実に粗面6aを形成することができる。こ
の場合、易溶性の樹脂フィラーを層間絶縁層7に分散さ
せておく必要がないばかりでなく、それを溶解するため
の粗化剤も不要である。従って、粗化剤による樹脂フィ
ラーの溶解に起因していた従来の問題が解消される。即
ち、層間絶縁層7においてレーザ光が散乱することがな
いため、ファインなバイアホール形成用穴9を精度よく
形成することができ、バイアホール11の形成精度が確
実に向上する。また、層間絶縁層7の吸湿の原因となる
樹脂フィラーが省略されることで、信頼性の向上が図ら
れる。さらに、樹脂フィラーの省略により無電解めっき
用接着剤が安価になるため、多層配線板14の低コスト
化が図られる。また、粗化剤を用いないため廃液が生じ
ないという利益が得られる。
【0067】加えて、この多層配線板14では好適な形
状のアンカー用凹部を備える粗面6a上に外層導体パタ
ーン13が形成されるようになっている。このため、層
間絶縁層7と外層導体パターン13との間には、高い密
着性が確保されている。従って、ヒートサイクル時にお
いても外層導体パターン13が層間絶縁層7から剥離し
にくい。よって、耐熱性及び信頼性に優れた多層配線板
14を実現することができる。
状のアンカー用凹部を備える粗面6a上に外層導体パタ
ーン13が形成されるようになっている。このため、層
間絶縁層7と外層導体パターン13との間には、高い密
着性が確保されている。従って、ヒートサイクル時にお
いても外層導体パターン13が層間絶縁層7から剥離し
にくい。よって、耐熱性及び信頼性に優れた多層配線板
14を実現することができる。
【0068】(ロ)本実施形態では、層間絶縁層7内に
高靭性樹脂層5としてのポリイミドフィルム5を設けて
いる。そのため、応力を充分に吸収することができ、ヒ
ートサイクル時におけるクラックの発生がより確実に抑
制される。また、クラックが仮に発生したときであって
もその進行が確実にくい止められる。
高靭性樹脂層5としてのポリイミドフィルム5を設けて
いる。そのため、応力を充分に吸収することができ、ヒ
ートサイクル時におけるクラックの発生がより確実に抑
制される。また、クラックが仮に発生したときであって
もその進行が確実にくい止められる。
【0069】加えて、ポリイミドフィルム5は電気的特
性や耐熱性にも優れているため、高性能の多層配線板1
4を製造することができる。また、ポリイミドフィルム
5の厚さは上記の好適範囲内にあることから、層間絶縁
層7の肉厚化や高コスト化等を伴うことなく、応力吸収
という効果を充分に得ることができる。
性や耐熱性にも優れているため、高性能の多層配線板1
4を製造することができる。また、ポリイミドフィルム
5の厚さは上記の好適範囲内にあることから、層間絶縁
層7の肉厚化や高コスト化等を伴うことなく、応力吸収
という効果を充分に得ることができる。
【0070】(ハ)さらに、第2の樹脂層である無電解
めっき用接着剤層6はBステージであって、ポリイミド
フィルム5にあらかじめ塗布されている。ゆえに、平滑
性に優れているばかりでなく、取扱性にも優れている。
このことはバイアホール11の形成精度の向上にも確実
に寄与する。
めっき用接着剤層6はBステージであって、ポリイミド
フィルム5にあらかじめ塗布されている。ゆえに、平滑
性に優れているばかりでなく、取扱性にも優れている。
このことはバイアホール11の形成精度の向上にも確実
に寄与する。
【0071】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはなく、例えば次のような形態に変更することが可
能である。 ◎ コア基板1の片側面のみにビルドアップ層を形成し
た実施形態に代え、コア基板1の両面にビルドアップ層
を形成しても勿論よい。
ことはなく、例えば次のような形態に変更することが可
能である。 ◎ コア基板1の片側面のみにビルドアップ層を形成し
た実施形態に代え、コア基板1の両面にビルドアップ層
を形成しても勿論よい。
【0072】◎ あらかじめ接着剤が塗布されたコア基
板1上に高靭性樹脂フィルム5のみを圧着した後、その
上面に無電解めっき用接着剤を塗布することにより無電
解めっき用接着剤層6を形成するという方法を採用して
もよい。また、無電解めっき用接着剤層6の塗布形成に
代えて、無電解めっき用接着剤フィルムを圧着してもよ
い。
板1上に高靭性樹脂フィルム5のみを圧着した後、その
上面に無電解めっき用接着剤を塗布することにより無電
解めっき用接着剤層6を形成するという方法を採用して
もよい。また、無電解めっき用接着剤層6の塗布形成に
代えて、無電解めっき用接着剤フィルムを圧着してもよ
い。
【0073】◎ 高靭性樹脂層5はフィルム状でなくて
もよく、例えば樹脂材料の塗布により形成されたもので
あってもよい。 ◎ 外層導体パターン14の形成としては実施形態のよ
うなフルアディテイブ法によるばかりでなく、例えばセ
ミアディティブ法を採用しても勿論よい。セミアディテ
ィブ法では、必要に応じて無電解めっき用接着剤層を粗
化処理し、触媒核を付与する。その後、層間絶縁層7の
全面に無電解めっきを施して、導体層とバイアホール1
1とを形成する。さらに、パターン非形成部分にめっき
レジストを形成した状態で電解めっきを施し、外層導体
パターン13及びバイアホール11の厚付けを行う。こ
の後、めっきレジストを除去してエッチングを行い、外
層導体パターン13を独立化する。
もよく、例えば樹脂材料の塗布により形成されたもので
あってもよい。 ◎ 外層導体パターン14の形成としては実施形態のよ
うなフルアディテイブ法によるばかりでなく、例えばセ
ミアディティブ法を採用しても勿論よい。セミアディテ
ィブ法では、必要に応じて無電解めっき用接着剤層を粗
化処理し、触媒核を付与する。その後、層間絶縁層7の
全面に無電解めっきを施して、導体層とバイアホール1
1とを形成する。さらに、パターン非形成部分にめっき
レジストを形成した状態で電解めっきを施し、外層導体
パターン13及びバイアホール11の厚付けを行う。こ
の後、めっきレジストを除去してエッチングを行い、外
層導体パターン13を独立化する。
【0074】◎ バイアホール内導体層10の形成のた
めの無電解めっきと、外層導体パターン13の形成のた
めの無電解めっきとを、同じ無電解めっき液を用いて同
時に行ってもよい。
めの無電解めっきと、外層導体パターン13の形成のた
めの無電解めっきとを、同じ無電解めっき液を用いて同
時に行ってもよい。
【0075】◎ 前記実施形態の粗面形成方法は、例え
ば高靭性樹脂層5を持たない層間絶縁層7の表層に対し
て粗面6aを形成する際などにおいても勿論有効であ
る。ここで、特許請求の範囲に記載された技術的思想の
ほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思
想をその効果とともに以下に列挙する。
ば高靭性樹脂層5を持たない層間絶縁層7の表層に対し
て粗面6aを形成する際などにおいても勿論有効であ
る。ここで、特許請求の範囲に記載された技術的思想の
ほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思
想をその効果とともに以下に列挙する。
【0076】(1) 請求項2〜4のいずれか1項にお
いて、前記第2の樹脂層は少なくとも熱硬化性を有し、
同層は加熱することで硬化されることを特徴とする多層
配線板の製造方法。この方法であると、他の硬化法を採
った場合に比べて、装置が簡単で済み、しかも確実に樹
脂を硬化させることができる。
いて、前記第2の樹脂層は少なくとも熱硬化性を有し、
同層は加熱することで硬化されることを特徴とする多層
配線板の製造方法。この方法であると、他の硬化法を採
った場合に比べて、装置が簡単で済み、しかも確実に樹
脂を硬化させることができる。
【0077】(2) 請求項1〜4のいずれか1項にお
いて、前記金属箔は銅箔であることを特徴とする多層配
線板の製造方法。この方法であると、銅箔自体が廉価で
あるという利点に加えて、特殊なエッチャントを用いる
ことなく通常のもので簡単にかつ確実に除去できるとい
う利点がある。
いて、前記金属箔は銅箔であることを特徴とする多層配
線板の製造方法。この方法であると、銅箔自体が廉価で
あるという利点に加えて、特殊なエッチャントを用いる
ことなく通常のもので簡単にかつ確実に除去できるとい
う利点がある。
【0078】(3) 請求項1〜4のいずれか1項にお
いて、前記金属箔は厚さが9μm〜18μm、表面粗度
が2μm〜6μmの銅箔であることを特徴とする多層配
線板の製造方法。この方法であると、銅箔自体が廉価で
あるという利点に加えて、特殊なエッチャントを用いる
ことなく通常のもので簡単にかつ確実に除去できるとい
う利点がある。また、銅箔の厚さ及び表面粗度が好適範
囲内にあるため、好適なアンカー用凹部を容易にかつ効
率よく、しかも低コストに形成することができる。
いて、前記金属箔は厚さが9μm〜18μm、表面粗度
が2μm〜6μmの銅箔であることを特徴とする多層配
線板の製造方法。この方法であると、銅箔自体が廉価で
あるという利点に加えて、特殊なエッチャントを用いる
ことなく通常のもので簡単にかつ確実に除去できるとい
う利点がある。また、銅箔の厚さ及び表面粗度が好適範
囲内にあるため、好適なアンカー用凹部を容易にかつ効
率よく、しかも低コストに形成することができる。
【0079】(4) 請求項2〜4のいずれか1項にお
いて、前記第2の樹脂層の厚さは2μm〜50μmであ
ることを特徴とする多層配線板の製造方法。この方法で
あると、密着強度の低下及びめっき未着を確実に防止す
ることができる。
いて、前記第2の樹脂層の厚さは2μm〜50μmであ
ることを特徴とする多層配線板の製造方法。この方法で
あると、密着強度の低下及びめっき未着を確実に防止す
ることができる。
【0080】(5) 請求項5において、前記層間絶縁
層を構成する前記未硬化の樹脂層はフィラーを含まない
ことを特徴とする多層配線板。 (6) 微細な凹凸を有する金属箔を未硬化の樹脂層に
圧着し、その状態で前記樹脂層を硬化させ、次いで前記
金属箔を湿式エッチングにより除去することによって、
表層に粗面を形成する方法。このような粗面形成方法で
あると、粗化剤を用いることなく、好適な粗面を確実に
得ることができる。
層を構成する前記未硬化の樹脂層はフィラーを含まない
ことを特徴とする多層配線板。 (6) 微細な凹凸を有する金属箔を未硬化の樹脂層に
圧着し、その状態で前記樹脂層を硬化させ、次いで前記
金属箔を湿式エッチングにより除去することによって、
表層に粗面を形成する方法。このような粗面形成方法で
あると、粗化剤を用いることなく、好適な粗面を確実に
得ることができる。
【0081】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。「金属箔: 湿式エッチング
により除去される金属からなる箔をいい、例えば銅箔、
アルミニウム箔、ニッケル箔、スズ箔、金箔、銀箔等を
いう。」
語を次のように定義する。「金属箔: 湿式エッチング
により除去される金属からなる箔をいい、例えば銅箔、
アルミニウム箔、ニッケル箔、スズ箔、金箔、銀箔等を
いう。」
【0082】
【発明の効果】以上詳述したように、請求項1〜4に記
載の発明によれば、粗化剤による樹脂フィラーの溶解を
伴うことなく好適な粗面を得ることができ、しかもファ
インで高精度なバイアホール形成用穴を確実に形成する
ことができる多層配線板の製造方法を提供することがで
きる。また、信頼性の向上及び低コスト化も図ることが
できる。
載の発明によれば、粗化剤による樹脂フィラーの溶解を
伴うことなく好適な粗面を得ることができ、しかもファ
インで高精度なバイアホール形成用穴を確実に形成する
ことができる多層配線板の製造方法を提供することがで
きる。また、信頼性の向上及び低コスト化も図ることが
できる。
【0083】請求項2に記載の発明によれば、クラック
の発生が抑制されるとともに下層導体層の断線が防止さ
れることで、より信頼性が向上する。請求項3に記載の
発明によれば、クラックの発生がより確実に抑制される
ことで、信頼性がよりいっそう向上するとともに、多層
配線板の高性能化を図ることができる。
の発生が抑制されるとともに下層導体層の断線が防止さ
れることで、より信頼性が向上する。請求項3に記載の
発明によれば、クラックの発生がより確実に抑制される
ことで、信頼性がよりいっそう向上するとともに、多層
配線板の高性能化を図ることができる。
【0084】請求項4に記載の発明によれば、層間絶縁
層の肉厚化や高コスト化等を伴うことなく、応力吸収と
いう効果を充分に得ることができる。請求項5に記載の
発明によれば、層間絶縁層と導体パターンとの間に高い
密着性が確保される結果、耐熱性及び信頼性に優れた多
層配線板を実現することができる。
層の肉厚化や高コスト化等を伴うことなく、応力吸収と
いう効果を充分に得ることができる。請求項5に記載の
発明によれば、層間絶縁層と導体パターンとの間に高い
密着性が確保される結果、耐熱性及び信頼性に優れた多
層配線板を実現することができる。
【図1】本発明を具体化した一実施形態の多層配線板の
製造方法において、銅箔を圧着する工程を示す部分概略
断面図。
製造方法において、銅箔を圧着する工程を示す部分概略
断面図。
【図2】同じく銅箔の圧着後の状態を示す部分概略断面
図。
図。
【図3】同じく銅箔のエッチング後の状態を示す部分概
略断面図。
略断面図。
【図4】同じくバイアホール形成用穴の穴あけ後の状態
を示す部分概略断面図。
を示す部分概略断面図。
【図5】同じくバイアホール形成後の状態を示す部分概
略断面図。
略断面図。
【図6】同じく永久レジスト及び外層導体パターンの形
成後の状態を示す部分概略断面図。
成後の状態を示す部分概略断面図。
4…第1の樹脂層としての接着剤層、5…高靭性樹脂層
としてのポリイミドフィルム、6…(第2の)樹脂層と
しての無電解めっき用接着剤層、6a…粗面、7…層間
絶縁層、8…金属箔としての銅箔、8a…微細な凹凸、
9…バイアホール形成用穴、11…バイアホール、13
…外層導体パターン、14…多層配線板。
としてのポリイミドフィルム、6…(第2の)樹脂層と
しての無電解めっき用接着剤層、6a…粗面、7…層間
絶縁層、8…金属箔としての銅箔、8a…微細な凹凸、
9…バイアホール形成用穴、11…バイアホール、13
…外層導体パターン、14…多層配線板。
Claims (5)
- 【請求項1】微細な凹凸を有する金属箔を未硬化の樹脂
層に圧着し、その状態で前記樹脂層を硬化させ、次いで
前記金属箔を湿式エッチングにより除去することによっ
て、層間絶縁層の表層に粗面を形成する工程と、レーザ
光照射によって前記層間絶縁層を穴あけすることによ
り、バイアホール形成用穴を形成する工程と、前記粗面
及び前記バイアホール形成用穴に対する無電解めっきに
より、前記層間絶縁層に導体パターン及びバイアホール
を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線板の
製造方法。 - 【請求項2】前記層間絶縁層は、最下層に形成された第
1の樹脂層と、最表層に形成されかつ前記粗面を有する
第2の樹脂層と、前記両樹脂層間に形成された高靭性樹
脂層とからなることを特徴とする請求項1に記載の多層
配線板の製造方法。 - 【請求項3】前記高靭性樹脂層はポリイミドフィルムで
あり、前記第2の樹脂層はそのポリイミドフィルムの片
側面に塗布した樹脂材料をBステージの状態にしたもの
であることを特徴とする請求項2に記載の多層配線板の
製造方法。 - 【請求項4】前記ポリイミドフィルムは5μm〜50μ
mであることを特徴とする請求項3に記載の多層配線板
の製造方法。 - 【請求項5】微細な凹凸を有する金属箔を未硬化の樹脂
層に圧着し、その状態で前記樹脂層を硬化させ、次いで
前記金属箔を湿式エッチングにより除去することによっ
て形成された粗面を、その表層に有する層間絶縁層と、 レーザ光照射によって前記層間絶縁層に穴あけされたバ
イアホール形成用穴に対する無電解めっきにより形成さ
れたバイアホールと、 前記粗面に対する無電解めっきにより形成された導体パ
ターンとを備えた多層配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9048915A JPH10247780A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 多層配線板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9048915A JPH10247780A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 多層配線板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247780A true JPH10247780A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=12816559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9048915A Pending JPH10247780A (ja) | 1997-03-04 | 1997-03-04 | 多層配線板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247780A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100722211B1 (ko) | 2004-09-10 | 2007-05-29 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 기판 제조 방법 및 회로 기판 |
| JP2009170891A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-07-30 | Integral Technology Inc | リジッドプリント回路板用の改良された絶縁層 |
| KR100911263B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2009-08-06 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조 방법 |
| KR100948641B1 (ko) | 2007-10-02 | 2010-03-24 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| US20130059138A1 (en) * | 2007-09-28 | 2013-03-07 | Tri-Star Laminates, Inc. | Systems and methods for drilling holes in printed circuit boards |
| JP2015029000A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 株式会社デンソー | 電子装置およびその製造方法 |
-
1997
- 1997-03-04 JP JP9048915A patent/JPH10247780A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100722211B1 (ko) | 2004-09-10 | 2007-05-29 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 기판 제조 방법 및 회로 기판 |
| US20130059138A1 (en) * | 2007-09-28 | 2013-03-07 | Tri-Star Laminates, Inc. | Systems and methods for drilling holes in printed circuit boards |
| US8802237B2 (en) * | 2007-09-28 | 2014-08-12 | Tri-Star Laminates, Inc. | Entry sheet for drilling holes in printed circuit boards |
| KR100948641B1 (ko) | 2007-10-02 | 2010-03-24 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
| KR100911263B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2009-08-06 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조 방법 |
| JP2009170891A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-07-30 | Integral Technology Inc | リジッドプリント回路板用の改良された絶縁層 |
| JP2015029000A (ja) * | 2013-07-30 | 2015-02-12 | 株式会社デンソー | 電子装置およびその製造方法 |
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