JPH10247835A - ラブ波型弾性表面波デバイス - Google Patents
ラブ波型弾性表面波デバイスInfo
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- JPH10247835A JPH10247835A JP6173197A JP6173197A JPH10247835A JP H10247835 A JPH10247835 A JP H10247835A JP 6173197 A JP6173197 A JP 6173197A JP 6173197 A JP6173197 A JP 6173197A JP H10247835 A JPH10247835 A JP H10247835A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムの
圧電基板１上に形成されたＩＤＴ電極２によってラブ波
型表面波を励起するように構成されたＳＡＷデバイスの
製造プロセスを容易にしてコストダウンを図り、ＩＤＴ
電極２の電気抵抗の増大による特性劣化を低減する。 【解決手段】ＩＤＴ電極２を２重層構造とし、下層２１
を電気抵抗の低いアルミニウムで形成し、上層２２を金
（Ａｕ）に代えて価格の安い卑金属のタンタル，タング
ステン又はパラジウムで形成したことを特徴とする。
圧電基板１上に形成されたＩＤＴ電極２によってラブ波
型表面波を励起するように構成されたＳＡＷデバイスの
製造プロセスを容易にしてコストダウンを図り、ＩＤＴ
電極２の電気抵抗の増大による特性劣化を低減する。 【解決手段】ＩＤＴ電極２を２重層構造とし、下層２１
を電気抵抗の低いアルミニウムで形成し、上層２２を金
（Ａｕ）に代えて価格の安い卑金属のタンタル，タング
ステン又はパラジウムで形成したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬｉＮｂＯ3 （ニ
オブ酸リチウム）又はＬｉＴａＯ3 （タンタル酸リチウ
ム）の圧電単結晶基板を用い、ラブ波型表面波を利用し
た弾性表面波（Surface Acoustic Wave ：以下ＳＡＷと
略記する）デバイスに関するものである。
オブ酸リチウム）又はＬｉＴａＯ3 （タンタル酸リチウ
ム）の圧電単結晶基板を用い、ラブ波型表面波を利用し
た弾性表面波（Surface Acoustic Wave ：以下ＳＡＷと
略記する）デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最初にＬｉＮｂＯ3 基板を用いたＳＡＷ
デバイスについて述べる。Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ
3 基板を用いたラブ波型ＳＡＷは、電気機械結合係数ｋ
2 がレイリー波型のＳＡＷに比べ格段に大きいため、広
帯域な特性が求められる共振子等に応用されている。
デバイスについて述べる。Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ
3 基板を用いたラブ波型ＳＡＷは、電気機械結合係数ｋ
2 がレイリー波型のＳＡＷに比べ格段に大きいため、広
帯域な特性が求められる共振子等に応用されている。
【０００３】ＬｉＮｂＯ3 基板上に、質量が大きく表面
波速度が基板より遅い金（Ａｕ）の薄膜を付着させるこ
とにより、伝搬減衰の大きい擬似弾性表面波を減衰のな
いラブ波型のＳＡＷに変えることができる。すなわち、
圧電基板上に存在する擬似弾性表面波を、質量が大きく
音速の遅い金（Ａｕ）の薄膜を付着させることにより擬
似弾性表面波の音速を低下させ、該基板の遅い横波（４
０７９ｍ／ｓ）より遅くすることで減衰のないラブ波型
ＳＡＷにすることができる。付着させる金の薄膜は圧電
基板上の全面に設ける必要はなく、ＳＡＷを励振するた
めのすだれ状電極（ＩＤＴ電極）のみでもラブ波型のＳ
ＡＷデバイスが形成される。
波速度が基板より遅い金（Ａｕ）の薄膜を付着させるこ
とにより、伝搬減衰の大きい擬似弾性表面波を減衰のな
いラブ波型のＳＡＷに変えることができる。すなわち、
圧電基板上に存在する擬似弾性表面波を、質量が大きく
音速の遅い金（Ａｕ）の薄膜を付着させることにより擬
似弾性表面波の音速を低下させ、該基板の遅い横波（４
０７９ｍ／ｓ）より遅くすることで減衰のないラブ波型
ＳＡＷにすることができる。付着させる金の薄膜は圧電
基板上の全面に設ける必要はなく、ＳＡＷを励振するた
めのすだれ状電極（ＩＤＴ電極）のみでもラブ波型のＳ
ＡＷデバイスが形成される。
【０００４】ラブ波型ＳＡＷデバイスの代表例として、
ＳＡＷ共振子について以下説明する。図２（ａ）は、最
も単純な従来のラブ波型ＳＡＷ共振子の例を示した平面
図であり、圧電基板１上にＩＤＴ電極２のみが設けられ
た構成である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’切断
部端面図であり、ＩＤＴ電極２の構成を示している。図
２ではＩＤＴ電極の対数を３対としているが、これは３
対に限る必要はないことは言うまでもない。また、図２
は説明を簡単にするため、ＩＤＴ電極２のみが基板上に
設けられたＳＡＷデバイスの例をあげたが、ＩＤＴ電極
２の両側に反射器を配設した構成としてもよい。
ＳＡＷ共振子について以下説明する。図２（ａ）は、最
も単純な従来のラブ波型ＳＡＷ共振子の例を示した平面
図であり、圧電基板１上にＩＤＴ電極２のみが設けられ
た構成である。図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ’切断
部端面図であり、ＩＤＴ電極２の構成を示している。図
２ではＩＤＴ電極の対数を３対としているが、これは３
対に限る必要はないことは言うまでもない。また、図２
は説明を簡単にするため、ＩＤＴ電極２のみが基板上に
設けられたＳＡＷデバイスの例をあげたが、ＩＤＴ電極
２の両側に反射器を配設した構成としてもよい。
【０００５】ＩＤＴ電極２の材質としては、金（Ａｕ）
が用いられることが一般的であるが、金は圧電基板１と
の密着性が悪いため、図２（ｂ）に示したように、通常
Ｃｒなどの接着層２３が下地として付けられ、その上に
金（Ａｕ）２４が付けられている。しかし、金は高価で
あるため、原価的にＳＡＷデバイスのコストがアップす
るという問題がある。
が用いられることが一般的であるが、金は圧電基板１と
の密着性が悪いため、図２（ｂ）に示したように、通常
Ｃｒなどの接着層２３が下地として付けられ、その上に
金（Ａｕ）２４が付けられている。しかし、金は高価で
あるため、原価的にＳＡＷデバイスのコストがアップす
るという問題がある。
【０００６】そこで、金のような貴金属の代わりに、Ｔ
ａ（タンタル），Ｗ（タングステン），Ｐｄ（パラジウ
ム）のような比較的安価で比重の大きい卑金属を用いる
ことでラブ波型の表面波が得られるように構成したもの
がある。
ａ（タンタル），Ｗ（タングステン），Ｐｄ（パラジウ
ム）のような比較的安価で比重の大きい卑金属を用いる
ことでラブ波型の表面波が得られるように構成したもの
がある。
【０００７】次に、ＬｉＴａＯ3 基板を用いたＳＡＷデ
バイスについて述べる。従来、ＬｉＴａＯ3 基板を用い
たラブ波型ＳＡＷデバイスには、本発明者らが先に提案
したものがある（特願平４−５７２３１号参照）。
バイスについて述べる。従来、ＬｉＴａＯ3 基板を用い
たラブ波型ＳＡＷデバイスには、本発明者らが先に提案
したものがある（特願平４−５７２３１号参照）。
【０００８】図３（Ａ）は、ＬｉＴａＯ3 基板の回転角
θに対する表面波速度（位相速度）の特性図であり、同
図（Ｂ）に示すように、横軸はＹ−Ｚ平面内のＹ軸から
の切断回転角θを示し、表面波はＸ軸方向に伝搬する。
θに対する表面波速度（位相速度）の特性図であり、同
図（Ｂ）に示すように、横軸はＹ−Ｚ平面内のＹ軸から
の切断回転角θを示し、表面波はＸ軸方向に伝搬する。
【０００９】図３に示すように、回転ＹカットＬｉＴａ
Ｏ3 圧電基板上には、破線で示したレイリー波と、実線
で示した擬似弾性表面波（リーキー波）が存在すること
が知られている。
Ｏ3 圧電基板上には、破線で示したレイリー波と、実線
で示した擬似弾性表面波（リーキー波）が存在すること
が知られている。
【００１０】また、同図に遅い横波（３３８０ｍ／ｓ）
を示しているが、擬似弾性表面波のように、表面波速度
がこの遅い横波よりも速い場合は、伝搬しながらエネル
ギをバルク波に変換しながら伝搬するいわゆるリーキー
波であるため、３６°回転Ｙ板を除いては、実用的では
ない。また、レイリー波のように、表面波速度がこの遅
い横波より遅い場合は、伝搬減衰のない表面波である。
を示しているが、擬似弾性表面波のように、表面波速度
がこの遅い横波よりも速い場合は、伝搬しながらエネル
ギをバルク波に変換しながら伝搬するいわゆるリーキー
波であるため、３６°回転Ｙ板を除いては、実用的では
ない。また、レイリー波のように、表面波速度がこの遅
い横波より遅い場合は、伝搬減衰のない表面波である。
【００１１】ＬｉＴａＯ3 圧電基板上に、音速の遅い重
い物質を所定の膜厚で付着させて表面波速度を低下さ
せ、遅い横波よりも遅くすることにより、擬似弾性表面
波（リーキー波）を伝搬減衰のないラブ波型表面波にす
ることができる。
い物質を所定の膜厚で付着させて表面波速度を低下さ
せ、遅い横波よりも遅くすることにより、擬似弾性表面
波（リーキー波）を伝搬減衰のないラブ波型表面波にす
ることができる。
【００１２】図４は、切断角θ＝０°の時で、音速の遅
い重い物質として金（Ａｕ）を圧電基板上に一様に付着
した場合の膜厚と表面波速度との関係を計算した結果で
ある。図４からわかるように、表面波速度は、Ａｕ膜厚
（Ｈａ／λ）を０．０４（λ：表面波の波長）以上にす
れば３３８０ｍ／ｓ以下となり、ラブ波型の表面波が得
られることがわかる。
い重い物質として金（Ａｕ）を圧電基板上に一様に付着
した場合の膜厚と表面波速度との関係を計算した結果で
ある。図４からわかるように、表面波速度は、Ａｕ膜厚
（Ｈａ／λ）を０．０４（λ：表面波の波長）以上にす
れば３３８０ｍ／ｓ以下となり、ラブ波型の表面波が得
られることがわかる。
【００１３】また、圧電基板上に一様な音速の遅い重い
物質を付着させる代わりに、表面波を励振させるすだれ
状電極（ＩＤＴ：Interdigital Transducer ）に金（Ａ
ｕ），銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ）等の比重の重い貴金属
を用い、所定の膜厚以上の厚さにすることで同様な効果
が得られることが知られている。
物質を付着させる代わりに、表面波を励振させるすだれ
状電極（ＩＤＴ：Interdigital Transducer ）に金（Ａ
ｕ），銀（Ａｇ），白金（Ｐｔ）等の比重の重い貴金属
を用い、所定の膜厚以上の厚さにすることで同様な効果
が得られることが知られている。
【００１４】さらに、図３からわかるように、回転Ｙカ
ットの切断角度の範囲が−１０°〜＋５０°の範囲であ
れば、３６°回転Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 と同
等、もしくはそれ以上の電気機械結合係数ｋ2 が得られ
る。この電気機械結合係数ｋ2は図３のopen（基板表面
が電気的に開放）とshort （基板表面が電気的に短絡）
の音速の差に比例する。
ットの切断角度の範囲が−１０°〜＋５０°の範囲であ
れば、３６°回転Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ3 と同
等、もしくはそれ以上の電気機械結合係数ｋ2 が得られ
る。この電気機械結合係数ｋ2は図３のopen（基板表面
が電気的に開放）とshort （基板表面が電気的に短絡）
の音速の差に比例する。
【００１５】電極としては、金（Ａｕ）が用いられるこ
とが一般的であるが、金は圧電基板との密着性が悪いた
め、図２（ｂ）に示したように、通常Ｃｒなどの接着層
２３が下地として付けられ、その上に金（Ａｕ）２４が
付けられている。しかし、金は高価であるため、原価的
にＳＡＷ共振子のコストがアップするという問題があ
る。
とが一般的であるが、金は圧電基板との密着性が悪いた
め、図２（ｂ）に示したように、通常Ｃｒなどの接着層
２３が下地として付けられ、その上に金（Ａｕ）２４が
付けられている。しかし、金は高価であるため、原価的
にＳＡＷ共振子のコストがアップするという問題があ
る。
【００１６】そこで、金のような貴金属の代わりに、Ｔ
ａ（タンタル），Ｗ（タングステン），Ｐｄ（パラジウ
ム）のような比較的安価で比重の大きい卑金属を用いる
ことでラブ波型の表面波が得られるように構成されたも
のがある。
ａ（タンタル），Ｗ（タングステン），Ｐｄ（パラジウ
ム）のような比較的安価で比重の大きい卑金属を用いる
ことでラブ波型の表面波が得られるように構成されたも
のがある。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ＬｉＮｂＯ3 の場合も、上記のＬｉＴａＯ3 の場合も、
卑金属のみを用いてＩＤ電極を構成した場合、これらの
電気抵抗（体積抵抗率：Ωｍ）が、金の２．４×１０-8
に対して、Ｔａ：１５×１０-8、Ｗ：５．５×１０-8、
Ｐｄ：１０．８×１０-8といずれも金の約２倍〜６倍あ
るため、例えば、共振子ではＱの低下、フィルタでは挿
入損失の増大などの不具合が生ずる欠点がある。また、
Ａｕの密度は、１９．３ｇ／ｃｍ3 と大きく、デバイス
の特性は膜厚依存が大きいため、電極パターン形成時に
おいて、ライン幅及び膜厚のコントロールが厳しく要求
され、製造プロセス上の難しさがあった。
ＬｉＮｂＯ3 の場合も、上記のＬｉＴａＯ3 の場合も、
卑金属のみを用いてＩＤ電極を構成した場合、これらの
電気抵抗（体積抵抗率：Ωｍ）が、金の２．４×１０-8
に対して、Ｔａ：１５×１０-8、Ｗ：５．５×１０-8、
Ｐｄ：１０．８×１０-8といずれも金の約２倍〜６倍あ
るため、例えば、共振子ではＱの低下、フィルタでは挿
入損失の増大などの不具合が生ずる欠点がある。また、
Ａｕの密度は、１９．３ｇ／ｃｍ3 と大きく、デバイス
の特性は膜厚依存が大きいため、電極パターン形成時に
おいて、ライン幅及び膜厚のコントロールが厳しく要求
され、製造プロセス上の難しさがあった。
【００１８】本発明の目的は、従来技術の問題点の金に
よるコスト高、および電極がＴａ，ＷまたはＰｄのみの
場合の電気抵抗の増大による特性劣化を低減させ、且
つ、製造プロセスを容易にしたＬｉＮｂＯ3 基板または
ＬｉＴａＯ3 基板を用いたラブ波型弾性表面波デバイス
を提供することにある。
よるコスト高、および電極がＴａ，ＷまたはＰｄのみの
場合の電気抵抗の増大による特性劣化を低減させ、且
つ、製造プロセスを容易にしたＬｉＮｂＯ3 基板または
ＬｉＴａＯ3 基板を用いたラブ波型弾性表面波デバイス
を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
ラブ波型弾性表面波デバイスは、回転Ｙカット−Ｘ伝搬
ＬｉＮｂＯ3 圧電基板の表面上にラブ波型弾性表面波を
励振するようにすだれ状電極、またはすだれ状電極と反
射器電極とが配設されたラブ波型弾性表面波デバイスに
おいて、前記電極は上下に積層された２層構造を有し、
該２層構造の下層として前記基板上に接して形成された
第１層は所定の膜厚のアルミニウムで形成され、その上
に積層された第２層は所定の膜厚のタンタル，タングス
テンまたはパラジウムのいずれかで形成されたことを特
徴としている。
ラブ波型弾性表面波デバイスは、回転Ｙカット−Ｘ伝搬
ＬｉＮｂＯ3 圧電基板の表面上にラブ波型弾性表面波を
励振するようにすだれ状電極、またはすだれ状電極と反
射器電極とが配設されたラブ波型弾性表面波デバイスに
おいて、前記電極は上下に積層された２層構造を有し、
該２層構造の下層として前記基板上に接して形成された
第１層は所定の膜厚のアルミニウムで形成され、その上
に積層された第２層は所定の膜厚のタンタル，タングス
テンまたはパラジウムのいずれかで形成されたことを特
徴としている。
【００２０】また、本発明の請求項２記載のラブ波型弾
性表面波デバイスは、Ｙ軸を法線としＹ−Ｚ平面上でＹ
軸から回転角が−１０°乃至＋５０°の範囲の所定の角
度で切断された回転ＹカットＬｉＴａＯ3 圧電基板の表
面上にラブ波型弾性表面波を励振するようにすだれ状電
極、またはすだれ状電極と反射器電極とが配設されたラ
ブ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記電極は上下に
積層された２層構造を有し、該２層構造の下層として前
記基板上に接して形成された第１層は所定の膜厚のアル
ミニウムで形成され、その上に積層された第２層は所定
の膜厚のタンタル，タングステンまたはパラジウムのい
ずれかで形成されたことを特徴としている。
性表面波デバイスは、Ｙ軸を法線としＹ−Ｚ平面上でＹ
軸から回転角が−１０°乃至＋５０°の範囲の所定の角
度で切断された回転ＹカットＬｉＴａＯ3 圧電基板の表
面上にラブ波型弾性表面波を励振するようにすだれ状電
極、またはすだれ状電極と反射器電極とが配設されたラ
ブ波型弾性表面波デバイスにおいて、前記電極は上下に
積層された２層構造を有し、該２層構造の下層として前
記基板上に接して形成された第１層は所定の膜厚のアル
ミニウムで形成され、その上に積層された第２層は所定
の膜厚のタンタル，タングステンまたはパラジウムのい
ずれかで形成されたことを特徴としている。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて詳細に説明す
る。図１は本発明の実施例を示す平面図（ａ）とそのＡ
−Ａ’切断部端面図（ｂ）である。図のＩＤＴの対数は
３対であるが、ＩＤＴの対数に関わらず、反射器があっ
てもその電極に対しても共通であることは言うまでもな
い。
る。図１は本発明の実施例を示す平面図（ａ）とそのＡ
−Ａ’切断部端面図（ｂ）である。図のＩＤＴの対数は
３対であるが、ＩＤＴの対数に関わらず、反射器があっ
てもその電極に対しても共通であることは言うまでもな
い。
【００２２】請求項１記載の本発明の実施例では、回転
Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 圧電基板１上に、Ａｌの
第１層ＩＤＴ電極２１が形成され、その上に、Ｔａ，Ｗ
もしくはＰｄの第２層のＩＤＴ電極２２が所定の膜厚で
形成されている。
Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 圧電基板１上に、Ａｌの
第１層ＩＤＴ電極２１が形成され、その上に、Ｔａ，Ｗ
もしくはＰｄの第２層のＩＤＴ電極２２が所定の膜厚で
形成されている。
【００２３】また、請求項２に記載の本発明の実施例で
は、−１０°乃至＋５０°回転ＹカットＬｉＴａＯ3 圧
電基板１上に、Ａｌの第１層ＩＤＴ電極２１が形成さ
れ、その上にＴａ，ＷもしくはＰｄの第２層のＩＤＴ電
極２２が所定の膜厚で形成されている。
は、−１０°乃至＋５０°回転ＹカットＬｉＴａＯ3 圧
電基板１上に、Ａｌの第１層ＩＤＴ電極２１が形成さ
れ、その上にＴａ，ＷもしくはＰｄの第２層のＩＤＴ電
極２２が所定の膜厚で形成されている。
【００２４】上記請求項１及び２の発明は、いずれもＩ
ＤＴ電極２を２層とし、アルミニウムの下層は電気抵抗
を下げる機能を果たし、Ｔａ，ＷまたはＰｄで形成され
た上の層は、ラブ波化するための層であり、後述するよ
うに金に比較して膜厚コントロールが容易であるという
特徴を有している。
ＤＴ電極２を２層とし、アルミニウムの下層は電気抵抗
を下げる機能を果たし、Ｔａ，ＷまたはＰｄで形成され
た上の層は、ラブ波化するための層であり、後述するよ
うに金に比較して膜厚コントロールが容易であるという
特徴を有している。
【００２５】第１層２１のＡｌの密度は２．９６ｇ／ｃ
ｍ3 であり、Ａｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｄの密度は、それぞ
れ、１９．３、１６．６、１９．１、１２．１６であ
る。圧電基板１上に存在する伝搬減衰のある擬似弾性表
面波を、伝搬減衰のないラブ波型の表面波にするには、
所定の質量が必要となる。Ａｌの密度はＡｕのそれに比
較して約１／６であるので、Ａｌ層２１だけでラブ波化
しようとするとＡｕの６倍の膜厚が必要となり、プロセ
ス的に無理があるため、実質的にラブ波化に寄与するの
はＴａ，Ｗ又はＰｄの第２層２２である。従って、Ａｌ
層２１はあまりラブ波化には寄与しないため比較的厚く
付着させることが可能である。
ｍ3 であり、Ａｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｄの密度は、それぞ
れ、１９．３、１６．６、１９．１、１２．１６であ
る。圧電基板１上に存在する伝搬減衰のある擬似弾性表
面波を、伝搬減衰のないラブ波型の表面波にするには、
所定の質量が必要となる。Ａｌの密度はＡｕのそれに比
較して約１／６であるので、Ａｌ層２１だけでラブ波化
しようとするとＡｕの６倍の膜厚が必要となり、プロセ
ス的に無理があるため、実質的にラブ波化に寄与するの
はＴａ，Ｗ又はＰｄの第２層２２である。従って、Ａｌ
層２１はあまりラブ波化には寄与しないため比較的厚く
付着させることが可能である。
【００２６】また、Ａｌの電気抵抗（体積抵抗率Ω・
ｍ）は２．７５×１０-8であり、金の２．４×１０-8と
あまり変わらず、Ｔａ，Ｗ，Ｐｄの体積抵抗率はそれぞ
れ１５×１０-8、５．５×１０-8、１０．８×１０-8で
あるため、Ｔａ，Ｗ，ＰｄのみでＩＤＴ電極を構成した
場合に比べ、ＩＤＴ電極２の電気抵抗を低くすることが
できる。
ｍ）は２．７５×１０-8であり、金の２．４×１０-8と
あまり変わらず、Ｔａ，Ｗ，Ｐｄの体積抵抗率はそれぞ
れ１５×１０-8、５．５×１０-8、１０．８×１０-8で
あるため、Ｔａ，Ｗ，ＰｄのみでＩＤＴ電極を構成した
場合に比べ、ＩＤＴ電極２の電気抵抗を低くすることが
できる。
【００２７】さらに、前述の如く、Ｔａ，Ｗ，Ｐｄの密
度は、Ａｕの密度に比較して、いずれも小さいため、ラ
ブ波化においてＡｕと同等の効果を得るためには、ライ
ン幅が同じ場合、密度に逆比例した膜厚を設定しなけれ
ばならないが、デバイス特性の膜厚依存の観点からは、
Ａｕに比べて依存性は小さくなるため、従来のＡｕほど
のような厳しい膜厚コントロールは要求されない。さら
に、ラブ波化においては電極の全質量が関係するため、
ライン幅の視点からは、密度が小さくなった分だけＡｕ
に比べコントロール精度がゆるくなる。また、Ａｕにく
らべ、Ｔａ，Ｗ，Ｐｄの価格は格段に安いので、ＳＡＷ
共振子としてのコストを下げることができる。
度は、Ａｕの密度に比較して、いずれも小さいため、ラ
ブ波化においてＡｕと同等の効果を得るためには、ライ
ン幅が同じ場合、密度に逆比例した膜厚を設定しなけれ
ばならないが、デバイス特性の膜厚依存の観点からは、
Ａｕに比べて依存性は小さくなるため、従来のＡｕほど
のような厳しい膜厚コントロールは要求されない。さら
に、ラブ波化においては電極の全質量が関係するため、
ライン幅の視点からは、密度が小さくなった分だけＡｕ
に比べコントロール精度がゆるくなる。また、Ａｕにく
らべ、Ｔａ，Ｗ，Ｐｄの価格は格段に安いので、ＳＡＷ
共振子としてのコストを下げることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上詳細に述べたように、本発明を実施
することにより、ＩＤＴ電極として、従来のＡｕ電極を
用いた場合に比べて材料費が格段に安くなり、Ｔａ，Ｗ
またはＰｄのみのときの電気抵抗増大によるデバイスの
特性劣化も抑えられ、且つ、製造プロセスが容易になる
ため、実用上の効果は極めて大きい。
することにより、ＩＤＴ電極として、従来のＡｕ電極を
用いた場合に比べて材料費が格段に安くなり、Ｔａ，Ｗ
またはＰｄのみのときの電気抵抗増大によるデバイスの
特性劣化も抑えられ、且つ、製造プロセスが容易になる
ため、実用上の効果は極めて大きい。
【図１】本発明の実施例を示す平面図とそのＡＡ’切断
部端面面である。
部端面面である。
【図２】従来のＳＡＷデバイスの平面図とそのＡＡ’切
断部端面図である。
断部端面図である。
【図３】回転ＹカットＬｉＴａＯ3 基板における回転角
と表面波速度の関係図である。
と表面波速度の関係図である。
【図４】回転Ｙ板ＬｉＴａＯ3 基板における表面波速度
の膜厚依存性を示す説明図である。
の膜厚依存性を示す説明図である。
１ 圧電基板 ２ ＩＤＴ電極 ２１ ＩＤＴ電極の第１層 ２２ ＩＤＴ電極の第２層 ２３ 接着層（Ｃｒ） ２４ ＩＤＴ電極（Ａｕ）
Claims (2)
- 【請求項１】 回転Ｙカット−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ3 圧電
基板の表面上にラブ波型弾性表面波を励振するようにす
だれ状電極、またはすだれ状電極と反射器電極とが配設
されたラブ波型弾性表面波デバイスにおいて、 前記電極は上下に積層された２層構造を有し、該２層構
造の下層として前記基板上に接して形成された第１層は
所定の膜厚のアルミニウムで形成され、その上に積層さ
れた第２層は所定の膜厚のタンタル，タングステンまた
はパラジウムのいずれかで形成されたことを特徴とする
ラブ波型弾性表面波デバイス。 - 【請求項２】 Ｙ軸を法線としＹ−Ｚ平面上でＹ軸から
回転角が−１０°乃至＋５０°の範囲の所定の角度で切
断された回転ＹカットＬｉＴａＯ3 圧電基板の表面上に
ラブ波型弾性表面波を励振するようにすだれ状電極、ま
たはすだれ状電極と反射器電極とが配設されたラブ波型
弾性表面波デバイスにおいて、 前記電極は上下に積層された２層構造を有し、該２層構
造の下層として前記基板上に接して形成された第１層は
所定の膜厚のアルミニウムで形成され、その上に積層さ
れた第２層は所定の膜厚のタンタル，タングステンまた
はパラジウムのいずれかで形成されたことを特徴とする
ラブ波型弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173197A JPH10247835A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | ラブ波型弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173197A JPH10247835A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | ラブ波型弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10247835A true JPH10247835A (ja) | 1998-09-14 |
Family
ID=13179656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6173197A Pending JPH10247835A (ja) | 1997-03-03 | 1997-03-03 | ラブ波型弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10247835A (ja) |
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-
1997
- 1997-03-03 JP JP6173197A patent/JPH10247835A/ja active Pending
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