JPH10247877A

JPH10247877A - 光アナログ信号伝送用装置

Info

Publication number: JPH10247877A
Application number: JP9048185A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kaneko; 進一金子
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-03-03
Filing date: 1997-03-03
Publication date: 1998-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】光ファイバを伝送した後の光アナログ信号の
信号帯域にレーリー散乱による雑音が入ることによりＣ
／Ｎが劣化するため、スペクトル線幅の狭い固体レーザ
を用いる必要があった。【解決手段】スペクトル線幅の広い半導体レーザのレ
ーザ光の発振波長を変調する変調波源と、強度変調成分
を打ち消すための打ち消し変調手段と、信号変調手段に
接続されたバイアス制御手段とを備える。【効果】半導体レーザの発振波長を、信号帯域よりも
低い周波数で変調し、信号帯域内に入るレーリー散乱に
よる雑音を少なくすることにより、Ｃ／Ｎの劣化を防ぐ
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、光アナログ通信
システムに用いられる光アナログ信号伝送用装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】図１６は、Journal of Lightwave Techn
ology, vol.13, No.5, 1995に記載された光アナログ信
号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。図におい
て、固体レーザ１の出力側には、マッハツェンダ型光変
調器２が接続されている。また、マッハツェンダ型光変
調器２には、アナログ電気信号を発生するアナログ信号
発生手段３が接続されている。マッハツェンダ型光変調
器２は、レーザ光を強度変調して光アナログ信号に変調
する装置である。

【０００３】マッハツェンダ型光変調器２の出力側に
は、光ファイバ４およびフォトダイオード５が接続され
ている。さらに光ファイバ４の他端には、光アナログ信
号をアナログ電気信号に変換するための受信装置６が接
続されている。また、マッハツェンダ型光変調器２に
は、レーザ光の発振波長を低周波で変調するための低周
波源７が接続されている。なお、フォトダイオード５
は、マッハツェンダ型光変調器２のバイアス電圧を制御
するための制御回路８に接続されている。

【０００４】図１６に示すように、固体レーザ１から発
振されたレーザ光は、マッハツェンダ型光変調器２に入
射した後、２つの光路に分けられる。マッハツェンダ型
光変調器２は、アナログ電気信号発生手段３から入力さ
れたアナログ電気信号に応じて電圧を発生し、２つの光
路に分けられた光に位相差をつける。そして、これら位
相差のついた２つの光を合波すれば（図中においてマッ
ハツェンダ型光変調器２を通過した２つ光の間隔は光の
波長以下であるため、これらの光は合波する）、干渉の
効果により位相差が強度変化になるので、アナログ電気
信号を光アナログ信号に変換することができる。このよ
うにして、マッハツェンダ型光変調器２から出力される
光アナログ信号は、光ファイバ４を伝送した後、受信装
置６で再びアナログ電気信号に変換される。

【０００５】マッハツェンダ型光変調器２の光出力のバ
イアス電圧依存性は三角関数で表される。このため、光
出力がそれぞれ最大、最小となるバイアス電圧の中間の
バイアス電圧において、光アナログ信号の変調による歪
みが最小となる。このバイアス電圧においては、電圧変
化に対する光アナログ信号の変化量が最も大きくなり、
２次高調波歪みが最小となる。それゆえ、フォトダイオ
ード５で光アナログ信号の一部を検出し、低周波源７に
より変調される低周波成分が大きくなるように、あるい
は、その高調波成分が小さくなるように、マッハツェン
ダ型光変調器２のバイアス電圧を制御回路８が制御して
いる。

【０００６】しかし、上述のようにマッハツェンダ型光
変調器２のバイアスを制御して光アナログ信号の変調に
よる歪みを抑制しても、Journal of Lightwave Technol
ogy,vol.13, No.5, 1995に示されているように、光アナ
ログ信号は、光ファイバ４で伝送される間にレーリー散
乱によって発生する雑音でＣ／Ｎ（Ｃａｒｒｉｅｒｔｏ
Ｎｏｉｓｅ）が劣化する。

【０００７】ここで、レーリー散乱によって雑音が発生
するメカニズムについて説明する。図１７は、レーリー
散乱によって雑音が発生するメカニズムを概略的に示す
図であり、図１８（ａ）、図１８（ｂ）は、レーザの発
振波長又は周波数に対する雑音の電力分布を示す図であ
る。

【０００８】図１７に示すように、光ファイバ４中には
屈折率の揺らぎによって反射源９ａ、９ｂが生じる。図
中１０は光アナログ信号を発生する固体レーザ１および
マッハツェンダ型光変調器２などを含む光源装置であ
る。図中の矢印は、光ファイバ４中で反射されずに伝送
される直接光１１と、反射源９ａおよび９ｂで反射され
て光ファイバ４中を伝送する遅延光１２の光路を概念的
に示すものである。また、図１８において、１３はスペ
クトル線幅の狭い光源の位相雑音、１４はスペクトル線
幅の広い光源の位相雑音、１５はスペクトル線幅の狭い
光源の場合のレーリー散乱によって生じる雑音スペクト
ル、１６はスペクトル線幅の広い光源の場合のレーリー
散乱によって生じる雑音スペクトル、１７はアナログ信
号の信号帯域である。

【０００９】図１７に示すように、光ファイバ４中を伝
送する光のレーリー散乱によって生じる雑音は、反射源
９ａにより伝送方向と逆方向に散乱（後方散乱）され、
さらに、反射源９ｂにより再び逆方向に散乱されること
により、本来の伝送方向に伝送される。このため上述し
たように、受信装置６は、直接光１１および遅延光１２
を同時に受光する。従って、光ファイバ４中を伝送する
光アナログ信号について自己遅延ホモダイン（自己遅延
同期検波）を行ったことと同様の結果となり、光アナロ
グ信号の位相雑音が強度雑音に変換されて発生する。こ
のため、レーリー散乱によって生じる雑音スペクトル
は、レーザの位相雑音を反映したものとなる。

【００１０】図１８（ａ）、（ｂ）に示すように、１３
に示すような位相雑音特性を有するスペクトル線幅の狭
い（位相雑音が小さい）光源の場合に発生する雑音スペ
クトル１５は、０Ｈｚ近傍に雑音電力が集中する。一
方、１４に示すような位相雑音を有するスペクトル線幅
の広い（位相雑音が大きい）光源の場合に発生する雑音
スペクトル１６は、雑音電力が広がったものとなる。従
って、信号帯域１７（５０〜５５０ＭＨｚ）にレーリー
散乱による雑音が入らないようにするには、スペクトル
線幅の広い（位相雑音が大きい）半導体レーザ光源を用
いることはできず、スペクトル線幅の狭い（位相雑音が
小さい）固体レーザを光源として用いる必要があった。

【００１１】図１９は、従来の光ファイバ増幅器を用い
た光アナログ信号伝送用装置を示す図である。図１９に
示すように、半導体レーザ１８は、光ファイバ増幅器１
９を中間に設ける光ファイバ２０ａ、２０ｂを介して受
信装置６に接続されている。また、半導体レーザ１８に
はアナログ電気信号を発生するためのアナログ信号発生
手段３が接続されており、半導体レーザ１から発振され
るレーザ光は、アナログ電気信号により直接変調され
る。なお、光ファイバ増幅器１９は、光ファイバ２０ａ
中を伝送する際に減衰した光アナログ信号を増幅するた
めの装置である。

【００１２】固体レーザ１からの発振される光アナログ
信号は、光ファイバ２０ａ内を伝送される際に減衰す
る。減衰した光アナログ信号は、光ファイバ増幅器１９
により増幅され、光ファイバ２０ｂ内を伝送し、受信装
置６で再び電気信号に変換される。このような従来の光
ファイバ増幅器を用いた光アナログ信号伝送用装置で
は、光ファイバ増幅器で発生する変調歪みを小さくする
ために、半導体レーザ１の発振波長と光ファイバ増幅器
へ入力される光アナログ信号のレベルを最適に選んでい
た。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の光アナログ信号伝送用装置は、光アナログ信号の信号
帯域にレーリー散乱による雑音が入ることによりＣ／Ｎ
が劣化するため、スペクトル線幅の狭い固体レーザを用
いる必要があった。しかし、固体レーザはスペクトル線
幅の広い半導体レーザに比べて高価であり、装置を構成
するためにコストが掛かるという課題があった。

【００１４】また、従来の光ファイバ増幅器を用いた光
アナログ信号伝送用装置は、半導体レーザの発振波長が
変わった場合や、光ファイバ増幅器へ入力する光アナロ
グ信号のレベルが変わったときに、光ファイバ増幅器で
発生する変調歪みが大きくなるという問題があった。

【００１５】従って、この発明の目的は、安価でスペク
トル線幅の広い半導体レーザを用いてＣ／Ｎ劣化の少な
い光アナログ信号伝送用装置を提供することであり、ま
た、半導体レーザの発振波長が変わった場合や、光ファ
イバ増幅器へ入力する光アナログ信号のレベルが変化し
ても光ファイバ増幅器で発生する変調歪みを小さく抑え
ることができる光ファイバ増幅器を用いた光アナログ信
号伝送用装置を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明に係る光アナロ
グ信号伝送用装置は、レーザ光の発振波長を変調するた
めの変調波を供給する変調波源と、変調波源から供給さ
れる変調波によって変調されたレーザ光を発振する半導
体レーザと、半導体レーザが発振するレーザ光をアナロ
グ信号によって変調して光アナログ信号に変換するため
の信号変調手段と、光アナログ信号を伝送するための伝
送手段と、伝送手段を介した光アナログ信号を受信し、
アナログ電気信号に変換するための受信装置とを備え、
変調波源は、半導体レーザ装置が発振するレーザ光の発
振波長を光アナログ信号の信号帯域よりも低い周波数で
変調することを特徴とする。

【００１７】また、上記信号変調手段は、レーザ光を強
度変調して光アナログ信号に変調するためのマッハツェ
ンダ型光変調器を備える。

【００１８】また、上記信号変調手段のバイアス依存性
によって生じる変調による光アナログ信号の歪みを最小
とするためのバイアス制御手段をさらに備える。

【００１９】また、上記信号変調手段は、レーザ光を強
度変調するためのアナログ信号発生手段を備える。

【００２０】また、上記半導体レーザに接続され、変調
波源によってレーザ光が変調される際に生じた変調成分
を打ち消すために該レーザ光を強度変調させる打ち消し
手段を備える。

【００２１】また、上記打ち消し手段は、変調波源と等
しい周波数の正弦波を発生することを特徴とする。

【００２２】さらに、上記打ち消し手段は、低周波の変
調信号を発生することを特徴とする。

【００２３】また、他の発明に係る光アナログ信号伝送
用装置は、レーザ光の発振波長を変調するための変調波
を供給する変調波源と、変調波源から供給される変調波
によって変調されるレーザ光を発振する半導体レーザ
と、半導体レーザを強度変調して光アナログ信号にする
ためのアナログ電気信号を供給するアナログ信号供給源
と、光アナログ信号を伝送するための伝送手段と、伝送
手段を介した光アナログ信号を受信し、アナログ電気信
号に変換するための受信装置とを備え、変調波源は、半
導体レーザ装置が発振するレーザ光の発振波長を光アナ
ログ信号の信号帯域よりも低い周波数で変調することを
特徴とする。

【００２４】また、上記伝送手段の途中に設けられ、該
伝送手段中を伝送することにより減衰した光アナログ信
号を増幅するための光ファイバ増幅器をさらに備える。

【００２５】また、上記光ファイバ増幅器から出力され
る光信号の一部を検出して、レーザ光の発振波長を変調
した変調波成分が小さくなるように、あるいは、その高
調波成分が小さくなるように、光ファイバ増幅器の利得
波長特性を補正するためのフィルタをさらに備える。

【００２６】また、上記光ファイバ増幅器から出力され
る光信号の一部を検出して、レーザ光の発振波長を変調
した変調波成分が小さくなるように、あるいは、その高
調波成分が小さくなるように、光ファイバ増幅器の励起
光強度を制御するための励起光強度制御装置をさらに備
える。

【００２７】また、上記変調波源は変調波としてノコギ
リ波を発生することを特徴とする。

【００２８】また、上記変調波源は変調波としてＦＭ変
調波を発生することを特徴とする。

【００２９】さらに、上記変調波源の発生する変調波の
変調周波数Ｆを、伝送手段の伝送距離をＬ、光速をｃと
したとき、Ｆ≧ｃ／２Ｌとしたことを特徴とする。

【００３０】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１に係る
光アナログ信号伝送用装置の構成を概略的に示す図であ
る。図において、半導体レーザ３０には、変調波源とし
てレーザ光を低周波に変調するための低周波源３１が接
続されている。また、半導体レーザ３０の出力側には、
半導体レーザ３０から発振されるレーザ光を強度変調
し、光アナログ信号に変換するためのマッハツェンダ型
光変調器２が接続されている。マッハツェンダ型光変調
器２には、アナログ信号発生手段３が接続されるととも
に、光アナログ信号を伝送するための伝送手段である光
ファイバ４が接続されており、さらに光ファイバ４の他
端には、光アナログ信号をアナログ電気信号に変換する
ための受信装置６が接続されている。

【００３１】図２および図３（ａ）、（ｂ）は、この発
明の実施の形態１に係る光アナログ信号伝送用装置によ
って、レーリー散乱による雑音でＣ／Ｎが劣化すること
を防げることを説明するための図である。図２におい
て、光源３２は図１に示す半導体レーザ３０およびマッ
ハツェンダ型光変調器２から構成されるものであり、ま
た、光ファイバ４中には、屈折率の揺らぎにより反射源
９ａ、９ｂが存在する。図中の矢印は、光ファイバ４中
を反射されることなく伝送される直接光１１と、反射源
９ａおよび９ｂで反射されて光ファイバ４中を伝送する
遅延光１２の光路を概念的に示すものである。図３
（ａ）において、３３は低周波で発振波長を変調したと
きの半導体レーザ３０の位相雑音、また、図３（ｂ）に
おいて、３４は低周波で発振波長を変調したときのレー
リー散乱によって生じる雑音スペクトル、３５はアナロ
グ信号の信号帯域である。

【００３２】半導体レーザ３０から発振されたレーザ光
は、マッハツェンダ型光変調器２に入射後、２つの光路
に分けられる。マッハツェンダ型光変調器２は、入力ア
ナログ電気信号に応じて、２つの光路に分けられた光に
位相差をつけることができるため、再び２つの光を合波
すると、干渉の効果により位相差が強度変化になり、ア
ナログ電気信号を光アナログ信号に変換することができ
る。マッハツェンダ型光変調器２から出力される光アナ
ログ信号は、光ファイバ４によって伝送され、受信装置
６でアナログ電気信号に変換される。

【００３３】図２に示すように、光ファイバ４中を伝送
する光のレーリー散乱によって生じる雑音は、反射源９
ａにより伝送方向と逆方向に散乱（後方散乱）され、さ
らに、反射源９ｂにより再び逆方向に散乱されることに
より、本来の伝送方向に伝送される。このため上述した
ように、受信装置６は、直接光１１および遅延光１２を
同時に受光する。従って、光ファイバ４中を伝送する光
アナログ信号について自己遅延ホモダインを行ったこと
と同様の結果となり、光アナログ信号の位相雑音が強度
雑音に変換されて発生する。このため、レーリー散乱に
よって生じる雑音スペクトルは、レーザの位相雑音を反
映したものとなる。

【００３４】ここで、半導体レーザ３０は、低周波源３
１により発振波長が低周波で変調されているため、スペ
クトル線幅が非常に広い（位相雑音３３が大きい）光源
と等価になり、レーリー散乱による雑音３４が広い帯域
にばらまかれ、信号帯域３５内に入る雑音電力を小さく
することができる。このように、半導体レーザ３０の発
振波長を低周波で変調することにより、光ファイバ伝送
後のＣ／Ｎ劣化を小さくすることができる。このため、
光源として、安価で、スペクトル線幅の広い半導体レー
ザを用いることができる。

【００３５】なお、低周波源３１は、半導体レーザ３０
に薄膜抵抗を付け、薄膜抵抗に低周波の変調電流を流
し、ジュール熱により半導体レーザの温度を変調して発
振波長を変調するための装置、若しくは、半導体レーザ
３０を多電極構造にし、一部の電極に低周波の変調電流
を流すことによって半導体レーザ３０の発振波長を変調
するための装置、または、半導体レーザ３０を電流によ
って吸熱・発熱する熱電素子上にマウントし、熱電素子
に低周波の変調電流を流して半導体レーザ３０の温度を
変調して発振波長を変調する装置などを用いても良い。

【００３６】また、実施の形態１においては、信号変調
手段としてマッハツェンダ型光変調器を用いたが、半導
体レーザにアナログ電気信号を直接入力することにより
レーザ光を強度変調してもよく、また、電界吸収型光変
調器を用いても、同様の効果を得ることができる。

【００３７】実施の形態２．図４は、この発明の実施の
形態２に係る光アナログ信号伝送用装置の構成を概略的
に示す図である。図において、マッハツェンダ型光変調
器２の出力側には、フォトダイオード４０およびバイア
ス制御回路４１が備えられている。他の構成は実施の形
態１に準ずる。

【００３８】マッハツェンダ型光変調器２から出力され
る光アナログ信号の一部はフォトダイオード４０で検出
される。フォトダイオード４０には、フォトダイオード
４０で検出された光アナログ信号に基づいてマッハツェ
ンダ型光変調器２のバイアス電圧を制御するためのバイ
アス制御回路４１が接続されている。

【００３９】図５は、マッハツェンダ型光変調器２のバ
イアス電圧に対する光出力特性を示す図である。図にお
いて、４２はマッハツェンダ型光変調器２の光出力のバ
イアス電圧依存性を示し、４３はマッハツェンダ型光変
調器２の最適なバイアス電圧を示す。

【００４０】半導体レーザ３０から発振されたレーザ光
は、マッハツェンダ型光変調器２において光アナログ信
号に変換される。マッハツェンダ型光変調器２の光出力
のバイアス電圧依存性４２は三角関数で表されるため、
光出力が最大と最小の中間となるバイアス電圧４３にお
いて変調歪みが最小となる。

【００４１】この最適なバイアス電圧４３においては、
電圧変化に対する光出力変化が最も大きく、２次高調波
歪みが最小となる。このマッハツェンダ型光変調器２か
らの出力光信号は、光ファイバ４で伝送され、受信装置
６で電気信号に変換される。なお、半導体レーザ３０
は、低周波源３１により発振波長が低周波で変調されて
いるため、スペクトル線幅が非常に広い光源と等価にな
り、レーリー散乱による雑音が広い帯域にばらまかれる
ことにより、信号帯域内に入る雑音電力を小さくするこ
とができる。

【００４２】ここで、フォトダイオード４０により、マ
ッハツェンダ型光変調器２から出力される光信号の一部
を検出して、レーザ光の発振波長を変調した変調波成分
が大きくなるように、あるいは、その高調波成分が小さ
くなるように、マッハツェンダ型光変調器２のバイアス
電圧をバイアス制御回路４２が制御している。マッハツ
ェンダ型光変調器２は干渉の効果を用いており、バイア
ス電圧による位相変化と、発振波長を変調したことによ
る位相変化は等価であるため、このように、マッハツェ
ンダ型光変調器２から出力されるレーザ光の発振波長を
変調した変調波成分が大きくなるように、あるいは、そ
の高調波成分が小さくなるようにすることにより、最適
なバイアス電圧４３に制御することができる。

【００４３】実施の形態３．図６は、この発明の実施の
形態３に係る光アナログ信号伝送用装置の構成を概略的
に示す図である。図において、半導体レーザ３０には、
低周波源３１によってレーザ光が変調される際に生じた
変調成分を打ち消すために、レーザ光を強度変調させる
打ち消し手段として打ち消し変調波源５０が接続されて
いる。打ち消し変調波源５０は半導体レーザ３０に強度
変調を加え、半導体レーザ３０から発振されるレーザ光
の出力を一定にするための手段であり、低周波源３１と
等しい周波数の正弦波を発生する装置である。その他の
構成は実施の形態１に準ずる。

【００４４】図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、レーザ光
が低周波源３１によって強度変調された場合の影響につ
いての説明図である。図７（ａ）において、５１は低周
波源３１によって生じた強度変調成分、５２は信号を伝
送するキャリア信号、５３はキャリアによって伝送され
る信号、５４はキャリア信号５２の近傍に発生する強度
変調成分５１によるサイドバンドである。

【００４５】半導体レーザ３０から発振されたレーザ光
は、マッハツェンダ型光変調器２において光アナログ信
号に変換される。マッハツェンダ型光変調器２から出力
される光アナログ信号は、光ファイバ４中を伝送し、受
信装置６で再び電気信号に変換される。なお、半導体レ
ーザ３０は、低周波源３１によって発振波長が低周波で
変調されているため、スペクトル線幅が非常に広い光源
と等価になり、レーリー散乱による雑音が広い帯域にば
らまかれ、信号帯域内に入る雑音電力を小さくすること
ができる。

【００４６】低周波源３１により変調されたレーザ光に
強度変調成分５１が生じた場合に、マッハツェンダ型光
変調器２によりさらに強度変調を行うと、信号５３を伝
送するキャリア５２の近傍に、強度変調成分５１による
サイドバンド５４が発生する。半導体レーザ３０の発振
波長を変調した低周波源３１の周波数をｆｍとすると、
強度変調成分５１の周波数もｆｍとなり、キャリア５２
から両サイドにｆｍ離れた周波数にサイドバンド５４が
発生する。このサイドバンド５４は信号５３とは無関係
で、低周波であるために信号５３の帯域内に入ってくる
ため、信号５３の伝送品質を劣化させる。

【００４７】ここで、半導体レーザ３０は、低周波源３
１とは別の打ち消し変調波源５０によりレーザ光の強度
変調を行うため、低周波源３１による発振波長の変調に
よって生じた強度変調成分５１を、低周波源３１による
変調とは独立して打ち消すことができる。従って、半導
体レーザ３０から強度変調成分５１のない、一定のレー
ザ光を得ることができ、キャリア５２の周りの低周波の
サイドバンド５４の発生を防ぐことができるので、光フ
ァイバ４を伝送する光アナログ信号の伝送品質の劣化を
抑えることができる。

【００４８】なお、打ち消し変調波源５０は、低周波源
３１として半導体レーザ３０の温度変化を用いている場
合には半導体レーザ３０への注入電流による方法、ま
た、低周波源３１として発生する３０の多電極の一部の
電極に低周波の変調電流を流す方法を用いている場合に
は、その他の電極に変調電流を流す方法によって実現す
ることができる。また、アナログ電気信号を光アナログ
信号に変換するデバイスとしてマッハツェンダ型光変調
器を用いた実施の形態について説明を行ったが、電界吸
収型光変調器を用いても同様の効果を得ることができ
る。

【００４９】実施の形態４．図８は、この発明の実施の
形態４に係る光アナログ信号伝送用装置の構成を概略的
に示す図である。図において、打ち消し変調波源６０の
発生する変調電流がＦＭ変調された電流であること以外
の構成は、実施の形態３に準ずるものである。

【００５０】図９は、波長分散によって発生する強度変
調成分の影響を概念的に示す図である。図において、キ
ャリア５２の周りに強度変調成分であるサイドバンド６
１が波長分散によって発生していること以外は実施の形
態３と同様である。

【００５１】半導体レーザ３０から発振されるレーザ光
は、マッハツェンダ型光変調器２によって、光アナログ
信号に変換される。マッハツェンダ型光変調器２から出
力される光アナログ電気信号は光ファイバ４を伝送し、
受信装置６で再び電気信号に変換される。なお、半導体
レーザ３０から発振されるレーザ光は、低周波源３１に
より発振波長が低周波で変調されているため、スペクト
ル線幅が非常に広い光源と等価になり、レーリー散乱に
よる雑音が広い帯域にばらまかれ、信号帯域内に入る雑
音電力を小さくすることができる。

【００５２】マッハツェンダ型光変調器２から出力され
た光アナログ電気信号が光ファイバ４を伝送する場合、
マッハツェンダ型光変調器２から出力された直後には見
られない強度変調成分６１がキャリア５２の両サイドに
発生する。低周波源３１がレーザ光の発振波長を変調し
た周波数をｆｍとすると、キャリア５２から両サイドに
ｆｍの整数倍だけ離れた周波数にサイドバンド６１が発
生する。このサイドバンド６１は信号５３に無関係で、
低周波であるために信号５３の帯域内に入ってくるた
め、光ファイバ４における光アナログ信号の伝送品質を
劣化させる。

【００５３】ここで、低周波源３１とは別の打ち消し変
調波源６０により、あらかじめ半導体レーザ３０が発振
するレーザ光に強度変調を加えるため、波長分散によっ
て発生する強度変調成分を、低周波源３１による強度変
調とは独立して、打ち消し変調波源６０によるレーザ光
の強度変調によって打ち消すことができ、光ファイバ４
を伝送された後のキャリア５２の周りに低周波のサイド
バンド６１が発生することを防ぐことができる。従っ
て、光ファイバ４によって伝送される光アナログ信号の
伝送品質の劣化を抑えることができる。

【００５４】なお、波長分散によって発生する強度変調
成分は、その次数毎に、位相が９０°ずつ異なるため、
低周波源３１が発生する変調電流の周波数を周期とする
ＦＭ変調信号と見なすことができる。このため、低周波
源３１として半導体レーザの温度変化を用いている場合
には、打ち消し変調波源６０として半導体レーザ３０へ
低周波のＦＭ変調信号を入力する方法、また、低周波源
３１として半導体レーザ３０の多電極の一部の電極に低
周波の変調電流を流す場合には、打ち消し変調波源６０
として、その他の電極に低周波のＦＭ変調信号を入力す
る手段によって実現することができる。

【００５５】また、実施の形態４においては、アナログ
電気信号を光アナログ信号に変換するデバイスとしてマ
ッハツェンダ型光変調器を用いて説明を行ったが、電界
吸収型光変調器を用いても同様の効果を得ることができ
る。

【００５６】実施の形態５．図１０は、この発明の実施
の形態５に係る光アナログ信号伝送用装置の構成を概略
的に示す図である。図において、半導体レーザ７０に
は、変調波源としてレーザ光を低周波に変調するための
低周波源７１が接続されている。また、半導体レーザ７
０には半導体レーザ７０が発振するレーザ光を低周波で
変調するための変調波源である低周波源７１が接続され
るとともに、半導体レーザ７０が発振するレーザ光を直
接強度変調させて光アナログ信号を発振させるためのア
ナログ信号供給源７２が接続されている。

【００５７】また、半導体レーザ７０には、光アナログ
信号を伝送するための伝送手段である光ファイバ２０ａ
が接続されている。光ファイバ２０ａの他端には、光フ
ァイバ２０ａ中を伝送されることにより減衰した光アナ
ログ信号を増幅するための光ファイバ増幅器７３が接続
されている。

【００５８】光ファイバ増幅器７３は、光ファイバ増幅
器７３から出力された光信号の一部を検出し、半導体レ
ーザ７０の発振波長を変調した低周波成分が小さくなる
ように、あるいは、その高調波成分が小さくなるよう
に、光ファイバ増幅器７３内において光ファイバ増幅器
７３の利得波長特性を補正（波長依存性を平坦化）する
ためのフィルタ７４に接続されており、フィルタ７４は
フォトダイオード７５およびフィルタ制御回路７６を備
える。さらに、フィルタ７４の出力側には、光ファイバ
２０ｂを介して受信装置７７が接続されている。

【００５９】なお、フォトダイオード７５は、光ファイ
バ増幅器７３で増幅された光信号の一部を検出するため
のものであり、また、制御回路７６は、フォトダイオー
ド７５で検出した光信号に基づいてフィルタ７４の透過
波長特性を制御するためのものである。

【００６０】半導体レーザ７０から発振されるレーザ光
は、低周波源７１により低周波で変調されるとともに、
アナログ電気信号によって直接強度変調されて光アナロ
グ信号に変換される。半導体レーザ７０から発振される
レーザ光は、光ファイバ２０ａ中を伝送する際に減衰す
る。減衰した光アナログ信号は、光ファイバ増幅器７３
により増幅される。

【００６１】光ファイバ増幅器７３で増幅された光アナ
ログ信号は、フィルタ７４により光ファイバ増幅器の利
得の波長依存性が平坦化された後、再び光ファイバ２０
ｂにより伝送され、受信装置７７で再び電気信号に変換
される。なお、半導体レーザ７０から発振されるレーザ
光は、低周波源７１により発振波長が低周波で変調され
ているため、スペクトル線幅が非常に広い光源と等価に
なり、レーリー散乱による雑音が広い帯域にばらまか
れ、光ファイバ２０ａおよび２０ｂにより伝送された後
の光アナログ信号の信号帯域内に入る雑音電力を小さく
することができる。

【００６２】光ファイバ増幅器７３とフィルタ７４を合
わせたときの利得の波長依存性が小さければ小さいほ
ど、フォトダイオード７５で検出した低周波源７１によ
る変調波成分は小さくなり、また、その高調波成分も小
さくなり、光アナログ信号を伝送したときの変調歪みが
小さくなる。ここで、フォトダイオード７５により、光
ファイバ増幅器７３から出力される光信号の一部を検出
して、半導体レーザ７０の発振波長を変調した低周波成
分が小さくなるように、あるいは、その高調波成分が小
さくなるように、フィルタ７４の透過波長特性を制御し
ているため、常に、変調歪みの小さい光アナログ信号伝
送用装置を得ることができる。

【００６３】なお、光ファイバ増幅器７３の利得の波長
依存性を調整するフィルタ７４として、エタロンや誘電
体を蒸着した多層膜フィルタを用いることができ、これ
らの透過波長特性は、フィルタ７４への光の入射角を変
えることによって、容易に調整することができる。

【００６４】実施の形態６．図１１は、この発明の実施
の形態６に係る光アナログ信号伝送用装置の構成を概略
的に示す図である。図において、フォトダイオード７５
で検出した光アナログ信号に基づいて光ファイバ増幅器
７３の励起光強度を制御する励起光強度制御装置として
励起光制御回路８０を備え、実施の形態５に示したフィ
ルタ７４を備えないこと以外は、実施の形態５に係る光
アナログ信号伝送用装置の構成に準ずる。

【００６５】なお、励起光制御回路８０は、光ファイバ
増幅器７３で増幅された光信号の一部を検出し、半導体
レーザ７０から発振されるレーザ光の発振波長を変調し
た低周波成分が小さくなるように、あるいは、その高調
波成分が小さくなるように、光ファイバ増幅器７３の励
起光強度を制御するための制御回路である。

【００６６】このような構成により、実施の形態５の場
合と同様に、低周波源７１によってレーザ光の発振波長
が低周波で変調されているため、スペクトル線幅が非常
に広い光源と等価になり、レーリー散乱による雑音が広
い帯域にばらまかれ、信号帯域内に入る雑音電力を小さ
くすることができる。

【００６７】ここで、光ファイバ増幅器７３の利得の波
長依存性は、動作条件（入射光の波長・光出力）におい
て利得がピークとなるときに最も小さく（平坦に）な
り、この利得ピークは光ファイバ増幅器の励起光強度に
依存している。また、光ファイバ増幅器７３の利得の波
長依存性が小さければ小さいほど、フォトダイオード７
５で検出した低周波源７１による変調波成分は小さくな
り、また、その高調波成分も小さくなり、光アナログ信
号を伝送したときの変調歪みが小さくなる。

【００６８】ここで、フォトダイオード７５により、光
ファイバ増幅器７３で増幅された光信号の一部を検出し
て、半導体レーザ７０から発振されるレーザ光の発振波
長を変調した低周波成分が小さくなるように、あるい
は、その高調波成分が小さくなるように、光ファイバ増
幅器７３の励起光強度を制御しているため、光ファイバ
増幅器７３の利得の波長依存性が小さくなるように保た
れ、変調歪みの小さい光アナログ信号伝送用装置を得る
ことができる。

【００６９】実施の形態７．図１２は、この発明の実施
の形態７に係る光アナログ信号伝送用装置の構成を概略
的に示す図である。図において、半導体レーザ３０に
は、半導体レーザ３０が発振するレーザ光の発振波長を
低周波でノコギリ波状に変調する変調波源である低周波
源９０を備えること以外は、実施の形態１の構成に準ず
る。

【００７０】図１３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、光ファ
イバに反射点があった場合の雑音特性を概念的に示す図
である。図１３（ａ）において、９１ａ、９１ｂは、コ
ネクタ等による反射点。９２は、そのまま透過して受光
された直接光、９３は反射点９１ａ、９１ｂにより反射
され、直接光９２に対して遅延して受光された遅延光で
ある。

【００７１】また、図１３（ｂ）において、９９は低周
波源９０が発生する変調波により変調されたレーザ光の
発振波長の時間変化特性、９４は遅延光９３となるレー
ザ光が半導体レーザ３０から発振された時間、９５は直
接光９２となるレーザ光が半導体レーザ３０から発振さ
れた時間、９６は直接光９２と遅延光９３の発振周波数
の差である。さらに図１３（ｃ）において、９７は直接
光９２と遅延光９３のビートにより生じる雑音の周波数
特性、９８は光ファイバ４を伝送する光アナログ信号の
信号帯域である。

【００７２】半導体レーザ３０から発振されたレーザ光
は、マッハツェンダ型光変調器２において光アナログ信
号に変換される。マッハツェンダ型光変調器２から出力
される光アナログ電気信号は光ファイバ４中を伝送し、
受信装置６で再び電気信号に変換される。

【００７３】ここで、半導体レーザ３０から発振される
レーザ光は、低周波源９０により、発振波長が低周波で
ノコギリ波状に変調されているため、スペクトル線幅が
非常に広い光源と等価になり、レーリー散乱による雑音
が広い帯域にばらまかれ、図１３（ｃ）に示す周波数特
性９７のように信号帯域９８内に入る雑音電力を小さく
することができる。

【００７４】また、光ファイバ４に反射点９１ａ、９１
ｂがあった場合においても、半導体レーザ３０から発振
されるレーザ光の発振波長が低周波でノコギリ波状に変
調されているため、同時に受光する直接光９２と、反射
点９１ａと反射点９１ｂとによって多重反射して直接光
９２に対して遅延した遅延光９３の発振時間９５および
９４が異なり、それぞれの発振波長の差はΔｆ以下にな
らなくすることができる。

【００７５】従って、直接光９２と遅延光９３を同時に
受光すると、図１３（ｃ）に示すように、両者のビート
が雑音の周波数特性９７となって現れる。Δｆを信号帯
域９８よりも大きくなるように、図１３（ｂ）に示す半
導体レーザ３０の発振波長の時間変化９９を設定するこ
とにより、このように光ファイバ４中を伝送する光アナ
ログ信号に反射があった場合においても、雑音の少ない
光アナログ用伝送装置を得ることができる。

【００７６】さらに、半導体レーザ３０の発振波長が低
周波でノコギリ波状に変調されているため、変調波形の
周波数成分が、複数の高調波成分を含み、一高調波当た
りの変調電力が小さくなるので、分散を有する光ファイ
バ４を伝送した後の分散によって生じる強度変調成分の
発生を抑えることができ、光ファイバ４を伝送した後の
キャリアの回りに低周波のサイドバンドが発生すること
を防ぐことができ、伝送品質の劣化を防ぐことができる
という効果がある。

【００７７】なお、実施の形態７においては、アナログ
電気信号を光アナログ信号に変換するデバイスとしてマ
ッハツェンダ型光変調器２を用いて説明を行ったが、電
界吸収型光変調器を用いても同様の効果を得ることがで
きる。

【００７８】実施の形態８．図１４は、この発明の実施
の形態８に係る光アナログ信号伝送用装置の構成を概略
的に示す図である。図において、半導体レーザ３０に
は、半導体レーザ３０が発振するレーザ光の発振波長を
低周波のＦＭ変調信号で変調する変調波源である低周波
源１００を備えること以外は、実施の形態１の構成に準
ずる。

【００７９】半導体レーザ３０から発振されたレーザ光
は、マッハツェンダ型光変調器２において光アナログ信
号に変換される。マッハツェンダ型光変調器２からの出
力光信号は、光アナログ伝送システムの伝送路である光
ファイバ４に結合・伝送され、受信装置６で再び電気信
号に変換される。

【００８０】ここで、半導体レーザ３０から発振される
レーザ光は、低周波源１００によって発振波長が低周波
のＦＭ変調信号により変調されているため、スペクトル
線幅が非常に広い光源と等価になり、レーリー散乱によ
る雑音が広い帯域にばらまかれ、信号帯域内に入る雑音
電力を小さくすることができる。

【００８１】また、低周波源１００によりレーザ光の発
振波長が低周波のＦＭ変調信号で変調されているため、
変調波形の周波数成分が、複数の高調波成分を含み、一
高調波当たりの変調電力が小さくなるので、分散を有す
る光ファイバ４を伝送した後の分散によって生じる強度
変調成分の発生を抑えることができ、光ファイバ４を伝
送した後のキャリアの回りに低周波のサイドバンドが発
生することを防ぐことができ、伝送品質の劣化を防ぐこ
とができる。

【００８２】なお、実施の形態８においては、アナログ
電気信号を光アナログ信号に変換するデバイスとしてマ
ッハツェンダ型光変調器を用いて説明を行ったが、電界
吸収型光変調器を用いても、同様の効果を得ることがで
きる。

【００８３】実施の形態９．図１５（ａ）、（ｂ）は、
実施の形態９に係る光アナログ信号伝送用装置の構成を
概略的に示す図である。図１５（ａ）において、装置構
成は全て実施の形態１に準ずるものであるが、光ファイ
バ４の伝送距離をＬ、光速をｃとした場合に、低周波源
１１０の変調周波数ＦがＦ≧ｃ／２Ｌを満たすように、
低周波源１１０の発生する変調電流の変調周波数を設定
している。

【００８４】また、図１５（ｂ）において、１１１は、
低周波源の変調周波数Ｆをｃ／２Ｌより小さくした場合
（Ｆ＜ｃ／２Ｌ）とした場合の光ファイバ４中における
光アナログ信号の発振波長（光周波数）、１１２はＦ≧
ｃ／２Ｌとした場合の光ファイバ４中における発振波長
（光周波数）、１１３はＦ＜ｃ／２Ｌとした場合の発振
波長（光周波数）の分布、１１４はＦ≧ｃ／２Ｌとした
場合の発振波長（光周波数）の分布である。

【００８５】半導体レーザ３０から発振されるレーザ光
は、マッハツェンダ型光変調器２において、光アナログ
信号に変換される。マッハツェンダ型光変調器２からの
出力される光アナログ電気信号は、光ファイバ４中を伝
送され、受信装置６で再び電気信号に変換される。

【００８６】ここで、半導体レーザ３０から発振される
レーザ光は、低周波源１１０によって、発振波長が低周
波で変調されている。Ｆ＜ｃ／２Ｌの場合には、光ファ
イバの線路の位置による発振波長（光周波数）１１１は
あまり変わらず、発振波長（光周波数）の分布１１３は
あまり広がらない。一方、Ｆ≧ｃ／２Ｌの場合には、光
ファイバ４の線路の位置による発振波長（光周波数）１
１２は大きく変わり、発振波長（光周波数）の分布１１
４は広がる。

【００８７】このように、半導体レーザ３０の発振波長
をｃ／２Ｌ以上の周波数で変調することによって、スペ
クトル線幅が非常に広い光源と等価になるため、レーリ
ー散乱による雑音が広い帯域にばらまかれ、信号帯域内
に入る雑音電力を小さくすることができ、光ファイバ伝
送後のＣ／Ｎ劣化を小さくすることができる。

【００８８】なお、実施の形態９においては、アナログ
電気信号を光アナログ信号に変換するデバイスとしてマ
ッハツェンダ型光変調器を用いて説明を行ったが、電界
吸収型光変調器を用いても同様の効果を得ることができ
る。

【００８９】

【発明の効果】この発明に係る光アナログ信号伝送用装
置は、レーザ光の発振波長を変調するための変調波を供
給する変調波源と、変調波源から供給された変調波によ
って変調されるレーザ光を発振する半導体レーザと、半
導体レーザが発振するレーザ光をアナログ信号によって
変調して光アナログ信号に変換するための信号変調手段
と、光アナログ信号を伝送するための伝送手段と、伝送
手段を介した光アナログ信号を受信し、アナログ電気信
号に変換するための受信装置とを備え、変調波源は、半
導体レーザ装置が発振するレーザ光の発振波長を光アナ
ログ信号の信号帯域よりも低い周波数で変調することを
特徴とするので、光アナログ信号の信号帯域内に入る雑
音の電力を小さくすることにより、光ファイバで伝送後
のＣ／Ｎ劣化を小さくすることができるとともに、スペ
クトル線幅の広く、安価な半導体レーザを光源として用
いることができる。

【００９０】また、上記信号変調手段は、レーザ光を強
度変調して光アナログ信号に変調するためのマッハツェ
ンダ型光変調器を備えるので、アナログ電気信号を光ア
ナログ電気信号に容易に変換することができる。

【００９１】また、上記信号変調手段のバイアス依存性
によって生じる変調による光アナログ信号の歪みを最小
とするためのバイアス制御手段をさらに備えるので、常
に最適なバイアス電圧に制御することにより、半導体レ
ーザから発振されるレーザ光の発振波長が低周波で変調
されているため、信号帯域内に入る雑音電力を小さくす
ることができる。

【００９２】また、上記信号変調手段は、レーザ光を強
度変調するためのアナログ信号発生手段を備えるので、
レーザ光を確実に強度変調することができる。

【００９３】また、上記半導体レーザに接続され、変調
波源によってレーザ光が光変調される際に生じた変調成
分を打ち消すために該レーザ光を強度変調させる打ち消
し手段を備えるので、強度変調成分のない一定の出力の
レーザ光を得ることができ、光ファイバを伝送すること
による光アナログ信号の伝送品質の劣化を防ぐことがで
きる。

【００９４】また、上記打ち消し手段は、変調波源と等
しい周波数の正弦波を発生することを特徴とするので、
キャリアの周りにおけるサイドバンドの発生を効果的に
抑制することができる。

【００９５】さらに、上記打ち消し手段は、低周波の変
調信号を発生することを特徴とするので、キャリアの周
りにおけるサイドバンドの発生を効果的に抑制すること
ができる。

【００９６】また、他の発明に係る光アナログ信号伝送
用装置は、レーザ光の発振波長を変調するための変調波
を供給する変調波源と、変調波源から供給される変調波
によって変調されるレーザ光を発振する半導体レーザ
と、半導体レーザを強度変調して光アナログ信号にする
ためのアナログ電気信号を供給するアナログ信号供給源
と、光アナログ信号を伝送するための伝送手段と、伝送
手段を介した光アナログ信号を受信し、アナログ電気信
号に変換するための受信装置とを備え、変調波源は、半
導体レーザ装置が発振するレーザ光の発振波長を光アナ
ログ信号の信号帯域よりも低い周波数で変調することを
特徴とするので、光アナログ信号の信号帯域内に入る雑
音の電力を小さくすることにより、光ファイバで伝送後
のＣ／Ｎ劣化を小さくすることができるとともに、スペ
クトル線幅の広く、安価な半導体レーザを光源として用
いることができる。

【００９７】また、上記伝送手段の途中に設けられ、該
伝送手段中を伝送することにより減衰した光アナログ信
号を増幅するための光ファイバ増幅器をさらに備えるの
で、光アナログ信号の伝送効率を高く保持することがで
きる。

【００９８】また、上記光ファイバ増幅器から出力され
る光信号の一部を検出して、レーザ光の発振波長を変調
した変調波成分が小さくなるように、あるいは、その高
調波成分が小さくなるように、光ファイバ増幅器の利得
波長特性を補正するためのフィルタをさらに備えるの
で、常に変調歪みの少ない光アナログ信号を伝送するこ
とができる。

【００９９】また、上記光ファイバ増幅器から出力され
る光信号の一部を検出して、レーザ光の発振波長を変調
した変調波成分が小さくなるように、あるいは、その高
調波成分が小さくなるように、光ファイバ増幅器の励起
光強度を制御するための励起光強度制御装置をさらに備
えるので、常に変調歪みの少ない光アナログ信号を伝送
することができる。

【０１００】また、上記変調波源は、変調波としてノコ
ギリ波を発生することを特徴とするので、変調波形の周
波数成分が複数の高調波を含み、一高調波当たりの変調
電力が小さくできることにより、強度変調成分の発生を
抑制することができ、信号帯域内に入る雑音電力を小さ
くすることができる。

【０１０１】また、上記変調波源は、変調波としてＦＭ
変調波を発生することを特徴とするので、レーリー散乱
による雑音が広い帯域にばらまかれ、信号帯域内に入る
雑音電力を小さくすることができる。

【０１０２】さらに、上記変調波源の発生する変調波の
変調周波数Ｆを、伝送手段の伝送距離をＬ、光速をｃと
したとき、Ｆ≧ｃ／２Ｌとしたことを特徴とするので、
レーリー散乱による雑音が広い帯域にばらまかれ、信号
帯域内に入る雑音電力を小さくすることができ、光ファ
イバ伝送後のＣ／Ｎ劣化を小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１に係る光アナログ信
号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【図２】この発明の実施の形態１に係る光アナログ信
号伝送用装置によって、レーリー散乱による雑音でＣ／
Ｎが劣化することを防げることを説明するための図であ
る。

【図３】この発明の実施の形態１に係る光アナログ信
号伝送用装置によって、レーリー散乱による雑音でＣ／
Ｎが劣化することを防げることを説明するための図であ
る。

【図４】この発明の実施の形態２に係る光アナログ信
号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【図５】マッハツェンダ型光変調器２のバイアス電圧
と光出力特性の説明図である。

【図６】この発明の実施の形態３に係る光アナログ信
号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【図７】この発明の実施の形態３に係る半導体レーザ
３０の発振波長を変調する手段５によって強度変調され
た場合の影響についての説明図である。

【図８】この発明の実施の形態４に係る光アナログ信
号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【図９】波長分散によって発生する強度変調成分の影
響を概念的に示す図である。

【図１０】この発明の実施の形態５に係る光アナログ
信号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【図１１】この発明の実施の形態６に係る光アナログ
信号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【図１２】この発明の実施の形態７に係る光アナログ
信号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【図１３】光ファイバに反射点があった場合の雑音特
性を概念的に示す図である。

【図１４】この発明の実施の形態８に係る光アナログ
信号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【図１５】この発明の実施の形態９に係る光アナログ
信号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【図１６】従来の光アナログ信号伝送用装置の構成を
概略的に示す図である。

【図１７】レーリー散乱によって雑音が発生するメカ
ニズムを概略的に示す図である。

【図１８】レーザの発振波長又は周波数に対する雑音
の電力分布を示す図である。

【図１９】従来の光ファイバ増幅器を用いた光アナロ
グ信号伝送用装置の構成を概略的に示す図である。

【符号の説明】

２マッハツェンダ型光変調器（信号変調手段）、３
アナログ信号発生手段、４、２０ａ、２０ｂ光ファイ
バ（伝送手段）、６、７７受信装置、３０、７０半
導体レーザ、３１、７１、９０、１００、１１０低周
波源（変調波源）、４２バイアス制御回路（バイアス
制御手段）、５０、６０打ち消し変調波源（打ち消し
手段）、７２アナログ信号供給源、７３光ファイバ
増幅器、７４フィルタ、８０励起光強度制御装置。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光の発振波長を変調するための変
調波を供給する変調波源と、上記変調波源から供給される変調波によって変調された
レーザ光を発振する半導体レーザと、上記半導体レーザが発振するレーザ光をアナログ信号に
よって変調して光アナログ信号に変換するための信号変
調手段と、上記光アナログ信号を伝送するための伝送手段と、上記伝送手段を介した光アナログ信号を受信し、アナロ
グ電気信号に変換するための受信装置とを備え、上記変調波源は、上記半導体レーザ装置が発振するレー
ザ光の発振波長を上記光アナログ信号の信号帯域よりも
低い周波数で変調することを特徴とする光アナログ信号
伝送用装置。
【請求項２】上記信号変調手段は、上記レーザ光を強
度変調して光アナログ信号に変調するためのマッハツェ
ンダ型光変調器を備える請求項１記載の光アナログ信号
伝送用装置。
【請求項３】上記信号変調手段のバイアス依存性によ
って生じる変調による上記光アナログ信号の歪みを最小
とするためのバイアス制御手段をさらに備える請求項２
記載の光アナログ信号伝送用装置。
【請求項４】上記信号変調手段は、上記レーザ光を強
度変調するためのアナログ信号発生手段を備える請求項
１乃至請求項３のいずれか記載の光アナログ信号伝送用
装置。
【請求項５】上記半導体レーザに接続され、上記変調
波源によって上記レーザ光が変調される際に生じた変調
成分を打ち消すために、該レーザ光を強度変調させる打
ち消し手段を備える請求項１乃至請求項４のいずれか記
載の光アナログ信号伝送用装置。
【請求項６】上記打ち消し手段は、上記変調波源と等
しい周波数の正弦波を発生することを特徴とする請求項
５記載の光アナログ信号伝送手段。
【請求項７】上記打ち消し手段は、低周波の変調信号
を発生することを特徴とする請求項５記載の光アナログ
信号伝送用装置。
【請求項８】レーザ光の発振波長を変調するための変
調波を供給する変調波源と、上記変調波源から供給される変調波によって変調される
レーザ光を発振する半導体レーザと、上記半導体レーザを強度変調して光アナログ信号にする
ためのアナログ電気信号を供給するアナログ信号供給源
と、上記光アナログ信号を伝送するための伝送手段と、上記伝送手段を介した光アナログ信号を受信し、アナロ
グ電気信号に変換するための受信装置とを備え、上記変調波源は、上記半導体レーザ装置が発振するレー
ザ光の発振波長を上記光アナログ信号の信号帯域よりも
低い周波数で変調することを特徴とする光アナログ信号
伝送用装置。
【請求項９】上記伝送手段の途中に設けられ、該伝送手
段中を伝送することにより減衰した光アナログ信号を増
幅するための光ファイバ増幅器をさらに備える請求項８
記載の光アナログ信号伝送用装置。
【請求項１０】上記光ファイバ増幅器から出力される
光信号の一部を検出して、上記レーザ光の発振波長を変
調した変調波成分が小さくなるように、あるいは、その
高調波成分が小さくなるように、該光ファイバ増幅器の
利得波長特性を補正するためのフィルタをさらに備える
請求項９記載の光アナログ信号伝送用装置。
【請求項１１】上記光ファイバ増幅器から出力される
光信号の一部を検出して、上記レーザ光の発振波長を変
調した変調波成分が小さくなるように、あるいは、その
高調波成分が小さくなるように、該光ファイバ増幅器の
励起光強度を制御するための励起光強度制御装置をさら
に備える請求項９記載の光アナログ信号伝送用装置。
【請求項１２】上記変調波源は、上記変調波としてノ
コギリ波を発生することを特徴とする請求項１乃至請求
項１１のいずれか記載の光アナログ信号伝送用装置。
【請求項１３】上記変調波源は、上記変調波としてＦ
Ｍ変調波を発生することを特徴とする請求項１乃至請求
項１２のいずれか記載の光アナログ信号伝送用装置。
【請求項１４】上記変調波源の発生する変調波の変調
周波数Ｆを、伝送手段の伝送距離をＬ、光速をｃとした
とき、Ｆ≧ｃ／２Ｌとしたことを特徴とする請求項１乃
至請求項１３のいずれか記載の光アナログ信号伝送用装
置。