JPH10249154A - ダイオキシン類の発生抑制方法 - Google Patents
ダイオキシン類の発生抑制方法Info
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- JPH10249154A JPH10249154A JP9078990A JP7899097A JPH10249154A JP H10249154 A JPH10249154 A JP H10249154A JP 9078990 A JP9078990 A JP 9078990A JP 7899097 A JP7899097 A JP 7899097A JP H10249154 A JPH10249154 A JP H10249154A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ごみ焼却炉において、ダイオキシン類の発生
を効果的に抑制し、排ガス中及び灰中のダイオキシン類
濃度を大幅に低減させる。 【解決手段】 ごみ焼却炉１０から排出される排ガスが
ガス冷却装置１４で減温される前の４００℃以上の高温
域の排ガス中にＨＣｌ中和剤を存在させて、ダイオキシ
ン生成原料の１つである排ガス中のＨＣｌを塩化物とし
て固定化する。ＨＣｌ中和剤としては、ＣａＯ、ＣａＣ
Ｏ3 、Ｃａ（ＯＨ）2 、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ3 、ドロマイ
ト、Ｋ2 Ｏ、Ｋ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｆ
ｅＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ等が用いられる。
を効果的に抑制し、排ガス中及び灰中のダイオキシン類
濃度を大幅に低減させる。 【解決手段】 ごみ焼却炉１０から排出される排ガスが
ガス冷却装置１４で減温される前の４００℃以上の高温
域の排ガス中にＨＣｌ中和剤を存在させて、ダイオキシ
ン生成原料の１つである排ガス中のＨＣｌを塩化物とし
て固定化する。ＨＣｌ中和剤としては、ＣａＯ、ＣａＣ
Ｏ3 、Ｃａ（ＯＨ）2 、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ3 、ドロマイ
ト、Ｋ2 Ｏ、Ｋ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｆ
ｅＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｆｅ等が用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般廃棄物、産業
廃棄物等のごみを焼却するごみ焼却炉や、塩素、無機塩
化物又は／及び有機塩化物（塩化ビニール等）を含む燃
料の燃焼炉（以下、ごみ焼却炉と総称する）において、
ダイオキシン類の発生を効果的に抑制する方法に関する
ものである。
廃棄物等のごみを焼却するごみ焼却炉や、塩素、無機塩
化物又は／及び有機塩化物（塩化ビニール等）を含む燃
料の燃焼炉（以下、ごみ焼却炉と総称する）において、
ダイオキシン類の発生を効果的に抑制する方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ごみ焼却炉から排出される排ガス中及び
焼却灰中にはダイオキシン類が含まれており、ダイオキ
シン類の低減技術の開発が望まれている。ここで、ダイ
オキシン類とは、ポリ塩化ダイベンゾ・パラ・ダイオキ
シン（ＰＣＤＤs ）、四塩化ダイオキシン（ＴＣＤ
Ｄs ）、ジベンゾフラン（ＰＣＤＦs ）を総称するもの
である。
焼却灰中にはダイオキシン類が含まれており、ダイオキ
シン類の低減技術の開発が望まれている。ここで、ダイ
オキシン類とは、ポリ塩化ダイベンゾ・パラ・ダイオキ
シン（ＰＣＤＤs ）、四塩化ダイオキシン（ＴＣＤ
Ｄs ）、ジベンゾフラン（ＰＣＤＦs ）を総称するもの
である。
【０００３】従来、ダイオキシン類発生に必要な条件
は、つぎの４つであることが知られている。 （１） 温度が２５０℃から４００℃未満の範囲である
こと、（２） ダイオキシン類合成（生成）用の触媒が
存在していること、（３） ダイオキシン類生成原料の
１つである環状炭化水素が存在していること、（４）
ダイオキシン類生成原料の１つである塩化水素（ＨＣ
ｌ）が存在していること、これらの条件のうち、１つで
も欠けるとダイオキシン類は発生しない。従来、上記
（１）〜（３）についてはつぎのような技術が知られて
いる。すなわち、（１） ２５０〜４００℃の間は水噴
射等により急冷することによってダイオキシン類の発生
を少なくする。（２） 合成用の触媒としてのＣｕＯ、
ＣｕＣｌ2 、ＦｅＣｌ2 、ＦｅＯ 等を予めごみから取
り除く。（３） 燃焼温度を上げガスを高温に維持して
未燃の炭化水素量を減らす。又は、４００℃以上で未燃
の炭化水素をダストとして除去する。
は、つぎの４つであることが知られている。 （１） 温度が２５０℃から４００℃未満の範囲である
こと、（２） ダイオキシン類合成（生成）用の触媒が
存在していること、（３） ダイオキシン類生成原料の
１つである環状炭化水素が存在していること、（４）
ダイオキシン類生成原料の１つである塩化水素（ＨＣ
ｌ）が存在していること、これらの条件のうち、１つで
も欠けるとダイオキシン類は発生しない。従来、上記
（１）〜（３）についてはつぎのような技術が知られて
いる。すなわち、（１） ２５０〜４００℃の間は水噴
射等により急冷することによってダイオキシン類の発生
を少なくする。（２） 合成用の触媒としてのＣｕＯ、
ＣｕＣｌ2 、ＦｅＣｌ2 、ＦｅＯ 等を予めごみから取
り除く。（３） 燃焼温度を上げガスを高温に維持して
未燃の炭化水素量を減らす。又は、４００℃以上で未燃
の炭化水素をダストとして除去する。
【０００４】特開平４−２５６４１６号公報には、ごみ
焼却炉から排出されて約３００℃前後に一次冷却された
排ガスを、二次冷却処理として、粉粒体が充てんされた
処理槽に導入して流動層ないし噴流層を形成させ、これ
にアルカリと水との混合液をスプレーすることにより、
排ガスを約２００℃以下に冷却し、同時に排ガス中に酸
性ハロゲン化物とアルカリとの反応を行わせて、反応生
成物を乾式集塵機で分離除去する排ガスの処理方法が記
載されている。
焼却炉から排出されて約３００℃前後に一次冷却された
排ガスを、二次冷却処理として、粉粒体が充てんされた
処理槽に導入して流動層ないし噴流層を形成させ、これ
にアルカリと水との混合液をスプレーすることにより、
排ガスを約２００℃以下に冷却し、同時に排ガス中に酸
性ハロゲン化物とアルカリとの反応を行わせて、反応生
成物を乾式集塵機で分離除去する排ガスの処理方法が記
載されている。
【０００５】また、特開平６−４７２２４号公報には、
ごみ焼却炉からの排ガスを、スプレー冷却塔に導き、水
を噴射して１２５℃以下に冷却し、その後、冷却された
排ガスを集塵機バグ室に導いてダイオキシン等の有害物
質を含むダストを除去する排ガス処理方法が記載されて
いる。
ごみ焼却炉からの排ガスを、スプレー冷却塔に導き、水
を噴射して１２５℃以下に冷却し、その後、冷却された
排ガスを集塵機バグ室に導いてダイオキシン等の有害物
質を含むダストを除去する排ガス処理方法が記載されて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術におい
ては、排ガスを水噴射等により急冷しても、ダイオキシ
ン類の発生を完全に抑制することはできず、ダイオキシ
ン類は僅かながら発生する。また、水噴射等で冷却する
ことで、熱エネルギー回収率が低くなる。また、ごみ中
の触媒となる物質、例えば銅や鉄等を予め取り除くこと
は難しく、コストが嵩むという問題がある。さらに、焼
却灰の溶融に至る１６００℃前後に昇温しても、ダイオ
キシン類を合成できる程度の未燃環状炭化水素は残留
し、ダイオキシン類は一応低減はするが、大幅には減少
しない。
ては、排ガスを水噴射等により急冷しても、ダイオキシ
ン類の発生を完全に抑制することはできず、ダイオキシ
ン類は僅かながら発生する。また、水噴射等で冷却する
ことで、熱エネルギー回収率が低くなる。また、ごみ中
の触媒となる物質、例えば銅や鉄等を予め取り除くこと
は難しく、コストが嵩むという問題がある。さらに、焼
却灰の溶融に至る１６００℃前後に昇温しても、ダイオ
キシン類を合成できる程度の未燃環状炭化水素は残留
し、ダイオキシン類は一応低減はするが、大幅には減少
しない。
【０００７】従来のダイオキシン類の発生抑制方法にお
いて、ダイオキシン類生成原料を減らす方法を採用する
場合は、塩化水素を減らすのではなく炭化水素を減らす
方が効果的であると言われ、炭化水素量と比例するＣＯ
濃度を減らすことが唯一の方法とされてきた。ところ
が、本発明者の実験では、ＣＯ濃度とダイオキシン類濃
度との相関はなく、また、１６００℃の高温溶融でも飛
灰には多量のダイオキシン類が含まれ、逆に６００℃で
燃焼させている流動層でもその流動層抜出灰にはダイオ
キシン類が少ないことがわかった。これらの知見から、
高温にすることによって炭化水素を低減させることは、
ダイオキシン類低減に効果がないことがわかる。
いて、ダイオキシン類生成原料を減らす方法を採用する
場合は、塩化水素を減らすのではなく炭化水素を減らす
方が効果的であると言われ、炭化水素量と比例するＣＯ
濃度を減らすことが唯一の方法とされてきた。ところ
が、本発明者の実験では、ＣＯ濃度とダイオキシン類濃
度との相関はなく、また、１６００℃の高温溶融でも飛
灰には多量のダイオキシン類が含まれ、逆に６００℃で
燃焼させている流動層でもその流動層抜出灰にはダイオ
キシン類が少ないことがわかった。これらの知見から、
高温にすることによって炭化水素を低減させることは、
ダイオキシン類低減に効果がないことがわかる。
【０００８】本発明は上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の目的は、ごみ焼却炉においてダイオキシン
類は２５０〜４００℃未満の温度範囲で合成されるが、
排ガス温度が低下するまでにダイオキシン類の合成原料
の１つである塩化水素を除去しておくことにより、ダイ
オキシン類の発生を効果的に抑制する方法を提供するこ
とにある。
で、本発明の目的は、ごみ焼却炉においてダイオキシン
類は２５０〜４００℃未満の温度範囲で合成されるが、
排ガス温度が低下するまでにダイオキシン類の合成原料
の１つである塩化水素を除去しておくことにより、ダイ
オキシン類の発生を効果的に抑制する方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のダイオキシン類の発生抑制方法は、ごみ
焼却炉から排出される排ガスが減温される前の４００℃
以上の高温域の排ガス中にＨＣｌ中和剤を存在させて、
ダイオキシン生成原料の１つである排ガス中のＨＣｌを
塩化物として固定化するように構成されている。固定化
された塩化物は、灰とともに排ガスから容易に固気分離
することができる。本発明の方法においては、排ガス及
び焼却灰の両方のダイオキシン含有量（濃度）を大幅に
低減させることができる。ＨＣｌ中和剤を存在させる高
温域は、ダイオキシン類が合成される温度域以上の少な
くとも４００℃で、上限は焼却炉の構造によって異なる
が１６００℃前後、望ましくは４５０〜７００℃、さら
に望ましくは５００〜５５０℃である。５００〜５５０
℃の温度範囲で、排ガス中のＨＣｌが最も効率よく除去
される。
めに、本発明のダイオキシン類の発生抑制方法は、ごみ
焼却炉から排出される排ガスが減温される前の４００℃
以上の高温域の排ガス中にＨＣｌ中和剤を存在させて、
ダイオキシン生成原料の１つである排ガス中のＨＣｌを
塩化物として固定化するように構成されている。固定化
された塩化物は、灰とともに排ガスから容易に固気分離
することができる。本発明の方法においては、排ガス及
び焼却灰の両方のダイオキシン含有量（濃度）を大幅に
低減させることができる。ＨＣｌ中和剤を存在させる高
温域は、ダイオキシン類が合成される温度域以上の少な
くとも４００℃で、上限は焼却炉の構造によって異なる
が１６００℃前後、望ましくは４５０〜７００℃、さら
に望ましくは５００〜５５０℃である。５００〜５５０
℃の温度範囲で、排ガス中のＨＣｌが最も効率よく除去
される。
【００１０】上記のように、ごみ焼却炉の温度４５０〜
１６００℃にて発生する排ガスから、４００℃の排ガス
に減温するまでにＨＣｌを除去することが有効である。
ＨＣｌ中和剤としては、ＣａＯ、ＣａＣＯ3 、Ｃａ（Ｏ
Ｈ）2 、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ3、ドロマイト、Ｋ2 Ｏ、Ｋ
2 ＣＯ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｎａ2 ＣＯ3 、ＦｅＯ、Ｆｅ2Ｏ
3 及びＦｅからなる群より選ばれた物質が用いられる。
要は、４００℃以上の高温でＨＣｌと反応してＨＣｌを
固定化する物質であればよい。ＨＣｌ中和剤は、ごみ焼
却炉内、又はごみ焼却炉出口から冷却装置入口の間の４
００℃以上の高温域に添加される。具体的には、ごみ焼
却炉内又はごみ焼却炉から出て４００℃に至る間の煙道
中に、ＨＣｌ中和剤を噴霧手段又は重力落下手段等によ
り供給するように構成する。
１６００℃にて発生する排ガスから、４００℃の排ガス
に減温するまでにＨＣｌを除去することが有効である。
ＨＣｌ中和剤としては、ＣａＯ、ＣａＣＯ3 、Ｃａ（Ｏ
Ｈ）2 、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ3、ドロマイト、Ｋ2 Ｏ、Ｋ
2 ＣＯ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｎａ2 ＣＯ3 、ＦｅＯ、Ｆｅ2Ｏ
3 及びＦｅからなる群より選ばれた物質が用いられる。
要は、４００℃以上の高温でＨＣｌと反応してＨＣｌを
固定化する物質であればよい。ＨＣｌ中和剤は、ごみ焼
却炉内、又はごみ焼却炉出口から冷却装置入口の間の４
００℃以上の高温域に添加される。具体的には、ごみ焼
却炉内又はごみ焼却炉から出て４００℃に至る間の煙道
中に、ＨＣｌ中和剤を噴霧手段又は重力落下手段等によ
り供給するように構成する。
【００１１】また、ＨＣｌ中和剤をごみに混入して添加
したり、燃焼用空気又は／及び流動化空気に混入して添
加することも可能である。また、ごみ焼却炉としては、
流動層ごみ焼却炉、ストーカ式ごみ焼却炉、ロータリキ
ルン式ごみ焼却炉等を挙げることができる。
したり、燃焼用空気又は／及び流動化空気に混入して添
加することも可能である。また、ごみ焼却炉としては、
流動層ごみ焼却炉、ストーカ式ごみ焼却炉、ロータリキ
ルン式ごみ焼却炉等を挙げることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
するが、本発明は下記の実施の形態に何ら限定されるも
のではなく、適宜変更して実施することができるもので
ある。図１は本発明のダイオキシン類の発生抑制方法を
実施する装置で、流動層ごみ焼却炉に適用する場合を示
している。図１において、流動層ごみ焼却炉１０内では
投入されたごみが６００〜７００℃で流動層燃焼し、こ
の炉１０から排出される排ガスは固気分離装置、例えば
サイクロン１２に導入されて灰等の固体と排ガスとに固
気分離され、分離された排ガスは冷却塔又はボイラ等の
ガス冷却装置１４に導入されて１８０〜２００℃に減温
された後、固気分離装置、例えばバグフィルタ１６に導
入されて灰等の固体と排ガスとに固気分離される。な
お、バグフィルタの代りにサイクロンを設けてもよい。
１８は流動層、２０は空気分散板、２２は風箱である。
するが、本発明は下記の実施の形態に何ら限定されるも
のではなく、適宜変更して実施することができるもので
ある。図１は本発明のダイオキシン類の発生抑制方法を
実施する装置で、流動層ごみ焼却炉に適用する場合を示
している。図１において、流動層ごみ焼却炉１０内では
投入されたごみが６００〜７００℃で流動層燃焼し、こ
の炉１０から排出される排ガスは固気分離装置、例えば
サイクロン１２に導入されて灰等の固体と排ガスとに固
気分離され、分離された排ガスは冷却塔又はボイラ等の
ガス冷却装置１４に導入されて１８０〜２００℃に減温
された後、固気分離装置、例えばバグフィルタ１６に導
入されて灰等の固体と排ガスとに固気分離される。な
お、バグフィルタの代りにサイクロンを設けてもよい。
１８は流動層、２０は空気分散板、２２は風箱である。
【００１３】ＨＣｌ中和剤の供給位置としては、図１に
おける位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ等を挙げることがで
きる。すなわち、流動層１８へ直接供給する場合
（Ａ）、フリーボード部２４へ供給する場合（Ｂ）、ガ
ス冷却装置１４の上流の煙道に供給する場合（Ｃ）、ご
みに混入して供給する場合（Ｄ）、流動化兼燃焼用１次
空気に混入して供給する場合（Ｅ）、燃焼用２次空気に
混入して供給する場合（Ｆ）等である。これらは単独又
は組み合わせて実施される。
おける位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ等を挙げることがで
きる。すなわち、流動層１８へ直接供給する場合
（Ａ）、フリーボード部２４へ供給する場合（Ｂ）、ガ
ス冷却装置１４の上流の煙道に供給する場合（Ｃ）、ご
みに混入して供給する場合（Ｄ）、流動化兼燃焼用１次
空気に混入して供給する場合（Ｅ）、燃焼用２次空気に
混入して供給する場合（Ｆ）等である。これらは単独又
は組み合わせて実施される。
【００１４】図１に示す装置を用いて、供給位置Ｃに５
００〜５５０℃でＣａＯ粉末を噴霧して添加して排ガス
中のＨＣｌ濃度を減少させたところ、図４に示すよう
に、排ガス中のダイオキシン類濃度は、ＨＣｌ濃度と高
い相関を有して低減した。すなわち、ダイオキシン類が
合成される温度である２５０〜４００℃未満の範囲より
高い温度の段階でＨＣｌを除去することは、排ガス中及
び焼却灰中の両方のダイオキシン類濃度の低減に有効で
あることが確認できた。
００〜５５０℃でＣａＯ粉末を噴霧して添加して排ガス
中のＨＣｌ濃度を減少させたところ、図４に示すよう
に、排ガス中のダイオキシン類濃度は、ＨＣｌ濃度と高
い相関を有して低減した。すなわち、ダイオキシン類が
合成される温度である２５０〜４００℃未満の範囲より
高い温度の段階でＨＣｌを除去することは、排ガス中及
び焼却灰中の両方のダイオキシン類濃度の低減に有効で
あることが確認できた。
【００１５】図２は本発明の実施の第２形態によるダイ
オキシン類の発生抑制方法を実施する装置で、ストーカ
式ごみ焼却炉に適用する場合を示している。図２におい
て、ストーカ式ごみ焼却炉２６から排出される８００℃
前後の排ガスは、冷却塔又はボイラ等のガス冷却装置１
４に導入されて１８０〜２００℃に減温された後、固気
分離装置、例えばバグフィルタ１６に導入されて灰等の
固体と排ガスとに固気分離される。なお、バグフィルタ
の代りにサイクロンを設けてもよい。ＨＣｌ中和剤の供
給位置としては、図２における位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆ等を挙げることができる。すなわち、炉内で燃焼
しているごみ中に供給する場合（Ａ）、炉内の排ガス中
に供給する場合（Ｂ）、ガス冷却装置１４の上流の煙道
に供給する場合（Ｃ）、ごみに混入して供給する場合
（Ｄ）、燃焼用１次空気に混入して供給する場合
（Ｅ）、燃焼用２次空気に混入して供給する場合（Ｆ）
等である。これらは単独又は組み合わせて実施される。
オキシン類の発生抑制方法を実施する装置で、ストーカ
式ごみ焼却炉に適用する場合を示している。図２におい
て、ストーカ式ごみ焼却炉２６から排出される８００℃
前後の排ガスは、冷却塔又はボイラ等のガス冷却装置１
４に導入されて１８０〜２００℃に減温された後、固気
分離装置、例えばバグフィルタ１６に導入されて灰等の
固体と排ガスとに固気分離される。なお、バグフィルタ
の代りにサイクロンを設けてもよい。ＨＣｌ中和剤の供
給位置としては、図２における位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、
Ｅ、Ｆ等を挙げることができる。すなわち、炉内で燃焼
しているごみ中に供給する場合（Ａ）、炉内の排ガス中
に供給する場合（Ｂ）、ガス冷却装置１４の上流の煙道
に供給する場合（Ｃ）、ごみに混入して供給する場合
（Ｄ）、燃焼用１次空気に混入して供給する場合
（Ｅ）、燃焼用２次空気に混入して供給する場合（Ｆ）
等である。これらは単独又は組み合わせて実施される。
【００１６】図３は本発明の実施の第３形態によるダイ
オキシン類の発生抑制方法を実施する装置で、ロータリ
キルン式ごみ焼却炉に適用する場合を示している。図３
において、ロータリキルン式ごみ焼却炉２８から排出さ
れる９００℃前後の排ガスは、冷却塔又はボイラ等のガ
ス冷却装置１４に導入されて１８０〜２００℃に減温さ
れた後、固気分離装置、例えばバグフィルタ１６に導入
されて灰等の固体と排ガスとに固気分離される。なお、
バグフィルタの代りにサイクロンを設けてもよい。ま
た、図３では、並流型のロータリキルン式ごみ焼却炉を
示しているが、向流型のロータリキルン式ごみ焼却炉と
することも可能である。ＨＣｌ中和剤の供給位置として
は、図３における位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ等を挙げ
ることができる。すなわち、炉内で燃焼しているごみ中
に供給する場合（Ａ）、炉内の排ガス中に供給する場合
（Ｂ）、ガス冷却装置１４の上流の煙道に供給する場合
（Ｃ）、ごみに混入して供給する場合（Ｄ）、燃焼用１
次空気に混入して供給する場合（Ｅ）、燃焼用２次空気
に混入して供給する場合（Ｆ）等である。これらは単独
又は組み合わせて実施される。
オキシン類の発生抑制方法を実施する装置で、ロータリ
キルン式ごみ焼却炉に適用する場合を示している。図３
において、ロータリキルン式ごみ焼却炉２８から排出さ
れる９００℃前後の排ガスは、冷却塔又はボイラ等のガ
ス冷却装置１４に導入されて１８０〜２００℃に減温さ
れた後、固気分離装置、例えばバグフィルタ１６に導入
されて灰等の固体と排ガスとに固気分離される。なお、
バグフィルタの代りにサイクロンを設けてもよい。ま
た、図３では、並流型のロータリキルン式ごみ焼却炉を
示しているが、向流型のロータリキルン式ごみ焼却炉と
することも可能である。ＨＣｌ中和剤の供給位置として
は、図３における位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ等を挙げ
ることができる。すなわち、炉内で燃焼しているごみ中
に供給する場合（Ａ）、炉内の排ガス中に供給する場合
（Ｂ）、ガス冷却装置１４の上流の煙道に供給する場合
（Ｃ）、ごみに混入して供給する場合（Ｄ）、燃焼用１
次空気に混入して供給する場合（Ｅ）、燃焼用２次空気
に混入して供給する場合（Ｆ）等である。これらは単独
又は組み合わせて実施される。
【００１７】上記の実施形態においては、ごみ焼却炉の
場合について説明したが、塩素、無機塩化物又は／及び
有機塩化物を含む燃料を燃焼させる燃焼炉に適用するこ
とも可能である。また、焼却炉や燃焼炉は上記の実施形
態のものに限らず、例えば、流動層部分燃焼炉と流動層
燃焼炉とを組み合わせた炉等、他の型式の炉にも適用す
ることができる。
場合について説明したが、塩素、無機塩化物又は／及び
有機塩化物を含む燃料を燃焼させる燃焼炉に適用するこ
とも可能である。また、焼却炉や燃焼炉は上記の実施形
態のものに限らず、例えば、流動層部分燃焼炉と流動層
燃焼炉とを組み合わせた炉等、他の型式の炉にも適用す
ることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。 （１） ＨＣｌ中和剤をダイオキシン類が合成されない
４００℃以上のガス温度域に存在させて排ガスと接触さ
せ、排ガス中のＨＣｌと反応させて固体状の塩化物とし
て、ダイオキシン類合成原料の１つであるＨＣｌを塩化
物として固定化するので、ダイオキシン類の発生を効果
的に抑制することができる。固定化された塩化物は、灰
とともに排ガスから容易に固気分離することができる。 （２） 上記（１）により、排ガス中及び灰中のダイオ
キシン類濃度を大幅に低減させることができる。 （３） 排ガスを急冷する必要がないので、熱エネルギ
ーの損失が少ない。
で、つぎのような効果を奏する。 （１） ＨＣｌ中和剤をダイオキシン類が合成されない
４００℃以上のガス温度域に存在させて排ガスと接触さ
せ、排ガス中のＨＣｌと反応させて固体状の塩化物とし
て、ダイオキシン類合成原料の１つであるＨＣｌを塩化
物として固定化するので、ダイオキシン類の発生を効果
的に抑制することができる。固定化された塩化物は、灰
とともに排ガスから容易に固気分離することができる。 （２） 上記（１）により、排ガス中及び灰中のダイオ
キシン類濃度を大幅に低減させることができる。 （３） 排ガスを急冷する必要がないので、熱エネルギ
ーの損失が少ない。
【図１】本発明の実施の第１形態によるダイオキシン類
の発生抑制方法を実施する装置を示すフローシートであ
る。
の発生抑制方法を実施する装置を示すフローシートであ
る。
【図２】本発明の実施の第２形態によるダイオキシン類
の発生抑制方法を実施する装置を示すフローシートであ
る。
の発生抑制方法を実施する装置を示すフローシートであ
る。
【図３】本発明の実施の第３形態によるダイオキシン類
の発生抑制方法を実施する装置を示すフローシートであ
る。
の発生抑制方法を実施する装置を示すフローシートであ
る。
【図４】排ガス中の塩化水素濃度とダイオキシン類濃度
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
１０ 流動層ごみ焼却炉 １２ サイクロン １４ ガス冷却装置 １６ バグフィルタ １８ 流動層 ２０ 空気分散板 ２２ 風箱 ２４ フリーボード部 ２６ ストーカ式ごみ焼却炉 ２８ ロータリキルン式ごみ焼却炉
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堤 香津雄 兵庫県明石市川崎町１番１号 川崎重工業 株式会社明石工場内 (72)発明者 下川 達之 神戸市中央区東川崎町１丁目１番３号 川 崎重工業株式会社神戸本社内
Claims (6)
- 【請求項１】 ごみ焼却炉から排出される排ガスが減温
される前の４００℃以上の高温域の排ガス中にＨＣｌ中
和剤を存在させて、ダイオキシン生成原料の１つである
排ガス中のＨＣｌを塩化物として固定化することを特徴
とするダイオキシン類の発生抑制方法。 - 【請求項２】 ＨＣｌ中和剤が、ＣａＯ、ＣａＣＯ3 、
Ｃａ（ＯＨ）2 、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ3 、ドロマイト、Ｋ
2 Ｏ、Ｋ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 Ｏ、Ｎａ2 ＣＯ3、ＦｅＯ、
Ｆｅ2 Ｏ3 及びＦｅからなる群より選ばれた物質である
請求項１記載のダイオキシン類の発生抑制方法。 - 【請求項３】 ＨＣｌ中和剤をごみ焼却炉内、又はごみ
焼却炉出口から冷却装置入口の間の４００℃以上の高温
域に添加する請求項１又は２記載のダイオキシン類の発
生抑制方法。 - 【請求項４】 ＨＣｌ中和剤をごみに混入して添加する
請求項１又は２記載のダイオキシン類の発生抑制方法。 - 【請求項５】 ＨＣｌ中和剤を空気に混入して添加する
請求項１又は２記載のダイオキシン類の発生抑制方法。 - 【請求項６】 ごみ焼却炉が、流動層ごみ焼却炉、スト
ーカ式ごみ焼却炉及びロータリキルン式ごみ焼却炉のい
ずれかである請求項１〜５のいずれかに記載のダイオキ
シン類の発生抑制方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078990A JPH10249154A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | ダイオキシン類の発生抑制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9078990A JPH10249154A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | ダイオキシン類の発生抑制方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10249154A true JPH10249154A (ja) | 1998-09-22 |
Family
ID=13677342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9078990A Pending JPH10249154A (ja) | 1997-03-12 | 1997-03-12 | ダイオキシン類の発生抑制方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10249154A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1997
- 1997-03-12 JP JP9078990A patent/JPH10249154A/ja active Pending
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