JPH10249556A

JPH10249556A - テキスチャ装置およびテキスチャ加工方法

Info

Publication number: JPH10249556A
Application number: JP9057701A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Kuriyama; 俊彦栗山; Ryuichi Yoshiyama; 龍一芳山
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1997-03-12
Filing date: 1997-03-12
Publication date: 1998-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】良好なＣＳＳ特性およびスティッキング特性
と磁気ヘッドの低浮上化とを同時に可能とするテキスチ
ャ装置およびテキスチャ加工方法を提供する。【解決手段】レーザビーム発振器１から出力されたレ
ーザビームは、変調器２、ダイクロイックミラー９、集
光機構５を経て基板６に照射される。集光機構５に設け
られた自動焦点制御機構を制御するために、自動焦点制
御機構用補助レーザ光源４からのレーザビームがビーム
スプリッタ３を透過し、ダイクロイックミラー９、集光
機構５を経て基板６に入射され、その反射光が受光系１
０で受光される。この受光系１０の受光光量の変動によ
ってテキスチャ処理状況（微小突起の高さ）を検査す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、テキスチャ装置お
よびテキスチャ加工方法に関するものであり、詳しく
は、レーザビームを利用した上記の装置および加工方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置においては、磁気ディ
スクと磁気ヘッドとの間の微小な空隙を安定に維持する
ため、停止時には磁気ヘッドが磁気ディスク面に接触し
て停止しており、駆動スタート時に磁気ヘッドが磁気デ
ィスク面を摺動して浮上走行する、所謂コンタクト・ス
タート・ストップ（ＣＳＳ）方式が採用されている。こ
の磁気ヘッドと基板とのスティッキングを防止するため
に基板の表面に微小な突起（条痕パターン）を形成する
テキスチャ加工処理が施される。

【０００３】従来のテキスチャ加工には、バインダに分
散した砥粒を塗布した研磨テープや砥粒を分散したスラ
リーを使用する機械的な研削が主に採用されていたが、
均一性及び加工高さの制御が可能なテキスチャ加工方法
として、米国特許第５，０６２，０２１号にＱスイッチ
ＹＡＧレーザビームを利用したテキスチャ加工が提案さ
れている。この方法は、溶融形成された穴部とその周囲
が表面張力で盛り上がって固化した円環状のリム部とか
ら成るクレータ状の凹凸突起を形成する方法である。

【０００４】レーザビームを使用したテキスチャ加工方
法として、特開平８−２２４６７７号公報には、Ａｒ等
のガスレーザを用い、レーザビーム出力、照射時間、ス
ポット径などを制御することにより、高さが１〜１００
ｎｍの微小突起と、該微小突起に隣接した凹穴とからな
る凹凸部を１ｍｍ²当り１０¹〜１０⁸個形成するテキ
スチャ加工方法が記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】レーザビームを利用し
て基板をテキスチャ加工する場合、たとえばオートフォ
ーカス異常によるフォーカスずれ、レーザ光源のパワー
変動等により微小突起高さや凹穴の深さが変動する。そ
こで、たとえば生成されたすべての微小突起高さを計測
して、所定の範囲外であったならば異常と判断する方法
がとられる。この方法は、実際の微小突起高さを計測す
るので、突起密度が高い場合には計測のために時間がか
かり、すべての微小突起高さを計測するというのは工業
的には事実上不可能であるという問題があった。

【０００６】本発明は、上記実情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、レーザビームを利用したテキスチャ
処理の加工生産性を向上させることにある。また、本発
明は、良好なＣＳＳ特性およびスティッキング特性と磁
気ヘッドの低浮上化とを同時に可能とするテキスチャ装
置およびテキスチャ加工方法を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のテキスチャ装置
は、磁気ディスク基板の表面に微小突起を形成するため
のテキスチャ装置であって、レーザビーム発振器、該発
振器からのレーザビームをＯＮ／ＯＦＦ制御する変調
器、該変調器からのレーザビームを基板表面に照射する
自動焦点制御機構と集光機構、及びレーザビームと基板
とを相対的に移動させる移動手段を有するテキスチャ装
置において、レーザビームの照射によって該基板表面に
形成される微小突起の高さを該自動焦点制御機構のため
の信号によって検査する検査手段を備えたことを特徴と
するものである。

【０００８】本発明のテキスチャ加工方法は、このテキ
スチャ装置を使用して磁気ディスク基板に微小突起を形
成する際、前記検査手段で用いる自動焦点制御機構のた
めの信号が所定の範囲内にあるようにすることを特徴と
するものである。

【０００９】このように自動焦点制御機構のための信号
を所定範囲とすることにより、テキスチャ加工によって
生じる微小突起の高さや凹穴に対する配置位置を所定の
ものとすることができる。

【００１０】なお、本発明においては、前記レーザビー
ム発振器とは別のレーザ光源からのレーザビームを基板
に非垂直に照射し、その反射光の集光点位置信号に基づ
いて自動焦点制御機構を制御すると共に、この信号に基
づいて前記検査手段が前記微小突起を検査するのが好ま
しい。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して実施の形態
について説明する。図１は実施の形態に係るテキスチャ
装置の構成図、図２はテキスチャ加工により基板表面に
生じた凹凸部を示す模式的な断面図である。

【００１２】レーザビーム発振器１から出力されたレー
ザビームは、変調器２、ダイクロイックミラー９、集光
機構５を経て基板６に照射される。この基板６が基板回
転機構７によって回転されると共に、変調器２がタイミ
ング制御部８によってＯＮ・ＯＦＦ制御され、且つミラ
ー９及び集光機構５が基板６の径方向に移動機構１２に
よって移動されることにより、該基板６がテキスチャ処
理される。なお、ダイクロイックミラー９及び自動焦点
制御機構用補助レーザ光源４もこれらと一緒に移動機構
１２によって移動される。集光機構５等を移動させる代
わりに基板６を移動させても良く、双方を移動させても
良い。

【００１３】集光機構５に設けられた自動焦点制御機構
を制御するために、自動焦点制御機構用補助レーザ光源
４からのレーザビームがビームスプリッタ３を透過し、
ダイクロイックミラー９、集光機構５を経て基板６に入
射される。このレーザビームの基板面への入射角度は、
垂直から若干傾けた非垂直としてある。

【００１４】上記のダイクロイックミラー９は、光の波
長により、その光が反射するか透過するかが決まる光学
素子である。この実施の形態では、微小突起を形成する
ためのレーザ光源１からの光はミラー面で全反射し、補
助レーザ光源４からの光は該ミラー９を透過する。基板
６で反射された補助レーザ光源４からの反射光は、ビー
ムスプリッター３に戻り、２本に分離され、一方が自動
焦点制御機構用受光系１０に向い、他の一方が光源４の
方向に向かう。一般にレーザは反射光が光源に戻ると、
レーザ発振が不安定になるが、光源４の入射角は基板面
に垂直から若干傾けてあるので、光源４方向に向かった
反射光も、若干ずれた位置に戻り、レーザ発振を不安定
にすることはない。

【００１５】自動焦点制御機構用受光系１０としては、
通常ＰＳＤ（ＰｏｓｉｔｉｏｎＳｅｎｓｉｔｉｖｅ
Ｄｅｖｉｃｅ：半導体位置検出素子）が使われる。ＰＳ
Ｄは光線の受光位置によって電気出力が変化する素子で
ある。入射光を基板に垂直な方向から若干傾けることに
より、基板の上下方向の動きで、反射光のＰＳＤ上での
集光点が変化する。これにより、基板の上下方向の動き
が電気信号に変換され、オートフォーカス動作が可能と
なる。受光素子としては、ＰＳＤの他に２分割フォトダ
イオード等を用いてもよい。

【００１６】なお、入射光の傾斜角度は、光学系の場
合、極めて微小な変動でも光路の距離で拡大され、大き
な変化として検出可能なので、極めてわずか垂直からず
れていれば良く、云うなれば「垂直を含まない」程度ず
れていれば良い。また大きな角度ずらすとしても垂直か
ら１０°程度までである。

【００１７】この自動焦点制御機構用受光系１０からの
信号が集光機構５の自動焦点制御機構に入力され、オー
トフォーカシング作動が行われる。

【００１８】本発明では、この自動焦点制御機構用受光
系１０からの信号の変動率が所定範囲となるようにする
ことにより、基板６上に形成される微小突起の高さを所
定の範囲のものとすることができ、また、図２のように
この微小突起が凹穴の一方のサイドに隣接するように配
置されてなる凹凸部を形成することができる。

【００１９】本発明においては、磁気ディスク基板の表
面のみならず裏面にも同時に微小突起を形成することが
できる。斯かる態様は、例えば、レーザビーム発振器１
から出射されたレーザビームを分割し、分割されたレー
ザビームを基板回転機構にて回転支持された基板の裏面
に照射することによって実現することができる。

【００２０】なお、以下に上記のテキスチャ装置の好適
な構成についてさらに詳細に説明する。

【００２１】レーザビーム発振器１としては、ＣＯ₂ガ
スレーザ、Ａｒガスレーザ等のガスレーザや、連続発振
可能なＹＡＧレーザ等が好ましく、中でもＡｒガスレー
ザがとくに好適である。ガスレーザは、ＱスイッチＹＡ
Ｇレーザやエキシマレーザ等に比べて、位相が揃ってお
り且つビームスポットの絞り込みが容易であるため、鋭
い突起形状を形成し得る点で有利である。

【００２２】レーザの波長としては、通常、可視領域の
方が高出力が得られ易い。Ａｒガスレーザビームは、代
表的には、４８８ｎｍ又は５１４．５ｎｍの波長を有す
る。なお、ガラス基板に直接照射する場合には、比較的
小出力の紫外領域のもの、例えば、３５０ｎｍのアルゴ
ン、ＦＨＧ(fourth harmonic generator) を通した２６
６ｎｍのＹＡＧレーザが好適である。

【００２３】レーザビーム発振器１から基板６の表面に
照射されるレーザビームは、図２の如く微小突起の近傍
に該微小突起と連なる凹穴を備えた形状の凹凸部を形成
し得るエネルギーに制御されるのが好ましい。

【００２４】変調器２としては、高速変調が可能である
ことが好ましい。また、立ち上がり時間が５０ｎｓ以下
で、立ち上がり時間および立ち下がり時間を含めたパル
ス幅が５０ｎｓ〜２μｓであることが好ましい。パルス
幅が５０ｎｓ未満では突起が生成しなかったり、所望の
形状の微小突起を形成しにくくなり、２μｓを超えると
微小突起の面積が大きくなり、ＣＳＳ特性が低下する傾
向がある。

【００２５】変調器２は立ち上がりよくＯＮ／ＯＦＦ可
能であることが好ましい。変調器の立ち上がり時間は突
起の鋭さに影響するため、立ち上がり時間の長い変調器
を使用するとヘッドとの接触面積の大きな微小突起が形
成される。この様な変調器に使用する変調素子としては
電気光学変調素子（ＥＯＭ）が好ましい。電気光学変調
素子は、数１００Ｍｂｐｓまでの高速変調（ＯＮ／ＯＦ
Ｆ）が可能である。また、ＯＮ時にアナログ変調を行う
こともできる。

【００２６】変調周波数としては、０．５〜１０ＭＨｚ
が好ましく、特に０．５〜５ＭＨｚが好ましい。変調周
波数が０．５ＭＨｚ未満では突起とヘッドの接触面積が
大きくなる。また、１０ＭＨｚを超えると隣り合った突
起が干渉し、独立した突起の作成が困難となる。また、
パルス幅（１つの凹凸部を形成するのに必要な照射時
間）は４０ｎｓｅｃ〜１００μｓｅｃが好ましく、５０
ｎｓｅｃ〜２μｓｅｃが特に好ましい。パルス幅が大き
くなると突起が連続し、ヘッドとの接触面積が大きくな
る。

【００２７】補助レーザ光源４としては、装置の小型化
に有利なことから、通常レーザダイオードが用いられ
る。波長としては、通常用いられる受光素子の感度が、
７００ｎｍ〜１μｍの赤外領域で高いことから、この範
囲とするのが好ましい。

【００２８】集光機構５は、対物レンズと自動焦点制御
機構（オートフォーカス（ＡＦ）システム）とを組み合
わせてなる。この自動焦点制御機構は、前記自動焦点制
御機構用受光系１０からの信号に基づいて基板６と対物
レンズとの距離を一定に保ち、基板上のビーム径を一定
に保つように動作する。通常の場合、オートフォーカス
のためには、対物レンズを基板に対して微動させる。な
お、逆に対物レンズを固定しておき、基板６を対物レン
ズに対して微動させても良い。

【００２９】対物レンズの手前にビームエキスパンダを
設けて対物レンズの有効径に等しい程度までビーム径を
広げることが鮮明なスポットを形成させるために好まし
い。レンズの有効径は、通常、レンズ径の５０〜８０％
程度である。

【００３０】基板に微小な凹凸部を均一に設けるために
は、基板に照射されるレーザビームのスポット径、均一
性およびシャープネスは重要なファクターである。スポ
ット径としては０．２〜４μｍ、中でも０．２〜２μｍ
が好ましい。（なお、スポット径は、光中央部の最高強
度のｅ^-2に強度が低下する円の直径を表すものとす
る。）また、対物レンズの開口率をＮＡ、レーザビーム
の波長をλとしたとき、ＮＡが０．３〜０．８であり、
かつλ／ＮＡが０．１６〜３．３であることが好まし
い。

【００３１】スポットのシャープさの点から、対物レン
ズの焦点距離としては２０ｍｍ以下、特に５ｍｍ以下で
あることが好ましい。なお、この様な焦点距離の場合、
基板と対物レンズとは、極めて近接した配置をとるた
め、基板の安定的な着脱および回転ならびに高速回転を
可能にし、かつ対物レンズの移動運動を妨げないだけの
十分な形状を有することが好ましく、基板上面とスピン
ドルの回転軸の先端の距離が、基板上面と対物レンズと
の距離（ワーキングディスタンス）に対して、０．８以
下とくに０．６以下の割合で基板面から張り出している
ことが好ましい。ワーキングディスタンスは、通常１０
ｍｍ以下となる。加えて、スピンドルの回転軸の基板裏
面近傍に切り欠き部を設け、対物レンズを安定して移動
運動させることが好ましい。

【００３２】対物レンズとして非球面レンズを使用する
ことにより、レンズの重量を軽減し、かつ、光透過率を
アップし、ワーキングディスタンスを広げることができ
る。オートフォーカス（ＡＦ）の応答周波数は９０Ｈｚ
以上であることが好ましい。応答周波数が小さくなる
と、ビームスポットの大きさがばらつき、突起の大きさ
や高さが不均一となる。また、面ぶれ学習機能、すなわ
ち、レーザ照射を行った部分でのＡＦ制御の実績を例え
ばフィードフォワード的にディスクの回転に同期させて
ＡＦ制御に活かし、ＡＦ機構の制御効率を高めることが
好ましい。

【００３３】基板回転機構７と集光機構５とを相対移動
させる機構１２としては、リニアスライダーが好適であ
り、このリニアスライダーの移動速度（基板６の径方向
への相対的な移動速度）は０．０３〜６０ｍｍ／ｓｅｃ
程度が好ましい。なお、前述の通り、この移動機構１２
は集光機構５を移動させるものであっても良く、基板回
転機構７を移動するものであっても良く、双方を移動さ
せるものであっても良い。

【００３４】ビームと基板６の相対移動速度は、遅すぎ
るとＣＳＳ特性の向上が困難となり、速すぎると突起と
ヘッドとの接触面積が大きくなるため、ＣＳＳ特性が良
好となるように選定される。通常は、ビームの照射面上
での相対走査速度として、２ｍ／ｓ以上、中でも２〜５
０ｍ／ｓとするのが好ましい。このような相対速度とな
るように基板６は、基板回転機構７の例えばスピンドル
モータの回転軸に支持され、一定の回転数または線速度
で回転させられる。なお、通常の場合、基板の回転数は
９００〜７２００ｒｐｍが好ましく、特に１８００ｒｐ
ｍ以上が好ましく、３６００ｒｐｍ以上が最も好まし
い。

【００３５】また、スピンドルモータの回転軸がぶれる
と、面ぶれが大きくなり、焦点が絞り難くなり、突起形
状がばらつき、場合によっては所望の突起形状が得られ
なくなることから、ぶれは±２５μｍ未満であることが
好ましい。

【００３６】図１のテキスチャ装置には、基板の表面に
同一又は異なった間隔の一定パターンで微小突起を形成
する手段として、レーザビームの変調タイミングを制御
するタイミング制御部８が備えられる。

【００３７】すなわち、例えば通常採用される同一間隔
で微小突起を形成する際、移動機構１２及び基板回転機
構７の定速運転により、一定回転数一定速度で基板６を
移動させた場合、基板表面に形成される微小突起の間隔
は外周に向かうに従って広くなる。そこで、基板上のレ
ーザビームスポット位置を確認し、このスポット位置信
号に応じて、タイミング制御部８によってレーザビーム
の変調タイミング（照射時間）を制御し、基板表面に形
成される微小突起の間隔を一定にする。このレーザビー
ムスポットの位置を検出するための機構としては、例え
ば、レーザ変位計、エンコーダ等を利用することができ
る。

【００３８】なお、レーザビームの変調タイミングを制
御せずに、移動機構１２及び基板回転機構７の速度制御
を行ってもよい。

【００３９】図２に示す凹凸部の形状を均一にするため
には、レーザビームのスポット位置がディスクの径方向
において変化しても、集光機構と基板回転機構の相対移
動に基づくレーザスポットの掃引距離を一定にすること
が好ましく、その場合、パルス幅、または、基板の回転
数を照射位置に応じて変化させることが好ましい。

【００４０】スピンドル回転数を一定とする場合、レー
ザスポットの半径方向の位置を計測手段で計測し、該計
測手段によって計測された半径方向のそれぞれの位置に
対してレーザスポットの掃引距離を一定とするパルス幅
を演算手段で演算し、この演算結果に基づきレーザビー
ムを変調する。

【００４１】また、パルス幅を一定とする場合にあって
は、レーザスポットの半径方向の位置を計測手段で計測
し、該計測手段によって計測された半径方向のそれぞれ
の位置に対してレーザスポットの掃引距離を一定とする
スピンドル回転数を演算手段で演算し、この演算結果に
基づいてレーザビームを変調する。

【００４２】このようなテキスチャ装置を使用して磁気
ディスク基板表面のテキスチャ加工を行う場合、高さが
１〜１００ｎｍの微小突起と該微小突起に隣接した凹穴
とからなる図２の如き凹凸部が１ｍｍ²当たり１０¹〜
１０⁸個好ましくはＣＳＳゾーンに同一間隔で形成され
るのが好ましい。とくに、各突起の頂点から１ｎｍ下の
高さにおける等高線で囲まれた図形の面積の平均値が１
μｍ²以下である比較的急峻なものが得られるようにす
るのが好ましい。

【００４３】このような凹凸部を有した基板は、後述の
実施例からも明らかな通り、良好なＣＳＳ特性およびス
ティッキング特性を有すると共に、磁気ヘッドの低浮上
化を可能とする。

【００４４】前記自動焦点制御機構用受光系１０からの
信号の変動を所定の範囲内にあるようにすることによ
り、レーザ光源のパワー変動、オートフォーカス機構の
異常等を検知することができるため、個々の突起高さを
測定せずとも、形成される凹凸部の該微小突起高さや凹
穴深さを管理することが可能となる。

【００４５】すなわち、形成された微小突起の大きさが
所定の大きさより大きかったり、小さかったりすれば、
その突起上を通過したレーザ光に乱れを生じ、自動焦点
制御機構用受光系１０の信号に大きな変動が生ずる。従
って、自動焦点制御機構用受光系１０の信号の変動によ
り微小突起の大きさの異常を検知することが可能とな
り、テキスチャーを行なうとともに検査を行なうことが
できる。異常が検出された基板は通常その時点でリジェ
クトされる。

【００４６】図２に示される微小突起とそれに隣接した
凹穴とからなる凹凸部を形成するには、レーザビームの
出力を適正とすることが重要である。このレーザビーム
出力は、基板の表面材質などによって多少異なるが、通
常の場合、照射面において５０〜２０００ｍＷ、とりわ
け５０〜１０００ｍＷ、特に５０〜４００ｍＷの範囲の
光源を使用するのが好ましい。５０ｍＷ未満では突起の
形成が困難であり、２０００ｍＷを超えるとＣＳＳ特性
の優れたテキスチャ加工が困難となる。また、連続出力
が可能なレーザを使用することが好ましい。

【００４７】典型的なＮｉ−Ｐ層の場合、５０〜７００
ｍＷ、とくに５０〜７００ｍＷの光源を用いるのが好ま
しく、平均照射時間は０．０４〜１００μｓｅｃが好ま
しい。この平均照射時間とは、１個の突起を形成させる
のに必要な照射時間を示す。

【００４８】なお、レーザビームの出力が上記の範囲を
超える場合は、米国特許第５，０６２，０２１号明細書
に記載されている、凹穴の周囲を凸部が環状に取り巻い
たクレータ状の凹凸部が形成される。このようなクレー
タ状の凹凸部は、磁気ディスクと磁気ヘッドとのスティ
ッキング問題に対しては不十分である。なお、Ｎｉ−Ｐ
層の厚さは、５０〜２００００ｎｍ、好ましくは１００
〜１５０００ｎｍの範囲とするのがよい。

【００４９】本発明において、基板としては、サブスト
レイトと呼ばれている基板、すなわち、Ａｌ合金、例え
ば、Ａｌ−Ｍｇ合金などの基板の表面にＮｉ−Ｐの無電
解メッキ下地層を設け、当該下地層に鏡面加工（ポリッ
シュ加工）を施した基板またはガラス基板、ケイ素基板
などが挙げられるが、銅、チタン等の他の金属基板、カ
ーボン基板、セラミック基板、樹脂基板などを使用する
こともできる。なお、この基板上に下地層、磁性層、保
護層、潤滑剤層などの各層を設けた後の状態であって
も、その過程のもの（これらの層のうち１又は２以上の
ものだけを設けたもの）であっても本発明によってテキ
スチャ加工できる。

【００５０】図１の実施の形態においては補助レーザ光
源４を用いているが、レーザ光源１からのレーザを用い
て自動焦点制御機構のための信号を得るようにしても良
い。

【００５１】本発明では、自動焦点制御方法として、ナ
イフエッジ法、非点収差法等を採用しても良い。ナイフ
エッジ法は光路途中にナイフエッジを挿入する方法、ま
た、非点収差法はシリンドリカルレンズと４分割フォト
ダイオードを組み合わせた方式である。

【００５２】

【実施例】

[実施例１]直径９５ｍｍのディスク状Ａｌ合金基板表面
に膜厚１５μｍのＮｉ−Ｐ無電解メッキを施した後、表
面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ以下となる様に表面研磨を行っ
てディスク基板を得、その片面について図１のテキスチ
ャ装置を用いてテキスチャ加工した。

【００５３】なお、レーザビーム発振器１にはＡｒガス
レーザビームチューブ（波長４８８ｎｍ、最大出力２
Ｗ）、変調器２には電気光学変調素子（応答周波数：２
ＭＨｚ、立ち上がり時間：１５ｎｓ）を使用した。集光
機構は、オートフォーカスシステムによって対物レンズ
を移動させる機構とした。

【００５４】オートフォーカス用の補助レーザ光源４に
は、波長８３０ｎｍ、レーザビーム出力５ｍＷのレーザ
ダイオードを使用した。正常状態でのオートフォーカス
系の受光信号変動率は±１％であった。

【００５５】その他の条件は次の通りとした。

【００５６】レーザビーム出力：４００ｍＷパルス幅：０．１５６μｓｅｃビームスポット径：１μｍオートフォーカス応答周波数：１８０Ｈｚ基板回転数：２４００ｒｐｍリニアスライダーの移動速度（相対速度）：０．６ｍｍ
／ｓｅｃビームの照射面上の相対走査速度：４．８ｍ／ｓレーザ干渉による表面形状測定装置（米国ザイゴ社製
「ＺＹＧＯ」）により、突起高さのばらつきをσで評価
した。テキスチャ加工後の基板の表面形状を観察した結
果は、微小突起の近傍に当該微小突起と連なる凹穴を備
えた形状の凹凸部が形成されているのが確認された。ま
た、平均突起密度は９２６０個／ｍｍ²、平均突起高さ
は３３ｎｍ、頂点から１ｎｍ下の高さにおける等高線で
囲まれた図形の面積の平均値は０．１２μｍ²であっ
た。

【００５７】スパッタ法により、上記の基板表面に順次
Ｃｒ中間層（厚さ１００ｎｍ）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金
磁性層（厚さ５０ｎｍ）、カーボン保護層（厚さ２０ｎ
ｍ）を形成し、カーボン保護層の表面に厚さ２ｎｍのフ
ッ素系液体潤滑剤（モンテエジソン社製「ＤＯＬ−２０
００」）を浸漬塗布して磁気ディスクを得た。

【００５８】上記の磁気ディスクについて、ＣＳＳテス
ト前の静止摩擦係数（初期スティクション）及びＣＳＳ
２万回後の摩擦力を測定した。ＣＳＳテストは、ロード
グラム６ｇｆの薄膜ヘッド（スライダ材質：Ａｌ₂Ｏ₃
ＴｉＣ）を使用し、ヘッド浮上量２μインチの条件で行
った。また、グライドテスターを使用し、データゾーン
とＣＳＳゾーンの間のシーク時におけるヘッドの浮上安
定高さを評価した。結果を表１に示す。

【００５９】[比較例１]レーザ光源を故意に不安定にし
た。そのときのオートフォーカス信号の変動率は±１２
％であった。それ以外は実施例１と同様にしてテキスチ
ャ処理し、基板を評価した。結果を表１に示す。

【００６０】[比較例２]オートフォーカス系を故意に不
調にした。そのときのオートフォーカス信号の変動率は
±１５％であった。それ以外は実施例１と同様にしてテ
キスチャ処理し、基板を評価した。結果を表１に示す。

【００６１】

【表１】

【００６２】表１の通り、オートフォーカス信号の変動
率が小さい場合、突起高さばらつきが小さく、初期ステ
ィクション、摩擦力及び浮上高さのいずれにおいてもき
わめて優れたものとなる。

【００６３】

【発明の効果】以上説明した本発明によれば、レーザビ
ームを利用し、基板のテキスチャ加工を行う際に、生成
される微小突起の高さが所定範囲となるように管理する
ことが可能となり、テキスチャ加工生産性の安定性が向
上する。また、テキスチャ処理された基板のＣＳＳ特性
およびスティッキング特性を向上できると共に、磁気ヘ
ッドの低浮上化を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のテキスチャ装置の一例を示す構成図で
ある。

【図２】基板表面の模式的な断面図である。

【符号の説明】

１レーザビーム発振器２変調器３ビームスプリッター４自動焦点制御機構用補助レーザ光源５集光機構６基板７基板回転機構８タイミング制御部９ダイクロイックミラー１０自動焦点制御機構用受光系１２移動機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気ディスク基板の表面に微小突起を形
成するためのテキスチャ装置であって、レーザビーム発振器、該発振器からのレーザビームをＯ
Ｎ／ＯＦＦ制御する変調器、該変調器からのレーザビー
ムを基板表面に照射する自動焦点制御機構と集光機構、
及びレーザビームと基板とを相対的に移動させる移動手
段を有するテキスチャ装置において、レーザビームの照射によって該基板表面に形成される微
小突起の高さを該自動焦点制御機構のための信号によっ
て検査する検査手段を備えたことを特徴とするテキスチ
ャ装置。
【請求項２】請求項１において、前記レーザビーム発
振器とは別のレーザ光源からのレーザビームを基板に照
射し、その反射光の集光点位置信号に基づいて自動焦点
制御機構を制御すると共に、この信号に基づいて前記検
査手段が前記微小突起を検査することを特徴とするテキ
スチャ装置。
【請求項３】請求項２において、前記別のレーザ光源
からのレーザビームは基板に非垂直に照射されることを
特徴とするテキスチャ装置。
【請求項４】請求項１ないし３のいずれか１項のテキ
スチャ装置を使用して磁気ディスク基板に微小突起を形
成する際、前記検査手段で用いる自動焦点制御機構のた
めの信号が所定の範囲内にあるようにすることを特徴と
する磁気ディスク基板のテキスチャ加工方法。