JPH10254142A

JPH10254142A - アクティブマトリクス基板及びその製造方法及び液晶表示素子

Info

Publication number: JPH10254142A
Application number: JP5801597A
Authority: JP
Inventors: Kunio Masushige; 邦雄増茂; Naoki Kato; 直樹加藤; Masaya Keyakida; 昌也欅田; Yorisuke Ikuta; 順亮生田
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1997-03-12
Filing date: 1997-03-12
Publication date: 1998-09-25

Abstract

(57)【要約】【課題】平坦性及び硬度に優れ、かつ可視光の透過率が
高い高分子絶縁膜を有するアクティブマトリクス基板を
得る。【解決手段】能動素子２を形成した基板１上に設ける高
分子絶縁膜３用の組成物として、一般式（１）で表され
る化合物（ただし、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ はアクリロイルオ
キシアルキル基又はヒドロキシアルキル基を表す。）
と、スチレン及び／又はジビニルベンゼンと、さらにエ
ポキシ樹脂とを含有する組成物を用いる。【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高分子絶縁膜を製
素電極下の絶縁膜・平坦化膜として用いたアクティブマ
トリクス基板及びその製造方法及び液晶表示素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】液晶等を用いたアクティブマトリクス表
示素子においては、開口率向上のための画素電極面積増
大による画素電極と配線の間の容量増加を抑制するため
に、透明度が高く、誘電率の低い絶縁膜が必要とされて
いる。

【０００３】また、反射型アクティブマトリクス表示素
子においては、凹凸のある能動素子を設けた基板上に反
射率の高い反射電極を形成する。このため、平坦化性能
が良い絶縁膜が必要とされ、この絶縁膜は反射電極電位
の能動素子への電気的影響を最小限にするため誘電率が
低いことが重要である。

【０００４】また、アクティブマトリクス表示素子は、
その製造工程及び実装工程において２００℃程度の高温
や種々の薬液に曝されるため、この絶縁膜には耐熱性、
耐薬品性等も求められる。

【０００５】これらの絶縁膜として高分子絶縁膜は製膜
が容易なため、生産性が良い。この高分子絶縁膜として
は、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂等を用いることが
考えられる。アクリル系樹脂としては、ポリエステルア
クリレートなどが考えられるが、平坦性に優れるもの
の、耐熱性、耐薬品性、硬度において必ずしも満足でき
ない。特に耐熱性、硬度については、パネル組立工程に
おける熱処理などにより平坦性が悪化したり、表示品位
が悪化する問題がある。エポキシ系樹脂としては、ノボ
ラック型エポキシなどが考えられるが、ガラス基板との
接着性や耐薬品性は優れるものの、平坦性、耐熱性、透
明性については不足する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明では、従来技術
の前述の欠点を解消し、平坦化性能に優れ、また下層と
の密着性がよい高分子絶縁膜を有する高品質なアクティ
ブマトリクス基板を得ようとする。さらに、透明性、耐
熱性、耐薬品性においても優れた性能を有する高分子絶
縁膜を画素電極下の絶縁膜・平坦化膜として用いること
により、高品質なアクティブマトリクス基板を得ようと
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に能動
素子を配置し、能動素子上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上
に画素電極を有するアクティブマトリクス基板におい
て、絶縁膜が一般式（１）で表される化合物（ただし、
Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ は夫々独立にアクリロイルオキシアル
キル基又はヒドロキシアルキル基を表す。）を含む絶縁
膜用組成物を重合させた高分子絶縁膜であることを特徴
とするアクティブマトリクス基板を提供する。

【０００８】

【化２】

【０００９】また、絶縁膜用組成物がさらにスチレン及
び／又はジビニルベンゼンを含む上記アクティブマトリ
クス基板、及び、絶縁膜用組成物がさらにエポキシ樹脂
を含む上記アクティブマトリクス基板、及び、画素電極
が光の反射膜である上記アクティブマトリクス基板を提
供する。

【００１０】また、前記絶縁膜用組成物を塗布後、最初
に光により重合及び架橋を行い、後に熱処理を行い、硬
化することにより前記絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に
前記画素電極を形成することを特徴とする上記アクティ
ブマトリクス基板の製造方法、及び、液晶表示素子を構
成する少なくとも一方の基板として上記アクティブマト
リクス基板を用いることを特徴とする液晶表示素子を提
供する。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明における一般式（１）で表
される化合物（以下、化合物１という）は、その硬化物
のガラス転移点Ｔ_g が高く、後工程において加熱された
ときの変形がほとんど見られない。多官能であるため硬
化物の硬度にも優れ、透明性や耐光性にも優れる。ま
た、モノマーであるため、組成物の粘度を低くでき、組
成物塗布時の平坦性をより向上できる。化合物１を用い
た保護膜は優れた平坦性と高い硬度を有する。

【００１２】この化合物１において、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³
はアクリロイルオキシアルキル基（−Ｃ_n Ｈ_2n−Ｏ−Ｃ
（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ₂ ）又はヒドロキシアルキル基
（−Ｃ_n Ｈ_2n−ＯＨ）を表す。ここでｎは粘性等を考慮
して適宜決めればよいが、通常は１〜５程度とする。特
に、Ｒ¹ 、Ｒ² がアクリロイルオキシアルキル基であ
り、Ｒ³ がアクリロイルオキシアルキル基又はヒドロキ
シアルキル基である化合物が好ましい。

【００１３】本発明における絶縁膜用組成物は、化合物
１とジビニルベンゼン及び／又はスチレンとを含むこと
が好ましい。化合物１とジビニルベンゼン及び／又はス
チレンとを共重合させることにより、架橋密度を上げる
ことができ、優れた耐熱性、硬度が得られる。ジビニル
ベンゼン及び／又はスチレンの配合量はジビニルベンゼ
ンとスチレンの合量で、化合物１の１００重量部に対し
５〜５０重量部、特に５〜２０重量部、が好ましい。

【００１４】本発明における絶縁膜用組成物は、基板と
の接着性、耐薬品性の観点から、化合物１に加えて、又
は化合物１とジビニルベンゼン及び／又はスチレンとに
加えて、さらにエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エ
ポキシ樹脂としては特に脂環式エポキシ樹脂が好まし
い。脂環式エポキシ樹脂とは、構造中に脂環部分を含む
ことを特徴とするエポキシ樹脂であり、特に、脂環部分
の炭素数は４〜８程度であることが好ましい。また、一
般的に入手が容易であることから、シクロヘキサン環を
含む脂環式エポキシ樹脂が好ましい。

【００１５】脂環式エポキシ樹脂は、接着性のよいエポ
キシ樹脂中でも芳香族エポキシ樹脂と比較して、共役系
がないために透明性、耐候性、耐熱性がよい特徴があ
る。また、Ｎａ⁺ やＣｌ^- 等のイオン性不純物が少ない
ため、この高分子絶縁膜を形成したアクティブマトリク
ス基板を用いて液晶表示素子を製造すると表示ムラの発
生を少なくできる。

【００１６】さらに、脂環式エポキシ樹脂中でも一般式
（２）で表される化合物（以下、化合物２という）に基
づく構造を持つ脂環式エポキシ樹脂は硬化物のＴ_g が高
く、耐候性、透明性、電気特性が良好であるので好まし
い。

【００１７】

【化３】

【００１８】化合物２において、Ｒはメタノール、エタ
ノール、プロパノール、ブタノール等の１価アルコール
からヒドロキシ基を除いた残基、又は、トリメチロール
プロパン、ペンタエリスリトール等の多価アルコールか
ら１個のヒドロキシ基を除いた残基、を表す。通常はこ
のｎは１０〜２０程度とされることが好ましい。

【００１９】ＲＯＨが多価アルコールの場合には、他の
ヒドロキシ基部分も同様な構造とされている化合物でも
よい。なお、ＲＯＨが多価アルコールで、複数のエポキ
シ構造が別の鎖として繋がっている場合には、そのｎの
合計が１０〜２０程度とされることが好ましい。このよ
うな樹脂は、例えば「ＥＨＰＥ−３１５０」、「ＥＨＰ
Ｅ−１１５０」（商品名、ダイセル化学工業製）として
入手できる。

【００２０】このような脂環式エポキシ樹脂の配合量
は、化合物１の１００重量部に対し５〜５００重量部が
好ましい。５重量部以上とすることにより、耐薬品性及
びガラス基板との接着性が向上する。また、５００重量
部超では耐熱性及び平坦化能が低下する。このような脂
環式エポキシ樹脂の配合量を多くすると、耐薬品性、特
に耐アルカリ性は向上するが耐熱性が低下するため、よ
り好ましくは２０〜５０重量部程度とされる。

【００２１】本発明における絶縁膜用組成物中には、さ
らに他のラジカル重合性化合物や光重合開始剤を加えう
る。ラジカル重合性化合物としては、アクリル系樹脂モ
ノマー、オリゴマー、その他の光硬化性のビニル系樹脂
モノマー、オリゴマー等がある。溶剤の一部にこのラジ
カル重合性化合物を用いることもできる。光重合開始剤
としてはラジカル重合開始剤を使用できる。

【００２２】光重合開始剤としては、２−ヒドロキシ−
２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、クロロ
アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、１−ヒド
ロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１
−（４−メチルチオフェニル）−２−モルホリノ−プロ
パン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−
１−（モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、ベン
ゾインエーテル、ベンジルジメチルケタール、ベンゾフ
ェノン、メチル−ｏ−ベンゾイルベンゾエート、チオキ
サンソン、グリオキシエステル等が例示できる。光重合
開始剤には、例えばベンゾフェノンに対する４，４−ビ
ス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等のような適当な
増感剤を加えてもよい。

【００２３】光重合開始剤の配合量は、化合物１の１０
０重量部に対し１〜２０重量部が好ましい。少なすぎる
と硬化の速度が遅くなりやすく、多すぎると耐熱性や光
に対する安定性が悪くなりやすい。より好ましくは１〜
５重量部である。

【００２４】本発明における絶縁膜用組成物中には、こ
のエポキシ樹脂を硬化させるエポキシ硬化剤をさらに加
えうる。エポキシ硬化剤としてはポリアミン系硬化剤、
酸無水物系硬化剤、ポリアミド系硬化剤、潜在型硬化触
媒、イミダゾール系硬化触媒等がある。本発明では、得
られた硬化物の耐熱性、耐薬品性等を考慮すると、酸無
水物系硬化剤が好ましい。

【００２５】酸無水物系硬化剤としては、無水マレイン
酸、無水トリメリット酸等が挙げられる。これらの酸無
水物系硬化剤はエポキシ樹脂と硬化剤との組み合わせに
よってそれぞれ適当な量があり、通常はエポキシ当量に
相当する量を加えると最も硬化物の耐熱性が良くなる。

【００２６】本発明における絶縁膜用組成物は、アクテ
ィブマトリクス基板の能動素子上の絶縁膜として用い
る。アクティブマトリクス基板は、基板上にＴＦＴ、ダ
イオード、ＭＩＭ等の能動素子を配置している。この能
動素子は半導体層、電極層、絶縁層等がパターニングさ
れているので、基板の上に凹凸が形成されている。この
能動素子の凹凸の上に画素電極が配置されるが、本発明
ではこの能動素子と画素電極との間に特定の絶縁膜用組
成物を重合硬化させた高分子絶縁膜を設ける。

【００２７】図１及び図２は本発明の高分子絶縁膜を形
成したアクティブマトリクス基板の正面図である。図１
は透過型の例を、図２は反射型の例を示す。図１及び図
２において、１は基板、２は能動素子、３は高分子絶縁
膜、４は透明導電膜による画素電極、５は反射性導電膜
による画素電極を示す。

【００２８】両図では能動素子２は簡略化して示してあ
り、能動素子駆動用の配線も省略してある。また、能動
素子２はこれらの図では、３個のみ示しているが、実際
の表示素子では、パソコン用の直視型表示素子に用いる
場合には、１画素当りＲＧＢ３色必要なので８００×６
００×３個とか、１０２４×７６８×３個とか多数設け
られる。モノクロ表示や投射型表示装置用では各表示素
子は単色表示なので、８００×６００個とか、１０２４
×７６８個とかにされる。

【００２９】これらの能動素子２と画素電極４、５とは
高分子絶縁膜３に設けたコンタクトホールで接続されて
いる。図１の透過型表示素子用では、能動素子２や図示
されていない配線等の部分では光が透過しないので、画
素電極４は有効面積が減少する。一方、反射型表示素子
用では、能動素子２や図示されていない配線等の部分で
も表示が可能なので、画素電極４は隣接画素電極との絶
縁幅を除き面積を大きく取れるので、有効面積が増大す
る。

【００３０】このアクティブマトリクス基板は、ガラ
ス、プラスチック等の基板上に、所望の配置でＴＦＴ等
の能動素子が形成されている。この基板には、必要に応
じて遮光膜、カラーフィルタ層、アルカリ溶出防止層等
を設けたり、プラスチック基板のガスバリヤ性向上用の
層を設けたりしてもよい。

【００３１】また、ＭＯＳのような半導体基板で基板表
面に能動素子が形成され、基板上に電極パターンが形成
されているものでも使用できる。ただし、ガラス、プラ
スチック等の基板上に能動素子を形成した基板の場合
に、表面の凹凸が大きいので、平坦性に優れた本発明の
適用の効果が大きく好ましい。

【００３２】この絶縁膜用組成物をアクティブマトリク
ス基板上にコーティングするに際しては、塗布性を向上
するため、通常、溶剤に希釈した溶液として用いる。溶
剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトンのケトン類、エチレングリコー
ル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールジメチルエーテルアセテート、
ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
ポリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
等の多価アルコール又はエーテル類等の有機溶剤を使用
できる。これらの溶剤は単独で用いても２種以上混合し
てもよい。有機溶剤溶液中の固形分濃度は、塗布方法に
も依存するが、通常は２０〜８０重量％とされればよ
い。この濃度は、塗布方法に応じて最適な濃度を実験的
に定めればよい。

【００３３】本発明の絶縁膜用組成物には、必要に応じ
てさらにレベリング剤、カップリング剤、アクリロイル
基を有する反応性希釈剤、光安定剤、消泡剤、界面活性
剤、酸化防止剤等を加えて使用してもよい。

【００３４】絶縁膜用組成物溶液をアクティブマトリク
ス基板上に塗布するに際しては、通常スピンコートが使
用される。また必要に応じてディップコート、ロールコ
ート、スクリーン印刷コート、スプレーコート、その他
の方法で塗布してもよい。

【００３５】このようにして高分子絶縁膜を能動素子を
設けた基板上に形成する。この上に透明導電膜や反射性
導電膜等の導電膜を形成する。この場合、必要に応じ
て、高分子絶縁膜と導電膜との間にＳｉＯ₂ やＴｉＯ₂
の無機酸化物膜を形成してもよい。この導電膜を必要に
応じてパターニングし、ポリイミド等の配向膜を形成す
る。

【００３６】こうして形成した電極付き基板と、もう１
枚の電極付き基板とを電極面側が相対向するように配置
して周辺をシールし、内部に液晶を封入して液晶表示素
子を形成する。ここで封入する液晶としては、通常のパ
ソコン等で使用されているツイステッドネマチック（Ｔ
Ｎ）型液晶をはじめ、ゲストホスト（ＧＨ）型液晶、相
転移型液晶、液晶と高分子マトリクスとによる分散型液
晶等、公知の種々の液晶が使用できる。

【００３７】このアクティブマトリクス基板は、上記の
ような液晶表示素子に好適であるが、他の表示素子用や
センサー類用にも使用できる。

【００３８】

【実施例】

［予察試験］透明ガラス基板上に、マグネトロンスパッ
タリング法でクロム膜を１００ｎｍの厚みに成膜した。
この上にフォトマスクを用い、感光性レジストでパター
ンを形成した後、クロム膜をエッチングして遮光膜パタ
ーンを形成した。次に、赤色、緑色、青色の着色剤を用
いて顔料分散法でカラーフィルタパターンを遮光膜パタ
ーンの開口部に順次形成してカラーフィルタ基板を作成
した。

【００３９】このカラーフィルタ基板を用いて、その上
に表１及び表２に示す各種保護膜用組成物（数値の単位
は重量％）を用いて、スピンコートにて、硬化後の保護
膜の膜厚が約２．５μｍになるように全面に塗布した。
その後、高圧水銀灯を用いて紫外光を照射して、２３０
℃で１時間加熱して完全に硬化させた。

【００４０】なお、表中の化合物の表記は以下のとおり
である。「Ｍ３１５」：東亞合成化学社製「アロニックスＭ−３
１５」、化合物１においてＲ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ がいずれも
アクリロイルオキシエチル基（−Ｃ₂ Ｈ₄ −Ｏ−Ｃ（＝
Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ₂ ）であるもの。「Ｍ２１５」：東亞合成化学社製「アロニックスＭ−２
１５」、化合物１においてＲ¹ 、Ｒ² がともにアクリロ
イルオキシエチル基（−Ｃ₂ Ｈ₄ −Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ₂ ）であり、Ｒ³ がヒドロキシエチル基（−Ｃ
₂ Ｈ₄ −ＯＨ）であるもの。「Ｍ８０３０」：東亞合成化学社製「アロニックスＭ−
８０３０」、化合物１でないポリアクリレート。「Ｍ９０３０」：東亞合成化学社製「アロニックスＭ−
９０３０」、化合物１でないポリアクリレート。

【００４１】「エポキシ」：ダイセル化学工業社製「Ｅ
ＨＰＥ−３１５０」、脂環式エポキシ樹脂。「酸無水物」：エルフ・アトケム社製「ＳＭＡ−１００
０Ａ」、酸無水物。「エポキシ硬化触媒」：油化シェルエポキシ社製「ＢＭ
Ｉ−１２」。「光重合開始剤」：チバガイギー社製「イルガキュア９
０７」。「カップリング剤」：信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０
３」。「レベリング剤」：信越化学工業社製シリコーン系レベ
リング剤。

【００４２】こうして製造された保護膜付きカラーフィ
ルタ基板の特性を評価した。耐熱性は、２３０℃−１時
間処理による減膜率（％）及び２６０℃−１時間処理に
よる減膜率（％）を、耐ＮａＯＨ性は、４％ＮａＯＨ
（２５℃）に１時間浸漬した場合の減膜率（％）を、そ
れぞれ示す。平坦性はＲＧＢ画素間の段差が＜０．０５
μｍのものを○、０．０５〜０．１μｍを△、＞０．１
μｍを×とした。その結果をそれぞれ表３及び表４に示
す。

【００４３】例１０と例１１はエポキシ樹脂の比較例で
あり、平坦性、硬度ともに悪い。例１３と例１４は化合
物１以外のアクリレートの比較例であり、エポキシ樹脂
の比較例よりも平坦性と硬度は改善されているが、耐熱
性と耐薬品性が低い。これに対して、化合物１を用いた
例１２は、耐熱性と耐薬品性では例１３よりやや劣る
が、平坦性と硬度では優れる。

【００４４】なお、平坦性、硬度、耐熱性及び耐薬品性
を総合的にみれば、例１〜例９が好ましい。特に化合物
１とスチレン及び／又はジビニルベンゼンとを含有する
例１〜例５は平坦性、硬度、耐熱性が比較例よりも優れ
る。化合物１とスチレン及び／又はジビニルベンゼンと
エポキシ樹脂とを含有する例６〜例９は耐薬品性が高
い。例６は耐熱性は例１〜例５よりやや劣るが、硬度、
耐薬品性が高い。例８と例９は平坦性、硬度が低下して
いるが、例１０、例１１よりは平坦性、硬度ともに良
く、耐熱性と耐薬品性も同等以上である。また、例８と
例９は、例１３、例１４と比べ、平坦性、硬度は同等以
上で、耐薬品性がきわめて良い。

【００４５】これらの例の比較により明らかなように、
化合物１を含む絶縁膜用組成物を重合させた高分子絶縁
膜は、平坦性がきわめて優れ、特に反射性の画素電極を
形成して使用してゆがみの少ない表示が得られる。これ
は主に化合物１の光硬化による平坦性の保持と考えられ
る。さらに、化合物１をジビニルベンゼンと共重合させ
ることにより、耐熱性、膜硬度が優れ、後工程であるパ
ネル組立工程での加圧処理などによる変形が少なく、表
示均一性に優れる。

【００４６】

【表１】

【００４７】

【表２】

【００４８】

【表３】

【００４９】

【表４】

【００５０】［実施例１］図１を参照しながら説明す
る。オフセットゲートコプレーナ構造多結晶シリコンＴ
ＦＴを画素駆動用の能動素子２として形成した基板１上
に、予察試験の例６及び例７で用いた絶縁膜用組成物溶
液を、硬化後の絶縁膜の膜厚が約２．０μｍになるよう
に、スピンコートにて全面に塗布した。その後、高圧水
銀灯を用いて紫外光を照射して、２３０℃で１時間加熱
して完全に硬化させて、高分子絶縁膜３を形成した。

【００５１】ついで、レジスト剥離液（東京応化社製
「５０２Ａ」）により洗浄した後、フォトレジスト（東
京応化社製「ＯＦＰＲ８００」）を塗布、露光、現像し
コンタクトホールのパターンを形成した。

【００５２】次いでＯ₂ プラズマにより塗布膜をドライ
エッチし、フォトレジストを剥離液（東京応化社製「５
０２Ａ」）により剥離した。テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）の２．４％水溶液でポリマー
残滓を洗浄後、スパッタリング法により透明導電膜とし
て０．１μｍ厚のＩＴＯ膜を形成し、パターニングし画
素電極４とした。ＩＴＯ膜のエッチングは塩酸、塩化第
二鉄の混合液により行った。このアクティブマトリクス
基板を用いて、液晶表示素子を形成したところ、例６、
例７の絶縁膜用組成物溶液のいずれを用いた液晶表示素
子も、良好な画像が得られた。

【００５３】［実施例２］図２を参照しながら説明す
る。オフセットゲートコプレーナ構造多結晶シリコンＴ
ＦＴを画素駆動用の能動素子２として形成した基板１上
に、予察試験の例６及び例７で用いた絶縁膜用組成物溶
液を、硬化後の絶縁膜の膜厚が約３．０μｍになるよう
に、スピンコートにて全面に塗布した。その後、高圧水
銀灯を用いて紫外光を照射して、２３０℃で１時間加熱
して完全に硬化させて、高分子絶縁膜３を形成した。

【００５４】ついで、レジスト剥離液（東京応化社製
「５０２Ａ」）により洗浄した後、フォトレジスト（東
京応化社製「ＯＦＰＲ８００」）を塗布、露光、現像し
コンタクトホールのパターンを形成した。

【００５５】次いでＯ₂ プラズマにより塗布膜をドライ
エッチし、フォトレジストを剥離液（東京応化社製「５
０２Ａ」）により剥離した。ＴＭＡＨの２．４％水溶液
でポリマー残滓を洗浄後、スパッタリング法により反射
性導電膜として０．４μｍ厚のアルミニウム膜を形成
し、パターニングし反射性の画素電極６とした。アルミ
ニウム膜のエッチングは硝酸、酢酸、リン酸の混合液に
より行った。例６、例７の絶縁膜用組成物溶液のいずれ
を用いたアクティブマトリクス基板も、良好な反射率の
反射性の画素電極が得られた。

【００５６】

【発明の効果】本発明の化合物１を含む高分子絶縁膜用
組成物を硬化させて形成した高分子絶縁膜を形成したア
クティブマトリクス基板は、平坦性がきわめて優れ、硬
度も高く、透明度も高いので、性能の良い画素電極が得
られる。さらに、化合物１とジビニルベンゼン及び／又
はスチレンとの併用により、耐熱性に優れた高分子絶縁
膜付きのアクティブマトリクス基板が得られる。さら
に、これにエポキシ樹脂を併用することにより、耐薬品
性も向上させうる。

【００５７】本発明による高分子絶縁膜を形成したアク
ティブマトリクス基板を透過型表示素子に適用する場
合、その高い透過率により明るい表示素子を形成でき
る。反射型表示素子に適用する場合、その良好な平坦化
性能により反射率の高い反射性の電極を形成でき、明る
い表示素子を形成できる。

【００５８】この透過型、反射型ともに、画素電極下の
絶縁膜・平坦化膜は製造工程及び実装工程での加熱工
程、溶剤での洗浄工程等に対する耐久性が高いので、信
頼性を低下させない。本発明は、本発明の効果を損しな
い範囲内で、種々の応用が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高分子絶縁膜を形成したアクティブマ
トリクス基板（透過型）の正面図。

【図２】本発明の高分子絶縁膜を形成したアクティブマ
トリクス基板（反射型）の正面図。

【符号の説明】

１：基板２：能動素子３：高分子絶縁膜４、５：画素電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＣ０８Ｌ 63/00 Ｃ０８Ｌ 63/00 Ａ (72)発明者生田順亮神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地旭硝子株式会社中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に能動素子を配置し、能動素子上に
絶縁膜を形成し、絶縁膜上に画素電極を有するアクティ
ブマトリクス基板において、絶縁膜が一般式（１）で表
される化合物（ただし、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ は夫々独立に
アクリロイルオキシアルキル基又はヒドロキシアルキル
基を表す。）を含む絶縁膜用組成物を重合させた高分子
絶縁膜であることを特徴とするアクティブマトリクス基
板。【化１】
【請求項２】絶縁膜用組成物がさらにスチレン及び／又
はジビニルベンゼンを含む請求項１記載のアクティブマ
トリクス基板。
【請求項３】絶縁膜用組成物がさらにエポキシ樹脂を含
む請求項１又は２記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】画素電極が光の反射膜である請求項１、２
又は３記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】前記絶縁膜用組成物を塗布後、最初に光に
より重合及び架橋を行い、後に熱処理を行い、硬化する
ことにより前記絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に前記画
素電極を形成することを特徴とする請求項１、２、３又
は４記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】液晶表示素子を構成する少なくとも一方の
基板として請求項１、２、３又は４記載のアクティブマ
トリクス基板を用いることを特徴とする液晶表示素子。