JPH10255982A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
有機ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH10255982A JPH10255982A JP9069076A JP6907697A JPH10255982A JP H10255982 A JPH10255982 A JP H10255982A JP 9069076 A JP9069076 A JP 9069076A JP 6907697 A JP6907697 A JP 6907697A JP H10255982 A JPH10255982 A JP H10255982A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- light emitting
- transparent electrode
- emitting layer
- work function
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で、両極性で発光可能な有機ＥＬ
素子を提供する。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１０上にＩＴＯ等の
透明な電極材料であり仕事関数の大きい透明電極１２
と、この透明電極１２に積層されホール輸送材料及び電
子輸送材料を含む有機ＥＬ材料の発光層１４と、この有
機ＥＬ材料の発光層１４に積層されＡｕやＡｌ等の仕事
関数の大きい電極材料による背面電極１６を形成する。
有機ＥＬ材料の発光層１４と透明電極１２及び背面電極
１６との各積層部分に、１〜数十Å程度の厚さに仕事関
数の小さいＬｉやＭｇ等の金属からなる電子注入層２０
を、島状、穴あき状、ストライプ状、または網目状等の
ほぼ均等に部分的に形成する。
素子を提供する。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１０上にＩＴＯ等の
透明な電極材料であり仕事関数の大きい透明電極１２
と、この透明電極１２に積層されホール輸送材料及び電
子輸送材料を含む有機ＥＬ材料の発光層１４と、この有
機ＥＬ材料の発光層１４に積層されＡｕやＡｌ等の仕事
関数の大きい電極材料による背面電極１６を形成する。
有機ＥＬ材料の発光層１４と透明電極１２及び背面電極
１６との各積層部分に、１〜数十Å程度の厚さに仕事関
数の小さいＬｉやＭｇ等の金属からなる電子注入層２０
を、島状、穴あき状、ストライプ状、または網目状等の
ほぼ均等に部分的に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイに用いられる有機ＥＬ素子に関する。
スプレイに用いられる有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス）素子は、ガラス基板に透光性のＩＴＯ膜の
陽極を形成し、その上面に有機ＥＬ材料であるトリフェ
ニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料及びア
ルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送性発光材料
等を積層している。そしてその上面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａ
ｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の陰極を形成している。この有機ＥＬ
素子は、ＩＴＯ膜の陽極とＡｌ−Ｍｇ等の背面電極であ
る陰極間に所定の電圧が印加され、発光を生じるもので
ある。
ネッセンス）素子は、ガラス基板に透光性のＩＴＯ膜の
陽極を形成し、その上面に有機ＥＬ材料であるトリフェ
ニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料及びア
ルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の電子輸送性発光材料
等を積層している。そしてその上面に、Ａｌ，Ｌｉ，Ａ
ｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の陰極を形成している。この有機ＥＬ
素子は、ＩＴＯ膜の陽極とＡｌ−Ｍｇ等の背面電極であ
る陰極間に所定の電圧が印加され、発光を生じるもので
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、ＥＬは、仕事
関数の大きいＩＴＯから発光層へホールの注入がなさ
れ、仕事関数の小さい陰極からは、電子が供給されるこ
とにより発光するものである。従って、このＩＴＯと背
面電極の極性を逆にして逆バイアスをかけると、上記ホ
ールと電子の注入が起こりにくく、発光が見られない。
また、電子輸送材料とホール輸送材料を順次積層した構
造の場合、逆バイアスであれば、ホールと電子が僅かに
注入されたとしても発光はしない。従って、一つの有機
ＥＬ素子において、両極性でＥＬ発光可能な素子は従来
なかった。
関数の大きいＩＴＯから発光層へホールの注入がなさ
れ、仕事関数の小さい陰極からは、電子が供給されるこ
とにより発光するものである。従って、このＩＴＯと背
面電極の極性を逆にして逆バイアスをかけると、上記ホ
ールと電子の注入が起こりにくく、発光が見られない。
また、電子輸送材料とホール輸送材料を順次積層した構
造の場合、逆バイアスであれば、ホールと電子が僅かに
注入されたとしても発光はしない。従って、一つの有機
ＥＬ素子において、両極性でＥＬ発光可能な素子は従来
なかった。
【０００４】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、両極性で発光可能な有機Ｅ
Ｌ素子を提供することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、両極性で発光可能な有機Ｅ
Ｌ素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラス等の
透明基板上にＩＴＯ等の透明な電極材料であり仕事関数
の大きい透明電極と、この透明電極に積層されホール輸
送材料及び電子輸送材料を含む有機ＥＬ材料の発光層
と、この有機ＥＬ材料の発光層に積層されＡｕやＡｌ等
の仕事関数の大きい電極材料による背面電極を形成し、
上記有機ＥＬ材料の発光層と透明電極及び背面電極との
各積層部分に、１〜数十Å程度の厚さに仕事関数の小さ
いＬｉやＭｇ等の金属からなる電子注入層を、島状、穴
あき状、ストライプ状、または網目状等のほぼ均等に部
分的に形成した有機ＥＬ素子である。
透明基板上にＩＴＯ等の透明な電極材料であり仕事関数
の大きい透明電極と、この透明電極に積層されホール輸
送材料及び電子輸送材料を含む有機ＥＬ材料の発光層
と、この有機ＥＬ材料の発光層に積層されＡｕやＡｌ等
の仕事関数の大きい電極材料による背面電極を形成し、
上記有機ＥＬ材料の発光層と透明電極及び背面電極との
各積層部分に、１〜数十Å程度の厚さに仕事関数の小さ
いＬｉやＭｇ等の金属からなる電子注入層を、島状、穴
あき状、ストライプ状、または網目状等のほぼ均等に部
分的に形成した有機ＥＬ素子である。
【０００６】また、上記有機ＥＬ材料の発光層を積層構
造として、中央にホールブロック層を形成し、その両側
に、各々異なる発光材料を含有した発光層を形成した有
機ＥＬ素子である。
造として、中央にホールブロック層を形成し、その両側
に、各々異なる発光材料を含有した発光層を形成した有
機ＥＬ素子である。
【０００７】この発明の有機ＥＬ素子は、透明電極側を
陽極、背面電極側を陰極とした順バイアス電位を印加し
た場合は、仕事関数の高いＩＴＯ等の透明電極から有機
ＥＬ材料の発光層へホールの注入が行なわれるととも
に、陰極である背面電極側では仕事関数の低いＬｉ等の
電子注入層から電子の注入が行なわれる。また、逆に透
明電極側を陰極、背面電極側を陽極とした逆バイアス電
位を印加した場合、仕事関数の高いＡｕ等の背面電極か
ら有機ＥＬ材料の発光層へホールの注入が行なわれると
ともに、陰極となる透明電極側では仕事関数の低いＬｉ
等の電子注入層から電子の注入が行なわれる。
陽極、背面電極側を陰極とした順バイアス電位を印加し
た場合は、仕事関数の高いＩＴＯ等の透明電極から有機
ＥＬ材料の発光層へホールの注入が行なわれるととも
に、陰極である背面電極側では仕事関数の低いＬｉ等の
電子注入層から電子の注入が行なわれる。また、逆に透
明電極側を陰極、背面電極側を陽極とした逆バイアス電
位を印加した場合、仕事関数の高いＡｕ等の背面電極か
ら有機ＥＬ材料の発光層へホールの注入が行なわれると
ともに、陰極となる透明電極側では仕事関数の低いＬｉ
等の電子注入層から電子の注入が行なわれる。
【０００８】また、誘起材料の発光層を各々異なる発光
材料を含有した発光層を形成したことにより、透明電極
と背面電極の電位が順バイアス時と逆バイアス時とで、
中央のホールブロック層により隣接層へホールの注入が
阻止され、異なる発光を可能にするものである。
材料を含有した発光層を形成したことにより、透明電極
と背面電極の電位が順バイアス時と逆バイアス時とで、
中央のホールブロック層により隣接層へホールの注入が
阻止され、異なる発光を可能にするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１、図２はこの発明の
有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもので、この実施形
態の有機ＥＬ素子は、図示するように、ガラス、透明樹
脂、石英等の透明基板１０の表面に、ＩＴＯ等の仕事関
数の大きい透明な金属材料からなる透明電極１２が１μ
ｍ程度の厚さに形成されている。透明電極１２の表面に
は、有機ＥＬ材料による発光層１４が数百Å程度の厚さ
に形成されている。そして、発光層１４の表面には、Ａ
ｕやＡｌ等の仕事関数の大きい金属からなる背面電極１
６が１０００Å程度の厚さに形成されている。
いて図面を基にして説明する。図１、図２はこの発明の
有機ＥＬ素子の第一実施形態を示すもので、この実施形
態の有機ＥＬ素子は、図示するように、ガラス、透明樹
脂、石英等の透明基板１０の表面に、ＩＴＯ等の仕事関
数の大きい透明な金属材料からなる透明電極１２が１μ
ｍ程度の厚さに形成されている。透明電極１２の表面に
は、有機ＥＬ材料による発光層１４が数百Å程度の厚さ
に形成されている。そして、発光層１４の表面には、Ａ
ｕやＡｌ等の仕事関数の大きい金属からなる背面電極１
６が１０００Å程度の厚さに形成されている。
【００１０】透明電極１２と発光層１４との間及び背面
電極１６と発光層１４との間には、各々所定の間隔で均
等に島状または穴あき状の電子注入層２０が数Å程度の
極薄い層に形成されている。電子注入層２０はＬｉやＭ
ｇ等の仕事関数の小さい金属により形成されている。ま
たこの電子注入層２０はストライプ状や網目状に形成し
ても良く、その厚さは電子注入が可能な厚さであれば良
く、１〜数十Å程度の厚さで適宜設定可能である。
電極１６と発光層１４との間には、各々所定の間隔で均
等に島状または穴あき状の電子注入層２０が数Å程度の
極薄い層に形成されている。電子注入層２０はＬｉやＭ
ｇ等の仕事関数の小さい金属により形成されている。ま
たこの電子注入層２０はストライプ状や網目状に形成し
ても良く、その厚さは電子注入が可能な厚さであれば良
く、１〜数十Å程度の厚さで適宜設定可能である。
【００１１】有機ＥＬ材料の発光層１４は、ホール輸送
材料と電子輸送材料が混合された混合材料からなる。発
光層１４の母体材料のうちホール輸送材料としては、ト
リフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導
体、アリールアミン誘導体等がある。また、電子輸送材
料としては、緑色発光材料であるアルミキレート錯体
（Ａｌｑ3）、青色発光材料であるジスチリルビフェニ
ル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、その他オキサジアゾール誘導
体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾー
ルチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類等を用
いる。さらに長波長発光色変調するためのドーパントと
して、ジシアノメチレン誘導体（ＤＣＭ）や、ナイルレ
ッド（Ｎｉｌｅ Ｒｅｄ）、緑色の発光材料としてクマ
リン５４０（Ｃ５４０）等を適宜添加し、任意の発光色
を得る。またホール輸送材料と電子輸送材料の混合比
は、１０：９０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能で
ある。
材料と電子輸送材料が混合された混合材料からなる。発
光層１４の母体材料のうちホール輸送材料としては、ト
リフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導
体、アリールアミン誘導体等がある。また、電子輸送材
料としては、緑色発光材料であるアルミキレート錯体
（Ａｌｑ3）、青色発光材料であるジスチリルビフェニ
ル誘導体（ＤＰＶＢｉ）、その他オキサジアゾール誘導
体、ビスチリルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾー
ルチオフェン誘導体、ペリレン類、チアゾール類等を用
いる。さらに長波長発光色変調するためのドーパントと
して、ジシアノメチレン誘導体（ＤＣＭ）や、ナイルレ
ッド（Ｎｉｌｅ Ｒｅｄ）、緑色の発光材料としてクマ
リン５４０（Ｃ５４０）等を適宜添加し、任意の発光色
を得る。またホール輸送材料と電子輸送材料の混合比
は、１０：９０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能で
ある。
【００１２】この実施形態の有機薄膜ＥＬ素子の製造方
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による透明電極
１２を通常の真空蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリン
グその他の真空中の薄膜形成技術により形成する。次
に、ＬｉやＭｇ等の電子注入層２０を、上記真空薄膜形
成技術の任意の方法で、マスキングにより島状、穴あき
状、ストライプ状、または網目状等に形成する。次に透
明電極１２及び電子注入層２０の表面に、有機ＥＬ材料
の発光層１４を上記真空薄膜形成技術の任意の方法によ
り形成する。さらに、有機ＥＬ材料の発光層１４の表面
に、ＬｉやＭｇ等の電子注入層２０を、上記真空薄膜形
成技術の任意の方法で、上記と同様にマスキングにより
島状、穴あき状、ストライプ状、または網目状等に形成
する。そして、その表面に、上記真空薄膜形成技術のう
ちの任意の方法により、ＡｕやＡｌ等による背面電極１
６を形成する。
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による透明電極
１２を通常の真空蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリン
グその他の真空中の薄膜形成技術により形成する。次
に、ＬｉやＭｇ等の電子注入層２０を、上記真空薄膜形
成技術の任意の方法で、マスキングにより島状、穴あき
状、ストライプ状、または網目状等に形成する。次に透
明電極１２及び電子注入層２０の表面に、有機ＥＬ材料
の発光層１４を上記真空薄膜形成技術の任意の方法によ
り形成する。さらに、有機ＥＬ材料の発光層１４の表面
に、ＬｉやＭｇ等の電子注入層２０を、上記真空薄膜形
成技術の任意の方法で、上記と同様にマスキングにより
島状、穴あき状、ストライプ状、または網目状等に形成
する。そして、その表面に、上記真空薄膜形成技術のう
ちの任意の方法により、ＡｕやＡｌ等による背面電極１
６を形成する。
【００１３】次に、背面電極１６の表面には、図示しな
い保護層を適宜形成する。保護層は、ＡｌやＡｇ、さら
に樹脂等により背面電極を被覆するものである。
い保護層を適宜形成する。保護層は、ＡｌやＡｇ、さら
に樹脂等により背面電極を被覆するものである。
【００１４】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が６×
１０-6Ｔｏｒｒで、有機ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃ
の蒸着速度で成膜する。フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好
ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下さ
せ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
１０-6Ｔｏｒｒで、有機ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃ
の蒸着速度で成膜する。フラッシュ蒸着法は、予め所定
の比率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好
ましくは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下さ
せ、有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。ま
た、その有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容
器を加熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
【００１５】この実施形態の有機ＥＬ素子は、透明電極
１２側を陽極、背面電極１６側を陰極とした順バイアス
電位を印加した場合、図１に示すように、仕事関数の高
いＩＴＯ等の透明電極１２から有機ＥＬ材料の発光層１
４へホール２２の注入が行なわれるとともに、陰極であ
る背面電極１６側では仕事関数の低いＬｉ、Ｍｇ等の電
子注入層２０から電子２４の注入が行なわれる。そし
て、発光層１４中のホール輸送材料及び電子輸送材料及
びその他の発光材料によりＥＬ発光が生じる。また逆
に、透明電極１２側を陰極、背面電極１６側を陽極とし
た逆バイアス電位を印加した場合、図２に示すように、
仕事関数の高いＡｕやＡｌ等の背面電極１６から有機Ｅ
Ｌ材料の発光層１４へホール２２の注入が行なわれると
ともに、陰極となる透明電極１２側では仕事関数の低い
ＬｉやＭｇ等の電子注入層２０から電子２４の注入が行
なわれる。
１２側を陽極、背面電極１６側を陰極とした順バイアス
電位を印加した場合、図１に示すように、仕事関数の高
いＩＴＯ等の透明電極１２から有機ＥＬ材料の発光層１
４へホール２２の注入が行なわれるとともに、陰極であ
る背面電極１６側では仕事関数の低いＬｉ、Ｍｇ等の電
子注入層２０から電子２４の注入が行なわれる。そし
て、発光層１４中のホール輸送材料及び電子輸送材料及
びその他の発光材料によりＥＬ発光が生じる。また逆
に、透明電極１２側を陰極、背面電極１６側を陽極とし
た逆バイアス電位を印加した場合、図２に示すように、
仕事関数の高いＡｕやＡｌ等の背面電極１６から有機Ｅ
Ｌ材料の発光層１４へホール２２の注入が行なわれると
ともに、陰極となる透明電極１２側では仕事関数の低い
ＬｉやＭｇ等の電子注入層２０から電子２４の注入が行
なわれる。
【００１６】この実施形態の有機ＥＬ素子によれば、透
明電極１２と背面電極１６に印加する電位の極性が何れ
であっても有効に発光可能なものであり、電極の極性を
問わない有機ＥＬ素子を能にするものである。
明電極１２と背面電極１６に印加する電位の極性が何れ
であっても有効に発光可能なものであり、電極の極性を
問わない有機ＥＬ素子を能にするものである。
【００１７】次にこの発明の有機ＥＬ素子の第二実施形
態について図３を基にして説明する。ここで上記実施形
態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省略する。
この実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層１４を積層構造
としたもので、発光層１４の中央にオキサジアゾール誘
導体（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、フェナンロトロリン誘導体
（バソクプロイン）等のホールブロック層２６を形成
し、その一方の側の透明電極１２側には、ＴＰＤ、Ａｌ
ｑ3とＤＣＭの混合層２８を形成し、他方の背面電極側
には、ＴＰＤ、Ａｌｑ3とＣ５４０の混合層２９を形成
する。
態について図３を基にして説明する。ここで上記実施形
態と同様の部材は同一の符号を付して説明を省略する。
この実施形態の有機ＥＬ素子は、発光層１４を積層構造
としたもので、発光層１４の中央にオキサジアゾール誘
導体（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、フェナンロトロリン誘導体
（バソクプロイン）等のホールブロック層２６を形成
し、その一方の側の透明電極１２側には、ＴＰＤ、Ａｌ
ｑ3とＤＣＭの混合層２８を形成し、他方の背面電極側
には、ＴＰＤ、Ａｌｑ3とＣ５４０の混合層２９を形成
する。
【００１８】この発光層１４では、透明電極１２が陽極
で背面電極１６が陰極の順バイアス時は、透明電極１２
から注入されたホール２２が、混合層２８とホールブロ
ック層２６の界面で浸入が阻止され、混合層２８でその
ＤＣＭによりオレンジ色の発光が得られる。また、透明
電極１２が陰極で背面電極１６が陽極の逆バイアス時
は、背面電極１６から注入されたホール２２が混合層２
９とホールブロック層２６の界面で浸入が阻止され、混
合層２９のＣ５４０から緑色の発光が得られる。
で背面電極１６が陰極の順バイアス時は、透明電極１２
から注入されたホール２２が、混合層２８とホールブロ
ック層２６の界面で浸入が阻止され、混合層２８でその
ＤＣＭによりオレンジ色の発光が得られる。また、透明
電極１２が陰極で背面電極１６が陽極の逆バイアス時
は、背面電極１６から注入されたホール２２が混合層２
９とホールブロック層２６の界面で浸入が阻止され、混
合層２９のＣ５４０から緑色の発光が得られる。
【００１９】この実施形態の有機ＥＬ素子によれば、単
一の素子で異なる発光が得られるものであり、有機ＥＬ
素子の小型化やカラーディスプレイとしての用途を開く
ものである。
一の素子で異なる発光が得られるものであり、有機ＥＬ
素子の小型化やカラーディスプレイとしての用途を開く
ものである。
【００２０】なお、この発明の有機ＥＬ素子は、仕事関
数の高い電極間に有機ＥＬ材料の発光層を形成し、その
電極表面に仕事関数の小さい金属の薄い電子注入層を部
分的に形成したものであれば良く、その金属の厚さや材
料や形状、形成方法は問わない。
数の高い電極間に有機ＥＬ材料の発光層を形成し、その
電極表面に仕事関数の小さい金属の薄い電子注入層を部
分的に形成したものであれば良く、その金属の厚さや材
料や形状、形成方法は問わない。
【００２１】
【発明の効果】この発明の有機ＥＬ素子は、透明電極と
背面電極の極性を問わずに使用可能であり、有機ＥＬ素
子の用途を広げるものであり、取り扱いも容易なものと
なる。また、電極の極性を変えることにより異なる発光
を得ることもでき、一つの素子で複数の機能を発揮する
ことができるものである。
背面電極の極性を問わずに使用可能であり、有機ＥＬ素
子の用途を広げるものであり、取り扱いも容易なものと
なる。また、電極の極性を変えることにより異なる発光
を得ることもでき、一つの素子で複数の機能を発揮する
ことができるものである。
【図１】この発明の第一実施形態のＥＬ素子の順バイア
ス時の状態を示す模式的断面図である。
ス時の状態を示す模式的断面図である。
【図２】この発明の第一実施形態のＥＬ素子の逆バイア
ス時の状態を示す模式的断面図である。
ス時の状態を示す模式的断面図である。
【図３】この発明の第二実施形態のＥＬ素子を示す断面
図である。
図である。
１０ 基板 １２ 透明電極 １４ 発光層 １６ 背面電極 ２０ 電子注入層 ２２ ホール ２４ 電子
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上に透明な電極材料であり仕事
関数の大きい透明電極と、この透明電極に積層されホー
ル輸送材料及び電子輸送材料を含む有機ＥＬ材料の発光
層と、この発光層に積層され仕事関数の大きい電極材料
による背面電極を形成し、上記有機ＥＬ材料の発光層と
透明電極及び背面電極との各積層間に、仕事関数の小さ
い金属からなる電子注入層を、ホールの通過が可能な状
態に形成した有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 上記電子注入層は、上記各電極と上記発
光層との間に島状、穴あき状、ストライプ状または網目
状に形成されている請求項１記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記有機ＥＬ材料の発光層は、積層構造
に形成され、中央にホールブロック層を形成し、その両
側に各々異なる発光材料を含有した発光層を形成した請
求項１または２記載の有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069076A JPH10255982A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9069076A JPH10255982A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10255982A true JPH10255982A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13392139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9069076A Pending JPH10255982A (ja) | 1997-03-06 | 1997-03-06 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10255982A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006005340A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| EP1071144A3 (en) * | 1999-07-23 | 2006-04-26 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and a method of manufacturing the same |
| US7368659B2 (en) * | 2002-11-26 | 2008-05-06 | General Electric Company | Electrodes mitigating effects of defects in organic electronic devices |
| JP2011014548A (ja) * | 2004-05-20 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| WO2014010800A1 (ko) * | 2012-07-10 | 2014-01-16 | 한국과학기술원 | 구멍이 형성된 무기물 층을 포함하는 유기 발광 다이오드 소자의 제조 방법 |
| WO2016046914A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
-
1997
- 1997-03-06 JP JP9069076A patent/JPH10255982A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1071144A3 (en) * | 1999-07-23 | 2006-04-26 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and a method of manufacturing the same |
| US7456037B2 (en) | 1999-07-23 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and a method of manufacturing the same |
| US7368659B2 (en) * | 2002-11-26 | 2008-05-06 | General Electric Company | Electrodes mitigating effects of defects in organic electronic devices |
| JP2006005340A (ja) * | 2004-05-20 | 2006-01-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| JP2011014548A (ja) * | 2004-05-20 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| US8018152B2 (en) | 2004-05-20 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including intermediate conductive layer having a hole-injection layer with an island-like structure |
| US8339039B2 (en) | 2004-05-20 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element including intermediate conductive layer having an electron-injection layer with an island-like structure |
| US8643270B2 (en) | 2004-05-20 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Inc. | Light-emitting element and display device |
| WO2014010800A1 (ko) * | 2012-07-10 | 2014-01-16 | 한국과학기술원 | 구멍이 형성된 무기물 층을 포함하는 유기 발광 다이오드 소자의 제조 방법 |
| WO2016046914A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3885412B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| TW200414799A (en) | Organic electroluminescent device, method for manufacturing the organic electroluminescent device, and organic electroluminescent display apparatus | |
| JPH04137485A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2001155862A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP2772019B2 (ja) | 電界発光素子 | |
| JP3852518B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP3820752B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH10162955A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH03162481A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2001357975A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP3555736B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2002260858A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| KR20020076171A (ko) | 고품질 디스플레이가 가능한 유기 발광 소자 | |
| KR100547055B1 (ko) | 유기 전계발광 소자 | |
| JPH03141588A (ja) | 電界発光素子 | |
| JPH10255982A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2003297554A (ja) | 発光素子およびこれを用いた表示装置並びに照明装置 | |
| JP2004031214A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH10223372A (ja) | 有機電界発光素子およびこれを用いたフラットパネルディスプレイ | |
| JP2000091077A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH1095971A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP2000012225A (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH10255974A (ja) | 双方向電界駆動型有機電界発光素子 | |
| JP3605441B2 (ja) | 端面発光有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH02220394A (ja) | 電界発光素子 |