JPH10256139A - フォトレジスト塗布装置 - Google Patents
フォトレジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH10256139A JPH10256139A JP9062627A JP6262797A JPH10256139A JP H10256139 A JPH10256139 A JP H10256139A JP 9062627 A JP9062627 A JP 9062627A JP 6262797 A JP6262797 A JP 6262797A JP H10256139 A JPH10256139 A JP H10256139A
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- Japan
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- photoresist
- water content
- photo resist
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成にも拘らず回収されたフォトレジ
ストに水分が含有されないようにする。 【解決手段】 外部と隔絶された空間内に配置された基
板の表面にフォトレジストをスピン塗布し、その塗布に
おいて生じる残余のフォトレジストを回収するフォトレ
ジスト塗布装置において、該空間内に水分含有量の少な
いガスを供給できる手段が備えられている。
ストに水分が含有されないようにする。 【解決手段】 外部と隔絶された空間内に配置された基
板の表面にフォトレジストをスピン塗布し、その塗布に
おいて生じる残余のフォトレジストを回収するフォトレ
ジスト塗布装置において、該空間内に水分含有量の少な
いガスを供給できる手段が備えられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトレジスト塗布
装置に係り、特に、基板の表面にフォトレジストをスピ
ン塗布するためのフォトレジスト塗布装置に関する。
装置に係り、特に、基板の表面にフォトレジストをスピ
ン塗布するためのフォトレジスト塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板の表面に導体層等を微細なパターン
で形成する場合、いわゆるフォトリソグラフィ技術を用
いた選択エッチング方法が採用されている。
で形成する場合、いわゆるフォトリソグラフィ技術を用
いた選択エッチング方法が採用されている。
【０００３】基板の表面の全域に形成された導体層等を
所定のパターンに選択エッチングする場合、その際のマ
スクとして、選択露光を経て現像処理がなされることに
よって該パターンに基づいて選択除去されたフォトレジ
スト膜が使用されている。
所定のパターンに選択エッチングする場合、その際のマ
スクとして、選択露光を経て現像処理がなされることに
よって該パターンに基づいて選択除去されたフォトレジ
スト膜が使用されている。
【０００４】この場合、選択露光をする前段階のフォト
レジスト膜を基板の表面の全域に形成するための装置と
してフォトレジスト塗布装置が用いられる。
レジスト膜を基板の表面の全域に形成するための装置と
してフォトレジスト塗布装置が用いられる。
【０００５】そして、このフォトレジスト塗布装置は、
基板の表面に塗布するフォトレジストが均一な膜厚とな
るように、該基板を回転（スピン）させながら該基板の
表面のほぼ中央にフォトレジストを滴下させるように
し、遠心力によって該フォトレジストを基板表面に沿っ
て流動できるように構成されている。
基板の表面に塗布するフォトレジストが均一な膜厚とな
るように、該基板を回転（スピン）させながら該基板の
表面のほぼ中央にフォトレジストを滴下させるように
し、遠心力によって該フォトレジストを基板表面に沿っ
て流動できるように構成されている。
【０００６】また、このようなフォトレジスト塗布装置
は、基板の表面の導体層等を微細なパターンで形成する
ための装置であることから、それが設置される場所とし
てはいわゆるクリーンルームと称される部屋であり、そ
の部屋はたとえば静電気発生防止のため湿度コントロー
ルされて約６０％程度の湿度に保持されているのが通常
である。
は、基板の表面の導体層等を微細なパターンで形成する
ための装置であることから、それが設置される場所とし
てはいわゆるクリーンルームと称される部屋であり、そ
の部屋はたとえば静電気発生防止のため湿度コントロー
ルされて約６０％程度の湿度に保持されているのが通常
である。
【０００７】一方、近年では、資源保護の観点から、基
板の表面からはじき出されたフォトレジストを全て回収
し、この回収されたフォトレジストを適当に処理するこ
とにより新液の状態にし、これを再び使用することが行
われるようになってきた。
板の表面からはじき出されたフォトレジストを全て回収
し、この回収されたフォトレジストを適当に処理するこ
とにより新液の状態にし、これを再び使用することが行
われるようになってきた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなフ
ォトレジスト塗布装置は、上述のように湿度が約６０％
の雰囲気中に設置されているため、回収されたフォトレ
ジストには水分が新液に比べ多く含有され、その水分含
有量はたとえば新液に比べて約１０倍程度に増加してい
ることが確認された。
ォトレジスト塗布装置は、上述のように湿度が約６０％
の雰囲気中に設置されているため、回収されたフォトレ
ジストには水分が新液に比べ多く含有され、その水分含
有量はたとえば新液に比べて約１０倍程度に増加してい
ることが確認された。
【０００９】このことは、回収されたフォトレジストを
新液の状態に処理をするのに複雑な装置を必要とするこ
とになることから、簡単な構成によってこのような弊害
を防止することが検討されるに到った。
新液の状態に処理をするのに複雑な装置を必要とするこ
とになることから、簡単な構成によってこのような弊害
を防止することが検討されるに到った。
【００１０】本願発明は、このような事情に基づいてな
されたものであり、その目的は、簡単な構成にも拘らず
回収されたフォトレジストの水分が増えないようにし、
再利用のための回収処理を簡単にできるフォトレジスト
塗布装置を提供することにある。
されたものであり、その目的は、簡単な構成にも拘らず
回収されたフォトレジストの水分が増えないようにし、
再利用のための回収処理を簡単にできるフォトレジスト
塗布装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、外部と隔絶された空
間内に配置された基板の表面にフォトレジストをスピン
塗布し、その塗布において生じる残余のフォトレジスト
を回収するフォトレジスト塗布装置において、該空間内
に水分含有量の少ないガスを供給できる手段が備えられ
ていることを特徴とするものである。
るために、本発明は、基本的には、外部と隔絶された空
間内に配置された基板の表面にフォトレジストをスピン
塗布し、その塗布において生じる残余のフォトレジスト
を回収するフォトレジスト塗布装置において、該空間内
に水分含有量の少ないガスを供給できる手段が備えられ
ていることを特徴とするものである。
【００１２】このように構成されたフォトレジスト塗布
装置は、基板の表面に塗布されるフォトレジストの周囲
に水分含有量の少ないガスが充満され、このガスがその
周辺の水分含有量の多い雰囲気とのバリアの機能を有す
るようになる。
装置は、基板の表面に塗布されるフォトレジストの周囲
に水分含有量の少ないガスが充満され、このガスがその
周辺の水分含有量の多い雰囲気とのバリアの機能を有す
るようになる。
【００１３】このため、フォトレジスト塗布において生
じる残余のフォトレジストでは水分の増加はなく、した
がって、再利用のための回収処理に複雑な装置を必要と
しなくなるという効果を有する。
じる残余のフォトレジストでは水分の増加はなく、した
がって、再利用のための回収処理に複雑な装置を必要と
しなくなるという効果を有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】実施例１． 図１は本発明によるフォトレジスト塗布装置
の一実施例を示す構成図である。
の一実施例を示す構成図である。
【００１５】まず、液晶表示パネルの外囲器を構成する
透明ガラス基板２を載置する基台となる真空チャック３
がある。この真空チャック３は、その表面に複数の孔が
形成され、この孔を通してたとえば図示しない真空ポン
プによって減圧することにより、該真空チャック３上の
透明ガラス基板２を吸着によって固定載置できるように
なっている。
透明ガラス基板２を載置する基台となる真空チャック３
がある。この真空チャック３は、その表面に複数の孔が
形成され、この孔を通してたとえば図示しない真空ポン
プによって減圧することにより、該真空チャック３上の
透明ガラス基板２を吸着によって固定載置できるように
なっている。
【００１６】また、真空チャック３、およびこの真空チ
ャック３に固定載置された透明ガラス基板２をそれぞれ
被うようにして、それらの下側には回転カップ４が、ま
た上側には回転カップ蓋５が配置されている。
ャック３に固定載置された透明ガラス基板２をそれぞれ
被うようにして、それらの下側には回転カップ４が、ま
た上側には回転カップ蓋５が配置されている。
【００１７】前記真空チャック３はそれを支持する軸体
３Ａと一体に形成されているとともに、該軸体３Ａは該
回転カップ４を貫通し図示しない機構によってその軸回
りに回転できるようになっている。
３Ａと一体に形成されているとともに、該軸体３Ａは該
回転カップ４を貫通し図示しない機構によってその軸回
りに回転できるようになっている。
【００１８】回転カップ蓋５は、前記ガラス基板２を真
空チャック３上に載置する際には上方に移動され、また
ガラス基板２の載置後においては下方に移動して前記ガ
ラス基板２に近接するようになっている。このような回
転カップ蓋５の上下動は、真空チャック３の軸体の延長
線上に設けられた軸体５Ａを図示しない機構によって駆
動させることによってなされている。
空チャック３上に載置する際には上方に移動され、また
ガラス基板２の載置後においては下方に移動して前記ガ
ラス基板２に近接するようになっている。このような回
転カップ蓋５の上下動は、真空チャック３の軸体の延長
線上に設けられた軸体５Ａを図示しない機構によって駆
動させることによってなされている。
【００１９】また、回転カップ蓋５は、その外周辺にお
いて、回転カップ４側に屈曲された側面部５Ｓが備えら
れ、該回転カップ蓋５が下降した際には、回転カップ４
とともにほぼ密閉された空間を形成するようになってい
る。
いて、回転カップ４側に屈曲された側面部５Ｓが備えら
れ、該回転カップ蓋５が下降した際には、回転カップ４
とともにほぼ密閉された空間を形成するようになってい
る。
【００２０】そして、このように構成された真空チャッ
ク３、回転カップ４、回転カップ蓋５は、それらが一体
となって、真空チャック３および回転カップ蓋５の各軸
体３Ａ、５Ａの回りを約１０００回転／分程度で回転が
なされるようになっている。
ク３、回転カップ４、回転カップ蓋５は、それらが一体
となって、真空チャック３および回転カップ蓋５の各軸
体３Ａ、５Ａの回りを約１０００回転／分程度で回転が
なされるようになっている。
【００２１】一方、回転カップ蓋５の軸体５Ａには、そ
の中心軸にそって該回転カップ蓋５をも貫く貫通孔５Ｂ
が形成され、この貫通孔５Ｂを通して図示しないノズル
よりフォトレジストがガラス基板２のほぼ中央部に滴下
されるようになっている。
の中心軸にそって該回転カップ蓋５をも貫く貫通孔５Ｂ
が形成され、この貫通孔５Ｂを通して図示しないノズル
よりフォトレジストがガラス基板２のほぼ中央部に滴下
されるようになっている。
【００２２】この場合、ガラス基板２の回転によって、
ガラス基板２の表面に滴下されたフォトレジストは遠心
力によって飛散され、この結果、ガラス基板２の表面に
は均一な膜厚の状態でフォトレジストを塗布できるよう
になる。
ガラス基板２の表面に滴下されたフォトレジストは遠心
力によって飛散され、この結果、ガラス基板２の表面に
は均一な膜厚の状態でフォトレジストを塗布できるよう
になる。
【００２３】さらに、このように回転する真空チャック
３、回転カップ４、回転カップ蓋５の周囲を被って回転
カップカバー７が備えられており、この回転カップカバ
ー７の周辺にはドレイン配管８が一体に形成されてい
る。このドレイン配管８は、たとえばガラス基板２の回
転によって、その表面に滴下させたフォトレジストを飛
散させた際に、ガラス基板２の表面を超えて飛散された
フォトレジストを、回転カップ４と回転カップ蓋５との
隙間から導き、そのまま落下させて回収するためのガイ
ド管となるものである。
３、回転カップ４、回転カップ蓋５の周囲を被って回転
カップカバー７が備えられており、この回転カップカバ
ー７の周辺にはドレイン配管８が一体に形成されてい
る。このドレイン配管８は、たとえばガラス基板２の回
転によって、その表面に滴下させたフォトレジストを飛
散させた際に、ガラス基板２の表面を超えて飛散された
フォトレジストを、回転カップ４と回転カップ蓋５との
隙間から導き、そのまま落下させて回収するためのガイ
ド管となるものである。
【００２４】なお、このドレイン配管８を通して回収さ
れたフォトレジストは適当な処理がなされることによっ
て新液として再生され、回転カップ蓋５の軸体５Ａの貫
通孔５Ｂを通して図示しないノズルより透明ガラス基板
２面に滴下されるようになっている。
れたフォトレジストは適当な処理がなされることによっ
て新液として再生され、回転カップ蓋５の軸体５Ａの貫
通孔５Ｂを通して図示しないノズルより透明ガラス基板
２面に滴下されるようになっている。
【００２５】そして、回転カップ４および回転カップ蓋
５の内部には洗浄液を噴出させるいくつかのノズル９が
配置されており、このノズル９からの洗浄液も前記ドレ
イン配管８を介して回収されるようになっている。
５の内部には洗浄液を噴出させるいくつかのノズル９が
配置されており、このノズル９からの洗浄液も前記ドレ
イン配管８を介して回収されるようになっている。
【００２６】ここで、回転カップカバー７は、回転カッ
プ蓋５の軸体５Ａと交差する部分において、該軸体５Ａ
を突出させるための孔７Ａが形成され、このように回転
カップカバー７から突出された該軸体５Ａを被うように
して窒素置換カバー１０が取り付けられている。
プ蓋５の軸体５Ａと交差する部分において、該軸体５Ａ
を突出させるための孔７Ａが形成され、このように回転
カップカバー７から突出された該軸体５Ａを被うように
して窒素置換カバー１０が取り付けられている。
【００２７】この窒素置換カバー１０は、窒素ガスを供
給するための窒素ノズル１２Ａ、１２Ｂを支持する支持
体としての機能と、回転カップカバー７内をその外部の
雰囲気から遮蔽する機能を備えるように構成されてい
る。
給するための窒素ノズル１２Ａ、１２Ｂを支持する支持
体としての機能と、回転カップカバー７内をその外部の
雰囲気から遮蔽する機能を備えるように構成されてい
る。
【００２８】窒素置換カバー１０に支持される窒素ノズ
ル１２Ａ、１２Ｂは、そのうちの窒素ノズル１２Ａが回
転カップ蓋５の軸体５Ａの貫通孔５Ｂを通して回転カッ
プ４と回転カップ蓋５との間の空間に窒素が充満される
ように配置され、また、窒素ノズル１２Ｂが回転カップ
カバー７と回転カップ蓋５との間あるいは回転カップ４
との間の空間に窒素が充満されるように配置されてい
る。
ル１２Ａ、１２Ｂは、そのうちの窒素ノズル１２Ａが回
転カップ蓋５の軸体５Ａの貫通孔５Ｂを通して回転カッ
プ４と回転カップ蓋５との間の空間に窒素が充満される
ように配置され、また、窒素ノズル１２Ｂが回転カップ
カバー７と回転カップ蓋５との間あるいは回転カップ４
との間の空間に窒素が充満されるように配置されてい
る。
【００２９】この場合、各窒素ノズル１２Ａ、１２Ｂを
通しての窒素ガスの供給は、少なくとも、フォトレジス
トが滴下されて透明ガラス基板２に該フォトレジストが
塗布される間、さらにはその塗布時間の前後においても
一定の時間の間供給を行うようにしてもよい。
通しての窒素ガスの供給は、少なくとも、フォトレジス
トが滴下されて透明ガラス基板２に該フォトレジストが
塗布される間、さらにはその塗布時間の前後においても
一定の時間の間供給を行うようにしてもよい。
【００３０】そして、前記ドレイン管８に分岐されてフ
ァン１３を内蔵する排風口１４が設けられ、この排風口
１４を通して回転カップカバー７の内部に充満された窒
素ガスをその供給に応じて排出するようにしている。
ァン１３を内蔵する排風口１４が設けられ、この排風口
１４を通して回転カップカバー７の内部に充満された窒
素ガスをその供給に応じて排出するようにしている。
【００３１】なお、図１において窒素ガスの流れの経路
は矢印Ａで示している。
は矢印Ａで示している。
【００３２】このように構成されたフォトレジスト塗布
装置によれば、透明ガラス基板２の表面に塗布されるフ
ォトレジストの周囲に窒素ガス（例えば、窒素ガス１ｋ
ｇ中の水分含有量が１００ｍｇ以下）が充満され、この
ガスがその周辺の湿気の多い空気（例えば、空気１ｋｇ
中の水分含有量が１２０００ｍｇ程度）雰囲気とのバリ
アの機能を有するようになる。
装置によれば、透明ガラス基板２の表面に塗布されるフ
ォトレジストの周囲に窒素ガス（例えば、窒素ガス１ｋ
ｇ中の水分含有量が１００ｍｇ以下）が充満され、この
ガスがその周辺の湿気の多い空気（例えば、空気１ｋｇ
中の水分含有量が１２０００ｍｇ程度）雰囲気とのバリ
アの機能を有するようになる。
【００３３】このため、フォトレジスト塗布において生
じる残余のフォトレジストには水分が含有されることは
なく、したがって、再利用のための回収処理に複雑な装
置を必要としなくなるという効果を有する。
じる残余のフォトレジストには水分が含有されることは
なく、したがって、再利用のための回収処理に複雑な装
置を必要としなくなるという効果を有する。
【００３４】実施例２．図２に示すように、前記フォト
レジスト塗布装置１７を基板カセットラック１８ごと塗
布ユニットボックス１９に格納して、塗布ユニットボッ
クス１９内を窒素ガスで置換してクリーンルーム内エア
ーの湿気の影響を受けないようにしてもよいことはいう
までもない。
レジスト塗布装置１７を基板カセットラック１８ごと塗
布ユニットボックス１９に格納して、塗布ユニットボッ
クス１９内を窒素ガスで置換してクリーンルーム内エア
ーの湿気の影響を受けないようにしてもよいことはいう
までもない。
【００３５】これにより、フォトレジスト塗布装置１７
における透明ガラス基板２の交換時において、回転カッ
プカバー７を開ける際に、クリーンルーム内のエアーが
フォトレジスト塗布装置１７内に入り込んでしまうのを
防止することができるようになる。
における透明ガラス基板２の交換時において、回転カッ
プカバー７を開ける際に、クリーンルーム内のエアーが
フォトレジスト塗布装置１７内に入り込んでしまうのを
防止することができるようになる。
【００３６】このような装置においての作業手順として
は以下の通りである。
は以下の通りである。
【００３７】（１）塗布ユニットボックス１９を開け、
基板カセットを基板カセットラック１８にセットする。
基板カセットを基板カセットラック１８にセットする。
【００３８】（２）塗布ユニットボックス１９を閉じ、
基板カセットラック１８から透明ガラス基板２を真空チ
ャック３にセットして、回転カップカバー７を閉じる。
基板カセットラック１８から透明ガラス基板２を真空チ
ャック３にセットして、回転カップカバー７を閉じる。
【００３９】（３）窒素ノズル１２Ａ、１２Ｂを通して
窒素ガスを送りこみ、回転カップ４と回転カップ蓋５と
の間を窒素ガスで置換する。塗布ユニットボックス１９
内にも窒素ガスを送りこむ。
窒素ガスを送りこみ、回転カップ４と回転カップ蓋５と
の間を窒素ガスで置換する。塗布ユニットボックス１９
内にも窒素ガスを送りこむ。
【００４０】（４）ガラス基板２をスピンさせて余分な
フォトレジストを飛散させ、該ガラス基板２の表面に所
定の膜厚のフォトレジストを塗布する。
フォトレジストを飛散させ、該ガラス基板２の表面に所
定の膜厚のフォトレジストを塗布する。
【００４１】（５）回転カップカバー７を開けてガラス
基板２を交換する。
基板２を交換する。
【００４２】上述した実施例では、ガラス基板２の周辺
を窒素ガスに置換させた場合を示したものであるが、こ
れに限定されることはなく、たとえばドライエアー（例
えば、空気１ｋｇ中の水分含有量が１００ｍｇ以下）等
であってもよい。要は、水分を１００ｐｐｍ以下に除去
したガスで、フォトレジストに悪影響を与えないガスで
あれば本発明の効果が得られるようになることはもちろ
んである。
を窒素ガスに置換させた場合を示したものであるが、こ
れに限定されることはなく、たとえばドライエアー（例
えば、空気１ｋｇ中の水分含有量が１００ｍｇ以下）等
であってもよい。要は、水分を１００ｐｐｍ以下に除去
したガスで、フォトレジストに悪影響を与えないガスで
あれば本発明の効果が得られるようになることはもちろ
んである。
【００４３】また、上述した実施例では、液晶表示装置
の製造に用いられるフォトレジスト塗布装置について説
明したものである。しかし、これに限定されることはな
く、たとえば半導体装置等の製造に用いられるフォトレ
ジスト塗布装置にも適用することができる。
の製造に用いられるフォトレジスト塗布装置について説
明したものである。しかし、これに限定されることはな
く、たとえば半導体装置等の製造に用いられるフォトレ
ジスト塗布装置にも適用することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によるフォトレジスト塗布装置によれば、簡単な
構成にも拘らず回収されたフォトレジストの水分が新液
と同等になるようにし、再利用のための回収処理を簡単
にできるようになる。
本発明によるフォトレジスト塗布装置によれば、簡単な
構成にも拘らず回収されたフォトレジストの水分が新液
と同等になるようにし、再利用のための回収処理を簡単
にできるようになる。
【図１】本発明によるフォトレジスト塗布装置の一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図２】本発明によるフォトレジスト塗布装置の他の実
施例を示す概略平面図である。
施例を示す概略平面図である。
２……透明ガラス基板、３……真空チャック、４……回
転カップ、５……回転カップ蓋、１２Ａ、１２Ｂ……窒
素ノズル、Ａ……窒素ガス。
転カップ、５……回転カップ蓋、１２Ａ、１２Ｂ……窒
素ノズル、Ａ……窒素ガス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大城 研二 東京都中央区日本橋本町３丁目11番５号 関東化学株式会社内 (72)発明者 森 清人 埼玉県草加市稲荷１−７−１ 関東化学株 式会社中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 外部と隔絶された空間内に配置された基
板の表面にフォトレジストをスピン塗布し、その塗布に
おいて生じる残余のフォトレジストを回収するフォトレ
ジスト塗布装置において、 該空間内に水分含有量の少ないガスを供給できる手段が
備えられていることを特徴とするフォトレジスト塗布装
置。 - 【請求項２】 水分含有量の少ないガスとして水分含有
量が１００ｐｐｍ以下の窒素ガスを用いることを特徴と
する請求項１記載のフォトレジスト塗布装置。 - 【請求項３】 水分含有量の少ないガスとして水分含有
量が１００ｐｐｍ以下のドライエアーを用いることを特
徴とする請求項１記載のフォトレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9062627A JPH10256139A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | フォトレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9062627A JPH10256139A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | フォトレジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256139A true JPH10256139A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13205757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9062627A Pending JPH10256139A (ja) | 1997-03-17 | 1997-03-17 | フォトレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256139A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7053008B2 (en) | 2002-09-10 | 2006-05-30 | Fujitsu Limited | Resist application method and device |
| JP2007061783A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | 液状体の吐出装置および液状体の吐出方法、電気光学装置の製造装置および電気光学装置の製造方法 |
| JP2007335758A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
| JP2008085263A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tohoku Univ | 膜塗布装置および膜塗布方法 |
| JP2008085242A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tohoku Univ | 塗布膜コーティング装置 |
| JP2013544433A (ja) * | 2010-11-07 | 2013-12-12 | セントフェクス リミターダ エ コマンディータ | パターニングされた基板の製造装置 |
-
1997
- 1997-03-17 JP JP9062627A patent/JPH10256139A/ja active Pending
Cited By (6)
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