JPH10256140A - デバイス露光装置および方法 - Google Patents
デバイス露光装置および方法Info
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- JPH10256140A JPH10256140A JP9068994A JP6899497A JPH10256140A JP H10256140 A JPH10256140 A JP H10256140A JP 9068994 A JP9068994 A JP 9068994A JP 6899497 A JP6899497 A JP 6899497A JP H10256140 A JPH10256140 A JP H10256140A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 一個のデバイスを複数エリアに分けて露光す
る際、より短い時間で露光する。 【解決手段】 被露光体上の１つの露光エリアを複数の
サブエリアに分けて露光する際、隣合うサブエリア同士
の一部が重なり合うように各サブエリアを設定し、マス
キングブレードを開閉することにより露光すべきサブエ
リアを区分し、２つまたは４つのサブエリアが重なり合
う部分の露光光に対して透過率がサブエリアの外に行く
にしたがって低くなる減光部材を露光光の光路中に入れ
た状態で露光する。
る際、より短い時間で露光する。 【解決手段】 被露光体上の１つの露光エリアを複数の
サブエリアに分けて露光する際、隣合うサブエリア同士
の一部が重なり合うように各サブエリアを設定し、マス
キングブレードを開閉することにより露光すべきサブエ
リアを区分し、２つまたは４つのサブエリアが重なり合
う部分の露光光に対して透過率がサブエリアの外に行く
にしたがって低くなる減光部材を露光光の光路中に入れ
た状態で露光する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はデバイス露光装置に
関し、特に半導体デバイスや液晶デバイス等の製造に用
いられる露光装置に関するものである。
関し、特に半導体デバイスや液晶デバイス等の製造に用
いられる露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体技術は微細化および高集積化の一
途をたどって来ている。そのため、微細なパターンで大
きなデバイスを作る必要ができ、露光装置の持つ露光エ
リアより広いエリアを露光する必要がある場合が出てき
た。この場合、露光エリアを複数のサブエリアに分けて
露光する方法が取られているが、通常のままで露光する
といくら精度の良い露光装置であっても、サブエリア間
の継目に、露光されないエリアができたり、２倍の露光
量で露光されるエリアができたりして、全エリアに渡っ
て均一の露光量で露光できないという問題が発生した。
そのため、継目の露光量を他のエリア同様に均一にする
方法として、サブエリア同士の一部が重なり合うように
各サブエリアを設定し、その重なりあったエリアでレチ
クルやレチクルに重ねるフィルタ自身の透過光量をサブ
エリアが重なる部分で減少させる方法（特公昭６３−４
９２１８）や、露光中にサブエリアの重なり合う部分で
マスキングブレードを移動して、露光量を段階的に減ら
す方法（特開平６−３４９７１１）が提案されている。
途をたどって来ている。そのため、微細なパターンで大
きなデバイスを作る必要ができ、露光装置の持つ露光エ
リアより広いエリアを露光する必要がある場合が出てき
た。この場合、露光エリアを複数のサブエリアに分けて
露光する方法が取られているが、通常のままで露光する
といくら精度の良い露光装置であっても、サブエリア間
の継目に、露光されないエリアができたり、２倍の露光
量で露光されるエリアができたりして、全エリアに渡っ
て均一の露光量で露光できないという問題が発生した。
そのため、継目の露光量を他のエリア同様に均一にする
方法として、サブエリア同士の一部が重なり合うように
各サブエリアを設定し、その重なりあったエリアでレチ
クルやレチクルに重ねるフィルタ自身の透過光量をサブ
エリアが重なる部分で減少させる方法（特公昭６３−４
９２１８）や、露光中にサブエリアの重なり合う部分で
マスキングブレードを移動して、露光量を段階的に減ら
す方法（特開平６−３４９７１１）が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レチ
クルやレチクルに重ねるフィルタ自体の透過光量を重ね
る部分で減少させる方法ではレチクル毎に減光特性を持
たせる必要があり大変である。また、１枚のレチクルで
複数のサブエリアを露光することが難しく少しだけ露光
エリアが足りない場合にもサブエリア毎にレチクルを用
意する必要がある、露光中にサブエリアの重なり合う
部分でマスキングブレードを移動して、露光量を段階的
に減らす方法では露光に時間が掛かってしまい、スルー
プットが悪くなってしまう、などの問題があった。
クルやレチクルに重ねるフィルタ自体の透過光量を重ね
る部分で減少させる方法ではレチクル毎に減光特性を持
たせる必要があり大変である。また、１枚のレチクルで
複数のサブエリアを露光することが難しく少しだけ露光
エリアが足りない場合にもサブエリア毎にレチクルを用
意する必要がある、露光中にサブエリアの重なり合う
部分でマスキングブレードを移動して、露光量を段階的
に減らす方法では露光に時間が掛かってしまい、スルー
プットが悪くなってしまう、などの問題があった。
【０００４】本発明は一個のデバイスを複数エリアに分
けて露光する際、より短い時間で露光することを可能に
し、半導体デバイスの高集積化や液晶デバイスの大型化
に対応し得る露光装置および方法を提供することにあ
る。
けて露光する際、より短い時間で露光することを可能に
し、半導体デバイスの高集積化や液晶デバイスの大型化
に対応し得る露光装置および方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明では、被露光体上の１つの露光エリアを複数のサ
ブエリアに分けて露光する際、隣合うサブエリア同士の
一部が重なり合うように各サブエリアを設定し、マスキ
ングブレードを開閉することにより露光すべきサブエリ
アを区分し、２つまたは４つのサブエリアが重なり合う
部分の露光光に対して透過率がサブエリアの外に行くに
したがって低くなる減光部材を露光光の光路中に入れた
状態で露光することを特徴とする。
本発明では、被露光体上の１つの露光エリアを複数のサ
ブエリアに分けて露光する際、隣合うサブエリア同士の
一部が重なり合うように各サブエリアを設定し、マスキ
ングブレードを開閉することにより露光すべきサブエリ
アを区分し、２つまたは４つのサブエリアが重なり合う
部分の露光光に対して透過率がサブエリアの外に行くに
したがって低くなる減光部材を露光光の光路中に入れた
状態で露光することを特徴とする。
【０００６】
【作用】これにより、一個のデバイスを複数エリアに分
けて露光する際、より短い時間で露光することができ、
微細なパターンでサイズが大きなデバイスを作ることが
でき、低コストで高機能を実現できる。
けて露光する際、より短い時間で露光することができ、
微細なパターンでサイズが大きなデバイスを作ることが
でき、低コストで高機能を実現できる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外
観を示す斜視図である。同図に示すように、この半導体
露光装置は、装置本体の環境温度制御を行なう温調チャ
ンバ１０１、その内部に配置され装置本体の制御を行な
うＣＰＵを有するＥＷＳ本体１０６、ならびに、装置に
おける所定の情報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ装置
１０２、装置本体において撮像手段を介して得られる画
像情報を表示するモニタＴＶ１０５、装置に対し所定の
入力を行なうための操作パネル１０３およびＥＷＳ用キ
ーボード１０４等を含むコンソール部を備えている。図
中、１０７はＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８は非常停止
スイッチ、１０９は各種スイッチ、マウス等、１１０は
ＬＡＮ通信ケーブル、１１１はコンソール機能からの発
熱の排気ダクト、そして１１２はチャンバの排気装置で
ある。半導体露光装置本体はチャンバ１０１の内部に設
置される。
る。図１は本発明の一実施例に係る半導体露光装置の外
観を示す斜視図である。同図に示すように、この半導体
露光装置は、装置本体の環境温度制御を行なう温調チャ
ンバ１０１、その内部に配置され装置本体の制御を行な
うＣＰＵを有するＥＷＳ本体１０６、ならびに、装置に
おける所定の情報を表示するＥＷＳ用ディスプレイ装置
１０２、装置本体において撮像手段を介して得られる画
像情報を表示するモニタＴＶ１０５、装置に対し所定の
入力を行なうための操作パネル１０３およびＥＷＳ用キ
ーボード１０４等を含むコンソール部を備えている。図
中、１０７はＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８は非常停止
スイッチ、１０９は各種スイッチ、マウス等、１１０は
ＬＡＮ通信ケーブル、１１１はコンソール機能からの発
熱の排気ダクト、そして１１２はチャンバの排気装置で
ある。半導体露光装置本体はチャンバ１０１の内部に設
置される。
【０００８】ＥＷＳ用ディスプレイ１０２は、ＥＬ、プ
ラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チ
ャンバ１０１前面に納められ、ＬＡＮケーブル１１０に
よりＥＷＳ本体１０６と接続される。操作パネル１０
３、キーボード１０４、モニタＴＶ１０５等もチャンバ
１０１前面に設置し、チャンバ１０１前面から従来と同
様のコンソール操作が行なえるようにしてある。
ラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チ
ャンバ１０１前面に納められ、ＬＡＮケーブル１１０に
よりＥＷＳ本体１０６と接続される。操作パネル１０
３、キーボード１０４、モニタＴＶ１０５等もチャンバ
１０１前面に設置し、チャンバ１０１前面から従来と同
様のコンソール操作が行なえるようにしてある。
【０００９】図２は、図１の装置の内部構造を示す図で
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、２０２はレチクル、２０３は
ウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光学
系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投影
レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターンをウエ
ハ２０３上の感光層に転写することができる。レチクル
２０２はレチクル２０２を保持、移動するためのレチク
ルステージ２０７により支持されている。ウエハ２０３
はウエハチャック２９１により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック２９１はウエハステージ２０
９により各軸方向に移動可能である。レチクル２０２の
上側にはレチクルの位置ずれ量を検出するためのレチク
ル光学系２８１が配置される。ウエハステージ２０９の
上方に、投影レンズ２０６に隣接してオフアクシス顕微
鏡２８２が配置されている。オフアクシス顕微鏡２８２
は内部の基準マークとウエハ２０３上のアライメントマ
ークとの相対位置検出を行なうのが主たる役割である。
また、これらステッパ本体に隣接して周辺装置であるレ
チクルライブラリ２２０やウエハキャリアエレベータ２
３０が配置され、必要なレチクルやウエハはレチクル搬
送装置２２１およびウエハ搬送装置２３１によってステ
ッパ本体に搬送される。２４０はマスキングブレード、
２４１は減光部材であり、これらは、レチクル２０２に
対して共役面に配置されている。
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、２０２はレチクル、２０３は
ウエハであり、光源装置２０４から出た光束が照明光学
系２０５を通ってレチクル２０２を照明するとき、投影
レンズ２０６によりレチクル２０２上のパターンをウエ
ハ２０３上の感光層に転写することができる。レチクル
２０２はレチクル２０２を保持、移動するためのレチク
ルステージ２０７により支持されている。ウエハ２０３
はウエハチャック２９１により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック２９１はウエハステージ２０
９により各軸方向に移動可能である。レチクル２０２の
上側にはレチクルの位置ずれ量を検出するためのレチク
ル光学系２８１が配置される。ウエハステージ２０９の
上方に、投影レンズ２０６に隣接してオフアクシス顕微
鏡２８２が配置されている。オフアクシス顕微鏡２８２
は内部の基準マークとウエハ２０３上のアライメントマ
ークとの相対位置検出を行なうのが主たる役割である。
また、これらステッパ本体に隣接して周辺装置であるレ
チクルライブラリ２２０やウエハキャリアエレベータ２
３０が配置され、必要なレチクルやウエハはレチクル搬
送装置２２１およびウエハ搬送装置２３１によってステ
ッパ本体に搬送される。２４０はマスキングブレード、
２４１は減光部材であり、これらは、レチクル２０２に
対して共役面に配置されている。
【００１０】チャンバ１０１は、主に空気の温度調節を
行なう空調機室２１０および微小異物を濾過し清浄空気
の均一な流れを形成するフィルタボックス２１３、また
装置環境を外部と遮断するブース２１４で構成されてい
る。チャンバ１０１内では、空調機室２１０内にある冷
却器２１５および再燃ヒーター２１６により温度調節さ
れた空気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介し
てブース２１４内に供給される。このブース２１４に供
給された空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０
に取り込まれチャンバ１０１内を循環する。通常、この
チャンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブー
ス２１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割の
ブース２１４外の空気を空調機室２１０に設けられた外
気導入口ｏａより送風機を介して導入している。このよ
うにしてチャンバ１０１は本装置の置かれる環境温度を
一定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にしてい
る。また光源装置２０４には超高圧水銀灯の冷却やレー
ザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓａと排気口ｅ
ａが設けられ、ブース２１４内の空気の一部が光源装置
２０４を経由し、空調機室２１０に備えられた専用の排
気ファンを介して工場設備に強制排気されている。ま
た、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィル
タｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏａおよびリタ
ーン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。
行なう空調機室２１０および微小異物を濾過し清浄空気
の均一な流れを形成するフィルタボックス２１３、また
装置環境を外部と遮断するブース２１４で構成されてい
る。チャンバ１０１内では、空調機室２１０内にある冷
却器２１５および再燃ヒーター２１６により温度調節さ
れた空気が、送風機２１７によりエアフィルタｇを介し
てブース２１４内に供給される。このブース２１４に供
給された空気はリターン口ｒａより再度空調機室２１０
に取り込まれチャンバ１０１内を循環する。通常、この
チャンバ１０１は厳密には完全な循環系ではなく、ブー
ス２１４内を常時陽圧に保つため循環空気量の約１割の
ブース２１４外の空気を空調機室２１０に設けられた外
気導入口ｏａより送風機を介して導入している。このよ
うにしてチャンバ１０１は本装置の置かれる環境温度を
一定に保ち、かつ空気を清浄に保つことを可能にしてい
る。また光源装置２０４には超高圧水銀灯の冷却やレー
ザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口ｓａと排気口ｅ
ａが設けられ、ブース２１４内の空気の一部が光源装置
２０４を経由し、空調機室２１０に備えられた専用の排
気ファンを介して工場設備に強制排気されている。ま
た、空気中の化学物質を除去するための化学吸着フィル
タｃｆを、空調機室２１０の外気導入口ｏａおよびリタ
ーン口ｒａにそれぞれ接続して備えている。
【００１１】図３は、図１の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。同図において、３２１は装置全体の
制御を司る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体Ｃ
ＰＵであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。３２２はウエハス
テージ駆動装置、３２３は前記オフアクシス顕微鏡２８
２等のアライメント検出系、３２４はレチクルステージ
駆動装置、３２５は前記光源装置２０４等の照明系、３
２６はシャッタ駆動装置、３２７はフォーカス検出系、
３２８はＺ駆動装置であり、これらは、本体ＣＰＵ３２
１により制御される。３２９は前記レチクル搬送装置２
２１、ウエハ搬送装置２３１等の搬送系である。３３０
は前記ディスプレイ１０２、キーボード１０４等を有す
るコンソールユニットであり、本体ＣＰＵ３２１にこの
露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを
与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間
で情報の授受を行なうためのものである。３３１はコン
ソールＣＰＵ、３３２は各種ジョブのパラメータ等を記
憶する外部メモリである。ジョブパラメータには、使用
するマスク、マスキングブレードの開口、露光量、レイ
アウトデータ等が含まれる。３４１は前記マスキングブ
レード２４０を後述するサブエリアに合わせて駆動する
ためのマスキングブレード駆動ユニットである。
ブロック図である。同図において、３２１は装置全体の
制御を司る、前記ＥＷＳ本体１０６に内蔵された本体Ｃ
ＰＵであり、マイクロコンピュータまたはミニコンピュ
ータ等の中央演算処理装置からなる。３２２はウエハス
テージ駆動装置、３２３は前記オフアクシス顕微鏡２８
２等のアライメント検出系、３２４はレチクルステージ
駆動装置、３２５は前記光源装置２０４等の照明系、３
２６はシャッタ駆動装置、３２７はフォーカス検出系、
３２８はＺ駆動装置であり、これらは、本体ＣＰＵ３２
１により制御される。３２９は前記レチクル搬送装置２
２１、ウエハ搬送装置２３１等の搬送系である。３３０
は前記ディスプレイ１０２、キーボード１０４等を有す
るコンソールユニットであり、本体ＣＰＵ３２１にこの
露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラメータを
与えるためのものである。すなわち、オペレータとの間
で情報の授受を行なうためのものである。３３１はコン
ソールＣＰＵ、３３２は各種ジョブのパラメータ等を記
憶する外部メモリである。ジョブパラメータには、使用
するマスク、マスキングブレードの開口、露光量、レイ
アウトデータ等が含まれる。３４１は前記マスキングブ
レード２４０を後述するサブエリアに合わせて駆動する
ためのマスキングブレード駆動ユニットである。
【００１２】図４はマスキングブレード２４０の上下左
右のブレードと減光部材２４１を表わし、図６のエリア
Ａを露光する状態を示している。マスキングブレード２
４０の上下左右のブレードと減光部材２４１はレチクル
２０２に対して共役面に位置するように配置する。この
例では、図２に示すように、光路上のほぼ同じ位置に設
置している。
右のブレードと減光部材２４１を表わし、図６のエリア
Ａを露光する状態を示している。マスキングブレード２
４０の上下左右のブレードと減光部材２４１はレチクル
２０２に対して共役面に位置するように配置する。この
例では、図２に示すように、光路上のほぼ同じ位置に設
置している。
【００１３】図４において、４０１はＸＬブレード、４
０２はＸＲブレード、４０３はＹＵブレード、４０４は
ＹＤブレードであり、４０５は各ブレードの間で照明光
が通る照明エリアである。照明エリア４０５の像はマス
キング結像レンズ、ミラー、コンデンサレンズを通して
４倍に拡大され、照明エリア４０５の４倍のレチクル２
０２上のエリアを照明する。照明エリアを通してレチク
ル２０２に照射された光は投影レンズ２０６を通しレチ
クル２０２上のパターンを１／５に縮小してウエハ２０
３に結像する。つまり。マスキングブレード２０３の照
明エリア４０５は点４１５，４１６，４１４，４１７で
囲まれた部分で、ウエハ２０３上では０．８倍のエリア
になり、図６のエリアＡを露光する照明エリアとなる。
各マスキングブレードは、本体ＣＰＵ３２１によりマス
キングブレード駆動ユニット３４１を通して制御され
る。
０２はＸＲブレード、４０３はＹＵブレード、４０４は
ＹＤブレードであり、４０５は各ブレードの間で照明光
が通る照明エリアである。照明エリア４０５の像はマス
キング結像レンズ、ミラー、コンデンサレンズを通して
４倍に拡大され、照明エリア４０５の４倍のレチクル２
０２上のエリアを照明する。照明エリアを通してレチク
ル２０２に照射された光は投影レンズ２０６を通しレチ
クル２０２上のパターンを１／５に縮小してウエハ２０
３に結像する。つまり。マスキングブレード２０３の照
明エリア４０５は点４１５，４１６，４１４，４１７で
囲まれた部分で、ウエハ２０３上では０．８倍のエリア
になり、図６のエリアＡを露光する照明エリアとなる。
各マスキングブレードは、本体ＣＰＵ３２１によりマス
キングブレード駆動ユニット３４１を通して制御され
る。
【００１４】４０６は減光部材２４１の一部であり、透
過率が０％から１００％に変わっている部分であり、２
つのサブエリアが重なる部分を露光するのに使う場所で
ある。この図では真中に大きな穴のある正方形の上、
下、左、右の帯状のエリアである。４０７は減光部材の
内、４つのサブエリアが重なる部分の一つを露光するの
に使う場所であり、この図では右下の正方形のエリアで
ある。
過率が０％から１００％に変わっている部分であり、２
つのサブエリアが重なる部分を露光するのに使う場所で
ある。この図では真中に大きな穴のある正方形の上、
下、左、右の帯状のエリアである。４０７は減光部材の
内、４つのサブエリアが重なる部分の一つを露光するの
に使う場所であり、この図では右下の正方形のエリアで
ある。
【００１５】４２１はＹの位置が同じところ４２２〜４
２６へ引いた線である。この線上における露光光に対す
る影響を図５に示す。この線上のマスキングブレード２
４０による露光光の状態をグラフ５０１で示し、減光部
材２４１を通る露光光の透過率をグラフ５０２で示す。
露光に使われる露光光はマスキングブレード２４０、減
光部材２４１によって減光され、露光量がグラフ５０３
に示すようになる。
２６へ引いた線である。この線上における露光光に対す
る影響を図５に示す。この線上のマスキングブレード２
４０による露光光の状態をグラフ５０１で示し、減光部
材２４１を通る露光光の透過率をグラフ５０２で示す。
露光に使われる露光光はマスキングブレード２４０、減
光部材２４１によって減光され、露光量がグラフ５０３
に示すようになる。
【００１６】図４および図５において、４２２は減光部
材２４１の左側の部分で透過率が０％になった位置で、
４２３は透過率が１００％になった位置である。４２４
から４２６はマスキングブレードが開いている部分であ
る。４２５は減光部材２４１の右側の部分で透過率が１
００％になった位置で、４２６は透過率が０％になった
位置である。４２３から４２５の間は減光部材２４１に
穴が空いている部分であるので露光光の透過率は１００
％の部分である。５０３は図６の線６０６のエリアＡの
部分に対応する部分の透過率を示す。
材２４１の左側の部分で透過率が０％になった位置で、
４２３は透過率が１００％になった位置である。４２４
から４２６はマスキングブレードが開いている部分であ
る。４２５は減光部材２４１の右側の部分で透過率が１
００％になった位置で、４２６は透過率が０％になった
位置である。４２３から４２５の間は減光部材２４１に
穴が空いている部分であるので露光光の透過率は１００
％の部分である。５０３は図６の線６０６のエリアＡの
部分に対応する部分の透過率を示す。
【００１７】図６は露光する１エリアを４つのサブエリ
アに分けて露光する場合のウエハ２０３上の１エリアを
示したものである。６０２は最初に露光するサブエリア
Ａ、６０３は２回目に露光するサブエリアＢ、６０４は
３回目に露光するサブエリアＣ、６０５は４回目に露光
するサブエリアＤである。図２を参照して、ウエハ２０
３の露光するサブエリアを投影レンズ２０６の下に移動
するためにはウエハ２０３を乗せて固定するウエハチャ
ック２９１、そして、ウエハチャック２９１を移動する
ウエハステージ２０９が使われる。また、サブエリア毎
にそこに焼き付けるパターンを持つレチクル２０２をレ
チクル搬送系２２１で交換する。
アに分けて露光する場合のウエハ２０３上の１エリアを
示したものである。６０２は最初に露光するサブエリア
Ａ、６０３は２回目に露光するサブエリアＢ、６０４は
３回目に露光するサブエリアＣ、６０５は４回目に露光
するサブエリアＤである。図２を参照して、ウエハ２０
３の露光するサブエリアを投影レンズ２０６の下に移動
するためにはウエハ２０３を乗せて固定するウエハチャ
ック２９１、そして、ウエハチャック２９１を移動する
ウエハステージ２０９が使われる。また、サブエリア毎
にそこに焼き付けるパターンを持つレチクル２０２をレ
チクル搬送系２２１で交換する。
【００１８】図６の６０６はＹの位置が同じところ６０
７〜６１０へ引いた線で、この線上の露光量をグラフに
したものを図７に示す。７０１は目標露光量である。６
０７と６０８の間ではエリアＡは減光部材２４１が光路
中に入らない状態で露光されている。６０９と６１０の
間ではエリアＢは減光部材２４１が光路中に入らない状
態で露光されている。６０８と６０９の間はエリアＡ、
Ｂとも、減光部材２４１が光路中に入った状態で露光し
た部分であり、エリアＡ用およびＢ用ともレチクル２０
２のパターンが同じで、同じパターンを重ねて露光して
いる部分である。パターンをぴったり重ね合わせるため
に、図示されていないレチクル２０２のアライメント機
構が使われている。そして、６０８と６０９の間のどの
部分を見ても、エリアＡ、Ｂの露光量を足したものは６
０７と６０８の間および６０９と６１０の間と同様に目
標露光量７０１になるようになっている。これと同じこ
とはエリアＣとＤ、ＡとＣおよびＢとＤの間でも成り立
つ。また、エリアＡとＢとＣとＤの間にある部分をエリ
アＡとともに露光するとき、露光光が図４に示す減光部
材２４１の右下の４０７の部分を通過する。
７〜６１０へ引いた線で、この線上の露光量をグラフに
したものを図７に示す。７０１は目標露光量である。６
０７と６０８の間ではエリアＡは減光部材２４１が光路
中に入らない状態で露光されている。６０９と６１０の
間ではエリアＢは減光部材２４１が光路中に入らない状
態で露光されている。６０８と６０９の間はエリアＡ、
Ｂとも、減光部材２４１が光路中に入った状態で露光し
た部分であり、エリアＡ用およびＢ用ともレチクル２０
２のパターンが同じで、同じパターンを重ねて露光して
いる部分である。パターンをぴったり重ね合わせるため
に、図示されていないレチクル２０２のアライメント機
構が使われている。そして、６０８と６０９の間のどの
部分を見ても、エリアＡ、Ｂの露光量を足したものは６
０７と６０８の間および６０９と６１０の間と同様に目
標露光量７０１になるようになっている。これと同じこ
とはエリアＣとＤ、ＡとＣおよびＢとＤの間でも成り立
つ。また、エリアＡとＢとＣとＤの間にある部分をエリ
アＡとともに露光するとき、露光光が図４に示す減光部
材２４１の右下の４０７の部分を通過する。
【００１９】図７の６０７、６０８、６０９はそれぞ
れ、図５の４２４、４２５、４２６に対応している。減
光部材２４１の４０７の部分の透過率は図８に示す透過
率特性を持っている。この特性は四角形の頂点部分４１
１が透過率が１００％、他の頂点部分４１２、４１３、
４１４が０％、四角形の中心部分が２５％、他の部分の
透過率もこれら５点の位置とその位置の透過率で作った
平面で表わされる透過率を持っている。この部分は他に
エリアＢ、Ｃ、Ｄを露光するとき露光される。また、エ
リアＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄともこの部分はレチクル２０２のパ
ターンが同じで、同じパターンを重ねて露光している。
パターンをぴったり重ね合わせるために、図示されてい
ないレチクル２０２のアライメント機構が使われてい
る。
れ、図５の４２４、４２５、４２６に対応している。減
光部材２４１の４０７の部分の透過率は図８に示す透過
率特性を持っている。この特性は四角形の頂点部分４１
１が透過率が１００％、他の頂点部分４１２、４１３、
４１４が０％、四角形の中心部分が２５％、他の部分の
透過率もこれら５点の位置とその位置の透過率で作った
平面で表わされる透過率を持っている。この部分は他に
エリアＢ、Ｃ、Ｄを露光するとき露光される。また、エ
リアＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄともこの部分はレチクル２０２のパ
ターンが同じで、同じパターンを重ねて露光している。
パターンをぴったり重ね合わせるために、図示されてい
ないレチクル２０２のアライメント機構が使われてい
る。
【００２０】エリアＢ、Ｃ、Ｄを露光するとき、エリア
ＡとＢとＣとＤの間にある部分に相当する露光光は図４
の減光部材２４１の他の３隅を通り、その部分の透過率
は図７で示される透過率分布図を９０°ずつ回転した透
過率分布を持っている。エリアＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの露光が
終了したとき、エリアＡとＢとＣとＤの間にある部分
は、どの点でも目標露光量７０１で露光されていること
になる。
ＡとＢとＣとＤの間にある部分に相当する露光光は図４
の減光部材２４１の他の３隅を通り、その部分の透過率
は図７で示される透過率分布図を９０°ずつ回転した透
過率分布を持っている。エリアＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの露光が
終了したとき、エリアＡとＢとＣとＤの間にある部分
は、どの点でも目標露光量７０１で露光されていること
になる。
【００２１】図９は１サブエリアを露光するシーケンス
を表わした図である。次に、上記の構成における分割露
光の方法を図９のシーケンスに基づいて説明する。図９
のシーケンスはコンソールＣＰＵ３３１から情報を得て
本体ＣＰＵ３２１によって制御されている。
を表わした図である。次に、上記の構成における分割露
光の方法を図９のシーケンスに基づいて説明する。図９
のシーケンスはコンソールＣＰＵ３３１から情報を得て
本体ＣＰＵ３２１によって制御されている。
【００２２】ステップ９０１では、まだ、ブレードの位
置を算出していなくて、他のサブエリアと重ねて露光す
る部分があるかどうかを調べる。あれば、ステップ９０
２ヘ進む。なければ、ステップ９０３ヘ進む。
置を算出していなくて、他のサブエリアと重ねて露光す
る部分があるかどうかを調べる。あれば、ステップ９０
２ヘ進む。なければ、ステップ９０３ヘ進む。
【００２３】ステップ９０２では、他のサブエリアと重
なって露光する側のブレードの位置を算出する。エリア
Ａを露光する際には、ＸＲブレード４０２の位置として
減光部材２４１の初めて透過率が０％になる位置である
４２６の位置を算出する。また、ＹＤブレード４０４に
ついてもステップ９０２で同様に初めて透過率が０％に
なる位置を算出される。ステップ９０２の処理が終れば
ステップ９０１から繰り返す。
なって露光する側のブレードの位置を算出する。エリア
Ａを露光する際には、ＸＲブレード４０２の位置として
減光部材２４１の初めて透過率が０％になる位置である
４２６の位置を算出する。また、ＹＤブレード４０４に
ついてもステップ９０２で同様に初めて透過率が０％に
なる位置を算出される。ステップ９０２の処理が終れば
ステップ９０１から繰り返す。
【００２４】ステップ９０３では、他のサブエリアと重
ならないで露光する側のブレード（エリアＡを露光する
際であればＸＬブレード４０１とＹＵブレード４０３）
の位置を算出する。サブエリアのサイズとステップ９０
２で算出したブレードの位置から算出し、露光エリアが
露光するサブエリアの大きさに開くようにする。また、
この位置はレチクル２０２上のこのサブエリアに対応し
たパターンがある位置でもある。
ならないで露光する側のブレード（エリアＡを露光する
際であればＸＬブレード４０１とＹＵブレード４０３）
の位置を算出する。サブエリアのサイズとステップ９０
２で算出したブレードの位置から算出し、露光エリアが
露光するサブエリアの大きさに開くようにする。また、
この位置はレチクル２０２上のこのサブエリアに対応し
たパターンがある位置でもある。
【００２５】ステップ９０４では、ステップ９０２、９
０３で算出した位置へマスキングブレードを移動する。
ステップ９０５では、このサブエリアのレチクル２０２
のパターンをウエハ２０３の目的のサブエリアが露光で
きる位置へウエハステージ２０９を移動する。ステップ
９０６でこのサブエリアを露光する。
０３で算出した位置へマスキングブレードを移動する。
ステップ９０５では、このサブエリアのレチクル２０２
のパターンをウエハ２０３の目的のサブエリアが露光で
きる位置へウエハステージ２０９を移動する。ステップ
９０６でこのサブエリアを露光する。
【００２６】この例では露光エリアは４つのサブエリア
に分かれていて、それぞれのサブエリアをレチクルをの
せ換えてこのシーケンスで露光する。それにより、上記
で説明したように、同じパターンを持った２つのサブエ
リアが重なった部分では図７に示すように露光量は均一
になり、同じパターンを持った４つのサブエリアが重な
った部分での透過率は図８の透過率分布を９０°ずつ回
転したものを足したものになり、どの部分でも１００％
の透過率で露光したことになる。それにより、大きな露
光エリアは均一の露光量で露光される。
に分かれていて、それぞれのサブエリアをレチクルをの
せ換えてこのシーケンスで露光する。それにより、上記
で説明したように、同じパターンを持った２つのサブエ
リアが重なった部分では図７に示すように露光量は均一
になり、同じパターンを持った４つのサブエリアが重な
った部分での透過率は図８の透過率分布を９０°ずつ回
転したものを足したものになり、どの部分でも１００％
の透過率で露光したことになる。それにより、大きな露
光エリアは均一の露光量で露光される。
【００２７】本実施例のようにすることによって、露光
装置が持っている露光エリア以上のエリアを均一につな
ぎめも特異点にならずに露光することができ、微細なパ
ターンでサイズの大きな半導体を作ることが可能にな
る。
装置が持っている露光エリア以上のエリアを均一につな
ぎめも特異点にならずに露光することができ、微細なパ
ターンでサイズの大きな半導体を作ることが可能にな
る。
【００２８】上記実施例では減光部材は露光エリアに穴
の空いたものであったが、露光エリアに穴が空いてな
く、１枚板になっていて、穴に対応した部分の透過率が
１００％になっているものでもよい。
の空いたものであったが、露光エリアに穴が空いてな
く、１枚板になっていて、穴に対応した部分の透過率が
１００％になっているものでもよい。
【００２９】また、本実施例では４つのサブエリアが重
なる部分は特別に透過率特性を変えているが、２つのサ
ブエリアが重なる部分で透過率が１００％から０％に直
線的に変わって行く減光部材を４枚直角に使い、隣合う
２枚が重なるように使うと、上記４つのサブエリアが重
なる部分と同様の透過率特性が簡単に得られる。
なる部分は特別に透過率特性を変えているが、２つのサ
ブエリアが重なる部分で透過率が１００％から０％に直
線的に変わって行く減光部材を４枚直角に使い、隣合う
２枚が重なるように使うと、上記４つのサブエリアが重
なる部分と同様の透過率特性が簡単に得られる。
【００３０】また、本実施例では減光部材は１枚で固定
されているが、複数枚で移動できて、各サブエリアの露
光に際して、露光光による照明エリアの中心でサブエリ
アを露光するようにしても良いし、分割露光しない場
合、減光部材を照明エリアの外に出すようにしても良
い。露光エリアを６つ以上のサブエリアに分ける場合な
ど、サブエリアのサイズを自由に変えられるという点で
は移動できた方が便利である。また、上記実施例では分
割して露光するサブエリア毎にレチクルを用意している
が、露光出来る露光エリアより少しだけ広いエリアを露
出する場合などはレチクルを１枚にしレチクルを移動し
て露光するエリアを変える方法もある。
されているが、複数枚で移動できて、各サブエリアの露
光に際して、露光光による照明エリアの中心でサブエリ
アを露光するようにしても良いし、分割露光しない場
合、減光部材を照明エリアの外に出すようにしても良
い。露光エリアを６つ以上のサブエリアに分ける場合な
ど、サブエリアのサイズを自由に変えられるという点で
は移動できた方が便利である。また、上記実施例では分
割して露光するサブエリア毎にレチクルを用意している
が、露光出来る露光エリアより少しだけ広いエリアを露
出する場合などはレチクルを１枚にしレチクルを移動し
て露光するエリアを変える方法もある。
【００３１】また、上記実施例ではまだパターンを焼か
れていないウエハにパターンを焼き付ける例であるが、
すでにパターンが焼かれている上に次の層を作るため
に、重ね焼きする場合も同様に出来る。
れていないウエハにパターンを焼き付ける例であるが、
すでにパターンが焼かれている上に次の層を作るため
に、重ね焼きする場合も同様に出来る。
【００３２】［デバイス生産方法の実施例］次に上記説
明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの生
産方法の実施例を説明する。図１０は微小デバイス（Ｉ
ＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示
す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設
計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前
工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、
リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成
する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、
ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チ
ップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの生
産方法の実施例を説明する。図１０は微小デバイス（Ｉ
ＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示
す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設
計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前
工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、
リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成
する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、
ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チ
ップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３３】図１１は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置
を有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。本実施例ではこの繰り返しの各プロセスにおい
て、上記述べたようにアライメント電子ビームの加速電
圧を最適に設定することで、プロセスに影響を受けず正
確な位置合わせを可能としている。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置
を有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。本実施例ではこの繰り返しの各プロセスにおい
て、上記述べたようにアライメント電子ビームの加速電
圧を最適に設定することで、プロセスに影響を受けず正
確な位置合わせを可能としている。
【００３４】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被露光体上の１つの露光エリアを複数のサブエリアに分
けて露光する手段と、隣合うサブエリア同士の一部が重
なり合うように各サブエリアを設定する手段と、マスキ
ングブレードを開閉することによりサブエリアを作る手
段と、２つまたは４つのサブエリアが重なり合う部分の
露光光に対して透過率がサブエリアの外に行くにしたが
って低くなる減光部材を露光光の光路中に入れた状態で
露光する手段とを有することにより、つなぎめも特異点
にならず露光することができ、微細なパターンで大きな
デバイスを作ることが出来、１個の半導体デバイスで多
くの機能を有するものを作ることが出来、低コストで信
頼性の高い高機能を実現することが可能になる。
被露光体上の１つの露光エリアを複数のサブエリアに分
けて露光する手段と、隣合うサブエリア同士の一部が重
なり合うように各サブエリアを設定する手段と、マスキ
ングブレードを開閉することによりサブエリアを作る手
段と、２つまたは４つのサブエリアが重なり合う部分の
露光光に対して透過率がサブエリアの外に行くにしたが
って低くなる減光部材を露光光の光路中に入れた状態で
露光する手段とを有することにより、つなぎめも特異点
にならず露光することができ、微細なパターンで大きな
デバイスを作ることが出来、１個の半導体デバイスで多
くの機能を有するものを作ることが出来、低コストで信
頼性の高い高機能を実現することが可能になる。
【図１】 本発明の一実施例に係わる半導体露光装置の
外観を示す斜視図である。
外観を示す斜視図である。
【図２】 図１の装置の内部構造を示す図である。
【図３】 図１の装置の電気回路構成を示すブロック図
である。
である。
【図４】 図１の装置のマスキングブレードと減光部材
と露光エリアとの関係を示す図である。
と露光エリアとの関係を示す図である。
【図５】 図４でＹの位置が同じところで、露光光に対
する影響を示したグラフである。
する影響を示したグラフである。
【図６】 本発明で露光するエリアを表わした図であ
る。
る。
【図７】 図６でＹの位置が同じところで、Ｘの位置と
露光量の関係のグラフである。
露光量の関係のグラフである。
【図８】 ４つのサブエリアが重なる部分の１つのサブ
エリアの透過率分布図である。
エリアの透過率分布図である。
【図９】 １つのサブエリアを露光するフローチャート
である。
である。
【図１０】 微小デバイスの製造の流れを示す図であ
る。
る。
【図１１】 図１０におけるウエハプロセスの詳細な流
れを示す図である。
れを示す図である。
１０１：温調チャンバ、１０２：ＥＷＳ用ディスプレイ
装置、１０３：操作パネル、１０４：ＥＷＳ用キーボー
ド、１０５：モニタＴＶ、１０６：ＥＷＳ本体、１０
７：ＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８：非常停止スイッ
チ、１０９：各種スイッチ、マウス等、１１０：ＬＡＮ
通信ケーブル、１１１：排気ダクト、１１２：排気装
置、２０２：レチクル、２０３：ウエハ、２０４：光源
装置、２０５：照明光学系、２０６：投影レンズ、２０
７：レチクルステージ、２０９：ウエハステージ、２８
１：レチクル顕微鏡、２８２：オフアクシス顕微鏡、２
１０：空調機室、２１３：フィルタボックス、２１４：
ブース、２１７：送風機、２４０：マスキングブレー
ド、２４１：減光部材、ｇ：エアフィルタ、ｃｆ：化学
吸着フィルタ、ｏａ：外気導入口、ｒａ：リターン口、
３２１：本体ＣＰＵ、３３０：コンソール、３３１：コ
ンソールＣＰＵ、３３２：外部メモリ、４０１：ＸＬブ
レード、４０２：ＸＲブレード、４０３：ＹＵブレー
ド、４０４：ＹＤブレード、４０６：減光部材の一部で
２つのサブエリアが重なる部分、４０７：減光部材の一
部で４つのサブエリアが重なる部分。
装置、１０３：操作パネル、１０４：ＥＷＳ用キーボー
ド、１０５：モニタＴＶ、１０６：ＥＷＳ本体、１０
７：ＯＮ−ＯＦＦスイッチ、１０８：非常停止スイッ
チ、１０９：各種スイッチ、マウス等、１１０：ＬＡＮ
通信ケーブル、１１１：排気ダクト、１１２：排気装
置、２０２：レチクル、２０３：ウエハ、２０４：光源
装置、２０５：照明光学系、２０６：投影レンズ、２０
７：レチクルステージ、２０９：ウエハステージ、２８
１：レチクル顕微鏡、２８２：オフアクシス顕微鏡、２
１０：空調機室、２１３：フィルタボックス、２１４：
ブース、２１７：送風機、２４０：マスキングブレー
ド、２４１：減光部材、ｇ：エアフィルタ、ｃｆ：化学
吸着フィルタ、ｏａ：外気導入口、ｒａ：リターン口、
３２１：本体ＣＰＵ、３３０：コンソール、３３１：コ
ンソールＣＰＵ、３３２：外部メモリ、４０１：ＸＬブ
レード、４０２：ＸＲブレード、４０３：ＹＵブレー
ド、４０４：ＹＤブレード、４０６：減光部材の一部で
２つのサブエリアが重なる部分、４０７：減光部材の一
部で４つのサブエリアが重なる部分。
Claims (7)
- 【請求項１】 被露光体上の１つの露光エリアを複数の
サブエリアに分けて露光する露光装置において、 隣合うサブエリア同士の一部が重なり合うように各サブ
エリアを設定する手段と、 被露光体上の露光すべきサブエリアを他の部分から区分
するマスキングブレードと、 前記露光エリア内の２つまたは４つのサブエリアが重な
り合う部分の露光光に対してレチクルの共役面に配置さ
れる透過率がサブエリアの外に行くにしたがって低くな
る減光部材とを有することを特徴とするデバイス露光装
置。 - 【請求項２】 前記各サブエリアが四角形に設定され、
前記減光部材は、前記２つのサブエリアが重なり合う部
分では２つのサブエリア同士が重なる幅で内側から外側
に向かって露光光に対する透過率が１００％から０％に
直線的に変わって行き、４つのサブエリアが重なり合う
四角形の部分では露光光に対して透過率がサブエリアの
重複しないエリアに接している四角形の頂点部分が透過
率が１００％、他の頂点部分が０％、四角形の中心部分
が２５％、他の部分の透過率もこれら５点の位置とその
位置の透過率で作った平面で表わされる透過率分布を持
った部材である請求項１記載のデバイス露光装置。 - 【請求項３】 前記各サブエリアが四角形に設定され、
前記減光部材は、前記２つのサブエリアが重なり合う部
分では２つのサブエリア同士が重なる幅で内側から外側
に向かって露光光に対する透過率が１００％から０％に
直線的に変わって行く部材であり、４つのサブエリアが
重なり合う四角形の部分では隣合う上記減光部材が重な
るように配置されている請求項１記載のデバイス露光装
置。 - 【請求項４】 被露光体上の１つの露光エリアを複数の
サブエリアに分けて露光するデバイス露光方法におい
て、 隣合うサブエリア同士の一部が重なり合うように各サブ
エリアを設定する工程と、 前記被露光体上の露光すべき部分以外を遮光する位置に
マスキングブレードを設定して前記露光すべき部分であ
るサブエリアを形成する工程と、 ２つまたは４つのサブエリアが重なり合う部分の露光光
に対して透過率がサブエリアの外に行くにしたがって低
くなる減光部材をレチクルに対して共役面に入れた状態
で露光する工程とを有することを特徴とするデバイス露
光方法。 - 【請求項５】 前記各サブエリアが四角形に設定され、
前記減光部材は、前記２つのサブエリアが重なり合う部
分では２つのサブエリア同士が重なる幅で内側から外側
に向かって露光光に対する透過率が１００％から０％に
直線的に変わって行き、４つのサブエリアが重なり合う
四角形の部分では露光光に対して透過率がサブエリアの
重複しないエリアに接している四角形の頂点部分が透過
率が１００％、他の頂点部分が０％、四角形の中心部分
が２５％、他の部分の透過率もこれら５点の位置とその
位置の透過率で作った平面で表わされる透過率分布を持
った部材である請求項４記載のデバイス露光方法。 - 【請求項６】 前記各サブエリアが四角形に設定され、
前記減光部材は、前記２つのサブエリアが重なり合う部
分では２つのサブエリア同士が重なる幅で内側から外側
に向かって露光光に対する透過率が１００％から０％に
直線的に変わって行く部材であり、４つのサブエリアが
重なり合う四角形の部分では隣合う上記減光部材が重な
るように配置されている請求項４記載のデバイス露光方
法。 - 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかに記載のデバイ
ス露光装置または請求項４〜６のいずれかに記載のデバ
イス露光方法を用いて製造したことを特徴とする半導体
デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9068994A JPH10256140A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | デバイス露光装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9068994A JPH10256140A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | デバイス露光装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256140A true JPH10256140A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13389732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9068994A Pending JPH10256140A (ja) | 1997-03-07 | 1997-03-07 | デバイス露光装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256140A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059012A1 (fr) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
| WO2000068738A1 (en) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Nikon Corporation | Aligner, microdevice, photomask, exposure method, and method of manufacturing device |
| KR20030089761A (ko) * | 2002-05-18 | 2003-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 노광 시스템 |
-
1997
- 1997-03-07 JP JP9068994A patent/JPH10256140A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059012A1 (fr) * | 1999-03-26 | 2000-10-05 | Nikon Corporation | Procede et dispositif d'exposition |
| WO2000068738A1 (en) * | 1999-05-07 | 2000-11-16 | Nikon Corporation | Aligner, microdevice, photomask, exposure method, and method of manufacturing device |
| US6842225B1 (en) | 1999-05-07 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, microdevice, photomask, method of exposure, and method of production of device |
| KR20030089761A (ko) * | 2002-05-18 | 2003-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 노광 시스템 |
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