JPH10256236A - ドライエッチング方法および半導体装置 - Google Patents
ドライエッチング方法および半導体装置Info
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- JPH10256236A JPH10256236A JP9060495A JP6049597A JPH10256236A JP H10256236 A JPH10256236 A JP H10256236A JP 9060495 A JP9060495 A JP 9060495A JP 6049597 A JP6049597 A JP 6049597A JP H10256236 A JPH10256236 A JP H10256236A
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- etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化合物半導体のドライエッチング方法に関
し、特にサイドエッチングがなく垂直異方性に優れたド
ライエッチング方法を提供すること。 【解決手段】 炭化水素系ガスを用いた化合物半導体の
ドライエッチングにおいて、反応性ガスに窒素を含む化
合物のガスを添加することにより垂直なエッチング加工
形状を得る。 【効果】 容易な手法で垂直異方性に優れたドライエッ
チング加工を実現できる。
し、特にサイドエッチングがなく垂直異方性に優れたド
ライエッチング方法を提供すること。 【解決手段】 炭化水素系ガスを用いた化合物半導体の
ドライエッチングにおいて、反応性ガスに窒素を含む化
合物のガスを添加することにより垂直なエッチング加工
形状を得る。 【効果】 容易な手法で垂直異方性に優れたドライエッ
チング加工を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化合物半導体装置の
製造方法に関し、特に化合物半導体素子の製造に好適な
ドライエッチング技術及びこれに特徴づけられる半導体
素子構成に係る。
製造方法に関し、特に化合物半導体素子の製造に好適な
ドライエッチング技術及びこれに特徴づけられる半導体
素子構成に係る。
【０００２】
【従来の技術】エッチング加工により化合物半導体素子
の導波路構造を形成する技術は、半導体レーザ、光変調
器等様々な化合物半導体素子に用いられている。化合物
半導体のエッチングは永らく湿式エッチングが用いられ
てきたが、近年、ウェハ面内での加工寸法均一性向上へ
の要求が高まり、ドライエッチング技術の研究が進めら
れている。従来の化合物半導体のドライエッチング技術
に関しては、集積回路プロセス技術シリーズ 半導体ド
ライエッチング技術、徳山巍 編著、産業図書株式会
社、に系統的かつ詳細に述べられている。本文献に詳細
に述べられているように、化合物半導体のドライエッチ
ング方式としては炭化水素系ガスと塩素系ガスの二系統
で検討がなされている。このうち、炭化水素系ガスによ
るエッチングはInP系材料のエッチングに広く用いられ
ている。これは、In塩化物は脱離しにくいため、塩素系
ガスによるInP系材料のエッチングは良好な加工形状を
得ることが困難であるからである。炭化水素系ガスのド
ライエッチング加工を用いて作製した化合物半導体素子
の公知例としては、例えばメタン／水素混合ガスの反応
性イオンエッチングで光導波路を形成したInGaAsP埋込
み半導体レーザの信頼性試験結果が1996年秋季第57回応
用物理学会学術講演会8a-KH-8に報告されている。
の導波路構造を形成する技術は、半導体レーザ、光変調
器等様々な化合物半導体素子に用いられている。化合物
半導体のエッチングは永らく湿式エッチングが用いられ
てきたが、近年、ウェハ面内での加工寸法均一性向上へ
の要求が高まり、ドライエッチング技術の研究が進めら
れている。従来の化合物半導体のドライエッチング技術
に関しては、集積回路プロセス技術シリーズ 半導体ド
ライエッチング技術、徳山巍 編著、産業図書株式会
社、に系統的かつ詳細に述べられている。本文献に詳細
に述べられているように、化合物半導体のドライエッチ
ング方式としては炭化水素系ガスと塩素系ガスの二系統
で検討がなされている。このうち、炭化水素系ガスによ
るエッチングはInP系材料のエッチングに広く用いられ
ている。これは、In塩化物は脱離しにくいため、塩素系
ガスによるInP系材料のエッチングは良好な加工形状を
得ることが困難であるからである。炭化水素系ガスのド
ライエッチング加工を用いて作製した化合物半導体素子
の公知例としては、例えばメタン／水素混合ガスの反応
性イオンエッチングで光導波路を形成したInGaAsP埋込
み半導体レーザの信頼性試験結果が1996年秋季第57回応
用物理学会学術講演会8a-KH-8に報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の炭化水素系
ガスのドライエッチング技術には以下の問題点がある。
メタンガスあるいはエタンガスと水素の混合ガスによる
ドライエッチングでは、垂直方向のエッチングと同時に
炭化水素ラジカルによるサイドエッチングが進行する。
その結果、加工断面形状の垂直性が損なわれる。特に被
エッチング物が異種材料の多層構造からなる場合、異種
材料間でサイドエッチング速度が異なるため、断面形状
の垂直性が著しく損なわれる。しかし、加工寸法制御性
を高めるには、サイドエッチングがなく垂直な加工断面
形状を得ることが望ましい。加工断面形状が垂直であれ
ば、マスクパターン寸法を高精度に転写できるので、高
い寸法制御性が得られるからである。
ガスのドライエッチング技術には以下の問題点がある。
メタンガスあるいはエタンガスと水素の混合ガスによる
ドライエッチングでは、垂直方向のエッチングと同時に
炭化水素ラジカルによるサイドエッチングが進行する。
その結果、加工断面形状の垂直性が損なわれる。特に被
エッチング物が異種材料の多層構造からなる場合、異種
材料間でサイドエッチング速度が異なるため、断面形状
の垂直性が著しく損なわれる。しかし、加工寸法制御性
を高めるには、サイドエッチングがなく垂直な加工断面
形状を得ることが望ましい。加工断面形状が垂直であれ
ば、マスクパターン寸法を高精度に転写できるので、高
い寸法制御性が得られるからである。
【０００４】本発明の第一の目的は、サイドエッチング
がなく垂直な加工断面形状が得られる炭化水素系ガスの
ドライエッチング方法を提供することにある。また、本
発明の第二の目的は、本発明のドライエッチング方法を
用いて製造した半導体装置を提供することにある。
がなく垂直な加工断面形状が得られる炭化水素系ガスの
ドライエッチング方法を提供することにある。また、本
発明の第二の目的は、本発明のドライエッチング方法を
用いて製造した半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の目的は、
炭化水素ガスを含む混合ガスのプラズマをエッチャント
として、あらかじめマスクパターンを形成した半導体基
板等の被加工物に段差を形成するドライエッチング方法
において、上記混合ガスに窒素ガスやアンモニアガス、
あるいは二酸化窒素ガス等の少なくとも一つの窒素原子
を有する化合物のガス（ガス分子）を含ませることによ
り達成される。また、上記ドライエッチング方法におい
て、上記炭化水素ガスがメタンガスまたはエタンガスと
することにより達成される。また、上記ドライエッチン
グ方法において、上記混合ガスに水素ガスを含むことに
より達成される。また、上記ドライエッチング方法にお
いて、上記マスクパターンが酸化珪素または窒化珪素で
あることにより達成される。また、上記ドライエッチン
グ方法において、上記被加工物がIII-V族化合物半導体
またはIII-V族混晶半導体を含むことを特徴とすること
により達成される。なお、ここでIII-V族化合物半導体
とは、Al,Ga,In等のIII族元素とN,P,As,Sb等のＶ族元素
から構成される化合物半導体材料を指し、III-V族混晶
半導体とは特に構成元素が３種以上（３元以上）の化合
物半導体材料を指す。
炭化水素ガスを含む混合ガスのプラズマをエッチャント
として、あらかじめマスクパターンを形成した半導体基
板等の被加工物に段差を形成するドライエッチング方法
において、上記混合ガスに窒素ガスやアンモニアガス、
あるいは二酸化窒素ガス等の少なくとも一つの窒素原子
を有する化合物のガス（ガス分子）を含ませることによ
り達成される。また、上記ドライエッチング方法におい
て、上記炭化水素ガスがメタンガスまたはエタンガスと
することにより達成される。また、上記ドライエッチン
グ方法において、上記混合ガスに水素ガスを含むことに
より達成される。また、上記ドライエッチング方法にお
いて、上記マスクパターンが酸化珪素または窒化珪素で
あることにより達成される。また、上記ドライエッチン
グ方法において、上記被加工物がIII-V族化合物半導体
またはIII-V族混晶半導体を含むことを特徴とすること
により達成される。なお、ここでIII-V族化合物半導体
とは、Al,Ga,In等のIII族元素とN,P,As,Sb等のＶ族元素
から構成される化合物半導体材料を指し、III-V族混晶
半導体とは特に構成元素が３種以上（３元以上）の化合
物半導体材料を指す。
【０００６】また、本発明の第二の目的は、上記のドラ
イエッチング方法を用いて製造した半導体装置を提供す
ることにより達成される。
イエッチング方法を用いて製造した半導体装置を提供す
ることにより達成される。
【０００７】以下、本発明の作用について図１を用いて
説明する。
説明する。
【０００８】図１は本発明のメタン／水素／窒素混合ガ
スの反応性イオンエッチングを用いて、SiO2マスクパタ
ーン1をあらかじめ形成したInP基板2に段差を形成した
試料の断面形状を示す構造図である。本発明では、反応
性ガス中に窒素を含むガスを混合している為、窒化物が
エッチング側壁に堆積する。窒化物はラジカルのアタッ
クから側壁を保護する作用があるので、エッチング断面
は垂直となるのである。より詳細に述べれば、窒化物は
エッチング底面にも堆積しようとするのであるが、エッ
チング底面ではイオン衝撃があるため窒化物は堆積しな
い。一方、側壁ではイオン衝撃をほとんど受けないので
窒化物は堆積し、側壁保護膜として作用するのである。
スの反応性イオンエッチングを用いて、SiO2マスクパタ
ーン1をあらかじめ形成したInP基板2に段差を形成した
試料の断面形状を示す構造図である。本発明では、反応
性ガス中に窒素を含むガスを混合している為、窒化物が
エッチング側壁に堆積する。窒化物はラジカルのアタッ
クから側壁を保護する作用があるので、エッチング断面
は垂直となるのである。より詳細に述べれば、窒化物は
エッチング底面にも堆積しようとするのであるが、エッ
チング底面ではイオン衝撃があるため窒化物は堆積しな
い。一方、側壁ではイオン衝撃をほとんど受けないので
窒化物は堆積し、側壁保護膜として作用するのである。
【０００９】従って、本発明のドライエッチング方法、
換言すれば半導体素子の製造方法を適用して形成した素
子の一例として、基板又はその上部に積層された半導体
層に形成された段差（凸部）を有する半導体素子におい
て、段差側面に沿う領域の窒素含有量が段差（凸部）に
対して肩となるエッチング底面（凹部上面）に沿う領域
より高くなるという構成上の特徴が見出せる。エッチン
グ底面においては、イオン衝撃により窒化物は堆積する
間もなく除去されるが、痕跡量の窒素原子が残存する可
能性はある。しかし、イオン衝撃を受けない凸部側壁に
は窒化物が付着しやすく且つ付着時における窒素原子の
局所的な拡散も起こり得る。このため、上述のとおり双
方の領域が含有する窒素量には明確な差が出る。各領域
において、窒素原子はIII−Ｖ族化合物半導体結晶にお
ける同じＶ族元素の格子サイトを置換したり、格子間に
入ったり、プロセス条件により態様は異なる。また半導
体素子内部に残存する程度もプロセス条件に依存する。
しかし、いずれの場合も窒素原子の分布は凸部側面又は
エッチング底面の所謂界面に偏るため、凸部中心へ拡散
して半導体素子の本来の特性を損なう可能性は殆どな
い。むしろ、窒素原子が界面に偏ることでその電気的絶
縁性を向上させることもある。
換言すれば半導体素子の製造方法を適用して形成した素
子の一例として、基板又はその上部に積層された半導体
層に形成された段差（凸部）を有する半導体素子におい
て、段差側面に沿う領域の窒素含有量が段差（凸部）に
対して肩となるエッチング底面（凹部上面）に沿う領域
より高くなるという構成上の特徴が見出せる。エッチン
グ底面においては、イオン衝撃により窒化物は堆積する
間もなく除去されるが、痕跡量の窒素原子が残存する可
能性はある。しかし、イオン衝撃を受けない凸部側壁に
は窒化物が付着しやすく且つ付着時における窒素原子の
局所的な拡散も起こり得る。このため、上述のとおり双
方の領域が含有する窒素量には明確な差が出る。各領域
において、窒素原子はIII−Ｖ族化合物半導体結晶にお
ける同じＶ族元素の格子サイトを置換したり、格子間に
入ったり、プロセス条件により態様は異なる。また半導
体素子内部に残存する程度もプロセス条件に依存する。
しかし、いずれの場合も窒素原子の分布は凸部側面又は
エッチング底面の所謂界面に偏るため、凸部中心へ拡散
して半導体素子の本来の特性を損なう可能性は殆どな
い。むしろ、窒素原子が界面に偏ることでその電気的絶
縁性を向上させることもある。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましき実施の形
態を、実施例１及び２と図２〜３に開示された具体例を
用いて説明する。
態を、実施例１及び２と図２〜３に開示された具体例を
用いて説明する。
【００１１】＜実施例１＞まず、本発明の第一の実施例
を図２を用いて詳細に説明する。
を図２を用いて詳細に説明する。
【００１２】2インチn型InP基板2上にSiO2マスクパター
ン(幅1.5μｍ、厚さ500nm)を熱CVD法とリソグラフィ技
術を用いて形成した(図２(a))。次にこのウェハを平行
平板型電極構造を有するエッチング装置の陰極電極上に
置き、メタンと水素と窒素の混合ガス100sccm（混合比
5:20:1、sccmは大気圧下における毎分の流量(cc単位))
をエッチング処理装置内に導入し、ガス圧50mTにおい
て、試料を配置した電極を陰極とする高周波電力300Wを
供給してグロー放電をおこすことにより、反応性イオン
エッチングを行い、基板に3μｍの段差を形成した(図２
(b))。本エッチング工程では、反応ガス中に窒素ガスを
含むため、窒化物3がエッチング側壁に堆積し、サイド
エッチングは起こらず、垂直な断面形状が得られた。
ン(幅1.5μｍ、厚さ500nm)を熱CVD法とリソグラフィ技
術を用いて形成した(図２(a))。次にこのウェハを平行
平板型電極構造を有するエッチング装置の陰極電極上に
置き、メタンと水素と窒素の混合ガス100sccm（混合比
5:20:1、sccmは大気圧下における毎分の流量(cc単位))
をエッチング処理装置内に導入し、ガス圧50mTにおい
て、試料を配置した電極を陰極とする高周波電力300Wを
供給してグロー放電をおこすことにより、反応性イオン
エッチングを行い、基板に3μｍの段差を形成した(図２
(b))。本エッチング工程では、反応ガス中に窒素ガスを
含むため、窒化物3がエッチング側壁に堆積し、サイド
エッチングは起こらず、垂直な断面形状が得られた。
【００１３】この時、エッチング側壁とエッチング底面
のなす角度は90°であった。また、本発明のサイドエッ
チングが起こらないドライエッチング方法の高い加工寸
法制御性を反映して、2インチウェハ面内でのメサ幅分
布は1.5μｍ±0.05μｍであり、窒素を添加しない場合
の面内分布1.5μｍ±0.1μｍと比較して優れた寸法制御
性が得られた。また、本実施例では窒素ガスを用いた例
について説明したが、アンモニアガスや二酸化窒素ガス
を用いても同様の効果が得られた。
のなす角度は90°であった。また、本発明のサイドエッ
チングが起こらないドライエッチング方法の高い加工寸
法制御性を反映して、2インチウェハ面内でのメサ幅分
布は1.5μｍ±0.05μｍであり、窒素を添加しない場合
の面内分布1.5μｍ±0.1μｍと比較して優れた寸法制御
性が得られた。また、本実施例では窒素ガスを用いた例
について説明したが、アンモニアガスや二酸化窒素ガス
を用いても同様の効果が得られた。
【００１４】＜実施例２＞次に第二の実施例を図３によ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
【００１５】n型InP基板2上に有機金属気相成長法によ
り、n型InPバッファ層(厚さ0.3μｍ)4、アンドープ多重
量子井戸活性層5、p型InPクラッド層(厚さ2.0μｍ)6、p
型InGaAsコンタクト層(厚さ0.2μｍ)7を順次形成した。
多重量子井戸活性層5は、InGaAs井戸層(厚さ60nm)5層
を、InGaAsP障壁層(厚さ100nm、組成波長1.15μｍ)6層
で挟んだものである。次に熱CVD法により厚さ300nmのSi
O2膜を形成し、通常のリソグラフィ技術を用いて幅1.5
ミクロンのSiO2ストライプ1を形成した(図３(a))。
り、n型InPバッファ層(厚さ0.3μｍ)4、アンドープ多重
量子井戸活性層5、p型InPクラッド層(厚さ2.0μｍ)6、p
型InGaAsコンタクト層(厚さ0.2μｍ)7を順次形成した。
多重量子井戸活性層5は、InGaAs井戸層(厚さ60nm)5層
を、InGaAsP障壁層(厚さ100nm、組成波長1.15μｍ)6層
で挟んだものである。次に熱CVD法により厚さ300nmのSi
O2膜を形成し、通常のリソグラフィ技術を用いて幅1.5
ミクロンのSiO2ストライプ1を形成した(図３(a))。
【００１６】次にこのウェハを平行平板型電極構造を有
するエッチング装置の陰極電極上に搬入し、エタンと水
素と窒素の混合ガス50sccm(混合比4:10:1)をエッチング
処理装置内に導入し、ガス圧80mTにおいて、試料を配置
した電極を陰極とする高周波電力13.56MHz、200Wを供給
してグロー放電をおこすことにより、反応性イオンエッ
チングを行い、基板に3ミクロンの段差を形成した。こ
の際、反応ガスに窒素が含まれるため、エッチング後の
断面形状は垂直となった(図３(b))。その後、酸素プラ
ズマアッシングによりエッチング中に SiO2パターン1上
に堆積したポリマーを除去した後、有機金属気相成長炉
内に搬入した。次に成長温度600℃にてフォスフィンガ
ス、トリメチルインジウム、フェロセン、および塩化メ
チルを導入してFeドープ半絶縁性InP電流狭窄層(成長厚
さ3ミクロン)8を成長した(図３(c))。InPのような化合
物半導体はSiO2ストライプ上には成長しないので、InP
層により半導体露出面が選択的に埋め込まれる。但し、
SiO2ストライプ上にアモルファスまたは多結晶状に半
導体が析出することがあるが、本実施例のごとく塩化メ
チルを微量添加することにより、そのような析出を抑制
することができ、また埋込み表面を平坦にすることがで
きる。
するエッチング装置の陰極電極上に搬入し、エタンと水
素と窒素の混合ガス50sccm(混合比4:10:1)をエッチング
処理装置内に導入し、ガス圧80mTにおいて、試料を配置
した電極を陰極とする高周波電力13.56MHz、200Wを供給
してグロー放電をおこすことにより、反応性イオンエッ
チングを行い、基板に3ミクロンの段差を形成した。こ
の際、反応ガスに窒素が含まれるため、エッチング後の
断面形状は垂直となった(図３(b))。その後、酸素プラ
ズマアッシングによりエッチング中に SiO2パターン1上
に堆積したポリマーを除去した後、有機金属気相成長炉
内に搬入した。次に成長温度600℃にてフォスフィンガ
ス、トリメチルインジウム、フェロセン、および塩化メ
チルを導入してFeドープ半絶縁性InP電流狭窄層(成長厚
さ3ミクロン)8を成長した(図３(c))。InPのような化合
物半導体はSiO2ストライプ上には成長しないので、InP
層により半導体露出面が選択的に埋め込まれる。但し、
SiO2ストライプ上にアモルファスまたは多結晶状に半
導体が析出することがあるが、本実施例のごとく塩化メ
チルを微量添加することにより、そのような析出を抑制
することができ、また埋込み表面を平坦にすることがで
きる。
【００１７】埋込み成長後、 SiO2ストライプ1を希フッ
酸で除去し、p側電極9を形成し、基板裏面を研磨により
薄くした後、裏面にn側電極10を形成した(図３(d))。最
後に分割、壁開することにより、発光波長1.55ミクロン
（μｍ）の半導体レーザを作製した。
酸で除去し、p側電極9を形成し、基板裏面を研磨により
薄くした後、裏面にn側電極10を形成した(図３(d))。最
後に分割、壁開することにより、発光波長1.55ミクロン
（μｍ）の半導体レーザを作製した。
【００１８】作製したレーザ素子は、室温、連続条件に
おいてしきい値電流10mA、発振効率0.45W/Aと低しきい
値で且つ高効率な特性が得られた。また、50℃、5mWで
の一定光出力通電試験を行った結果、推定寿命として20
万時間が得られた。また、本発明のサイドエッチングの
ない高い加工寸法制御性を反映して、発振波長歩留りは
95%と高く、低コストで素子を製造することができた。
本実施例では本発明を1.55μｍ帯の半導体レーザに適用
した場合について述べたが、1.3μｍ帯や他の波長帯の
半導体レーザにも適用可能である。また、本実施例では
反応性イオンエッチングを用いた場合について述べた
が、反応性イオンビームエッチングやイオンビームエッ
チング等、他のドライエッチングに適用しても同様の効
果があることは言うまでもない。また、本実施例ではマ
スク材としてSiO2を用いた場合について述べたが、Si3N
4等他の材料を用いても良い。また、本実施例では、本
発明を半導体レーザに適用した場合について述べたが、
光変調器、フォトダイオード、ならびに光導波路素子等
の他の光素子に適用することもできた。また、本実施例
では、エタン／水素／窒素の混合ガスを用いた例につい
て述べたが、炭化水素ガスとしてはメタンを用いてもよ
い。また混合ガスにアルゴンや酸素等の他のガスを加え
ても良い。
おいてしきい値電流10mA、発振効率0.45W/Aと低しきい
値で且つ高効率な特性が得られた。また、50℃、5mWで
の一定光出力通電試験を行った結果、推定寿命として20
万時間が得られた。また、本発明のサイドエッチングの
ない高い加工寸法制御性を反映して、発振波長歩留りは
95%と高く、低コストで素子を製造することができた。
本実施例では本発明を1.55μｍ帯の半導体レーザに適用
した場合について述べたが、1.3μｍ帯や他の波長帯の
半導体レーザにも適用可能である。また、本実施例では
反応性イオンエッチングを用いた場合について述べた
が、反応性イオンビームエッチングやイオンビームエッ
チング等、他のドライエッチングに適用しても同様の効
果があることは言うまでもない。また、本実施例ではマ
スク材としてSiO2を用いた場合について述べたが、Si3N
4等他の材料を用いても良い。また、本実施例では、本
発明を半導体レーザに適用した場合について述べたが、
光変調器、フォトダイオード、ならびに光導波路素子等
の他の光素子に適用することもできた。また、本実施例
では、エタン／水素／窒素の混合ガスを用いた例につい
て述べたが、炭化水素ガスとしてはメタンを用いてもよ
い。また混合ガスにアルゴンや酸素等の他のガスを加え
ても良い。
【００１９】本実施例の埋込ヘテロ（ＢＨ）型構造、即
ちn型InP基板2上部、n型InPバッファ層4、アンドープ多
重量子井戸活性層5、p型InPクラッド層6、及びp型InGaA
sコンタクト層7からなるリッジ（Ridge）状構造（InP基
板2に対して突出する形状からこう称される）の両側を
半絶縁性InP電流狭窄層8で埋め込んだ構造において、リ
ッジ部側面沿いにはInP基板2の半絶縁性InP電流狭窄層8
との接合界面沿いより高い濃度で窒素原子が存在するこ
とが確認された。但し、高濃度と言っても絶対値として
は小さいものであり、発光領域が位置するリッジ内部ま
で浸透していなかった。このため、レーザ・ダイオード
特性に対する悪影響は何ら認められなかった。
ちn型InP基板2上部、n型InPバッファ層4、アンドープ多
重量子井戸活性層5、p型InPクラッド層6、及びp型InGaA
sコンタクト層7からなるリッジ（Ridge）状構造（InP基
板2に対して突出する形状からこう称される）の両側を
半絶縁性InP電流狭窄層8で埋め込んだ構造において、リ
ッジ部側面沿いにはInP基板2の半絶縁性InP電流狭窄層8
との接合界面沿いより高い濃度で窒素原子が存在するこ
とが確認された。但し、高濃度と言っても絶対値として
は小さいものであり、発光領域が位置するリッジ内部ま
で浸透していなかった。このため、レーザ・ダイオード
特性に対する悪影響は何ら認められなかった。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、化合物半導体の垂直異
方性に優れたドライエッチング加工を実現できる。本発
明を用いれば、化合物半導体素子製造の歩留り向上によ
る低コスト化に効果がある。
方性に優れたドライエッチング加工を実現できる。本発
明を用いれば、化合物半導体素子製造の歩留り向上によ
る低コスト化に効果がある。
【図１】本発明の作用を説明する図である。
【図２】本発明の実施例を説明する図である。
【図３】本発明の実施例を説明する図である。
1…SiO2マスク、2…InP基板、 3…窒化物、4…ｎ型InP
バッファ層、5…アンドープ多重量子井戸活性層、6…p
型InPクラッド層、7…ｐ型InGaAsコンタクト層、8…Fe
ドープ半絶縁性InP電流狭窄層、9…p側電極、10…n側電
極。
バッファ層、5…アンドープ多重量子井戸活性層、6…p
型InPクラッド層、7…ｐ型InGaAsコンタクト層、8…Fe
ドープ半絶縁性InP電流狭窄層、9…p側電極、10…n側電
極。
Claims (12)
- 【請求項１】炭化水素ガスを含む混合ガスのプラズマを
エッチャントとして、あらかじめマスクパターンを形成
した被加工物に段差を形成するドライエッチング方法に
おいて、上記混合ガスに、少なくとも一つの窒素原子を
有する化合物のガスが混合されていることを特徴とする
ドライエッチング方法。 - 【請求項２】請求項１に記載のドライエッチング方法に
おいて、上記炭化水素ガスがメタンガスであることを特
徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項３】請求項１に記載のドライエッチング方法に
おいて、上記炭化水素ガスがエタンガスであることを特
徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項４】請求項１乃至４のいずれかに記載のドライ
エッチング方法において、上記混合ガスに水素ガスを含
むことを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載のドライ
エッチング方法において、上記マスクパターンが酸化珪
素であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項６】請求項１乃至４のいずれかに記載のドライ
エッチング方法において、上記マスクパターンが窒化珪
素であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれかに記載のドライ
エッチング方法において、上記被加工物がIII-V族化合
物半導体を含むことを特徴とするドライエッチング方
法。 - 【請求項８】請求項１乃至６のいずれかに記載のドライ
エッチング方法において、上記被加工物がIII-V族混晶
半導体を含むことを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項９】請求項１乃至８のいずれかに記載のドライ
エッチング方法において、上記少なくとも一つの窒素原
子を有する化合物のガスが窒素ガスであることを特徴と
するドライエッチング方法。 - 【請求項１０】請求項１乃至８のいずれかに記載のドラ
イエッチング方法において、上記少なくとも一つの窒素
原子を有する化合物のガスが、アンモニアガスであるこ
とを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項１１】請求項１乃至８のいずれかに記載のドラ
イエッチング方法において、上記少なくとも一つの窒素
原子を有する化合物のガスが、二酸化窒素ガスであるこ
とを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項１２】請求項１乃至１１のいずれかに記載のド
ライエッチング方法を用いて製造したことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9060495A JPH10256236A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | ドライエッチング方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9060495A JPH10256236A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | ドライエッチング方法および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256236A true JPH10256236A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13143943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9060495A Pending JPH10256236A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | ドライエッチング方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022082361A (ja) * | 2020-11-20 | 2022-06-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法、およびプラズマ処理方法 |
| JP2026501439A (ja) * | 2022-10-28 | 2026-01-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ａｒ導光板の光学損失を低減するための方法 |
-
1997
- 1997-03-14 JP JP9060495A patent/JPH10256236A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022082361A (ja) * | 2020-11-20 | 2022-06-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 素子チップの製造方法、およびプラズマ処理方法 |
| JP2026501439A (ja) * | 2022-10-28 | 2026-01-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ａｒ導光板の光学損失を低減するための方法 |
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