JPH10256258A - 半導体装置の突起電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の突起電極形成方法Info
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- JPH10256258A JPH10256258A JP9055777A JP5577797A JPH10256258A JP H10256258 A JPH10256258 A JP H10256258A JP 9055777 A JP9055777 A JP 9055777A JP 5577797 A JP5577797 A JP 5577797A JP H10256258 A JPH10256258 A JP H10256258A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の外部電極と密着性が高く、接触
抵抗値の低い突起電極を形成する。 【解決手段】 Ａｌ電極１上の自然酸化膜を除去し洗浄
を行った後、８０℃に保持したＮｉを含有するアルカリ
性の溶液中に２０秒浸漬することにより、Ａｌ電極１の
表面に膜厚３００〜５００ÅのＮｉ粒子膜８を形成す
る。洗浄を行った後、再度、同じ溶液中に２０秒浸漬す
ることにより、均一な大きさのＮｉ粒子が隙間なく形成
されたＮｉ粒子膜９となる。洗浄を行った後、Ｎｉ粒子
膜９上に、無電解めっき法によりＮｉ膜６を形成しす
る。洗浄を行った後、Ｎｉ膜６上に、無電解めっき法に
よりＡｕ膜７を形成する。均一な大きさのＮｉ粒子が隙
間なく形成されたＮｉ粒子膜９とＡｌ電極１との間に隙
間がないため、Ａｕ膜７の形成時にＡｌ電極１とＮｉ粒
子膜９の界面に無電解Ａｕめっき液の侵入がなく、Ａｌ
電極１表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極
を形成できる。
抵抗値の低い突起電極を形成する。 【解決手段】 Ａｌ電極１上の自然酸化膜を除去し洗浄
を行った後、８０℃に保持したＮｉを含有するアルカリ
性の溶液中に２０秒浸漬することにより、Ａｌ電極１の
表面に膜厚３００〜５００ÅのＮｉ粒子膜８を形成す
る。洗浄を行った後、再度、同じ溶液中に２０秒浸漬す
ることにより、均一な大きさのＮｉ粒子が隙間なく形成
されたＮｉ粒子膜９となる。洗浄を行った後、Ｎｉ粒子
膜９上に、無電解めっき法によりＮｉ膜６を形成しす
る。洗浄を行った後、Ｎｉ膜６上に、無電解めっき法に
よりＡｕ膜７を形成する。均一な大きさのＮｉ粒子が隙
間なく形成されたＮｉ粒子膜９とＡｌ電極１との間に隙
間がないため、Ａｕ膜７の形成時にＡｌ電極１とＮｉ粒
子膜９の界面に無電解Ａｕめっき液の侵入がなく、Ａｌ
電極１表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極
を形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置をフリ
ップチップ方式やＴＡＢ方式を用いて実装する場合に必
要な突起電極を形成する半導体装置の突起電極形成方法
に関するものである。
ップチップ方式やＴＡＢ方式を用いて実装する場合に必
要な突起電極を形成する半導体装置の突起電極形成方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置は、通常外部と電気的
な接続をするための外部電極を有しており、通常、樹脂
パッケージ等にパッケージングする場合は、この外部電
極に金属ワイヤーを接続する。外部電極には、半導体素
子の配線に用いられるＡｌが用いられている。近年、電
子機器の小型化，高機能化の要求から、従来の樹脂パッ
ケージに変わり、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ
ＰＫＧ）や、さらにベアチップを直接回路基板に実装す
るフリップチップ方式等の高密度実装技術が必要とされ
ている。これらの実装技術に用いる半導体装置の外部電
極には、接合用の突起電極を必要とする。
な接続をするための外部電極を有しており、通常、樹脂
パッケージ等にパッケージングする場合は、この外部電
極に金属ワイヤーを接続する。外部電極には、半導体素
子の配線に用いられるＡｌが用いられている。近年、電
子機器の小型化，高機能化の要求から、従来の樹脂パッ
ケージに変わり、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ
ＰＫＧ）や、さらにベアチップを直接回路基板に実装す
るフリップチップ方式等の高密度実装技術が必要とされ
ている。これらの実装技術に用いる半導体装置の外部電
極には、接合用の突起電極を必要とする。
【０００３】この突起電極の形成方法について図４を参
照しながら説明する。図４は従来の半導体装置の突起電
極形成方法を示す工程断面図である。図４において、１
は外部電極となるＡｌ電極、３は半導体装置、４は保護
膜、５はＮｉ粒子膜、６はＮｉ膜、７はＡｕ膜である。
図４（ａ）に示すように、突起電極形成前には、Ａｌ電
極１の表面に自然酸化膜２が形成されているため、ま
ず、リン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬するウ
エットエッチング工程によって、Ａｌ電極１の表面に形
成された自然酸化膜２の除去を行う（図４（ｂ））。
照しながら説明する。図４は従来の半導体装置の突起電
極形成方法を示す工程断面図である。図４において、１
は外部電極となるＡｌ電極、３は半導体装置、４は保護
膜、５はＮｉ粒子膜、６はＮｉ膜、７はＡｕ膜である。
図４（ａ）に示すように、突起電極形成前には、Ａｌ電
極１の表面に自然酸化膜２が形成されているため、ま
ず、リン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬するウ
エットエッチング工程によって、Ａｌ電極１の表面に形
成された自然酸化膜２の除去を行う（図４（ｂ））。
【０００４】つぎに、Ｎｉ粒子膜５を形成する。これ
は、前の工程によって除去した自然酸化膜２のＡｌ電極
１上への再形成を防止するために、８０℃に保持したＮ
ｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）の溶液中に６
０秒浸漬することにより、Ａｌと溶液中のＮｉイオンの
置換反応を利用してＡｌ電極１の表面に膜厚３００〜５
００ÅのＮｉ粒子膜５を形成する（図４（ｃ））。
は、前の工程によって除去した自然酸化膜２のＡｌ電極
１上への再形成を防止するために、８０℃に保持したＮ
ｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）の溶液中に６
０秒浸漬することにより、Ａｌと溶液中のＮｉイオンの
置換反応を利用してＡｌ電極１の表面に膜厚３００〜５
００ÅのＮｉ粒子膜５を形成する（図４（ｃ））。
【０００５】つぎに、無電解Ｎｉめっき液中に半導体装
置３を浸漬する無電解Ｎｉめっき工程を行う。ここで
は、前の工程で形成したＮｉ粒子膜５が無電解Ｎｉめっ
き液中で触媒として作用し、無電解Ｎｉめっき液の自己
還元反応によりＮｉ粒子膜５上にＮｉが自己析出し、Ｎ
ｉ膜６が形成される（図４（ｄ））。つぎに、無電解Ａ
ｕめっき液中に半導体装置３を浸漬する無電解Ａｕめっ
き工程を行う。これは、Ｎｉ膜６単独ではＮｉの酸化膜
のために接続性が悪いため、接続性を高める目的で、Ａ
ｕ膜７をＮｉと無電解Ａｕめっき液中のＡｕイオンとの
置換反応によって形成する（図４（ｅ））。
置３を浸漬する無電解Ｎｉめっき工程を行う。ここで
は、前の工程で形成したＮｉ粒子膜５が無電解Ｎｉめっ
き液中で触媒として作用し、無電解Ｎｉめっき液の自己
還元反応によりＮｉ粒子膜５上にＮｉが自己析出し、Ｎ
ｉ膜６が形成される（図４（ｄ））。つぎに、無電解Ａ
ｕめっき液中に半導体装置３を浸漬する無電解Ａｕめっ
き工程を行う。これは、Ｎｉ膜６単独ではＮｉの酸化膜
のために接続性が悪いため、接続性を高める目的で、Ａ
ｕ膜７をＮｉと無電解Ａｕめっき液中のＡｕイオンとの
置換反応によって形成する（図４（ｅ））。
【０００６】この半導体装置３をベアチップ実装する場
合には、外部電極となるＡｌ電極１上に形成したＮｉ粒
子膜５，Ｎｉ膜６およびＡｕ膜７からなる突起電極を、
直接回路基板にフリップチップ実装で接続したり、また
ＴＣＰにパッケージングする。
合には、外部電極となるＡｌ電極１上に形成したＮｉ粒
子膜５，Ｎｉ膜６およびＡｕ膜７からなる突起電極を、
直接回路基板にフリップチップ実装で接続したり、また
ＴＣＰにパッケージングする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記図４に示す突起電
極形成方法では、Ａｌ電極１上にＮｉ膜６を無電解Ｎｉ
めっきで形成する前に、無電解Ｎｉめっき前処理とし
て、ＡｌとＮｉイオンの置換反応によるＮｉ粒子膜５を
形成している。これは、それ以前に、半導体装置の外部
電極上に無電界めっき法によってＮｉ膜とＡｕ等の他の
金属膜とを積層して突起電極を形成する方法では、無電
解Ｎｉめっき前処理としてＺｎの置換処理が行われてい
たが、Ｚｎの置換処理によるＺｎ粒子の層が存在する
と、Ｚｎ層は耐食性が極めて悪いため、Ｎｉのめっき膜
上にＡｕ等の他の金属膜を無電解めっきにより積層する
際のめっき液の浸入や、突起電極形成後の外部からの水
分の浸入によって、Ｚｎ層が腐食して、Ｎｉのめっき膜
と他の金属膜との密着性が悪くなるという欠点があり、
Ｚｎの置換処理に代わる方法としてＮｉの置換処理が用
いられるようになったものである。
極形成方法では、Ａｌ電極１上にＮｉ膜６を無電解Ｎｉ
めっきで形成する前に、無電解Ｎｉめっき前処理とし
て、ＡｌとＮｉイオンの置換反応によるＮｉ粒子膜５を
形成している。これは、それ以前に、半導体装置の外部
電極上に無電界めっき法によってＮｉ膜とＡｕ等の他の
金属膜とを積層して突起電極を形成する方法では、無電
解Ｎｉめっき前処理としてＺｎの置換処理が行われてい
たが、Ｚｎの置換処理によるＺｎ粒子の層が存在する
と、Ｚｎ層は耐食性が極めて悪いため、Ｎｉのめっき膜
上にＡｕ等の他の金属膜を無電解めっきにより積層する
際のめっき液の浸入や、突起電極形成後の外部からの水
分の浸入によって、Ｚｎ層が腐食して、Ｎｉのめっき膜
と他の金属膜との密着性が悪くなるという欠点があり、
Ｚｎの置換処理に代わる方法としてＮｉの置換処理が用
いられるようになったものである。
【０００８】しかしながら図４に示す突起電極形成方法
では、Ｎｉ粒子膜５の粒子のサイズにバラツキが生じ易
いために、Ｎｉ粒子膜５とＡｌ電極１との界面に隙間が
生じてしまい、接触抵抗値が高くなるという問題点を有
していた。本発明の目的は、半導体装置の外部電極との
密着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極を形成するこ
とができる半導体装置の突起電極形成方法を提供するこ
とである。
では、Ｎｉ粒子膜５の粒子のサイズにバラツキが生じ易
いために、Ｎｉ粒子膜５とＡｌ電極１との界面に隙間が
生じてしまい、接触抵抗値が高くなるという問題点を有
していた。本発明の目的は、半導体装置の外部電極との
密着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極を形成するこ
とができる半導体装置の突起電極形成方法を提供するこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置の突起電極形成方法は、半導体装置の外部電極上に、
無電解Ｎｉめっきの前処理としてＮｉ粒子膜を形成した
後、無電解めっき法によってＮｉ膜と１種類以上の他の
金属膜とを積層することにより突起電極を形成する半導
体装置の突起電極形成方法であって、Ｎｉ粒子膜の形成
工程は、外部電極上に離散したＮｉ粒子を形成する工程
と洗浄工程とを２回以上繰り返すことを特徴とする。
置の突起電極形成方法は、半導体装置の外部電極上に、
無電解Ｎｉめっきの前処理としてＮｉ粒子膜を形成した
後、無電解めっき法によってＮｉ膜と１種類以上の他の
金属膜とを積層することにより突起電極を形成する半導
体装置の突起電極形成方法であって、Ｎｉ粒子膜の形成
工程は、外部電極上に離散したＮｉ粒子を形成する工程
と洗浄工程とを２回以上繰り返すことを特徴とする。
【００１０】この方法によれば、外部電極上に離散した
Ｎｉ粒子を形成する工程と洗浄工程とを２回以上繰り返
すことにより、Ｎｉ粒子膜は、均一な大きさのＮｉ粒子
が隙間なく形成されたものとなり、外部電極とＮｉ粒子
膜の間に隙間が形成されることがない。そして、Ｎｉ粒
子膜の上にＮｉ膜，さらにその上に他の金属膜が無電解
めっき法により形成されるが、他の金属膜の形成時に外
部電極とＮｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入がなく、
極めて容易に外部電極表面に密着性が高く、接触抵抗値
の低い突起電極を形成することができる。
Ｎｉ粒子を形成する工程と洗浄工程とを２回以上繰り返
すことにより、Ｎｉ粒子膜は、均一な大きさのＮｉ粒子
が隙間なく形成されたものとなり、外部電極とＮｉ粒子
膜の間に隙間が形成されることがない。そして、Ｎｉ粒
子膜の上にＮｉ膜，さらにその上に他の金属膜が無電解
めっき法により形成されるが、他の金属膜の形成時に外
部電極とＮｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入がなく、
極めて容易に外部電極表面に密着性が高く、接触抵抗値
の低い突起電極を形成することができる。
【００１１】請求項２記載の半導体装置の突起電極形成
方法は、半導体装置の外部電極上に、無電解Ｎｉめっき
の前処理としてＮｉ粒子膜を形成した後、無電解めっき
法によってＮｉ膜と１種類以上の他の金属膜とを積層す
ることにより突起電極を形成する半導体装置の突起電極
形成方法であって、Ｎｉ粒子膜の形成工程は、第１のＮ
ｉ粒子を形成する工程と第１の洗浄工程と第１のＮｉ粒
子を溶解させる工程と第２の洗浄工程とを１回以上行っ
た後に、第２のＮｉ粒子を形成する工程を行うことを特
徴とする。
方法は、半導体装置の外部電極上に、無電解Ｎｉめっき
の前処理としてＮｉ粒子膜を形成した後、無電解めっき
法によってＮｉ膜と１種類以上の他の金属膜とを積層す
ることにより突起電極を形成する半導体装置の突起電極
形成方法であって、Ｎｉ粒子膜の形成工程は、第１のＮ
ｉ粒子を形成する工程と第１の洗浄工程と第１のＮｉ粒
子を溶解させる工程と第２の洗浄工程とを１回以上行っ
た後に、第２のＮｉ粒子を形成する工程を行うことを特
徴とする。
【００１２】この方法によれば、第１のＮｉ粒子を形成
する工程と第１の洗浄工程と第１のＮｉ粒子を溶解させ
る工程と第２の洗浄工程とを１回以上行った後に、第２
のＮｉ粒子を形成する工程を行うことにより形成される
Ｎｉ粒子膜は、微細で均一な大きさのＮｉ粒子が隙間な
く形成されたものとなり、外部電極とＮｉ粒子膜の間に
隙間が形成されることがない。そして、Ｎｉ粒子膜の上
にＮｉ膜，さらにその上に他の金属膜が無電解めっき法
により形成されるが、他の金属膜の形成時に外部電極と
Ｎｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入がなく、極めて容
易に外部電極表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い突
起電極を形成することができる。
する工程と第１の洗浄工程と第１のＮｉ粒子を溶解させ
る工程と第２の洗浄工程とを１回以上行った後に、第２
のＮｉ粒子を形成する工程を行うことにより形成される
Ｎｉ粒子膜は、微細で均一な大きさのＮｉ粒子が隙間な
く形成されたものとなり、外部電極とＮｉ粒子膜の間に
隙間が形成されることがない。そして、Ｎｉ粒子膜の上
にＮｉ膜，さらにその上に他の金属膜が無電解めっき法
により形成されるが、他の金属膜の形成時に外部電極と
Ｎｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入がなく、極めて容
易に外部電極表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い突
起電極を形成することができる。
【００１３】請求項３記載の半導体装置の突起電極形成
方法は、半導体装置の外部電極上に、無電解Ｎｉめっき
の前処理としてＮｉ粒子膜を形成した後、無電解めっき
法によってＮｉ膜と１種類以上の他の金属膜とを積層す
ることにより突起電極を形成する半導体装置の突起電極
形成方法であって、Ｎｉ膜の形成工程は、析出速度が低
速度の無電解Ｎｉめっきを行った後、析出速度が高速度
の無電解Ｎｉめっきを行うことを特徴とする。
方法は、半導体装置の外部電極上に、無電解Ｎｉめっき
の前処理としてＮｉ粒子膜を形成した後、無電解めっき
法によってＮｉ膜と１種類以上の他の金属膜とを積層す
ることにより突起電極を形成する半導体装置の突起電極
形成方法であって、Ｎｉ膜の形成工程は、析出速度が低
速度の無電解Ｎｉめっきを行った後、析出速度が高速度
の無電解Ｎｉめっきを行うことを特徴とする。
【００１４】この方法によれば、Ｎｉ粒子膜を形成した
後、Ｎｉ膜を形成する際に、まず析出速度が低速度の無
電解Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎｉ粒子膜の隙間が
Ｎｉ膜で埋められるため、外部電極とＮｉ粒子膜の間に
隙間が形成されることがない。そして、析出速度が高速
度の無電解Ｎｉめっきを行った後、他の金属膜が無電解
めっき法により形成されるが、他の金属膜の形成時に外
部電極とＮｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入がなく、
極めて容易に外部電極表面に密着性が高く、接触抵抗値
の低い突起電極を形成することができる。
後、Ｎｉ膜を形成する際に、まず析出速度が低速度の無
電解Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎｉ粒子膜の隙間が
Ｎｉ膜で埋められるため、外部電極とＮｉ粒子膜の間に
隙間が形成されることがない。そして、析出速度が高速
度の無電解Ｎｉめっきを行った後、他の金属膜が無電解
めっき法により形成されるが、他の金属膜の形成時に外
部電極とＮｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入がなく、
極めて容易に外部電極表面に密着性が高く、接触抵抗値
の低い突起電極を形成することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。 〔第１の実施の形態〕まず、本発明の第１の実施の形態
について説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に
おける半導体装置の突起電極形成方法を示す工程断面図
である。図１において、１は半導体装置３の外部電極で
あるＡｌ電極、４は保護膜、６はＮｉ膜、７はＡｕ膜、
８，９はＮｉ粒子膜である。
て、図面を参照しながら説明する。 〔第１の実施の形態〕まず、本発明の第１の実施の形態
について説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に
おける半導体装置の突起電極形成方法を示す工程断面図
である。図１において、１は半導体装置３の外部電極で
あるＡｌ電極、４は保護膜、６はＮｉ膜、７はＡｕ膜、
８，９はＮｉ粒子膜である。
【００１６】まず、突起電極形成前に、半導体装置３を
リン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬するウエッ
トエッチング工程によって、Ａｌ電極１の表面に形成さ
れた自然酸化膜（図４参照）の除去を行う（図１
（ａ））。この後、純水により洗浄を行う。つぎに、図
１（ｂ）に示すように、Ａｌ電極１上にＮｉ粒子膜８を
形成する。これは、図１（ａ）の工程によって自然酸化
膜を除去したが、そのまま放置すると再度Ａｌ電極１上
に自然酸化膜が形成されてしまうため、このＡｌ電極１
上への自然酸化膜の再形成を防止するために、８０℃に
保持したＮｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）の
溶液中に２０秒浸漬することにより、Ａｌと溶液中のＮ
ｉイオンの置換反応を利用して、Ａｌ電極１の表面に膜
厚３００〜５００ÅのＮｉ粒子膜８を形成する。このＮ
ｉ粒子膜８の形成時には、Ａｌ電極１上に自然酸化膜は
存在しないが、Ａｌ電極１の表面において、Ｎｉ置換反
応が進む部分と進まない部分が存在するために、Ｎｉ粒
子が離散した状態のＮｉ粒子膜８となる。このＮｉ粒子
膜８を形成後、純水により洗浄を行う。
リン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬するウエッ
トエッチング工程によって、Ａｌ電極１の表面に形成さ
れた自然酸化膜（図４参照）の除去を行う（図１
（ａ））。この後、純水により洗浄を行う。つぎに、図
１（ｂ）に示すように、Ａｌ電極１上にＮｉ粒子膜８を
形成する。これは、図１（ａ）の工程によって自然酸化
膜を除去したが、そのまま放置すると再度Ａｌ電極１上
に自然酸化膜が形成されてしまうため、このＡｌ電極１
上への自然酸化膜の再形成を防止するために、８０℃に
保持したＮｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）の
溶液中に２０秒浸漬することにより、Ａｌと溶液中のＮ
ｉイオンの置換反応を利用して、Ａｌ電極１の表面に膜
厚３００〜５００ÅのＮｉ粒子膜８を形成する。このＮ
ｉ粒子膜８の形成時には、Ａｌ電極１上に自然酸化膜は
存在しないが、Ａｌ電極１の表面において、Ｎｉ置換反
応が進む部分と進まない部分が存在するために、Ｎｉ粒
子が離散した状態のＮｉ粒子膜８となる。このＮｉ粒子
膜８を形成後、純水により洗浄を行う。
【００１７】つぎに、図１（ｃ）に示すように、Ａｌ電
極１上に再度Ｎｉ粒子膜９を形成する。これは、図１
（ｂ）の工程によってＮｉ粒子膜８を形成したが、Ａｌ
電極１上でＮｉ粒子が析出していない部分が残っている
ため、図１（ｂ）の処理と同一の８０℃に保持したＮｉ
を含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）の溶液中に２０
秒浸漬することにより、Ｎｉ粒子膜８の隙間にもＮｉ粒
子が析出したＮｉ粒子膜９を形成する。このＮｉ粒子膜
９を形成後、純水により洗浄を行う。
極１上に再度Ｎｉ粒子膜９を形成する。これは、図１
（ｂ）の工程によってＮｉ粒子膜８を形成したが、Ａｌ
電極１上でＮｉ粒子が析出していない部分が残っている
ため、図１（ｂ）の処理と同一の８０℃に保持したＮｉ
を含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）の溶液中に２０
秒浸漬することにより、Ｎｉ粒子膜８の隙間にもＮｉ粒
子が析出したＮｉ粒子膜９を形成する。このＮｉ粒子膜
９を形成後、純水により洗浄を行う。
【００１８】つぎに、図１（ｄ）に示すように、Ａｌ電
極１上に隙間なく形成されたＮｉ粒子膜９上に、無電解
めっき法によりＮｉ膜６を形成する。このとき、図１
（ｃ）の工程において形成されたＮｉ粒子膜９が無電解
Ｎｉめっき液中で触媒として作用し、無電解Ｎｉめっき
液の自己還元反応によりＮｉ粒子膜９上にＮｉが自己析
出し、Ｎｉ膜６が形成される。具体的には、半導体装置
３を９０℃に保持した無電解Ｎｉめっき液中に２〜５分
間浸漬することにより、半導体装置３のＡｌ電極１上に
１．０〜２．０μｍのＮｉ膜６を形成する。このＮｉ膜
６を形成後、純水により洗浄を行う。
極１上に隙間なく形成されたＮｉ粒子膜９上に、無電解
めっき法によりＮｉ膜６を形成する。このとき、図１
（ｃ）の工程において形成されたＮｉ粒子膜９が無電解
Ｎｉめっき液中で触媒として作用し、無電解Ｎｉめっき
液の自己還元反応によりＮｉ粒子膜９上にＮｉが自己析
出し、Ｎｉ膜６が形成される。具体的には、半導体装置
３を９０℃に保持した無電解Ｎｉめっき液中に２〜５分
間浸漬することにより、半導体装置３のＡｌ電極１上に
１．０〜２．０μｍのＮｉ膜６を形成する。このＮｉ膜
６を形成後、純水により洗浄を行う。
【００１９】つぎに、図１（ｅ）に示すように、Ｎｉ膜
６上に、無電解めっき法によりＡｕ膜７を形成する。具
体的には、半導体装置３を９０℃に保持した無電解Ａｕ
めっき液中に４０分間浸漬することにより、Ｎｉ膜６上
に０．２μｍのＡｕ膜７を形成する。このＡｕ膜７を形
成後、純水により洗浄を行う。この実施の形態によれ
ば、図１（ｂ），（ｃ）のように、Ｎｉ粒子を形成する
工程と洗浄工程とを２回繰り返すことにより、Ｎｉ粒子
膜９は、均一な大きさのＮｉ粒子が隙間なく形成された
ものとなり、Ａｌ電極１とＮｉ粒子膜９の間に隙間が形
成されることがない。その結果、Ａｕ膜７の形成時にＡ
ｌ電極１とＮｉ粒子膜９の界面に無電解Ａｕめっき液の
侵入がないため、極めて容易にＡｌ電極１表面に密着性
が高く、接触抵抗値の低い突起電極を形成することがで
きる。
６上に、無電解めっき法によりＡｕ膜７を形成する。具
体的には、半導体装置３を９０℃に保持した無電解Ａｕ
めっき液中に４０分間浸漬することにより、Ｎｉ膜６上
に０．２μｍのＡｕ膜７を形成する。このＡｕ膜７を形
成後、純水により洗浄を行う。この実施の形態によれ
ば、図１（ｂ），（ｃ）のように、Ｎｉ粒子を形成する
工程と洗浄工程とを２回繰り返すことにより、Ｎｉ粒子
膜９は、均一な大きさのＮｉ粒子が隙間なく形成された
ものとなり、Ａｌ電極１とＮｉ粒子膜９の間に隙間が形
成されることがない。その結果、Ａｕ膜７の形成時にＡ
ｌ電極１とＮｉ粒子膜９の界面に無電解Ａｕめっき液の
侵入がないため、極めて容易にＡｌ電極１表面に密着性
が高く、接触抵抗値の低い突起電極を形成することがで
きる。
【００２０】なお、この実施の形態では、最終的なＮｉ
粒子膜９を、Ｎｉ粒子を形成する工程と洗浄工程とを２
回繰り返すことにより形成したが、Ｎｉ粒子を形成する
工程と洗浄工程とを３回以上繰り返すことにより形成し
てもよい。 〔第２の実施の形態〕つぎに、本発明の第２の実施の形
態について説明する。図２は本発明の第２の実施の形態
における半導体装置の突起電極形成方法を示す工程断面
図である。図２において、１は半導体装置３の外部電極
であるＡｌ電極、４は保護膜、６はＮｉ膜、７はＡｕ
膜、１０，１１はＮｉ粒子膜である。
粒子膜９を、Ｎｉ粒子を形成する工程と洗浄工程とを２
回繰り返すことにより形成したが、Ｎｉ粒子を形成する
工程と洗浄工程とを３回以上繰り返すことにより形成し
てもよい。 〔第２の実施の形態〕つぎに、本発明の第２の実施の形
態について説明する。図２は本発明の第２の実施の形態
における半導体装置の突起電極形成方法を示す工程断面
図である。図２において、１は半導体装置３の外部電極
であるＡｌ電極、４は保護膜、６はＮｉ膜、７はＡｕ
膜、１０，１１はＮｉ粒子膜である。
【００２１】まず、突起電極形成前に、半導体装置３を
リン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬するウエッ
トエッチング工程によって、Ａｌ電極１の表面に形成さ
れた自然酸化膜（図４参照）の除去を行う（図２
（ａ））。この後、純水により洗浄を行う。つぎに、図
２（ｂ）に示すように、Ａｌ電極１上にＮｉ粒子膜１０
を形成する。これは、図２（ａ）の工程によって自然酸
化膜を除去したが、そのまま放置すると再度Ａｌ電極１
上に自然酸化膜が形成されてしまうため、このＡｌ電極
１上への自然酸化膜の再形成を防止するために、８０℃
に保持したＮｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）
の溶液中に３０秒浸漬することにより、Ａｌと溶液中の
Ｎｉイオンの置換反応を利用して、Ａｌ電極１の表面に
膜厚３００〜５００ÅのＮｉ粒子膜１０を形成する。こ
の図２（ｂ）の工程では、図１（ｂ）の工程の浸漬時間
（２０秒）よりも長い時間（３０秒）浸漬することによ
り、Ａｌ電極１上全面にＮｉ粒子を析出させているが、
Ｎｉ粒子のサイズにバラツキがある。このＮｉ粒子膜１
０を形成後、純水により洗浄を行う。
リン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬するウエッ
トエッチング工程によって、Ａｌ電極１の表面に形成さ
れた自然酸化膜（図４参照）の除去を行う（図２
（ａ））。この後、純水により洗浄を行う。つぎに、図
２（ｂ）に示すように、Ａｌ電極１上にＮｉ粒子膜１０
を形成する。これは、図２（ａ）の工程によって自然酸
化膜を除去したが、そのまま放置すると再度Ａｌ電極１
上に自然酸化膜が形成されてしまうため、このＡｌ電極
１上への自然酸化膜の再形成を防止するために、８０℃
に保持したＮｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）
の溶液中に３０秒浸漬することにより、Ａｌと溶液中の
Ｎｉイオンの置換反応を利用して、Ａｌ電極１の表面に
膜厚３００〜５００ÅのＮｉ粒子膜１０を形成する。こ
の図２（ｂ）の工程では、図１（ｂ）の工程の浸漬時間
（２０秒）よりも長い時間（３０秒）浸漬することによ
り、Ａｌ電極１上全面にＮｉ粒子を析出させているが、
Ｎｉ粒子のサイズにバラツキがある。このＮｉ粒子膜１
０を形成後、純水により洗浄を行う。
【００２２】つぎに、図２（ｃ）に示すように、Ａｌ電
極１上に形成したＮｉ粒子膜１０を除去する。これは、
図２（ｂ）の工程によって形成したＮｉ粒子膜１０は、
その形成処理時間が長く、Ａｌ電極１上全面にＮｉ粒子
が析出しているが、Ｎｉ粒子のサイズにバラツキが生じ
ているため、Ｎｉを溶解する溶液中に半導体装置３を浸
漬することで、Ｎｉ粒子膜１０を溶解させる。具体的に
は、半導体装置３を４０％の硝酸溶液や塩酸溶液中に２
０秒間浸漬してＮｉ粒子膜１０をすべて溶解する。溶解
後は、純水により洗浄を行う。
極１上に形成したＮｉ粒子膜１０を除去する。これは、
図２（ｂ）の工程によって形成したＮｉ粒子膜１０は、
その形成処理時間が長く、Ａｌ電極１上全面にＮｉ粒子
が析出しているが、Ｎｉ粒子のサイズにバラツキが生じ
ているため、Ｎｉを溶解する溶液中に半導体装置３を浸
漬することで、Ｎｉ粒子膜１０を溶解させる。具体的に
は、半導体装置３を４０％の硝酸溶液や塩酸溶液中に２
０秒間浸漬してＮｉ粒子膜１０をすべて溶解する。溶解
後は、純水により洗浄を行う。
【００２３】つぎに、図２（ｄ）に示すように、半導体
装置３のＡｌ電極１上に再度Ｎｉ粒子膜１１を形成す
る。これは、図２（ｃ）の工程によってＮｉ粒子膜１０
を除去したＡｌ電極１上に、再度図２（ｂ）で使用した
８０℃に保持したＮｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜
１０）の溶液中に半導体装置３を２０〜３０秒浸漬する
ことにより、Ａｌと溶液中のＮｉイオンの置換反応を利
用して、Ａｌ電極１の表面に膜厚３００〜５００Åの緻
密で粒子サイズが均一なＮｉ粒子膜１１を形成する。こ
のＮｉ粒子膜１１を形成後、純水により洗浄を行う。
装置３のＡｌ電極１上に再度Ｎｉ粒子膜１１を形成す
る。これは、図２（ｃ）の工程によってＮｉ粒子膜１０
を除去したＡｌ電極１上に、再度図２（ｂ）で使用した
８０℃に保持したＮｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜
１０）の溶液中に半導体装置３を２０〜３０秒浸漬する
ことにより、Ａｌと溶液中のＮｉイオンの置換反応を利
用して、Ａｌ電極１の表面に膜厚３００〜５００Åの緻
密で粒子サイズが均一なＮｉ粒子膜１１を形成する。こ
のＮｉ粒子膜１１を形成後、純水により洗浄を行う。
【００２４】つぎに、図２（ｅ）に示すように、Ａｌ電
極１上に隙間なく形成されたＮｉ粒子膜１１上に、無電
解めっき法によりＮｉ膜６を形成する。このとき、図２
（ｄ）の工程において形成されたＮｉ粒子膜１１が無電
解Ｎｉめっき液中で触媒として作用し、無電解Ｎｉめっ
き液の自己還元反応によりＮｉ粒子膜１１上にＮｉが自
己析出し、Ｎｉ膜６が形成される。具体的には、半導体
装置３を９０℃に保持した無電解Ｎｉめっき液中に２〜
５分間浸漬することにより、半導体装置３のＡｌ電極１
上に１．０〜２．０μｍのＮｉ膜６を形成する。このＮ
ｉ膜６を形成後、純水により洗浄を行う。
極１上に隙間なく形成されたＮｉ粒子膜１１上に、無電
解めっき法によりＮｉ膜６を形成する。このとき、図２
（ｄ）の工程において形成されたＮｉ粒子膜１１が無電
解Ｎｉめっき液中で触媒として作用し、無電解Ｎｉめっ
き液の自己還元反応によりＮｉ粒子膜１１上にＮｉが自
己析出し、Ｎｉ膜６が形成される。具体的には、半導体
装置３を９０℃に保持した無電解Ｎｉめっき液中に２〜
５分間浸漬することにより、半導体装置３のＡｌ電極１
上に１．０〜２．０μｍのＮｉ膜６を形成する。このＮ
ｉ膜６を形成後、純水により洗浄を行う。
【００２５】つぎに、図２（ｆ）に示すように、Ｎｉ膜
６上に、無電解めっき法によりＡｕ膜７を形成する。具
体的には、半導体装置３を９０℃に保持した無電解Ａｕ
めっき液中に４０分間浸漬することにより、Ｎｉ膜６上
に０．２μｍのＡｕ膜７を形成する。このＡｕ膜７を形
成後、純水により洗浄を行う。なお、図２（ｂ）の工程
におけるＮｉ粒子膜１０の形成時は、自然酸化膜を除去
した後であり、Ａｌ電極１の表面全面で均一なＮｉ置換
反応が開始する状態ではなく、反応時間の差により、Ｎ
ｉ粒子のサイズにばらつきのあるＮｉ粒子膜１０とな
る。これに対し、図２（ｄ）の工程におけるＮｉ粒子膜
１１の形成時は、Ａｌ電極１の表面は一度Ｎｉ置換反応
した面であるため、Ａｌ電極１の表面全面で均一なＮｉ
置換反応を起こし易い状態となっており、粒子サイズが
均一なＮｉ粒子膜１１を形成できる。
６上に、無電解めっき法によりＡｕ膜７を形成する。具
体的には、半導体装置３を９０℃に保持した無電解Ａｕ
めっき液中に４０分間浸漬することにより、Ｎｉ膜６上
に０．２μｍのＡｕ膜７を形成する。このＡｕ膜７を形
成後、純水により洗浄を行う。なお、図２（ｂ）の工程
におけるＮｉ粒子膜１０の形成時は、自然酸化膜を除去
した後であり、Ａｌ電極１の表面全面で均一なＮｉ置換
反応が開始する状態ではなく、反応時間の差により、Ｎ
ｉ粒子のサイズにばらつきのあるＮｉ粒子膜１０とな
る。これに対し、図２（ｄ）の工程におけるＮｉ粒子膜
１１の形成時は、Ａｌ電極１の表面は一度Ｎｉ置換反応
した面であるため、Ａｌ電極１の表面全面で均一なＮｉ
置換反応を起こし易い状態となっており、粒子サイズが
均一なＮｉ粒子膜１１を形成できる。
【００２６】この実施の形態によれば、Ｎｉ粒子膜１０
の形成，洗浄，Ｎｉ粒子膜１０の溶解除去，洗浄を行っ
た後に、Ｎｉ粒子膜１１を形成することにより、形成さ
れるＮｉ粒子膜１１は、微細で均一な大きさのＮｉ粒子
が隙間なく形成されたものとなり、Ａｌ電極１とＮｉ粒
子膜１１の間に隙間が形成されることがない。その結
果、Ａｕ膜７の形成時にＡｌ電極とＮｉ粒子膜１１との
界面に無電解Ａｕめっき液の侵入がないため、極めて容
易にＡｌ電極１表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い
突起電極を形成することができる。
の形成，洗浄，Ｎｉ粒子膜１０の溶解除去，洗浄を行っ
た後に、Ｎｉ粒子膜１１を形成することにより、形成さ
れるＮｉ粒子膜１１は、微細で均一な大きさのＮｉ粒子
が隙間なく形成されたものとなり、Ａｌ電極１とＮｉ粒
子膜１１の間に隙間が形成されることがない。その結
果、Ａｕ膜７の形成時にＡｌ電極とＮｉ粒子膜１１との
界面に無電解Ａｕめっき液の侵入がないため、極めて容
易にＡｌ電極１表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い
突起電極を形成することができる。
【００２７】なお、この実施の形態では、最終的に使用
されるＮｉ粒子膜１１の前に、Ｎｉ粒子膜１０の形成，
洗浄，Ｎｉ粒子膜１０の溶解除去，洗浄を１回行ってい
るが、２回以上行うようにしてもよい。 〔第３の実施の形態〕つぎに、本発明の第３の実施の形
態について説明する。図３は本発明の第３の実施の形態
における半導体装置の突起電極形成方法を示す工程断面
図である。図３において、１は半導体装置３の外部電極
であるＡｌ電極、４は保護膜、５はＮｉ粒子膜、６，１
２はＮｉ膜、７はＡｕ膜である。
されるＮｉ粒子膜１１の前に、Ｎｉ粒子膜１０の形成，
洗浄，Ｎｉ粒子膜１０の溶解除去，洗浄を１回行ってい
るが、２回以上行うようにしてもよい。 〔第３の実施の形態〕つぎに、本発明の第３の実施の形
態について説明する。図３は本発明の第３の実施の形態
における半導体装置の突起電極形成方法を示す工程断面
図である。図３において、１は半導体装置３の外部電極
であるＡｌ電極、４は保護膜、５はＮｉ粒子膜、６，１
２はＮｉ膜、７はＡｕ膜である。
【００２８】まず、突起電極形成前に、半導体装置３を
リン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬するウエッ
トエッチング工程によって、Ａｌ電極１の表面に形成さ
れた自然酸化膜（図４参照）の除去を行う（図３
（ａ））。この後、純水により洗浄を行う。つぎに、図
３（ｂ）に示すように、Ａｌ電極１上にＮｉ粒子膜５を
形成する。これは、図３（ａ）の工程によって自然酸化
膜を除去したが、そのまま放置すると再度Ａｌ電極１上
に自然酸化膜が形成されてしまうため、このＡｌ電極１
上への自然酸化膜の再形成を防止するために、８０℃に
保持したＮｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）の
溶液中に６０秒浸漬することにより、Ａｌと溶液中のＮ
ｉイオンの置換反応を利用して、Ａｌ電極１の表面に膜
厚３００〜５００ÅのＮｉ粒子膜５を形成する。このＮ
ｉ粒子膜５を形成後、純水により洗浄を行う。
リン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬するウエッ
トエッチング工程によって、Ａｌ電極１の表面に形成さ
れた自然酸化膜（図４参照）の除去を行う（図３
（ａ））。この後、純水により洗浄を行う。つぎに、図
３（ｂ）に示すように、Ａｌ電極１上にＮｉ粒子膜５を
形成する。これは、図３（ａ）の工程によって自然酸化
膜を除去したが、そのまま放置すると再度Ａｌ電極１上
に自然酸化膜が形成されてしまうため、このＡｌ電極１
上への自然酸化膜の再形成を防止するために、８０℃に
保持したＮｉを含有するアルカリ性（ｐＨ９〜１０）の
溶液中に６０秒浸漬することにより、Ａｌと溶液中のＮ
ｉイオンの置換反応を利用して、Ａｌ電極１の表面に膜
厚３００〜５００ÅのＮｉ粒子膜５を形成する。このＮ
ｉ粒子膜５を形成後、純水により洗浄を行う。
【００２９】つぎに、図３（ｃ）に示すように、析出速
度が低速度（０．５μｍ／ｈｒ以下）の無電解めっき法
により、Ａｌ電極１上にＮｉ膜１２を形成する。これ
は、図３（ｂ）の工程において形成されたＮｉ粒子膜５
が無電解Ｎｉめっき液中で触媒として作用し、無電解Ｎ
ｉめっき液の自己還元反応によりＮｉ粒子膜５上にＮｉ
が自己析出し、Ｎｉ膜１２が形成される。このとき、無
電解Ｎｉめっきの析出速度が低速であるため、Ｎｉ粒子
膜５の隙間をＮｉ膜１２が埋めることになる。具体的に
は、析出速度を低速度にするため６０℃に保持した無電
解Ｎｉめっき液中に半導体装置３を５〜１５分間浸漬す
ることにより、Ｎｉ粒子膜５上に０．０５〜０．１μｍ
のＮｉ膜１２を形成する。このＮｉ膜１２を形成後、純
水により洗浄を行う。
度が低速度（０．５μｍ／ｈｒ以下）の無電解めっき法
により、Ａｌ電極１上にＮｉ膜１２を形成する。これ
は、図３（ｂ）の工程において形成されたＮｉ粒子膜５
が無電解Ｎｉめっき液中で触媒として作用し、無電解Ｎ
ｉめっき液の自己還元反応によりＮｉ粒子膜５上にＮｉ
が自己析出し、Ｎｉ膜１２が形成される。このとき、無
電解Ｎｉめっきの析出速度が低速であるため、Ｎｉ粒子
膜５の隙間をＮｉ膜１２が埋めることになる。具体的に
は、析出速度を低速度にするため６０℃に保持した無電
解Ｎｉめっき液中に半導体装置３を５〜１５分間浸漬す
ることにより、Ｎｉ粒子膜５上に０．０５〜０．１μｍ
のＮｉ膜１２を形成する。このＮｉ膜１２を形成後、純
水により洗浄を行う。
【００３０】つぎに、図３（ｄ）に示すように、図３
（ｃ）の工程で形成されたＮｉ膜１２上に、析出速度が
高速度（１０μｍ／ｈｒ以上）の無電解めっき法によ
り、Ｎｉ膜６を形成する。このとき、図３（ｃ）の工程
で形成されたＮｉ膜１２が無電解Ｎｉめっき液中で触媒
として作用し、無電解Ｎｉめっき液の自己還元反応によ
りＮｉ膜１２上にＮｉが自己析出し、Ｎｉ膜６が形成さ
れる。具体的には、析出速度を高速度にするため９０℃
に保持した無電解Ｎｉめっき液中に半導体装置３を２〜
５分間浸漬することにより、Ｎｉ膜１２上に１．０〜
２．０μｍのＮｉ膜６を形成する。このＮｉ膜６を形成
後、純水により洗浄を行う。
（ｃ）の工程で形成されたＮｉ膜１２上に、析出速度が
高速度（１０μｍ／ｈｒ以上）の無電解めっき法によ
り、Ｎｉ膜６を形成する。このとき、図３（ｃ）の工程
で形成されたＮｉ膜１２が無電解Ｎｉめっき液中で触媒
として作用し、無電解Ｎｉめっき液の自己還元反応によ
りＮｉ膜１２上にＮｉが自己析出し、Ｎｉ膜６が形成さ
れる。具体的には、析出速度を高速度にするため９０℃
に保持した無電解Ｎｉめっき液中に半導体装置３を２〜
５分間浸漬することにより、Ｎｉ膜１２上に１．０〜
２．０μｍのＮｉ膜６を形成する。このＮｉ膜６を形成
後、純水により洗浄を行う。
【００３１】つぎに、図３（ｅ）に示すように、Ｎｉ膜
６上に、無電解めっき法によりＡｕ膜７を形成する。具
体的には、半導体装置３を９０℃に保持した無電解Ａｕ
めっき液中に４０分間浸漬することにより、Ｎｉ膜６上
に０．２μｍのＡｕ膜７を形成する。このＡｕ膜７を形
成後、純水により洗浄を行う。この実施の形態によれ
ば、Ｎｉ粒子膜５を形成した後、Ｎｉ膜を形成する際
に、まず析出速度が低速度（０．５μｍ／ｈｒ以下）の
無電解Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎｉ粒子膜５の隙
間がＮｉ膜１２で埋められるため、Ａｌ電極１とＮｉ粒
子膜５の間に隙間が形成されることがない。その結果、
Ａｕ膜７の形成時にＡｌ電極１とＮｉ膜５の界面への無
電解Ａｕめっき液の侵入がないため、極めて容易にＡｌ
電極１表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極
を形成することができる。
６上に、無電解めっき法によりＡｕ膜７を形成する。具
体的には、半導体装置３を９０℃に保持した無電解Ａｕ
めっき液中に４０分間浸漬することにより、Ｎｉ膜６上
に０．２μｍのＡｕ膜７を形成する。このＡｕ膜７を形
成後、純水により洗浄を行う。この実施の形態によれ
ば、Ｎｉ粒子膜５を形成した後、Ｎｉ膜を形成する際
に、まず析出速度が低速度（０．５μｍ／ｈｒ以下）の
無電解Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎｉ粒子膜５の隙
間がＮｉ膜１２で埋められるため、Ａｌ電極１とＮｉ粒
子膜５の間に隙間が形成されることがない。その結果、
Ａｕ膜７の形成時にＡｌ電極１とＮｉ膜５の界面への無
電解Ａｕめっき液の侵入がないため、極めて容易にＡｌ
電極１表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極
を形成することができる。
【００３２】なお、第１，第２，第３の実施の形態にお
いて、無電解めっき工程において、Ｎｉ膜６上にＡｕ膜
７を形成したが、Ａｕ膜７の代わりに、Ｃｕ膜，Ｐｄ膜
またはＰｔ膜等を無電解めっき工程で形成するようにし
てもよい。
いて、無電解めっき工程において、Ｎｉ膜６上にＡｕ膜
７を形成したが、Ａｕ膜７の代わりに、Ｃｕ膜，Ｐｄ膜
またはＰｔ膜等を無電解めっき工程で形成するようにし
てもよい。
【００３３】
【発明の効果】請求項１記載の半導体装置の突起電極形
成方法は、外部電極上に離散したＮｉ粒子を形成する工
程と洗浄工程とを２回以上繰り返すことにより、形成さ
れるＮｉ粒子膜は、均一な大きさのＮｉ粒子が隙間なく
形成されたものとなり、外部電極とＮｉ粒子膜の間に隙
間が形成されることがない。そして、Ｎｉ粒子膜の上に
Ｎｉ膜，さらにその上に他の金属膜が無電解めっき法に
より形成されるが、他の金属膜の形成時に外部電極とＮ
ｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入がなく、極めて容易
に外部電極表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い突起
電極を形成することができる。
成方法は、外部電極上に離散したＮｉ粒子を形成する工
程と洗浄工程とを２回以上繰り返すことにより、形成さ
れるＮｉ粒子膜は、均一な大きさのＮｉ粒子が隙間なく
形成されたものとなり、外部電極とＮｉ粒子膜の間に隙
間が形成されることがない。そして、Ｎｉ粒子膜の上に
Ｎｉ膜，さらにその上に他の金属膜が無電解めっき法に
より形成されるが、他の金属膜の形成時に外部電極とＮ
ｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入がなく、極めて容易
に外部電極表面に密着性が高く、接触抵抗値の低い突起
電極を形成することができる。
【００３４】請求項２記載の半導体装置の突起電極形成
方法は、第１のＮｉ粒子を形成する工程と第１の洗浄工
程と第１のＮｉ粒子を溶解させる工程と第２の洗浄工程
とを１回以上行った後に、第２のＮｉ粒子を形成する工
程を行うことにより形成されるＮｉ粒子膜は、微細で均
一な大きさのＮｉ粒子が隙間なく形成されたものとな
り、外部電極とＮｉ粒子膜の間に隙間が形成されること
がない。そして、Ｎｉ粒子膜の上にＮｉ膜，さらにその
上に他の金属膜が無電解めっき法により形成されるが、
他の金属膜の形成時に外部電極とＮｉ粒子膜との界面に
めっき液の侵入がなく、極めて容易に外部電極表面に密
着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極を形成すること
ができる。
方法は、第１のＮｉ粒子を形成する工程と第１の洗浄工
程と第１のＮｉ粒子を溶解させる工程と第２の洗浄工程
とを１回以上行った後に、第２のＮｉ粒子を形成する工
程を行うことにより形成されるＮｉ粒子膜は、微細で均
一な大きさのＮｉ粒子が隙間なく形成されたものとな
り、外部電極とＮｉ粒子膜の間に隙間が形成されること
がない。そして、Ｎｉ粒子膜の上にＮｉ膜，さらにその
上に他の金属膜が無電解めっき法により形成されるが、
他の金属膜の形成時に外部電極とＮｉ粒子膜との界面に
めっき液の侵入がなく、極めて容易に外部電極表面に密
着性が高く、接触抵抗値の低い突起電極を形成すること
ができる。
【００３５】請求項３記載の半導体装置の突起電極形成
方法は、無電解Ｎｉめっきの前処理としてＮｉ粒子膜を
形成した後、Ｎｉ膜を形成する際に、まず析出速度が低
速度の無電解Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎｉ粒子膜
の隙間がＮｉ膜で埋められるため、外部電極とＮｉ粒子
膜の間に隙間が形成されることがない。そして、析出速
度が高速度の無電解Ｎｉめっきを行った後、他の金属膜
が無電解めっき法により形成されるが、他の金属膜の形
成時に外部電極とＮｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入
がなく、極めて容易に外部電極表面に密着性が高く、接
触抵抗値の低い突起電極を形成することができる。
方法は、無電解Ｎｉめっきの前処理としてＮｉ粒子膜を
形成した後、Ｎｉ膜を形成する際に、まず析出速度が低
速度の無電解Ｎｉめっきを行うことにより、Ｎｉ粒子膜
の隙間がＮｉ膜で埋められるため、外部電極とＮｉ粒子
膜の間に隙間が形成されることがない。そして、析出速
度が高速度の無電解Ｎｉめっきを行った後、他の金属膜
が無電解めっき法により形成されるが、他の金属膜の形
成時に外部電極とＮｉ粒子膜との界面にめっき液の侵入
がなく、極めて容易に外部電極表面に密着性が高く、接
触抵抗値の低い突起電極を形成することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における半導体装置
の突起電極形成方法を示す工程断面図である。
の突起電極形成方法を示す工程断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態における半導体装置
の突起電極形成方法を示す工程断面図である。
の突起電極形成方法を示す工程断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態における半導体装置
の突起電極形成方法を示す工程断面図である。
の突起電極形成方法を示す工程断面図である。
【図４】従来の半導体装置の突起電極形成方法を示す工
程断面図である。
程断面図である。
１ Ａｌ電極（外部電極） ２ 自然酸化膜 ３ 半導体装置 ４ 保護膜 ５ Ｎｉ粒子膜 ６ Ｎｉ膜 ７ Ａｕ膜 ８ Ｎｉ粒子膜 ９ Ｎｉ粒子膜 １０ Ｎｉ粒子膜 １１ Ｎｉ粒子膜 １２ Ｎｉ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置の外部電極上に、無電解Ｎｉ
めっきの前処理としてＮｉ粒子膜を形成した後、無電解
めっき法によってＮｉ膜と１種類以上の他の金属膜とを
積層することにより突起電極を形成する半導体装置の突
起電極形成方法であって、 前記Ｎｉ粒子膜の形成工程は、前記外部電極上に離散し
たＮｉ粒子を形成する工程と洗浄工程とを２回以上繰り
返すことを特徴とする半導体装置の突起電極形成方法。 - 【請求項２】 半導体装置の外部電極上に、無電解Ｎｉ
めっきの前処理としてＮｉ粒子膜を形成した後、無電解
めっき法によってＮｉ膜と１種類以上の他の金属膜とを
積層することにより突起電極を形成する半導体装置の突
起電極形成方法であって、 前記Ｎｉ粒子膜の形成工程は、第１のＮｉ粒子を形成す
る工程と第１の洗浄工程と前記第１のＮｉ粒子を溶解さ
せる工程と第２の洗浄工程とを１回以上行った後に、第
２のＮｉ粒子を形成する工程を行うことを特徴とする半
導体装置の突起電極形成方法。 - 【請求項３】 半導体装置の外部電極上に、無電解Ｎｉ
めっきの前処理としてＮｉ粒子膜を形成した後、無電解
めっき法によってＮｉ膜と１種類以上の他の金属膜とを
積層することにより突起電極を形成する半導体装置の突
起電極形成方法であって、 前記Ｎｉ膜の形成工程は、析出速度が低速度の無電解Ｎ
ｉめっきを行った後、析出速度が高速度の無電解Ｎｉめ
っきを行うことを特徴とする半導体装置の突起電極形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05577797A JP3274381B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 半導体装置の突起電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05577797A JP3274381B2 (ja) | 1997-03-11 | 1997-03-11 | 半導体装置の突起電極形成方法 |
Publications (2)
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