JPH10256332A - 評価用半導体ウェーハの作成方法及び装置 - Google Patents
評価用半導体ウェーハの作成方法及び装置Info
- Publication number
- JPH10256332A JPH10256332A JP6092197A JP6092197A JPH10256332A JP H10256332 A JPH10256332 A JP H10256332A JP 6092197 A JP6092197 A JP 6092197A JP 6092197 A JP6092197 A JP 6092197A JP H10256332 A JPH10256332 A JP H10256332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- test piece
- evaluation
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 13
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スライシングで導入されたクラック，加工歪
み等を高精度に測定できる評価用半導体ウェーハを得
る。 【解決手段】 試験片６としてのウェーハをステージ１
１上に固定し、ウェーハ表面に対向させた研磨工具１２
を、一方向に移動するステージ１１の移動距離に比例し
た距離で降下させる。試験片６の表面にはウェーハ直径
方向に延び、連続的に深くなる研磨溝１７が形成され、
研磨溝１７の両側のウェーハ表面は未研磨の初期表面と
して残る。 【効果】 長い研磨溝１７が形成されるため、クラッ
ク，加工歪み等の欠陥の分布を高精度に測定できる。欠
陥部の深さも、研磨溝１７両側の初期表面との比較で直
接測定される。
み等を高精度に測定できる評価用半導体ウェーハを得
る。 【解決手段】 試験片６としてのウェーハをステージ１
１上に固定し、ウェーハ表面に対向させた研磨工具１２
を、一方向に移動するステージ１１の移動距離に比例し
た距離で降下させる。試験片６の表面にはウェーハ直径
方向に延び、連続的に深くなる研磨溝１７が形成され、
研磨溝１７の両側のウェーハ表面は未研磨の初期表面と
して残る。 【効果】 長い研磨溝１７が形成されるため、クラッ
ク，加工歪み等の欠陥の分布を高精度に測定できる。欠
陥部の深さも、研磨溝１７両側の初期表面との比較で直
接測定される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、インゴットから切り出
されたウェーハやラッピングされたウェーハの表面に導
入されているクラック，加工歪み等の欠陥部を検出する
ために使用される評価用半導体ウェーハを作製する方法
及び装置に関する。
されたウェーハやラッピングされたウェーハの表面に導
入されているクラック，加工歪み等の欠陥部を検出する
ために使用される評価用半導体ウェーハを作製する方法
及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハは、内歯リング，ワイヤ
ソー等でインゴットをスライスすることにより得られ
る。インゴットから切り出された半導体ウェーハには、
加工に起因するクラックや歪みが導入されている。たと
えば、図１に示すように、完全結晶シリコン１の上に弾
性変形層２を介してクラック層３，塑性流動層４等から
なる表面層が形成されている。クラック層３は、加工に
より発生した微小なクラックが分布しており、ウェーハ
表面から１０μｍ程度の深さに達する。クラック層３の
深さに応じて後続するラッピング工程での加工条件を設
定するため、予めクラック層３の深さを測定することが
必要である。クラック層の深さ測定に使用されるサンプ
ルは、通常、角度研磨法で作成されている。角度研磨法
では、図２に示すように貼付けブロック５の傾斜面に試
験片６を貼り付け、ガイドリング７に装着し、傾斜状態
に保持された試験片６を研磨盤８で研磨している。
ソー等でインゴットをスライスすることにより得られ
る。インゴットから切り出された半導体ウェーハには、
加工に起因するクラックや歪みが導入されている。たと
えば、図１に示すように、完全結晶シリコン１の上に弾
性変形層２を介してクラック層３，塑性流動層４等から
なる表面層が形成されている。クラック層３は、加工に
より発生した微小なクラックが分布しており、ウェーハ
表面から１０μｍ程度の深さに達する。クラック層３の
深さに応じて後続するラッピング工程での加工条件を設
定するため、予めクラック層３の深さを測定することが
必要である。クラック層の深さ測定に使用されるサンプ
ルは、通常、角度研磨法で作成されている。角度研磨法
では、図２に示すように貼付けブロック５の傾斜面に試
験片６を貼り付け、ガイドリング７に装着し、傾斜状態
に保持された試験片６を研磨盤８で研磨している。
【０００３】研磨された試験片６は、図３に示すように
貼付けブロック５の傾斜面に対応する傾斜角θをつけて
表面が斜めに研磨される。試験片６の表面にあるクラッ
ク層３は、角度研磨によって厚み方向に広がった傾斜表
面としてクラック層断面９が露呈する。クラック層３の
厚みをＤとすると、角度研磨によって現れたクラック層
断面の長さをＬは、Ｌ＝Ｄ／ sinθで表される。通常、
傾斜角θを５．７度に設定して角度研磨することから、
Ｌ＝Ｄ／ sin５．７度＝Ｄ×１０となる。すなわち、厚
みＤのクラック層３は、１０倍に拡大された幅Ｌのクラ
ック層断面９として観察される。
貼付けブロック５の傾斜面に対応する傾斜角θをつけて
表面が斜めに研磨される。試験片６の表面にあるクラッ
ク層３は、角度研磨によって厚み方向に広がった傾斜表
面としてクラック層断面９が露呈する。クラック層３の
厚みをＤとすると、角度研磨によって現れたクラック層
断面の長さをＬは、Ｌ＝Ｄ／ sinθで表される。通常、
傾斜角θを５．７度に設定して角度研磨することから、
Ｌ＝Ｄ／ sin５．７度＝Ｄ×１０となる。すなわち、厚
みＤのクラック層３は、１０倍に拡大された幅Ｌのクラ
ック層断面９として観察される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の角度研磨法で
は、クラック層断面９の顕微鏡観察によりクラックを検
出する。クラックが検出された位置のウェーハ表面から
の深さは、試験片６の縁部全域が図３に示すように傾斜
したクラック層断面９となるため、試験片表面１０との
比較で測定できず、角度成分に基づいて算出されてい
る。しかし、正確に設定通りの角度で試験片６が加工さ
れているか否かを知ることができず、測定された深さの
精度や信頼性が欠ける。また、貼付けブロック５に固定
した試験片６を研磨する方式であるため、クラック断面
層９の長さＬが大きくなるように角度を小さくすると、
加工初期から試験片６にかかる圧力分布が場所によって
変動し易く、深さ方向への信頼性が乏しくなる。その結
果、形成可能なクラック断面層９の長さＬに制約が加わ
り、クラック層３を詳細に観察できる断面層が得られな
い。本発明は、このような問題を解消すべく案出された
ものであり、ウェーハの直径方向に延び、深さが連続的
に変化する加工溝をつけることにより、クラック層に導
入される加工歪み，クラック等の欠陥を容易に且つ高精
度に検出できる評価用半導体ウェーハを得ることを目的
とする。
は、クラック層断面９の顕微鏡観察によりクラックを検
出する。クラックが検出された位置のウェーハ表面から
の深さは、試験片６の縁部全域が図３に示すように傾斜
したクラック層断面９となるため、試験片表面１０との
比較で測定できず、角度成分に基づいて算出されてい
る。しかし、正確に設定通りの角度で試験片６が加工さ
れているか否かを知ることができず、測定された深さの
精度や信頼性が欠ける。また、貼付けブロック５に固定
した試験片６を研磨する方式であるため、クラック断面
層９の長さＬが大きくなるように角度を小さくすると、
加工初期から試験片６にかかる圧力分布が場所によって
変動し易く、深さ方向への信頼性が乏しくなる。その結
果、形成可能なクラック断面層９の長さＬに制約が加わ
り、クラック層３を詳細に観察できる断面層が得られな
い。本発明は、このような問題を解消すべく案出された
ものであり、ウェーハの直径方向に延び、深さが連続的
に変化する加工溝をつけることにより、クラック層に導
入される加工歪み，クラック等の欠陥を容易に且つ高精
度に検出できる評価用半導体ウェーハを得ることを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の評価用半導体ウ
ェーハの作成方法は、その目的を達成するため、試験片
としてのウェーハをステージ上に固定し、ウェーハ表面
に対向させた研磨工具を、一方向に移動するステージの
移動距離に比例した距離で降下させ、ウェーハ直径方向
に延び、連続的に深くなる研磨溝をウェーハ表面に形成
し、研磨溝の両側のウェーハ表面を未研磨のまま残すこ
とを特徴とする。また、評価用半導体ウェーハの作成装
置は、ウェーハを固定配置する移動可能なステージと、
ウェーハ表面に対向配置された昇降可能な研磨工具と、
一方向に移動するステージの移動距離に比例して研磨工
具を降下させる制御信号を研磨工具の昇降機構に出力す
る制御機構とを備え、研磨工具の外径がウェーハの表面
積よりも小さくなっている。
ェーハの作成方法は、その目的を達成するため、試験片
としてのウェーハをステージ上に固定し、ウェーハ表面
に対向させた研磨工具を、一方向に移動するステージの
移動距離に比例した距離で降下させ、ウェーハ直径方向
に延び、連続的に深くなる研磨溝をウェーハ表面に形成
し、研磨溝の両側のウェーハ表面を未研磨のまま残すこ
とを特徴とする。また、評価用半導体ウェーハの作成装
置は、ウェーハを固定配置する移動可能なステージと、
ウェーハ表面に対向配置された昇降可能な研磨工具と、
一方向に移動するステージの移動距離に比例して研磨工
具を降下させる制御信号を研磨工具の昇降機構に出力す
る制御機構とを備え、研磨工具の外径がウェーハの表面
積よりも小さくなっている。
【０００６】
【実施の形態】本発明に従った評価用半導体ウェーハ作
成装置は、図４に示すように移動可能なステージ１１及
び昇降可能な研磨工具１２を備えている。研磨工具１２
は、試験片６であるウェーハの表面積に比較して十分に
小さな径をもっており、下端に研磨パッド１６が取り付
けられている。ステージ１１の移動方向に沿って複数の
位置センサ１３が配列されており、位置センサ１３で検
出された信号が制御機構１４に入力される。制御機構１
４では、ステージ１１の移動位置に応じて研磨工具１２
の高さを演算し、制御信号ｓをステップモータ等を備え
た昇降装置１５に出力する。
成装置は、図４に示すように移動可能なステージ１１及
び昇降可能な研磨工具１２を備えている。研磨工具１２
は、試験片６であるウェーハの表面積に比較して十分に
小さな径をもっており、下端に研磨パッド１６が取り付
けられている。ステージ１１の移動方向に沿って複数の
位置センサ１３が配列されており、位置センサ１３で検
出された信号が制御機構１４に入力される。制御機構１
４では、ステージ１１の移動位置に応じて研磨工具１２
の高さを演算し、制御信号ｓをステップモータ等を備え
た昇降装置１５に出力する。
【０００７】研磨工具１２の高さは、ステージ１１の移
動量に比例して調節され、研磨パッド１６により連続的
に深くなる研磨溝１７が試験片６の表面に形成される。
研磨工具１２に比較して試験片６の表面積が十分に大き
いため、研磨溝１７は、図５に示すように直径方向に長
くなる。また、研磨溝１７の両側は、研磨工具１７によ
る加工を受けないため、未研磨の初期表面１８のままで
ある。このようにして研磨溝１７を形成するとき、従来
の角度研磨による場合と比較して十分に露出したクラッ
ク断面層９の長さを大きくすることができる。また、図
６に示すようにクラック層３と健全な結晶層１との境界
が大きな幅でクラック断面層９に露呈するため、クラッ
ク，加工歪み等の欠陥の分布及び量を正確に検出でき
る。しかも、クラック断面層９の側部に初期表面１８が
存在するので、欠陥部が検出された箇所の深さを直接的
に測定することが可能となる。得られた測定結果は、ス
ライシング工程にフィードバックされ、加工条件の調整
に使用される。また、後続するラッピング工程の条件設
定にも利用される。同様にラッピング，研削等の加工が
施されたウェーハについても、クラック，加工歪み等の
欠陥部測定用のサンプルが作成される。
動量に比例して調節され、研磨パッド１６により連続的
に深くなる研磨溝１７が試験片６の表面に形成される。
研磨工具１２に比較して試験片６の表面積が十分に大き
いため、研磨溝１７は、図５に示すように直径方向に長
くなる。また、研磨溝１７の両側は、研磨工具１７によ
る加工を受けないため、未研磨の初期表面１８のままで
ある。このようにして研磨溝１７を形成するとき、従来
の角度研磨による場合と比較して十分に露出したクラッ
ク断面層９の長さを大きくすることができる。また、図
６に示すようにクラック層３と健全な結晶層１との境界
が大きな幅でクラック断面層９に露呈するため、クラッ
ク，加工歪み等の欠陥の分布及び量を正確に検出でき
る。しかも、クラック断面層９の側部に初期表面１８が
存在するので、欠陥部が検出された箇所の深さを直接的
に測定することが可能となる。得られた測定結果は、ス
ライシング工程にフィードバックされ、加工条件の調整
に使用される。また、後続するラッピング工程の条件設
定にも利用される。同様にラッピング，研削等の加工が
施されたウェーハについても、クラック，加工歪み等の
欠陥部測定用のサンプルが作成される。
【０００８】
【実施例】インゴットからスライスされた直径２００ｍ
ｍ，平均厚み１ｍｍのウェーハを試験片６に使用した。
研磨工具１２には、不織布製の研磨パッド１６を装着し
た外径２０ｍｍの研磨工具を使用した。試験片６を固定
配置したステージ１１を１ｍｍ／分の速度で一方向に移
動させた。ステージ１１の移動中、研磨工具１２を１μ
ｍ／分の速度で降下させながら５００ｒｐｍで回転さ
せ、試験片６に３００Ｎ／ｍｍ2 の押圧力で押し付け
た。研磨を４０分間継続した後、研磨工具１２を上昇さ
せた。研磨された試験片６の表面を観察したところ、直
径方向に延びた長さ４０ｍｍの研磨溝１７が形成されて
いた。研磨溝１７は、幅が２０ｍｍで、始端で試験片６
の初期表面１８に連なり、終端では４０μｍの深さであ
った。また、研磨溝１７の両側は、未研磨の初期表面１
８であった。
ｍ，平均厚み１ｍｍのウェーハを試験片６に使用した。
研磨工具１２には、不織布製の研磨パッド１６を装着し
た外径２０ｍｍの研磨工具を使用した。試験片６を固定
配置したステージ１１を１ｍｍ／分の速度で一方向に移
動させた。ステージ１１の移動中、研磨工具１２を１μ
ｍ／分の速度で降下させながら５００ｒｐｍで回転さ
せ、試験片６に３００Ｎ／ｍｍ2 の押圧力で押し付け
た。研磨を４０分間継続した後、研磨工具１２を上昇さ
せた。研磨された試験片６の表面を観察したところ、直
径方向に延びた長さ４０ｍｍの研磨溝１７が形成されて
いた。研磨溝１７は、幅が２０ｍｍで、始端で試験片６
の初期表面１８に連なり、終端では４０μｍの深さであ
った。また、研磨溝１７の両側は、未研磨の初期表面１
８であった。
【０００９】研磨溝１７に露呈したクラック層断面９を
観察したところ、始端から２０ｍｍの位置までは多量の
クラックが検出され、徐々にクラックが少なくなり、始
端から３０ｍｍ離れるとクラックが検出されなくなっ
た。始端から２０ｍｍ及び３０ｍｍの位置は、両側の初
期表面１８と比較することにより、それぞれ２０μｍ及
び３０μｍの深さに相当することが判った。このように
クラック発生量や欠陥部８の深さを精度良く測定できる
ため、スライシングやポリッシングの条件調整に必要な
高精度の情報が得られる。
観察したところ、始端から２０ｍｍの位置までは多量の
クラックが検出され、徐々にクラックが少なくなり、始
端から３０ｍｍ離れるとクラックが検出されなくなっ
た。始端から２０ｍｍ及び３０ｍｍの位置は、両側の初
期表面１８と比較することにより、それぞれ２０μｍ及
び３０μｍの深さに相当することが判った。このように
クラック発生量や欠陥部８の深さを精度良く測定できる
ため、スライシングやポリッシングの条件調整に必要な
高精度の情報が得られる。
【００１０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明に従って
作成した評化用半導体ウェーハは、欠陥部検出用に形成
した研磨溝が連続して深くなる傾斜面になっている。そ
のため、角度研磨で作成した従来の評化用半導体ウェー
ハに比較して、欠陥部が格段に精度良く検出され、初期
表面と比較することにより欠陥部の深さも容易に且つ正
確に測定できる。
作成した評化用半導体ウェーハは、欠陥部検出用に形成
した研磨溝が連続して深くなる傾斜面になっている。そ
のため、角度研磨で作成した従来の評化用半導体ウェー
ハに比較して、欠陥部が格段に精度良く検出され、初期
表面と比較することにより欠陥部の深さも容易に且つ正
確に測定できる。
【図１】 スライシングでクラックが導入された表面層
をもつウェーハの断面
をもつウェーハの断面
【図２】 従来の角度研磨による評価用半導体ウェーハ
の作成
の作成
【図３】 角度研磨により形成された傾斜のあるクラッ
ク層断面
ク層断面
【図４】 本発明に従った評価用半導体ウェーハの作成
【図５】 直径方向に延びる研磨溝が形成された評価用
半導体ウェーハ
半導体ウェーハ
【図６】 研磨溝が形成された評価用半導体ウェーハの
断面
断面
１：完全結晶シリコン ２：弾性変形層 ３：クラ
ック層 ４：塑性流動層 ５：貼付けブロック
６：試験片（ウェーハ） ７：ガイドリング ８：研磨盤 ９：露呈したクラック層断面 １０：
試験片表面 １１：ステージ １２：研磨工具
１３：位置センサ １４：制御機構 １５：：昇降
機構 １６：研磨パッド １７：研磨溝 １８：
初期表面 θ：傾斜角 Ｄ：クラック層の厚み Ｌ：露呈した
クラック層断面の長さ
ック層 ４：塑性流動層 ５：貼付けブロック
６：試験片（ウェーハ） ７：ガイドリング ８：研磨盤 ９：露呈したクラック層断面 １０：
試験片表面 １１：ステージ １２：研磨工具
１３：位置センサ １４：制御機構 １５：：昇降
機構 １６：研磨パッド １７：研磨溝 １８：
初期表面 θ：傾斜角 Ｄ：クラック層の厚み Ｌ：露呈した
クラック層断面の長さ
Claims (2)
- 【請求項１】 試験片としてのウェーハをステージ上に
固定し、ウェーハ表面に対向させた研磨工具を、一方向
に移動するステージの移動距離に比例した距離で降下さ
せ、ウェーハ直径方向に延び、連続的に深くなる研磨溝
をウェーハ表面に形成し、研磨溝の両側のウェーハ表面
を未研磨のまま残す評価用半導体ウェーハの作成方法。 - 【請求項２】 ウェーハを固定配置する移動可能なステ
ージと、ウェーハ表面に対向配置された昇降可能な研磨
工具と、一方向に移動するステージの移動距離に比例し
て研磨工具を降下させる制御信号を研磨工具の昇降機構
に出力する制御機構とを備え、研磨工具の外径がウェー
ハの表面積よりも小さい評価用半導体ウェーハの作成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6092197A JPH10256332A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 評価用半導体ウェーハの作成方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6092197A JPH10256332A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 評価用半導体ウェーハの作成方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256332A true JPH10256332A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13156345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6092197A Pending JPH10256332A (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 評価用半導体ウェーハの作成方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256332A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101247854B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2013-03-26 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼의 연마 제어 시스템 |
| KR101264933B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2013-05-15 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2014530346A (ja) * | 2011-09-12 | 2014-11-17 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 視射角ミル |
| JP2017034025A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 濱田重工株式会社 | 半導体ウェハの加工ダメージ評価方法 |
-
1997
- 1997-03-14 JP JP6092197A patent/JPH10256332A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101264933B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2013-05-15 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR101247854B1 (ko) * | 2011-09-09 | 2013-03-26 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼의 연마 제어 시스템 |
| JP2014530346A (ja) * | 2011-09-12 | 2014-11-17 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 視射角ミル |
| US9941096B2 (en) | 2011-09-12 | 2018-04-10 | Fei Company | Glancing angle mill |
| JP2017034025A (ja) * | 2015-07-30 | 2017-02-09 | 濱田重工株式会社 | 半導体ウェハの加工ダメージ評価方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6040244A (en) | Polishing pad control method and apparatus | |
| CN101339893B (zh) | 判断晶圆薄化的方法、装置结构、机构及其制造方法 | |
| TW556282B (en) | CMP process involving frequency analysis-based monitoring | |
| JP5331745B2 (ja) | 半導体ウェハを製造する方法 | |
| JP2582030B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法 | |
| JP2008003085A (ja) | 半導体材料から成るインゴットブロックの機械的欠陥を検出する方法および装置 | |
| US5875770A (en) | Method of cutting semiconductor ingots and apparatus for cutting thereof | |
| CN112289700A (zh) | 一种硅片检测方法 | |
| JP2025514079A (ja) | シリコンウェハを処理するためのシステムおよび方法 | |
| CN111403315A (zh) | 晶圆切边装置和方法 | |
| JP5219569B2 (ja) | ウェーハ研削装置における加工良否判定方法およびウェーハ研削装置 | |
| JPH10256332A (ja) | 評価用半導体ウェーハの作成方法及び装置 | |
| JP3884163B2 (ja) | 半導体基板の表面形状計測装置及び半導体基板の表面形状判定方法 | |
| TWI330385B (en) | Method of grinding back surface of semiconductor wafer and semiconductor wafer grinding apparatus | |
| JPH06151586A (ja) | ダイシング方法および装置 | |
| KR101247065B1 (ko) | 양면 웨이퍼 그라인더 및 가공물 나노토폴로지 평가 방법 | |
| JP3780841B2 (ja) | インゴットのオリエンテーションフラット加工方法及びオリエンテーションフラット加工装置 | |
| JP2002538447A (ja) | シリコンウェーハの起伏を測定するための方法およびシステム | |
| JPH10256333A (ja) | 評価用半導体ウェーハの作成方法 | |
| CN1078518C (zh) | 制造半导体晶片的方法 | |
| US6379219B1 (en) | Chemical mechanical polishing machine and chemical mechanical polishing method | |
| JPH09246130A (ja) | 半導体ウエハおよびその製造方法並びにそれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| JP6373233B2 (ja) | 半導体ウェハの加工ダメージ評価方法 | |
| JPH0917759A (ja) | 半導体ウエハの面取り方法及び面取り装置 | |
| JP2000219526A (ja) | スクライブ装置 |