JPH10256558A - 薄膜トランジスタアレイの製造方法、電子装置および薄膜トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラスティック基板などの変形の大きな基板
に薄膜トランジスタアレイを自己整合的に形成する。 【解決手段】 ゲート線１１をマスクとして裏面露光
し、ゲート線１１に整合したレジストパターンにより、
半導体膜１３のチャネル上部にメッキ層１６を、信号線
２１及びソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂを形成
する金属層１７よりもエッチングレートの速い金属によ
り形成する。メッキ層１６と金属層１７とを同時にエッ
チングすることによりゲートとソース・ドレインとが自
己整合的に形成された薄膜トランジスタアレイを得るこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子回路の形成に適
する配線材料およびその配線材料を用いたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜
や、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）を半導体膜として用い
た薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子をマ
トリクスアレイ状に配設したアクティブマトリクス型液
晶表示装置が注目されている。安価なガラス基板を用い
て低温成膜ができるａ−Ｓｉ半導体膜を用いてＴＦＴア
レイを構成することにより、大面積、高精細、高画質か
つ安価なフラット型テレビジョンなどの平面型表示装置
を実現できる可能性があるからである。

【０００３】また、このようなアクティブマトリクス型
液晶表示装置をプラスチック等の軽量でフレキシブルか
つ安価な基板上に形成したいという要求がある。このよ
うな要求は、液晶表示装置を携帯用情報機器等の表示装
置に用いる場合に特に大きい。ところが、プラスチック
等の変形の大きい基板や大面積の基板に適用する場合に
は基板の変形が大きいためにマスク合わせが困難である
という問題がある。マスク合わせの困難さを回避するた
めには薄膜トランジスタなどをセルフアライン的に形成
することが必要となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するためになされたものである。すなわち本
発明は、プラスチック等の変形の大きい基板上にも、セ
ルフアライン的に形成することができる薄膜トランジス
タ、薄膜トランジスタアレイ、液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。また本発明は、プラスチック等の変
形の大きい基板上にも、セルフアライン的に形成するこ
とができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレ
イ、液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。

【０００５】また本発明はフォトエッチングプロセスな
どにおいて背面側も露光できる構造を備えた配線を有す
る電子装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、本発明は以下のような構成を備えるものであ
る。

【０００７】請求項１に記載の本発明の薄膜トランジス
タアレイの製造方法は、透明絶縁性基板上にゲート電極
を形成する工程と、前記ゲート電極の上側から前記絶縁
性基板上に透光性を有するゲート絶縁膜、半導体膜、オ
ーミックコンタクト層を順次積層する工程と、前記オー
ミックコンタクト層上にネガ型感光性樹脂層を形成し、
前記絶縁性基板の前記ゲート電極が形成された側と反対
側から前記ゲート電極をマスクとして露光し、未露光の
前記感光性樹脂層を除去する工程と、前記感光性樹脂層
をマスクとして前記オーミックコンタクト層上に第１の
金属のメッキ層を形成する工程と、前記感光性樹脂層を
除去する工程と、前記メッキ層の上側から第１の金属よ
りもエッチングレートの小さい第２の金属からなる導体
層を形成する工程と、前記メッキ層および前記導体層と
を、前記メッキ層が除去され、前記導体層の少なくとも
一部が残るようにエッチングする工程とを具備したこと
を特徴とする。

【０００８】請求項２に記載の本発明の薄膜トランジス
タアレイの製造方法は、透明絶縁性基板上に可視光線ま
たは赤外線に対して第１の反射率を有する導体材料から
なるゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の上
側から前記絶縁性基板上に、透光性を有するとともに可
視光線または赤外線に対して第１の反射率よりも小さな
第２の反射率を有する、ゲート絶縁膜、半導体膜、オー
ミックコンタクト層を順次積層する工程と、前記オーミ
ックコンタクト層上に熱硬化性および感光性を有する樹
脂層を形成し、前記絶縁性基板の前記ゲート電極が形成
された側と反対側から前記ゲート電極をマスクとして露
光する工程と、未硬化の前記樹脂層を除去する工程と、
前記樹脂層をマスクとして前記オーミックコンタクト層
上にソース・ドレイン電極を形成する工程とを具備した
ことを特徴とする。

【０００９】請求項３に記載の本発明の電子装置は、第
１の導体配線と、前記第１の導体配線と感光性絶縁性樹
脂層を介して積層され、前記第１の導体配線と重なる領
域に、少なくとも可視光が回折するように形成されたス
リットを有する第２の導体配線とを具備したことを特徴
とする。

【００１０】請求項４に記載の本発明の絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲー
ト電極を覆うように前記絶縁性基板上に形成されたゲー
ト絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜
と、前記半導体膜の酸化物からなり、前記半導体膜の前
記ゲート電極と対応する領域の前記ゲート電極と反対側
に形成された第１の絶縁層と、前記半導体膜上に形成さ
れたオーミックコンタクト層と、前記オーミックコンタ
クト層の酸化物からなり、前記オーミックコンタクト層
の前記第１の酸化層に対応する領域に、前記オーミック
コンタクト層のソース・ドレイン領域を分離するように
形成された第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層により分
離された前記オーミックコンタクト層上に形成されたソ
ース電極およびドレイン電極とを有することを特徴とす
る。

【００１１】すなわち本発明の薄膜トランジスタアレイ
の製造方法は、例えばプラスティック基板やガラス基板
などの熱や応力に対する変形が大きな基板や、熱変形の
影響の大きい大型の基板などにおいても、特性の均一な
薄膜トランジスタアレイを形成することができる薄膜ト
ランジスタアレイの製造方法である。薄膜トランジスタ
アレイとしては、例えばアクティブマトリクス型液晶表
示装置や撮像装置のアレイ基板などをあげることができ
る。

【００１２】このため請求項１に記載の製造方法におい
ては、ガラスまたはプラスチックなどの透光性を有する
絶縁性基板の裏面側からゲート線をマスクとしてレジス
トを露光し、薄膜トランジスタのチャネル領域上部に比
較的エッチングレートの速い第１の金属をメッキし、そ
の上に形成したソース・ドレイン電極のチャネル部分を
選択的にエッチングすることにより、ゲート電極と自己
整合的にソース・ドレイン電極を形成することができ
る。

【００１３】また、請求項２に記載の製造方法は、ガラ
スまたはプラスチックなどの透光性を有する絶縁性基板
の裏面側からゲート線をマスクとして加熱し、基板表面
に被覆されたレジストを選択的に加熱することにより、
ゲート電極と自己整合的に形成されたレジストパターン
を形成することによりソース・ドレイン電極、信号線を
形成するものである。ここでは、半導体層とゲート線お
よびゲート電極との可視光あるいは赤外線に対する反射
率（吸収率）の相違に着目し、照射光に対する反射率の
違いに基づいてレジストを選択的に硬化するものであ
る。レジストとしては熱に対して硬化する性質を有する
樹脂層、または光および熱に対して硬化する性質を有す
る樹脂層を用いることができる。

【００１４】ここで可視光とは約３８０ｎｍ〜約８００
ｎｍ程度の波長を有する光であり、また赤外線とは可視
光の下限から１０μｍ程度までの波長を有する光のこと
である。なお本発明ではこれらの波長領域のすべての領
域にわたって波長の分布する光を用いる必要はない。例
えば赤外線の場合、波長１μｍ程度の波長を中心に用い
るようにしてもよい。

【００１５】半導体層は一般に可視光領域、赤外線領域
の照射光に対して所定の吸収率を有している。一方、例
えばＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｕ
等の金属は可視領域から赤外領域の波長に対する反射率
が、半導体層のそれよりも大きい。したがって、例えば
ゲート線材料として上述のような反射率の高い材料を用
いることにより半導体層の光吸収率の差が大きくとるこ
とができ、半導体層上部のレジストを選択的に硬化さ
せ、ゲート電極、ゲート線と自己整合的にパターニング
することができるのである。本発明者らは、例えばゲー
ト線と半導体膜との照射光に対する反射率の差が約３０
％以上あれば、選択的にレジストを硬化することができ
ることを見出だした。

【００１６】また、照射光源についてもゲート線と半導
体膜の反射率差が大きくなるような波長領域を有するよ
うに選択することが選択性を高める上でより好適であ
る。さらに、裏面からの加熱用光源として連続発光光源
を用いた場合には、熱拡散等により非照射部分の温度も
上昇しやすいため、反射率の選択性の差が薄まってしま
う場合がある。パルス光源で加熱すれば、熱伝導、拡散
による照射エネルギーの伝搬を小さく抑制することがで
きるから、ゲート線の部分と、半導体の部分の温度差を
拡大するのに有効である。

【００１７】また、請求項３に記載の本発明の電子装置
は、第１の導体配線と、前記第１の導体配線と感光性絶
縁性樹脂層を介して積層され、前記第１の導体配線と重
なる領域に、少なくとも可視光が回折するように形成さ
れたスリットを有する第２の導体配線とを具備するもの
である。電子装置としては、例えば液晶表示装置のアレ
イ基板、撮像装置のアレイ基板等をあげることができる
が、互いに交差する配線層を有するものであればどのよ
うなものであっても適用することできる。

【００１８】例えば、液晶表示装置のアレイ基板の場
合、走査線と信号線とは画素１個について通常は１カ所
交差することになる。このようなパターンを有する配線
層を例えば薄膜トランジスタなどとともに積層成膜して
ゆく場合、配線層の裏面側についても露光したい場合が
ある。例えば上述のような薄膜トランジスタアレイの製
造方法において、ゲート線をマスクとして裏面露光する
場合、ゲート線と信号線とが交差する領域については、
その裏面側も露光してレジストを残存させたい場合があ
る。

【００１９】本発明はこのような場合に対応することが
できるもので、例えばゲート線などの配線に、照射光が
フレネル回折して配線の裏側にも回り込めるようなスリ
ットを形成したものである。スリットの幅、スリットに
よって分離される配線層の幅などは、用いる光源、光源
との距離等にあわせて設計するようにすればよい。

【００２０】また例えば配線幅が太く、回折距離より広
い場合などには、スリットは複数形成するようにしても
よい。スリットにより配線層の有効幅が狭くなって抵抗
が大きくなるような場合には、スリットを形成した部分
の配線層の幅を広くするようにしてもよい。スリットの
長さは交差する配線層の幅よりも広くなるようにすれば
よいが、プロセスマージンを見込んで、交差する配線層
幅よりも長く形成するようにしてもよい。

【００２１】このようなスリットを形成することにより
通常は遮光性を有する配線材料のような低抵抗の導体層
の裏面についても光を照射することができる。したがっ
て、フォトエッチングプロセスに関する工程を単純にす
ることができ生産性が向上する。

【００２２】請求項４に記載の本発明の薄膜トランジス
タは、とくに薄膜トランジスタアレイを構成する場合な
どにおいて、ソース・ドレインをゲート電極と自己整合
的に分離することが容易にできるものである。この薄膜
トランジスタのオーミックコンタクト層は、そのチャネ
ル領域に対応する領域が陽極酸化されており、この第２
の酸化層によりソース・ドレインを絶縁しているもので
ある。

【００２３】このような第２の絶縁層は、このような酸
化層は、例えば絶縁性基板上にオーミックコンタクト層
までを形成した段階で、オーミックコンタクト層上にレ
ジストを形成し、このレジスとをゲート電極をマスクと
して裏面露光して現像したものをマスクとして陽極酸化
を行うことにより形成することができる。

【００２４】また、半導体膜のチャネル領域のコンタク
ト層側の一部に、半導体膜の酸化物からなる第１の酸化
層を有していてもよい。

【００２５】このような第１の酸化層、第２の酸化層
は、ゲート電極をマスクとしてレジストを露光して自己
整合的に形成したレジストによりコンタクト層を被覆し
て陽極酸化することにより自己整合的に形成することが
できる。したがって、ガラス基板、プラスティック基板
のように熱や応力に対する変形の大きな基板や、サイズ
が大きい基板などにおいても、大規模な薄膜トランジス
タアレイを、均一に形成することができるという大きな
利点を有する。このような構造を有する薄膜トランジス
タにより構成した薄膜トランジスタアレイは、そのすべ
てが自己整合的に形成されているから、特性が均一にな
る。このため薄膜トランジスタアレイにより駆動される
各画素の表示がより均一になり、表示画面全体にわたっ
て均一な画質を有する表示装置を実現することができ
る。したがって、この薄膜トランジスタにより液晶表示
装置のアレイ基板や撮像装置を構成することにより、表
示品質、撮像の品質を向上することができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下に本発明についてさらに詳細
に説明する。

【００２７】（実施形態１）図１、図２、図３は本発明
の液晶表示装置の製造方法の１例を説明するための図で
あり、アレイ基板の画素ＴＦＴ部の断面構造を概略的に
示す図である。また図４はアレイ基板の平面構造を概略
的に示す図である。まず、透光性を有するガラスまたは
プラスチックなどからなる絶縁性基板１０上にＭｏ、Ｔ
ａ、Ｃｕ、Ａｌ合金、ＭｏＷ等をスパッタ法などにより
厚さ約３００ｎｍにわたって堆積し、エッチングを行っ
て、ゲート線１１、図示しないＣｓ線のパターンにパタ
ーニングした。

【００２８】次に、例えばプラズマＣＶＤ法などにより
ゲート絶縁膜１２として厚さ約３００ｎｍのＳｉＯx 膜
１２ａと厚さ約５０ｎｍのＳｉＮx 膜１２ｂを積層し
た。さらに、アンドープのａ−Ｓｉ半導体膜１３を約１
００ｎｍ、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜１４からなるコンタク
ト層１４を約２００ｎｍ、Μｏからなる金属薄膜１４ｂ
を約２０ｎｍ堆積した。

【００２９】この後、図示しない画素領域の周辺部のゲ
ート線取り出しパッド部のΜｏ金属薄膜１４ｂ／ｎ⁺ ａ
−Ｓｉ半導体膜１４／ａ−Ｓｉ半導体膜１３／ＳｉＮx
１２ｂ／ＳｉＯx １２ａをエッチングしてコンタクトホ
ールを形成した。ｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜１４上の金属薄
膜１４ｂはこの段階で形成してもよい。金属としてはＭ
ｏの他に、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜１４とのオーミック性
のよいＷ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ等の高融点金属や陽極酸化
性のよいＴａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ等を用いるようにして
もよい。

【００３０】次にｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜１４上にネガレ
ジスト１５を形成し、絶縁性基板１０の裏面側（ゲート
線１１を形成した側の面と反対側）からゲート線１１を
マスクとして露光する（図１（ａ））。このときゲート
線１１上のレジスト１５はゲート線１１がマスクになる
ため露光されない。このネガレジスト１５を現像するこ
とによりソース・ドレイン部分は約１／２程度の膜厚
で、光の回折により幅１〜２μｍ程度にわたってゲート
線上に重なり、ゲート線１１上にはレジストが形成され
ないパターンとなる。

【００３１】しかし、信号線２１とゲート線１１の交差
部になる領域には光が当たらないためレジスト１５が溶
解してしまう。このためにゲート線１１と信号線２１の
交差部になる領域にはマスクにより選択的に光を照射し
たり、あるいはレーザースポット照射により加熱重合さ
せるようにする。

【００３２】または、ゲート線１１の信号線２１の交差
部になる領域に、ゲート線１１がフレネル回析による光
の回り込み幅の２倍以下の幅を有する複数の部分からな
るようにスリット１１ｂを形成するようにしてもよい。

【００３３】図５はスリット１１ｂを有するゲート線１
１の例を概略的に示す図である。スリット１１ｂを形成
しておくことにより、回折光がゲート線１１と信号線２
１との交差部にも回り込んでレジストを露光することが
できる。したがって、このためゲート線１１上の信号線
２１と重なる領域をレジストにより被覆することができ
る。

【００３４】なお、スリット１１ｂにより複数の部分に
分離されるゲート線の幅ｗ₁ 、ｗ₂は同じでもよいし異
なっていてもよい。またスリット１１ｂを複数形成する
ようにしてもよい。

【００３５】またスリットの形成によりゲート線１１の
有効な幅が小さくなってしまう場合などには、ゲート線
１１の信号線２１と重なる領域の幅Ｗを太く形成するよ
うにしてもよい。図６はゲート線１１の信号線２１と重
なる領域の幅Ｗを太く形成した例を概略的に示す図であ
る。

【００３６】スリットの長さＬは信号線２１の幅よりも
大きくする必要がある。プロセスマージンを見込んで信
号線２１の幅よりも長く形成するほうが、ゲート線と信
号線との絶縁を確保する観点からも好適である。

【００３７】この段階で、基板上のレジスト１５又は陽
極酸化膜に被覆されていない領域にＣｕ、Ｚｎ、Ａｇ等
の比較的エッチングされやすく、融点の低い金属をｎ⁺
ａ−Ｓｉ半導体膜１４のチャネル上にメッキ層１６を形
成する（図１（ｂ））。

【００３８】メッキ層１６はＴｉ等の表面処理を行なっ
た後に無電解メッキを行ってもよいし、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ半
導体膜１４及びΜｏ金属薄膜１４ｂの積層膜の基板端面
などの部分から導通を取って電気メッキを行って形成す
るようにしてもよい。

【００３９】レジスト１５を剥離した後に、信号線２
１、ソース・ドレイン電極となる例えばＡｌなどの金属
層１７を、スパッタ法などにより厚さ約４００ｎｍにわ
たり堆積する。このときにメッキ層１６は合金化するこ
とにより融点が低下し、表面がＡｌと合金化する。

【００４０】堆積したＡｌ層１７上に信号線パターン及
びソース、ドレインがＴＦＴチャネル上で連続した（未
分離）マスク１８によりレジストパターンを形成する
（図１（ｃ）、図１３）。この後、Ａｌ層１７をエッチ
ング液でエッチングする。このときＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、
ＡｇはＡｌよりもエッチングされやすいために、薄膜ト
ランジスタのチャネル上のメッキ層１６とその近傍の合
金化したＡｌ層１７がエッチングされて、ソース１７ａ
とドレイン１７ｂとを分離することができる（図２
（ｄ））。また図４（ａ）はこのときのアレイ基板の状
態を概略的に示す平面図である。Ａｌ層よりもエッチン
グされやすいメッキ層１６の形成されていた部分が除去
され、一方Ａｌ層１７は所定パターンで残るから、ソー
ス・ドレインを自己整合的に分離することができる。

【００４１】この後、ＣＦ₄ ／Ｏ₂ ガスを用いたＲＩＥ
法（Ｒｉａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ法）ま
たはＣＤＥ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）などによりｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜１４、ａ−Ｓｉ
半導体膜１３をエッチングしてｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜１
４のソース・ドレインを分離する（図２（ｅ）））。

【００４２】このようにして基板１０上にゲートとソー
ス・ドレインとが自己整合的に形成された薄膜トランジ
スタ２０が基板１０上にマトリクス上に配列した薄膜ト
ランジスタアレイが完成する。

【００４３】ａ−Ｓｉの厚さは約５０〜３００ｎｍ程度
の範囲で必要に応じて成膜するようにすればよく、また
ａ−Ｓｉに限らずｐｏｌｙ−Ｓｉ、μｃ−Ｓｉ、各種化
合物半導体など他の半導体材料を用いてもよい。

【００４４】次に、ポジ系のポリビニルアルコール等の
感光性の染色可能な高分子材料３１ａを約１〜３μｍ程
度の厚さにコーティングする。そして裏面より露光する
ことにより信号線２１及びゲー卜線１１上に高分子材料
３１を残す。

【００４５】次に、この高分子材料３１を加熱してパタ
ーンだれを発生させ、信号線２１、走査線１１の形成さ
れた領域を完全に覆うように変形させる。

【００４６】さらにこの高分子材料３１を赤青緑の染料
を混色させた反応性染料に浸漬して黒色に染色させて黒
色化３１ｂする（図２（ｆ）、図４（ｂ））。このと
き、形成する高分子材料３１の厚さと、染料の濃度は可
視領域の光の透過率が１〜０．１％程度以下になるよう
に調整するようにすればよい。

【００４７】ついで黒色化した高分子材料３１ｂを約１
００〜２００℃程度で焼成して高分子を安定化する。

【００４８】次に例えばアクリル系のネガレジストに赤
の顔料を約３０〜５０重量％程度混合させて、画素電極
を含む所定の領域上に例えばバブルジェットにより飛散
させて印刷し赤色のカラーフィルタ３１Ｒを形成する。
同様に、次に青の顔料分散樹脂を、さらに緑の顔料分散
樹脂を飛散させ青色のカラーフィルタ３１Ｂ、３１Ｇを
形成する（図３（ｇ））。これらの顔料にはＩＴＯ、Ｓ
ｎＯ₂ 、ＳｂＯx 等の透明導電性の粒子のフィラーを混
合して導電率を上げるようにしてもよい。抵抗率は１０
⁵ Ωｃｍから１０⁷ Ωｃｍ程度であればよい。形成する
カラーフィルタの厚さは黒色化した高分子材料３１の堤
と同程度とすればよい。あるいは、黒色化した高分子材
料３１の堤よりも高く形成してから最後にポリッシング
するようにしてもよい。ポリッシングする場合には、黒
色化した高分子材料３１（ブラックマトリクス）の部分
の硬度を増すために、カーボンや金属、金属化合物等の
硬度の高い材料を導電率が低くなりすぎない程度に混合
するようにしてもよい。

【００４９】このように薄膜トランジスタアレイを形成
することにより、熱変形の大きいプラスチック基板を用
いた場合でも、ソース・ドレインとゲートが良好に整合
した薄膜トランジスタを形成することができた。また、
アレイ基板内での薄膜トランジスタの特性も揃ってい
た。このため液晶表示装置の画質も均一になり、表示品
質を向上することができた。

【００５０】（実施形態２）対角４０インチの高精細ア
クティブマトリクス型液晶表示装置に本発明を適用し
た。

【００５１】実施形態１では絶縁性基板１０としてプラ
スチック基板を用いたが、この例ではガラス基板を用い
た。ガラスは約５×１０^-5程度の熱膨張係数を持つた
め、３℃の変化で１３０μｍ以上の熱変形が発生する。
このため、通常のフォトリソグラフィ工程ではマスク合
わせを行うことができない。これに対し、本発明の裏面
露光とメッキ層形成を用いる自己整合的な製造方法によ
り、ほぼ完全に自己整合することができた。したがっ
て、対角４０インチのような大きなアレイ基板上に、特
性の均一な薄膜トランジスタアレイを形成することがで
きた。

【００５２】以上述べたように、本発明の薄膜トランジ
スタの製造方法によれば、ゲート電極と自己整合的にソ
ース・ドレイン電極を形成することができる。したがっ
て、プラスチック基板や大型基板のように、通常のフォ
トリソグラフィ技術では合わせられない基板に対しても
良好に整合することができ、基板内でのＴＦＴ特性を均
一に形成でき、画質が均一な高表示品質を有する液晶表
示装置を製造することができる。

【００５３】また、本発明の電子装置によれば、例えば
走査線と信号線とが重なる領域についても感光性樹脂層
を露光することができる。

【００５４】（実施形態３）つぎに、ゲート線と半導体
層との照射光に対する吸収率の差を利用して、レジスト
を硬化させる本発明の液晶表示装置の製造方法について
説明する。

【００５５】まず、プラスチック基板上にΜｏＴａ、Ｃ
ｕ、Ａｌ合金、ＭｏＷ等の導体層をスパッタ法などによ
り約３００ｎｍ堆積させ、エッチングを行って、ゲート
線１１、図示しないＣｓ線、および信号線２１のパター
ンを形成した。

【００５６】ゲート線１１の材料は何でもよいが反射率
の高い材料の方が、半導体層１３との光吸収率の差が大
きくとれるのでより好ましい。特に可視領域から赤外領
域の波長に対して反射率の大きいＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃ
ｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ａｕ等が好適である。

【００５７】次にプラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜
１２としてＳｉＯx ３００ｎｍ、ＳｉＮx ５０ｎｍを積
層し、アンドープａ−Ｓｉ半導体膜１３を１００ｎｍ、
ｎ⁺ａ−Ｓｉ１４を２００ｎｍ、金属薄膜１４ｂを５０
ｎｍ堆積した。

【００５８】次に図示しないゲート線取り出し部のＭｏ
／ｎ+ ａ−Ｓｉ／ａ−Ｓｉ／ＳｉＮx ／ＳｉＯx をエッ
チングしてコンタクトホールを形成した。またＩＴＯな
どの透明導電性膜をスパッタ法などにより堆積して所定
形状にパターニングし、画素電極２２を形成した。

【００５９】この後、Ｗを約５０ｎｍ、Ａｌを約４００
ｎｍ堆積し、Ａｌエッチング液及びＣＦ₄ ／Ｏ₂ のドラ
イエッチにより、ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７
ｂ、信号線２１を形成した。

【００６０】次に基板全面にわたりレジストを塗布し
た。レジストはポジでもネガでもよいがここではノボラ
ック系のポジ型レジストを用いた。

【００６１】次に基板裏面よりキセノンランプで加熱し
た。ゲート線１１部分は照射光を反射し、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ
をＣＤＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｒｙ Ｅｔｃｈｉｎ
ｇ）によりエッチングしてＴＦＴアレイを完成した。

【００６２】ａ−Ｓｉ半導体膜１３及びＷは可視から赤
外において反射率が低いため光を吸収して加熱される。
このため、ゲート線１１の形成されていない部分がより
高温となりレジストの重合が進む。このレジストを現像
することにより、例えばゲート電極上など光の吸収され
ない部分が溶解し、ソース・ドレイン部分の上及び一部
１〜２μｍ程度ゲート上に重なってレジストが残ことに
なる。

【００６３】ここで、信号線１１とゲート線２１の交差
部には光が当たらないため、レジストが溶解してしま
う。このため前述のようにゲート線１１、信号線２１の
交差部にはマスクにより選択的に光を照射又はレーザー
スポットにより加熱重合させるようにしてもよい。ま
た、前述のようにゲート線１１の信号線２１と交差する
領域に照射光が回折して背面に回り込めるようなスリッ
トを形成しておけば、信号線１１とゲート線２１の交差
部にも光を当てることができ、レジストを硬化すること
ができる。

【００６４】このレジストをマスクにＡｌ、Ｗをエッチ
ングする。これをマスクにＣＦ₄ ／Ｏ₂ のドライエッチ
によりｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜をエッチングする。この上
にＩＴＯなどの透明導電性膜からなる画素電極をした後
にＳｉＮx からなるパッシベーション膜を形成する。

【００６５】図７はこのようにして形成したアレイ基板
の画素領域の平面構造を模式的に示す図である。図８は
図７のアレイ基板のＭＭ´方向の断面構造を概略的に示
す図である。このような工程で薄膜トランジスタアレイ
を形成することにより、大型ガラス基板や、熱変形の大
きいプラスチック基板を用いてもソース・ドレインとゲ
ートが基板全面にわたって良好に整合した薄膜トランジ
スタを形成することができる。したがって、基板内に多
数形成される薄膜トランジスタの特性を均一化すること
ができ、表示品質を向上することができる。

【００６６】次に対角４０インチの高精細ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄに本技術を適用した。第一の実施例ではプラスチック
基板を用いたが、本実施例ではガラス基板を用いた。ガ
ラスは約５×１０^-5程度の熱膨張係数を持つため、３℃
の変化で１３０μｍ以上の熱変形が発生してしまい、通
常のフォトリソグラフィ工程では合わすことができな
い。これに対し本発明のアレイ基板の裏面からの光加熱
による自己整合整合により、ほぼ完全に自己整合整合す
ることができた。

【００６７】ゲート線としては可視光線（５５０ｎ
ｍ）、赤外光線（１μｍ）で反射率の大きいＡｇ（０．
９１４、０．９８７）、Ａｌ（０．９２４、０．９７
０）、Ｃｒ（０．６９８、０．６３９）、Ｃｕ（０．５
７７、０．９７６）、Ｍｏ（０．５８２、０．８０
５）、Ｔａ（０．３９５、０．９９２）、Ｎｂ（０．５
１１、０．８７５）、Ａｕ（０．３３１、０．９９２）
が好ましい。またａ−Ｓｉ半導体膜１３上に形成する金
属としては反射率が小さくて光吸収の大きいＳｉ（０．
３６４、０．３１６）、Ｗ（０．４８０、０．６４
９）、Ｔｉ（０．４６２、０．５７０）などを用いるこ
とが好ましい。

【００６８】ゲート線１１と半導体膜１３との照射光に
対する反射率の差は３０％以上あれば選択的にレジスト
を硬化することができることがわかった。また、ゲート
線１１と半導体膜１３の反射率差の大きい波長領域を有
する照射光により加熱することが好適である。また、加
熱部と非加熱部との温度差は約２０〜６０℃程度、より
好ましくは約３０〜５０℃程度にすることにより、レジ
ストを選択的に溶解することができる。

【００６９】（実施形態４）さらに、裏面からの加熱用
光源として連続発光光源を用いた場合には、熱拡散等に
より非照射部分の温度も上昇しやすいため、パルス光源
で加熱すれば、更に温度差を拡大するのに有効である。

【００７０】実施形態３と同様のプロセスを、キセノン
ランプの代わりにパルス光源を用いて行った。パルス光
源としてはＹＡＧレーザーを用い、波長約１μｍ、エネ
ルギー密度１００Ｗ／ｃｍ² 程度の照射光を、１μｓｅ
ｃ〜１０ｍｓｅｃ程度のパルス幅で照射することによ
り、レジストがより選択的に加熱され、さらに良好なパ
ターニング形状を得ることができた。

【００７１】（実施形態５）図９は本発明の薄膜トラン
ジスタの構造を概略的に示す図である。図９（ａ）はこ
の薄膜トランジスタの断面構造を、図９（ｂ）はこの薄
膜トランジスタの半導体膜とオーミックコンタクト層の
部分を拡大して模式的に示す図である。

【００７２】この薄膜トランジスタは絶縁性基板１０
と、絶縁性基板１０上に形成されたゲート電極１１と、
ゲート電極１１を覆うように絶縁性基板１０上に形成さ
れたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１１上に形成さ
れた半導体膜１３と、実質的に半導体膜１３の酸化物１
３ｂからなり、半導体膜１３のゲート電極１１と対応す
る領域のゲート電極１１と反対側に形成された第１の絶
縁層１３ｂと、半導体膜１３上に形成されたオーミック
コンタクト層１４と、実質的にオーミックコンタクト層
１４の酸化物１４ｃからなり、オーミックコンタクト層
１４の第１の酸化層１３ｂに対応する領域に、オーミッ
クコンタクト層１４のソース・ドレイン領域を分離する
ように形成された第２の絶縁層１４ｃと、第２の絶縁層
１４ｃにより分離されたオーミックコンタクト層１４上
に形成されたソース電極１７ａおよびドレイン電極１７
ｂとを有するものである。

【００７３】この例では絶縁性基板１０にはプラスティ
ック基板を用いている。また半導体膜にはａ−Ｓｉを用
い、オーミックコンタクト層１４にはｎ⁺ ａ−Ｓｉを用
いている。

【００７４】この薄膜トランジスタのオーミックコンタ
クト層１４は、そのゲート電極１１と対向する領域に、
実質的にオーミックコンタクト層１４の酸化物からなる
第２の酸化物層１４ｃを有しており、この第２お酸化物
層１４ｃによってソース・ドレインが分離されている。

【００７５】また、半導体膜１３のオーミックコンタク
ト層側の表層部には、実質的に半導体膜の酸化物からな
る第１の酸化層が形成されている。なお、第１の酸化層
は、半導体膜１３に十分なキャリアのパスが残るように
形成されている。

【００７６】第１の酸化層１３ｂおよび第２の酸化層１
４ｃは、この場合どちらもシリコン酸化物から形成され
ているが、第２の酸化層１４ｃにはリンの酸化物も存在
している。

【００７７】このような酸化層は、例えば絶縁性基板上
にオーミックコンタクト層１４までを形成した段階で、
オーミックコンタクト層上にレジストを形成し、このレ
ジスとをゲート電極１１をマスクとして裏面露光して現
像したものをマスクとして陽極酸化を行うことにより形
成することができる。したがって、ソース・ドレインを
ゲート電極と自己整合的に形成することができる構造で
ある。例えば本発明の薄膜トランジスタは、プラスティ
ック基板や、大型基板などに薄膜トランジスタアレイを
形成する場合であっても、基板全体にわたって特性の均
一性を保ちながら形成することができる。

【００７８】（実施形態６）図１０、図１１は図９に例
示したような本発明の薄膜トランジスタを絶縁性基板上
にマトリクスアレイ状に形成した液晶表示装置のアレイ
基板の製造方法の例を説明するための図である。

【００７９】まず、透光性を有するガラスまたはプラス
チックなどからなる絶縁性基板１０上にＭｏ、Ｔａ、Ｃ
ｕ、Ａｌ合金、ＭｏＷ等をスパッタ法などにより厚さ約
３００ｎｍにわたって堆積し、エッチングを行って、ゲ
ート線１１、図示しないＣｓ線のパターンにパターニン
グした。

【００８０】次に、例えばプラズマＣＶＤ法などにより
ゲート絶縁膜１２として厚さ約３００ｎｍのＳｉＯx 膜
１２ａと厚さ約５０ｎｍのＳｉＮx 膜１２ｂを積層し
た。さらに、アンドープのａ−Ｓｉ半導体膜１３を約１
００ｎｍ、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜１４からなるコンタク
ト層１４を約２００ｎｍ、Μｏからなる金属薄膜１４ｂ
を約２０ｎｍ堆積した。

【００８１】この後、図示しない画素領域の周辺部のゲ
ート線取り出しパッド部のΜｏ金属薄膜１４ｂ／ｎ⁺ ａ
−Ｓｉ半導体膜１４／ａ−Ｓｉ半導体膜１３／ＳｉＮx
１２ｂ／ＳｉＯx １２ａをエッチングしてコンタクトホ
ールを形成した。ｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜１４上の金属薄
膜１４ｂはこの段階で形成してもよい。金属としてはＭ
ｏの他に、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ半導体膜１４とのオーミック性
のよいＷ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ等の高融点金属や陽極酸化
性のよいＡｌ、Ｎｂ等を用いるようにしてもよい。

【００８２】次にネガレジスト６０を形成し、ソース電
極１７ａ、ドレイン電極１７ｂ、および信号線２１が形
成される以外の領域を露光する。次に絶縁性基板１０の
裏面側よりゲート線１１をマスクとして露光することに
より、ａ−Ｓｉ半導体膜１３に対応する領域を通常露光
の半分程度まで露光し、レジストの残膜厚を１／２程度
にする。露光用の光は半導体に吸収されるため、半導体
を通過した光強度が低減し、このような露光の選択性を
得ることが可能となる。このときゲート電極１１上のレ
ジストはゲート電極１１がマスクになるため露光されな
い。このレジストを現像することによりレジスト６０の
ソース電極１７ａ、ドレイン電極１７ｂの部分６１ｂは
１／２程度の膜厚で幅１〜２μｍ程度にわたってチャネ
ル上に重なり、ゲート電極１１に対応する領域にはレジ
ストが形成されていないレジストパターンとなる（図１
０（ａ））。

【００８３】ここで、前述のように、信号線２１とゲー
ト線１１の交差部になる領域には光が当たらないためレ
ジスト１５が溶解してしまう。このためにゲート線１１
と信号線２１の交差部になる領域にはマスクにより選択
的に光を照射したり、あるいはレーザースポット照射に
より加熱重合させるようにする。または、前述のよう
に、ゲート線１１の信号線２１の交差部になる領域に、
ゲート線１１がフレネル回析による光の回り込み以下の
幅を有する複数の部分からなるようにスリット１１ｂを
形成するようにしてもよい。このようにすることにより
ゲート線１１上の信号線２１もレジストにより被覆する
ことができる。

【００８４】ついで、例えばクエン酸０．１％溶液等を
用いてチャネル部のｎ⁺ ａ−Ｓｉからなるオーミックコ
ンタクト層１４を陽極酸化し、実質的にＳｉＯx からな
る第２の酸化層１４ｃを形成する。この第２の酸化層１
４ｃにはこの場合リンなどの不純物が酸化物として残存
している（図１０（ｂ））。

【００８５】また、あるいは、陽極酸化を行う前にＣＦ
₄ ／Ｏ₂ のドライエッチ法又はＣＤＥ法などによりチャ
ネル部のｎ⁺ ａ−Ｓｉ膜をエッチングしてから陽極酸化
するようにしてもよい。

【００８６】次に、追加現像またはアッシングによりレ
ジストの膜厚を約１／２程度に減らして、信号線２１を
形成する領域のレジストを除去し、ｎ⁺ ａ−Ｓｉコンタ
クト層１４を露出させる。そして、レジスト又は陽極酸
化膜に被覆されていない領域にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｕ等の単
層または積層の金属をメッキして信号線２１を形成する
（図１０（ｃ））。また図１２（ａ）は、このときの画
素の状態を概略的に示す平面図である。メッキの前には
希釈したＨＦなどにより半導体膜表面の酸化膜を除去し
たほうがよい。

【００８７】メッキはＴｉ等の表面処理を行なった後に
無電解メッキを行ってもよいし、ｎ⁺ ａ−Ｓｉ及びＭｏ
の積層膜の端の部分から導通を取って電気メッキを行う
ようにしてもよい。

【００８８】レジストを剥離した後に、メッキした金属
及び陽極酸化膜をマスクにして、配線およびチャネル以
外の部分のｎ+ ａ−Ｓｉオーミックコンタクト層１４、
ａ−Ｓｉ半導体膜１３をＣＤＥ法またはＲＩＥ法などに
よりエッチングする（図１１（ｄ））。

【００８９】チャネル部の陽極酸化を行う際には、ネガ
レジストを全面に形成して、ａ−Ｓｉ半導体膜１３を通
して露光して現像して、ゲート線１１上のみのレジスト
を除去してゲート線１１に対応したａ−Ｓｉ半導体膜１
３の表面を陽極酸化するようにしてもよい。

【００９０】このようにして基板１０上にゲートとソー
ス・ドレインとが自己整合的に形成された薄膜トランジ
スタが基板１０上にマトリクス上に配列した薄膜トラン
ジスタ２２がマトリクスアレイ状に形成された薄膜トラ
ンジスタアレイが完成する。この薄膜トランジスタを製
造後、その断面をＳＥＭにより観察したところ、主とし
てシリコン酸化物からなる積層された陽極酸化層である
第１の酸化層と第２の酸化層は区別することができた。

【００９１】次に、ポジ系のポリビニルアルコール等の
感光性の染色可能な高分子材料３１ａを約１〜３μｍ程
度の厚さにコーティングする。そして裏面より露光する
ことにより信号線２１及びゲー卜線１１上に高分子材料
３１を残す。

【００９２】次に、この高分子材料３１を加熱してパタ
ーンだれを発生させ、信号線２１、走査線１１の形成さ
れた領域を完全に覆うように変形させる。

【００９３】このように薄膜トランジスタアレイを形成
することにより、熱変形の大きいプラスチック基板を用
いた場合でも、ソース・ドレインとゲートが良好に整合
した薄膜トランジスタを形成することができた。また、
アレイ基板内での薄膜トランジスタの特性も揃ってい
た。このため液晶表示装置の画質も均一になり、表示品
質を向上することができた。

【００９４】（実施形態７）対角４０インチの高精細ア
クティブマトリクス型液晶表示装置に実施形態５、６で
例示した本発明に薄膜トランジスタを適用した。

【００９５】実施形態１では絶縁性基板１０としてプラ
スチック基板を用いたが、この例ではガラス基板を用い
た。ガラスは約５×１０^-5程度の熱膨張係数を持つた
め、３℃の変化で１３０μｍ以上の熱変形が発生する。
このため、通常のフォトリソグラフィ工程ではマスク合
わせを行うことができない。これに対し、本発明の裏面
露光とメッキ層形成を用いる自己整合的な製造方法によ
り、ほぼ完全に自己整合することができた。したがっ
て、対角４０インチのような大きなアレイ基板上に、特
性の均一な薄膜トランジスタアレイを形成することがで
きた。

【００９６】このようにＴＦＴを形成することにより、
熱変形の大きいプラスチック基板を用いてもソース・ド
レインとゲートが良好に整合したＴＦＴを形成でき、基
板面内で特性の揃ったＴＦＴアレイが形成できた。この
ためＬＣＤの画質も均一であり、良好な画面が実現でき
た。このようにしてＴＦＴ及びＴＦＴアレイが完成す
る。

【００９７】次に対角４０インチの高精細ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄに本技術を適用した。第一の実施例ではプラスチック
基板を用いたが、本実施例ではガラス基板を用いた。ガ
ラスは５×１０^-5の熱膨張係数を持つため、３℃の変化
で１３０μｍ以上の熱変形が発生するため、通常のフォ
トリソグラフィ工程では合わすことができない。これに
対し、本発明の裏面露光とメッキを用いる製法により、
ほぼ完全に自己整合整合することができた。

【００９８】なお本発明において用いる半導体膜はａ−
Ｓｉに限ることはなく、ｐ−Ｓｉ、μｃ−Ｓｉでもよい
し、これら以外の半導体を用いるようにしてもよい（化
合物半導体を含む）。また半導体膜、絶縁成膜などの膜
厚は必要に応じて設定するようにすればよい。

【００９９】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の薄膜トラン
ジスタアレイの製造方法によれば、ゲート電極と自己整
合的にソース・ドレイン電極を形成することができる。
したがってガラス基板やプラスティック基板などの熱や
応力に対する変形が大きな基板、または大型基板のよう
に熱や応力に対する変形が累積して通常のフォトリソグ
ラフィ技術では位置合わせが困難な基板においても、大
規模な薄膜トランジスタアレイを特性の均一性を維持し
ながら形成することができる。したがって、例えば液晶
表示装置のアレイ基板や撮像装置のアレイ基板などに本
発明を適用することにより、薄膜トランジスタの特性を
均一にすることができ、表示品質、撮像の品質を向上す
ることができる。

【０１００】また本発明の電子装置によれば、照射光が
回折するようなスリットを形成することにより通常は遮
光性を有する配線材料のような低抵抗の導体層の裏面に
ついても光を照射することができる。したがって、例え
ば液晶表示装置のアレイ基板などの製造時における複雑
なフォトエッチングプロセスに関する工程を単純にする
ことができ、生産性を向上することができる。

【０１０１】さらに本発明の薄膜トランジスタは、オー
ミックコンタクト層、半導体膜自体の陽極酸化層である
第１の酸化層、第２の酸化層によりソース・ドレインを
分離した薄膜トランジスタである。したがって、ガラス
基板、プラスティック基板のように熱や応力に対する変
形の大きな基板や、サイズが大きい基板などにおいて
も、大規模な薄膜トランジスタアレイを、均一に形成す
ることができるという大きな利点を有する。このような
構造を有する薄膜トランジスタにより構成した薄膜トラ
ンジスタアレイは、そのすべてが自己整合的に形成され
ているから、特性が均一になる。したがって、この薄膜
トランジスタにより液晶表示装置のアレイ基板や撮像装
置を構成することにより、表示品質、撮像の品質を向上
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示装置の製造方法の１例を説明
するための図。

【図２】本発明の液晶表示装置の製造方法の１例を説明
するための分図。

【図３】本発明の液晶表示装置の製造方法の１例を説明
するための分図。

【図４】製造中のアレイ基板の状態を概略的に示す平面
図。

【図５】本発明の電子装置の配線交差部を概略的に示す
図。

【図６】本発明の電子装置の配線交差部を概略的に示す
図。

【図７】アレイ基板の画素領域の平面構造を模式的に示
す図。

【図８】図７のアレイ基板のＭＭ´方向の断面構造を概
略的に示す図。

【図９】本発明の薄膜トランジスタの構造を概略的に示
す図。

【図１０】本発明の薄膜トランジスタを絶縁性基板上に
マトリクスアレイ状に形成した液晶表示装置のアレイ基
板の製造方法の例を説明するための図。

【図１１】本発明の薄膜トランジスタを絶縁性基板上に
マトリクスアレイ状に形成した液晶表示装置のアレイ基
板の製造方法の例を説明するための図。

【図１２】アレイ基板の画素領域の平面構造を模式的に
示す図。

【図１３】製造中のアレイ基板の状態を概略的に示す平
面図。

【符号の説明】

１０………絶縁性基板 １１………ゲート電極 １２………ゲート絶縁膜 １３………半導体膜 １３ｂ……第１の酸化層 １４………オーミックコンタクト層 １４ｂ……金属薄膜 １４ｃ……第２の酸化層 １５………ネガレジスト １６………メッキ層 １７………金属層 １７ａ……ソース電極 １７ｂ……ドレイン電極 １８………マスク ２０………薄膜トランジスタ ２１………信号線 ２２………薄膜トランジスタ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明絶縁性基板上にゲート電極を形成す
   る工程と、 前記ゲート電極の上側から前記絶縁性基板上に透光性を
   有するゲート絶縁膜、半導体膜、オーミックコンタクト
   層を順次積層する工程と、 前記オーミックコンタクト層上にネガ型感光性樹脂層を
   形成し、前記絶縁性基板の前記ゲート電極が形成された
   側と反対側から前記ゲート電極をマスクとして露光し、
   未露光の前記感光性樹脂層を除去する工程と、 前記感光性樹脂層をマスクとして前記オーミックコンタ
   クト層上に第１の金属のメッキ層を形成する工程と、 前記感光性樹脂層を除去する工程と、 前記メッキ層の上側から前記第１の金属よりもエッチン
   グレートの小さい第２の金属からなる導体層を形成する
   工程と、 前記メッキ層および前記導体層とを、前記メッキ層が除
   去され、前記導体層の少なくとも一部が残るようにエッ
   チングする工程とを具備したことを特徴とする薄膜トラ
   ンジスタアレイの製造方法。
2. 【請求項２】 透明絶縁性基板上に可視光線または赤外
   線に対して第１の反射率を有する導体材料からなるゲー
   ト電極を形成する工程と、 前記ゲート電極の上側から前記絶縁性基板上に、透光性
   を有するとともに可視光線または赤外線に対して前記第
   １の反射率よりも小さな第２の反射率を有する、ゲート
   絶縁膜、半導体膜、オーミックコンタクト層を順次積層
   する工程と、 前記オーミックコンタクト層上に熱硬化性および感光性
   を有する樹脂層を形成し、前記絶縁性基板の前記ゲート
   電極が形成された側と反対側から前記ゲート電極をマス
   クとして露光する工程と、 未硬化の前記樹脂層を除去する工程と、 前記樹脂層をマスクとして前記オーミックコンタクト層
   上にソース・ドレイン電極を形成する工程と、を具備し
   たことを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方
   法。
3. 【請求項３】 第１の導体配線と、 前記第１の導体配線と感光性絶縁性樹脂層を介して積層
   され、前記第１の導体配線と重なる領域に、少なくとも
   可視光が回折するように形成されたスリットを有する第
   ２の導体配線とを具備したことを特徴とする電子装置。
4. 【請求項４】 絶縁性基板と、 前記絶縁性基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極を覆うように前記絶縁性基板上に形成さ
   れたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体膜と、 前記半導体膜の酸化物からなり、前記半導体膜の前記ゲ
   ート電極と対応する領域の前記ゲート電極と反対側に形
   成された第１の絶縁層と、 前記半導体膜上に形成されたオーミックコンタクト層
   と、 前記オーミックコンタクト層の酸化物からなり、前記オ
   ーミックコンタクト層の前記第１の酸化層に対応する領
   域に、前記オーミックコンタクト層のソース・ドレイン
   領域を分離するように形成された第２の絶縁層と、 前記第２の絶縁層により分離された前記オーミックコン
   タクト層上に形成されたソース電極およびドレイン電極
   とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。